TW202108798A - Ｎｉ系濺鍍靶及磁性記錄媒體 - Google Patents

Ｎｉ系濺鍍靶及磁性記錄媒體 Download PDF

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松原慶明
井本未由紀
相川芳和
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日商山陽特殊製鋼股份有限公司
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Abstract

本發明課題為提供一種靶內部的磁性分佈不均少的Ni系濺鍍靶及具有使用該靶所形成的種子層之磁性記錄媒體，為了解決此課題，本發明提供一種Ni系濺鍍靶，其係由Fe-Ni-Co-M系合金所形成之Ni系濺鍍靶，該Fe-Ni-Co-M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成，並且Fe-Ni-Co-M系合金的微組織是由Ni的含量不同的多個區域所形成，在各區域存在添加元素M，且其存在形態為：僅添加元素M的固溶體，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與添加元素M的化合物，或固溶體與化合物兩者。

Description

Ｎｉ系濺鍍靶及磁性記錄媒體
本發明關於一種磁性記錄媒體的種子層用Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體。
以往，實現硬碟機的磁性記錄高密度化的技術，可採用垂直磁性記錄方式。以垂直磁性記錄的方式來記憶資訊的垂直磁性記錄媒體，一般而言，具有在玻璃等的基板上依序層合軟磁性底層、控制基材層，記錄磁資訊的磁性記錄層及碳保護層之多層構造。控制基材層含有控制磁性記錄層的配向性的種子層。種子層具有面心立方晶格構造(fcc構造)，該構造具有與媒體面平行的(111)面，可使磁性記錄層的磁性膜的易磁化軸以垂直於媒體面來配向。
近年來，為了改善硬碟機的磁性記錄特性，使種子層具有磁性的方法被提出來檢討。專利文獻1提出了一種Fe-Ni-Co-M系合金來作為具有磁性的種子層用的合金。
一般而言，種子層的成膜可使用磁控濺鍍法。磁控濺鍍法是指藉由在濺鍍靶的背後配置磁石，並使電漿聚在濺鍍靶表面的漏磁通區域來提高氬原子衝撞濺鍍靶的機率(濺鍍率)，以提高在基板上的附著速度的濺鍍法。用來形成具有磁性的種子層的濺鍍靶，被要求具有在該靶的表面形成漏磁通區域所充分必要的低磁性(飽和磁通密度及透磁率)，另一方面，為了改善前述磁性記錄特性，需要夠高的磁性。
對於這種要求，專利文獻1提出一種材料，是在能夠得到漏磁通以作為濺鍍靶的程度具有夠低的磁性，且具有夠高的磁性作為濺鍍膜及作為種子層。專利文獻1的Fe-Ni-Co-M系合金，是利用Fe-Ni系合金在Fe-30at.%Ni附近的組成(相對於Fe含有Ni 25～35at.%的組成)飽和磁通密度Bs會變得極小的特性，進行濺鍍靶的組織控制來降低靶本身的飽和磁通密度。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第6254295號公報
[發明所欲解決的課題]
Fe-30at.%Ni合金的飽和磁通密度Bs，會隨著Ni量敏感地變動。因此，在具有Fe-30at.%Ni合金區域的濺鍍靶的情況，因為Fe-30at.%Ni合金區域內的Ni量的微量變動或Fe-30at.%Ni合金區域與其他區域的交界部的Ni擴散狀況，磁性分佈容易發生微小的不均。在濺鍍靶之中，若發生磁性不均，則在濺鍍時靶部位造成放電性不均勻，會有無法得到高濺鍍率的顧慮。
本發明鑑於以上的狀況，目的在於提供一種磁性記錄媒體的種子層用Ni系濺鍍靶，可得到夠強的漏磁通以作為濺鍍靶，並具有作為磁性記錄媒體的種子層的磁性，且濺鍍靶內部的磁性分佈不均少，可得到高濺鍍率，及具有使用該Ni系濺鍍靶形成的種子層的磁性記錄媒體。 [用於解決課題的手段]
本發明的一個態樣所關連的Ni系濺鍍靶，其係由Fe-Ni-Co-M系合金所形成的Ni系濺鍍靶，該Fe-Ni-Co-M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成，其特徵為：前述添加元素M含有選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所構成的第1群的一種或兩種以上的M1元素，前述Fe-Ni-Co-M系合金的微組織由Ni的含量不同的多個區域所形成，在各區域存在前述添加元素M，且其存在形態為：僅前述添加元素M固溶，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與前述添加元素M的化合物，或前述固溶體與前述化合物兩者。
本發明的一個態樣所關連的磁性記錄媒體，其係具有由Fe-Ni-Co-M系合金所形成的種子層之磁性記錄媒體，該Fe-Ni-Co-M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成，其特徵為：前述添加元素M含有選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所構成的第1群的一種或兩種以上的M1元素，前述Fe-Ni-Co-M系合金的微組織由Ni的含量不同的多個區域所形成，在各區域存在前述添加元素M，且其存在形態為：僅前述添加元素M固溶，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與前述添加元素M的化合物，或前述固溶體與前述化合物兩者。
上述Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體之中，前述多個區域包含第1區域、第2區域及第3區域，將各區域內的Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，前述第1區域的Ni的含量為0以上20以下，前述第2區域的Ni的含量為80以上100以下，前述第3區域的Ni的含量高於20未達80即可。
上述Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體之中，將前述Fe-Ni-Co-M系合金的Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，Fe的含量為0以上50以下，Ni的含量為20以上98以下，Co的含量為0以上40以下，前述M1元素的合計含量為2at.%以上20at.%以下即可。
上述Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體之中，前述添加元素M亦可進一步含有選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Re及Ru所構成的第2群的一種或兩種以上的M2元素。
上述Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體之中，前述M2元素的合計含量高於0at.%且在10at.%以下即可。 [發明之效果]
依據本發明，可提供一種磁性記錄媒體的種子層用濺鍍靶，可得到夠強的漏磁通以作為濺鍍靶，並具有作為磁性記錄媒體的種子層的磁性，且濺鍍靶內部的磁性分佈不均少，可安定地濺鍍；及提供具有使用該濺鍍靶所形成的種子層之磁性記錄媒體。
本發明所關連的Ni系濺鍍靶及磁性記錄媒體的種子層是由Fex -Niy -Coz -M系合金所形成。Ni系濺鍍靶適合使用於磁控濺鍍。Fex -Niy -Coz -M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成。以下，方便上將Fe、Ni及Co稱為Fe-Ni-Co-M系合金的基底元素。在組成式Fex -Niy -Coz -M之中，x表示合金中的Fe的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，y表示合金中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，z表示合金中的Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。此外，在本說明書之中，會有將Fex -Niy -Coz -M系合金表示為「Fe-Ni-Co-M系合金」的情形。
Fex -Niy -Coz -M系合金之中，x+y+z為100時，x(Fe的比例)為0以上50以下，y(Ni的比例)為20以上98以下，且z(Co的比例)為0以上40以下為佳。在Fex -Niy -Coz -M系合金之中，藉由將Fe：Ni：Co定為0～50：98～20：0～40，使用由該合金所形成的濺鍍靶成膜的濺鍍膜的結晶構造會成為fcc構造。
x更佳為2以上45以下，再更佳為5以上40以下。y更佳為40以上98以下，再更佳為45以上75以下。z更佳為0以上30以下。
添加元素M含有M1元素。添加元素M亦可進一步含有M2元素。
M1元素為選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所構成的第1群的一種或兩種以上的元素。M1元素是具有高熔點的bcc系金屬。藉由將M1元素在本發明所規定的成分範圍添加至Fe-Ni-Co-M系合金，可改善種子層所需要的立方晶格的(111)面的配向性，而且可使結晶粒微細化，然而其機制並不明確。在M1元素的合計含量未達2at.%情況，其效果不足。種子層用合金需要是fcc單相，然而若M1元素的合計含量超過20at.%，則會無定形化。由此觀點看來，Fe-Ni-Co-M系合金中的M1元素的合計含量，宜為2at.%以上20at.%以下，更佳為2at.%以上15at.%以下，再更佳為3at.%以上12at.%以下。
M1元素之中，對於(111)面的配向而言效果高的元素為W及Mo。所以，Fe-Ni-Co-M系合金以含有W及Mo之中的至少一種作為必須成分為佳。此情況下，Fe-Ni-Co-M系合金中除了W及Mo之中的至少一種之外，還可含有Cr、Ta、V及Nb之中的至少一種。與Ni組合的高熔點bcc金屬(W、Mo、Ta、Cr、V及Nb)之中，Mo及W與Cr相比熔點較高，而為有利。另外，W及Mo的添加，與Ta、V及Nb的添加相比，較不會往提高無定形性的方向來發生作用，因此有利於形成種子層所需要的fcc相。Cr希望添加超過5at.%，在添加超過5at.%的情況，在配向性這點會變得有利。
M2元素為選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Re及Ru所構成的第2群的一種或兩種以上的元素。M2元素是使立方晶格的(111)面配向的元素，而且是使結晶粒微細化的元素。因此，M2元素為任意成分，而Fe-Ni-Co-M系合金以含有至少一種M2元素為佳。若Fe-Ni-Co-M系合金中的M2元素的合計含量超過10at.%，則會有無定形化的顧慮。這種觀點看來，Fe-Ni-Co-M系合金中的M2元素的合計含量，宜為高於0at.%且在10at.%以下，更佳為高於0at.%且在5at.%以下。
Fe-Ni-Co-M系合金具有含有Feα -Niβ -Coγ 相的微組織。微組織是由Ni的含量不同的多個區域所形成。多個區域包含第1區域、第2區域及第3區域。各區域中存在添加元素M。
在組成式Feα -Niβ -Coγ 之中，α表示Feα -Niβ -Coγ 相中的Fe的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，β表示Feα -Niβ -Coγ 相中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，γ表示Feα -Niβ -Coγ 相中的Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。微組織的鑑定可使用X光繞射、光學顯微鏡等來進行。
將第1區域、第2區域及第3區域的各區域內的Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100(α+β+γ＝100)時，以第1區域的Ni的含量為0以上20以下(β為0以上20以下)，第2區域的Ni的含量為80以上100以下(β為80以上100以下)，第3區域的Ni的含量高於20未達80(β為高於20未達80)為佳。在Ni的比例(β)為0以上20以下的第1區域的情況，飽和磁通密度Bs高，在Ni的比例(β)為80以上100以下的第2區域的情況，飽和磁通密度Bs低。第3區域為第1區域及第2區域的擴散層。
在微組織之中，各區域中的添加元素M的存在形態為：僅添加元素M固溶，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與添加元素M的化合物，或固溶與化合物兩者。
M1元素為Fe-Ni-Co-M系合金的必須成分，因此微組織含有固溶於Feα -Niβ -Coγ 相的M1元素及/或與基底元素形成化合物的M1元素。藉此可減低Fe-Ni-Co-M系合金的磁性。藉由使Fe-Ni-Co-M系合金在本發明的範圍含有M1元素，可使M1元素固溶於Feα -Niβ -Coγ 相及/或可形成基底元素與M1元素的化合物。在Fe-Ni-Co-M系合金之中，若M1元素的合計含量未達2at.%，則固溶的效果或作為化合物形成元素的效果不足，若M1元素的合計含量超過20at.%，則化合物增加而變脆。由此觀點看來，M1元素的合計含量宜為2at.%以上20at.%以下，更佳為2at.%以上15at.%以下，再更佳為3at.%以上12at.%以下。
在Fe-Ni-Co-M系合金含有M2元素作為添加元素M的情況，微組織含有固溶於Fex -Niβ -Coγ 相的M2元素及/或與基底元素形成化合物的M2元素。藉此可降低Fe-Ni-Co-M系合金的磁性。藉由使Fe-Ni-Co-M系合金在本發明之範圍含有M2元素，可使M2元素固溶於Feα -Niβ -Coγ 相及/或可形成基底元素與M2元素的化合物。在Fe-Ni-Co-M系合金之中，若M2元素的合計含量未達1at.%，則固溶的效果或作為化合物形成元素的效果不足，若M2元素的合計含量超過10at.%，則化合物會增加而變脆。由此觀點看來，M2元素的合計含量，宜為高於0at.%且10at.%以下，更佳為高於0at.%且5at.%以下。
Fe-Ni-Co-M系合金，可藉由將Feα1 -Coγ1 -Niβ1 -M系合金粉末(原料粉末A)、Niβ2 -Coγ2 -Feα2 -M系合金粉末(原料粉末B)及其他原料粉末以既定比率混合，並將混合粉末加壓燒結來製造。其他原料粉末可使用補足目標組成所不夠的元素的純金屬粉末及/或合金粉末。混合粉末的加壓燒結可適用例如熱加壓、熱均壓加壓(HIP)、通電加壓燒結、熱擠出等。藉由將該Fe-Ni-Co-M系合金藉由機械加工製成最終形狀，可製造出Ni系濺鍍靶。
在組成式Feα1 -Coγ1 -Niβ1 -M之中，α1表示原料粉末A的合金中的Fe的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，β1表示原料粉末A的合金中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，γ1表示原料粉末A的合金中的Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。Feα -Niβ -Coγ 相的微組織具備β為0以上20以下的第1區域，因此β1定為0以上20以下。亦即，Feα -Niβ -Coγ 相的第1區域，是來自原料粉末A之Feα1 -Coγ1 -Niβ1 -M系合金粉末。
在組成式Niβ2 -Coγ2 -Feα2 -M之中，α2表示原料粉末B的合金中的Fe的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，β2表示原料粉末B的合金中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例，γ2表示原料粉末B的合金中的Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。Feα -Niβ -Coγ 相的微組織具備β為80以上100以下的第2區域，因此β2定為80以上100以下。亦即，Feα -Niβ -Coγ 相的第2區域是來自原料粉末B之Niβ2 -Coγ2 -Feα2 -M系合金粉末。
如上述方式製造出的Ni系濺鍍靶，可利用於垂直磁性記錄媒體的種子層的成膜。垂直磁性記錄媒體中的種子層，可藉由以使用Ni系濺鍍靶的磁控濺鍍法使上述Fe-Ni-Co-M系合金成膜來形成。以這種方式所形成的垂直磁性記錄媒體的種子層，是由上述Fe-Ni-Co-M系合金所形成。 [實施例]
以下藉由實施例來說明本發明之效果。但是本發明不應依照這些實施例的記載限定地解釋。
[靶試樣的製作方法] 藉由氣體霧化法製作出Fe-Co-Ni-M系合金粉末(原料粉末A)、Ni-Co-Fe-M系合金粉末(原料粉末B)及其他原料粉末以作為原料粉末。氣體霧化法是以氣體種類為氬氣、噴嘴口徑為6mm、氣體壓為5MPa的條件來進行。所製作出的合金粉末之中，使用了分級成500μm以下的粉末。此外，其他原料粉末的純物質的粉末亦可為利用霧化法以外的製法的粉末。另外，粉末的製作不僅可使用氣體霧化法，還可使用水霧化法、轉盤式霧化法等。
將依照上述方法所製作出的Fe-Co-Ni-M系合金粉末(原料粉末A)、Ni-Co-Fe-M系合金粉末(原料粉末B)及其他原料粉末混合，使其滿足表1～3所示的Fe-Ni-Co-M系合金組成，填充至由SC材質所形成的封入罐，在極限真空度10-1 Pa以上脫氣真空封入之後，藉由加壓燒結法，以溫度800～1200℃、壓力100MPa以上，保持時間5小時的條件製作出成形體，接下來藉由機械加工，得到最終形狀為外徑165～180mm、厚度3～10mm的靶試樣。原料粉末的混合是使用V型混合機，混合時間定為1小時。此外，混合粉末的加壓燒結方法可使用熱加壓、熱均壓加壓、通電加壓燒結、熱擠出等。
在表1～3之中，「成分組成」表示Fe-Ni-Co-M系合金的成分組成。「成分組成」的「Fe」、「Ni」及「Co」分別表示Fe-Ni-Co-M系合金中的Fe的含量[at.%]、Ni的含量[at.%]、Co的含量[at.%]相對於基底元素(亦即選自由Fe、Ni及Co所構成的第3群的一種或兩種以上的元素)的合計含量[at.%]的比例。「Fe」+「Ni」+「Co」為100。「原料粉末A」中的「Fe」、「Ni」及「Co」分別表示原料粉末A中的Fe的含量[at.%]、Ni的含量[at.%]、Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。「原料粉末A」中的「Fe」+「Ni」+「Co」為100。「原料粉末B」中的「Fe」、「Ni」及「Co」分別表示原料粉末B中的Fe的含量[at.%]、Ni的含量[at.%]、Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例。「原料粉末B」中的「Fe」+「Ni」+「Co」為100。Fe-Ni-Co-M系合金中的基底元素的合計含量[at.%]可藉由以100at.%減去Fe-Ni-Co-M系合金中的M1元素的合計含量[at.%]來求得。原料粉末A及原料粉末B也與此同樣。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
[靶試樣的透磁率的測定及評估方法] 測定所製作出的靶試樣的透磁率時，製作出外徑15mm、內徑10mm、高度5mm的環形測試片，使用BH追蹤儀，以8kA/m的施加磁場來測定最大透磁率(emu)。在表4～6中，將最大透磁率在500emu以下的情況定為「G1(Grade1)」，超過500emu且在1000emu以下定為「G2(Grade2)」，超過1000emu定為「G3(Grade3)」。此外，關於最大透磁率，G1特別適合作為本發明之Ni系濺鍍靶，G2適合作為本發明之Ni系濺鍍靶，G3不適合作為本發明之Ni系濺鍍靶。
[靶試樣的漏磁通的測定及評估方法] 在測定所製作出的靶試樣的漏磁通(Pass-Through-Flux，以下記載為「PTF」)時，在靶試樣的背面配置永久磁石，測定洩漏至靶試樣表面的磁通量。此方法可定量測定相近於磁控濺鍍裝置的狀態的漏磁通。實際的測定是根據ASTM F2806-01(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets Method2)來進行，藉由下式來求得PTF。 (PTF)＝100×(放置靶試樣的狀態下的磁通強度)÷(沒有放置靶試樣的狀態下的磁通強度)(%) 在表4～6之中，PTF為10%以上定為「G1(Grade1)」，未達10%定為「G2(Grade2)」。此外，關於PTF，G1適合作為本發明之Ni系濺鍍靶，G2不適合作為本發明之Ni系濺鍍靶。
[靶試樣內的磁性的變動的測定及評估方法] 在相同圓周上以30度的間隔進行上述PTF的測定12次，計算出其最大值與最小值之差，以該差值來評估靶試樣內的磁性的變動。將差值為3%以下定為「G1(Grade1)」，10%以下定為「G2(Grade2)」，10%以上定為「G3(Grade3)」。G1特別適合作為本發明之Ni系濺鍍靶，G2適合作為本發明之Ni系濺鍍靶，G3不適合作為本發明之Ni系濺鍍靶。
[濺鍍膜的觀察] 以所製作出的靶試樣作為濺鍍靶，並藉由磁控濺鍍法在基板上使濺鍍膜成膜。此濺鍍膜模擬了垂直磁性記錄媒體的種子層。對於以各靶試樣成膜的濺鍍膜，使用X光繞射分析裝置，藉由進行X光繞射分析，解析濺鍍膜的微組織中的M元素的存在形態及濺鍍膜的結晶構造。另外，對於以各靶試樣成膜的濺鍍膜進行顯微鏡觀察，以觀察濺鍍膜破裂的有無。另外，由以穿透式電子顯微鏡(TEM)所拍攝到的組織照片，根據影像解析計算出濺鍍膜的結晶粒徑。此處，測定影像中所含有的結晶的橢圓形影像的長徑與短徑，將其平均徑定為粒徑，將組織影像既定範圍中所包含的多個結晶的粒徑的平均值定為「結晶粒徑」。將結晶粒徑為20nm以下的情況定為「G1(Grade1)」，大於20nm的情況定為「G2(Grade2)」。
在表4～6中揭示了針對實施例1～64及比較例1～8的靶試樣及濺鍍膜的各種觀察結果及評估結果。
Figure 02_image007
Figure 02_image009
Figure 02_image011
實施例1～64的靶試樣，原料粉末A中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例為0以上20以下，原料粉末B中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例為80以上100以下。亦即，實施例1～64的靶試樣，Feα -Niβ -Coγ 相的微組織具有β(Ni的比例)為0以上20以下的第1區域與β為80以上100以下的第2區域。另外，在第1區域與第2區域兩者皆存在添加元素M。在各區域之中，添加元素M是以僅固溶於Feα -Niβ -Coγ 相的固溶體，僅基底元素的化合物，或固溶體與化合物兩者的形式存在。
如上述所述般，實施例1～64的靶試樣任一者皆滿足本發明的條件，因此最大透磁率為1000emu以下，PTF為10%以上，靶試樣內的磁性的變動受到抑制。而且，由實施例1～64的靶試樣成膜的濺鍍膜，結晶構造為fcc構造，結晶粒徑在20nm以下，因此適合作為磁性記錄層的種子層。此外，由實施例1～63的靶試樣成膜的濺鍍膜，Fex -Niy -Coz -M系合金中的M2元素的合計含量在0at.%以上10at.%的範圍內，因此成膜時並未發生破裂，然而由實施例64的靶試樣成膜的濺鍍膜，Fex -Niy -Coz -M系合金中的M2元素的合計含量脫離0at.%以上10at.%的範圍，因此成膜時發生破裂。
由以上看來，判明了依據本發明，可提供一種磁性記錄媒體的種子層用的Ni系濺鍍靶，可得到夠強的漏磁通以作為磁控濺鍍的靶，具有作為磁性記錄媒體的種子層的磁性，且靶內部的磁性分佈不均少，可安定地濺鍍；及提供具有使用該Ni系濺鍍靶所形成的種子層的磁性記錄媒體。
比較例1的靶試樣中，原料粉末A中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例為21。亦即，比較例1的靶試樣中，Feα -Niβ -Coγ 相的微組織不具有β(Ni的比例)為0以上20以下的第1區域。比較例1的靶試樣，磁性變動大，不適合作為用來形成種子層的濺鍍靶。
比較例2的靶試樣中，Fex -Niy -Coz -M系合金中的Fe的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例脫離0以上50以下的範圍。比較例3、4的靶試樣中，Fex -Niy -Coz -M系合金中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例脫離20以上98以下的範圍。比較例2～4的靶試樣，濺鍍膜為bcc構造(體心立方晶格構造)。比較例5的靶試樣中，Fex -Niy -Coz -M系合金中的Co的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例脫離0以上40以下的範圍。比較例5的靶試樣，濺鍍膜為hcp構造(六方最密填充構造)。由比較例2～5的靶試樣成膜的濺鍍膜不適合作為磁性記錄層的種子層。
比較例6、7的靶試樣中，Fex -Niy -Coz -M系合金中的M1元素的合計含量脫離2at.%以上20at.%以下的範圍。在比較例6的靶試樣的情況，濺鍍膜的結晶粒徑超過20nm。在比較例7的靶試樣的情況，濺鍍膜為無定形構造。由比較例6、7的靶試樣成膜的濺鍍膜不適合作為磁性記錄層的種子層。
比較例8的靶試樣中，原料粉末B中的Ni的含量[at.%]相對於基底元素的合計含量[at.%]的比例脫離80以上100以下的範圍。亦即，比較例8的靶試樣中，Feα -Niβ -Coγ 相的微組織不具有β(Ni的比例)為80以上100以下的第2區域。比較例8的靶試樣的透磁率、PTF皆不足，不適合作為用來形成種子層的濺鍍靶。

Claims (10)

  1. 一種Ni系濺鍍靶，其係由Fe-Ni-Co-M系合金所形成之Ni系濺鍍靶，該Fe-Ni-Co-M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成，其特徵為： 前述添加元素M含有選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所構成的第1群的一種或兩種以上的M1元素， 前述Fe-Ni-Co-M系合金的微組織由Ni的含量不同的多個區域所形成，在各區域存在前述添加元素M，且其存在形態為：僅前述添加元素M的固溶體，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與前述添加元素M的化合物，或前述固溶體與前述化合物兩者。
  2. 如請求項1之Ni系濺鍍靶，其中前述多個區域包含第1區域、第2區域及第3區域，在將各區域內的Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，前述第1區域的Ni的含量為0以上20以下，前述第2區域的Ni的含量為80以上100以下，前述第3區域的Ni的含量高於20未達80。
  3. 如請求項1或2之Ni系濺鍍靶，其中前述Fe-Ni-Co-M系合金，在將Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，Fe的含量為0以上50以下，Ni的含量為20以上98以下，Co的含量為0以上40以下，前述M1元素的合計含量為2at.%以上20at.%以下。
  4. 如請求項1～3中任一項之Ni系濺鍍靶，其中前述添加元素M進一步含有選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Re及Ru所構成的第2群的一種或兩種以上的M2元素。
  5. 如請求項4之Ni系濺鍍靶，其中前述M2元素的合計含量為高於0at.%且在10at.%以下。
  6. 一種磁性記錄媒體，其係具有由Fe-Ni-Co-M系合金所形成的種子層之磁性記錄媒體，該Fe-Ni-Co-M系合金含有添加元素M與Fe及Co之中的至少一種元素，剩餘部分由Ni及無法避免的雜質所形成，其特徵為： 前述添加元素M含有選自由W、Mo、Ta、Cr、V及Nb所構成的第1群的一種或兩種以上的M1元素， 前述Fe-Ni-Co-M系合金的微組織由Ni的含量不同的多個區域所形成，在各區域存在前述添加元素M，且其存在形態為：僅前述添加元素M的固溶體，僅Fe、Ni及Co之中的至少一種元素與前述添加元素M的化合物，或前述固溶體與前述化合物兩者。
  7. 如請求項6之磁性記錄媒體，其中前述多個區域包含第1區域、第2區域及第3區域，在將各區域內的Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，前述第1區域的Ni的含量為0以上20以下，前述第2區域的Ni的含量為80以上100以下，前述第3區域的Ni的含量高於20未達80。
  8. 如請求項6或7之磁性記錄媒體，其中前述Fe-Ni-Co-M系合金，在將Fe、Ni及Co的含量[at.%]的合計量定為100時，Fe的含量為0以上50以下，Ni的含量為20以上98以下，Co的含量為0以上40以下，前述M1元素的合計含量為2at.%以上20at.%以下。
  9. 如請求項6～8中任一項之磁性記錄媒體，其中前述添加元素M進一步含有選自由Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Re及Ru所構成的第2群的一種或兩種以上的M2元素。
  10. 如請求項9之磁性記錄媒體，其中前述M2元素的合計含量為高於0at.%且在10at.%以下。
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