TW202101558A - 用於鍵合結構的雷射切割的系統和方法 - Google Patents

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Abstract

本案提供了用於切割鍵合結構的系統和方法的實施例。一種方法包括以下操作。首先，可以確定掃描圖案以用於在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構。然後可以確定所述一系列燒蝕結構與所述鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置。所述鍵合介面可以在第一晶片與第二晶片之間。可以基於所述一系列燒蝕結構與所述鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度。此外，可以確定雷射光束。所述雷射光束具有一系列脈衝雷射。此外，所述雷射光束可以根據所述掃描圖案來在所述鍵合結構中移動，以在所述鍵合結構中形成所述一系列燒蝕結構。

Description

用於鍵合結構的雷射切割的系統和方法
本發明大體上與一種雷射切割的系統和方法有關，更具體言之，其係關於一種用於鍵合結構的雷射切割系統和方法。
在半導體製造中，晶片被切割成分離的裸晶，所述分離的裸晶形成積體電路。切割晶片的常用方法包括機械鋸切和雷射切割。機械鋸切方法通常包括採用切割鋸機械地分離晶片中的不同裸晶。雷射切割方法通常包括通過光學系統引導超短脈衝高功率雷射器的輸出。切割製程可以產生單獨的電路晶片，其被進一步封裝以形成所需的電路。
用於鍵合結構的雷射切割的系統和方法的實施例。
在一個示例中，一種用於切割鍵合結構的方法包括以下操作。首先，可以確定掃描圖案以在鍵合結構中或附近形成一系列燒蝕（ablation）結構。然後可以確定所述一系列燒蝕結構與所述鍵合（bonding）結構的鍵合介面之間的相對位置。鍵合介面可以在第一晶片與第二晶片之間。可以基於所述燒蝕結構與所述鍵合介面中或附近的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度。此外，可以確定雷射光束。使用的雷射是一種脈衝雷射。此外，所述雷射光束可以根據所述掃描圖案在所述鍵合結構中移動，以在所述鍵合結構中形成所述一系列燒蝕結構。
在另一個示例中，一種用於切割鍵合結構的方法包括將鍵合結構的頂表面和底表面減薄。所述鍵合結構可以具有與鍵合介面鍵合的第一晶片和第二晶片。所述方法還可以包括在第一晶片和第二晶片中形成一系列燒蝕結構。所述一系列燒蝕結構可以位於所述鍵合結構的第一部分與第二部分之間。所述方法還可以包括沿著所述一系列燒蝕結構分離所述鍵合結構的所述第一部分和所述第二部分。
在不同的示例中，一種用於切割鍵合結構的雷射切割系統包括：雷射源，其被設置成生成一系列脈衝雷射、被耦合到所述雷射源的光學模組，所述光學模組被設置成提供一系列聚焦雷射光斑、以及控制器，其被耦合到所述雷射源和所述光學模組。所述控制器可以被設置為在所述鍵合結構中移動所述一系列聚焦雷射光斑，以在所述鍵合結構中的第一晶片和第二晶片中形成所述一系列燒蝕結構。所述第一晶片和所述第二晶片可以具有介於其間的鍵合介面。
儘管討論了特定配置和佈置，但應該理解，這僅出於說明性目的而進行。相關領域的技術人員將認識到，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以使用其他配置和設置。對於相關領域的技術人員顯而易見的是，本發明還可以在各種其他應用中被採用。
應注意，說明書中對「一個實施例」、「實施例」、「示例實施例」、「一些實施例」等的引用指示所描述的實施例可以包括特定特徵、結構或特性，但是每個實施例可以不一定包括特定的特徵、結構或特性。此外，這樣的短語不一定指相同的實施例。另外，當結合實施例描述特定特徵、結構、或特性時，在相關領域技術人員的知識內能夠結合其他實施例來實現這樣的特徵、結構、或特性，無論是否進行了明確描述。
通常，術語可以至少部分地從上下文中的使用來理解。例如，如本文中所使用的術語「一或多個」，至少部分地取決於上下文，可以用於在單數意義上描述任何特徵、結構或特性，或者可以用於在複數意義上描述特徵、結構或特性的組合。類似地，諸如「一」、「一個」或「該」的術語也可以被理解為傳達單數使用或傳達複數使用，至少部分地取決於上下文。另外，術語「基於」可以被理解為不一定旨在傳達因素的排他性集合，或者可以再次至少部分地根據上下文，允許存在不一定明確描述的其他因素。
如本文中所使用的，術語「標稱/名義」是指在產品或過程的設計階段期間設定的部件或過程操作的特徵或參數的期望值或目標值，以及所述期望值之上和/或之下的值的範圍。值的範圍可能是由於製程或公差的微小變化。如本文中所使用的，術語「約」指示可以基於與主題半導體設備相關聯的特定技術節點而變化的給定量的值。基於特定技術節點，術語「約」可以指示給定量的值，其在例如值的10-30%內變化（例如，值的±10%，±20%或±30%）。
在現有的雷射切割系統中，晶片通常在切割之前被減薄。例如，對於晶片切割過程，晶片可以被減薄到幾十微米。使用傳統的機械鋸切方法和雷射燒蝕方法，減薄的晶片可以是易碎的，從而降低了產出。例如，機械鋸切方法通常涉及使用機械鋸/刀片壓靠晶片。切割過程可生成高熱，這需要冷卻手段（例如，冷卻水）以防止晶片過熱。它還可能導致晶片表面上的碎片和碎屑。雷射燒蝕方法通過在使用雷射光束熔化/蒸發晶片表面的同時雕刻凹槽來工作。由於熔化/蒸發表面，可以在晶片表面上形成熱損傷和碎屑。晶片的清潔會增加製造成本，浪費的區域會影響產出。為了改善切割過程，隱形切割（例如，使用雷射光束在晶片內部形成隱形切割層並使用外力沿著SD層分離晶片）用於減少對晶片的損害和製造成本。然而，現有的隱形切割方法僅限於切割單個晶片。
根據本發明公開的各種實施例提供用於鍵合結構的雷射切割的系統和方法。使用本發明公開的系統和方法，具有兩個或更多個鍵合晶片的鍵合結構可以被切割和分離，具有更均勻的橫截面，並且在鍵合表面的表面上具有更少的損壞和浪費區域。在鍵合結構中形成的燒蝕結構可以在兩個或更多個鍵合的晶片中，並且可以沿著垂直方向（例如，z軸）彼此對齊，從而在切割過程之後且鍵合結構被分離時提供更均勻的橫截面。在一個實施例中，可以調節雷射光束的焦平面，使得雷射光束可以聚焦在每個晶片的相應切割水平上。隨著雷射光束在鍵合結構中繼續水平移動，可以沿鍵合結構中的每個切割水平來水平地形成燒蝕結構。在另一個實施例中，雷射器的焦平面位於兩個鍵合晶片之間的鍵合介面處。雷射光束具有聚焦深度，其覆蓋從鍵合介面到兩個鍵合晶片的切割水平的距離。雷射能量可以沿著聚焦深度垂直分佈，因此當雷射光束聚焦在鍵合介面時，可以形成兩個接合的晶片和跨越鍵合介面的燒蝕結構（例如，燒蝕條帶/凹槽）。雷射光束可以在聚焦在鍵合介面上的同時水平移動，並且可以在鍵合的晶片中並且跨越鍵合介面形成多個燒蝕條帶。可以在切割的鍵合晶片上施加外部橫向力，以沿著燒蝕結構分離部件。
所公開的系統和方法相對於傳統的切割方法具有許多優點。例如，切割過程的冷卻不需要冷卻水。因為在鍵合結構中形成燒蝕結構，所以很少或沒有形成碎屑。可以避免由鋸/刀片的運動引起的不均勻的應力和衝擊。對晶片造成的損害更小。切割過程生成的劃痕可以控制在幾微米以下，增加了晶片上的可用面積。而且，鍵合晶片的切割可以是或幾乎是同時的，因此在一次切割過程之後可以分離鍵合的晶片，從而與分別切割鍵合的晶片的方法相比減少了切割時間。
第1圖圖示了根據本發明公開的一些實施例中用於鍵合結構的雷射切割的示例性系統100的示意圖。系統100可包括雷射源102、光學模組104、平臺106和控制器108。雷射源102可以是任何合適類型的雷射源，包括但不限於光纖雷射器、固態雷射器、氣體雷射器和半導體雷射器。雷射源102可以被設置為生成雷射光束116，雷射光束116包括任何合適波長的一系列脈衝雷射，其應該是不被鍵合結構強烈吸收或反射的可透過波長。在矽晶片切割的情況下，波長可以長於1 μm以實現內部雷射燒蝕，充分利用雷射能量並且當聚焦雷射光束在鍵合結構的內部創建切割痕跡時避免對晶片上部的任何損壞。
在一些實施例中，由雷射源102生成的雷射光束116具有單個波長或多個波長，例如兩個或三個不同波長。可以分別、同時或交替地生成具有不同波長的雷射光束116。在一些實施例中，由雷射源102生成的雷射光束116的波長可以長於1 μm。在一些實施例中，雷射源102的輸出頻率在10kHz與1000kHz之間。在一些實施例中，雷射源102的平均輸出功率在5W與500W之間。應當理解，上面公開的雷射光束116和雷射源102的參數僅用於說明目的。
光學模組104可以光學耦合到雷射源102並且包括掃描單元112和聚焦單元114。光學模組104可以被設置成基於由雷射源102生成的一系列脈衝雷射在樣本101上提供一系列聚焦雷射光斑。例如，所述一系列脈衝雷射器可以在焦平面上的水平位置處形成一系列聚焦雷射光斑。在一些實施例中，光學模組104可操作來耦合到控制器108並從控制器108接收控制信號和指令。掃描單元112可以被設置為基於控制器108的控制，改變雷射光束116中的至少一些發射到樣本101的方向。也就是說，掃描單元112可以在掃描角度內以一掃描速度朝向樣本101掃描雷射光束116，如由控制器108所控制者。在一些實施例中，掃描單元112包括檢流計和/或偏振器。掃描單元112還可包括任何其他合適的掃描鏡和掃描折射光學元件。
聚焦單元114可以被設置成聚焦每個雷射光束116以形成一系列聚焦雷射光斑。在一些實施例中，聚焦單元114包括一或多個聚焦透鏡，通過該聚焦透鏡，雷射光束116的焦平面被確定在沿z軸（例如，垂直方向）的期望位置處。在一些實施例中，一或多個聚焦透鏡電耦合和機械耦合至控制器108，使得控制器108可以控制一或多個聚焦透鏡的設置（例如，其間的位向和距離）以允許雷射光束116的焦平面被定位在沿z軸的期望位置。可以在焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑，在樣本101中形成燒蝕結構。在一些實施例中，每個聚焦雷射光斑的尺寸較佳在0.2微米（μm）與5 μm之間，例如0.2 μm、0.5 μm、1 μm、2 μm、3 μm、4 μm、5 μm，由任何這些值的下限界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。每個聚焦雷射光斑的形狀可包括例如圓形、矩形、正方形、不規則形狀或任何合適的形狀。在一些實施例中，每個聚焦雷射光斑具有基本上圓形的形狀，其直徑在1 μm與5 μm之間。應理解，所述一系列聚焦雷射光斑的尺寸可以基本相同或不同。通過將雷射光束116聚焦成聚焦雷射光斑，可以顯著提高能量密度。
平臺106可以被設置為保持樣本101。在一些實施例中，平臺106包括晶片保持器或用於在切割過程期間保持樣本101的任何合適的平臺。在一些實施例中，平臺106還被設置成基於控制器108的控制，水平地移動（例如，沿x軸和/或y軸，如圖1中的箭頭所示），使得光學模組104可以基於雷射光束116與樣本101之間的相對水平移動來沿x軸和/或y軸掃描雷射光束116。在一些實施例中，控制器108可以控制平臺106以期望的速度移動以允許一系列聚焦雷射光斑在樣本101中的每個位置聚焦（例如，形成一系列聚焦雷射光斑）足夠久使得可以形成所需尺寸的燒蝕結構。在一些實施例中，平臺106也被設置為也沿z軸垂直移動。
控制器108可以操作來耦合到雷射源102、光學模組104和/或平臺106、並且經由控制信號和指令來控制雷射源102、光學模組104和/或平臺106的操作。在一些實施例中，控制器108被設置成引起光學模組104和平臺106之間的相對水平移動，使得雷射光束116可以跟隨樣本101中的掃描圖案進行掃描。在一些實施例中，掃描圖案可以是雷射光束116移動和聚焦的圖案，形成一系列聚焦雷射光斑以分離樣本101的兩個部分（例如，兩個裸晶）。換句話說，掃描圖案表示形成一系列燒蝕結構的順序（例如，通過一系列聚焦雷射光斑）。例如，掃描圖案可以是通過雷射切割過程分離的兩個部分之間的路徑。可以沿著樣本101中的兩個部分之間的掃描圖案形成一系列燒蝕結構（例如，通過一系列聚焦雷射光斑）。在一些實施例中，形成一系列燒蝕結構的順序至少取決於雷射光束116沿掃描圖案移動和聚焦的方向。隨後可以在一系列燒蝕結構所在的垂直平面處分離這兩個部分。例如，控制器108可以將控制信號和指令發送到光學模組104和平臺106，使得光學模組104在平臺106水平移動時掃描雷射光束116。控制信號可以控制雷射光束聚焦在樣本101中的一個水平位置處的不同焦平面處或者聚焦在樣本101中的單個焦平面處。控制器108還被設置成控制平臺106的移動方向和速度以及由雷射光束116形成的一系列聚焦雷射光斑的功率密度。可以通過執行電腦程式或由操作者手動確定掃描圖案。
如第1圖所示，在一些實施例中，系統100還包括檢測模組110，檢測模組110被設置成在操作期間監測樣本101。在一些實施例中，檢測模組110包括可以記錄樣本101的視頻和/或圖像的相機和/或熱相機。在一些實施例中，控制器108被耦合到檢測模組110，使得監測資料（例如，圖像）即時地從檢測模組110發送到控制器108。在一些實施例中，監測資料包括樣本101和一系列脈衝雷射之間的相對水平移動，以及燒蝕結構的尺寸和/或形狀。在一些實施例中，檢測模組110包括雷射功率計，其檢測一系列聚焦雷射光斑的即時功率密度並將其傳輸到控制器108。控制器108可以調節雷射源102的功率和/或光學模組104的設置，使得一系列聚焦雷射光斑的功率密度以及燒蝕結構的尺寸和形狀可以達到它們各自的期望值。然後，控制器108和/或操作者可以即時監視操作（例如，所述一系列聚焦雷射光斑的掃描圖案和/或功率密度）。應該理解，檢測模組110可以是系統100的一部分或與系統100分開的獨立設備。
在一些實施例中，系統100還包括校準單元（未示出），校準單元被設置成校準樣本101中的聚焦雷射光斑的位置（例如，當聚焦在焦平面上時由一系列脈衝雷射形成）。控制器108可以被設置成控制平臺106以基於校準單元執行的校準來移動樣本101中的一系列聚焦雷射光斑。
第2圖圖示了根據本公開的一些實施例的示例性控制器108的示意圖200。控制器108可以控制雷射源102、光學模組104和/或平臺106的操作，例如，生成、聚焦和在樣本101中移動雷射光束116以遵循掃描圖案。在一些實施例中，控制器108接收指示樣本101的切割操作的狀態的檢測資料，並且基於針對雷射源102、光學模組104和/或平臺106的檢測資料提供指示對樣本101的操作的控制指令（例如，掃描圖案，脈衝雷射系列的移動速度，和/或樣本101中的切割/剩餘部分）。
如第2圖所示，控制器108可包括通信介面202、處理器204、記憶體206和儲存裝置208。在一些實施例中，控制器108在單個設備中具有不同的模組，例如積體電路（IC）晶片（實現為專用積體電路（ASIC）或現場可程式化設計閘陣列（FPGA））或具有專用功能的單獨設備。控制器108的一或多個部件可以與雷射源102和/或光學模組104一起被定位為系統100的一部分，或者可以在獨立計算設備中、在雲端中或另一個遠端位置。控制器108的部件可以在整合設備中，或者分佈在不同位置但是通過網路（未示出）彼此通信。例如，處理器204可以是基板處理器、獨立電腦內的處理器、或雲端處理器、或其任何組合。
通信介面202可以經由通信電纜，無線區域網路（WLAN）、廣域網路（WAN）、諸如無線電波的無線網路、全國範圍的蜂窩網路和/或本地無線網路（例如，藍牙TM 或WiFi）、或其他通信方法，向諸如雷射源102、光學模組104、平臺106或檢測模組110的部件發送資料和從其接收資料。在一些實施例中，通信介面202可以是整合服務數位網路（ISDN）卡、纜線數據機、衛星數據機或數據機，以提供資料通信連接。作為另一個示例，通信介面202可以是區域網路（LAN）卡，以提供與相容LAN的資料通信連接。無線鏈結也可以由通信介面202實現。在這樣的實現方式中，通信介面202可以經由網路發送和接收承載表示各種類型資訊的數位資料流程的電信號、電磁信號或光信號。
處理器204可包括任何適當類型的通用或專用微處理器，數位訊號處理器或微控制器。處理器204可以被設置成專用於控制雷射源102、光學模組104和平臺106的單獨處理器模組。或者，處理器204可以被設置成共用處理器模組，用於執行與控制雷射源102、光學模組104和平臺106無關的其他功能。
如第2圖中所示，處理器204可包括多個模組，例如掃描圖案確定單元210、雷射源控制單元212、光學模組控制單元214、平臺控制單元216等。這些模組（以及任何相應的子模組或子單元）可以是處理器204的硬體單元（例如，積體電路的部分），其被設計用於與其他部件一起使用或執行程式的一部分。程式可以儲存在電腦可讀式介質上，並且當由處理器204執行時，它可以執行一或多個功能。儘管第2圖示出了單元210-216都在一個處理器204內，但是預期這些單元可以分佈在彼此靠近或離開的多個處理器之間。
掃描圖案確定單元210可以被設置成確定掃描圖案以形成一系列燒蝕結構。在一些實施例中，掃描圖案確定單元210基於樣本101中待分離的裸晶的位置和尺寸、樣本101中的切割水平的數量、所述一系列聚焦雷射光斑在焦平面上的功率密度、所述一系列脈衝雷射的焦點深度等來確定掃描圖案。所述掃描圖案也可由操作者手動確定。具體地，掃描圖案確定單元210可以確定所述一系列聚焦雷射光斑的尺寸和/或形狀以及在樣本101中形成一系列燒蝕結構的順序。例如，基於樣本101中的切割水平的數量，掃描圖案確定單元210可以確定雷射光束116聚焦的焦平面以及當平臺106水平移動時形成一系列燒蝕結構的順序。在一個示例中，掃描圖案可以包括形成多行斑點的順序，每個斑點分佈在樣本101的晶片中並且沿著垂直方向彼此對齊。在另一個示例中，掃描圖案可以包括跨越樣本101的鍵合介面的垂直對齊的多個條帶的順序。對所述掃描圖案的詳細描述將在下面的第3D圖和第3E圖中描述。
雷射源控制單元212可以被設置成向雷射源102提供指示所述掃描圖案的控制指令。所述控制指令可以使雷射源102在雷射切割操作之前和期間基於掃描圖案來初始化和調整與所述一系列脈衝雷射相關聯的各種參數。在一些實施例中，雷射源102的功率由雷射源控制單元212控制，以在雷射光束116聚焦在焦平面上時影響一系列聚焦雷射光斑的大小、形狀和/或聚焦深度。例如，與分別沿兩個切割深度在樣本101中形成燒蝕結構（例如，參考第3A圖中所示的示例）相比，如果掃描圖案對應於形成在樣本101的兩個切割水平之間延伸的燒蝕結構的順序（例如，參考第3B圖中所示的示例），雷射源控制單元212可以提供更高的功率，因此足夠的雷射能量可以分佈在形成燒蝕結構的區域中。在另一個示例中，無論樣本101中的切割水平的數量如何，雷射源控制單元212都可以提供恆定的功率。雷射源102的功率可足以引起樣本101中的燒蝕結構的形成。
光學模組控制單元214可以被設置成向光學模組104提供指示掃描圖案的控制指令。所述控制指令可以使光學模組104初始化並調整光學模組104中光學部件的設置。所述光學部件可以包括一或多個聚焦透鏡，每個聚焦透鏡面向期望的方向，用於在樣本101中成形和聚焦雷射光束116，以在焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑。光學模組控制單元214可以控制每個聚焦透鏡的位置，每個聚焦透鏡的取向和/或兩個聚焦透鏡之間的距離，使得雷射光束116可以以期望的功率密度聚焦在期望的焦平面上（例如，形成一系列聚焦雷射光斑）。在一些實施例中，光學模組控制單元214調整一或多個聚焦透鏡的位置、一或多個聚焦透鏡的取向、和/或兩個聚焦透鏡之間的距離，以在切割操作期間改變雷射光束116的焦平面或者改變雷射光束116的聚焦深度。
平臺控制單元216可以被設置成向平臺106提供指示掃描圖案的控制指令。控制指令可以使平臺106根據掃描圖案沿期望的方向移動，例如水平移動。平臺106可以以期望的速度移動和/或脈衝雷射的重複，這繼而可以影響焦平面上的一系列聚焦雷射光斑的功率密度。
記憶體206和/或儲存裝置208可包括任何適當類型的大型存放區設備，其被提供以儲存處理器204可能需要操作的任何類型的資訊。記憶體206和儲存裝置208可以是易失性或非易失性、磁性、半導體、磁帶、光學、可移除、不可移除或其他類型的儲存裝置或有形（即，非瞬態）電腦可讀介質，包括但是不限於ROM、快閃記憶體、動態RAM和靜態RAM。記憶體206和/或儲存裝置208可以被設置成儲存一或多個電腦程式，所述一或多個電腦程式可以由處理器204執行以執行本文公開的雷射源102、光學模組104和平臺106控制功能。例如，記憶體206和/或儲存裝置208可以被配置為儲存可以由處理器204執行以控制雷射源102、光學模組104和平臺106的操作的程式，並且處理資料以生成控制指令和任何其他控制信號。
記憶體206和/或儲存裝置208還可以被設置成儲存由處理器204使用的資訊和資料。例如，記憶體206和/或儲存裝置208可以被設置成儲存用於控制雷射源102的功率和光學模組104的佈置的參數。各種類型的資料可以永久地儲存、週期性地移除、或者在每次檢測和/或掃描之後立即被忽略。
第3A圖和第3B圖圖示了根據一些實施例的示例性雷射切割過程300和320。第3C圖圖示了根據一些實施例中第3A圖所示的雷射切割過程的掃描圖案。第3D圖示出了根據一些實施例的在第3B圖所示的雷射切割過程中的具有焦平面和聚焦深度的雷射光束。第3E圖圖示了根據一些實施例的第3B圖所示的雷射切割過程的掃描圖案。第5圖是根據一些實施例的用於執行第3A圖和第3B圖中所示的雷射切割過程的方法500的流程圖。應當理解，方法500中示出的操作不是窮舉的，並且可以在任何所示操作之前、之後或之間執行其他操作。此外，一些操作可以同時執行，或者以與第5圖中所示不同的循序執行。為了便於說明，基於方法500來描述第3A圖和第3B圖所示的雷射切割過程300和320。
參考第5圖，方法500開始於操作502，其中，確定用於在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構的掃描圖案。在一些實施例中，掃描圖案包括在鍵合結構的兩個部分（例如，兩個裸晶）之間的水平平面（例如，x-y平面）中的路徑，用於雷射光束沿著其移動並在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構。在一些實施例中，掃描圖案由控制器108的掃描圖案確定單元210基於例如兩個部分的尺寸和位置來確定。
鍵合結構可以由第1圖的樣本101表示。具體而言，第3A圖和第3B圖各自示出了根據一些實施例的樣本101的結構。在一些實施例中，樣本101包括沿垂直方向（例如，z軸）鍵合的多個晶片。為了便於說明，本案示出並描述了兩個晶片，即第一晶片101-1和第二晶片101-2。第一晶片101-1和第二晶片101-2在鍵合介面101-3處被鍵合以彼此接觸。在一些實施例中，鍵合介面101-3在第一晶片101-1與第二晶片101-2之間水平延伸（例如，沿x軸）。掃描圖案可以包括路徑，雷射光束116聚焦到所述路徑以在樣本101的第一晶片101-1和第二晶片101-2中形成一系列燒蝕結構。
方法500前進到操作504，在操作504中，確定所述一系列燒蝕結構與鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置。可以基於諸如樣本101的結構（例如，晶片的厚度）、雷射源102的特性（例如，焦平面和/或聚焦深度的位置）和/或任何其他合適的製造要求（例如，由操作者確定）的因素來確定所述一系列燒蝕結構與鍵合介面之間的相對位置。在一些實施例中，該操作由掃描圖案確定單元210執行。
第3A圖圖示了所述一系列燒蝕結構與所述鍵合介面之間的示例性相對位置。在一些實施例中，確定所述一系列燒蝕結構包括沿第一晶片101-1中的第一切割水平306-1水平對齊的多個第一燒蝕斑點302-1和沿著第二晶片101-2中的第二切割水平306-2水平對齊的多個第二燒蝕斑點302-2。出於說明的目的，多個第一燒蝕斑點302-1和多個第二燒蝕斑點302-2被示為第3A圖中點。鍵合介面101-3可以在多個第一燒蝕斑點302-1與多個第二燒蝕斑點302-2之間。第一切割水平306-1可以被定義為由多個第一燒蝕斑點302-1與鍵合介面101-3之間的第一切割深度D1分開的距離，並且第二切割水平306-2可以被定義為由多個第二燒蝕斑點302-2與鍵合介面101-3之間的第二切割深度D2分開的距離。第一切割水平306-1和第二切割水平306-2可以彼此相同或不同。第一燒蝕斑點302-1和第二燒蝕斑點302-2可以沿著垂直方向（例如，z軸）彼此平行。在一些實施例中，每個第一燒蝕斑點302-1會垂直地與其中一個第二燒蝕斑點302-2（例如，對應的第二燒蝕斑點302-2）對齊。也就是說，每個第一燒蝕斑點302-1和對應的第二燒蝕斑點302-2具有相同的水平位置（例如，沿著x軸）。在一些實施例中，如第3A圖中所示，第一切割深度D1在約20 μm至約40 μm的範圍內，第二切割深度D2在約20 μm至約40 μm的範圍內，例如20 μm、25 μm、30 μm、35 μm、40 μm、由任何這些值限定的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個界定的任何範圍。
第3B圖圖示了所述一系列燒蝕結構與所述鍵合介面之間的另一示例性相對位置。在一些實施例中，通過採用更高的脈衝雷射功率和更長的聚焦光學元件，確定在一次掃描中實現一系列燒蝕結構。燒蝕條帶/凹槽322跨越鍵合介面101-3沿垂直方向或靠近垂直方向對齊。燒蝕條帶/凹槽322的末端可以接近切割水平306-1，並且燒蝕條帶/凹槽322的末端可以接近切割水平306-2。第一切割深度D1和第二切割深度D2可以彼此相同或不同。第3B圖中圖示的D1和D2值可以與第3A圖中所示的D1和D2值相同或不同。在一些實施例中，如第3B圖中所示，第一切割深度D1和第二切割深度D2之和，即（D1+D2），在約20 μm至約70 μm的範圍內，例如20 μm、25 μm、30 μm、35 μm、40 μm、45 μm、50 μm、55 μm、60 μm、65 μm、70 μm、由通過任何這些值下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。第一切割深度D1和第二切割深度D2的值可以分別基於（D1+D2）的範圍確定。例如，第一切割深度D1在約20 μm至約40 μm的範圍內，第二切割深度D2在約20 μm至約40 μm的範圍內。
方法500前進到操作506，如第5圖所示，其中確定一或多個焦平面或雷射光束的聚焦深度。在一些實施例中，控制器108基於雷射源102和光學模組104之間的距離、光學模組104中的光學部件（例如，透鏡）的設置以及光學模組104與切割水平（例如，第3A圖中的第一切割水平306-1或第二切割水平306-2）之間的距離來確定雷射光束116的一或多個焦平面和/或聚焦深度。在一些實施例中，所述操作由掃描圖案確定單元210、雷射源控制單元212和光學模組控制單元214執行。
在第3A圖所示的示例中，可以確定雷射光束116的第一焦平面與第一切割水平306-1名義上重合，並且雷射光束116的第二焦平面與第二切割水平306-2名義上重合。控制器108可以調整光學模組104中的光學部件的設置，以分別將雷射光束116聚焦在樣本101中的第一切割水平306-1和第二切割水平306-2上。例如，控制器108可確定雷射源102與光學模組104之間以及光學模組104與切割水平（例如，第3A圖中的第一切割水平306-1或第二切割水平306-2）之間的距離，並基於所述距離來調整光學模組104的設置。在一些實施例中，光學模組104包括一或多個聚焦透鏡，並且控制器108調整聚焦透鏡的取向和/或兩個聚焦透鏡之間的距離，使得在雷射切割過程中雷射光束116的焦距可以縮短以允許雷射光束116的焦平面名義上與第一切割水平306-1重合，或者被放大以允許雷射光束116的焦平面在名義上與第二切割水平306-2重合。雷射光束116可以分別聚焦在第一焦平面和第二焦平面上，以在第一晶片101-1中形成多個第一燒蝕斑點302-1並且在第二晶片101-2中形成多個第二燒蝕斑點302-2。
在一些實施例中，控制器108還確定當雷射光束116聚焦在第一焦平面上和第二焦平面上時的功率密度（例如，分別在相應切割水平上的每個水平位置處形成一系列聚焦雷射光斑）。功率密度可以足夠高以形成第一燒蝕斑點302-1和第二燒蝕斑點302-2。這可以由掃描圖案確定單元210、光學模組控制單元214和雷射源控制單元212確定。在一些實施例中，對於脈衝寬度為納秒或皮秒級的脈衝雷射器，焦點（例如，在焦平面上）的一系列聚焦雷射光斑的脈衝能量在約1 μJ至約30 μJ的範圍內，例如5 μJ、10 μJ、20 μJ、30 μJ脈衝能量、由通過任何這些值的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。
在第3B圖中所示的示例中，可以確定雷射光束116的焦平面與鍵合介面101-3重合並且雷射光束116的焦點深度覆蓋第一切割水平306-1和第二切割水平306-2。第3D圖圖示了焦平面324、聚焦深度（DOF）、鍵合介面101-3、第一切割深度D1和第二切割深度D2的空間關係。如第3D圖中所示，聚焦深度包括前聚焦深度F1和後聚焦深度F2。焦平面324可以與鍵合介面101-3重合。當雷射光束116聚焦在焦平面324上時，前聚焦深度F1的邊界342-1可以位於第一晶片101-1中，而後聚焦深度F2的邊界342-2可以位於第二晶片101-2中。第一切割深度D1可以等於或小於前聚焦深度F1，並且第二切割深度D2可以小於或等於後聚焦深度F2。在一些實施例中，第一切割深度D1等於前聚焦深度F1，第二切割深度D2等於後聚焦深度F2。當雷射光束116聚焦在焦平面324上（例如，與鍵合介面101-3重合），在水平位置處形成一系列聚焦雷射光斑時，雷射功率可在聚焦深度DOF中垂直分佈以跨越鍵合介面101-3在第一晶片101-1和第二晶片101-2形成燒蝕條帶/凹槽322。燒蝕條帶/凹槽322的長度（例如，（D1+D2））可以名義上等於聚焦深度DOF。
在一些實施例中，控制器108還確定雷射光束116聚焦在焦平面上時的功率密度。可以沿著鍵合介面101-3在每個水平位置處形成一系列聚焦雷射光斑。功率密度可以足夠高以在鍵合介面101-3上形成燒蝕條帶/溝槽322並在第一晶片101-1和第二晶片101-2中延伸。這可以由掃描圖案確定單元210、光學模組控制單元214和雷射源控制單元212確定。在一些實施例中，對於脈衝寬度為納秒或皮秒級的脈衝雷射器，焦點的一系列聚焦雷射光斑的脈衝能量在約1 μJ至約30 μJ的範圍內，例如5 μJ、10 μJ、20 μJ、30 μJ脈衝能量、由通過任何這些值的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。在一些實施例中，雷射源控制單元212可以調整（例如，增加）雷射源102的功率輸出，從而可以達到期望的功率密度以形成燒蝕條帶/凹槽322。
方法500前進到操作508，如第5圖中所示，在操作508中，生成雷射光束。在一些實施例中，生成雷射光束116。雷射光束116包括一系列脈衝雷射，其在雷射切割過程中透過光學模組104並聚焦在樣本101中的焦平面上。如前所述，可以在焦平面（例如，302-1,302-2和/或324）上形成一系列聚焦雷射光斑。在一些實施例中，該操作由掃描圖案確定單元210、雷射源控制單元212和光學模組控制單元214來確定。在一些實施例中，光學模組104的佈置確定雷射光束116的焦平面。
方法500前進到操作510，如第5圖中所示，在操作510中，雷射光束根據掃描圖案在樣本中移動。在一些實施例中，雷射光束116的移動由平臺106的水平移動引起。當平臺106沿水平方向移動時，雷射光束116沿與平臺106相反的水平方向移動，並且聚焦在一或多個焦平面上以形成相應的燒蝕結構（例如，302或322）。在一些實施例中，平臺106的水平移動速度在約100 mm/秒至約1000 mm/秒的範圍內，引起雷射光束116的水平移動速度（例如，沿與平臺106相反的方向）在約100 mm/秒至約1000 mm/秒。雷射光束116的水平移動速度可以允許在每個水平位置處的雷射光束116的足夠持續時間和雷射功率密度以形成期望的燒蝕結構。在一些實施例中，基於雷射源102的功率來確定平臺106的水平移動速度。在一些實施例中，操作由掃描圖案確定單元210、雷射源控制單元212和平臺控制單元216來執行。
返回參考第3A圖，為了形成多個第一燒蝕斑點302-1和多個第二燒蝕斑點302-2，雷射光束116（即，包含一系列脈衝雷射）可以在平臺106移動時分別聚焦在第一焦平面和第二焦平面上。在每個水平位置處，雷射光束116可以分別聚焦在第一焦平面和第二焦平面上，每個雷射光束持續所需的持續時間，以在第一晶片101-1形成第一燒蝕斑點302-1並且在第二晶片101-2中形成第二燒蝕斑點302-2。在一些實施例中，第一燒蝕斑點302-1和第二燒蝕斑點302-2可以沿著垂直方向（例如，z軸）對齊。第3C圖圖示了雷射光束116聚焦並且在樣本101中形成燒蝕斑點的示例性順序330。
如示例I中所示，雷射光束116可首先聚焦在第一晶片101-1中的第一焦平面（例如，與第一切割水平306-1重合），持續所需的持續時間。可以在第一切割水平306-1上形成一系列聚焦雷射光斑，並且可以在第一水平位置L1（例如，沿著x軸）在第一晶片101-1中形成第一燒蝕斑點331。在雷射光束116與樣本101之間發生相對水平移動（例如，由平臺106的水平移動引起）之前，雷射光束116可以首先在第二焦平面上在第一水平位置L1重新聚焦（例如，與第二切割深度D2重合），持續所需的持續時間。可以在第二切割水平306-2上形成一系列聚焦雷射光斑，並且可以在第一水平位置L1處在第二晶片101-2中形成第二燒蝕斑點332。當雷射光束116和樣本101之間發生相對水平移動（例如，沿x軸）時，雷射光束116可以移動到第二水平位置L2，第二水平位置L2沿著x軸與第一水平位置L1對齊。可以在第二水平位置L2處形成一系列聚焦雷射光斑，在第二水平位置L2處形成另一第二燒蝕斑點334。
在再次發生雷射光束116與樣本101之間的相對水平移動之前，雷射光束116可以在第二水平位置L2處重新聚焦在第一焦平面上並且聚焦持續所需的持續時間以在第二水平位置L2處形成另一第一燒蝕斑點333。在一些實施例中，第一燒蝕斑點331和另一第一燒蝕斑點333可以沿x軸彼此對齊，並且第二燒蝕斑點332和另一第二燒蝕斑點334可以沿x軸彼此對齊，第一燒蝕斑點331和第二燒蝕斑點332可以沿著z軸彼此對準，並且另一第一燒蝕斑點333和另一第二燒蝕斑點334可以沿著z軸彼此對準。在一些實施例中，第一燒蝕斑點331與另一第一燒蝕斑點333之間的間距S1（例如，沿x軸）在約0.1 μm至約5 μm的範圍內，例如0.1 μm、0.5 μm、1 μm、3 μm、5 μm、由通過任何這些值的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。
燒蝕斑點331-334也可以以不同的順序形成。在另一示例II中，當在第一水平位置L1形成第一燒蝕斑點331和第二燒蝕斑點332之後，雷射光束116可以移動到第二水平位置L2並且重新聚焦在第一焦平面上，以形成另一第一燒蝕斑點333。在雷射光束116在第二水平位置L2處重新聚焦在第二焦平面上之後，可以形成另一第二燒蝕斑點334。在一些實施例中，燒蝕斑點331-334也可以以任何其他合適的順序形成。例如，可以首先在相應的水平位置處形成第二燒蝕斑點332和另一第二燒蝕斑點334，然後在這些水平位置處形成第一燒蝕斑點331和另一第一燒蝕斑點333。形成燒蝕斑點331-334的具體順序不應受本案公開的實施例所限制。
雷射光束116可以重複地聚焦在第一焦平面和第二焦平面上，以形成多個第一燒蝕斑點302-1和多個第二燒蝕斑點302-2。在一些實施例中，每個第一燒蝕斑點302-1和對應的第二燒蝕斑點302-2（例如，在相同的水平位置處）沿z軸對齊。多個第一燒蝕斑點302-1和多個第二燒蝕斑點302-2可以各自沿x軸對齊。在一些實施例中，多個第一燒蝕斑點302-1和多個第二燒蝕斑點302-2可以在相同的x-z平面中。隨後可以沿著第一燒蝕斑點302-1和第二燒蝕斑點302-2所位於的垂直平面（例如，xz平面）分離樣本101。
返回參考第3B圖，為了形成多個燒蝕條帶/凹槽322，雷射光束116可以聚焦在焦平面324上（例如，與鍵合介面101-3重合）並沿x軸移動。可以在沿x軸的水平位置處形成一系列聚焦雷射光斑。當所述一系列聚焦雷射光斑形成在水平位置時，雷射光束116的聚焦深度可以覆蓋第一切割水平306-1和第二切割水平306-2。該一系列聚焦雷射光斑可以在水平位置處在焦點深度（例如，跨越鍵合介面101-3）分佈，以形成燒蝕條帶/凹槽322（例如，在雷射光束116的聚焦深度垂直延伸）。
第3E圖圖示了雷射光束116聚焦並在樣本101中形成燒蝕條帶/凹槽的示例性順序350。在一些實施例中，雷射光束116可以聚焦在第一水平位置L1處，形成分佈在雷射光束116的聚焦深度中的一系列聚焦雷射光斑。燒蝕條帶/凹槽352可以形成在第一水平位置L1處。當平臺106移動時，雷射光束116和樣本101之間的相對水平移動可以使雷射光束116移動到樣本101中的第二水平位置L2，聚焦並形成燒蝕條帶/凹槽354。雷射光束116可以繼續移動到第三和第四水平位置L3和L4，依序地形成燒蝕條帶/凹槽356和358。在一些實施例中，第一、第二、第三和第四水平位置在鍵合介面101-3上，鍵合介面101-3與焦平面324重合。每個燒蝕條帶/凹槽（例如，352-358）可以分佈在第一晶片101-1和第二晶片101-2兩者之中。當平臺106沿x軸移動時，雷射光束116可重複地聚焦在焦平面324上，以在鍵合介面101-3上並且在第一和第二晶片101-1和101-2中延伸形成多個燒蝕條帶/槽322。在一些實施例中，相鄰的燒蝕條帶/凹槽（例如，352和354）之間的間距S2（例如，沿著x軸）在約0.1 μm至約5 μm的範圍內，例如0.1 μm、0.5 μm、1 μm、3 μm、5 μm、通過任何這些值的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。隨後可以沿燒蝕條帶/凹槽322所位於的垂直平面（例如，xz平面）分離樣本101。
在第3A圖和第3B圖中所圖示的雷射切割過程中，因為第一晶片101-1和第二晶片101-2中的燒蝕結構的部分沿垂直方向對齊，所以通過雷射切割操作形成的橫截面可以比通過傳統的雷射切割過程形成的橫截面更加均勻和一致。對樣本101造成的損害可以更少。同時，樣本101中可以形成較少的污染和較少的浪費區域。
第4圖圖示了根據一些實施例的具有對樣本的部分的預處理和分離的雷射切割方法400。第6圖圖示了第4圖中所示的雷射切割方法的流程圖600。應當理解，方法400中示出的操作不是窮舉的，並且可以在任何所示操作之前、之後或之間執行其他操作。此外，一些操作可以同時執行，或者以與第4圖中所示不同的循序執行。為了便於說明，考慮到第4圖中所示的製造過程來描述流程圖600中的操作。
參考第6圖，方法600開始於操作602，其中，鍵合結構的頂表面和底表面被減薄。在一些實施例中，鍵合結構的頂表面在底表面之前被減薄。第4A圖圖示了相應的操作。如第4A圖中所示，鍵合結構401包括沿鍵合介面402接合的第一晶片401-1和第二晶片401-2。第一晶片401-1的第一設備部分403-1和第二設備部分403-2可以分別與第二晶片401-2的第一設備部分404-1和第二設備部分404-2鍵合。設備部分可以包括任何合適的半導體元件/電路，例如記憶體陣列和週邊電路。
可以首先減薄鍵合結構401的頂表面（例如，第一晶片401-1的頂表面），例如，以去除第一晶片401-1的一部分或整個基底。然後可以減薄鍵合結構401的底表面（例如，第二晶片401-2的底表面），例如，以去除第二晶片401-2的一部分或整個基底。描繪了平坦化元件405以圖示施加在鍵合結構401的底表面上的減薄製程。第一晶片401-1和第二晶片401-2可以各自沿垂直方向（例如，z軸）減薄到期望的厚度，這適合於隨後的雷射切割操作。在一些實施例中，每個第一晶片401-1和第二晶片401-2的厚度在約30 μm至約80 μm的範圍內，例如30 μm、50 μm、80 μm、通過任何這些值的下限所界定的任何範圍、或是由這些值中的任何兩個限定的任何範圍。在一些實施例中，每個第一晶片401-1和第二晶片401-2的厚度為約50 μm。鍵合結構401的頂表面和底表面均可通過任何合適的平坦化製程（例如，化學機械平坦化）和/或凹陷蝕刻來減薄。
方法600前進到操作604，如第6圖中所示，其中在鍵合結構中以及鍵合結構的第一部分與第二部分之間形成一系列燒蝕結構。第4B圖圖示了相應的操作。出於說明性目的，點被描繪為表示沿鍵合結構401中的垂直平面408分佈的一系列燒蝕結構406。
在一些實施例中，形成燒蝕結構406以分離鍵合結構401的第一部分407-1和第二部分407-2。鍵合的第一設備部分403-1和404-1被定位於第一部分407-1中，並且鍵合的第二設備部分403-2和404-2被定位於第二部分407-2中。燒蝕結構406可以分佈在第一晶片401-1和第二晶片401-2中，並且可以在垂直平面408中沿著垂直方向（例如，z軸）對準。作為示例，垂直平面408沿著分離鍵合結構401的第一部分407-1和第二部分407-2的方向（例如，垂直於x-z平面的y軸）延伸（例如，用於首先分離鍵合的第一部分407-1中的設備部分403-1和404-1以及第二部分407-2中的第二設備部分403-2和404-2）。在一些實施例中，鍵合結構401與第3A圖和第3B圖中所示的樣本101類似或相同，並且所述一系列燒蝕結構406可以與第3A圖的燒蝕斑點302和/或第3B圖的燒蝕條帶/凹槽322相似或相同。形成一系列燒蝕結構406的過程的詳細描述可以參考第3A-3E圖描述，於此不再重複。
方法600前進到操作606，如第6圖中所示，在操作606中，鍵合結構的第一部分和第二部分沿著所述一系列燒蝕結構所位於的平面被分開。在一些實施例中，膠帶被施加在鍵合結構的頂表面和底表面中的一個上，以施加橫向力將鍵合結構的第一部分和第二部分中的一個彼此分開。在一些實施例中，可以在每個第一部分和第二部分上施加膠帶，以在一或多個第一和第二部分上施加至少一個橫向力。橫向力可以名義上沿水平方向（例如，垂直於所述一系列燒蝕結構的方向延伸）。所述橫向力也可以是與水平方向成角度的力的水平分量。在一些實施例中，橫向力和橫向分量各自沿著指向離開所述一系列燒蝕結構406所在的平面的水平方向。
第4C圖圖示了相應的操作。如第4C圖所示，在分離鍵合結構401的第一部分407-1（例如，裸晶）與第二部分407-2（例如，另一裸晶）之前，在第一部分407的底表面上施加第一膠帶409-1並且在第二部分407-2的底表面上施加第二膠帶409-2。在第二膠帶409-2上施加橫向力以將第二部分407-2拉離第一部分407-1。作為示例，橫向力指向y軸。然後，鍵合結構401可以沿著垂直平面408分離為第一部分407-1和第二部分407-2。因此，在垂直平面408處由鍵合結構401的分裂引起的橫截面408-1和408-2可以形成在第一和第二部分407-1和407-2上。
本案公開的另一方面涉及一種儲存指令的非瞬態電腦可讀式介質，所述指令在被執行時使一或多個處理器執行所述方法，如上所述。電腦可讀式介質可以包括易失性或非易失性、磁性、半導體、磁帶、光學、可移除、不可移除或其他類型的電腦可讀式介質或電腦可讀式儲存裝置。例如，如所公開的，電腦可讀式介質可以是儲存裝置或其上儲存有電腦指令的記憶體模組。在一些實施例中，電腦可讀式介質可以是其上儲存有電腦指令的儲存碟或快閃記憶體驅動器。
在一些實施例中，用於切割鍵合結構的方法包括以下操作。首先，可以確定掃描圖案以用於在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構。然後可以確定所述一系列燒蝕結構與所述鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置。所述鍵合表面可以在第一晶片與第二晶片之間。可以基於所述一系列燒蝕結構與所述鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度。此外，可以確定雷射光束。所述雷射光束具有一系列脈衝雷射。此外，所述雷射光束可以根據所述掃描圖案在所述鍵合結構中移動，以在所述鍵合結構中形成所述一系列燒蝕結構。
在一些實施例中，確定一系列燒蝕結構與鍵合表面之間的相對位置包括：確定第一晶片中的第一切割水平和鍵合結構的第二晶片中的第二切割水平。第一切割水平可以是沿著垂直方向離開鍵合介面以第一切割深度進入第一晶片的水平，並且第二切割水平可以是沿垂直方向離開鍵合介面以第二切割深度進入第二晶片的水平。
在一些實施例中，確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案包括：確定沿第一切割水平的多個第一燒蝕斑點和沿第二切割水平的多個第二燒蝕斑點，並且確定至少一個焦平面和聚焦深度包括：確定第一切割水平處的第一焦平面和第二切割水平處的第二焦平面。
在一些實施例中，根據掃描圖案在鍵合結構中移動雷射光束以在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構包括：在第一水平位置處將雷射光束分別聚焦在第一焦平面上和第二焦平面上，以在第一切割水平處在第一晶片中形成第一燒蝕斑點，並且在第二切割水平處在第二晶片中形成第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述第二燒蝕斑點可以垂直對齊。所述操作還包括：在第二水平位置處，將所述雷射光束分別聚焦在所述第一焦平面所述和第二焦平面上，以在所述第一切割水平處在所述第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點，並且在所述第二切割水平處在所述第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述另一燒蝕斑點可以水平對齊，所述第二燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點可以水平對齊，而所述另一第一燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點可以垂直對齊。
在一些實施例中，將雷射光束聚焦在第一焦平面和第二焦平面處包括調整光學模組的設置以分別在第一焦平面和第二焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑。
在一些實施例中，在第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點和在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點包括：沿著第二切割水平將雷射光束從第二晶片中的第一水平位置水平移動到第二水平位置中的一個，以將雷射光束聚焦在第二焦平面上並且在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。該操作還可以包括在所述第二水平位置將所述雷射光束聚焦在第一焦平面上以在所述第一晶片中形成所述另一第一燒蝕斑點。
在一些實施例中，確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案包括確定從第一切割水平延伸到第二切割水平的多個燒蝕條帶，並且確定至少一個焦平面或聚焦深度包括確定鍵合介面上的焦平面和覆蓋第一切割水平和第二切割水平的聚焦深度。
在一些實施例中，根據掃描圖案在鍵合結構中移動雷射光束以在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構包括將雷射光束聚焦在焦平面上以形成一系列聚焦雷射光斑，並且將所述一系列聚焦雷射光斑沿著鍵合介面從第一水平位置移動到第二水平位置。
在一些實施例中，一種用於切割鍵合結構的方法包括將鍵合結構的頂表面和底表面減薄。所述鍵合結構可以具有與鍵合介面鍵合的第一晶片和第二晶片。所述方法還可以包括在第一晶片和第二晶片中形成一系列燒蝕結構。所述一系列燒蝕結構可以位於所述鍵合結構的第一部分與第二部分之間。所述方法還可以包括沿著一系列燒蝕結構分離鍵合結構的第一部分和第二部分。
在一些實施例中，在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構包括確定用於在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構的掃描圖案，以及確定所述一系列燒蝕結構與所述鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置。所述鍵合表面可以在第一晶片與第二晶片之間。所述操作還可以包括基於所述一系列燒蝕結構與所述鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度，並生成雷射光束。所述雷射光束可以具有一系列脈衝雷射。所述操作還可以包括根據掃描圖案來在鍵合結構中移動雷射光束，以在所述鍵合結構中形成一系列燒蝕結構。
在一些實施例中，確定一系列燒蝕結構與鍵合表面之間的相對位置包括確定鍵合結構的第一晶片中的第一切割水平和第二晶片中的第二切割水平。第一切割水平可以是沿著垂直方向離開鍵合介面以第一切割深度進入第一晶片的水平，並且第二切割水平可以是沿垂直方向離開鍵合介面以第二切割深度進入第二晶片的距離。
在一些實施例中，確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案包括確定沿第一切割水平的多個第一燒蝕斑點和沿第二切割水平的多個第二燒蝕斑點，並且確定雷射光束的一或多個焦平面和聚焦深度包括確定第一切割水平處的第一焦平面和第二切割水平處的第二焦平面。
在一些實施例中，根據掃描圖案在鍵合結構中移動雷射光束以在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構包括：在第一水平位置處將雷射光束分別聚焦在第一焦平面上和第二焦平面上，以在第一切割水平處在第一晶片中形成第一燒蝕斑點，並且在第二切割水平處在第二晶片中形成第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述第二燒蝕斑點可以垂直對齊。所述操作可以還包括：在第二水平位置處，將所述雷射光束分別聚焦在所述第一焦平面所述和第二焦平面上，以在所述第一切割水平處在所述第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點，並且在所述第二切割水平處在所述第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述另一燒蝕斑點可以水平對齊，所述第二燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點可以水平對齊，而所述另一第一燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點可以垂直對齊。
在一些實施例中，將雷射光束聚焦在第一焦平面和第二焦平面處包括調整光學模組的設置以分別在第一焦平面和第二焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑。
在一些實施例中，在第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點和在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點包括：沿著第二切割水平將雷射光束從第二晶片中的第一水平位置水平移動到第二水平位置中的一個，以將雷射光束聚焦在第二焦平面上並且在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。該操作還可以包括在所述第二水平位置將所述雷射光束聚焦在第一焦平面上以在所述第一晶片中形成所述另一第一燒蝕斑點。
在一些實施例中，確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案包括確定從第一切割水平延伸到第二切割水平的多個燒蝕條帶，確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度包括確定鍵合介面上的焦平面和覆蓋第一切割水平和第二切割水平的聚焦深度。
在一些實施例中，根據掃描圖案在鍵合結構中移動雷射光束以在鍵合結構中形成一系列燒蝕結構包括將雷射光束聚焦在焦平面上以形成一系列聚焦雷射光斑，並且將所述一系列聚焦雷射光斑沿著鍵合介面從第一水平位置移動到第二水平位置。
在一些實施例中，分離所述鍵合結構的所述第一部分和所述第二部分包括在所述鍵合結構的所述第一部分或所述第二部分中的至少一個上施加橫向力。
在一些實施例中，在鍵合結構的第一部分和第二部分中的至少一個上施加橫向力包括在鍵合結構的第一部分或第二部分中的至少一個上施加膠帶並且在膠帶上沿著離開所述一系列燒蝕結構的方向施加橫向力。
在一些實施例中，一種用於切割鍵合結構的雷射切割系統包括：雷射源，其被設置成生成一系列脈衝雷射；被耦合到雷射源的光學模組，所述光學模組被設置成提供一系列聚焦雷射光斑；以及控制器，其被耦合到所述雷射光源和所述光學模組。所述控制器可以被設置成在所述鍵合結構中移動所述一系列聚焦雷射光斑，以在所述鍵合結構中的第一晶片和第二晶片中形成所述一系列燒蝕結構。所述第一晶片和所述第二晶片可以具有在其之間的鍵合介面。
在一些實施例中，所述控制器還被設置成：確定鍵合結構中的一系列燒蝕結構的圖案；確定一系列燒蝕結構與鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置；基於所述一系列燒蝕結構和鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度；生成雷射光束，所述雷射光束具有雷射光束；並且根據掃描圖案來在鍵合結構中移動所述雷射光束以在所述鍵合結構中形成所述一系列燒蝕結構。
在一些實施例中，為了確定所述一系列燒蝕結構與鍵合表面之間的相對位置，所述控制器被設置成確定鍵合結構的第一晶片中的第一切割水平和第二晶片中的第二切割水平。所述第一切割水平可以是沿著垂直方向離開鍵合介面以第一切割深度進入第一晶片的距離，並且所述第二切割深度可以是沿垂直方向離開鍵合介面以第二切割深度進入第二晶片的距離。
在一些實施例中，為了確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案，所述控制器被配置為確定沿所述第一切割水平的多個第一燒蝕斑點和沿所述第二切割水平的多個第二燒蝕斑點。為了確定雷射光束的一或多個焦平面和聚焦深度，所述控制器可以被設置成確定在第一切割水平的第一焦平面和在第二切割水平的第二焦平面。
在一些實施例中，為了在鍵合結構中移動雷射光束以在所述鍵合結構中形成一系列燒蝕結構，所述控制器被設置成在第一水平位置處將雷射光束分別聚焦在第一焦平面上和在第二焦平面上，以在第一切割水平處在第一晶片中形成第一燒蝕斑點，並且在第二切割水平處在第二晶片中形成第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述第二燒蝕斑點可以垂直對齊。所述控制器還可以被設置成：在第二水平位置處，將所述雷射光束分別聚焦在所述第一焦平面所述和第二焦平面上，以在所述第一切割水平處在所述第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點，並且在所述第二切割水平處在所述第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。所述第一燒蝕斑點和所述另一燒蝕斑點可以水平對齊，並且所述第二燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點可以水平對齊，而所述另一第一燒蝕斑點和所述另一第二燒蝕斑點垂直對齊。
在一些實施例中，為了將雷射光束聚焦在第一焦平面和第二焦平面處，所述控制器被設置成調整光學模組的設置以分別在第一焦平面和第二焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑。
在一些實施例中，為了在第一晶片中形成另一第一燒蝕斑點和在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點，所述控制器被設置成沿著第二切割水平將雷射光束從第二晶片中的第一水平位置水平移動到其中一個第二水平位置，以將雷射光束聚焦在第二焦平面上，並在第二晶片中形成另一第二燒蝕斑點。所述控制器還可以被設置成在所述第二水平位置將所述雷射光束聚焦在第一焦平面上以在所述第一晶片中形成所述另一第一燒蝕斑點。
在一些實施例中，所述第一切割深度在約20 μm至約40 μm的範圍內，並且所述第二切割深度在約20 μm至約40 μm的範圍內，並且相鄰的第一燒蝕斑點之間的間隔和相鄰的第二燒蝕斑點之間的間隔各自在約10 μm至約60 μm的範圍內。
在一些實施例中，所述一系列聚焦雷射光斑的脈衝能量在約1 μJ至約30 μJ脈衝能量的範圍內，並且雷射光束的水平移動速度在約100 mm/秒至約1000 mm/秒的範圍內。
在一些實施例中，為了確定用於形成一系列燒蝕結構的掃描圖案，所述控制器被設置成確定從所述第一切割水平延伸到所述第二切割水平的多個燒蝕條帶。為了確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度，所述控制器還可以被設置成確定鍵合介面上的焦平面和覆蓋第一切割水平和第二切割水平的聚焦深度。
在一些實施例中，為了在鍵合結構中移動雷射光束以在所述鍵合結構中形成一系列燒蝕結構，所述控制器被設置成將雷射光束聚焦在焦平面上以形成一系列聚焦雷射光斑並且將所述一系列聚焦雷射光斑沿著鍵合介面從第一水平位置移動到第二水平位置。
在一些實施例中，所述第一切割深度在約20 μm至約40 μm的範圍內，並且所述第二切割深度在約20 μm至約40 μm的範圍內，並且相鄰的第一燒蝕斑點之間的間隔和相鄰的第二燒蝕斑點之間的間隔各自在約10 μm至約60 μm的範圍內。
在一些實施例中，所述一系列聚焦雷射光斑的能量密度在約1 μJ至約30 μJ脈衝能量的範圍內，並且雷射光束的水平移動速度在約100 mm/秒至約1000 mm/秒的範圍內。
在一些實施例中，所述雷射源的聚焦深度在約20 μm至約70 μm的範圍內。
在一些實施例中，相鄰燒蝕條帶之間的間隔在約10 μm至約60 μm的範圍內。
在一些實施例中，所述第一晶片和所述第二晶片的厚度均在約30 μm至約80 μm的範圍內。
對具體實施例的前述描述將揭示本案公開的一般性質，他人可以通過應用本領域技術範圍內的知識，針對各種應用容易地修改和/或調整這樣的具體實施例，而無需過度實驗，而不離開從本案公開的一般概念來看。因此，基於本文給出的教導和指導，這些調整和修改旨在落入所公開實施例的等價方案的含義和範圍內。應理解，本文中的措辭或術語是出於描述而非限制的目的，使得本說明書的術語或措辭將由本領域技術人員根據教導和指導來解釋。
上面已經借助於說明特定功能及其關係的實現的功能區塊描述了本案公開的實施例。為了便於描述，這裡任意地定義了這些功能區塊的邊界。可以定義替代的邊界，只要適當地執行指定的功能及其關係即可。
發明內容和摘要部分可以闡述發明人所預期本案公開的一或多個但不是所有示例性實施例，因此，並不旨在以任何方式限制本案和所附之申請專利範圍。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:系統 101:樣本 101-1:第一晶片 101-2:第二晶片 101-3:鍵合介面 102:雷射源 104:光學模組 106:平臺 108:控制器 110:檢測模組 112:掃描單元 114:聚焦單元 116:雷射光束 200:示意圖 202:通信介面 204:處理器 206:記憶體 208:儲存裝置 210:掃描圖案確定單元 212:雷射源控制單元 214:光學模組控制單元 216:平臺控制單元 300:雷射切割過程 302-1:第一燒蝕斑點 302-2:第二燒蝕斑點 306-1:第一切割水平 306-2:第二切割水平 320:雷射切割過程 322:燒蝕條帶/凹槽 324:焦平面 330:順序 331:第一燒蝕斑點 332:第二燒蝕斑點 333:第一燒蝕斑點 334:第二燒蝕斑點 342-1, 342-2:邊界 352, 354, 356, 358:燒蝕條帶/凹槽 400:方法 401:鍵合結構 401-1:第一晶片 401-2:第二晶片 402:鍵合結構 403-1:第一設備部分 403-2:第二設備部分 404-1:第一設備部分 404-2:第二設備部分 405:元件 406:燒蝕結構 407-1:第一部分 407-2:第二部分 408:垂直平面 408-1, 408-2:橫截面 409-1:第一膠帶 409-2:第二膠帶 500:方法 502, 504, 506, 508, 510:操作 600:方法/流程圖 602, 604, 606:操作 D1:第一切割深度 D2:第二切割深度 L1:第一水平位置 L2:第二水平位置 L3:第三水平位置 L4:第四水平位置 S1, S2:間距 F1:前聚焦深度 F2:後聚焦深度 DOF:聚焦深度
隨附附圖，其在此併入並且形成說明書的一部分，圖示了本發明公開的實施例，並且與說明書一起進一步用於解釋本發明公開的原理並使得相關領域的技術人員能夠製作和使用本發明。 第1圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的用於鍵合結構的雷射切割的示例性系統的示意圖。 第2圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的示例性控制器的示意圖。 第3A圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的示例性雷射切割過程。 第3B圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的另一示例性雷射切割過程。 第3C圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的在雷射切割過程中形成燒蝕結構的示例性掃描圖案。 第3D圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的具有焦平面和聚焦深度的雷射光束。 第3E圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的在雷射切割過程中形成燒蝕結構的另一示例性掃描圖案。 第4圖圖示了根據本發明公開的一些實施例的鍵合結構的示例性製程。 第5圖圖示了根據一些實施例的用於切割鍵合結構的方法的流程圖。 第6圖圖示了根據一些實施例的用於製造鍵合結構的方法的流程圖。 將參考以下附圖來描述本發明公開的實施例。
101:樣本
101-1:第一晶片
101-2:第二晶片
101-3:鍵合介面
116:雷射光束
306-1:第一切割水平
306-2:第二切割水平
320:雷射切割過程
322:燒蝕條帶/凹槽
324:焦平面
D1:第一切割深度
D2:第二切割深度

Claims (20)

  1. 一種用於切割鍵合結構的方法，包括： 確定用於在該鍵合結構中形成一系列燒蝕結構的掃描圖案； 確定該一系列燒蝕結構與該鍵合結構的鍵合介面之間的相對位置，該鍵合介面位於第一晶片與第二晶片之間； 基於該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度； 生成該雷射光束，該雷射光束具有一系列脈衝雷射；以及 根據該掃描圖案在該鍵合結構中移動該雷射光束，以在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置包括： 確定該鍵合結構的該第一晶片中的第一切割水平和該第二晶片中的第二切割水平，該第一切割水平是沿垂直方向離開該鍵合介面進入該第一晶片達第一切割深度的距離，該第二切割水平是沿該垂直方向離開該鍵合介面進入該第二晶片達第二切割深度的距離。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定用於形成該一系列燒蝕結構的該掃描圖案包括確定沿該第一切割水平的多個第一燒蝕斑點和沿該第二切割水平的多個第二燒蝕斑點，並且該確定一或多個焦平面或聚焦深度包括確定該第一切割水平處的第一焦平面和該第二切割水平處的第二焦平面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該根據該掃描圖案在該鍵合結構中移動該雷射光束，以在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構包括： 在第一水平位置處，將該雷射光束分別聚焦在該第一焦平面和該第二焦平面上，以在該第一切割水平處在該第一晶片中形成該第一燒蝕斑點，並且在該第二切割水平處在該第二晶片中形成該第二燒蝕斑點，該第一燒蝕斑點和該第二燒蝕斑點垂直地對齊；以及 在第二水平位置處，將該雷射光束分別聚焦在該第一焦平面和該第二焦平面上，以在該第一切割水平處在該第一晶片中形成另一該第一燒蝕斑點，並且在該第二切割水平處在該第二晶片中形成另一該第二燒蝕斑點，該第一燒蝕斑點與該另一第一燒蝕斑點水平地對齊，該第二燒蝕斑點與該另一第二燒蝕斑點水平地對齊，而該另一第一燒蝕斑點與該另一第二燒蝕斑點垂直地對齊。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中將該雷射光束聚焦在該第一焦平面和該第二焦平面處包括：調整光學模組的設置以分別在該第一焦平面和該第二焦平面上形成一系列聚焦雷射光斑。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中在該第一晶片中形成該另一第一燒蝕斑點並且在該第二晶片中形成該另一第二燒蝕斑點包括以下之一步驟： 沿著該第二切割水平，將該雷射光束在該第二晶片中從該第一水平位置水平移動到該第二水平位置，以將該雷射光束聚焦在該第二焦平面上以在該第二晶片中形成該另一第二燒蝕斑點；以及 在該第二水平位置將該雷射光束聚焦在該第一焦平面上以在該第一晶片中形成該另一第一燒蝕斑點。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定用於形成該一系列燒蝕結構的該掃描圖案包括確定從該第一切割水平延伸到該第二切割水平的多個燒蝕條帶，並且該確定一或多個焦平面或聚焦深度包括確定該鍵合介面上的該焦平面和覆蓋該第一切割水平和該第二切割水平的該聚焦深度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該根據該掃描圖案在該鍵合結構中移動該雷射光束以在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構包括： 將該雷射光束聚焦在該焦平面上以形成一系列聚焦雷射光斑；以及 沿著該鍵合介面將該一系列聚焦雷射光斑從第一水平位置移動到第二水平位置。
  9. 一種用於切割鍵合結構的方法，包括： 將鍵合結構的頂表面和底表面減薄，該鍵合結構具有與鍵合介面鍵合的第一晶片和第二晶片； 在該第一晶片和該第二晶片中形成一系列燒蝕結構，該一系列燒蝕結構在該鍵合結構的第一部分與第二部分之間；以及 沿著該一系列燒蝕結構分離該鍵合結構的該第一部分和該第二部分。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構包括： 確定用於在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構的掃描圖案； 確定該一系列燒蝕結構與該鍵合結構的該鍵合介面之間的相對位置，該鍵合介面在該第一晶片與該第二晶片之間； 基於該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度； 生成該雷射光束，該雷射光束具有一系列脈衝雷射；以及 根據該掃描圖案在該鍵合結構中移動該雷射光束，以在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置包括確定該鍵合結構的該第一晶片中的第一切割水平和該第二晶片中的第二切割水平，該第一切割水平是沿垂直方向離開該鍵合介面進入該第一晶片達第一切割深度的距離，該第二切割水平是沿該垂直方向離開該鍵合介面進入該第二晶片達第二切割深度的距離。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定用於形成該一系列燒蝕結構的該掃描圖案包括確定沿該第一切割水平的多個第一燒蝕斑點和沿該第二切割水平的多個第二燒蝕斑點，並且該確定該雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度包括確定該第一切割水平處的第一焦平面和該第二切割水平處的第二焦平面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之用於切割鍵合結構的方法，其中該確定用於形成該一系列燒蝕結構的該掃描圖案包括確定從該第一切割水平延伸到該第二切割水平的多個燒蝕條帶，並且該確定該雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度包括確定該鍵合介面上的該焦平面和覆蓋該第一切割水平和該第二切割水平的該聚焦深度。
  14. 一種用於切割鍵合結構的雷射切割系統，包括： 雷射源，設置成生成一系列脈衝雷射； 耦合到該雷射源的光學模組，該光學模組被設置成提供一系列聚焦雷射光斑；以及 耦合到該雷射源和該光學模組的控制器，該控制器被設置成在該鍵合結構中移動該一系列聚焦雷射光斑以在該鍵合結構中的第一晶片和第二晶片中形成一系列燒蝕結構，該第一晶片和該第二晶片之間具有鍵合介面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中該控制器還被設置成： 確定該鍵合結構中的該一系列燒蝕結構的掃描圖案； 確定該一系列燒蝕結構與該鍵合結構的該鍵合介面之間的相對位置； 基於該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置來確定雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度； 生成該雷射光束，該雷射光束具有一系列脈衝雷射；以及 根據該掃描圖案在該鍵合結構中移動該雷射光束，以在該鍵合結構中形成該一系列燒蝕結構。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中為了確定該一系列燒蝕結構與該鍵合介面之間的相對位置，該控制器被設置成確定該鍵合結構的該第一晶片中的第一切割水平和該第二晶片中的第二切割水平，該第一切割水平是沿垂直方向離開該鍵合介面進入該第一晶片達第一切割深度的距離，該第二切割水平是沿該垂直方向離開該鍵合介面進入該第二晶片達第二切割深度的距離。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中： 該第一切割深度在20 μm至40 μm的範圍內，並且該第二切割深度在20 μm至40 μm的範圍內； 相鄰的第一燒蝕斑點之間的間隔和相鄰的第二燒蝕斑點之間的間隔均在10 μm至60 μm的範圍內； 該一系列聚焦雷射光斑的功率密度在1 μJ至30 μJ脈衝能量的範圍內；並且 該雷射光束的水平移動速度在100 mm/秒至1000 mm/秒的範圍內。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中： 為了確定用於形成該一系列燒蝕結構的該掃描圖案，該控制器被設置成確定從該第一切割水平延伸到該第二切割水平的多個燒蝕條帶；並且 為了確定該雷射光束的一或多個焦平面或聚焦深度，該控制器被設置成確定該鍵合介面上的該焦平面和覆蓋該第一切割水平和該第二切割水平的該聚焦深度。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中該雷射源的該聚焦深度在20 μm至70 μm的範圍內，並且相鄰的該燒蝕條帶之間的間隔在10 μm至60 μm的範圍內。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之用於切割鍵合結構的雷射切割系統，其中該第一晶片和該第二晶片的厚度均在30 μm至80 μm的範圍內。
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