TW202003223A - 附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之附接著層的積層體係依序包含第1基材層、第1液晶層、及接著層。在附接著層的積層體之寬度方向剖面中，於第1液晶層之寬度方向之至少一端部側具有第1端區域，該第1端區域為較接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域，第1端區域中朝接著層側之表面的水接觸角為75°以上。

Description

附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法
本發明係關於附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法、及光學積層體的製造方法。
使用有機發光二極體(OLED)之有機EL顯示裝置與液晶顯示裝置等相比，不僅可達成輕量化及薄型化，而且可實現廣視角、快速反應速度、高對比等高畫質，故使用於智慧型手機及電視、數位相機等各種領域。在有機EL顯示裝置中，已知有使用圓偏光板等來提升拉反射性能，以抑制外部光的反射而導致可視性的降低之情形。
作為適用於有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置之影像顯示面板的光學膜，在JP2015-25947A1中記載一種積層有直線偏光板與1/4波長板的圓偏光板，且亦記載該1/4波長板係藉由積層1/2波長相位差層與1/4波長相位差層而構成。
本發明之目的係提供一種適合於製造光學積層體之附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法。
本發明提供以下所示之附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法。
〔1〕一種附接著層的積層體，係依序包含第1基材層、第1液晶層及接著層；其中，前述附接著層的積層體之寬度方向剖面中，於前述第1液晶層之寬度方向的至少一端部側具有第1端區域，該第1端區域為較前述接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域，前述第1端區域中朝前述接著層側之表面的水接觸角為75°以上。
〔2〕如〔1〕所述之附接著層的積層體，其中，第1液晶層之水接觸角係較接著層之與第1液晶層為相反側之表面的水接觸角大5°以上。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之附接著層的積層體，其中，前述第1液晶層為相位差層。
〔4〕如〔1〕或〔2〕至〔3〕項中任一項所述之附接著層的積層體，更在前述第1基材層與前述第1液晶層之間包含第1配向層。
〔5〕一種積層體，係包含第2基材層及第2液晶層；其中， 前述積層體之寬度方向剖面中，於前述第2液晶層之寬度方向的至少一端部側具有第2端區域；前述第2端區域中與前述第2基材層為相反側之表面的水接觸角為75°以上。
〔6〕如〔5〕所述之積層體，其中，在前述第2液晶層之與前述第2基材層為相反側的表面，前述第2端區域之水接觸角係較前述第2端區域以外之表面的水接觸角大5°以上。
〔7〕如〔5〕或〔6〕所述之積層體，其中，前述第2液晶層為相位差層。
〔8〕如〔5〕至〔7〕中任一項所述之積層體，更在前述第2基材層與前述第2液晶層之間包含第2配向層。
〔9〕一種液晶層積層體，係使如〔1〕至〔4〕中任一項所述之附接著層的積層體之前述接著層與如〔5〕至〔8〕中任一項所述之積層體的前述第2液晶層貼合而成者；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第2端區域係較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側。
〔10〕一種液晶層積層體，係使附接著層的積層體與如〔5〕至〔8〕中任一項所述之積層體的前述第2液晶層貼合而成者，該附接著層的積層體係依序包含基材層、液晶層及接著層的附接著層的積層體，且在寬度方向剖面中，於前述液晶層之寬度方向之至少一端部側具有較接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第2端區域係較前述接著 層之端部位置更靠近寬度方向外側。
〔11〕一種液晶層積層體，係使如〔1〕至〔4〕中任一項所述之附接著層的積層體之前述接著層與依序包含基材層及液晶層之積層體貼合而成者；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第1端區域係較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側。
〔12〕一種液晶膜之製造方法，係具有下述步驟：準備依序包含第1基材層、第1液晶層、及接著層的附接著層的積層體之步驟；準備包含第2基材層及第2液晶層之積層體之步驟；對前述附接著層的積層體之前述接著層側之表面及前述積層體之前述第2液晶層側之表面之至少一者進行表面活性化處理以使水接觸角成為75°以上之步驟；以及，將前述附接著層的積層體之前述接著層與前述積層體之前述第2液晶層貼合而獲得液晶層積層體之步驟；其中，在前述液晶層積層體之寬度方向剖面中包含寬度方向之至少一端部之第3端區域中，前述第1液晶層及前述第2液晶層係於較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側的區域具有端區域。
〔13〕如〔12〕所述之液晶膜的製造方法，其中，在前述表面活性化處理之步驟中，係進行下述處理：〔a2〕對前述附接著層的積層體之前述接著層側的表面進行表面活性化處理時，以使對前述第1液晶層之前述端區域中朝前述接著層側之的表 面進行活性化處理之處理量較對前述第1液晶層之前述端區域之表面以外的其他表面進行表面活性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理；〔b2〕對前述積層體之前述第2液晶層側的表面進行表面活性化處理時，以使對前述第2液晶層之前述端區域之表面進行表面活性化處理之處理量較對前述第2液晶層之前述端區域之表面以外的其他表面進行表面活性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理。
〔14〕如〔12〕或〔13〕所述之液晶膜的製造方法，係對前述附接著層的積層體之前述接著層側的表面及前述積層體之前述第2液晶層側的表面進行表面活性化處理。
〔15〕如〔12〕至〔14〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述表面活性化處理為電暈處理。
〔16〕如〔12〕至〔15〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述第1液晶層為相位差層。
〔17〕如〔12〕至〔16〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述第2液晶層為相位差層。
〔18〕如〔12〕至〔17〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述附接著層的積層體更在前述第1基材層與前述第1液晶層之間包含第1配向層。
〔19〕如〔12〕至〔18〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述積層體更在前述第2基材層與前述第2液晶層之間包含第2配向層。
〔20〕如〔12〕至〔19〕中任一項所述之液晶膜的製造方法，更包含：將前述液晶層積層體中之前述第1基材層及前述第2基材層中之一者剝離的步驟。
〔21〕一種光學積層體的製造方法，係具有下述步驟：從如前述〔9〕所述之液晶層積層體剝離第1基材層及第2基材層中之一者的步驟；準備光學膜之步驟；及將前述光學膜經由光學膜用接著層而積層於藉由上述剝離而露出之層的步驟。
〔22〕如〔21〕所述之光學積層體的製造方法，更具有：將前述第1基材層及前述第2基材層中未與光學膜用接著層積層之層剝離的步驟。
〔23〕如〔22〕所述之光學積層體的製造方法，其中，在將前述第1基材層及前述第2基材層中未與光學膜用接著層積層之層剝離而露出之層上，更積層光學積層體用接著層上。
依據本發明，可提供一種適合於製造光學積層體之附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法。
10a，10p‧‧‧附接著層的積層體
11a，11p‧‧‧第1基材層
12a，12a1，12p，12p1‧‧‧第1相位差層(第1液晶層)
12as‧‧‧第1相位差層表面
12’p‧‧‧轉移部分
13a，13p‧‧‧接著層
20a，20p‧‧‧積層體
21a，21p‧‧‧第2基材層
22a，22a1，22p，22p1‧‧‧第2相位差層(第2液晶層)
22as‧‧‧第2相位差層表面
40a，40p‧‧‧相位差層積層體(液晶層積層體、液晶膜)
50a，50p‧‧‧相位差膜(液晶膜)
60a，60p‧‧‧光學膜
62a，62p‧‧‧光學膜用接著層
70a，70p‧‧‧光學積層體
71a‧‧‧附基材的光學積層體(光學積層體)
W‧‧‧寬度方向
第1圖係示意性地顯示本發明之附接著層的積層體之一例的概略剖面圖。
第2圖係示意性地顯示本發明之積層體之一例的概略剖面圖。
第3圖係示意性地顯示本發明之液晶層積層體之相位差層積層體之一例的概略剖面圖。
第4圖係示意性地顯示本發明之液晶膜之相位差膜之製造步驟之一例的概略剖面圖。
第5圖(a)至(c)係示意性地顯示本發明之光學積層體之製造步驟之一例的概略剖面圖。
第6圖(a)至(d)係示意性地顯示成為本發明之前提之光學積層體之製造步驟之一例的概略剖面圖。
在說明本發明之附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法之較佳實施型態之前，先針對本發明之實施型態的前提進行說明。第6圖(a)至(d)係示意性地顯示後述之實施型態之前提的光學積層體70p之製造步驟的概略剖面圖。圖中，W表示寬度方向。又，以下例舉說明第1液晶層及第2液晶層分別為第1相位差層及第2相位差層，且液晶膜為相位差膜之情況。
在光學積層體之製造方法中，如第6圖(a)所示，有時使用相位差層積層體40p，該相位差層積層體40p係使包含第1基材層11p及第1相位差層12p之積層體10p與包含第2基材層21p及第2相位差層22p之積層體20p經由接著層13p積層而成者。如第6圖(b)所示，從該 相位差層積層體40p剝離第2基材層21p時，第2相位差層22p之一部分會轉移至經剝離之第2基材層21p，而獲得在接著層13p上形成有第2相位差層22p1的相位差膜50p。這是因為如第6圖(a)所示之相位差層積層體40p在第2相位差層22p之寬度方向之兩端具有未固定於接著層13p之非固定區域(第6圖(a)中，右上角斜線所示之部分)，且藉由第2基材層21p之剝離而使第2相位差層22p分離成固定於接著層13p之區域的第2相位差層22p1與轉移至第2基材層21p之非固定區域。
其次，如第6圖(c)所示，在第6圖(b)所示之相位差膜50p之第2相位差層22p1上經由光學膜用接著層62p積層光學膜60p後，剝離相位差膜50p中含有的第1基材層11p，可獲得光學積層體70p(第6圖(d))。
此外，在如第6圖(a)所示之相位差層積層體40p中，於寬度方向之端部，具有第1相位差層12p與第2相位差層22p未經由接著層13p而相對向的區域。在如此區域中，第1相位差層12p與第2相位差層22p易於直接接觸，且會因第1相位差層12p與第2相位差層22p之接觸強度、或第1相位差層12p及第2相位差層22p之表面狀態，如第6圖(a)所示，有時第1相位差層12p之一部分12’p(以下亦稱為「轉移部分12’p」)轉移至第2相位差層22p之情形。第1相位差層12p之轉移部分12’p轉移至第2相位差層22p時，第1相位差層12p之一部分缺損，而於第1相位差層12p形成有缺損部分p。有時會因第1相位差層12p及第2相位差層22p之表面狀態、或第1相位差層12p與第2相位差層22p之接觸條件，使得第1相位差層12p之缺損部分p、或在第2相位差層22p之 轉移部分12’p往長度方向連續地產生。
由於如此缺損部分p亦存在於第6圖(b)所示之相位差膜50p，故在相位差膜50p經由光學膜用接著層62p積層光學膜60p(第6圖(c))時，在該缺損部分p之區域中，會經由光學膜用接著層62p將第1基材層11p與光學膜60p接著。在形成如此接著部分的狀態下剝離第1基材層11p時，如第6圖(d)所示，由於光學膜60p之一部分60’p及光學膜用接著層62p之一部分62’p被固定於第1基材層11p，因此在獲得的光學積層體70p的端部中，會有光學膜60p及光學膜用接著層62p受到破裂之情形。第6圖(d)所示之端部經破裂之光學積層體70p，因外觀不良且運送光學積層體70p之際有移動性不穩定之傾向，因而不佳。
上述第6圖(a)所示之相位差層積層體40p中，雖針對第1相位差層12p之轉移部分12’p轉移至第2相位差層22p，而成為端部經破裂之光學積層體70p的情況進行說明，惟在運送從相位差層積層體40p剝離的第2基材層21p時，轉移部分12’p亦會脫落。經脫落的轉移部分12’p附著於相位差膜50p及運送路徑而成為污染製造中之製品及運送路徑的原因，會導致獲得的光學積層體之外觀不良。此外，上述第6圖(a)所示之相位差層積層體40p中，雖針對轉移部分12’p轉移至第2相位差層22p之情況進行說明，惟亦有第2相位差層22p之一部分轉移至第1相位差層12p之情形。
在此情況下，在相位差膜之運送時，經轉移至第1相位差層12p之第2相位差層22p之一部分脫落而附著於相位差膜及運送路徑，成為污染製造中之製品及運送路徑的原因，會導致獲得的光學積層體之外觀不良。
於此，在以下實施型態中，針對一種附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法進行說明，其係藉由不容易產生端部之破裂、污染製造中之製品及運送路徑等，而能夠抑制光學積層體之外觀不良及運送時之移動性的不穩定化，進而適合於製造光學積層體。
以下參照圖面以針對本發明之附接著層的積層體、積層體、液晶層積層體、液晶膜的製造方法及光學積層體的製造方法之較佳實施型態進行說明。又，以下中將例舉說明第1液晶層及第2液晶層分別為第1相位差層及第2相位差層，且液晶膜為相位差膜之情況。
〔第1實施型態(附接著層的積層體)〕
第1圖係示意性地顯示本實施型態之附接著層的積層體之一例的概個剖面圖。圖中W表示寬度方向。
本實施型態之附接著層的積層體10a係依序包含第1基材層11a、第1相位差層12a(第1液晶層)、及接著層13a； 其中，附接著層的積層體10a之寬度方向剖面中，於第1相位差層12a之寬度方向之兩端具有第1端區域，該第1端區域為較接著層13a之寬度方向之兩端的位置更靠近之寬度方向外側的區域， 第1端區域中朝接著層13a側之表面12as(以下亦稱為「第1相位差層表面12as」)的水接觸角為75°以上。
第1圖所示之附接著層的積層體10a較佳為用以製造將接著層13a與前述包含第2基材層21a及第2相位差層22a(第2液晶層)之積層體20a(第2圖)之第2相位差層22a貼合而成之相位差層積層體 40a(液晶層積層體)(第3圖)者。在第3圖所示之相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第2相位差層22a係在較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側處具有兩端區域。
以下基於圖面進行具體說明。第1圖所示之附接著層的積層體10a係依序包含第1基材層11a、第1相位差層12a、及接著層13a。在附接著層的積層體10a的寬度方向剖面中，如第1圖所示，第1相位差層12a之寬度方向兩端之位置係較接著層13a之寬度方向的兩端的位置更靠近外側。接著層13a之寬度方向兩端的位置並無特別限定，惟可設置於從第1相位差層12a之寬度方向之端部位置起往寬度方向內側離0.2cm以上之範圍的區域，或者設置於0.5cm以上之範圍的區域，或者設置於離1.0cm以上之範圍的區域，此外，通常係設置於離20cm以下之範圍的區域，以設置於離15cm以下之範圍的區域為佳。在附接著層的積層體10a之寬度方向的兩端，從第1相位差層12a之端部位置起至接著層13之端部位置為止的距離可彼此相同或相異。
在第1圖所示之附接著層的積層體10a中，第1基材層11a之寬度方向兩端的位置係較第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置更靠近外側，惟亦可與第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置相同。
第1相位差層12a在第1端區域中具有朝接著層13a側之表面亦即第1相位差層表面12as，該第1端區域為較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側之區域。第1相位差層表面12as可為第1相位差層12a之較接著層13a之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側之區域的整體或者其一部分。第1相位差層表面12as在第1相位差層 12a之較接著層13a之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域中占90%以上為佳，以佔有95%以上為較佳，以佔有98%以上為更佳。
第1相位差層表面12as之水接觸角為75°以上，以80°以上為佳，以85°以上為較佳，以90°以上為更佳，通常為120°以下。
如基於第6圖(a)至(d)所說明的相位差層積層體40p，第1相位差層12p與第2相位差層22p直接接觸時，有易於產生第1相位差層12p之一部分12’p轉移至第2相位差層22p，或者第2相位差層22p之一部分轉移至第1相位差層12p之現象的傾向。該現象尤其在為了提升貼合面之接著性等而對第1相位差層12p及第2相位差層22p之接著層13p側的表面進行表面活性化處理時易於產生。
在第1圖所示之附接著層的積層體10a中，在使附接著層的積層體10a與後述之積層體20a(第2圖)貼合以製造後述之相位差層積層體40a(第3圖)之際，即使在為了提升貼合面之接著性等而對附接著層的積層體10a進行表面活性化處理之情況下，第1相位差層表面12as之水接觸角亦為75°以上。因此，製造相位差層積層體40a之際，即使使附接著層的積層體10a之第1相位差層表面12as與後述之積層體20a之第2相位差層22a直接接觸，亦可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。藉此，使用附接著層的積層體10a製造後述之光學積層體之際，可抑制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
在附接著層的積層體10a中，接著層13a側之表面整體可具有與第1相位差層表面12as之水接觸角相同的水接觸角，或者第1相位差 層表面12as之水接觸角與第1相位差層表面12as以外之表面(第1基材層11a之接著層13a側的表面、第1相位差層12a之接著層13a側之除了第1相位差層表面12as以外的表面、及接著層13a之與第1相位差層12a為相反側的表面)的水接觸角相異。
在附接著層的積層體10a中，接著層13側之表面之水接觸角在各區域的水接觸角相異時，第1相位差層表面12as之水接觸角係以較接著層13a之與第1相位差層12a為相反側之表面的水接觸角大為佳，此差距係以5°以上為佳，以8°以上為佳，通常為50°以下，亦可為40°以下。此外，附接著層的積層體10a之第1端區域中之第1相位差層12a之接著層13a側的表面包含第1相位差層表面12as與第1相位差層表面12as以外的表面時，第1相位差層表面12as之水接觸角係以較第1相位差層表面12as以外之表面的水接觸角大為佳，此差距係以5°以上為佳，以8°以上為佳，通常為50°以下，亦可為40°以下。藉此，製造後述之相位差層積層體40a(第3圖)之際，可更抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。
第1相位差層表面12as之水接觸角可藉由例如形成第1相位差層12a之材料的種類、對附接著層的積層體10a之接著層側的表面進行表面活性化處理、對要設置接著層13a前之第1相位差層12a表面進行表面活性化處理而調整。作為表面活性化處理，可列舉用以使表面親水化的處理。具體而言係列舉：電暈處理、電漿處理、輝光放電等放電處理；火焰處理；臭氧處理；UV臭氧處理；紫外線處理、電子束處理等電離活性線處理等，其中，係以電暈處理、電漿處理為佳，以電暈處理為較佳。
調整附接著層的積層體10a之接著層13a側之表面之水接觸角的方法，可列舉例如選擇形成第1相位差層12a之材料的方法、調整表面活性化處理之強度及處理量等的方法等。此外，在附接著層的積層體10a之接著層13a側的表面使水接觸角相異之方法，可列舉例如調整表面活性化處理之處理量的方法。降低表面活性化處理之處理量以形成水接觸角相對大的表面的方法，可列舉例如：降低施予該表面之表面活性化處理的強度、降低施予該表面之表面活性化處理的累積強度、調整該表面與電極之間的距離等的方法；遮蔽該表面以不對該表面進行表面活性化處理、調整用以進行放電處理(表面活性化處理)的電極等的方法。
又，上述中，雖針對第1端區域包含第1相位差層12a之寬度方向的兩端區域，且該第1端區域較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側的區域之情況進行說明，惟第1端區域可為第1相位差層12a之寬度方向之一端區域，且為較接著層13a之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域。在此情況下，只要將第1相位差層12a之上述一端區域中朝接著層13a側之表面的水接觸角設為75°以上即可。藉此，使用附接著層的積層體製造後述之光學積層體之際，在一端區域中，可抑制光學積層體之端部的破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
〔第2實施型態(積層體)〕
第2圖係示意性地顯示本實施型態之積層體之一例的概略剖面圖。圖中W表示寬度方向。
本實施型態之積層體20a係包含第2基材層21a及第2相位差層22a (第2液晶層)；其中，在積層體20a之寬度方向剖面中，於第2相位差層22a之寬度方向的兩端中與第2基材層21a為相反側的表面(以下稱為「第2相位差層表面22as」)之水接觸角為75°以上。
第2圖所示之積層體20a較佳係用以製造相位差層積層體40a(液晶層積層體)(第3圖)，該相位差層積層體40a係將第2相位差層22a與第1圖所示之依序包含第1基材層11a、第1相位差層12a(第1液晶層)、及接著層13a之附接著層的積層體10a的接著層13a貼合而成者。
第3圖所示之相位差層積層體40a的寬度方向剖面中，第2相位差層22a之第2端區域係較接著層13a之兩端位置更靠近寬度方向外側。在相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第1相位差層12a具有較接著層13a之兩端位置更靠近寬度方向外側的兩端區域。
以下基於圖面進行具體說明。第2圖所示之積層體20a包含第2基材層21a及第2相位差層22a。在第2圖所示之積層體20a中，其寬度方向剖面中，第2基材層21a之寬度方向兩端的位置雖較第2相位差層22a之寬度方向兩端的位置更靠近外側，惟亦可與第2相位差層22a之寬度方向兩端的位置相同。
第2相位差層22a在寬度方向之兩端區域具有與第2基材層21為相反側表面的第2相位差層表面22as。
第2相位差層表面22as，例如可設置成從第2相位差層之寬度方向之端部位置起往寬度方向內側離0.2cm以上之範圍的區域，或者離0.5cm以上之範圍的區域，或者離1.0cm以上之範圍的區域，且通常可為離20cm 以下之範圍的區域，或者離15cm以下之範圍的區域。
積層體20a可用於製造後述之相位差層積層體40a(第3圖)，惟在此情況下，在相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第2相位差層表面22as較佳係較接著層13a之兩端位置更靠近寬度方向外側。
第2相位差層表面22as之水接觸角為75°以上，以80°以上為佳，以85°以上為較佳，以90°以上為更佳，通常為120°以下。
如基於第6圖(a)至(d)所說明的相位差層積層體40p，第1相位差層12p與第2相位差層22p直接接觸時，會有易於產生第1相位差層12p之一部分12’p轉移至第2相位差層22p，或者第2相位差層22p之一部分轉移至第1相位差層12p之現象的傾向。該現象尤其在為了提升貼合面之接著性等而對第1相位差層12p及第2相位差層22p之接著層13p側的表面進行表面活性化處理時容易產生。
在第2圖所示之積層體20a中，使積層體20a與第1圖所示之附接著層的積層體10a貼合以製造後述之相位差層積層體40a(第3圖)之際，即使在為了提升貼合面之接著性等而對積層體20a進行表面活性化處理之情況下，第2相位差層表面22as之水接觸角亦為75°以上。因此，製造相位差層積層體40a之際，即使使積層體20a之第2相位差層22a與第1圖所示之附接著層的積層體10a之第1相位差層12a直接接觸，亦可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。藉此，使用積層體20a製造後述之光學積層體之際，可抑制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
在積層體20a中，第2相位差層22a側之表面整體可具有與第2相位差層表面22as之水接觸角相同的水接觸角，或者使第2相位差層表面22as之水接觸角與第2相位差層表面22as以外之表面(第2基材層21a之第2相位差層22a側之表面、及第2相位差層22a之與第2基材層21a為相反側的表面中除第2相位差層表面22as以外之表面)的水接觸角相異。
在積層體20a中，第2相位差層22a側之表面的水接觸角於各區域相異時，在積層體20a中，第2相位差層表面22as之水接觸角係以較第2相位差層表面22as以外的表面之水接觸角大為佳，此差距係以5°以上為佳，以8°以上為較佳，通常為50°以下，亦可為40°以下。藉此，製造後述之相位差層積層體40a(第3圖)之際，可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。
第2相位差層表面22as之水接觸角可藉由例如形成第2相位差層22a之材料的種類、對積層體20a之第2相位差層22a側的表面進行表面活性化處理而調整。作為表面活性化處理，可列舉與先前實施型態所說明之處理相同的處理，有關調整水接觸角之大小的方法、使表面之水接觸角相異之方法，亦可使用與先前實施型態所說明之方法相同的方法。
又，第2端區域可為第2相位差層22a之寬度方向之一端區域。此情況下，只要將與第2相位差層22a之上述一端區域中與第2基材層21a為相反側的表面之水接觸角設為75°以上即可。藉此，使用積層體製造後述之光學積層體之際，在一端區域中，可抑制光學積層體之端部破 裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
〔第3實施型態(相位差層積層體)〕
第3圖係示意性地顯示本實施型態之相位差層積層體(液晶層積層體)之一例的概略剖面圖。圖中W表示寬度方向。
本實施型態之相位差層積層體40a係使第1圖所示之附接著層的積層體10a之接著層13a與第2圖所示之積層體20a之第2相位差層22a(第2液晶層)貼合而成者；其中，相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第2相位差層22a係在較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側處具有第2端區域者。
以下基於圖面進行具體說明，惟由於附接著層的積層體10a及積層體20a係與先前實施型態之說明相同，故於此省略該等說明。
第3圖所示之相位差層積層體40a係依序包含第1基材層11a、第1相位差層12a、接著層13a、第2相位差層22a、及第2基材層21a。相位差層積層體40a的寬度方向剖面中，如第3圖所示，第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置係較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近外側，第2相位差層22a之寬度方向兩端的位置係較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側。
接著層13a之寬度方向兩端的位置並無特別限定，惟可設置成從第1相位差層12a及第2相位差層22a之寬度方向之端部位置起往寬度方向內側離0.2cm以上之範圍的區域，亦可為離0.5cm以上之範圍的區域，或者離1.0cm以上之範圍的區域，且通常為離20cm以下之範圍的區 域，以離15cm以下之範圍的區域為佳。在相位差層積層體40a之寬度方向之兩端中，從第1相位差層12a之端部位置起至接著層13a之端部位置為止的距離可彼此相同或相異，從第2相位差層22a之端部位置起至接著層13a之端部位置為止的距離亦可彼此相同或相異。此外，從第1相位差層12a之寬度方向之端部位置起至接著層13a之寬度方向兩端的位置為止的距離，與從第2相位差層22a之寬度方向之端部位置起至接著層13a之寬度方向兩端的位置為止的距離可彼此相同或相異。
在第3圖所示之相位差層積層體40a中，較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側的第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as可依先前實施型態所說明般將水接觸角設為75°以上。因此，在第3圖所示之相位差層積層體40a中，即使使接著層的積層體10a之第1相位差層12a與後述之積層體20a之第2相位差層22a直接接觸時，亦可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。藉此，使用附接著層的積層體10a製造後述之光學積層體之際，可抑制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
第1相位差層表面12as之水接觸角及第2相位差層表面22as之水接觸角只要皆為75°以上即可，可彼此相同或相異。
在本實施型態之積層體中，第1端區域可為第1相位差層12a之寬度方向之一端區域，且可為較接著層13a之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域，在第2相位差層22a之寬度方向之兩端區域之中，第2端區域可為在相位差層積層體40a之寬度方向中與第1相位差 層12a之上述一端區域相同側的區域。藉此，使用相位差層積層體製造光學積層體之際，在一端區域中，由於可抑制光學積層體之端部破裂，故可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
〔第3-1實施型態(相位差層積層體(2)〕
本實施型態之相位差層積層體(以下將本相位差積層體稱為「相位差層積層體(2)」)係將下述附接著層的積層體與第2實施型態之積層體貼合而成者，該附接著層的積層體係依序包含基材層、液晶層及接著層，且在寬度方向剖面中，於前述液晶層之寬度方向之至少一端部側處具有較接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域；其中，在相位差層積層體之寬度方向剖面中，第2相位差層22a係在較接著層之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側處具有第2端區域。
作為相位差層積層體(2)之具體例，除了第1相位差層表面12as之水接觸角未達75°以外，可列舉將具有與第1圖所示之附接著層的積層體20a相同結構的積層體與第2圖所示之積層體20a貼合的相位差層積層體。
在第2圖所示之積層體20a中，使積層體20a與第1圖所示之附接著層的積層體10a貼合以製造相位差層積層體之際，即使在為了提升貼合面之接著性等而對積層體20a進行表面活性化處理之情況下，第2相位差層表面22as之水接觸角亦為75°以上。因此，製造相位差層積層體之際，即使積層體20a之第2相位差層22a與附接著層的積層體之相位差層直接接觸時，亦可抑制附接著層的積層體之相位差層之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至附接著層的積層體之相位差層12a之情形。藉此，使用積層體20a製造後述之光學積層體之際，可抑 制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
〔第3-2實施型態(相位差層積層體(3)〕
本實施型態之相位差層積層體(以下將本相位差積層體稱為「相位差層積層體(3)」)係將第1實施型態之附接著層的積層體與依序包含基材層及相位差層之積層體而成者；其中，在相位差層積層體之寬度方向剖面中，第1相位差層12a係在較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側處具有第1端區域。
作為相位差層積層體(3)之具體例，除了第2相位差層表面22as之水接觸角未達75°以外，可列舉將具有與第2圖所示之積層體20a相同結構的積層體與第1圖所示之附接著層的積層體10a貼合而成的相位差層積層體。
在第1圖所示之附接著層的積層體10a中，使附接著層的積層體10a與上述積層體貼合以製造後述之相位差層積層體之際，即使在為了提升貼合面之接著性等而對附接著層的積層體10a進行表面活性化處理之情況下，第1相位差層表面12as之水接觸角亦為75°以上。因此，製造相位差層積層體之際，即使附接著層的積層體10a之第1相位差層表面12as與上述積層體之相位差層直接接觸時，亦可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至上述積層體之相位差層、或上述積層體之相位差層之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。藉此，使用附接著層的積層體10a製造光學積層體之際，由於可抑制光學積層體之端部破裂，故可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
〔第4實施型態(相位差膜的製造方法)〕
(相位差膜的製造方法)
第4圖係示意性地顯示本實施型態之相位差膜(液晶膜)之製造步驟之一例的概略剖面圖。圖中W表示寬度方向。
本實施型態之相位差膜的製造方法具有下述步驟(第1至3圖)：準備依序包含第1基材層、第1相位差層(第1液晶層)、及接著層的附接著層的積層體之步驟；準備包含第2基材層及第2相位差層(第2液晶層)的積層體之步驟；對附接著層的積層體之接著層側的表面及積層體之第2相位差層側的表面進行表面活性化處理之步驟；及使經表面活性化處理之步驟後之附接著層的積層體10a的接著層13a與經表面活性化處理之步驟後之積層體20a之第2相位差層22a貼合而獲得相位差層積層體40a(液晶層積層體、液晶膜)之步驟；其中，在相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第1相位差層12a及第2相位差層22a係在較接著層13a之兩端位置更靠近寬度方向外側的區域具有兩端區域；在表面活性化處理之步驟中，係進行下述表面活性化處理：〔a1〕以使第1相位差層12a之兩端區域中朝接著層13a側之表面之水接觸角成為75°以上的方式進行表面活性化處理，且〔b1〕以使第2相位差層22a之兩端區域中朝接著層13a側之表面之水接觸角成為75°以上的方式進行表面活性化處理。
以下將相位差層積層體40a之寬度方向剖面中寬度方向中的端區域稱為第3端區域。
在上述表面活性化處理之步驟中，係以進行下述表面活性化處理為佳：〔a2〕以使對第1相位差層12a之兩端區域中朝接著層13a側之表面進行表面活性化處理之處理量較對第1相位差層12a之兩端區域之表面以外的其他表面進行表面活性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理；且〔b2〕以使對第2相位差層22a之兩端區域的表面進行表面活性化處理之處理量較對第2相位差層22a之兩端區域之表面以外的其他表面進行表面活性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理。
相位差膜的製造方法可更包含：將相位差層積層體40a中之第1基材層11a及第2基材層21a中之一者剝離的步驟。例如剝離第2基材層21a，則可獲得第4圖所示之相位差膜50a。
以下基於圖面進行具體說明。在相位差膜50a之製造方法中，首先係準備：依序包含第1基材層、第1相位差層、及接著層的附接著層的積層體，及包含第2基材層及第2相位差層的積層體。附接著層的積層體及積層體為長條的膜狀物，且在連續地運送附接著層的積層體及積層體的同時進行後述之步驟。寬度方向W係與膜狀物之長度方向正交的方向。
上述準備之附接著層的積層體可為第1圖所示之附接著層的積層體10a，惟除了第1相位差層表面12as之水接觸角少未達75°以外，較佳係具有與第1圖所示之附接著層的積層體10a相同的結構的附接著層的積層體。此外，上述準備之積層體可為第2圖所示之積層體20a，惟除了第2相位差層表面22as之水接觸角未達75°以外，較佳係具有與第2圖 所示之積層體20a相同結構的積層體。由於附接著層的積層體10a及積層體20a係與先前實施型態之說明相同，故於此省略該等說明。
其次，為了提升貼合面之接著性等，對所準備的附接著層的積層體之接著層側的表面、及積層體之第2相位差層側的表面進行表面活性化處理。其後，使附接著層的積層體10a之接著層13a與積層體20a之第2相位差層22a貼合以獲得第3圖所示之相位差層積層體40a(相位差膜)。
在相位差層積層體40a之寬度方向剖面中，第1相位差層12a及第2相位差層22a係具有較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側的兩端區域。
在表面活性化處理之步驟中，係以使相位差層積層體40a中之第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as之水接觸角成為75°以上的方式，對附接著層的積層體10a及積層體20a進行表面活性化處理。
在相位差層積層體40a中，上述第1相位差層表面12as為第1相位差層12a之兩端區域中朝接著層13a側的表面，第2相位差層表面22as為第2相位差層22a之兩端區域中朝接著層13a側的表面。
第1相位差層表面12as之水接觸角及第2相位差層表面22as之水接觸角係以80°以上為佳，以85°以上為較佳，以90°以上為更佳，且通常為120°以下。第1相位差層表面12as之水接觸角及第2相位差層表面22as之水接觸角只要為75°以上即可，可彼此相同或相異。
作為表面活性化處理，可列舉用以使表面親水化的處理。具體而言係列舉：電暈處理、電漿處理、輝光放電等放電處理；火焰處理；臭氧處理；UV臭氧處理；紫外線處理、電子束處理等電離活性線處理等， 其中，以電暈處理、電漿處理為佳，以電暈處理為較佳。
為使第1相位差層表面12as之水接觸角及第2相位差層表面22as之水接觸角成為75°以上，亦可對附接著層的積層體10a之接著層13a側的表面整體及積層體20a之第2相位差層22a側的表面整體進行表面活性化處理，惟亦可使第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as與此等以外的表面的表面活性化處理的處理量相異。使表面活性化處理的處理量相異時，較佳係以使對第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as之表面活性化處理的處理量較對此等以外的表面之表面活性化處理的處理量更小的方式進行表面活性化處理。降低對第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as之表面活性化處理的處理量以使水接觸角相對較大之方法，可列舉例如：使對第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as之表面活性化處理的強度或累積強度較其他表面變小的方法；為了不對第1相位差層表面12as及第2相位差層表面22as進行表面活性化處理而遮蔽此等表面，或不在此等表面上配置放電處理(表面活性化處理)用的電極等方法等。
在本實施型態之相位差膜的製造方法中，可從上述獲得的相位差層積層體40a(第3圖)剝離第2基材層21a而獲得第4圖所示之相位差膜50a。從第3圖所示之相位差層積層體40a剝離第2基材層21a時，如第4圖所示，第2相位差層22a之一部分會轉移至經剝離的第2基材層21a。這是因為在第3圖所示之相位差層積層體的寬度方向剖面中，第2相位差層22a之寬度方向兩端的位置係較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側，第2相位差層22a具有未固定於接著層13a的非固 定區域(第3圖中，右上角斜線所示之部分)。因此，從相位差層積層體40a剝離第2基材層21a時，第3圖所示之第2相位差層22a係分離成未固定於接著層13a之區域(第4圖所示之第2相位差層22a1)、及轉移至第2基材層21a之非固定區域(第3圖及第4圖中，右上角斜線所示之部分)，如第4圖所示，在寬度方向剖面中，可獲得使第2相位差層22a1之寬度方向兩端的位置與接著層13a之寬度方向兩端的位置相同的相位差膜50a。
在本實施型態之相位差膜的製造方法中，當獲得相位差層積層體40a時，為了提升附接著層的積層體及積層體之貼合面的接著性等，會進行表面活性化處理。進行該表面活性化處理後之第1相位差層表面12as之水接觸角及第2相位差層表面22as之水接觸角如上所述為75°以上。因此，在第3圖所示之相位差層積層體40a中，即使附接著層的積層體10a之第1相位差層12a與積層體20a之第2相位差層22a直接接觸時，亦可抑制第1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。藉此，製造後述之光學積層體之際，可抑制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
本實施型態之光學積層體的製造方法可如以下所示之變形例而變更。此外，可任意地組合上述之實施型態及下述所示之變形例。
(第4實施型態之變形例1)
上述第3端區域可為相位差層積層體40a之寬度方向之一端區域。藉此，製造後述之光學積層體之際，在一端區域中，可抑制光學積層體之端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
(第4實施型態之變形例2)
上述表面活性化處理之步驟，例如可對附接著層的積層體10a之接著層13a側的表面及積層體20a之第2相位差層22a側表面中之一表面進行表面活性化處理。此情況下，只要以使經施予表面活性化處理之表面中存在於相位差層積層體40a之第3端區域的兩端區域(第1相位差層表面12as或第2相位差層表面22as)之水接觸角成為75°以上的方式進行表面活性化處理即可。
(第4實施型態之變形例3)
在本實施型態中，可代替第2基材層21a剝離第1基材層11a。
〔第5實施型態(光學積層體之製造方法)〕
第5圖(a)至(c)係示意性地顯示本實施型態之光學積層體之製造步驟之一例的概略剖面圖。圖中W表示寬度方向。
本實施型態之光學積層體的製造方法具有下述步驟：準備相位差膜50a(液晶膜)之步驟(第5圖(a))；準備光學膜60a之步驟(第5圖(a))；積層光學膜60a經由光學膜用接著層62a積層在因剝離第2基材層21a(第1剝離層)而露出之層的步驟(第5圖(b))。
本實施型態之光學積層體的製造方法可更具有剝離第1基材層11a(第2剝離層)之步驟(第5圖(c))，或在因剝離第1基材層11a而露出之層上積層光學積層體用接著層之步驟。
以下基於圖面進行具體說明。在光學積層體之製造方法中，首先，如第5圖(a)所示，準備相位差膜50a及光學膜60a。相位差膜50a 及光學膜60a為長條的膜狀物，在連續地運送相位差膜50a及光學膜60a的同時進行後述之步驟。寬度方向W係與膜狀物之長度方向正交的方向。由於第5圖(a)所示之相位差膜50a係第4圖所示之相位差膜50a，故於此省略該說明。
其次，如第5圖(b)所示，藉由使光學膜60a經由光學膜用接著層62a積層在相位差膜50a之第2相位差層22a1(第2液晶層)，而可獲得附基材的光學積層體71a(光學積層體)。此時，可預先將光學膜用接著層62a可設置於光學膜60a上，而貼合光學膜用接著層62a與相位差膜50a之第2相位差層22a1，亦可預先設置光學膜用接著層62a在相位差膜50a之第2相位差層22a1上，而貼合該光學膜用接著層62a與光學膜60a。
光學積層體71a之寬度方向剖面中，光學膜60a之寬度方向兩端的位置，可與第2相位差層22a1、接著層13a、第1相位差層12a(第1液晶層)及第1基材層11a中之任一者的寬度方向兩端之位置相同，亦可與此等之任一者相異。如第5圖(b)所示，光學膜60a之寬度方向兩端的位置較佳係較第2相位差層22a1及接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側。此外，光學膜60a之寬度方向兩端的位置較佳係與第1相位差層12a及第1基材層11a之寬度方向兩端的位置相同，或者較此等位置更靠近寬度方向內側。
光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置可與光學膜60a之寬度方向兩端的位置相同，或者較此等位置更靠近寬度方向內側，且較佳係光學薄膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置與相位差膜50a之寬度方向剖面中寬度方向最外側之層的位置相同，或者較此等位置更靠近寬度 方向內側。藉此，運送附基材的光學積層體71a之際，可防止光學膜用接著層62a往寬度方向外側擠出並附著於運送路徑上而污染運送路徑之情形。由於光學膜用接著層62a之寬度方向兩端與第1基材層11a接著時，難以剝離第1基材層11a，因此光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置較佳係與第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置相同，或者較此等位置更靠近寬度方向內側。
附基材的光學積層體71a的寬度方向剖面中，如第5圖(b)所示，光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置係以較接著層13a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側，且較第2相位差層22a1之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側，並且較第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向內側者為佳。藉此，在附基材的光學積層體71a之寬度方向兩端中，可貼合光學膜用接著層62a與第1相位差層12a，並經由光學膜用接著層62a將光學膜60與第1相位差層12a1積層。
藉由從上述所獲得的附基材的光學積層體71a剝離第1基材層11a(第2剝離層)，則可獲得光學積層體70a(第5圖(c))。在附基材的光學積層體71a中，如第5圖(b)所示，光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置係較第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向內側。因此，光學膜用接著層62a未貼合在第1基材層11a，故可容易地剝離第1基材層11a。如第5圖(c)所示，如此而得的光學積層體70a係依序積層有第1相位差層12a1、接著層13a、第2相位差層22a1、光學膜用接著層62a、及光學膜60a。
從第5圖(b)所示之附基材的光學積層體71a剝離第1基 材層11a時，如第5圖(c)所示，第1相位差層12a之一部分會易於轉移至經剝離的第1基材層11a。這是因為在第5圖(b)所示之附基材的光學積層體71a的寬度方向剖面中，第1相位差層12a之寬度方向兩端的位置係較光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置更靠近外側，且第1相位差層12a具有未固定於光學膜用接著層62a的非固定區域(第5圖(b)中，右上角斜線所示之部分)。又，在第5圖(b)所示之附基材的光學積層體71a中，第1相位差層12a之寬度方向兩端與光學膜用接著層62a之寬度方向兩端雖然顯示分離的狀態，惟由於形成附基材的光學積層體71a之各層非常薄，因此實際而言，第1相位差層12a之寬度方向兩端與光學膜用接著層62a之寬度方向兩端係處於接著的狀態。
因此，從附基材的光學積層體71a剝離第1基材層11a(第2剝離層)時，第5圖(b)所示之第1相位差層12a係分離成固定於光學膜用接著層62a之區域(第5圖(c)所示之第1相位差層12a1)及轉移至第1基材層11a之非固定區域(第5圖(b)及(c)中，右上角斜線所示之部分)，如第5圖(c)所示，在寬度方向剖面中，可獲得使第1相位差層12a1之寬度方向兩端的位置與光學膜用接著層62a之寬度方向兩端的位置相同的光學積層體70a。
光學積層體70a之製造方法可具有：在藉由剝離第1基材層11a而露出之第1相位差層12a1上形成圖未顯示之光學積層體用接著層的步驟。在貼合有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置等顯示面板之際，可使用光學積層體用接著層。
如先前實施型態所說明般，藉由相位差層積層體40a抑制第 1相位差層12a之一部分轉移至第2相位差層22a、或第2相位差層22a之一部分轉移至第1相位差層12a之情形。因此，使用從該相位差層積層體40a剝離第1剝離層而得的相位差膜50a來製造光學積層體時，可抑制端部破裂，且可抑制製造中之製品及運送路徑受到污染。
上述中，可將第1剝離層變更為第2基材層21a，且將第2剝離層變更為第1基材層11a。此情況下，可在剝離第1基材層而露出之第1相位差層上經由光學膜用接著層積層光學膜，並在剝離第2基材層而露出之第2相位差層上形成光學積層體用接著層。或者，亦可在剝離第1基材層11a而露出之第1相位差層上預先積層光學積層體用接著層，其後在剝離第2基材層21a而露出之第2相位差層上經由光學膜用接著層積層光學膜。
以上係針對本發明之實施型態及其變形例進行說明，惟本發明並非限定於此等實施型態及其變形例，例如亦可組合上述各實施型態及其變形例的各結構及各步驟而實施。以下將詳細說明所有實施型態及其變形例中之共通的各事項。
(第1基材層及第2基材層)
第1基材層及第2基材層係具有將形成於此等基材層上的後述之第1配向層及第2配向層、及第1液晶層及第2液晶層支撐之支持層的機能。第1基材層及第2基材層較佳係由樹脂材料所形成的膜。
作為樹脂材料，係使用例如透明性、機械強度、熱穩定性、拉伸性等優異的樹脂材料。具體而言，可列舉：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴系樹脂；降莰烯系聚合物等環狀聚烯烴系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚 萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂；(甲基)丙烯酸、聚(甲基)丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸系樹脂；三乙醯纖維素、二乙醯纖維素及乙酸丙酸纖維素等纖維素酯系樹脂；聚乙烯醇及聚乙酸乙烯酯等乙烯醇系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；聚芳酯系樹脂；聚碤系樹脂；聚醚碸系樹脂；聚醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚醚酮系樹脂；聚伸苯硫醚系樹脂；聚伸苯醚系樹脂、及此等混合物、共聚物等。此等樹脂中，較佳係使用環狀聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、纖維素酯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂之任一者或此等的混合物。又，上述「(甲基)丙烯酸」係意指「丙烯酸及甲基丙烯酸之至少1種」。
第1基材層及第2基材層可為混合1種類或2種以上之樹脂的單層，或者具有2層以上的多層結構。具有多層結構時，形成各層之樹脂可彼此相同或相異。
在形成由樹脂材料所形成之膜的樹脂材料中，可添加任意的添加劑。作為添加劑，可列舉例如紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、塑化劑、離型劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、及著色劑等。
第1基材層及第2基材層之厚度並無特別限定，惟一般就強度及處理性等作業性之觀點而言，係以1至500μm為佳，以1至300μm為較佳，以5至200μm為更佳。
在附接著層的積層體具有後述之第1配向層之情況、或積層體具有後述之第2配向層之情況下，為了提升第1基材層與第1配向層之密著性、及第2基材層與第2配向層之密著性，可對至少第1基材層之形成第1配向層側的表面、及至少第2基材層之形成第2配向層側的表面進 行電暈處理、電漿處理、火焰處理等，或者形成底漆層等。此外，可藉由調整用於形成第1配向層及第2配向層之形成配向層用之組成物的成分、用於形成第1液晶層及第2液晶層之液晶層形成用之組成物的成分，而調整上述之密著性。
(第1配向層及第2配向層)
附接著層的積層體可在第1基材層與第1液晶層之間含有第1配向層。此外，積層體可在第2基材層與第2液晶層之間含有第2配向層。
第1配向層及第2配向層係具有使形成於此等配向層上的第1液晶層及第2液晶層中含有的液晶化合物往期望的方向進行液晶配向之配向限制力。作為第1配向層及第2配向層，可列舉由配向性聚合物所形成的配向性聚合物層、由光配向聚合物所形成的光配向性聚合物層、在層表面具有凹凸圖案或複數條溝(groove)的溝配向層；第1配向層與第2配向層可為相同種類之層或者相異種類之層。第1配向層及第2配向層之厚通常為10至500nm，以10至200nm為佳。
配向性聚合物層可藉由將使配向性聚合物溶解於溶劑而成之組成物塗佈於基材層(第1基材層或第2基材層)，且將溶劑除法，並因應需求進行摩擦處理而形成。此情況下，在由配向性聚合物所形成的配向性聚合物層中，配向限制力可藉由配向性聚合物之表面狀態及摩擦條件任意地調整。
光配向性聚合物層可藉由將包含具有光反應性基之聚合物或包含單體與溶劑之組成物塗佈在基材層(第1基材層或第2基材層)，並照射偏光而形成。此情況下，在光配向性聚合物層中，配向限制力可藉 由對光配向性聚合物之偏光照射條件等任意地調整。
溝配向層例如可藉由下述方法而形成：經由具有圖案形狀狹縫的曝光用遮罩對感光性聚醯亞胺膜表面進行曝光、顯影等，而形成凹凸圖案之方法；在於表面具有溝之板狀的原版形成活動能量射線硬化性樹脂之未硬化層，且將該層轉印至基材層(第1基材層或第2基材層)並使其硬化之方法；及在基材層(第1基材層或第2基材層)形成活動能量射線硬化性樹脂之未硬化層，且藉由將具有凹凸之捲筒狀原版推靠於該層等而形成凹凸並使其硬化之方法等。
在上述所說明之第1剝離層及第2剝離層中，可含有第1配向層及第2配向層。亦即，第1剝離層包含第2基材層時，第1剝離層可含有第2配向層。同樣地，在第2剝離層包含第1基材層時，第2剝離層可含有第1配向層。在第1剝離層包含第1基材層時，第2剝離層包含第2基材層時亦同。此外，第1剝離層未包含第1配向層或第2配向層時，在第1剝離層剝離後，第1配向層或第2配向層可分別殘留在第1液晶層上或第2液晶層上。同樣地，第2剝離層未包含第1配向層或第2配向層時，在第2剝離層剝離後，第1配向層或第2配向層可分別殘留在第1液晶層上或第2液晶層上。又，第1剝離層及第2剝離層中含有的層可藉由調整各層間的密著力關係而設定，例如可藉由對第1基材層及第2基材層進行之上述電暈處理、電漿處理、火焰處理時、底漆層、配向層形成用之組成物的成分、液晶層形成用的組成物等而調整。
第1配向層殘留在第1液晶層上時，光學積層體用接著層可設置於第1配向層上。此外，第2配向層殘留在第2液晶層上時，光學膜 用接著層可設置於第2配向層上。
(第1液晶層及第2液晶層)
第1液晶層及第2液晶層可使用習知的液晶化合物形成。液晶化合物之種類並無特別限定，可使用棒狀液晶化合物、圓盤狀液晶化合物、及此等化合物的混合物。此外，液晶化合物可為高分子液晶化合物、聚合性液晶化合物，或者此等的混合物。例如使用聚合性液晶化合物時，可將包含聚合性液晶化合物的組成物塗佈在配向層(第1配向層或第2配向層)上而形成塗膜，並藉由硬化該塗膜以形成作為液晶硬化層之第1液晶層及第2液晶層。或者，亦可在基材層(第1基材層或第2基材層)上塗佈液晶化合物形成塗膜，並藉由將該塗膜與基材層拉伸以形成液晶層(第1液晶層或第2液晶層)。
第1液晶層及第2液晶層例如可分別為第1相位差層及第2相位差層。第1相位差層及第2相位差層只要係對光賦予概定之相位差者即可，並無特別限定，可列舉例如發揮作為1/2波長板、1/4波長板、正型C板、逆波長分散性之1/4波長板等之機能者。
在本實施型態之光學積層體中，光學膜為偏光膜時，本實施型態之光學積層體可用作為複合偏光板。在複合偏光板構成圓偏光板之情況下，較佳係以使複合偏光板之層結構成為依序積層有偏光層(直線偏光層)、1/2波長板、1/4波長板的結構、或依序積層有偏光層(直線偏光層)、逆波長分散性之1/4波長板、正型C板的結構的方式來選擇形成第1液晶層及第2液晶層(第1相位差層及第2相位差層)之液晶層的種類。
(液晶膜)
液晶膜係包含第1液晶層及第2液晶層者，例如第1液晶層及第2液晶層分別為第1相位差層及第2相位差層時可成為相位差膜。
(光學膜)
作為光學膜，可列舉偏光膜、反射膜、半穿透型反射膜、亮度增強膜、光學補償膜、附防眩機能的膜等。此外，亦可為具有與上述相位差膜(液晶膜)相同結構者。光學膜可為1層結構或者2層以上之多層結構的積層光學膜。
(接著層)
接著層可藉由接著劑、黏著劑(pressure sensitive adhesive)及此等的組合而形成，通常為1層，惟亦可為2層以上。接著層係由2層以上之層所構成時，各層彼此可由相同的材料形成，亦可由相異的材料形成。
作為接著劑，例如可組合水系接著劑、活動能量射線硬化型接著劑、黏著劑等中的1或2種以上而形成。作為水系接著劑，可列舉例如聚乙烯醇系樹脂水溶液、水性二液型胺甲酸酯系乳液接著劑等。活動能量射線硬化型接著劑係會藉由照射紫外線等活動能量射線而硬化的接著劑，可列舉例如包含聚合性化合物及光聚合性起始劑者、包含光反應性樹脂者、包含黏合樹脂及光反應性架橋劑者等。作為上述聚合性化合物，可列舉光硬化性環氧系單體、光硬化性丙烯酸系單體、光硬化性胺甲酸酯系單體等光聚合性單體、或源自此等單體的寡聚物等。作為上述光聚合起始劑，可列舉包含照射紫外線等活動能量射線而產生所謂中性自由基、陰離子自由基、陽離子自由基之活性種的物質者。
作為黏著劑，可列舉將(甲基)丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹 脂、聚矽氧系樹脂等作為基質聚合物，並添加異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮雜環丙烷化合物等架橋劑而成的組成物。
接著層較佳係使用活動能量射線硬化型接著劑而形成，特佳係使用包含紫外線硬化性之環氧系單體及光陽離子聚合起始劑的接著劑而形成。
(光學膜用接著層)
光學膜用接著層可藉由接著劑、黏著劑及此等的組合而形成。光學膜用接著層通常為1層，惟可由2層以上之層形成。光學膜用接著層係由2層以上之層所構成時，各層彼此可由相同的材料形成，亦可由相異之材料形成。
作為形成光學膜用接著層之接著劑及黏著劑，可列舉與用於上述接著層之接著劑及黏著劑之例相同者。作為光學膜用接著層較佳係使用黏著劑。
(光學積層體用接著層)
光學積層體用接著層可藉由接著劑、黏著劑及此等的組合而形成。光學積層體用接著層通常為1層，惟可由2層以上之層形成。光學積層體用接著層係由2層以上之層所構成時，各層彼此可由相同的材料形成，亦可由相異的材料形成。
作為形成光學積層體用接著層之接著劑及黏著劑，可列舉與用於上述接著層之接著劑及黏著劑之例相同者。作為光學膜用接著層較佳係使用黏著劑。
(實施例)
以下將藉由示出的實施例及比較例更具體地說明本發明，惟本發明並非限定於此等例者。
〔水接觸角的測定〕
將實施例及比較例中使用的附接著層的積層體中含有的第1基材層與第1相位差層(第1液晶層)積層而獲得測定用積層體(寬度方向之長度：約1350mm)。以各實施例及比較例的條件，對該測定用積層體之第1相位差層側的表面以橫跨測定用積層體之全寬的方式進行電暈處理。以使電暈處理後之測定用積層體的第1相位差層朝上的方式水平地設置於接觸角計(協和界面科學股份有限公司製、影像處理式接觸角計「FACE CA-X型」)，並對測定位置滴入1μL的純水，以θ/2法測定對水接觸角。測定位置係設定在從測定用積層體之寬度方向之一端部側起分別離約200mm的位置(位置A)、約670mm的位置(位置B)、約1140mm的位置(位置C)。
在各條件下對3個測定用積層體進行電暈處理，並且在電暈處理後個別針對3個測定用積層體在3個測定位置進行水接觸角的測定，將分別從位置A至C獲得的值平均，以作為位置A至C各別的水接觸角。結果，在實施例之條件下進行電暈處理時，位置A至C中的水接觸角在90.4°至91.0°之範圍，在比較例之條件下進行電暈處理時，位置A至C中的水接觸角在72.1°至74.4°之範圍。
〔實施例1〕
準備具有第1圖所示之結構的附接著層的積層體與具有第2圖所示之結構的積層體。於此，附接著層的積層體係依日本特開2015-187717號公 報之實施例1所載之順序所製作之在相位差板(F2)之第2光學異向性層(第1液晶層)上設置接著層者，且在第2光學異向性層形成有未積層接著層的區域。此外，積層體係使用依上述公報之實施例3所載之順序所製作的相位差板(F4)。其次，將電暈輸出600W、電暈電極與第1相位差層及第2相位差層之間的距離設定為1.5mm，以線速度15m/min對附接著層的積層體之接著層側的表面整體、及積層體之第2相位差層(第1光學異向性層)側的表面整體進行電暈處理。從上述〔水接觸角的測定〕之測定結果確認到，在附接著層的積層體之寬度方向剖面中，第1相位差層之較接著層之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側的區域中朝接著層側之表面的水接觸角係在90.4°至91.0°之範圍。
其後，使附接著層的積層體之接著層與積層體之第2相位差層貼合，獲得具有第3圖所示之結構的相位差層積層體，並從獲得的相位差層積層體剝離第2基材層，而獲得具有第4圖所示之結構的相位差膜。針對獲得的相位差膜，以目視觀察較接著層之寬度方向的端部更靠近寬度方向外側的第1相位差層的表面，確認第1相位差層有無缺損，結果第1相位差層幾乎未產生缺損。
〔比較例1〕
除了將電暈處理條件設為電暈輸出1100W、電暈電極與相位差層之間的距離設定為1mm來進行電暈處理以外，係與實施例1同樣地獲得相位差膜。從上述〔水接觸角的測定〕之測定結果確認到，在附接著層的積層體之寬度方向剖面中，第1相位差層之較接著層之寬度方向兩端的位置更靠近寬度方向外側的區域中朝接著層側之表面的水接觸角係在72.1°至 74.4°之範圍。針對獲得的相位差膜，與實施例1同樣地確認第1相位差層有無缺損，結果發現第1相位差層產生缺損。
10a‧‧‧附接著層的積層體
11a‧‧‧第1基材層
12a‧‧‧第1相位差層(第1液晶層)
12as‧‧‧第1相位差層表面
13a‧‧‧接著層
W‧‧‧寬度方向

Claims (23)

  1. 一種附接著層的積層體，係依序包含第1基材層、第1液晶層及接著層；其中，前述附接著層的積層體之寬度方向剖面中，於前述第1液晶層之寬度方向的至少一端部側具有第1端區域，該第1端區域為較前述接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域，前述第1端區域中朝前述接著層側之表面的水接觸角為75°以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之附接著層的積層體，其中，第1液晶層之水接觸角係較接著層之與第1液晶層為相反側之表面的水接觸角大5°以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之附接著層的積層體，其中，前述第1液晶層為相位差層。
  4. 如申請專利範圍第1或2項第1至3項中任一項所述之附接著層的積層體，更在前述第1基材層與前述第1液晶層之間包含第1配向層。
  5. 一種積層體，係包含第2基材層及第2液晶層；其中，前述積層體之寬度方向剖面中，於前述第2液晶層之寬度方向的至少一端部側具有第2端區域；前述第2端區域中與前述第2基材層為相反側之表面的水接觸角為75°以上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之積層體，其中，在前述第2液晶層之與前述第2基材層為相反側的表面，前述第2端區域之水接觸角係 較前述第2端區域以外之表面的水接觸角大5°以上。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之積層體，其中，前述第2液晶層為相位差層。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項所述之積層體，更在前述第2基材層與前述第2液晶層之間包含第2配向層。
  9. 一種液晶層積層體，係使如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之附接著層的積層體之前述接著層與如申請專利範圍第5至8項中任一項所述之積層體的前述第2液晶層貼合而成者；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第2端區域係較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側。
  10. 一種液晶層積層體，係使附接著層的積層體與如申請專利範圍第5至8項中任一項所述之積層體的前述第2液晶層貼合而成者，該附接著層的積層體係依序包含基材層、液晶層及接著層的附接著層的積層體，且在寬度方向剖面中，於前述液晶層之寬度方向之至少一端部側具有較接著層之寬度方向之端部位置更靠近寬度方向外側的區域；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第2端區域係較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側。
  11. 一種液晶層積層體，係使如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之附接著層的積層體之前述接著層與依序包含基材層及液晶層之積層體貼合而成者；其中，前述液晶層積層體之寬度方向剖面中，前述第1端區域係較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側。
  12. 一種液晶膜之製造方法，係具有下述步驟：準備依序包含第1基材層、第1液晶層、及接著層的附接著層的積層體之步驟；準備包含第2基材層及第2液晶層之積層體之步驟；對前述附接著層的積層體之前述接著層側之表面及前述積層體之前述第2液晶層側之表面之至少一者進行表面活性化處理以使水接觸角成為75°以上之步驟；以及，將前述附接著層的積層體之前述接著層與前述積層體之前述第2液晶層貼合而獲得液晶層積層體之步驟；其中，在前述液晶層積層體之寬度方向剖面中包含寬度方向之至少一端部之第3端區域中，前述第1液晶層及前述第2液晶層係於較前述接著層之端部位置更靠近寬度方向外側的區域具有端區域。
  13. 如申請專利範圍第12所述之液晶膜的製造方法，其中，在前述表面活性化處理之步驟中，係進行下述表面活性化處理：〔a2〕對前述附接著層的積層體之前述接著層側的表面進行表面活性化處理時，以使對前述第1液晶層之前述端區域中朝前述接著層側之表面進行活性化處理之處理量較對前述第1液晶層之前述端區域之表面以外的其他表面進行的表面活性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理；〔b2〕對前述積層體之前述第2液晶層側的表面進行表面活性化處理時，以使對前述第2液晶層之前述端區域之表面進行表面活性化處理之處理量較對前述第2液晶層之前述端區域之表面以外的其他表面進行表面活 性化處理之處理量更小的方式進行表面活性化處理。
  14. 如申請專利範圍第12或13項所述之液晶膜的製造方法，係對在前述附接著層的積層體之前述接著層側的表面及前述積層體之前述第2液晶層側的表面進行表面活性化處理。
  15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述表面活性化處理為電暈處理。
  16. 如申請專利範圍第12至15項中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述第1液晶層為相位差層。
  17. 如申請專利範圍第12至16項中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述第2液晶層為相位差層。
  18. 如申請專利範圍第12至17項中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述附接著層的積層體更在前述第1基材層與前述第1液晶層之間包含第1配向層。
  19. 如申請專利範圍第12至18項中任一項所述之液晶膜的製造方法，其中，前述積層體更在前述第2基材層與前述第2液晶層之間包含第2配向層。
  20. 如申請專利範圍第12至19項中任一項所述之液晶膜的製造方法，更包含：將前述液晶層積層體中之前述第1基材層及前述第2基材層中之一者剝離的步驟。
  21. 一種光學積層體的製造方法，係具有下述步驟：從如申請專利範圍第9項所述之液晶層積層體剝離第1基材層及第2基材層中之一者的步驟； 準備光學膜之步驟；及將前述光學膜經由光學膜用接著層而積層於藉由上述剝離而露出之層的步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之光學積層體的製造方法，更具有：將前述第1基材層及前述第2基材層中未與光學膜用接著層積層之層剝離的步驟。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之光學積層體的製造方法，其中，在將前述第1基材層及前述第2基材層中未與光學膜用接著層積層之層剝離而露出之層上，更積層光學積層體用接著層。
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