KR20210018185A - 이형 필름 및 이형 필름 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수지 성형시에 수지 성형품의 표면에 전자 차폐층을 전사 가능한 이형 필름을 제공하는 것으로, 수지 성형에 사용하는 이형 필름으로서, 금형과의 이형성을 갖고, 제1 표면(15)을 구성하는 기재(20)와, 상기 기재 상에 직접 또는 간접적으로 형성되고, 수지 성형품에 전사되는 전자 차폐층(21)을 갖는 이형 필름 (10)에 관한 것이다.

Description

이형 필름 및 이형 필름 제조 방법

본 발명은 수지 성형시에 사용하는 이형 필름에 관한 것이다.

반도체 패키지 등의 수지 성형품을 제조할 때, 성형 금형이나 성형 롤과 피성형 재료가 융착되지 않도록, 이형 필름이 사용되는 경우가 있다. 예를 들면, 반도체 소자는 외기나 외력으로부터 보호하기 위해, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지로 밀봉하여 반도체 패키지로 성형된다. 이 때, 금형의 표면(캐비티면)에 이형 필름을 배치한 상태에서 워크가 세트된 캐비티 내에 용융 수지를 사출하거나, 캐비티에 액상 또는 과립상 수지를 넣어 용융한 후에 워크를 담궈 넣고 압착하여 수지가 성형된다.

이형 필름으로는 표면 장력이 작고 이형성이 높은 불소 수지나 신디오택틱 폴리스티렌(SPS)계 수지 필름이 많이 사용된다. 특허문헌 1∼9에는 2축 배향한 SPS계 수지로 이루어지는 이형 필름이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 8에는 후의 공정에서 수지 성형품의 표면이 연마되는 것을 전제로, 적어도 일부가 수지 성형품에 전사되는 가전사층을 표면에 형성한 이형 필름이 기재되어 있다. 이에 의해, 피성형 재료의 접착성이 매우 높은 경우에도 이형 필름 전체가 수지 성형품에 부착되는 경우가 없고, 수지 성형품 표면에 전사한 가전사층은 후의 공정에서 연마, 제거된다.

일본 공개특허공보 2013-146902호 일본 공개특허공보 2013-215989호 일본 공개특허공보 2013-216779호 일본 공개특허공보 2015-021017호 국제공개 제2015/008759호 일본 공개특허공보 2016-000467호 일본 공개특허공보 2016-000468호 일본 공개특허공보 2018-001626호 일본 공개특허공보 2018-080261호

최근, 전자 기기의 소형·고성능화에 따라 반도체 디바이스가 발하는 노이즈에 의한 전자 간섭이 문제가 되고 있다. 이 문제에 대해, 전자 부품 전체를 금속판으로 둘러싸는 것으로는 소형화에 한계가 있는 점에서, 개개의 반도체 패키지의 표면에 전자 차폐층을 형성하는 것이 행해지고 있다. 그러나, 리드 단자 사이나 땜납볼 단자 사이를 단락시키지 않고, 미소한 반도체 패키지의 표면에 전자 차폐층을 형성하는 것은 용이하지 않고, 비용이 드는 공정이었다.

본 발명은 상기를 고려하여 이루어진 것으로, 수지 성형시에 수지 성형품의 표면에 전자 차폐층을 전사 가능한 이형 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 이형 필름은 수지 성형에 사용하는 이형 필름으로서, 금형과의 이형성을 갖고, 제1 표면을 구성하는 기재와, 상기 기재 상에 직접 또는 간접적으로 형성되고, 수지 성형품에 전사되는 전자 차폐층을 갖는다.

여기에서, 전자 차폐층이 기재 상에 직접 형성되는 것이란, 전자 차폐층이 기재 표면에 직접 접하여 형성되는 것을 말한다. 전자 차폐층이 기재 상에 간접적으로 형성되는 것이란, 전자 차폐층이 기재와의 사이에 다른 층을 사이에 끼워 형성되는 것을 말한다. 전자 차폐층이 수지 성형품에 전사되는 것이란, 전자 차폐층이 기재와 분리되어 수지 성형품 상에 이동하는 것을 말한다.

이 구성에 의해, 수지 성형시에 수지 성형품의 표면에 전자 차폐층을 전사할 수 있다.

바람직하게는, 상기 기재가 불소 수지 또는 2축 배향된 신디오택틱 폴리스티렌계 수지로 이루어진다. 불소 수지란, 구조 중에 불소 원자를 포함하는 수지를 말한다. 또한, 신디오택틱 폴리스티렌계 수지란, 신디오택틱 구조를 갖는 스티렌계 폴리머를 말한다. 이에 의해, 175℃ 정도의 고온에서의 수지 성형에 사용해도 금형과의 우수한 이형성이 얻어진다. 또한, 이에 의해, 후술하는 제1 접착력 조정층 및 제2 접착력 조정층을 생략하는 것이 용이해져, 이형 필름을 저비용으로 제공할 수 있다.

바람직하게는 상기 전자 차폐층이 금, 은, 구리, 알루미늄, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속으로 이루어진다. 이들 금속을 사용함으로써, 전자 차폐층을 얇게 해도 충분한 전자 차폐 성능이 얻어진다.

바람직하게는, 상기 전자 차폐층이 진공 증착법 또는 스퍼터법에 의해 형성된 금속막이다. 이들 방법으로 형성된 금속막을 사용함으로써, 전자 차폐층을 얇게 해도 충분한 전자 차폐 성능이 얻어진다.

상기 이형 필름은 상기 기재와 상기 전자 차폐층 사이에 제1 접착력 조정층을 갖고 있어도 된다. 또한, 상기 이형 필름은 상기 제1 표면의 반대측의 면인 제2 표면을 구성하는 제2 접착력 조정층을 갖고 있어도 된다. 기재-전자 차폐층 사이 및/또는 전자 차폐층-피성형 재료 사이의 접착력을 조정함으로써, 기재 및 전자 차폐층을 구성하는 재료의 선택의 폭이 넓어진다.

상기 이형 필름은 상기 기재와 상기 전자 차폐층 사이에, 상기 전자 차폐층과 함께 수지 성형품에 전사되는 착색층을 갖고 있어도 된다. 이에 의해, 수지 성형품의 표면을 별도 공정으로서 착색하는 공정을 생략할 수 있다.

바람직하게는 성형되는 상기 수지가 에폭시 수지이다. 또한, 바람직하게는 상기 수지 성형품이 반도체 패키지이다. 상기 이형 필름은 이들 용도에 특히 적합하다.

본 발명의 이형 필름 제조 방법은 수지 성형에 사용하는 이형 필름의 제조 방법으로서, 금형과의 이형성을 갖는 기재를 준비하는 공정과, 상기 기재 표면에 직접 또는 간접적으로 수지 성형품에 전사되는 전자 차폐층을 형성하는 공정을 갖는다.

본 발명의 이형 필름에 의하면, 수지 성형시에 수지 성형품의 표면에 전자 차폐층을 전사할 수 있다. 이에 의해, 수지 성형품의 표면에 전자 차폐층을 형성하기 위한 추가 공정이 불필요해져, 비용을 삭감할 수 있다. 본 발명의 이형 필름 제조 방법에 의해 제조된 이형 필름에 의해서도 동일한 효과가 얻어진다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 이형 필름의 층 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태의 이형 필름을 사용한 반도체 밀봉 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태의 이형 필름의 층 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태의 이형 필름의 층 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시형태의 이형 필름의 층 구성을 나타내는 도면이다.

본 발명의 이형 필름의 제1 실시형태를 도 1 및 도 2에 기초하여 설명한다.

도 1을 참조하여, 본 실시형태의 이형 필름(10)은 제1 표면(15)을 구성하는 기재(20)와, 기재 상에 직접 형성되어 제2 표면(16)을 구성하는 전자 차폐층(21)으로 이루어진다. 수지 성형시에는 제1 표면이 금형에 접하여 배치되고, 제2 표면이 피성형 재료에 접한다. 기재는 금형과의 이형성을 갖는다. 전자 차폐층은 수지 성형품의 탈형시에 기재와 분리되어 수지 성형품에 전사된다.

기재(20)는 바람직하게는 불소 수지 또는 2축 배향된 신디오택틱 폴리스티렌(SPS)계 수지로 이루어진다. 불소 수지란, 구조 중에 불소 원자를 포함하는 수지를 말한다. 불소 수지의 예로는 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체(PFA) 등을 들 수 있다.

기재(20)는 보다 바람직하게는 SPS계 수지로 이루어진다. SPS계 수지는 신디오택틱 구조를 갖는 스티렌계 폴리머이다. 스티렌계 폴리머의 종류로는 폴리스티렌, 폴리(알킬스티렌), 폴리(할로겐화스티렌), 폴리(할로겐화알킬스티렌), 폴리(알콕시스티렌), 폴리(비닐벤조산에스테르), 이들의 수소화 중합체 등 및 이들의 혼합물, 또는 이들을 주성분으로 하는 공중합체를 들 수 있다. 폴리(알킬스티렌)으로는 폴리(메틸스티렌), 폴리(에틸스티렌), 폴리(이소프로필스티렌), 폴리(터셔리부틸스티렌), 폴리(페닐스티렌), 폴리(비닐나프탈렌), 폴리(비닐스티렌) 등을 들 수 있다. 폴리(할로겐화스티렌)으로는 폴리(클로로스티렌), 폴리(브로모스티렌), 폴리(플루오로스티렌) 등을 들 수 있다. 폴리(할로겐화알킬스티렌)으로는 폴리(클로로메틸스티렌) 등을 들 수 있다. 폴리(알콕시스티렌)으로는 폴리(메톡시스티렌), 폴리(에톡시스티렌) 등을 들 수 있다.

SPS계 수지의 중량 평균 분자량은 10,000∼3,000,000, 바람직하게는 30,000∼1,500,000, 특히 바람직하게는 50,000∼500,000이다. SPS계 수지의 유리 전이 온도는 60∼140℃, 바람직하게는 70∼130℃이다. SPS계 수지의 융점은 200∼320℃, 바람직하게는 220∼280℃이다. 본 명세서 중, 수지의 유리 전이 온도 및 융점은 JISK7121에 따라 측정된 값을 사용하고 있다.

SPS계 수지는 시판품으로서 입수할 수도 있고, 공지의 방법에 의해 제조할 수도 있다. 시판품의 예로는 이데미츠 고산 주식회사 제조 「자렉」(142ZE, 300ZC, 130ZC, 90ZC, 60ZC) 등을 들 수 있다.

SPS계 수지는 입체 규칙성, 종류, 유리 전이 온도, 융점 등이 상이한 2종류 이상의 SPS계 수지를 혼합한 것이어도 된다.

또한, SPS계 수지의 특징인 내열성, 저표면 장력, 기계 강도 등에 실용상의 악영향을 미치지 않는 범위에서 다른 수지를 함유해도 된다. 예를 들면, 특허문헌 6 및 7에 개시되어 있는 바와 같이, 표면 성상 등의 조정을 위해 폴리카보네이트나 스티렌계 열가소성 엘라스토머를 함유하고 있어도 된다. 다른 수지를 함유하는 경우에도 필름 중의 전체 수지 성분에서 차지하는 SPS계 수지의 비율은 바람직하게는 60중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 이상, 가장 바람직하게는 75중량％ 이상이다.

SPS계 수지는 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 대전 방지제, 무기 필러, 착색제, 결정 핵제, 난연제 등의 첨가제를 함유해도 된다. 예를 들면, 탄화수소 수지, 지방산, 지방산아미드, 지방산에스테르, 지방 알코올, 지방산과 다가 알코올의 부분 에스테르, 복합계 활제 등의 활제를 SPS계 수지에 대해 0.02∼1.0중량％ 첨가함으로써, 기재(20)의 이형성을 추가로 향상시킬 수 있다. 또한 예를 들면, 페놀계, 인계, 황계 등의 산화 방지제를 SPS계 수지에 대해 0.02∼1.0중량％ 첨가함으로써, 기재(20)의 열 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 예를 들면, 특허문헌 9에 개시되어 있는 바와 같이, 적절한 입경의 구형상 필러를 적당량 첨가함으로써, 표면에 조면화(粗面化)할 수 있다.

기재(20)의 SPS계 수지는 2축 배향되어 있다. 이에 의해, 유리 전이 온도의 상승, 고온에서의 치수 안정성의 향상, 인장 강도나 인장 신도의 향상 등이 이루어진다.

기재(20)의 두께는 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 40㎛ 이상이다. 기재가 지나치게 얇으면 주름이나 찢어짐이 발생하기 쉬워지기 때문이다. 한편, 기재의 두께는 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 기재가 지나치게 두꺼우면, 금형 표면의 요철 형상에 충분히 추종하지 않고, 수지 성형품에 대한 양호한 부형이 행해지지 않기 때문이고, 원료 비용도 증가하기 때문이다.

전자 차폐층(21)은 수지 성형품에 전사되어, 전자파를 반사 또는 흡수함으로써 차폐한다. 전자 차폐층에 의한 전자파의 감쇠량은 용도에 따라 요구 성능이 상이하지만, 반도체 패키지의 경우에는 10MHz∼3GHz의 전자파에 대해, 바람직하게는 20dB(전력으로 1/100) 이상이고, 보다 바람직하게는 30dB(전력으로 1/1,000) 이상이다.

전자 차폐층(21)에는 각종 도전성 재료를 사용할 수 있다. 도전성 재료로는 각종 금속, 산화인듐·주석(ITO) 등의 도전성 산화물, 카본, 도전성 필러를 배합한 도전성 수지 코팅제 등을 들 수 있다. 전자 차폐층은 도전율과 비유전율의 비가 클수록 전자파의 반사 손실량이 크고, 전자 차폐 성능이 높아진다. 또한, 전자 차폐층의 도전율과 비유전율의 곱이 클수록 전자파의 흡수 손실량이 크고, 전자 차폐 성능이 높아진다. 이 점에서, 전자 차폐층은 바람직하게는 금속으로 이루어지고, 보다 바람직하게는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 철(Fe), 니켈(Ni)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속으로 이루어진다. 전자 차폐층을 얇게 해도 충분한 전자 차폐 성능이 얻어지고, 금형 표면의 요철 형상에 대한 추종성을 높일 수 있기 때문이다.

전자 차폐층(21)은 단일층이어도 되고, 복수층으로 이루어져 있어도 된다. 예를 들면, 기재(20)측에서 Ni, Cu의 순으로 적층하여 전자 차폐층을 형성하면, 수지 성형품 표면에 전사되었을 때, Cu층을 Ni층이 덮음으로써, Cu의 산화에 의한 전자 차폐 성능의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 전자 차폐층을 구성하는 각 층이 금속으로 이루어지는 경우, 각 층은 순금속으로 이루어져 있어도 되고, 합금으로 이루어져 있어도 된다.

전자 차폐층(21)이 금속으로 이루어지는 경우, 전자 차폐층의 두께는 바람직하게는 2㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하이다. 전자 차폐층이 지나치게 두꺼우면, 금형 표면의 요철 형상에 대한 추종성이 저하되기 때문이다. 한편, 전자 차폐층이 지나치게 얇으면 충분한 전자 차폐 성능이 얻어지지 않는다. 전자 차폐층이 Au, Ag, Cu, Al, Fe, Ni 또는 이들의 합금으로 이루어지는 경우, 전자 차폐층의 두께는 바람직하게는 50nm 이상, 보다 바람직하게는 100nm 이상이다. 전자 차폐층이 다른 금속으로 이루어지는 경우, 전자 차폐층의 두께는 바람직하게는 200nm 이상이다.

전자 차폐층(21)이 금속으로 이루어지는 경우, 전자 차폐층은 바람직하게는 진공 증착법 또는 스퍼터법에 의해 형성된 금속막이다. 상기 방법으로 형성된 금속막은 박막이어도 양호한 도전성이 얻어지기 때문이다. 그 이유는 반드시 분명하지는 않지만, 다른 방법, 예를 들면, 졸겔법에 의한 금속막과의 결정성의 차이에 의한 것으로 생각된다.

이형 필름(10)은 필요한 내열성을 갖는다. 즉, 이형 필름은 사용 온도에서 용융, 연화 또는 취화되지 않고, 또한 사용시에 충분한 치수 안정성을 갖는다. 치수 안정성이 충분하지 않으면, 이형 필름이 금형 성형면의 요철 형상에 충분히 추종하지 않고, 금형 성형면에 의한 양호한 부형이 행해지지 않기 때문이다. 치수 안정성 중 하나의 지표는 열 수축률이다.

이형 필름(10)의 열 수축률은 시험편을 소정 온도에서 소정 시간 방치했을 때의 치수 변화이다. 본 명세서 중의 열 수축률은 다음과 같이 구하였다. 시험편(140㎜×140㎜의 필름) 위에, MD에 평행한 3개의 직선과 TD에 평행한 3개의 직선을 서로 방향이 상이한 직선끼리가 전부 직교하도록 그리고, 길이 100㎜의 선분을 각 방향에 3개씩 형성하였다. 이 시험편을 표준 상태(온도 23℃×상대 습도 50％)로 2시간 방치하고, 그 후 시험 전의 선분의 길이를 측정하였다. 이어서, 175℃의 분위기에 설정된 열풍 순환식 오븐 내에서 일각을 지지한 공중에 매달린 상태에서 30분간 방치한 후, 꺼내어 표준 상태로 2시간 방치 냉각하였다. 그 후, 각 방향의 선분의 길이를 측정하고, 시험 전의 길이로부터의 변화량을 구하고, 당해 시험 전의 길이에 대한 변화량의 비율로서 열 수축률을 구하였다. 열 수축률의 값은 양의 값이 수축을 의미하고, 음의 값이 팽창을 의미한다. 이형 필름의 175℃에서의 열 수축률은 MD 및 TD에 있어서, 바람직하게는 8％ 이하이다. 한편, 이형 필름의 175℃에서의 열 수축률은 MD 및 TD에 있어서, 바람직하게는 0％ 이상이다. 또한, 열 수축률의 MD와 TD의 차의 절대값은 바람직하게는 4％ 이하이다.

또한, 이형 필름(10)은 충분히 연신할 필요가 있다. 연신성이 충분하지 않으면, 이형 필름이 금형 성형면의 요철에 충분히 추종하지 않고, 금형 성형면에 의한 양호한 부형이 행해지지 않기 때문이다. 연신성의 지표는 인장 신도이다. 여기에서 인장 신도란, JISK7127:1999에 규정된 인장 시험(시험편 타입 2, 시험 속도 200㎜/분)에서의 인장 파괴 변형(항복을 수반하지 않는 경우) 또는 인장 파괴 공칭 변형(항복을 수반하는 경우)을 말한다. 필름이 SPS로 이루어지는 경우는 인장 시험에서 항복을 수반하기 때문에, 인장 신도는 인장 파괴 공칭 변형을 말한다.

이형 필름(10)의 인장 신도는 상온(23±2℃, 상대 습도 50±10％)에서 MD 및 TD 전부에서도, 바람직하게는 10％ 이상이고, 보다 바람직하게는 15％ 이상이다. 상온에서의 인장 신도가 지나치게 작으면 핸들링시에 필름이 파손되기 쉽기 때문이다. 한편, 이형 필름(10)의 인장 신도가 지나치게 커도 특별히 문제는 없지만, 기재(20)가 SPS계 수지로 이루어지는 경우는 통상적으로는 200％를 초과하는 경우는 없다.

이형 필름(10)의 인장 신도는 175℃에서 MD 및 TD 전부에서도, 바람직하게는 40％ 이상이고, 보다 바람직하게는 60％ 이상이고, 특히 바람직하게는 80％ 이상이다. 175℃에서의 인장 신도가 지나치게 작으면 반도체 소자의 밀봉 공정에서 금형 표면의 요철 형상에 충분히 추종하지 않고, 수지 성형품에 대한 양호한 부형이 행해지지 않기 때문이다. 한편, 이형 필름(10)의 175℃에서의 인장 신도가 지나치게 커도 특별히 문제는 없지만, 기재(20)가 SPS계 수지로 이루어지는 경우는 통상적으로는 300％를 초과하는 경우는 없다.

이형 필름(10)의 제1 표면(15) 및 제2 표면(16)의 표면 조도는 특별히 한정되지 않고, 수지 성형품에 요구되는 표면 성상에 따라 미러면 또는 매트면으로 할 수 있다.

다음으로, 본 실시형태의 이형 필름(10)의 제조 방법을 설명한다.

먼저, 기재(20)를 준비한다. 기재는 시판 필름을 사용해도 되고, 공지의 방법에 의해 제조해도 된다.

기재(20)가 SPS계 수지로 이루어지는 경우는 SPS계 수지와 활제, 산화 방지제, 그 밖의 재료를 혼합하고, 용융·혼련하고, T다이에서 압출하여 전구체 필름을 제조한 후, 얻어진 전구체 필름을 MD 및 TD에 2축 연신함으로써 제조할 수 있다. 2축 연신 공정에 의해 기재가 2축 배향하고, SPS계 수지가 결정화하고, 기재의 유리 전이 온도가 상승하여 내열성을 향상시켜, 기계적 강도가 향상된다. 연신 방식은 순차 2축 연신 방식이어도 되고, 동시 2축 연신 방식이어도 된다. 연신은 원하는 내열 치수 안정성이나 기계적 특성 등을 얻는데 적당한 조건을 선택하여 행한다. 연신 온도는 기재를 구성하는 폴리머 성분의 유리 전이 온도를 Tg로 하여, 바람직하게는 Tg＋0∼Tg＋30℃이다. 연신 배율은 바람직하게는 2.0∼5.0배이다.

기재(20)가 SPS계 수지로 이루어지는 경우, 2축 연신 공정 후에 열 고정 처리를 하는 것이 바람직하다. 열 고정은 연신 필름을 연신 온도 이상의 온도에서 유지함으로써, 폴리머 분자의 배향을 고정하는 처리이다. 열처리 온도, 시간, 이완 배율은 원하는 열 수축률 등을 얻기 위해 적당한 조건을 선택할 수 있다. 열처리 온도는 기재를 구성하는 폴리머 성분의 융점을 Tm(℃)으로 하고, 바람직하게는 유리 전이 온도 Tg＋70℃ 이상에서 Tm 이하이다.

전자 차폐층(21)은 기재 상에 도전성 재료를 성막함으로써 형성할 수 있다. 성막 방법은 도전성 재료에 적합한 방법을 선택한다. 도전성 재료가 금속인 경우는 바람직하게는 진공 증착법 또는 스퍼터법에 의해 성막할 수 있다.

이형 필름(10)의 제1 표면(15)을 매트조로 형성하는 경우는 기재(20)의 당해 표면을 매트조로 형성하면 된다. 또한, 이형 필름의 제2 표면(16)을 매트조로 형성하는 경우도 기재의 전자 차폐층(21)측의 표면을 매트조로 형성해 두면 전자 차폐층이 얇기 때문에, 제2 표면에 매트조가 나타난다. 기재 표면을 매트조로 형성하기 위해서는 예를 들면, 기재를 제조한 후에 표면을 매트조로 조각한 금속 롤에 압착시켜, 롤 표면의 요철 형상을 기재 표면에 전사할 수 있다. 혹은, 특허문헌 6, 7 또는 9에 기재된 바와 같이, SPS계 수지에 적절한 다른 수지 또는 필러를 배합하여 기재(20)를 제조해도 된다.

다음으로, 본 실시형태의 이형 필름(10)의 사용 방법의 일례로서, 컴프레션 성형법에 의한 반도체 패키지의 밀봉 공정을 설명한다.

도 2를 참조하여, 성형 금형은 하형(33, 34) 및 상형(32)으로 이루어진다. 상형에는 기판(30)과 반도체 소자(31)가 고정되어 있다. 성형 금형의 하형(33, 34) 상의 캐비티면에 이형 필름(10)을 제1 표면(15)을 금형측으로 하여 배치하고, 진공 흡인 등에 의해 고정한다. 이형 필름의 제2 표면(16) 상에 과립상의 에폭시 수지를 충전한다. 에폭시 수지를 가열하여 용융하고, 하형(33, 34)을 상승시켜 반도체 소자(31)를 담궈 넣는다. 하형(34)을 더욱 상승시켜 에폭시 수지를 압축 성형한다. 수지 성형품을 탈형하면, 이형 필름(10)의 기재(20)는 하형(33, 34) 상에 남고, 전자 차폐층(21)은 수지 성형품 표면에 전사되어 수지 성형품의 하면 및 측면을 피복한다. 그 후, 기판 및 수지를 절단하여 복수의 반도체 소자(31)를 개별 조각으로 분리한다.

본 실시형태의 이형 필름(10)에서는 기재(20)로서 불소 수지 또는 SPS계 수지를 이용함으로써, 기재와 전자 차폐층(21)으로 이루어지는 2층 구성으로 할 수 있다. 기재가 금형과의 이형성을 갖고, 또한 기재와 전자 차폐층 사이의 접착력이 지나치게 강하지 않고, 전자 차폐층과 접착성이 높은 에폭시 수지 사이의 접착력보다 약하기 때문이다. 이에 의해, 후술하는 제1 접착력 조정층 및 제2 접착력 조정층을 생략하고, 저비용으로 이형 필름을 제공할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 제2 실시형태의 이형 필름을, 도 3에 기초하여 설명한다. 본 실시형태의 이형 필름은 기재와 전자 차폐층 사이에 착색층을 갖는 점에서 제1 실시형태의 이형 필름과 상이하다.

도 3을 참조하여, 본 실시형태의 이형 필름(11)은 제1 표면(15)을 구성하는 기재(20)와, 기재 상에 형성된 착색층(22)과, 착색층 상에 형성되어 제2 표면(16)을 구성하는 전자 차폐층(21)으로 이루어진다. 전자 차폐층은 기재 상에 간접적으로 형성되어 있다. 수지 성형시에는 제1 표면이 금형에 접하여 배치되고, 제2 표면이 피성형 재료에 접한다. 전자 차폐층 및 착색층은 수지 성형품의 탈형시에 기재와 분리되어 수지 성형품에 전사된다.

착색층(22)의 재료나 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 안료 등을 포함하는 폴리에스테르, 우레탄, 아크릴, 에폭시, 페놀, 실리콘, 멜라민계 등의 수지 또는 이들의 혼합물을 기재(20) 표면에 코팅함으로써 형성할 수 있다. 기재(20) 및 전자 차폐층(21)은 제1 실시형태의 그것과 동일하다.

이형 필름(11)을 사용하면, 수지 성형시에 수지 성형품 표면에 전사된 전자 차폐층을 착색층이 덮게 된다. 이형 필름(11)은 예를 들면, 전자 차폐층(21)의 금속 광택이 소비자에게 선호되지 않는 경우 등에, 수지 성형품의 외관을 조정하는 효과를 갖는다. 또한, 착색층(22)에 무기 필러 등을 함유시켜, 착색층이 내마모성을 갖는 하드 코트층을 겸하도록 해도 된다.

다음으로, 본 발명의 제3 실시형태의 이형 필름을 도 4에 기초하여 설명한다. 본 실시형태의 이형 필름은 기재와 전자 차폐층 사이에 접착력을 조정하는 층을 갖는 점에서 제1 실시형태의 이형 필름과 상이하다.

도 4를 참조하여, 본 실시형태의 이형 필름(12)은 제1 표면(15)을 구성하는 기재(20)와, 기재 상에 형성된 제1 접착력 조정층(23)과, 제1 접착력 조정층 상에 형성되어 제2 표면(16)을 구성하는 전자 차폐층(21)으로 이루어진다. 전자 차폐층은 기재 상에 간접적으로 형성되어 있다. 수지 성형시에는 제1 표면이 금형에 접하여 배치되고, 제2 표면이 피성형 재료에 접한다. 수지 성형품의 탈형시에 전자 차폐층은 수지 성형품에 전사되고, 제1 접착력 조정층은 기재측에 남는다.

제1 접착력 조정층(23)의 재료나 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 적당한 접착성을 갖는 수지를 기재(20) 표면에 코팅함으로써 형성할 수 있다. 제1 접착력 조정층을 구성하는 수지로는 예를 들면, 실리콘, 불소, 알키드계 등의 수지를 사용할 수 있다. 기재(20) 및 전자 차폐층(21)은 제1 실시형태의 그것과 동일하다.

수지 성형시에 기판(20)이 금형 상에 남고, 전자 차폐층(21)이 수지 성형품에 전사되기 위해서는 기재-전자 차폐층 사이의 접착력보다, 전자 차폐층-피성형 재료 사이의 접착력이 강할 필요가 있다. 기재나 전자 차폐층의 재질에 따라, 기재-전자 차폐층 사이의 접착력이 지나치게 강한 경우에는 제1 접착력 조정층을 형성하고, 제1 접착력 조정층-전자 차폐층 사이의 접착력을 약하게 함으로써, 전자 차폐층이 수지 성형품에 확실하게 전사된다. 또한, 기재나 전자 차폐층의 재질에 따라, 이형 필름으로서 일체화할 수 없을 정도로 기재-전자 차폐층 사이의 접착력이 지나치게 약한 경우에는 제1 접착력 조정층을 형성하고, 기재-제1 접착력 조정층-전자 차폐층을 일체화할 수 있다.

또한, 기재(20)와 전자 차폐층(21) 사이에 착색층(22)이 존재하는 경우에는 제1 접착력 조정층(23)은 기재와 착색층 사이에 형성한다.

다음으로, 본 발명의 제4 실시형태의 이형 필름을, 도 5에 기초하여 설명한다. 본 실시형태의 이형 필름은 전자 차폐층 상에 접착력을 조정하는 층을 갖는 점에서 제1 실시형태의 이형 필름과 상이하다.

도 5를 참조하여 본 실시형태의 이형 필름(13)은 제1 표면(15)을 구성하는 기재(20)와, 기재 상에 형성된 전자 차폐층(21)과, 전자 차폐층 상에 형성되어 제2 표면(16)을 구성하는 제2 접착력 조정층(24)으로 이루어진다. 수지 성형시에는 제1 표면이 금형에 접하여 배치되고, 제2 표면이 피성형 재료에 접한다. 제2 접착력 조정층 및 전자 차폐층은 수지 성형품의 탈형시에 기재와 분리되어 수지 성형품에 전사된다.

제2 접착력 조정층(24)의 재료나 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 적당한 접착성을 갖는 수지를 전자 차폐층(21) 표면에 코팅함으로써 형성할 수 있다. 제2 접착력 조정층을 구성하는 수지로는 예를 들면, 에폭시, 폴리에스테르, 아크릴, 우레탄, 페놀, 멜라민계 등의 수지를 사용할 수 있다. 기재(20) 및 전자 차폐층(21)은 제1 실시형태의 그것과 동일하다.

전자 차폐층(21)-피성형 재료 사이의 접착력이 지나치게 약한 경우에는 제2 접착력 조정층을 형성하고, 전자 차폐층-제2 접착력 조정층 및 제2 접착력 조정층-피성형 재료 사이의 접착력을 강하게 함으로써, 전자 차폐층이 수지 성형품에 확실하게 전사된다.

또한, 도 5에서는 전자 차폐층(21)이 기재(20) 상에 직접 형성되어 있지만, 기재와 전자 차폐층 사이에 착색층(22)이나 제1 접착력 조정층(23)을 형성해도 된다.

본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다.

예를 들면, 제2 실시형태에서의 착색층(22)은 일부를 착색하고 나머지 부분을 무색으로 하거나, 혹은 일부의 색을 바꾸고, 로고 마크 등을 전사해도 된다. 또한, 예를 들면, 이형 필름(10∼13)은 반도체 패키지의 방열을 위한 방열층을 갖고 있고, 수지 성형품에 전사해도 된다.

10∼13: 이형 필름
15: 제1 표면
16: 제2 표면
20: 기재
21: 전자 차폐층
22: 착색층
23: 제1 접착력 조정층
24: 제2 접착력 조정층
30: 기판
31: 반도체 소자
32: 상금형
33, 34: 하금형
35: 에폭시 수지

Claims (10)

1. 수지 성형에 사용하는 이형 필름으로서,
   금형과의 이형성을 갖고, 제1 표면을 구성하는 기재와,
   상기 기재 상에 직접 또는 간접적으로 형성되고, 수지 성형품에 전사되는 전자 차폐층을 갖는, 이형 필름.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재가 불소 수지 또는 2축 배향된 신디오택틱 폴리스티렌계 수지로 이루어지는, 이형 필름.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 전자 차폐층이 금, 은, 구리, 알루미늄, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속으로 이루어지는, 이형 필름.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 전자 차폐층이 진공 증착법 또는 스퍼터법에 의해 형성된 금속막인, 이형 필름.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 기재와 상기 전자 차폐층 사이에 제1 접착력 조정층을 갖는, 이형 필름.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제1 표면의 반대측의 면인 제2 표면을 구성하는 제2 접착력 조정층을 갖는, 이형 필름.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 기재와 상기 전자 차폐층 사이에, 상기 전자 차폐층과 함께 수지 성형품에 전사되는 착색층을 갖는, 이형 필름.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 수지가 에폭시 수지인, 이형 필름.
9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 수지 성형품이 반도체 패키지인, 이형 필름.
10. 수지 성형에 사용하는 이형 필름의 제조 방법으로서,
    금형과의 이형성을 갖는 기재를 준비하는 공정과,
    상기 기재 표면에 직접 또는 간접적으로 수지 성형품에 전사되는 전자 차폐층을 형성하는 공정을 갖는, 이형 필름 제조 방법.

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