TW202000420A - 脫模膜及脫模膜的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種於樹脂成形時能夠將電磁屏蔽層轉印至樹脂成形品的表面的脫模膜。脫模膜10為用於樹脂成形的脫模膜，具有：基材20，具有與模具的脫模性，並構成第1表面15；以及電磁屏蔽層21，直接或間接地形成於所述基材上，並被轉印至樹脂成形品。

Description

脫模膜及脫模膜的製造方法

本發明是有關於一種用於樹脂成形時的脫模膜。

於製造半導體封裝等樹脂成形品時，有時使用脫模膜，以不使成形模具或成形輥與被成形材料熔接。例如為了保護半導體元件遠離外部空氣或外力，利用環氧樹脂等熱硬化性樹脂進行密封而成形為半導體封裝。此時，於將脫模膜配置於模具的表面（模腔面）的狀態下，將熔融樹脂射出至設置有工作件的模腔內，或將液狀或顆粒狀的樹脂放入模腔並熔融後浸入工作件而進行壓接，從而將樹脂成形。

作為脫模膜，大多使用表面張力小且脫模性高的氟樹脂或間規聚苯乙烯（syndiotactic polystyrene，SPS）系樹脂的膜。於專利文獻1～專利文獻9中記載有包含經雙軸配向的SPS系樹脂的脫模膜。另外，於專利文獻8中記載有如下的脫模膜：以於後述的步驟中樹脂成形品的表面經研磨為前提，於表面設置將至少一部分轉印至樹脂成形品的暫時轉印層。藉此，即便於被成形材料的接著性極高的情況下，脫模膜整體亦不會附著於樹脂成形品，轉印至樹脂成形品表面的暫時轉印層於後述步驟中進行研磨而被去除。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2013-146902號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-215989號公報 [專利文獻3]日本專利特開2013-216779號公報 [專利文獻4]日本專利特開2015-021017號公報 [專利文獻5]國際公開第2015/008759號 [專利文獻6]日本專利特開2016-000467號公報 [專利文獻7]日本專利特開2016-000468號公報 [專利文獻8]日本專利特開2018-001626號公報 [專利文獻9]日本專利特開2018-080261號公報

[發明所欲解決之課題] 近年來，隨著電子機器的小型·高性能化，由半導體器件所產生的雜訊引起的電磁干擾成為問題。針對該問題，若利用金屬板包圍電子零件整體則小型化存在限制，故於各個半導體封裝的表面形成電磁屏蔽層。但是，於不使引線端子間或焊球端子間發生短路的情況下在微小的半導體封裝的表面形成電磁屏蔽層是不容易的，為花費成本的步驟。

本發明是考慮到所述而成者，其目的在於提供一種於樹脂成形時能夠將電磁屏蔽層轉印至樹脂成形品的表面的脫模膜。 [解決課題之手段]

本發明的脫模膜為用於樹脂成形的脫模膜，具有：基材，具有與模具的脫模性，並構成第1表面；以及電磁屏蔽層，直接或間接地形成於所述基材上，並被轉印至樹脂成形品。

此處，所謂電磁屏蔽層直接形成於基材上，是指電磁屏蔽層與基材表面直接相接而形成。所謂電磁屏蔽層間接地形成於基材上，是指電磁屏蔽層於與基材之間夾持其他層而形成。所謂電磁屏蔽層被轉印至樹脂成形品，是指電磁屏蔽層與基材分離而移動至樹脂成形品上。

根據該構成，可於樹脂成形時將電磁屏蔽層轉印至樹脂成形品的表面。

較佳為所述基材包含氟樹脂或經雙軸配向的間規聚苯乙烯系樹脂。所謂氟樹脂，是指於結構中包含氟原子的樹脂。另外，所謂間規聚苯乙烯系樹脂，是指具有間規結構的苯乙烯系聚合物。藉此，即便用於175℃左右的高溫下的樹脂成形，亦可獲得與模具的優異的脫模性。另外，藉此，容易省略後述的第1接著力調整層及第2接著力調整層，可以低成本提供脫模膜。

較佳為所述電磁屏蔽層包含選自由金、銀、銅、鋁、鐵、鎳所組成的群組中的一種以上的金屬。藉由使用該些金屬，即便使電磁屏蔽層變薄，亦可獲得充分的電磁屏蔽性能。

較佳為所述電磁屏蔽層為藉由真空蒸鍍法或濺鍍法而形成的金屬膜。藉由使用利用該些方法而形成的金屬膜，即便使電磁屏蔽層變薄，亦可獲得充分的電磁屏蔽性能。

所述脫模膜亦可於所述基材與所述電磁屏蔽層之間具有第1接著力調整層。另外，所述脫模膜亦可具有構成作為所述第1表面的相反側的面的第2表面的第2接著力調整層。藉由調整基材-電磁屏蔽層間及/或電磁屏蔽層-被成形材料間的接著力，構成基材及電磁屏蔽層的材料的選擇範圍變廣。

所述脫模膜亦可於所述基材與所述電磁屏蔽層之間具有與該電磁屏蔽層一起被轉印至樹脂成形品的著色層。藉此，可省略作為另一步驟對樹脂成形品的表面進行著色的步驟。

較佳為經成形的所述樹脂為環氧樹脂。另外，較佳為所述樹脂成形品為半導體封裝。所述脫模膜特別適於該些用途。

本發明的脫模膜的製造方法為用於樹脂成形的脫模膜的製造方法，且具有：準備基材的步驟，所述基材具有與模具的脫模性；以及於所述基材表面直接或間接地形成電磁屏蔽層的步驟，所述電磁屏蔽層被轉印至樹脂成形品。 [發明的效果]

根據本發明的脫模膜，可於樹脂成形時將電磁屏蔽層轉印至樹脂成形品的表面。藉此，不需要用以於樹脂成形品的表面設置電磁屏蔽層的追加步驟，可削減成本。利用由本發明的脫模膜的製造方法而製造的脫模膜，亦可獲得相同的效果。

基於圖1及圖2對本發明的脫模膜的第1實施形態進行說明。

參照圖1，本實施形態的脫模膜10包含：基材20，構成第1表面15；以及電磁屏蔽層21，直接形成於基材上，構成第2表面16。於樹脂成形時第1表面是與模具相接而配置，第2表面與被成形材料相接。基材具有與模具的脫模性。電磁屏蔽層於樹脂成形品的脫模時與基材分離而被轉印至樹脂成形品。

基材20較佳為包含氟樹脂或經雙軸配向的間規聚苯乙烯（SPS）系樹脂。所謂氟樹脂，是指於結構中包含氟原子的樹脂。作為氟樹脂的例子，可列舉：乙烯-四氟乙烯共聚物（ethylene-tetrafluoroethylene，ETFE）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（氟化乙烯丙烯（fluorinated ethylene propylene，FEP））、四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物（聚氟烷氧基（polyfluoroalkoxy，PFA））等。

基材20更佳為包含SPS系樹脂。SPS系樹脂為具有間規結構的苯乙烯系聚合物。作為苯乙烯系聚合物的種類，可列舉：聚苯乙烯、聚(烷基苯乙烯)、聚(鹵化苯乙烯)、聚(鹵化烷基苯乙烯)、聚(烷氧基苯乙烯)、聚(乙烯基苯甲酸酯)、該些的氫化聚合體等及該些的混合物、或者以該些作為主成分的共聚物。作為聚(烷基苯乙烯)，可列舉：聚(甲基苯乙烯)、聚(乙基苯乙烯)、聚(異丙基苯乙烯)、聚(第三丁基苯乙烯)、聚(苯基苯乙烯)、聚(乙烯基萘)、聚(乙烯基苯乙烯)等。作為聚(鹵化苯乙烯)，可列舉：聚(氯苯乙烯)、聚(溴苯乙烯)、聚(氟苯乙烯)等。作為聚(鹵化烷基苯乙烯)，可列舉聚(氯甲基苯乙烯)等。作為聚(烷氧基苯乙烯)，可列舉聚(甲氧基苯乙烯)、聚(乙氧基苯乙烯)等。

SPS系樹脂的重量平均分子量為10,000～3,000,000，較佳為30,000～1,500,000，特佳為50,000～500,000。SPS系樹脂的玻璃轉移溫度為60℃～140℃，較佳為70℃～130℃。SPS系樹脂的熔點為200℃～320℃，較佳為220℃～280℃。於本說明書中，樹脂的玻璃轉移溫度及熔點是使用依據JISK7121而測定的值。

SPS系樹脂亦可作為市售品而獲取，亦可利用公知的方法而製造。作為市售品的例子，可列舉出光興產股份有限公司製造的「Xarec」（142ZE、300ZC、130ZC、90ZC、60ZC）等。

SPS系樹脂亦可為將立構規整性（tacticity）、種類、玻璃轉移溫度、熔點等不同的兩種以上的SPS系樹脂混合而成者。

另外，亦可於不對作為SPS系樹脂的特徵的耐熱性、低表面張力、機械強度等造成實用方面的不良影響的範圍內含有其他樹脂。例如，如專利文獻6及專利文獻7所揭示般，為了調整表面性狀等，亦可含有聚碳酸酯或苯乙烯系熱塑性彈性體。即便於含有其他樹脂的情況下，SPS系樹脂於膜中的總樹脂成分中佔據的比例較佳為60重量%以上，更佳為70重量%以上，最佳為75重量%以上。

SPS系樹脂亦可含有潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、抗靜電劑、無機填料、著色劑、結晶成核劑、阻燃劑等添加劑。例如，藉由相對於SPS系樹脂而添加0.02重量%～1.0重量%的烴樹脂、脂肪酸、脂肪酸醯胺、脂肪酸酯、脂肪醇、脂肪酸與多元醇的部分酯、複合系潤滑劑等潤滑劑，可進一步提高基材20的脫模性。另外，例如藉由相對於SPS系樹脂而添加0.02重量%～1.0重量%的酚系、磷系、硫系等的抗氧化劑，可進一步提高基材20的熱穩定性。另外，例如專利文獻9所揭示般，藉由添加適量的適當粒徑的球狀填料，可使表面成為粗糙面。

基材20的SPS系樹脂可經雙軸配向。藉此，可帶來玻璃轉移溫度的上昇、高溫下的尺寸穩定性的提昇、拉伸強度或拉伸伸長率的提昇等。

基材20的厚度較佳為10 μm以上，更佳為40 μm以上。其原因在於：若基材過薄，則容易產生褶皺或破裂。另一方面，基材的厚度較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下。其原因在於：若基材過厚，則無法充分追隨模具表面的凹凸形狀，無法對樹脂成形品進行良好的付形，且其原因在於原料成本亦增加。

電磁屏蔽層21藉由被轉印至樹脂成形品，並反射或吸收電磁波來進行屏蔽。由電磁屏蔽層實現的電磁波的衰減量根據用途而要求性能不同，但於半導體封裝的情況下，相對於10 MHz～3 GHz的電磁波而較佳為20 dB（以電力計為1/100）以上，更佳為30 dB（以電力計為1/1,000）以上。

可於電磁屏蔽層21中使用各種導電性材料。作為導電性材料，可列舉：各種金屬、氧化銦·錫（indium tin oxide，ITO）等導電性氧化物、碳、調配有導電性填料的導電性樹脂塗佈劑等。電磁屏蔽層中的導電率與相對介電常數的比越大，則電磁波的反射損耗量越大，電磁屏蔽性能越高。另外，電磁屏蔽層的導電率與相對介電常數的積越大，則電磁波的吸收損耗量越大，電磁屏蔽性能越高。由此，電磁屏蔽層較佳為包含金屬，更佳為包含選自由金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鐵（Fe）、鎳（Ni）所組成的群組中的一種以上的金屬。其原因在於：即便使電磁屏蔽層變薄，亦可獲得充分的電磁屏蔽性能，可提高對於模具表面的凹凸形狀的追隨性。

電磁屏蔽層21可為單一的層，亦可包含多個層。例如，若自基材20側以Ni、Cu的順序進行積層而形成電磁屏蔽層，則於轉印至樹脂成形品表面時由Ni層覆蓋Cu層，可防止由Cu的氧化而引起的電磁屏蔽性能的降低。另外，於構成電磁屏蔽層的各層包含金屬的情況下，各層可包含純金屬亦可包含合金。

於電磁屏蔽層21包含金屬的情況下，電磁屏蔽層的厚度較佳為2 μm以下，更佳為1 μm以下。其原因在於：若電磁屏蔽層過厚，則對於模具表面的凹凸形狀的追隨性降低。另一方面，若電磁屏蔽層過薄，則無法獲得充分的電磁屏蔽性能。於電磁屏蔽層包含Au、Ag、Cu、Al、Fe、Ni或該些的合金的情況下，電磁屏蔽層的厚度較佳為50 nm以上，更佳為100 nm以上。於電磁屏蔽層包含其他金屬的情況下，電磁屏蔽層的厚度較佳為200 nm以上。

於電磁屏蔽層21包含金屬的情況下，電磁屏蔽層較佳為藉由真空蒸鍍法或濺鍍法而形成的金屬膜。其原因在於：利用該些方法而形成的金屬膜即便為薄膜亦可獲得良好的導電性。其理由未必明確，但認為是由其他方法例如溶膠凝膠法帶來的與金屬膜的結晶性的不同引起。

脫模膜10具有所需的耐熱性。即，脫模膜於使用溫度下不會熔融、軟化或脆化，且於使用時具有充分的尺寸穩定性。其原因在於：若尺寸穩定性不充分，則脫模膜無法充分追隨模具成形面的凹凸形狀，無法利用模具成形面進行良好的付形。尺寸穩定性的指標之一為熱收縮率。

脫模膜10的熱收縮率為將試驗片於規定溫度下放置規定時間時的尺寸變化。本說明書中的熱收縮率是如下述般求出。於試驗片（140 mm×140 mm的膜）上，以朝向相互不同的直線彼此均正交的方式描繪平行於縱向（machine direction，MD）的三根直線與平行於橫向（transverse direction，TD）的三根直線，於各方向形成各三根長度100 mm的線段。將該試驗片於標準狀態（溫度23℃×相對濕度50%）下放置2小時，之後測定試驗前的線段的長度。繼而，於設定為175℃的環境的熱風循環式烘箱內於支撐一角落的懸吊狀態下放置30分鐘後取出，於標準狀態下放置冷卻2小時。之後測定各方向的線段的長度，求出自試驗前的長度起的變化量，作為相對於該試驗前的長度的變化量的比例而求出熱收縮率。熱收縮率的值為正的值是指收縮，負的值是指膨脹。脫模膜的175℃下的熱收縮率於MD及TD中較佳為8%以下。另一方面，脫模膜的175℃下的熱收縮率於MD及TD中較佳為0%以上。另外，熱收縮率的MD與TD之差的絕對值較佳為4%以下。

進而，脫模膜10需要充分地延伸。其原因在於：若延伸性不充分，則脫模膜無法充分地追隨模具成形面的凹凸，無法利用模具成形面進行良好的付形。延伸性的指標為拉伸伸長率。此處，所謂拉伸伸長率，是指JISK7127：1999中所規定的拉伸試驗（試驗片類型2，試驗速度200 mm/min）中的拉伸破壞應變（未伴隨降伏的情況）或拉伸破壞標稱應變（伴隨降伏的情況）。於膜包含SPS時，於拉伸試驗中伴隨降伏，因此拉伸伸長率是指拉伸破壞標稱應變。

脫模膜10的拉伸伸長率於常溫（23℃±2℃，相對濕度50%±10%）下，於MD及TD的任一方向中均較佳為10%以上，更佳為15%以上。其原因在於：若常溫下的拉伸伸長率過小，則於操作時膜容易破損。另一方面，即便脫模膜10的拉伸伸長率過大，亦並無特別問題，但於基材20包含SPS系樹脂的情況下，通常不會超過200%。

脫模膜10的拉伸伸長率於175℃下，於MD及TD的任一方向中均較佳為40%以上，更佳為60%以上，特佳為80%以上。其原因在於：若175℃下的拉伸伸長率過小，則於半導體元件的密封步驟中無法充分追隨模具表面的凹凸形狀，無法對樹脂成形品進行良好的付形。另一方面，即便脫模膜10於175℃下的拉伸伸長率過大，亦並無特別問題，但於基材20包含SPS系樹脂的情況下，通常不會超過300%。

脫模膜10的第1表面15及第2表面16的表面粗糙度並無特別限定，可根據樹脂成形品所要求的表面性狀而設為鏡面或粗糙面。

其次對本實施形態的脫模膜10的製造方法進行說明。

首先，準備基材20。基材可使用市售的膜，亦可利用公知的方法來製造。

於基材20包含SPS系樹脂的情況下，可藉由如下方式來製造：將SPS系樹脂與潤滑劑、抗氧化劑及其他材料混合並熔融、混煉，自T模擠出而製造前驅物膜後，將所獲得的前驅物膜於MD及TD上進行雙軸延伸。基材藉由雙軸延伸步驟而進行雙軸配向，SPS系樹脂進行結晶化，基材的玻璃轉移溫度上昇而耐熱性提昇，機械強度得到提昇。延伸方式可為逐次雙軸延伸方式亦可為同時雙軸延伸方式。延伸是選擇對獲得所期望的耐熱尺寸穩定性或機械特性等而言適當的條件來進行。延伸溫度將構成基材的聚合物成分的玻璃轉移溫度設為Tg，較佳為Tg＋0℃～Tg＋30℃。延伸倍率較佳為2.0倍～5.0倍。

於基材20包含SPS系樹脂的情況下，較佳為於雙軸延伸步驟後進行熱固定處理。熱固定為藉由在延伸溫度以上的溫度下保持延伸膜而將聚合物分子的配向加以固定的處理。熱處理溫度、時間、鬆弛倍率可選擇對獲得所期望的熱收縮率等而言適當的條件。熱處理溫度將構成基材的聚合物成分的熔點設為Tm（℃），較佳為玻璃轉移溫度Tg＋70℃以上且Tm以下。

電磁屏蔽層21可藉由在基材上將導電性材料成膜而形成。成膜方法是選擇適於導電性材料的方法。於導電性材料為金屬的情況下，較佳為可利用真空蒸鍍法或濺鍍法進行成膜。

於將脫模膜10的第1表面15形成為無光澤的情況下，只要將基材20的該表面形成為無光澤即可。另外，於將脫模膜的第2表面16形成為無光澤的情況下，若亦將基材的電磁屏蔽層21側的表面形成為無光澤，則電磁屏蔽層薄，因此於第2表面顯現無光澤。於將基材表面形成為無光澤時，例如可於製作基材後，使表面壓接於雕刻為無光澤的金屬輥，將輥表面的凹凸形狀轉印至基材表面。或者，如專利文獻6、專利文獻7或專利文獻9所記載般，亦可對SPS系樹脂調配適當的其他樹脂或填料來製作基材20。

其次，作為本實施形態的脫模膜10的使用方法的一例，對利用壓縮成形法進行的半導體封裝的密封步驟加以說明。

參照圖2，成形模具包含下模33、34及上模32。於上模固定有基板30與半導體元件31。將第1表面15設為模具側而將脫模膜10配置於成形模具的下模33、34上的模腔面，並藉由真空抽吸等加以固定。於脫模膜的第2表面16上填充有顆粒狀的環氧樹脂。對環氧樹脂進行加熱並熔融，使下模33、34上昇而浸入半導體元件31。使下模34進而上昇並對環氧樹脂進行壓縮成形。若將樹脂成形品脫模，則脫模膜10的基材20殘留於下模33、34上，電磁屏蔽層21被轉印至樹脂成形品表面而被覆樹脂成形品的下表面及側面。之後，將基板及樹脂切斷並將多個半導體元件31分離為單片。

於本實施形態的脫模膜10中，藉由利用氟樹脂或SPS系樹脂作為基材20，可製成包含基材與電磁屏蔽層21的兩層構成。其原因在於：基材具有與模具的脫模性，且基材與電磁屏蔽層之間的接著力不會過強，較電磁屏蔽層與接著性高的環氧樹脂之間的接著力而言更弱。藉此，可省略後述的第1接著力調整層及第2接著力調整層，可以低成本提供脫模膜。

其次，基於圖3對本發明的第2實施形態的脫模膜進行說明。本實施形態的脫模膜就於基材與電磁屏蔽層之間具有著色層的方面而言，與第1實施形態的脫模膜不同。

參照圖3，本實施形態的脫模膜11包含：基材20，構成第1表面15；著色層22，形成於基材上；以及電磁屏蔽層21，形成於著色層上並構成第2表面16。電磁屏蔽層間接地形成於基材上。於樹脂成形時第1表面是與模具相接而配置，第2表面與被成形材料相接。電磁屏蔽層及著色層於樹脂成形品的脫模時與基材分離而被轉印至樹脂成形品。

著色層22的材料或形成方法並無特別限定，例如可藉由將包含顏料等的聚酯、胺基甲酸酯、丙烯酸、環氧、苯酚、矽酮、三聚氰胺系等的樹脂、或者該些的混合物塗佈於基材20的表面來形成。基材20及電磁屏蔽層21與第1實施形態的基材20及電磁屏蔽層21相同。

若使用脫模膜11，則於樹脂成形時由著色層覆蓋被轉印至樹脂成形品表面的電磁屏蔽層。脫模膜11例如於電磁屏蔽層21的金屬光澤不受消費者歡迎的情況下等，具有調整樹脂成形品的外觀的效果。另外，亦可使著色層22含有無機填料等，著色層兼作具有耐磨耗性的硬塗層。

其次，基於圖4對本發明的第3實施形態的脫模膜進行說明。本實施形態的脫模膜就於基材與電磁屏蔽層之間具有調整接著力的層的方面而言，與第1實施形態的脫模膜不同。

參照圖4，本實施形態的脫模膜12包含：基材20，構成第1表面15；第1接著力調整層23，形成於基材上；以及電磁屏蔽層21，形成於第1接著力調整層上並構成第2表面16。電磁屏蔽層間接地形成於基材上。於樹脂成形時第1表面是與模具相接而配置，第2表面與被成形材料相接。於樹脂成形品的脫模時，電磁屏蔽層被轉印至樹脂成形品，第1接著力調整層殘留於基材側。

第1接著力調整層23的材料或形成方法並無特別限定，可藉由將具有適當的接著性的樹脂塗佈於基材20的表面來形成。作為構成第1接著力調整層的樹脂，例如可使用矽酮、氟、醇酸系等的樹脂。基材20及電磁屏蔽層21與第1實施形態的基材20及電磁屏蔽層21相同。

為了於樹脂成形時使基材20殘留於模具上，電磁屏蔽層21被轉印至樹脂成形品，需要使電磁屏蔽層-被成形材料間的接著力較基材-電磁屏蔽層間的接著力而言更強。於根據基材或電磁屏蔽層的材質而基材-電磁屏蔽層間的接著力過強的情況下，藉由設置第1接著力調整層，並減弱第1接著力調整層-電磁屏蔽層間的接著力，將電磁屏蔽層確實地轉印至樹脂成形品。另外，於根據基材或電磁屏蔽層的材質而基材-電磁屏蔽層間的接著力過弱而無法作為脫模膜進行一體化的程度的情況下，可設置第1接著力調整層，並使基材-第1接著力調整層-電磁屏蔽層進行一體化。

再者，於在基材20與電磁屏蔽層21之間存在著色層22的情況下，第1接著力調整層23設置於基材與著色層之間。

其次，基於圖5對本發明的第4實施形態的脫模膜進行說明。本實施形態的脫模膜就於電磁屏蔽層上具有調整接著力的層的方面而言，與第1實施形態的脫模膜不同。

參照圖5，本實施形態的脫模膜13包含：基材20，構成第1表面15；電磁屏蔽層21，形成於基材上；以及第2接著力調整層24，形成於電磁屏蔽層上並構成第2表面16。於樹脂成形時第1表面是與模具相接而配置，第2表面與被成形材料相接。第2接著力調整層及電磁屏蔽層於樹脂成形品的脫模時與基材分離而被轉印至樹脂成形品。

第2接著力調整層24的材料或形成方法並無特別限定，可藉由將具有適當的接著性的樹脂塗佈於電磁屏蔽層21的表面來形成。作為構成第2接著力調整層的樹脂，例如可使用環氧、聚酯、丙烯酸、胺基甲酸酯、苯酚、三聚氰胺系等的樹脂。基材20及電磁屏蔽層21與第1實施形態的基材20及電磁屏蔽層21相同。

於電磁屏蔽層21-被成形材料間的接著力過弱的情況下，藉由設置第2接著力調整層，並增強電磁屏蔽層-第2接著力調整層、及第2接著力調整層-被成形材料間的接著力，將電磁屏蔽層確實地轉印至樹脂成形品。

再者，圖5中，將電磁屏蔽層21直接形成於基材20上，但亦可於基材與電磁屏蔽層之間設置著色層22或第1接著力調整層23。

本發明並不限定於所述實施形態，能夠於其技術思想的範圍內進行各種變形。

例如，第2實施形態中的著色層22可對一部分進行著色並將剩餘部分設為無色，或者改變一部分的顏色而轉印標誌等。另外，例如脫模膜10～脫模膜13可具有用以使半導體封裝進行散熱的散熱層，並轉印至樹脂成形品。

10～13‧‧‧脫模膜 15‧‧‧第1表面 16‧‧‧第2表面 20‧‧‧基材 21‧‧‧電磁屏蔽層 22‧‧‧著色層 23‧‧‧第1接著力調整層 24‧‧‧第2接著力調整層 30‧‧‧基板 31‧‧‧半導體元件 32‧‧‧上模具（上模） 33、34‧‧‧下模具（下模） 35‧‧‧環氧樹脂

圖1是表示本發明的第1實施形態的脫模膜的層構成的圖。 圖2是用以說明使用本發明的第1實施形態的脫模膜的半導體密封方法的圖。 圖3是表示本發明的第2實施形態的脫模膜的層構成的圖。 圖4是表示本發明的第3實施形態的脫模膜的層構成的圖。 圖5是表示本發明的第4實施形態的脫模膜的層構成的圖。

10‧‧‧脫模膜

15‧‧‧第1表面

16‧‧‧第2表面

20‧‧‧基材

21‧‧‧電磁屏蔽層

Claims (10)

1. 一種脫模膜，為用於樹脂成形的脫模膜，且具有： 基材，具有與模具的脫模性，並構成第1表面；以及 電磁屏蔽層，直接或間接地形成於所述基材上，並被轉印至樹脂成形品。
2. 如申請專利範圍第1項所述的脫模膜，其中所述基材包含氟樹脂或經雙軸配向的間規聚苯乙烯系樹脂。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，其中所述電磁屏蔽層包含選自由金、銀、銅、鋁、鐵、鎳所組成的群組中的一種以上的金屬。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，其中所述電磁屏蔽層為藉由真空蒸鍍法或濺鍍法而形成的金屬膜。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，於所述基材與所述電磁屏蔽層之間具有第1接著力調整層。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，具有構成作為所述第1表面的相反側的面的第2表面的第2接著力調整層。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，於所述基材與所述電磁屏蔽層之間具有與所述電磁屏蔽層一起被轉印至樹脂成形品的著色層。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，其中所述樹脂為環氧樹脂。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的脫模膜，其中所述樹脂成形品為半導體封裝。
10. 一種脫模膜的製造方法，為用於樹脂成形的脫模膜的製造方法，且具有： 準備基材的步驟，所述基材具有與模具的脫模性；以及 於所述基材表面直接或間接地形成電磁屏蔽層的步驟，所述電磁屏蔽層被轉印至樹脂成形品。

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