TW202107122A - 遮光性膜及遮光性膜之製造方法 - Google Patents

遮光性膜及遮光性膜之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之遮光性膜中，至少一表面之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值，光學濃度設定為4以上之範圍之值，且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。

Description

遮光性膜及遮光性膜之製造方法
本發明係關於一種遮光性膜及遮光性膜之製造方法。具體而言，本發明係關於一種於光學用途或光學裝置用途、顯示裝置用途、機械零件或電氣、電子零件等之用途中使用之遮光性膜及遮光性膜之製造方法。
遮光性膜例如係數位相機等電子機器或行動電話等所具備之光學零件，於相機模組中，用於以下目的：抑制透鏡單元內之光學雜訊之產生及擴大。又，於相機模組中，遮光性膜亦可用作配置於快門、光圈構件、或透鏡等光學要素間之間隙調整構件。
作為遮光性膜，例如可使用藉由於聚對苯二甲酸乙二酯（PET）添加碳黑而被著色成黑色，且藉由於表面形成凹凸而被賦予遮光性之黑色膜。又，例如專利文獻1中，揭示有如圖5及6所示的具有於膜基材201之至少一面重疊配置有遮光層202之構成之遮光性膜20、21。遮光層202由作為硬化性樹脂或熱硬化性樹脂之樹脂及黑色微粒子構成。
此種遮光性膜20、21於圖7所示之習知透鏡單元30中被用作遮光性膜F7、F8。該圖所示之透鏡單元30具備收容於筒32之感測器透鏡33、紅外線截止濾波器31、及複數個透鏡L7、L8。圖5、6之遮光性膜20、21係作為與圖7之各透鏡L7、L8個別對應之遮光性膜F7、F8而設置。透鏡單元30中，沿入射光之行進方向依序配置有遮光性膜F7、F8、1片或2片以上之透鏡L7、L8、及CMOS感測器。藉由與各透鏡L7、L8對應地個別設置遮光性膜F7、F8而可充分遮斷不需要之光。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2010-534342號公報
[發明所欲解決之課題]
近年來，相機模組根據所搭載之機器被進一步要求小型化、薄型化、及輕量化。又，對於相機模組，要求更廣範圍之變焦功能、或基於微細像素之高精細之攝像功能等高功能化。此種高功能化於數位處理中難以實現，例如必須使相機模組所具備之透鏡單元之光學變焦功能提高。
然而，為實現透鏡單元高功能化，例如必須增加透鏡片數。於與各透鏡對應地配置遮光性膜之情形時，因透鏡片數之增大導致遮光性膜之合計厚度亦增大。由此，透鏡單元之光軸方向增大，從而難以實現透鏡單元之小型化。於搭載相機模組之機器為智慧型手機等情形時，由此，例如有使透鏡單元自殼體突出，產生機器設計上之問題之可能性。該問題會根據遮光性膜之片數而變得顯著。
作為該問題之對策，例如考慮降低遮光性膜之厚度。然而，若僅欲降低遮光性膜之厚度，則遮光性膜之遮光性降低。如此，為了兼顧相機模組之小型化等及高功能化，必須維持遮光性膜之性能，並同時調整厚度。
因此，本發明之目的在於：能夠使遮光性膜保持良好之遮光性，並同時降低厚度。 [解決課題之技術手段]
為解決上述課題，於本發明之一態樣之遮光性膜中，至少一表面之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值，波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。
根據上述構成，遮光性膜之至少一表面之光澤度被設定為0以上且10以下之範圍之值，故可對該表面賦予使入射光良好地散射之高光散射性（防眩光性）。又，遮光性膜的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值，故即便降低遮光性膜之厚度亦可保持良好之遮光性。
上述遮光性膜具備：具有遮光性之膜基材、及與上述膜基材重疊配置且使入射光散射之散射層，上述一表面亦可為上述散射層中與上述膜基材為相反側之表面。
藉此，例如即便降低散射層之厚度，亦可藉由具有遮光性之膜基材而良好地維持遮光性膜之遮光效果。由此，可容易地降低遮光性膜之總厚度。又，於散射層中與具有遮光性之膜基材為相反側之表面，可獲得良好之光散射性。又，藉由使用與具有遮光性之膜基材不同之散射層，可提高散射層之設計自由度。
上述散射層之黑色成分之含量亦可設定為大於0重量%且4重量%以下之範圍之值。上述遮光性膜中，由於膜基材具有遮光性，故散射層之黑色成分之含量亦可為微量。此種構成亦可確保遮光性膜之遮光性。
又，上述構成中，散射層之黑色成分之量得以受到抑制。因此，例如於使用具有紫外線硬化性之樹脂材料形成散射層之情形時，亦可照射紫外線使樹脂材料硬化而良好地形成散射層。根據該方法，與使用具有熱硬化性之樹脂材料形成散射層之方法相比，熱不易影響到具有遮光性之膜基材。由此，具有遮光性之膜基材產生熱收縮之虞較低，故可降低具有遮光性之膜基材之厚度。結果可降低遮光性膜之總厚度。
上述散射層亦可進而具有：沿上述膜基材之表面配置之樹脂構件、及分散於上述樹脂構件內部之粒子。根據該構成，藉由粒子可對散射層之表面賦予凹凸之形狀。又，可提高散射層內部之光散射性。藉此，可良好地對散射層賦予光散射性。
上述膜基材之厚度亦可設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值。根據此種構成，藉由使用具有遮光性之膜基材，而可維持遮光性膜之遮光性，並且良好地降低具有遮光性之膜基材之厚度。
上述散射層之厚度亦可設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值。遮光性膜中，亦可為膜基材具有遮光性，散射層不具遮光性，故可降低散射層之厚度。由此，可降低遮光性膜之總厚度。
上述散射層之全光線穿透率亦可設定為70%以上且100%以下之範圍之值。藉由如此構成散射層，而可由具有上述遮光性之膜基材良好地獲得遮光性膜之黑度。
上述樹脂構件之折射率亦可設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值。藉由如此構成散射層，可使入射至散射層內之入射光容易散射。
本發明之一態樣之遮光性膜之製造方法具有：準備步驟，其準備包含具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料之塗佈液、及具有遮光性之膜基材；第1步驟，其藉由對上述膜基材之表面塗佈上述塗佈液並進行乾燥而於上述表面上形成塗膜，且對上述塗膜照射紫外線；及第2步驟，其對照射了上述紫外線之上述塗膜照射電子束；且藉由經過上述第1步驟與上述第2步驟，而自上述塗膜形成與上述膜基材為相反側之表面之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值的散射層，並且形成遮光性膜，該遮光性膜具備上述膜基材與上述散射層，波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。
根據上述製造方法，藉由將光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值，可發揮較高之光散射性，並且可製造將光學濃度設定為4以上之範圍之值、且將總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值的遮光性膜。因此，可獲得雖總厚度相對較小但可保持良好遮光性之遮光性膜。
又，藉由除第1步驟外進行第2步驟，即便於塗膜例如含有一定程度之黑色成分之情形時，亦可使塗膜良好地硬化。又，無需進行用以使散射層硬化之加熱處理。因此，於遮光性膜之製造中，具有遮光性之膜基材不會熱收縮。由此，即便將具有遮光性之膜基材之厚度減薄一定程度，亦可防止膜基材之收縮。藉此，可降低遮光性膜之總厚度。
亦可於上述第2步驟中，於將具有形成了凹凸之轉印面之轉印構件，以上述轉印面黏附於上述塗膜中之與上述膜基材相反側之表面的方式配置之狀態下，對上述塗膜照射電子束，藉此形成轉印了上述凹凸形狀之上述散射層。藉此，可將形成於轉印構件之轉印面之凹凸形狀有效率地轉印至散射層之表面。
亦可於上述第1步驟中，於上述膜基材之兩面上形成上述塗膜，於上述第2步驟中，自上述膜基材之單面側以穿透上述膜基材之方式對上述膜基材照射電子束，藉此對上述各塗膜照射電子束。藉此，可於具有遮光性之膜基材之兩面同時有效率地配置散射層。
於上述準備步驟中，亦可準備上述散射層之黑色成分之含量以成為大於0重量%且4重量%以下之範圍的方式設定之上述塗佈液。藉此，可維持塗膜之紫外線及電子束之穿透性。因此，可使用上述樹脂材料良好地形成散射層。
於上述準備步驟中，亦可準備進而包含粒子之上述塗佈液。根據該方法，藉由粒子而可於散射層之表面形成凹凸形狀。又，可提高散射層內部之光散射性。由此，可容易地對散射層賦予光散射性。
於上述第2步驟中，亦可形成包含將折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值的樹脂構件之上述散射層。藉此，可形成使所入射之入射光容易散射之散射層。
於上述準備步驟中，亦可準備厚度設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值的上述膜基材。根據上述製造方法，可維持遮光性膜之遮光性，並且良好地降低具有遮光性之膜基材之厚度。又，藉由經過第1步驟與第2步驟而形成散射層，故熱不易影響到膜構件。因此，即便使用如此具有遮光性之較薄之膜基材，亦可防止產生以下問題，即，膜構件因於散射層形成所伴隨之加熱而收縮，產生皺折或波紋、捲曲等，從而導致正常地衝壓等加工變得困難。
於上述第2步驟中，亦可自上述塗膜形成厚度設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值的上述散射層。於遮光性膜中，亦可為膜基材具有遮光性，散射層不具遮光性，故可降低散射層之厚度。由此，可容易地降低遮光性膜之總厚度。
於上述第2步驟中，亦可自上述塗膜形成將全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值的散射層。藉由如此構成散射層，使電子束自外部穿透塗佈液中之樹脂材料，藉此可容易地使該樹脂材料有效率地硬化。 [發明之效果]
根據本發明之各態樣，於遮光性膜中，可保持良好之遮光性並且降低厚度。
以下，參照圖式對各實施形態進行說明。
（第1實施形態） [遮光性膜] 圖1係第1實施形態之光學零件10之分解圖。如圖1所示，光學零件10具備：複數個遮光性膜F1〜F6、複數個光學構件（此處為透鏡L1〜L6）、及收容遮光性膜F1〜F6與光學構件之殼體（鏡筒）11。舉一例而言，遮光性膜1以包圍光軸R之方式配置於鄰接之光學構件間。光學零件10所具備之遮光性膜之片數、及光學構件之個數並未限定。
繼而，對遮光性膜1之具體之構成例進行說明。圖2係第1實施形態之遮光性膜1之剖面圖。遮光性膜1係與圖1之遮光性膜F1〜F6相同者。如圖2所示，本實施形態之遮光性膜1具備：具有遮光性之膜基材2、及至少1個散射層3。
膜基材2將入射至遮光性膜1之入射光進行遮光。膜基材2之光學濃度（OD值）設定為4以上之範圍之值。此處，膜基材2之全光線穿透率設定為1%以下之範圍之值。由於膜基材2具有遮光性，故以不透明作為一例，此處為黑色。舉一例而言，膜基材2包含黑色成分與樹脂。本實施形態中，該黑色成分為黑色顏料，樹脂為PET。膜基材2係藉由將包含黑色顏料之PET樹脂擠出成形且雙軸延伸而形成。再者，黑色成分亦可為顏料以外者（例如染料或著色劑）。膜基材2亦可被著色成黑色以外之顏色。
作為膜基材2之材料，例如可列舉各種高分子材料。作為該材料，例如可列舉熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、及光硬化性樹脂。其中，作為熱塑性樹脂，例如可列舉聚烯烴、丙烯酸系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、及聚醯胺。該等材料可單獨使用或組合2種以上使用。其中，自確保強度之觀點而言，例如較佳為環狀聚烯烴、聚伸烷基芳酯（聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）等）、聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、雙酚A型聚碳酸酯、纖維素酯等。又，自尺寸穩定性或剛性之觀點而言，較佳為雙軸延伸之膜材料。作為此種膜材料，更佳為由雙軸延伸聚伸烷基芳酯構成之膜（例如PET膜、PEN膜）。其中，就可減薄厚度且容易取得之方面而言，較佳為PET膜。
膜基材2之製造方法並未特別限制。例如，可列舉將由黑色成分（舉一例而言，顏料、染料、或著色劑）與樹脂成分熔融混煉而成之材料製膜且延伸之製造方法。根據該樣態之製造方法，能夠不使複數種材料重疊而以單體結構構成具有遮光性之膜基材2，故較佳。
又，作為膜基材2之製造方法，可列舉於樹脂膜（例如經雙軸延伸之聚酯膜）之單面或兩面形成著色層之製造方法。於該形成著色層之製造方法之情形時，亦可藉由對樹脂膜塗佈、轉印、或印刷著色劑而形成著色層。於該情形時，著色劑例如能以與具有流動性之樹脂材料混合之狀態而使用。
作為著色劑之塗佈方法，可例示凹版塗佈機、浸漬塗佈機、逆輥塗佈機、擠壓式塗佈機等公知之方法。又，作為著色劑之印刷方法，可例示噴墨法、網版法等公知之方法。作為對樹脂膜塗佈、轉印、或印刷之著色劑，自對樹脂膜滲透之容易程度等觀點而言，例如較佳為使用昇華性色素。又，亦可使用於纖維用途、樹脂用途及噴墨用途等中通用之色素。
又，此外，可列舉將樹脂膜浸漬於包含染料之溶液而將樹脂膜染色之製造方法。作為將樹脂膜染色之方法，可利用公知之方法。本實施形態中，經如此染色之樹脂膜亦可用作膜基材2。由聚酯、尼龍、乙酸酯、聚碳酸酯、丙烯酸等構成之膜可藉由浸漬於分散至水之染料而容易地染色。
膜基材2之厚度可適當設定，舉一例而言，設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值。就膜基材2而言，藉由將波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，入射光不易自其側面穿透內部。
散射層3與膜基材2之至少一表面（此處為兩面）重疊配置，使入射光散射。散射層3具有透光性。於散射層3例如與光學構件重疊配置之情形時，使自側方向入射至光學構件之入射光散射。本實施形態之散射層3具有沿膜基材2之表面配置之樹脂構件4、及分散於樹脂構件4之內部之黑色成分即黑色微粒子5。
散射層3之黑色成分吸收入射至散射層3之入射光。此處，散射層3之黑色成分之含量設定為大於0重量%且4重量%以下之範圍之值。即，散射層3中黑色成分之含量設定為微量。藉此，散射層3具有透明性。本實施形態之散射層3之全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值。再者，散射層3亦可不包含黑色成分。
此處，散射層3之全光線穿透度可根據遮光性膜1之全光線穿透度與膜基材2之全光線穿透度之差而求出。於散射層3形成於膜基材2之兩側之情形時，遮光性膜1之全光線穿透度與膜基材2之全光線穿透度之差相當於兩側之散射層3之全光線穿透度之和。膜基材2之全光線穿透度為遮光性膜1之全光線穿透度以上，且充分小於散射層3之全光線穿透度。舉一例而言，遮光性膜1之全光線穿透度為0，膜基材2之全光線穿透度為與遮光性膜1之全光線穿透度相同、或略高之程度。相對於此，散射層3之全光線穿透度為70以上且100以下之範圍之值。
散射層3之厚度可適當設定，舉一例而言，設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值。散射層3之厚度亦可小於膜基材2之厚度。於遮光性膜1中，由膜基材2確保遮光性，故可降低散射層3之厚度。又，樹脂構件4之折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值。
樹脂構件4之折射率為樹脂構件4之材質所固有，例如可藉由使用NMR、IR等分析裝置分析樹脂構件4而確認。換言之，藉由使用NMR、IR等分析裝置測定散射層3，而可特定出散射層3之樹脂構件4。樹脂構件4之折射率之值可為文獻值或實測值之任一者。又，於散射層3之全光線穿透度充分高之情形時，藉由使用依據JIS K 7142:2008之阿貝折射計、或橢圓偏光測定裝置（例如王子計測機器（股）製造之「KOBRΑ-WPR」）之測定而直接測定散射層3之阿貝數，由此亦可將測定值設為樹脂構件4之折射率之值。
此處，關於遮光性膜1，將散射層3之至少一表面（此處為兩面）之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值，將波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且將總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。
如此，藉由設定散射層3之表面3a而使表面3a具有光散射性。如下所述，舉一例而言，於遮光性膜1之製造時，散射層3之表面3a之形狀藉由將轉印構件8之轉印面8a之凹凸進行轉印而形成。再者，散射層3之表面3a之形狀亦可由除此之外之方法而形成。又，於膜基材2之與散射層3對向之表面，亦可設置用以使膜基材2與散射層3之接著性提高之接著層。
樹脂構件4包含黏合劑樹脂6、及黏合劑樹脂6之前驅物之聚合起始劑。黏合劑樹脂6之前驅物具有紫外線（UV）硬化性及電子束（EB）硬化性。作為黏合劑樹脂6，例如可列舉光硬化性樹脂。
作為膜基材2及散射層3所包含之黑色成分，例如可列舉碳黑、燈黑、葡萄黑（vine black）、桃黑、骨碳、奈米碳管、氧化銀、氧化鋅、磁鐵礦型四氧化三鐵、銅與鉻之複合氧化物、銅、鉻、鋅之複合氧化物、及黑色玻璃等。
本實施形態之黑色微粒子5為球狀，一次粒徑設定為10 nm以上且500 nm以下之範圍之值。又，關於散射層3之表面電阻值，舉一例而言，設定為1×1012 Ω/□以上之值。藉由進行此種設定，可將遮光性膜1較佳地用作絕緣構件。
又，60度時的光澤度可藉由依據JIS Z 8741之測定方法而測定。關於一次粒徑，拍攝由場發射掃描電子顯微鏡（日本電子（股）製造之「JSM-6700F」）放大至10萬倍後之粒子表面之照片，且將該放大照片視需要進一步放大，對50個以上之粒子使用規尺或游標卡尺等，作為該個數之平均粒徑而測定。
又，光學濃度可為，使用光學濃度計（Videojet X-Rite（股）製造之「X-Rite 341C」），對試樣照射垂直穿透光束，將與無試樣之狀態之比以log（對數）表示者。該情形時之光束寬度可測定為直徑2 mm之圓形。
如上所說明，本實施形態中，將遮光性膜1之至少一表面之光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值，故可對該表面賦予使入射光良好地散射之較高之光散射性（防眩光性）。又，由於將遮光性膜1的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且將總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值，故即便降低遮光性膜1之厚度亦可保持良好之遮光性。
又，藉此，可降低複數個遮光性膜1之合計之總厚度，故於即便殼體11收容有複數個光學構件（透鏡L1〜L6）、及複數個遮光性膜F1〜F6之情形時，亦可降低殼體11之光軸R方向之尺寸。藉此，可降低具備殼體11之光學零件10之光軸R方向之尺寸。由此，可容易地謀求光學零件10之薄型化及小型化。又，藉由殼體11之小型化，亦可抑制光學零件10之表面中與殼體11重疊之區域相較該區域之周邊區域更向外部突出，從而容易地謀求光學零件10之表面之平坦化。
又，本實施形態之遮光性膜1具備：膜基材2、及與膜基材2重疊配置且使入射光散射之散射層3，光澤度設定為上述值之上述一表面係散射層3中與膜基材2為相反側之表面3a。
藉此，例如即便降低散射層3之厚度，亦可藉由膜基材2而維持遮光性膜1之遮光效果。由此，可容易地降低遮光性膜1之總厚度。又，於散射層3中與膜基材2為相反側之表面3a，可獲得良好之光散射性。又，藉由使用與膜基材2不同之散射層3而可提高散射層3之設計自由度。
又，本實施形態之散射層3具有透光性。藉此，例如於使用具有紫外線硬化性或電子束硬化性之樹脂材料構成散射層3之情形時，可抑制紫外線及電子束被樹脂材料中存在之成分遮蔽。由此，可良好地構成散射層3。又，作為散射層3之材料，亦可不使用具有熱硬化性之樹脂材料，故例如即便為較薄之膜上，亦可藉由將紫外線或電子束照射至樹脂材料而獲得散射層3。
又，關於本實施形態之散射層3，將黑色成分之含量設定為大於0重量%且4重量%以下之範圍之值。於遮光性膜1中，由於膜基材2具有遮光性，故散射層3之黑色成分之含量亦可為微量。此種構成亦可確保遮光性膜1之遮光性。
又，膜基材2之厚度設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值。根據此種構成，藉由使用膜基材2，可維持遮光性膜1之遮光性，並且良好地降低膜基材2之厚度。又，於遮光性膜1中，無須藉由熱硬化而構成散射層3，故即便以此方式減薄膜基材2之厚度，亦可防止產生因該膜基材2之熱收縮導致之問題。
又，散射層3不要求遮光性。因此，本實施形態之散射層3之厚度設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值。於遮光性膜1中，亦可為膜基材2具有遮光性，散射層3不具遮光性，故可降低散射層3之厚度。由此，可降低遮光性膜1之總厚度。
又，散射層3之全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值。藉由如此構成散射層3，而可由膜基材2良好地獲得遮光性膜1之黑度。此種散射層3例如可藉由將樹脂材料進行紫外線硬化或電子束硬化而構成。又，散射層3之折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值。藉此，可使入射至散射層3內之入射光容易散射。
[遮光性膜之製造方法] 繼而，對遮光性膜1之製造方法進行例示。圖3係圖1之遮光性膜1之製造流程圖。圖3（a）係表示第1步驟S2之圖。圖3（b）係表示第1步驟S2之圖。圖3（c）係表示第2步驟S3之圖。
本實施形態之遮光性膜1製造方法具有準備步驟S1、第1步驟S2、第2步驟S3、及剝離步驟S4。遮光性膜1藉由依序進行步驟S1～S4而製造。以下，具體地說明步驟S1～S4。
於準備步驟S1中，操作員準備成為散射層3之原料之塗佈液、及膜基材2。具體而言，操作員使具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料溶解於溶劑。其後，舉一例而言，操作員將黑色成分（本實施形態中為黑色微粒子5）添加至該溶劑。藉此獲得塗佈液。
此處，操作員以使固形物成分濃度成為大於5重量%且50重量%以下（此處舉一例為30重量%）之方式調整塗佈液。本實施形態中，必須使具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料硬化，故將該樹脂材料之聚合起始劑進而添加至塗佈液。再者，於不使用具有紫外線硬化性之樹脂材料之情形時，理所當然地無需該聚合起始劑。
又，操作員準備由上述製造方法製造出之具有遮光性之膜基材2。操作員將膜基材2置於規定之塗佈機。以上，完成準備步驟S1。
繼而，操作員按以下順序進行第1步驟S2。第1步驟S2係以下步驟：藉由對膜基材2之表面塗佈上述調整後之塗佈液並進行乾燥，而於上述表面上形成塗膜15，繼而為對塗膜15照射紫外線。舉一例而言，第1步驟S2包含塗膜形成步驟、轉印步驟、及紫外線照射步驟作為子步驟。
具體而言，操作員將塗佈液塗佈於膜基材2之至少一表面。本實施形態中，舉一例而言，為了於膜基材2之兩表面上形成塗膜15，將塗佈液塗佈於膜基材2之各表面。塗佈液亦可逐次塗佈於膜基材2之各表面。
其後，操作員利用風（此處為熱風）將塗佈於膜基材2之各表面之塗佈液乾燥，藉此於膜基材2之兩表面上形成塗膜15（圖3（a））。以上，完成塗膜形成步驟。再者，本實施形態之塗膜15於剛形成後之時間點表面為平滑，且並未完全硬化。
繼而，操作員使用具有規定之轉印面8a之轉印構件8，按以下順序，進行使轉印構件8之轉印面8a之表面形狀轉印至塗膜15之表面的轉印步驟。將塗膜15所形成之表面形狀設為正形狀時，轉印構件8之轉印面8a具有與該正形狀對應之負形狀。本實施形態中，作為轉印構件8，使用具有紫外線穿透性及電子束穿透性之膜構件。
操作員將轉印構件8貼合於形成在膜基材2之至少一表面之塗膜15。藉此，形成將轉印構件8貼合於膜基材2之各塗膜15而成之複合體（以下，稱為中間體16）。於中間體16中，轉印構件8之轉印面8a之表面形狀作為負型而發揮作用，將正型之表面形狀轉印至塗膜15。以上，完成轉印步驟。
繼而，操作員按以下順序，進行對中間體16照射紫外線之第1步驟S2。（圖3（b））。藉此，於貼合有轉印構件8之狀態下，使塗膜15之與轉印面8a相接之表面以一定程度硬化。
具有負形狀之轉印構件8之轉印面8a形成了微細之凹凸。散射層3藉由轉印該微細之凹凸而被賦予光散射性。本實施形態中，使用具有紫外線穿透性及電子束穿透性之膜構件作為轉印構件8，故塗膜15中之樹脂材料之一部分經由轉印構件8而由紫外線硬化。以上，完成第1步驟S2。第1步驟S2後，將所獲得之中間體16捲取成輥狀。
此處，對本實施形態之轉印構件8進行說明。轉印構件8包含複數種樹脂成分。轉印面8a具有由相分離結構構成之海島狀之微細之凹凸形狀。於散射層3之表面3a，對散射層3之表面3a賦予之光散射性取決於該轉印構件8之轉印面8a的形狀。再者，相分離結構係藉由自成為轉印構件8之原料之調整液之液相的旋節分解（濕式旋節分解）而形成者。關於相分離結構之詳情，例如可參照日本專利第6190581號公報。
再者，本實施形態中，關於第1步驟S2後且第2步驟S3前之時間點之中間體16，其塗膜15並未完全硬化。塗膜15例如具有偏存於膜基材2側之未硬化部分。為了獲得遮光性膜1，必須使該塗膜15完全硬化。再者，於另一實施形態中，有由第1步驟S2之僅紫外線照射步驟而使塗膜15完全硬化之情形。於該情形時，可省略以下第2步驟S3。
繼而，操作員再次捲出所捲取之中間體16，進行第2步驟S3，即，對在第1步驟S2中照射了紫外線之塗膜15照射電子束。藉此，使塗膜15中之樹脂材料完全硬化而形成散射層3之表面形狀。
根據第2步驟S3，可使膜基材2與散射層3之密接強度提高。因此，第2步驟S3適於製造如本實施形態般具備膜基材2與散射層3之遮光性膜1之情形。於第2步驟S3中，可僅自一面對中間體16側照射電子束，亦可自兩面側對中間體16照射電子束。
再者，例如於膜基材2與散射層3之密接強度充分之情形等時，亦可減弱電子束之照射強度，或省略第2步驟S3。即，第2步驟S3可根據遮光性膜1中所要求之各構件彼此之密接強度等而適當設定或省略。
又，於第2步驟S3中，亦可不使用電子束。例如，於塗膜15上未配置轉印構件8之狀態下進行第2步驟S3之情形時，於第2步驟S3中亦能使用紫外線。於塗膜15上配置有轉印構件8之狀態下，於第2步驟S3中較理想為使用電子束。
又，第1步驟S2與第2步驟S3之間亦可不捲取中間體16。例如，依照實施樣態，亦可不捲取中間體16，而是連續地進行第1步驟S2與第2步驟S3。
繼而，操作員進行自中間體16剝離轉印構件8之剝離步驟S4。如本實施形態般，於膜基材2之兩表面配置有轉印構件8之情形時，可將各轉印構件8同時剝離，亦可自任一者依序剝離。由上所述，經過剝離步驟S4而獲得遮光性膜1。
根據上述製造方法，藉由表面之入射角60度時的光澤度被設定為0以上且10以下之範圍之值，而可發揮較高之光散射性，並且可製造光學濃度設定為4以上之範圍之值、且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值的遮光性膜1。由此，可獲得即便總厚度較薄亦可保持較高之遮光性之遮光性膜1。
又，除第1步驟S2外亦進行第2步驟S3，藉此，即便於塗膜15以一定程度包含黑色成分之情形時，亦可使塗膜15良好地硬化。又，無需進行用以使散射層3硬化之加熱處理。因此，遮光性膜1之製造中，膜基材2不會熱收縮。由此，即便以一定程度減薄膜基材2之厚度，亦可防止膜基材2之收縮。藉此，可降低遮光性膜1之總厚度。
又，於本實施形態之第2步驟S3中，於將具有形成了凹凸之轉印面8a之轉印構件8，以轉印面8a黏附於塗膜15中之與膜基材2為相反側之表面的方式配置之狀態下，對塗膜15照射電子束，藉此形成轉印了凹凸形狀之散射層3。藉此，可將形成於轉印構件8之轉印面8a之凹凸形狀有效率地轉印至散射層3之表面3a。又，即便塗膜15不包含二氧化矽（silica）微粒子等粒子，亦可對散射層3賦予光散射性。
又，於本實施形態之第1步驟S2中，於膜基材2之兩面上形成塗膜15，於第2步驟S3中，自膜基材2之一面側以通過膜基材2之方式照射電子束，藉此對各塗膜15照射電子束。藉此，可將散射層3同時有效率地配置於膜基材2之兩面。
又，於本實施形態之準備步驟S1中，準備散射層3之黑色成分之含量以成為大於0重量%且4重量%以下之範圍的方式設定之塗佈液。藉此，可良好地防止紫外線與電子束對塗佈液之穿透性因黑色成分而降低，可自塗佈液有效率地形成散射層3。
又，於準備步驟S1中，舉一例而言，準備厚度設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值的膜基材2。藉此，可維持遮光性膜1之遮光性，並且良好地降低膜基材2之厚度。又，藉由經過第1步驟S2與第2步驟S3而形成散射層3，故熱不易影響到膜基材2。因此，即便使用如此較薄之膜基材2，亦可防止產生以下問題，即，膜基材2因伴隨散射層3之形成之加熱而收縮，產生皺折或波紋、捲曲等，從而難以正常地進行衝壓等加工。
又，於第2步驟S3中，舉一例而言，自塗膜15形成厚度設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值的散射層3。於遮光性膜1中，亦可為膜基材2具有遮光性，散射層3不具遮光性，故可降低散射層3之厚度。由此，可容易地降低遮光性膜1之總厚度。
又，於第2步驟S3中，舉一例而言，自塗膜15形成全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值的散射層3。藉由如此構成散射層3，而使電子束自外部穿透塗佈液中之樹脂材料，藉此可容易地使該樹脂材料有效率地硬化。
又，於第2步驟S3中，舉一例而言，形成折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值的散射層3。藉此，可形成使所入射之入射光容易散射之散射層3。以下，對於其他實施形態，以與第1實施形態之差異為中心進行說明。
（第2實施形態） 圖4係第2實施形態之遮光性膜101之散射層103之放大剖面圖。散射層103與膜基材2之至少一面（此處為兩面）重疊配置，使入射光散射。散射層103具有沿膜基材2之表面配置之樹脂構件4、及分散於樹脂構件4之內部之粒子7。
散射層103之黑色成分之含量設定為大於0重量%且4重量%以下之範圍之值。此處，本實施形態之散射層103包含黑色成分（以黑色微粒子5作為一例）。該黑色成分分散於樹脂構件4之內部。粒子7亦可為二氧化矽粒子等無機粒子、或丙烯酸粒子等有機粒子之任一者。於粒子7為無機粒子之情形時，作為粒子7，例如較佳為二氧化矽粒子，尤佳為中空二氧化矽粒子。
散射層103藉由粒子7而於表面103a形成了凹凸。藉此，散射層103之表面103a具有與散射層3之表面3a相同之形狀。再者，散射層103只要以能於表面103a形成凹凸之程度包含粒子7，則亦可不含有黑色成分。
如此，根據散射層103，可藉由粒子7而對散射層103之表面賦予凹凸形狀。由此，可對散射層103良好地賦予光散射性。又，於樹脂構件4中在上述重量範圍內包含黑色成分之情形時，藉由將黑色成分分散於樹脂構件4中，而可將樹脂構件4適度地著色成黑色。
於製造第2實施形態之遮光性膜101時，準備除包含規定量之粒子7以外與第1實施形態相同之塗佈液。使用該塗佈液於膜基材2之表面上形成塗膜15後，對塗膜15依序進行第1步驟S2及第2步驟S3。
此處，於第2實施形態中，於第1步驟S2中無需轉印步驟。第2實施形態中，於剛完成塗膜形成步驟後，塗膜15之表面成為凹凸形狀。因此，可不經過轉印步驟（不使用轉印構件8），而藉由粒子7將散射層3之表面形成為凹凸形狀。藉此，可對塗膜15之表面賦予光散射性。
於第2實施形態中，藉由依序進行紫外線照射步驟及第2步驟S3而形成散射層103。再者，於第2實施形態中亦可藉由進行轉印步驟，而由轉印構件8之轉印面8a對塗膜15之表面進一步賦予凹凸。
關於遮光性膜101，其總厚度、波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值之光學濃度、由JIS Z 8518規定之亮度即黑度（L※ ）、及散射層103之表面103a之光澤度與第1實施形態之遮光性膜1同樣地設定。
此處，L※ 係CIE1976（L※ 、a※ 、b※ ）色空間之座標軸之一。L※ 之值表示顏色之明亮度（亮度），以0至100之100等級表示。於該100等級中，0為黑，100為白。L※ 之值越大，表示越明亮。
舉一例而言，關於遮光性膜101，其總厚度設定為16 μm，波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為6.3，黑度（L※ ）設定為17.5，及散射層103之表面103a之入射角60度時的光澤度設定為0.2。
對於具備以上散射層103之遮光性膜101，亦可發揮與遮光性膜1相同之效果。又，遮光性膜101之散射層103具有樹脂構件4與粒子7。因此，藉由粒子7可對散射層103之表面103a賦予凹凸形狀。又，可提高散射層103內部之光散射性。藉此，可對散射層103良好地賦予光散射性。又，於樹脂構件4中於上述重量範圍內分散有黑色微粒子5之情形時，可將樹脂構件4適度地著色成黑色。
又，遮光性膜101中，散射層103之黑色成分之量得以受到抑制。因此，例如於使用具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料構成樹脂構件4之情形時，可抑制紫外線及電子束被黑色成分遮蔽。由此，可使該樹脂材料良好地硬化。藉此，即便該樹脂材料之使用量較少亦可使該樹脂材料硬化，可容易地降低散射層103之厚度。
（確認試驗） 繼而，對確認試驗進行說明，但本發明並非限定於以下所示之各實施例。
[試驗1] 按以下順序，如表1所示，製作第1實施形態之遮光性膜1即實施例1及2、與第2實施形態之遮光性膜101即實施例3。又，作為相對於實施例1〜3之比較例，製作比較例1〜3。
（膜基材之準備） 按以下順序製作實施例1〜3之膜基材2。將聚對苯二甲酸乙二酯95重量%、與平均一次粒徑18 nm之由熔爐法製造之碳黑（CB-1）5重量%，於排氣後之280℃之擠出機內進行熔融混練，藉此製作CB母料。又，將聚對苯二甲酸乙二酯98.0重量%、與平均一次粒徑2.6 μm之二氧化矽粒子2.0重量%於排氣後之280℃之擠出機內進行熔融混練，藉此製作SiO2 母料。
繼而，將以上述方式製作之CB母料13重量%、SiO2 母料1.5重量%、及PET85.5重量%混合，藉此獲得膜原料。將該膜原料自T字型噴嘴以片狀擠出，基於靜電澆鑄法捲繞於表面溫度20℃之鏡面冷卻滾筒（cooling drum），藉此獲得厚度55 μm之膜中間體。
使用雙軸延伸試驗裝置（東洋精機製作所（股）製造之「FILM STRETCHING TESTER」），將以上述方式獲得之膜中間體按以下方式進行逐次雙軸延伸。首先，將膜中間體加熱至90℃，於其長度（擠出）方向延伸2.8倍。繼而，將膜中間體冷卻後，進而加熱至130℃，於橫向（膜寬方向）延伸3.3倍。其後，將膜中間體以180℃進行熱處理，以此獲得厚度6 μm之實施例1〜3之膜基材2。
又，以如下方式準備比較例1〜3之膜基材。除將SiO2 母料設定為1.7重量%，將PET設定為98.3重量%而獲得膜原料之外，藉由與實施例1〜3相同之方法，製作厚度6 μm之透明PET膜作為比較例1、3之膜基材。又，使用作為市售品之厚度12 μm之透明PET膜的東洋紡（股）製造之「TOYOBO ESTER Film E5100#12」作為比較例2之膜基材。
（轉印構件之準備） 準備以下規格之轉印構件A及B作為實施例1、2之轉印構件8。作為轉印構件A，準備具有以下轉印面8a者，即，該轉印面8a之厚度設定為50 μm，表面粗糙度之算術平均高度Sa設定為0.666 μm，表面粗糙度之最大高度Sz設定為6.177 μm，全霧度設定為77.44，入射角60度時的光澤度設定為3.3。該轉印構件A用於實施例1之製造。
作為轉印構件B，準備具有以下轉印面8a者，即，該轉印面8a之厚度設定為50 μm，表面粗糙度之算術平均高度Sa設定為1.156 μm，表面粗糙度之最大高度Sz設定為12.483 μm，全霧度設定為91.85，入射角60度時的光澤度設定為1.3。該轉印構件B用於實施例2之製造。轉印構件A、B均由包含複數種樹脂成分且具有複數種樹脂成分之相分離結構之膜構件而構成。
（散射層之調整） 以如下方式準備於實施例1、2使用之塗佈液。準備分別以固形物成分比率計，含有黑色顏料（平均一次粒徑150 nm之碳黑（黑色微粒子）9重量%MEK分散液，即御國色素（股）製造之「MHI BLACK#273」）15重量%、含丙烯酸酯之組合物即樹脂A（橫濱橡膠（股）製造之「HR370」）77重量%、及多官能甲基丙烯酸化合物即樹脂B（日本合成化學（股）製造之「紫光 UV1700B」）8重量%之塗佈液。該塗佈液中，以固形物成分濃度1.08重量%含有作為黑色顏料之碳黑。藉由使用該塗佈液，實施例1、2之散射層3中作為黑色顏料之碳黑之固形物成分濃度設定為4重量%，且最大厚度設定為4.5 μm。
又，以如下方式準備於實施例3使用之塗佈液。準備分別以固形物成分比率計，含有御國色素（股）製造之「MHI BLACK#273」10重量%、樹脂A 33重量%、樹脂B 4重量%、及Fuji Silysia化學（股）製造之粒子「Sylysia 448」53重量%之塗佈液。藉由使用該塗佈液，實施例3之散射層103中作為黑色顏料之碳黑之固形物成分濃度設定為4重量%，且各厚度設定為3.0 μm。
又，以如下方式準備於比較例1、2使用之塗佈液。準備分別以固形物成分比率計，含有御國色素（股）製造之「MHI BLACK#273」64重量%、樹脂A 27重量%、及樹脂B 9重量%之塗佈液。又，以如下方式準備於比較例3使用之塗佈液。準備分別以固形物成分比率計，含有御國色素（股）製造之「MHI BLACK#273」37重量%、樹脂A 16重量%、樹脂B 5重量%、及Fuji Silysia化學（股）製造之填料粒子「Sylysia 448」42重量%之塗佈液。藉由使用該等塗佈液，比較例1〜3之散射層中作為黑色顏料之碳黑之固形物成分濃度設定為20重量%。
繼而，對實施例1、2，按以下順序進行第1步驟S2與第1步驟S2。使用各塗佈液，於膜基材2之一表面上形成塗膜15，將轉印構件8與塗膜15重疊配置之狀態下，隔著轉印構件8對塗膜15照射累計光量100 mJ/cm2 之紫外線。其後，以與上述相同之要領，於膜基材2之另一面形成塗膜15，且於將轉印構件8與塗膜15重疊配置之狀態下，隔著轉印構件8對塗膜15照射紫外線。其後，捲取中間體16。
繼而，將所捲取之中間體16再次捲出，於第2步驟S3中，對各塗膜15同時照射累計電子束量（吸收劑量）250 kGy之電子束。其後，於剝離步驟S4中，將轉印構件8自各塗膜15剝離，獲得實施例1、2之遮光性膜1。又，使用實施例3之塗佈液，且省略第1步驟中之轉印步驟，除此之外，藉由與實施例1、2之製造方法相同之製造方法，獲得實施例3之遮光性膜101。
又，使用比較例1〜3之膜基材（透明膜基材）與塗佈液，準備具備透明膜基材、及與該透明膜基材之兩面重疊配置之散射層（如表2所示，含有20重量%之黑色微粒子）之比較例1〜3之遮光性膜。比較例1、2之各散射層之最大厚度設定為9.5 μm，比較例3之各散射層之最大厚度設定為10.0 μm。
該比較例1〜3之遮光性膜所具備之散射層對應於實施例1〜3所具備之散射層3，但於黑色微粒子之含量較多，就具有遮光性之方面而言，與具有一定程度之透光性之散射層3不同。比較例1、2之散射層藉由含有填料粒子而形成了表面形狀。又，比較例3之散射層藉由轉印構件之轉印面而形成了表面形狀。
對實施例1〜3及比較例1〜3之各遮光性膜，測定遮光性膜之總厚度、膜基材之全光線穿透率、膜基材之厚度、光學濃度（OD值）、黑度（L※ ）、及入射角60度時的光澤度等。
膜基材之全光線穿透率（%）係依據JIS K7136，使用霧度計（日本電色（股）製造，NDH-5000W）而測定。光學濃度（OD值）係依據JIS-K 7361，使用穿透濃度計（Xrite（股）製造，341C型）而測定。
入射角60度時的光澤度係依據JIS K7105，使用光澤計（TQC Therminport Quality Control公司製造，KT-GL0030型）而測定。黑度（L※ ）係使用UV分光光度計（日立（股）製造，U3900H型）而測定。
又，轉印構件A、B之全霧度係使用霧度計（日本電色（股）製造，NDH5000W型）而測定。表面粗糙度之算術平均高度Sa及最大高度Sz係使用掃描型白色干涉顯微鏡（例如三菱化學系統（股）製造，VertScan R3300G型）而測定。將測定結果示於表1、2。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3
遮光膜1之總厚度（μm） 16 16 12
膜基材2之透明性 不透明（黑色） 不透明（黑色） 不透明（黑色）
膜基材2之全光線穿透率（%） 0 0 0
膜基材2之製造方法 碳黑混練 碳黑混練 碳黑混練
膜基材2之厚度（μm） 6 6 6
散射層3之黑色成分含量（wt%） 4 4 4
散射層3之表面形狀之形成方法 基於轉印構件A之轉印形狀 基於轉印構件B之轉印形狀 基於粒子之形狀
散射層3之樹脂硬化方法 紫外線硬化 及電子束硬化併用 紫外線硬化 及電子束硬化併用 紫外線硬化 及電子束硬化併用
各散射層3之最大厚度（μm） 4.5 4.5 3.0
OD值 6.1 6.1 6.3
黑度（L※ ） 24.0 22.0 17.5
光澤度（60度） 3.1 1.3 0.5
[表2]
   比較例1 比較例2 比較例3
遮光膜之總厚度（μm） 25 31 27
膜基材之透明性 透明 透明 透明
膜基材之全光線穿透率（%） 97 97 97
膜基材之製造方法 僅二氧化矽混練 （無黑色成分） 市售品 東洋紡（股）製造TOYOBO ESTER Film（註冊商標）E5100#12 僅二氧化矽混練 （無黑色成分）
膜基材之厚度（μm） 6 12 6
散射層之黑色成分含量（wt%） 20 20 20
散射層之表面形狀之形成方法 基於填料粒子之形狀 基於填料粒子之形狀 基於轉印構件之轉印形狀
散射層之樹脂硬化方法 紫外線硬化 及電子束硬化併用 紫外線硬化 及電子束硬化併用 紫外線硬化 及電子束硬化併用
各散射層之最大厚度（μm） 9.5 9.5 10.0
OD值 5.1 5.0 5.4
黑度（L※ ） 24.2 25.5 24.3
光澤度（60度） 3.5 11.2 10.5
如表1及2所示，實施例1〜3均獲得了相較比較例1〜3更好之結果。確認出實施例1〜3具有與比較例1〜3大致相同之光學濃度（OD值）及黑度，且總厚度小於比較例1〜3。
此處，於比較例1〜3中，必須由散射層確保遮光性，且包含較大量之黑色成分，另一方面，為了將散射層之表面之硬度保持為一定程度以上，必須使黏合劑樹脂之含量亦增大。因此，認為散射層之最大厚度增大，遮光性膜之總厚度亦增大。
相對於此，於實施例1〜3中，藉由使用膜基材2，而不存在關於此種黑色成分及黏合劑樹脂之含量之問題，可降低散射層3之最大厚度。藉此，實施例1〜3之遮光性膜1之總厚度得以良好地降低。其結果，認為實施例1〜3既確保了良好之遮光性又降低了遮光性膜1之總厚度。
又，確認到相較比較例1〜3（尤其是比較例1），實施例1〜3之光澤度（60度）低，具有優異之光散射性。又，確認到實施例2之光澤度相較實施例1大幅降低。
作為獲得此種結果之理由之一，認為由轉印構件8之轉印面8a形成散射層3之表面3a之形狀而使表面3a之光澤度（60度）充分降低。綜上，確認到實施例1〜3相對於比較例1〜3之優越性。
[試驗2] 繼而，準備以下表3、4所示之比較例4〜9之遮光性膜，將其測定結果與實施例1〜3之測定結果加以比較。關於比較例4〜9，除以下所示之差異以外，以與實施例1相同之條件而準備。
製作比較例4，比較例4使用透明（即不具遮光性）之膜基材，除此之外，具有與實施例1相同之構成。又，製作比較例5，比較例5將散射層之黑色成分之含量設定為20重量%，將散射層之樹脂硬化方法設為僅紫外線硬化，除此之外，具有與比較例4相同之構成。
又，製作比較例6，比較例6將散射層之黑色成分之含量設定為20重量%，將全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值，將對遮光性膜製作時成為遮光層之原料之各塗膜照射之電子束之累計電子束量設定為250 kGy，除此之外，具有與比較例4相同之構成。
又，製作比較例7，比較例7將散射層之黑色成分之含量設定為20重量%，將各散射層之最大厚度設定為10.0 μm，除此之外，具有與比較例4相同之構成。又，製作比較例8，比較例8將各散射層之最大厚度設定為8.0 μm，將熱硬化性樹脂用作散射層之材料，將散射層之樹脂硬化方法設為熱硬化，除此之外，具有與比較例4相同之構成。又，製作比較例9，比較例9將散射層之黑色成分之含量設定為20重量%，將各散射層之最大厚度設定為8.0 μm，將熱硬化性樹脂用作散射層之材料，將散射層之樹脂硬化方法設為熱硬化，將膜基材設為作為市售品之透明PET膜的東洋紡（股）製造之「TOYOBO ESTER Film E5007」，除此之外，具有與比較例4相同之構成。
此處，比較例8及9之散射層係使用以下之包含熱硬化性樹脂之清漆（塗佈液）而製作。具體而言，將作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂（東都化成（股）製造之「YDCN-703」）13.0重量%、苯酚樹脂（三井化學（股）製造之「XLC-LL」）11.0重量%、御國色素（股）製造之「MHI BLACK#273」34重量%、作為硬化促進劑之1-氰乙-2-苯咪唑（四國化成（股）製造之「2PZ-CN」）0.025重量%、及作為粒子之Fuji Silysia化學（股）製造之「Sylysia 448」38重量%溶解於作為有機溶劑之環己酮4重量%。繼而，利用珠磨機將其混合，製作非揮發成分設定為15%之清漆。對比較例4〜9進行與比較例1〜3相同之測定。將其結果示於表3、4。
[表3]
   比較例4 比較例5 比較例6
遮光膜之總厚度（μm） 16 16 18
膜基材之透明性 透明 透明 透明
膜基材之全光線穿透率（%） 97 97 0
膜基材之製造方法 僅二氧化矽混練 （無黑色成分） 僅二氧化矽混練 （無黑色成分） 僅二氧化矽混練 （無黑色成分）
膜基材之厚度（μm） 6 6 6
散射層之黑色成分含量（wt%） 4 20 20
散射層之表面形狀之形成方法 基於轉印構件A之轉印形狀 基於轉印構件A之轉印形狀 基於轉印構件A之轉印形狀
散射層之樹脂硬化方法 紫外線硬化 及電子束硬化併用 僅紫外線硬化 紫外線硬化 及電子束硬化併用
各散射層之最大厚度（μm） 4.5 4.5 4.5
OD值 1.2 4.0 -
黑度（L※ ） 24.0 24.4 -
光澤度（60度） 3.1 3.1 -
備註 遮光性較低 散射層硬化不充分，產生轉印構件A之轉印不良 無法藉由電子束硬化而剝離轉印構件，無法成形散射層
[表4]
   比較例7 比較例8 比較例9
遮光膜之總厚度（μm） 31 21 42
膜基材之透明性 透明 透明 透明
膜基材之全光線穿透率（%） 97 97 97
膜基材之製造方法 僅二氧化矽混練 （無黑色成分） 僅二氧化矽混練 （無黑色成分） 市售品 東洋紡（股）製造TOYOBO ESTER Film（註冊商標）E5007
膜基材之厚度（μm） 6 6 25
散射層之黑色成分含量（wt%） 20 4 20
散射展之表面形狀之形成方法 基於轉印構件A之轉印形狀 基於填料粒子之形狀 基於填料粒子之形狀
散射層之樹脂硬化方法 紫外線硬化 及電子束硬化併用 僅熱硬化 僅熱硬化
各散射眉之最大厚度（μm） 10 8 8
OD值 5.4 1.2 6.2
黑度（L※ ） 24.5 28.4 25.0
光澤度（60度） 3.4 3.1 3.2
備註 散射層之樹脂一部分未硬化 表面產生皺折 OD值不足 習知產品（其他公司產品） 厚度變厚
如表1、3、4所示，比較例4〜9於膜基材不具遮光性之方面而言，與實施例1〜3有明顯差異。可知相較實施例1〜3而言，比較例4之遮光性低，難以獲得適當之光學濃度。又，可知相較比較例4，比較例5之散射層之黑色成分之含量些許增加，由此遮光性稍許提高，但仍難以獲得適當之光學濃度。又，比較例5之散射層中樹脂之硬化不充分，確認到轉印構件A之表面形狀之轉印不良。
又，於比較例6中，無法藉由電子束使散射層之樹脂充分硬化，故確認到散射層之成形不良。又，伴隨該成形不良，無法自散射層剝離轉印構件A，故導致無法測定OD值、黑度（L※ ）、及光澤度之結果。認為此種散射層之樹脂之未硬化或成形不良之原因在於：散射層所含之黑色成分之量較多，故無法使紫外線及電子束自外部充分地穿透塗膜內部。
又，於散射層之最大厚度相對較大之比較例7中，亦確認到此種散射層之樹脂之未硬化。又，由比較例8可知，由於散射層之樹脂藉由熱硬化而硬化，故遮光性膜於散射層之樹脂熱硬化時會熱收縮，產生皺折。由比較例9可知，相較比較例8而言膜基材之厚度大幅增大，故未見於比較例8確認到之皺折之產生，遮光膜之總厚度亦大幅增大。根據以上試驗結果，確認到實施例1〜3之相對於比較例4〜9之優越性。
本發明並非限定於各實施形態，可於不脫離本發明之主旨之範圍內對其構成及方法進行變更、追加、或刪除。散射層之黑色成分亦可包含顏料或染料之至少任一者。
又，於轉印構件8之轉印面8a，亦可藉由噴砂處理而形成凹凸。又，於遮光性膜1之製造時膜基材2之熱收縮不會成為如此大之問題之情形時，亦可使用熱硬化性樹脂作為黏合劑樹脂6之前驅物。又，於第1實施形態之樹脂構件4之內部，亦可分散有粒子7。
又，於由具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料構成樹脂構件4之情形時，於不會對該樹脂材料之硬化造成較大影響之容許範圍內，亦可將散射層3、103之黑色成分之含量設定為大於4重量%之值。 [產業上之可利用性]
如上所述，本發明之遮光性膜具有保持良好之遮光性並且可降低厚度之優異之效果。由此，若將本發明廣泛地應用於可發揮該效果之意義之遮光性膜及遮光性膜之製造方法則為有益。
1,101:遮光性膜 2:膜基材 3,103:散射層 3a,103a:散射層之表面 4:樹脂構件 5:黑色微粒子 7:粒子 8:轉印構件 8a:轉印構件之轉印面
[圖1]係第1實施形態之光學零件之分解圖。 [圖2]係第1實施形態之遮光性膜之剖面圖。 [圖3]（a）係表示塗膜形成步驟之圖，（b）係表示第1步驟之圖，（c）係表示第2步驟之剖面圖。 [圖4]係第2實施形態之遮光性膜之散射層之放大剖面圖。 [圖5]係習知遮光性膜之剖面圖。 [圖6]係習知遮光性膜之剖面圖。 [圖7]係習知透鏡單元之一部分剖面。

Claims (17)

  1. 一種遮光性膜，其至少一表面之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值， 波長380 nm以上且780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且 總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。
  2. 如請求項1之遮光性膜，其具備： 膜基材，其具有遮光性；及 散射層，其與上述膜基材重疊配置，使入射光散射；且 上述一表面係上述散射層中與上述膜基材相反側之表面。
  3. 如請求項2之遮光性膜，其中，上述散射層之黑色成分之含量設定為大於0重量%且4重量%以下之範圍之值。
  4. 如請求項2或3之遮光性膜，其中，上述散射層進而具有沿上述膜基材之表面配置之樹脂構件、及分散於上述樹脂構件內部之粒子。
  5. 如請求項4之遮光性膜，其中，上述樹脂構件之折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值。
  6. 如請求項2至5中任一項之遮光性膜，其中，上述膜基材之厚度設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值。
  7. 如請求項2至6中任一項之遮光性膜，其中，上述散射層之厚度設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值。
  8. 如請求項2至7中任一項之遮光性膜，其中，上述散射層之全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值。
  9. 一種遮光性膜之製造方法，其具有： 準備步驟，其準備包含具有紫外線硬化性且電子束硬化性之樹脂材料之塗佈液、及具有遮光性之膜基材； 第1步驟，其藉由對上述膜基材之表面塗佈上述塗佈液並進行乾燥而於上述表面上形成塗膜，且對上述塗膜照射紫外線；及 第2步驟，其對照射了上述紫外線之上述塗膜照射電子束；且 藉由經過上述第1步驟與上述第2步驟，而自上述塗膜形成與上述膜基材為相反側之表面之入射角60度時的光澤度設定為0以上且10以下之範圍之值的散射層，並且形成遮光性膜，該遮光性膜具備上述膜基材與上述散射層，波長380 nm且以上780 nm以下之範圍之值的光學濃度設定為4以上之範圍之值，且總厚度設定為6 μm以上且26 μm以下之範圍之值。
  10. 如請求項9之遮光性膜之製造方法，其中，於上述第2步驟中，於將具有形成了凹凸之轉印面之轉印構件，以上述轉印面被黏附於上述塗膜中之與上述膜基材相反側之表面的方式配置之狀態下，對上述塗膜照射電子束，藉此形成轉印了上述凹凸形狀之上述散射層。
  11. 如請求項9或10之遮光性膜之製造方法，其中，於上述第1步驟中，於上述膜基材之兩面上形成上述塗膜， 於上述第2步驟中，藉由自上述膜基材之一面側以穿透上述膜基材之方式對上述膜基材照射電子束，而對上述各塗膜照射電子束。
  12. 如請求項9至11中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述準備步驟中，準備上述散射層之黑色成分之含量以成為大於0重量%且4重量%以下之範圍的方式設定之上述塗佈液。
  13. 如請求項9至12中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述準備步驟中，準備進而包含粒子之上述塗佈液。
  14. 如請求項9至13中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述第2步驟中，形成包含折射率設定為1.3以上且1.9以下之範圍之值的樹脂構件之上述散射層。
  15. 如請求項9至14中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述準備步驟中，準備厚度設定為2 μm以上且12 μm以下之範圍之值的上述膜基材。
  16. 如請求項9至15中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述第2步驟中，自上述塗膜形成厚度設定為3 μm以上且7 μm以下之範圍之值的上述散射層。
  17. 如請求項9至16中任一項之遮光性膜之製造方法，其中，於上述第2步驟中，自上述塗膜形成全光線穿透率設定為70%以上且100%以下之範圍之值的上述散射層。
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