JPWO2019235556A1 - 離型フィルムおよび離型フィルム製造方法 - Google Patents

Abstract

［課題］樹脂成形時に樹脂成形品の表面に電磁遮蔽層を転写可能な離型フィルムを提供する。［解決手段］樹脂成形に用いる離型フィルムであって、金型との離型性を有し、第１表面（１５）を構成する基材（２０）と、前記基材上に直接または間接に形成され、樹脂成形品に転写される電磁遮蔽層（２１）とを有する離型フィルム（１０）。

Description

本発明は樹脂成形時に用いる離型フィルムに関する。

半導体パッケージ等の樹脂成形品を製造する際に、成形金型や成形ロールと被成形材料とが融着しないように、離型フィルムが用いられることがある。例えば半導体素子は、外気や外力から保護するために、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で封止して半導体パッケージに成形される。その際、金型の表面（キャビティ面）に離型フィルムを配置した状態で、ワークがセットされたキャビティ内に溶融樹脂を射出したり、キャビティに液状または顆粒状の樹脂を入れて溶融した後にワークを浸し入れて圧着したりして、樹脂が成形される。

離型フィルムとしては、表面張力が小さく離型性の高いフッ素樹脂やシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）系樹脂のフィルムが多く用いられる。特許文献１〜９には、二軸配向したＳＰＳ系樹脂からなる離型フィルムが記載されている。また特許文献８には、後の工程で樹脂成形品の表面が研磨されることを前提に、少なくとも一部が樹脂成形品に転写される仮転写層を表面に設けた離型フィルムが記載されている。これにより、被成形材料の接着性が極めて高い場合でも、離型フィルムの全体が樹脂成形品に付着することがなく、樹脂成形品表面に転写した仮転写層は後の工程で研磨、除去される。

特開２０１３−１４６９０２号公報 特開２０１３−２１５９８９号公報 特開２０１３−２１６７７９号公報 特開２０１５−０２１０１７号公報 国際公開第２０１５／００８７５９号 特開２０１６−０００４６７号公報 特開２０１６−０００４６８号公報 特開２０１８−００１６２６号公報 特開２０１８−０８０２６１号公報

近年、電子機器の小型・高性能化に伴い、半導体デバイスが発するノイズによる電磁干渉が問題となっている。この問題に対して、電子部品全体を金属板で囲うのでは小型化に限界があることから、個々の半導体パッケージの表面に電磁遮蔽層を形成することが行われている。しかし、リード端子間やはんだボール端子間を短絡させずに、微小な半導体パッケージの表面に電磁遮蔽層を形成することは容易ではなく、コストのかかる工程であった。

本発明は、上記を考慮してなされたものであり、樹脂成形時に樹脂成形品の表面に電磁遮蔽層を転写可能な離型フィルムを提供することを目的とする。

本発明の離型フィルムは、樹脂成形に用いる離型フィルムであって、金型との離型性を有し、第１表面を構成する基材と、前記基材上に直接または間接に形成され、樹脂成形品に転写される電磁遮蔽層とを有する。

ここで、電磁遮蔽層が基材上に直接形成されるとは、電磁遮蔽層が基材表面に直に接して形成されることをいう。電磁遮蔽層が基材上に間接に形成されるとは、電磁遮蔽層が基材との間に他の層を挟んで形成されることをいう。電磁遮蔽層が樹脂成形品に転写されるとは、電磁遮蔽層が基材と分離して樹脂成形品上に移動することをいう。

この構成により、樹脂成形時に樹脂成形品の表面に電磁遮蔽層を転写できる。

好ましくは、前記基材がフッ素樹脂または二軸配向されたシンジオタクチックポリスチレン系樹脂からなる。フッ素樹脂とは構造中にフッ素原子を含む樹脂をいう。また、シンジオタクチックポリスチレン系樹脂とはシンジオタクチック構造を有するスチレン系ポリマーをいう。これにより、１７５℃程度の高温での樹脂成形に用いても、金型との優れた離型性が得られる。また、これにより、後述する第１接着力調整層および第２接着力調整層を省くことが容易となり、離型フィルムを低コストで提供できる。

好ましくは、前記電磁遮蔽層が金、銀、銅、アルミニウム、鉄、ニッケルからなる群から選ばれる１種以上の金属からなる。これらの金属を用いることによって、電磁遮蔽層を薄くしても十分な電磁遮蔽性能が得られる。

好ましくは、前記電磁遮蔽層が真空蒸着法またはスパッタ法により形成された金属膜である。これらの方法で形成された金属膜を用いることにより、電磁遮蔽層を薄くしても十分な電磁遮蔽性能が得られる。

上記離型フィルムは、前記基材と前記電磁遮蔽層の間に第１接着力調整層を有していてもよい。また、上記離型フィルムは、前記第１表面の反対側の面である第２表面を構成する第２接着力調整層を有していてもよい。基材−電磁遮蔽層間および／または電磁遮蔽層−被成形材料間の接着力を調整することにより、基材および電磁遮蔽層を構成する材料の選択の幅が広がる。

上記離型フィルムは、前記基材と前記電磁遮蔽層の間に、該電磁遮蔽層とともに樹脂成形品に転写される着色層を有していてもよい。これにより、樹脂成形品の表面を別工程として着色する工程を省略できる。

好ましくは、成形される前記樹脂がエポキシ樹脂である。また、好ましくは、前記樹脂成形品が半導体パッケージである。上記離型フィルムは、これらの用途に特に適している。

本発明の離型フィルム製造方法は、樹脂成形に用いる離型フィルムの製造方法であって、金型との離型性を有する基材を準備する工程と、前記基材表面に直接または間接に、樹脂成形品に転写される電磁遮蔽層を形成する工程とを有する。

本発明の離型フィルムによれば、樹脂成形時に樹脂成形品の表面に電磁遮蔽層を転写することができる。これにより、樹脂成形品の表面に電磁遮蔽層を設けるための追加の工程が不要となり、コストが削減できる。本発明の離型フィルム製造方法によって製造された離型フィルムによっても同じ効果が得られる。

本発明の第１実施形態の離型フィルムの層構成を示す図である。 本発明の第１実施形態の離型フィルムを用いた半導体封止方法を説明するための図である。 本発明の第２実施形態の離型フィルムの層構成を示す図である。 本発明の第３実施形態の離型フィルムの層構成を示す図である。 本発明の第４実施形態の離型フィルムの層構成を示す図である。

本発明の離型フィルムの第１実施形態を図１および図２に基づいて説明する。

図１を参照して、本実施形態の離型フィルム１０は、第１表面１５を構成する基材２０と、基材上に直接形成されて第２表面１６を構成する電磁遮蔽層２１からなる。樹脂成形時には第１表面が金型に接して配置され、第２表面が被成形材料に接する。基材は金型との離型性を有する。電磁遮蔽層は樹脂成形品の脱型時に基材と分離して樹脂成形品に転写される。

基材２０は、好ましくはフッ素樹脂または二軸配向されたシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）系樹脂からなる。フッ素樹脂とは構造中にフッ素原子を含む樹脂をいう。フッ素樹脂の例としては、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）などが挙げられる。

基材２０は、より好ましくはＳＰＳ系樹脂からなる。ＳＰＳ系樹脂は、シンジオタクチック構造を有するスチレン系ポリマーである。スチレン系ポリマーの種類としては、ポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これらの水素化重合体等及びこれらの混合物、又はこれらを主成分とする共重合体が挙げられる。ポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチレン）、ポリ（ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）等が挙げられる。ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）等が挙げられる。ポリ（ハロゲン化アルキルスチレン）としては、ポリ（クロロメチルスチレン）等が挙げられる。ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等が挙げられる。

ＳＰＳ系樹脂の重量平均分子量は、１０，０００〜３，０００，０００、好ましくは３０，０００〜１，５００，０００、特に好ましくは５０，０００〜５００，０００である。ＳＰＳ系樹脂のガラス転移温度は６０〜１４０℃、好ましくは７０〜１３０℃である。ＳＰＳ系樹脂の融点は２００〜３２０℃、好ましくは２２０〜２８０℃である。本明細書中、樹脂のガラス転移温度および融点はＪＩＳＫ７１２１に従って測定された値を用いている。

ＳＰＳ系樹脂は市販品として入手することもできるし、公知の方法によって製造することもできる。市販品の例としては、出光興産株式会社製「ザレック」（１４２ＺＥ、３００ＺＣ、１３０ＺＣ、９０ＺＣ、６０ＺＣ）などが挙げられる。

ＳＰＳ系樹脂は、タクティシティー、種類、ガラス転移温度、融点などが異なる２種類以上のＳＰＳ系樹脂を混合したものであってもよい。

また、ＳＰＳ系樹脂の特徴である耐熱性、低表面張力、機械強度などに実用上の悪影響を与えない範囲で、他の樹脂を含有してもよい。例えば、特許文献６および７に開示されているように、表面性状等の調整のために、ポリカーボネートやスチレン系熱可塑性エラストマーを含有していてもよい。他の樹脂を含有する場合でも、フィルム中の全樹脂成分に占めるＳＰＳ系樹脂の割合は、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、最も好ましくは７５重量％以上である。

ＳＰＳ系樹脂は、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、帯電防止剤、無機フィラー、着色剤、結晶核剤、難燃剤等の添加剤を含有してもよい。例えば、炭化水素樹脂、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪アルコール、脂肪酸と多価アルコールの部分エステル、複合系滑剤等の滑剤を、ＳＰＳ系樹脂に対して０．０２〜１．０重量％添加することにより、基材２０の離型性をさらに向上させることができる。また、例えば、フェノール系、リン系、硫黄系等の酸化防止剤をＳＰＳ系樹脂に対して０．０２〜１．０重量％添加することにより、基材２０の熱安定性をさらに向上させることができる。また、例えば、特許文献９に開示されているように、適切な粒径の球状フィラーを適量添加することにより、表面に粗面化することができる。

基材２０のＳＰＳ系樹脂は二軸配向されている。これにより、ガラス転移温度の上昇、高温での寸法安定性の向上、引張強度や引張伸度の向上などがもたらされる。

基材２０の厚さは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上である。基材が薄すぎるとシワや破れが発生しやすくなるからである。一方、基材の厚さは、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下である。基材が厚すぎると、金型表面の凹凸形状に十分に追従せず、樹脂成形品への良好な付形が行われないからであり、原料コストも増加するからである。

電磁遮蔽層２１は、樹脂成形品に転写されて、電磁波を反射または吸収することにより遮蔽する。電磁遮蔽層による電磁波の減衰量は、用途に応じて要求性能が異なるが、半導体パッケージの場合には、１０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの電磁波に対して、好ましくは２０ｄＢ（電力で１／１００）以上であり、より好ましくは３０ｄＢ（同１／１，０００）以上である。

電磁遮蔽層２１には、各種の導電性の材料を用いることができる。導電性の材料としては、各種金属、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）などの導電性酸化物、カーボン、導電性フィラーを配合した導電性樹脂コーティング剤などが挙げられる。電磁遮蔽層は導電率と比誘電率の比が大きいほど電磁波の反射損失量が大きく、電磁遮蔽性能が高くなる。また、電磁遮蔽層の導電率と比誘電率の積が大きいほど、電磁波の吸収損失量が大きく、電磁遮蔽性能が高くなる。このことから、電磁遮蔽層は好ましくは金属からなり、より好ましくは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）からなる群から選ばれる１種以上の金属からなる。電磁遮蔽層を薄くしても十分な電磁遮蔽性能が得られ、金型表面の凹凸形状への追従性を高められるからである。

電磁遮蔽層２１は単一の層であってもよいし、複数の層からなっていてもよい。例えば、基材２０側からＮｉ、Ｃｕの順に積層して電磁遮蔽層を形成すると、樹脂成形品表面に転写されたときにＣｕ層をＮｉ層が覆うことになり、Ｃｕの酸化による電磁遮蔽性能の低下を防止できる。また、電磁遮蔽層を構成する各層が金属からなる場合、各層は純金属からなっていても合金からなっていてもよい。

電磁遮蔽層２１が金属からなる場合、電磁遮蔽層の厚さは、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。電磁遮蔽層が厚すぎると、金型表面の凹凸形状への追従性が低下するからである。一方、電磁遮蔽層が薄すぎると十分な電磁遮蔽性能が得られない。電磁遮蔽層がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉまたはこれらの合金からなる場合、電磁遮蔽層の厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上である。電磁遮蔽層が他の金属からなる場合、電磁遮蔽層の厚さは、好ましくは２００ｎｍ以上である。

電磁遮蔽層２１が金属からなる場合、電磁遮蔽層は好ましくは真空蒸着法またはスパッタ法により形成された金属膜である。これらの方法で形成された金属膜は薄膜であっても良好な導電性が得られるからである。その理由は必ずしも明らかではないが、他の方法、例えばゾルゲル法による金属膜との結晶性の違いによるものと考えられる。

離型フィルム１０は所要の耐熱性を有する。すなわち、離型フィルムは使用温度で溶融、軟化または脆化せず、かつ使用時に十分な寸法安定性を有する。寸法安定性が十分でないと、離型フィルムが金型成形面の凹凸形状に十分に追随せず、金型成形面による良好な付形が行われないからである。寸法安定性の一つの指標は熱収縮率である。

離型フィルム１０の熱収縮率は、試験片を所定温度で所定時間放置したときの寸法変化である。本明細書中の熱収縮率は、次のようにして求めた。試験片（１４０ｍｍ×１４０ｍｍのフィルム）上に、ＭＤに平行な３本の直線とＴＤに平行な３本の直線を、互いに向きの異なる直線同士がすべて直交するように描いて、長さ１００ｍｍの線分を各方向に３本ずつ形成した。この試験片を、標準状態（温度２３℃×相対湿度５０％）に２時間放置し、その後試験前の線分の長さを測定した。続いて１７５℃の雰囲気に設定された熱風循環式オーブン内で一角を支持した宙吊り状態にて３０分間放置した後、取り出して、標準状態に２時間放置冷却した。その後各方向の線分の長さを測定し、試験前の長さからの変化量を求め、当該試験前の長さに対する変化量の割合として熱収縮率を求めた。熱収縮率の値は正の値が収縮を意味し、負の値が膨張を意味する。離型フィルムの１７５℃における熱収縮率は、ＭＤおよびＴＤにおいて、好ましくは８％以下である。一方、離型フィルムの１７５℃における熱収縮率は、ＭＤおよびＴＤにおいて、好ましくは０％以上である。また、熱収縮率のＭＤとＴＤとの差の絶対値は、好ましくは４％以下である。

さらに、離型フィルム１０は十分に伸びる必要がある。伸び性が十分でないと、離型フィルムが金型成形面の凹凸に十分に追随せず、金型成形面による良好な付形が行われないからである。伸び性の指標は引張伸度である。ここで引張伸度とは、ＪＩＳＫ７１２７：１９９９に規定された引張試験（試験片タイプ２、試験速度２００ｍｍ／分）における引張破壊ひずみ（降伏を伴わない場合）または引張破壊呼びひずみ（降伏を伴う場合）のことをいう。フィルムがＳＰＳからなるときは、引張試験において降伏を伴うので、引張伸度は引張破壊呼びひずみのことをいう。

離型フィルム１０の引張伸度は、常温（２３±２℃、相対湿度５０±１０％）において、ＭＤおよびＴＤのいずれにおいても、好ましくは１０％以上であり、より好ましくは１５％以上である。常温での引張伸度が小さすぎると、ハンドリング時にフィルムが破損しやすいからである。一方、離型フィルム１０の引張伸度が大きすぎても特に問題はないが、基材２０がＳＰＳ系樹脂からなる場合は、通常は２００％を超えることはない。

離型フィルム１０の引張伸度は、１７５℃において、ＭＤおよびＴＤのいずれにおいても、好ましくは４０％以上であり、より好ましくは６０％以上であり、特に好ましくは８０％以上である。１７５℃での引張伸度が小さすぎると、半導体素子の封止工程で、金型表面の凹凸形状に十分に追従せず、樹脂成形品への良好な付形が行われないからである。一方、離型フィルム１０の１７５℃での引張伸度が大きすぎても特に問題はないが、基材２０がＳＰＳ系樹脂からなる場合は、通常は３００％を超えることはない。

離型フィルム１０の第１表面１５および第２表面１６の表面粗さは特に限定されず、樹脂成形品に求められる表面性状に応じて、ミラー面またはマット面とすることができる。

次に本実施形態の離型フィルム１０の製造方法を説明する。

まず基材２０を準備する。基材は市販のフィルムを用いてもよいし、公知の方法によって製造してもよい。

基材２０がＳＰＳ系樹脂からなる場合は、ＳＰＳ系樹脂と滑剤、酸化防止剤その他の材料を混合し、溶融・混練し、Ｔダイより押し出して前駆体フィルムを製造した後、得られた前駆体フィルムをＭＤおよびＴＤに二軸延伸することで製造できる。二軸延伸工程によって基材が二軸配向し、ＳＰＳ系樹脂が結晶化し、基材のガラス転移温度が上昇して耐熱性が向上し、機械的強度が向上する。延伸方式は、逐次二軸延伸方式でも同時二軸延伸方式でもよい。延伸は所望の耐熱寸法安定性や機械的特性等を得るのに適当な条件を選択して行う。延伸温度は、基材を構成するポリマー成分のガラス転移温度をＴｇとして、好ましくはＴｇ＋０〜Ｔｇ＋３０℃である。延伸倍率は好ましくは２．０〜５．０倍である。

基材２０がＳＰＳ系樹脂からなる場合、二軸延伸工程後に熱固定処理をすることが好ましい。熱固定は、延伸フィルムを延伸温度以上の温度で保持することにより、ポリマー分子の配向を固定する処理である。熱処理温度、時間、弛緩倍率は、所望の熱収縮率等を得るのに適当な条件を選択することができる。熱処理温度は、基材を構成するポリマー成分の融点をＴｍ（℃）として、好ましくは、ガラス転移温度Ｔｇ＋７０℃以上で、Ｔｍ以下である。

電磁遮蔽層２１は、基材上に導電性材料を成膜することで形成できる。成膜方法は導電性材料に適した方法を選択する。導電性材料が金属である場合は、好ましくは真空蒸着法またはスパッタ法によって成膜できる。

離型フィルム１０の第１表面１５をマット調に形成する場合は、基材２０の当該表面をマット調に形成すればよい。また、離型フィルムの第２表面１６をマット調に形成する場合も、基材の電磁遮蔽層２１側の表面をマット調に形成しておけば、電磁遮蔽層が薄いため、第２表面にマット調が現れる。基材表面をマット調に形成するには、例えば、基材を作製した後に、表面をマット調に彫刻した金属ロールに圧着させて、ロール表面の凹凸形状を基材表面に転写することができる。あるいは、特許文献６、７または９に記載されたように、ＳＰＳ系樹脂に適切な他の樹脂またはフィラーを配合して基材２０を作製してもよい。

次に、本実施形態の離型フィルム１０の使用方法の一例として、コンプレッション成形法による半導体パッケージの封止工程を説明する。

図２を参照して、成形金型は下型３３、３４および上型３２からなる。上型には基板３０と半導体素子３１が固定されている。成形金型の下型３３、３４上のキャビティ面に、離型フィルム１０を第１表面１５を金型側にして配置し、真空吸引等によって固定する。離型フィルムの第２表面１６上に、顆粒状のエポキシ樹脂を充填する。エポキシ樹脂を加熱して溶融し、下型３３、３４を上昇させて半導体素子３１を浸し入れる。下型３４をさらに上昇させてエポキシ樹脂を圧縮成形する。樹脂成形品を脱型すると、離型フィルム１０の基材２０は下型３３、３４上に残り、電磁遮蔽層２１は樹脂成形品表面に転写されて樹脂成形品の下面および側面を被覆する。その後、基板および樹脂を切断して、複数の半導体素子３１を個片に分離する。

本実施形態の離型フィルム１０では、基材２０としてフッ素樹脂またはＳＰＳ系樹脂を利用することにより、基材と電磁遮蔽層２１からなる２層構成とすることができる。基材が金型との離型性を有し、かつ、基材と電磁遮蔽層との間の接着力が強すぎず、電磁遮蔽層と接着性の高いエポキシ樹脂との間の接着力より弱いからである。これにより、後述する第１接着力調整層および第２接着力調整層を省いて、低コストで離型フィルムを提供できる。

次に、本発明の第２実施形態の離型フィルムを、図３に基づいて説明する。本実施形態の離型フィルムは、基材と電磁遮蔽層の間に着色層を有する点で第１実施形態の離型フィルムと異なる。

図３を参照して、本実施形態の離型フィルム１１は、第１表面１５を構成する基材２０と、基材上に形成された着色層２２と、着色層上に形成されて第２表面１６を構成する電磁遮蔽層２１からなる。電磁遮蔽層は基材上に間接に形成されている。樹脂成形時には第１表面が金型に接して配置され、第２表面が被成形材料に接する。電磁遮蔽層および着色層は樹脂成形品の脱型時に基材と分離して樹脂成形品に転写される。

着色層２２の材料や形成方法は特に限定されず、例えば、顔料等を含むポリエステル、ウレタン、アクリル、エポキシ、フェノール、シリコーン、メラミン系等の樹脂、またはこれらの混合物を、基材２０表面にコーティングすることによって形成できる。基材２０および電磁遮蔽層２１は、第１実施形態のそれと同じである。

離型フィルム１１を用いると、樹脂成形時に樹脂成形品表面に転写された電磁遮蔽層を着色層が覆うことになる。離型フィルム１１は、例えば電磁遮蔽層２１の金属光沢が消費者に好まれない場合などに、樹脂成形品の外観を調整する効果を有する。また、着色層２２に無機フィラー等を含有させて、着色層が耐摩耗性を有するハードコート層を兼ねるようにしてもよい。

次に、本発明の第３実施形態の離型フィルムを、図４に基づいて説明する。本実施形態の離型フィルムは、基材と電磁遮蔽層の間に接着力を調整する層を有する点で第１実施形態の離型フィルムと異なる。

図４を参照して、本実施形態の離型フィルム１２は、第１表面１５を構成する基材２０と、基材上に形成された第１接着力調整層２３と、第１接着力調整層上に形成されて第２表面１６を構成する電磁遮蔽層２１からなる。電磁遮蔽層は基材上に間接に形成されている。樹脂成形時には第１表面が金型に接して配置され、第２表面が被成形材料に接する。樹脂成形品の脱型時に、電磁遮蔽層は樹脂成形品に転写され、第１接着力調整層は基材側に残る。

第１接着力調整層２３の材料や形成方法は特に限定されず、適当な接着性を有する樹脂を基材２０表面にコーティングすることによって形成できる。第１接着力調整層を構成する樹脂としては、例えば、シリコーン、フッ素、アルキド系等の樹脂を用いることができる。基材２０および電磁遮蔽層２１は、第１実施形態のそれと同じである。

樹脂成形時に基材２０が金型上に残り、電磁遮蔽層２１が樹脂成形品に転写されるためには、基材−電磁遮蔽層間の接着力より、電磁遮蔽層−被成形材料間の接着力が強い必要がある。基材や電磁遮蔽層の材質によって、基材−電磁遮蔽層間の接着力が強すぎる場合は、第１接着力調整層を設け、第１接着力調整層−電磁遮蔽層間の接着力を弱めることで、電磁遮蔽層が樹脂成形品に確実に転写される。また、基材や電磁遮蔽層の材質によって、離型フィルムとして一体化できない程に基材−電磁遮蔽層間の接着力が弱すぎる場合は、第１接着力調整層を設け、基材−第１接着力調整層−電磁遮蔽層を一体化できる。

なお、基材２０と電磁遮蔽層２１の間に着色層２２が存在する場合は、第１接着力調整層２３は基材と着色層の間に設ける。

次に、本発明の第４実施形態の離型フィルムを、図５に基づいて説明する。本実施形態の離型フィルムは、電磁遮蔽層の上に接着力を調整する層を有する点で第１実施形態の離型フィルムと異なる。

図５を参照して、本実施形態の離型フィルム１３は、第１表面１５を構成する基材２０と、基材上に形成された電磁遮蔽層２１と、電磁遮蔽層上に形成されて第２表面１６を構成する第２接着力調整層２４からなる。樹脂成形時には第１表面が金型に接して配置され、第２表面が被成形材料に接する。第２接着力調整層および電磁遮蔽層は樹脂成形品の脱型時に基材と分離して樹脂成形品に転写される。

第２接着力調整層２４の材料や形成方法は特に限定されず、適当な接着性を有する樹脂を電磁遮蔽層２１表面にコーティングすることによって形成できる。第２接着力調整層を構成する樹脂としては、例えば、エポキシ、ポリエステル、アクリル、ウレタン、フェノール、メラミン系等の樹脂を用いることができる。基材２０および電磁遮蔽層２１は、第１実施形態のそれと同じである。

電磁遮蔽層２１−被成形材料間の接着力が弱すぎる場合は、第２接着力調整層を設け、電磁遮蔽層−第２接着力調整層、および第２接着力調整層−被成形材料間の接着力を強めることで、電磁遮蔽層が樹脂成形品に確実に転写される。

なお、図５では、電磁遮蔽層２１が基材２０上に直接に形成されているが、基材と電磁遮蔽層の間に、着色層２２や第１接着力調整層２３を設けてもよい。

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。

例えば、第２実施形態における着色層２２は、一部を着色し残りの部分を無色として、あるいは一部の色を変えて、ロゴマーク等を転写してもよい。また、例えば、離型フィルム１０〜１３は、半導体パッケージの放熱のための放熱層を有していて、樹脂成形品に転写してもよい。

１０〜１３ 離型フィルム
１５ 第１表面
１６ 第２表面
２０ 基材
２１ 電磁遮蔽層
２２ 着色層
２３ 第１接着力調整層
２４ 第２接着力調整層
３０ 基板
３１ 半導体素子
３２ 上金型
３３、３４ 下金型
３５ エポキシ樹脂

Claims (10)

1. 樹脂成形に用いる離型フィルムであって、
   金型との離型性を有し、第１表面を構成する基材と、
   前記基材上に直接または間接に形成され、樹脂成形品に転写される電磁遮蔽層と、
   を有する離型フィルム。
2. 前記基材がフッ素樹脂または二軸配向されたシンジオタクチックポリスチレン系樹脂からなる、
   請求項１に記載の離型フィルム。
3. 前記電磁遮蔽層が金、銀、銅、アルミニウム、鉄、ニッケルからなる群から選ばれる１種以上の金属からなる、
   請求項１または２に記載の離型フィルム。
4. 前記電磁遮蔽層が真空蒸着法またはスパッタ法により形成された金属膜である、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の離型フィルム。
5. 前記基材と前記電磁遮蔽層の間に第１接着力調整層を有する、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の離型フィルム。
6. 前記第１表面の反対側の面である第２表面を構成する第２接着力調整層を有する、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の離型フィルム。
7. 前記基材と前記電磁遮蔽層の間に、該電磁遮蔽層とともに樹脂成形品に転写される着色層を有する、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の離型フィルム。
8. 前記樹脂がエポキシ樹脂である、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の離型フィルム。
9. 前記樹脂成形品が半導体パッケージである、
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の離型フィルム。
10. 樹脂成形に用いる離型フィルムの製造方法であって、
    金型との離型性を有する基材を準備する工程と、
    前記基材表面に直接または間接に、樹脂成形品に転写される電磁遮蔽層を形成する工程と、
    を有する離型フィルム製造方法。

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