TWI671329B

TWI671329B - 二軸配向聚酯薄膜

Info

Publication number: TWI671329B
Application number: TW104136874A
Authority: TW
Inventors: 森本晋太; 渡邊真哉
Original assignee: 日商帝人都朋軟片股份有限公司
Priority date: 2014-11-19
Filing date: 2015-11-09
Publication date: 2019-09-11
Also published as: KR20230079513A; KR20170088828A; CN107073916A; WO2016080174A1; TW201634521A

Abstract

本發明提供一種二軸配向聚酯薄膜，其於將電磁波遮蔽薄膜等之轉印薄膜轉印於FPC或模型等之構件時，可較好地作為支撐薄膜用，其可對表面賦予良好之消光外觀同時轉印後之支撐薄膜剝離性優異。亦即，可藉由二軸配向聚酯薄膜達成，其係具有基材層與含有粒子之消光層之層合聚酯薄膜，且消光層表面之中心線平均粗糙度為400~1000nm，10點平均粗糙度為4000~8000nm，該表面之光澤度(G₆₀)為6~20，且表面突起之破孔率為20%以下。

Description

二軸配向聚酯薄膜

本發明係關於作為將電磁波遮蔽薄膜轉印於可撓印刷電路或模組等時使用之支撐薄膜而特別適用之二軸配向聚酯薄膜者。更詳言之，係關於與該轉印之同時亦轉印支撐薄膜表面之凹凸形狀，而適於對電磁波遮蔽薄膜表面賦予非光澤面之消光之二軸配向聚酯薄膜者。

過去，包含如個人電腦之事務機器、如行動電話之通訊機器及醫療機器之電子機器，或內建其之各種機器中，為了吸收自附近產生之電磁波、抑制誤動作；接點之誤接觸；雜訊等之障礙，已知以電磁波遮蔽薄膜予以被覆，近年來，係進行於支撐薄膜上形成電磁波遮蔽薄膜(例如，將保護層、電磁波遮蔽層依順序層合之電磁波遮蔽薄膜)、且將其藉高溫壓著於各種機器表面而轉印電磁波遮蔽薄膜(例如，專利文獻1、2)。

且，過去之轉印型之電磁波遮蔽薄膜為了獲得透明之成品外觀而使用平坦之支撐薄膜，但近年來，針對具有消光外觀之成品之表面外觀亦已嘗試使用轉印法進行賦予。伴隨此，而特別要求具備消光層，且消光外觀轉印性優異之支撐薄膜。

另一方面，針對具備消光層之薄膜，專利文獻3中揭示成形性、厚斑、耐熱性優異之成形用消光層合聚酯薄膜。然而，並沒有對作為電磁波遮蔽薄膜轉印用等之支撐薄膜進行檢討，而且作為通常之成形加工用即使已充分，但作為轉印用之支撐薄膜則尚不充分。

又，專利文獻4中揭示具有良好消光性與透明性之二軸延伸共擠出消光聚酯薄膜，且揭示於層合薄膜之單面添加1~10重量%之粒徑2~5μm之粒子。然而，具體例示之薄膜光澤度(G₆₀)為50~70左右，且對檢討作為轉印加工之支撐薄膜使用。

專利文獻1：日本特開2004-95566號公報

專利文獻2：日本特開2009-38278號公報

專利文獻3：日本特開平4-110147號公報

專利文獻4：日本特開2002-200723號公報

近年來，將電磁波遮蔽薄膜轉印於可撓印刷電路(FPC)或模組時，為提高生產效率，而以更高溫高速進行轉印加工處理。然而，該轉印條件中，如上述之以往之支撐薄膜容易發生薄膜光澤度降低及剝離時支撐箔膜斷裂之剝離性之問題。再者，為了提高支撐薄膜之辨識性而進行白色著色時，更易於使基材薄膜斷裂。

本發明係鑑於上述而完成者，其目的係提供一種將電磁波遮蔽薄膜轉印於FPC或模組等之構件時，可對表面賦予比過去更良好之消光外觀同時轉印後之支撐薄膜剝離時亦難以產生斷裂等問題之特別適於作為電磁波遮蔽薄膜轉印用之支撐薄膜之二軸配向聚酯薄膜。再者，較好提供辨識性良好之二軸配向聚酯薄膜。

本發明人等為解決該課題而積極檢討之結果，發現藉由轉印法對電磁波遮蔽薄膜賦予消光外觀性時，於以往欲進一步賦予無光澤之消光外觀而增大支撐薄膜中之粒徑並增加粒子含量時，轉印後之支撐薄膜剝離性產生問題，而且該問題可藉由抑制消光層所用之粒子朝薄膜消光層表面之露出而獲得改善，進而重複檢討之結果終於完成本發明。

依據本發明係提供：

「1.一種二軸配向聚酯薄膜，其特徵為具有基材層與在至少一面含有粒子之消光層之層合聚酯薄膜，且該消光層表面之中心線平均粗糙度(Ra)為400~1000nm，10點平均粗糙度(Rz)為4000~8000nm，該表面之光澤度(G₆₀)為6~20，且表面突起之破孔率為20%以下。

2.如上述1之二軸配向聚酯薄膜，其中基材層之色相L值為60~80。

3.如上述1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中該消光層表面之表觀之表面能量為60dyn/cm以下。

4.如上述1~3中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其中構成消光層之聚酯係以聚對苯二甲酸乙二酯作為主成分，且含有選自聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯及聚對苯二甲酸(環伸己基二亞甲基)酯之群中至少1種。

5.上述1至4中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其中消光層中之粒子之平均粒徑為2.5~5.5μm，且含量為5~18質量%。

6.如上述1至5中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其中消光層中之粒子為不定形氧化矽或合成沸石。

7.如上述1至6中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其中構成基材層之聚酯之主要成分為聚對苯二甲酸乙二酯。

8.如上述7之二軸配向聚酯薄膜，其中構成基材層之聚酯之固有黏度為0.56~0.70dl/g。

9.如上述1至8中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其中基材層之粒子含量，將基材層質量作為基準，為3.0質量%以下。

10.如上述1至9中任一項之二軸配向聚酯薄膜，其係作為電磁波遮蔽薄膜轉印用之支撐薄膜使用。」

依據本發明，將於消光層表面形成之電磁波遮蔽薄膜等之轉印薄膜轉印於FPC或模組等之構件時，可對構件表面賦予良好之消光外觀同時轉印後支撐薄膜剝離時亦難以產生斷裂等剝離性降低之二軸配向聚酯薄膜。再者，可較好地提供辨識性良好之二軸配向聚酯薄膜。

以下，針對本發明詳細說明。

〈二軸配向聚酯薄膜〉

本發明之二軸配向聚酯薄膜係具有基材層與於至少一面之含有粒子之消光層之層合聚酯薄膜。藉由具有消光層與基材層，可在安定的製膜性下獲得後述之表面粗糙度及光澤度。無基材層而僅有含有粒子之單層時難以同時滿足表面粗糙度及光澤度與安定的製膜性。

(消光層)

佔據層合聚酯薄膜之至少一面之消光層係由含有用以於表面形成凹凸之粒子(凹凸形成性粒子)之聚酯所成，但基於使後述之表面突起之破孔率為20%以下之觀點，較好為含有粒子之聚酯之延伸性良好之共聚合聚酯或熔融混合複數之聚酯而成之聚酯組成物，最好為主成分與後述之基材層所用之聚酯相同者。亦即，例如基材層之聚酯之主成分為對苯二甲酸乙二酯時，消光層之聚酯較好為聚對苯二甲酸乙二酯系共聚合聚酯、或以聚對苯二甲酸乙二酯為主成分之聚酯組成物。其中，作為聚酯組成物之附屬成分較好為自聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸(環伸己基二亞甲基)酯之群選出之至少1種。

且，消光層中之粒子之平均粒徑較好為2.5~5.5μm，其含量以消光層之質量為基準較好為5~18質量%。再者，消光層中含有之粒子之最大粒徑較好為16μm以下。藉由成為該樣態，一方面獲得充分之消光外觀，一方面易成為轉印步驟之剝離性優異者。

消光層中之粒子含量未達下限值時，有難以獲得上述光澤度之傾向，另一方面，超過上限值時，不僅有轉印步驟之高溫壓著後之剝離性改善效果變低之傾向，且有製膜性下降且容易產生破裂等之薄膜製膜本身變困難之傾向。基於該等觀點，粒子之含量較好為7質量%以上，更好為10質量%以上，且較好為16質量%以下，更好為14質量%以下。

粒子之平均粒徑較好為3.0~5.5μm，更好為3.0~5.3μm。粒子之平均粒徑未達下限時，降低光澤度之效果下降，且有為了降低光澤度而進一步增加粒子之添加量，而使轉印步驟之剝離性改善效果變低之傾向。另一方面，粒子之平均粒徑超過上限值時，不僅有剝離性改善效果變低之傾向，且有薄膜之製膜性亦變差之傾向。

又，粒子之最大粒徑較好為15μm以下，更好為12μm以下。又，此處所謂最大粒徑為累積粒徑分佈曲線之98%時之粒徑(d₉₈)。

消光層所用之粒子較好藉由TG-DTA法在300℃之重量變化為3.0%以下，更好為1.5~3.0%。又，此處所稱之粒子之重量變化具體而言係以TG-DTA裝置，自30℃以升溫速度10℃/分鐘升溫至500℃時，測定300℃下之重量變化者。該重量變化超過上限值時，聚酯薄膜之製造步驟或電磁波遮蔽薄膜之轉印步驟中引起發泡，會有分子量降低且薄膜之製膜性或耐熱性降低之情況，尤其是含大量粒子時有使薄膜之製膜性或耐熱性顯著降低之情況。

粒子種類可為無機粒子、有機粒子之任一者，例示為不定形氧化矽(膠體氧化矽)、氧化矽、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、硫酸鈣、硫酸鋇、磷酸鋰、磷酸鈣、磷酸鎂、氧化鋁、碳黑、二氧化鈦、高嶺土、合成沸石、交聯聚乙烯粒子、交聯丙烯酸酯粒子等。該等粒子中，較好為不定形氧化矽或合成沸石，可使用該等之任一種且亦可併用。又亦可使用相同種類但粒徑不同之粒子之混合物。且不定形氧化矽時，更好以矽烷偶合劑進行表面處理，使水分吸附性降低者。

特佳之粒子為合成沸石，為了使合成沸石之吸附性尤其是水分吸附性降低，較好為以pH為5以上之酸進行酸處理至不使粒子形狀崩解之程度者，較好進而在300℃以上之溫度進行熱處理者。

粒子之形狀雖無特別規定，但若為不定形則粒度分佈廣，容易因凝聚而引起粗大突起，使剝離性改善效果變低，而使薄膜之製膜性降低。因此粒子之形狀較好為球狀或多面狀。較佳之粒子例示為球狀或多面狀之合成沸石。尤其是多面形狀之粒子時容易獲得消光效果。多面形狀之粒子中，最好為立方體形狀之粒子。

該等粒子之添加方法並無特別限制，列舉為例如在聚酯之聚縮合中以二醇分散系添加之方法，擠出中透過母料添加於消光層中之方法等。

該消光層之厚度，於2層構成時，以3~10μm，較好為4~9μm之範圍較適當，為3層構成時以2~5μm之範圍較適當。

(基材層)

構成本發明之基材層之聚酯係由芳香族二元酸或其酯形成性衍生物與二醇或其酯形成性衍生物合成之線狀飽和聚酯。該聚酯之具體例可例示為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸(環伸己基二亞甲基)酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯等，亦可為於該等中共聚合少量附屬成分而成之共聚物或該等與少比例之其他樹脂之摻雜物等。該等中，基於耐熱性之觀點較好為聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯，進而聚對苯二甲酸乙二酯由於耐熱性與成形性之均衡良好故為最佳。

基材層之粒子含量以基材層之質量為基準較好為3.0質量%以下，更好為2.5質量%以下，又更好為2.0質量%以下。藉由成為該樣態，容易獲得優異之製膜性。

基材層所用之粒子種類只要通常添加於薄膜之粒子即無特別限制，亦可為無機粒子、有機粒子之任一種。具體而言列舉為不定形氧化矽(膠體氧化矽)、氧化矽、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、硫酸鈣、硫酸鋇、磷酸鋰、磷酸鈣、磷酸鎂、氧化鋁、碳黑、二氧化鈦、高嶺土、合成沸石、交聯聚苯乙烯粒子、交聯丙烯酸酯粒子等。亦可含有該等粒子中之1種或2種以上不同之粒子，且亦可使用相同種類但粒徑不同之粒子之混合物。該等粒子中，為提高辨識性，較好含有0.5質量%~2.0質量%之二氧化鈦。少於該範圍時，會有辨識性變差之情況，多於該範圍時，會有成為剝離時斷裂或脆化之原因之情況。

基材層中，只要在不損及本發明目的之範圍，則亦可視需要含有聚酯以外之其他樹脂、著色劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、螢光增白劑等。

基材層之厚度較好為10~140μm，更好為20~100μm，最好為40~60μm。

(表面粗糙度)

本發明之消光層表面之中心線平均粗糙度(Ra)必須為400~1000nm，10點平均粗糙度(Rz)必須為4000~8000nm，藉由使Ra及Rz落在該範圍，使轉印後之電磁波遮蔽薄膜等之表面消光外觀性變良好。Ra或Rz之至少一者未達下限值時，消光外觀性提高效果不足。另一方面，Ra或Rz之至少一者超過上限值時，消光外觀性雖良好，但由於表面之凹凸過度劇烈，故製膜時引起粒子之脫落，於轉印步驟中容易引起重剝離化等之缺陷。基於該等觀點，Ra之下限值較好為500nm，進而較好為600nm，Ra之上限值較好為800nm，更好為750nm。且Rz之下限值較好為5000nm，更好為6000nm，Rz之上限值較好為7500nm，更好為7000nm。

又，Ra及Rz可藉由使用具有例如前述之平均粒徑及最大粒徑之粒子並調整於消光層中之含量而得。

(光澤度：G₆₀)

本發明之二軸配向聚酯薄膜，其消光層表面之光澤度(G₆₀)必須為6~20，較好為9~15。又，此處所謂光澤度(G₆₀)係依據JIS規格Z8741，以入射角、受光角均為60°測定之值。藉由使光澤度在該範圍，可對電磁波遮蔽薄膜等之轉印薄膜表面較好地賦予消光表面外觀。光澤度小於下限時，粒子之添加量變增加，薄膜製膜性惡化或難以使表面突起之破孔率為20%以下而引起重剝離化故而不佳。另一方面，光澤度超過上限時，無法對電磁波遮蔽薄膜等之表面賦予充分之消光外觀故不佳。

(破孔率)

本發明之消光層表面之突起破孔率必須為20%以下，該值超過20%時，轉印後剝離支撐薄膜時，發生該破孔之突起在剝離時將成為破裂之起點故而不佳。基於該觀點，破孔率較好為15%以下，更好為10%以下。下限並無必要特別限定，越低越佳，但基於實際製造之觀點為5%左右。

又，表面突起之破孔率如前述，可藉由如下方法而容易地達成：將消光層所用之聚酯與共聚合聚酯或其他種聚酯熔融混合作成聚酯組成物，並提高含粒子之聚酯之延伸性之方法，進而稍使該聚酯之固有黏度提高而提高含粒子之聚酯之延伸性之方法等。

又，突起之破孔率係以FE-SEM拍攝消光層表面之照片，計算全體之突起個數與其中突起周邊有空洞之突起個數(突起之破孔率)，算出破孔個數相對於全體個數之比例(%)者。

(表面能量)

進而，本發明之消光層表面之表觀表面張力為60dyn/cm以下時，基於剝離性之方面係較佳，更好為58dyn/cm以下。該表面張力可藉由減小上述突起之破孔率同時使用包含更具疏水系之二醇成分作為消光層所用之聚酯之二醇成分之共聚合聚酯或聚酯組成物而達成。

<薄膜製造方法>

本發明之聚酯薄膜於聚酯之主成分為聚對苯二甲酸乙二酯時，例如可藉以下方法製造。亦即，藉由共擠出法使消光層與基材層層合擠出，以澆鑄滾筒冷卻固化作成非晶未延伸薄膜，接著於縱方向(製膜機械軸方向。以下有時稱為機械軸方向、連續製膜方向、長度方向或MD)及橫方向(與連續機械軸方向及厚度方向垂直之方向，以下有時稱為寬度方向、TD)延伸。

縱方向之延伸例如於溫度60~130℃，較好90~125℃延伸2.0~3.5倍，較好2.5~3.0倍。橫方向之延伸例如於溫度100~130℃，較好90~125℃延伸2.0~4.0倍，較好3.0~4.0倍。且一方向之延伸亦可使用以2段以上之多段進行之方法，但較好最終之延伸倍率在前述範圍內。

其次，根據期望進行熱固定處理。例如消光層及基材層係以聚對苯二甲酸乙二酯構成時，係在220~240℃之溫度，較好在220~235℃之溫度，於2~30秒，較好2~20秒，又更好在3~10秒之時間範圍進行熱固定。此時，基於減低熱收縮率之目的，可在20%以內之限制收縮或伸長或固定長度下進行，且亦可以2段以上進行。

<其他薄膜特性> (固有黏度)

構成本發明之二軸配向聚酯薄膜之基材層聚酯之固有黏度(IV)較好在0.50~0.70dl/g之範圍。該固有黏度係以25之鄰-氯酚溶液之測定值表示。該固有黏度之下限值由於使剝離性更為良好，進而較佳為0.56dl/g，最好為0.60dl/g。且該固有黏度之上限值較好為0.67dl/g，更好為0.65dl/g。薄膜之固有黏度未達下限值時，機械性能降低而有操作性變困難之傾向。另一方面，薄膜之固有黏度超過上限值時黏度變得過高，於薄膜製造步驟中負荷增大且使生產性降低。

另一方面，為了使消光層表面粗糙度、光澤度(G₆₀)及表面突起破孔率滿足該要件，於消光層中，如前述之平均粒徑較大之粒子係含有相當量。因此，基於剝離性等之操作性之方面，聚酯之固有黏度較高較佳，但過高時除了粒子含量提高且製膜性降低，故較好根據含有之粒子種類及含量調整固有黏度。

(薄膜厚度)

本發明之二軸配向聚酯薄膜只要具有作為電磁波遮蔽薄膜轉印用等之支撐薄膜使用之厚度即可，較好為10~150μm，更好為20~100μm，最好為45~70μm。

[實施例]

以下藉由實施例進一步說明本發明。又，各特性值係藉以下方法測定。

1.光澤度(G₆₀)

依據JIS規格(Z8741)，使用日本電色工業(股)製之光澤計「VGS-SENSOR」測定。以入射角、受光角均為60°測定(N=5)，使用其平均值。

2.平均粒徑

使粒子於乙二醇中以成為3%之濃度之方式以混合機攪拌，使用島津製作所製雷射散射式粒度分佈測定裝置SALD-7000進行測定。自粒度分佈測定結果求出50%體積粒徑(D₅₀)，將其作為平均粒徑。

3.粒子含量

自薄膜樣品之欲測定粒子含量之層削取試料，選擇能使聚酯溶解不使粒子溶解之溶劑進行溶解處理後，自溶液離心分離粒子，求出粒子相對於全體質量之比率(質量%)作為粒子含量。

4.薄膜之各層厚

將樣品切出三角形，以包埋膠囊固定後，以環氧樹脂包埋。接著，將包埋之樣品以顯微鏡用薄片切片機(ULTRACUT-S)於與縱方向平行之剖面切出50nm厚之薄膜切片後，使用透過型電子顯微鏡，以加速電壓100kv觀察拍攝，自照片測定每10點之各層厚度，針對各層求出平均厚度。消光層中亦針對無粒子存在之部分進行測定。

5.中心線平均粗糙度Ra及10點平均粗糙度Rz

依據JIS-B0601、B0651，使用3次元表面粗糙度計(小坂研究所製，商品名：SURF CORDER SE-3CK)，以觸針尖端R2μm，掃描間距2μm，掃描長度1mm，掃描條數100條，截斷0.25mm，倍率5000倍之條件，測定中心線平均粗糙度Ra及10點平均粗糙度Rz。

6.薄膜固有黏度

於鄰氯酚中於25℃之氛圍下測定。又，基材層之固有黏度係自二軸配線聚酯薄膜削取基材層之部分進行測定。

7.突起之破孔率

以FE-SEM拍攝試料樣品之消光層表面之照片，計算面積0.5mm²(200μm×250μm之10個視野)中存在之突起個數與其中發生破孔之個數，算出破孔個數相對於全體個數之比例(%)。

又，於表面照片周邊存在空孔之突起判定為發生破孔之突起。

8.色相L值

使用日本電色工業製分光色差計SE6000，以黑色反射試料薄膜之基材層側，測定色相L值。

9.表觀表面張力

依據JIS K 6768，對試料薄膜之消光層表面塗佈濡濕指數液，測定表觀之表面張力。

10.剝離性

於試料薄膜表面，形成厚0.1μm之甲基三聚氰胺系脫模層(三羽研究所製，ATOM BOND RP-30-30)，於其上塗佈UV硬化型丙烯酸系樹脂(大日精化工業製，SEIKA BEAM EXF-3005(NS))並硬化形成厚5μm之絕緣保護層，及藉由塗佈下述組成之導電性膏形成厚15μm之導電層，作成於支撐薄膜上具備電磁波遮蔽薄膜之轉印用薄膜。

大日精化工業製，胺基甲酸酯樹脂UD1357：60質量份

鱗片狀銀粉(平均厚度100nm，平均粒徑5μm)：20質量份

樹枝狀塗銀銅粉(平均粒徑5μm)：20質量份

接著，將上述所得之轉印用薄膜以導電層成為被覆面側之方式貼合於可撓性印刷基板(由上起依序層合聚醯亞胺層(12.5μm)、接著劑層(15μm)、銅箔層(12μm)及聚醯亞胺層(12.5μm)而成之4層構造)表面，以溫度200℃、壓力1MPa、1小時之條件進行壓著。釋放壓力，使樣品冷卻至室溫之25℃後，以手剝離支撐薄膜，以目視觀察轉印之絕緣保護層表面。藉以下指標進行評價。

○：剝離：漂亮地剝離。

△：轉印：於電磁波遮蔽薄膜側殘留白色異物。

×：斷裂：剝離中轉印薄膜斷裂。

11.製品之消光性

以與上述1之光澤度相同方法，針對上述9所得之絕緣保護層轉印後之樣品，測定絕緣保護層表面之光澤度(G₆₀)，結果藉由如以下之指標進行評價。

◎：15以下…製品之消光性極良好

○：超過15且20以下…製品之消光性良好

×：超過20…製品之消光性不良

12.薄膜樣品之辨識性評價

於黑色丙烯酸板上滴垂數滴水滴，於其上以消光層接觸丙烯酸板之形態載置樣品薄膜，以抽除樣品薄膜與丙烯酸板之間之空氣之狀態，確認樣品薄膜能否看見，藉以下指標進行評價。

◎：白色…辨識性良好

○：半透明…辨識性不足

×：透明…辨識性不良

[實施例1]

於聚對苯二甲酸乙二酯(固有黏度0.63dl/g)中添加表1所示之粒子及樹脂作成用以形成消光層(A層)之A層聚合物，且與A層同樣以表1之含量添加粒子及樹脂，作成用以形成基材層(B層)之B層聚合物，分別供給於加熱至280℃之擠出機中，以使A層聚合物、B層聚合物成為A/B之層合構成之方式使用2層供料頭裝置予以合流，維持其層合狀態藉由模嘴將薄片熔融擠出於維持在20℃之旋轉冷卻滾筒上作成未延伸薄膜，其次將該未延伸薄膜於縱方向延伸3.2倍，隨後於140℃於橫方向延伸3.4倍，於235℃進行熱固定，獲得二軸配向聚酯薄膜(厚50μm)。所得薄膜之評價結果示於表1。

[實施例2]

除了將A層聚合物及B層聚合物中添加之樹脂含量如表1記載以外，與實施例1同樣獲得二軸配向聚酯薄膜。所得薄膜之評價結果示於表1。

[實施例3]

除了B層聚合物中使用之聚對苯二甲酸乙二酯係使用固有黏度為0.63dl/g與0.68dl/g之兩種，且其混合比例設為前者7質量份，後者2質量份以外，與實施例2同樣獲得二軸配向聚酯薄膜。所得薄膜之評價結果示於表1。

[實施例4~9、比較例1~2]

除了將A層聚合物及B層聚合物中添加之粒子及樹脂種類及量如表1記載般變更以外，與實施例1同樣獲得二軸配向聚酯薄膜。所得薄膜之評價結果示於表1。

[實施例10]

於聚對苯二甲酸乙二酯(固有黏度0.63dl/g)中添加表2所示之粒子及樹脂作成用以形成消光層(A層)之A層聚合物，且與A層同樣以表2之含量添加粒子及樹脂，作成用以形成基材層(B層)之B層聚合物，分別供給於加熱至280℃之擠出機中，以使A層聚合物、B層聚合物成為A/B之層合構成之方式使用2層供料頭裝置予以合流，維持其層合狀態藉由模嘴將薄片熔融擠出於維持在20℃之旋轉冷卻滾筒上作成未延伸薄膜，其次將該未延伸薄膜於縱方向延伸3.2倍，隨後於140℃於橫方向延伸3.4倍，於230℃進行熱固定，獲得二軸配向聚酯薄膜(厚50μm)。所得薄膜之評價結果示於表2。

[實施例11、13~15、比較例3、4]

除了將A層聚合物及B層聚合物中添加之粒子、樹脂及該等之含量設為如表2記載以外，與實施例10同樣獲得二軸配向聚酯薄膜。所得薄膜之評價結果示於表2。

[實施例12]

除了B層聚合物中使用之聚對苯二甲酸乙二酯係使用固有黏度為0.63dl/g與0.68dl/g之兩種，且其混合比例設為前者7質量份，後者2質量份，將A層聚合物及B層聚合物中添加之粒子、樹脂及該等之含量設為如表2記載以外，與實施例11同樣獲得二軸配向聚酯薄膜。所得薄膜之評價結果示於表2。

表1及表2中之PBT為聚對苯二甲酸丁二酯，PTMT為聚對苯二甲酸丙二酯，PCHT為聚對苯二甲酸(環伸己基二亞甲基)酯。

[產業上之可利用性]

本發明之二軸配向薄膜使用作為電磁波遮蔽薄膜轉印用等之支撐薄膜時，可對轉印後之電磁波遮蔽薄膜等之表面賦予良好之消光外觀，而且，由於轉印步驟中轉印後之支撐薄膜剝離性優異，故其產業上之利用價值極高。

Claims

一種二軸配向聚酯薄膜，其係具有基材層與在至少一面含有粒子之消光層之層合聚酯薄膜，構成該基材層以及消光層之聚酯係以聚對苯二甲酸乙二酯作為主成分，且含有選自聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯及聚對苯二甲酸(環伸己基二亞甲基)酯之群中至少1種而成之聚酯，且該消光層表面之中心線平均粗糙度(Ra)為400~1000nm，10點平均粗糙度(Rz)為4000~8000nm，該表面之光澤度(G₆₀)為6~20，且表面突起之破孔率為20%以下。
如請求項1之二軸配向聚酯薄膜，其中基材層之色相L值為60~80。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中該消光層表面之表觀之表面張力為60dyn/cm以下。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中消光層中之粒子之平均粒徑為2.5~5.5μm，且含量為5~18質量%。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中消光層中之粒子為不定形氧化矽或合成沸石。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中構成基材層之聚酯之主要成分為聚對苯二甲酸乙二酯。
如請求項6之二軸配向聚酯薄膜，其中構成基材層之聚酯之固有黏度為0.56~0.70dl/g。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其中基材層之粒子含量，將基材層質量作為基準，為3.0質量%以下。
如請求項1或2之二軸配向聚酯薄膜，其係作為電磁波遮蔽薄膜轉印用之支撐薄膜使用。