JP2008103427A - 離型フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】多層配線基板複合体の内部の空間をつぶさずに熱プレス積層することができ、そして、全体に均一に圧力かけることにより、熱プレス積層およびビアホールを介した電気的接続を良好に実現することができる離型フィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板の間に、ビアホール、開口部、および、所定の樹脂混合物を含有してなる混合組成物からなる樹脂層を備えて構成されるボンディングシートを配置し、これらを熱プレスして、二つの多層配線基板同士をビアホールにより電気的に接続すると共に、内部に空間が形成された多層配線基板複合体を製造する際における熱プレス積層時において多層配線基板の外側に配置して用いる離型フィルムであって、延伸されたポリエステルフィルムおよび該フィルム上に積層されたフッ素樹脂層を備えて構成され、フッ素樹脂層側が、多層配線基板側に配置されて使用される、離型フィルム。
【選択図】図１

Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板を、ビアホールや開口部形成された所定のボンディングシートを介して熱プレス積層する際に、多層配線基板の外側に配置して用いる離型フィルムに関する。

電子機器の高機能化、小型化に伴い、使用される半導体装置の高集積化が年々進んでいる。このような状況下において、配線基板表面上に、半導体チップや、受動部品等の電子部品を実装するだけでは、さらなる高密度化および配線基板の小型化を実現するのは難しくなってきている。

そこで、最近では、多層配線基板の内部に空間を形成することで、半導体装置の実装形態を多層配線基板の表面の平面に限らないような構造が提案されている。例えば、特許文献１には、樹脂シートの積層時において、溶剤可溶性充填材料を介在せしめて多層化し、その後、この溶剤可溶性充填剤を除去して、樹脂シートの間に空気層を設けることが記載されている。
特開平１１−１６８２７９号公報

しかし、特許文献１に記載の多層回路基板では、溶剤可溶性充填材料を介して各樹脂シートを接続した後、各樹脂シートの間の溶剤可溶性充填剤材料を除去する必要がある。このため、製造工程が煩雑となり製造コストが高くなってしまう問題があった。

このような問題を解決する配線基板として、図１に示すような、多層配線基板１０ａ、１０ｂの間に、ボンディングシート２０を挟んで積層して形成した多層配線基板複合体１００が考えられる。この多層配線基板複合体１００においてはボンディングシート２０に導電性ペースト組成物が充填されたビアホール２２、および、開口部２４が形成されている。この方法は、ボンディングシート２０を熱可塑性樹脂により形成することによって、熱圧着により多層配線基板複合体１００を作製することができることから、製法上好ましい方法である。

しかし、上記のボンディングシート２０を用いる方法においては、複合体を形成する際に、全体に均一に圧力がかかるように、離型フィルム（クッションシート）３０を使用するのであるが、該離型フィルム３０の弾性率が低すぎると、多層配線基板複合体の内部に形成した空間が、積層の際の圧力によりつぶれてしまうという問題があった。また、逆に、該離型フィルム３０の弾性率が高すぎると、全体に均一な圧力がかかりにくくなり、熱プレス積層がうまくいかなかったり、ビアホールを介した電気的接続がうまくいかなかったり、という問題があった。

そこで、本発明は、多層配線基板複合体の内部の空間をつぶさずに熱プレス積層することができ、そして、全体に均一に圧力かけることにより、熱プレス積層およびビアホールを介した電気的接続を良好に実現することができる離型フィルムを提供することを課題とする。

以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、これにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。

第１の本発明は、熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）の間に、導電性ペースト組成物が充填されたビアホール（２２）、開口部または凹部（２４）、および、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂を含有してなる混合組成物からなる樹脂層（２６）を備えて構成されるボンディングシート（２０）を配置し、これらを熱プレスして、二つの多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）同士を前記ビアホール（２２）により電気的に接続すると共に、内部に前記開口部または凹部（２４）に起因する空間（１２０）が形成された多層配線基板複合体（１００）を製造する際における該熱プレス積層時において、前記熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）の外側に配置して用いる離型フィルム（３０ａ、３０ｂ）であって、延伸されたポリエステルフィルム（３２）および該ポリエステルフィルム上に積層されたフッ素樹脂層（３４）を備えて構成され、該フッ素樹脂層（３４）側が、前記熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）側に配置されて使用される、離型フィルム（３０ａ、３０ｂ）である。

第１の本発明の離型フィルムを用いて、所定のボンディングシートを間に挟んで、多層配線基板を熱プレス積層した場合において、離型フィルムがフッ素樹脂層を備えていることから離型性を発揮し、多層配線基板複合体の製造工程上好ましい。また、フッ素樹脂層がある程度の柔軟性を離型フィルムに付与することから、多層配線基板を均一に押圧することができ、良好な熱プレス積層を実現できると共に、ビアホールの金属拡散接合を促進することができる。さらに、離型フィルムが延伸されたポリエステルフィルムを備えていることから、離型フィルムにある程度の硬さを付与し、多層配線基板複合体の内部に形成した空間に凹み等の変形が生じるのを防ぐことができる。

第１の本発明において、フッ素樹脂層（３４）は、テトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる単層構成、あるいは、前記延伸されたポリエステルフィルム上に積層されたテトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン−ビニリデンフロオライド３元共重合体樹脂（ＴＨＶ）層、およびその上に積層されたテトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる二層構成であることが好ましい。

フッ素樹脂層をＥＴＦＥ層により形成することによって、離型フィルムに所定の離型性を付与すると共に、適度な柔軟性を付与することができる。また、フッ素樹脂層をＴＨＶ層およびＥＴＦＥ層からなる二層構成とすることによって、より低弾性率のＴＨＶ層により、離型フィルムをより柔軟性の高いものとすることができる。

また、テトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン−ビニリデンフロオライド３元共重合体樹脂（ＴＨＶ）層、およびその上に積層されたテトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる二層構成の各層の厚み比は１：１とすることが好ましい。このような比率とすることで、離型性および柔軟性のバランスをとることができる。

第１の本発明において、ポリエステルフィルム（３２）の厚みは７０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、熱プレス温度におけるポリエステルフィルム（３２）の弾性率は５０ＭＰａ以上であることが好ましい。このような物性のポリエステルフィルムを用いることによって、熱プレス積層の際における空間の凹みを効果的に防止することができる。

また、フッ素樹脂層（３４）の厚みは３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましく、熱プレス温度におけるフッ素樹脂層（３４）の弾性率は５０ＭＰａ未満であることが好ましい。このような物性のフッ素樹脂層を用いることによって、多層配線基板を均一に押圧して、良好に熱プレス積層させることができる共に、ビアホールの金属拡散接合を促進させることができる。

熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）を構成する基板は、室温における弾性率が１０ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下で、熱プレス温度における弾性率が３ＧＰａ以上８ＧＰａ以下であるガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）であることが好ましい。また、多層配線基板（１０）の層厚は、５０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。このようなガラスエポキシ基板を本発明の離型フィルムと組み合わせて使用することによって、ボンディングシートに良好な圧力を負荷することができ、これにより、ビアホールの金属拡散接合を効果的に発現させることができる。

第１の本発明において、熱プレス積層時の積層温度が２２０℃より高く２４０℃未満であり、積層圧力が２ＭＰａ以上７ＭＰａ未満とすることが好ましい。このような範囲の温度および圧力で、熱プレス積層することによって、離型性、空間凹み、および、合金化というすべての評価項目において良好な結果を得ることができる。

第２の本発明は、熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）の間に、導電性ペースト組成物が充填されたビアホール（２２）、開口部または凹部（２４）、および、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂を含有してなる混合組成物からなる樹脂層（２６）を備えて構成されるボンディングシート（２０）を配置する工程、多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）の外側に離型フィルム（３０ａ、３０ｂ）を、フッ素樹脂層（３４）側を多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）側にして配置する工程、二つの多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）およびその間のボンディングシート（２０）からなる積層体を離型フィルム（３０ａ、３０ｂ）を介して熱プレスして、これらを積層する工程、を備えた、ボンディングシート（２０）を介して二つの多層配線基板（１０ａ、１０ｂ）が積層された多層配線基板複合体（１００）の製造方法である。第２の本発明によると、第１の本発明の離型フィルムを用いた熱プレス積層によって、良好に熱プレス接着される共に、ビアホールを介した金属拡散接合を好適に実現することができる。また、多層配線基板複合体の内部に形成した空間に、凹み等の変形が生じるのを防止することができる。また、離型フィルムが良好な離型性を有しているため、熱プレス積層後の剥離工程において、不具合が生じることがない。

第３の本発明は、第２の本発明の方法により製造された多層配線基板複合体（１００）である。第３の本発明の多層配線基板複合体は、良好に熱プレス接着され、ビアホールを介して金属拡散接合し、形成した空間に凹み等の変形が生じていない、多層配線基板複合体である。

以下本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
＜離型フィルムの用途＞
本発明の離型フィルムは、熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板を、ビアホールや開口部が形成された所定のボンディングシートを介して熱プレス積層する際において、多層配線基板の外側に配置して使用される。

図１および図２に使用形態の概要を示した。まず、図１に示すように、プレス機熱盤４０ａ、４０ｂの間に、離型フィルム３０ａ、３０ｂを介して、熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板１０ａ、１０ｂおよびボンディングシート２０を配置する。そして、図２に示すように、プレス機熱盤４０により加熱しながら図示上下方向から挟みこんで、多層配線基板１０ａ、１０ｂおよびボンディングシート２０を積層して、多層配線基板複合体１００が製造される。このように、本発明の離型フィルム３０ａ、３０ｂは、多層配線基板複合体１００の製造における熱プレス積層時において、プレス機熱盤４０ａ、４０ｂと多層配線基板１０ａ、１０ｂとの間に介在させて使用される。

（熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板１０ａ、１０ｂ）
熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板１０ａ、１０ｂは、絶縁部分１２および導電部分１４を備えて構成されている。また、図示した形態においては、接続に必要な導電部分１４以外をマスクするためにソルダレジスト１６が形成されている。一方の多層配線基板１０ａの導電部分１４は、熱プレス積層によって、他方の多層配線基板１０ｂの導電部分１４とビアホール２２を介して接続される。

多層配線基板１０ａ、１０ｂは、例えば、ビルドアップ法等の公知の方法により製造されたものである。導電部分１４は、各単層基板の配線パターンをビアホール等により接続して形成したものである。ビアホールとしては、例えば、後に説明するボンディングシート２０において使用する導電性ペースト組成物を充填したものを使用することができる。また、導電部分１４は、各層の配線パターンを内部にメッキを施したスルーホールにより接続した構造であってもよい。

熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板１０ａ、１０ｂは、室温における弾性率が１０ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下で、熱プレス温度（２３０℃）における弾性率が３ＧＰａ以上８ＧＰａ以下であるガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）により構成されているものであることが好ましく、多層配線基板１０ａ、１０ｂの層厚は５０以上５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましい。このような構成の多層配線基板１０ａ、１０ｂと本発明の離型フィルム３０ａ、３０ｂとを組み合わせて用いることによって、形成される多層配線基板複合体１００における空間１２０の凹みを防ぎ、その形状を保持すると共に、ビアホール２２内の導電性ペースト組成物と導電部分１４との金属拡散接合を促進させるという効果を、より効果的に発揮することができる。

（ボンディングシート２０）
ボンディングシート２０は、導電性ペースト組成物が充填されたビアホール２２、開口部または凹部２４、および、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなる樹脂層２６を備えて構成される。このボンディングシート２０を多層配線基板１０ａ、１０ｂの間に介在させて熱プレス積層することによって、樹脂層２６によって多層配線基板１０ａ、１０ｂを接着すると共に、ビアホール２２を介して多層配線基板１０ａ、１０ｂの導電部分１４ａ、１４ｂを電気的に接続する。

開口部２４を形成したボンディングシート２０を用いた場合は、図２（ａ）に示すように、製造した多層配線基板複合体１００において、多層配線基板１０ａおよび１０ｂの両方に面するように空間１２０が形成される。また、凹部２４を形成したボンディングシート２０を用いた場合は、例えば、図２（ｂ）に示すように、一方の多層配線基板１０ａに面するように空間１２０が形成される。空間１２０には電子素子等が収納されるが、収納される電子素子の種類、大きさ等に応じて、空間１２０の形、大きさが決定されるので、これに応じて、ボンディングシート２０に、開口部または凹部２４が形成される。

図３に、開口部２４を形成したボンディングシート２０の平面図を示した（ビアホール２２は省略している。）。ボンディングシート２０の一部には、樹脂シートを打ち抜くことにより開口部２４が形成されている。なお、図１に示したボンディングシート２０は、図３のＡ−Ａ線における断面図である。

ボンディングシート２０は、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂を含有してなる混合組成物からなる樹脂層２６を備えて構成されており、これにより、多層配線基板１０ａおよび１０ｂを熱融着積層することができる。また、この混合組成物は、後に説明するように熱プレス積層時において所定の弾性率を維持するため、ビアホール２２中の導電性ペースト組成物に所定の圧力をかけることができる。これにより、導電性ペースト組成物の金属拡散接合が促進されるという効果がある。

また、本発明においては、樹脂層２６が直接的に多層配線基板１０ａ、１０ｂを接着することができ、これにより工程の単純化を図ることができるものであるが、樹脂層２６の上に接着層を設けて、該接着層を介して多層配線基板１０ａ、１０ｂを接着するようにしてもよい。この場合、接着層を構成する接着剤としては、例えば、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物やエポキシ系の樹脂組成物を用いることができる。

ビアホール２２は、上記の混合組成物からなる樹脂シートに穿孔し、導電性ペースト組成物を充填して形成される。導電性ペースト組成物は、導電粉末、および、バインダー成分を含むものである。以下、導電ペースト組成物について説明する。

導電粉末は、第１の合金粒子と第２の金属粒子とから構成される。第１の合金粒子は、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子である。このような非鉛半田粒子としては、例えば、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、および、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉを挙げることができる。これらの非鉛半田粒子は、錫を金属拡散させるという効果において信頼をおけるものである。また、第１の合金粒子としては、これらの非鉛半田粒子の二種以上の混合物を使用することもできる。

第２の金属粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属粒子である。第２の金属粒子は、電気抵抗値が低い金属から形成されている粒子であり、ビアホール２２の電気伝導性を担うものである。また、第２の金属粒子は、第１の合金粒子に比べて融点が高く、加熱時における導電性ペースト組成物の粘度を保持する役割を有する。

導電粉末における、第１の合金粒子および第２の金属粒子の混合割合は、質量比で、「７６／２４」以上「９０／１０」未満である（「第１の合金粒子」／「第２の金属粒子」）。この範囲を超えて、第１の合金粒子の量が多すぎると、基板を加熱積層する際に、導電性ペースト組成物の粘度の低下が大きく、導電性ペースト組成物がビアホールから流出してしまうおそれがある。

第１の合金粒子および第２の金属粒子の平均粒子径は、１０μｍ以下であることが好ましい。第１の合金粒子をこのような粒径とすることによって、導電性ペースト組成物をビアホールに充填しやすくなり、また、金属拡散が生じやすくなる。また、第２の金属粒子をこのような粒径とすることによって、ボンディングシート２０を熱プレス積層する際における導電性ペースト組成物の粘度を調整する効果が良好となる。

第１の合金粒子と第２の金属粒子の平均粒径差は、２μｍ以下であることが好ましい。このように粒径をなるべくそろえることによって、金属拡散接合を生じやすくすることができる。

本発明において使用するバインダー成分は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物、熱可塑性樹脂組成物、または、加熱により硬化する重合性単量体の混合物と熱可塑性樹脂組成物との混合物である。このようなバインダー成分として、加熱により硬化する重合性単量体の混合物としては、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物を挙げることができる。なお、アルケニルフェノール化合物および／またはマレイミド類が、高分子化合物であっても、これらを加熱することにより、架橋反応して硬化するものであれば、本発明の重合性単量体に含まれるものとする。熱可塑性樹脂組成物としては、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。

アルケニルフェノール化合物としては、分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニルフェノール化合物、つまり、芳香環の水素原子の一部がアルケニル基に置換されたフェノール系化合物を挙げることができる。また、具体的には、このようなアルケニルフェノール化合物としては、ビスフェノールＡまたはフェノール性水酸基含有ビフェニル骨格にアルケニル基が結合した化合物を挙げることができる。さらに具体的には、３，３´−ビス（２−プロペニル）−４，４´−ビフェニルジオール、３，３´−ビス（２−プロペニル）−２，２´−ビフェニルジオール、３，３´−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−４，４´−ビフェニルジオール、３，３´−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−２，２´−ビフェニルジオール等のジアルケニルビフェニルジオール化合物；２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−プロペニル）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−メチル−２−プロペニル）フェニル］プロパン（以下、「ジメタリルビスフェノールＡ」という。）等のジアルケニルビスフェノール化合物を挙げることができる。この中でも、原料コストが安く、安定供給が可能であるという点から、アルケニルフェノール化合物としては、ジメタリルビスフェノールＡを使用することが好ましい。ジメタリルビスフェノールＡの構造式を式１に示す。

マレイミド類としては、分子中に少なくとも２個のマレイミド基を有するマレイミド化合物を挙げることができ、具体的には、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン等のビスマレイミド、トリス（４−マレイミドフェニル）メタン等のトリスマレイミド、ビス（３，４−ジマレイミドフェニル）メタン等のテトラキスマレイミドおよびポリ（４−マレイミドスチレン）等のポリマレイミド等を挙げることができる。この中でも、マレイミド類としては、原料コストが安く、安定供給可能であるという点から、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンを使用することが好ましい。ビス（４−マレイミドフェニル）メタンの構造式を式２に示した。

このバインダー成分において、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合比は、モル比で、「３０／７０」以上「７０／３０」未満であることが好ましい（「アルケニルフェノール化合物」／「マレイミド類」）。この範囲を超えて、バインダー成分中のどちらかの成分が多すぎると、生成する樹脂が脆くなり、導電性ペースト組成物と導電部分１４との接着力が低下してしまう。

バインダー成分の硬化反応について、以下説明する。アルケニルフェノール化合物におけるアルケニル基は、マレイミド化合物のエチレン性不飽和基と交互共重合および／または付加反応し、またフェノール性水酸基もマレイミド基のエチレン性不飽和基と付加反応する。以下、バインダー成分として例示した、ジメタリルビスフェノールＡおよびビス（４−マレイミドフェニル）メタンの硬化機構について、具体的に説明する。まず、１２０〜１８０℃に加熱した段階で、以下の式３で示される線状の重合体が得られる。

さらに、２００℃以上に加熱すると、例えば、以下の式４で示される三次元状に架橋した重合体が得られる。

本発明においては、このようなバインダー成分の三次元架橋による硬化が、半田成分が第２の金属粒子および／または導体パターン部を形成する金属へ金属拡散することを促進し、これにより高度な金属拡散接合が形成されると考えられている。つまり、バインダー成分が硬化する時に、ビアホール内の第１の合金粒子および第２の金属粒子に圧力がかかり、これにより、半田成分が、金属粒子および導電部分１４を形成する金属へ金属拡散することが促進されると考えられている。バインダー成分の弾性率が、温度によって変化する様子を図４に示す。単量体混合物の弾性率は、温度の上昇により小さくなっていく。しかし、１２０〜１８０℃において式３で示した線状の重合体が形成されることによって、弾性率が急に大きくなる（図４における、「単量体混合物」のグラフから、「架橋後」のグラフとなる。）。その後、線状の重合体は、２００℃以上において、式４で示される三次元状に架橋した重合体に変化していくと考えられている。架橋後のグラフは、温度の上昇と共に小さくなる傾向はある。しかし、高温領域においても溶融することなく、一定の弾性率を保っている。

このように、１８０〜２６０℃において非鉛半田粒子が融解した時に、バインダー成分は硬化反応することにより、一定の弾性率を保持する。このように、融解した非鉛半田粒子に対して、バインダーが硬化することによる圧力がかかり、これにより、導電性ペースト組成物において、金属拡散接合が生じると考えられる。そして、このような導電性ペースト組成物を用いた多層配線基板複合体１００は、そのビアホールの抵抗値が非常に低いものとなり、吸湿耐熱性、接続信頼性、および、導体接着強度に優れたものになると考えられる。

このような観点から、半田粒子が溶解した段階で、バインダー成分が硬化する必要があり、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれている必要がある。これに対して、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が高すぎる場合は、バインダー成分が硬化する段階において、非鉛半田粒子は未だ融解していないため、金属拡散が促進されるという効果を享受することができない。また、バインダー成分の硬化温度範囲に比べて、非鉛半田粒子の融点が低すぎる場合は、溶解した半田成分がビアホールからはみ出してしまうおそれがある。

上記したように、導電性ペースト組成物は、導電粉末およびバインダー成分を含有するものであるが、この導電粉末およびバインダー成分の混合比は、質量比で、「９０／１０」以上「９８／２」未満である（「導電粉末」／「バインダー成分」）。この範囲を超えて、導電粉末の量が少なすぎるとビアホールに充填した導電性ペーストの電気抵抗値が増加してしまう。また、この範囲を超えて、導電粉末の量が多すぎると、導電性ペースト組成物をビアホールに印刷充填する作業性が悪化し、また、導電性ペースト組成物と導電部分１４との接着強度が低下してしまう。

以下、樹脂層２６を構成する２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の樹脂混合物について説明する。ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂は相溶系であり、これらの樹脂混合物は一つの結晶融解ピーク温度を有し、その結晶融解ピーク温度は２６０℃以上となっている。ボンディングシート２０の樹脂層２６を構成する樹脂として、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いた場合は、多層配線基板複合体１００とする際において、配線基板１００ａ、１００ｂ同士の接着性をより良好にすることができる。また、以下において詳しく説明するが、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の樹脂混合物を用いることにより、ビアホール２２中の導電ペースト組成物の金属拡散接合をより効果的に促進することができる。

このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、なかでも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（いずれもＶＩＣＴＲＥＸ社の商品名）等として市販されている。

また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびイミド結合を含む非晶性熱可塑性樹脂である。なお、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、「Ｕｌｔｅｍ ＣＲＳ５００１」、「Ｕｌｔｅｍ １０００」（いずれもゼネラルエレクトリック社の商品名）等として市販されている。

ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、多層配線基板１０ａ、１０ｂ同士を積層した場合の密着性を考慮すると、ポリアリールケトン樹脂を３０質量％以上、７０質量％以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂および不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。ポリアリールケトン樹脂の含有率が高すぎる場合は、樹脂層２６を構成する樹脂混合物の結晶性が高くなってしまい、多層化する際の密着性が低下するからである。また、ポリアリールケトン樹脂の含有率が低すぎると、樹脂層２６を構成する樹脂混合物の結晶性が低くなってしまう。そして、多層配線基板１０ａ、１０ｂを積層して作製した多層配線基板複合体１００のリフロー耐熱性が低下してしまう。

樹脂層２６を構成する混合組成物は、上記の樹脂混合物と共に無機充填材を含有していてもよい。無機充填材としては、特に制限はなく、公知のいかなるものも使用できる。無機充填材としては、例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、板状炭カル、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。特に、平均粒径が１５μｍ以下、アスペクト比（粒径／厚み）が３０以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、熱衝撃サイクル試験時の基板内のクラック発生を抑制することができるので、好ましい。

無機充填材の添加量は、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂からなる樹脂混合物１００質量部に対して２０質量部以上かつ５０質量部以下とすることが好ましい。無機充填材の添加量が多すぎると、無機充填材の分散不良の問題が発生し、線膨張係数がばらつき易くなったり、強度低下を招き易くなったりする。また、無機充填材の添加量が少なすぎると、線膨張係数を低下させて寸法安定性を向上させる効果が小さく、リフロー工程において導電部分１４との線膨張係数差に起因する内部応力が発生し、基板にそりやねじれが発生するからである。

また、樹脂層２６を構成する混合組成物には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜添加してもよい。これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、例えば下記に挙げる方法（ａ）、（ｂ）を用いることができる。

（ａ）各種添加剤を、混合組成物の基材（樹脂混合物）に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０質量％程度）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、樹脂混合物を混合して、濃度を調整し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。

（ｂ）樹脂混合物に所定の濃度の各種添加材を直接加えて、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。これらの方法の中では、（ａ）の方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、樹脂層２６の表面には積層性を向上させる目的でコロナ処理等を適宜施してもよい。

樹脂層２６は、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法等により作製することができる。特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の点から、Ｔダイを用いる押出キャスト法により作製することが好ましい。

Ｔダイを用いる押出キャスト法での樹脂層２６の成形温度は、用いる樹脂の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の場合、３６０〜４００℃である。また、樹脂層２６の押出キャスト製膜時においては、急冷製膜することにより非晶性フィルム化することが必要である。これにより、１７０〜２３０℃付近に弾性率が低下する領域を発現するので、この温度領域での熱成形、熱融着が可能となる。詳細には、１７０℃付近で弾性率が低下し始め、２００℃付近において熱成形、熱融着が可能となる。図５に、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の弾性率が温度により変化する様子を示した。なお、図５に示したグラフは、昇温速度を３℃／分として弾性率を測定したものであるが、昇温速度を１０℃／分とすると、非晶から結晶への転移が遅れて、２３０℃付近において弾性率がもっとも低くなる。

ここで、樹脂層２６の温度に対する弾性率の挙動について説明する。２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトンおよび非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなる樹脂層２６の弾性率の温度に対する挙動を図５に示した。

「積層前」と表示されているのが、多層配線基板複合体１００に熱プレス積層する前における、樹脂層２６の弾性率の温度に対する挙動を示したグラフである。また、「積層後」と表示されているのが、所定の条件において加熱・加圧することによって多層配線基板複合体１００とした後における、樹脂層２６の弾性率の温度に対する挙動を示したグラフである。積層前の状態では、上記したように、樹脂層２６は急冷製膜することにより非晶性フィルム化されている。よって、２００℃付近という比較的低温領域において弾性率が十分に低下する。これにより、積層前の樹脂層２６は、比較的低温において熱成形、熱融着することができる。

非晶性フィルム化されている樹脂層２６は、多層配線基板複合体１００を製造する際における所定の条件下での熱プレス成形によって、結晶性へと変化する。これに伴って樹脂層２６の弾性率は大きく変化して、図５における積層後のグラフで示されるような挙動を示すようになる。これにより、以下に説明するように金属拡散接合を促進するという効果を発揮して、多層配線基板複合体１００において、そのビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、および導体接着力に優れたものとすることができると考えられている。

次に、どのように金属拡散接合が促進されるかについて説明する。ここで、導電性ペースト組成物中の非鉛半田粒子と混合組成物からなる樹脂層２６との関係が重要であり、非鉛半田粒子の融点における、混合組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満であることが好ましい。そして、ポリエーテルエーテルケトンおよび非晶性ポリエーテルイミドの樹脂混合物を使用した場合は、図５に示すように、１８０℃以上２６０℃未満という非鉛半田粒子の融点における、樹脂混合物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満となっている。なお、樹脂混合物の貯蔵弾性率は、粘弾性評価装置を用い、測定周波数１Ｈｚで昇温速度３℃／分で測定した値である。

上記のように非鉛半田粒子の融点において、樹脂混合物が１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満の貯蔵弾性率を有するものとすることは、非鉛半田粒子の融点において、樹脂混合物にある程度の柔軟性を持たせると共に、溶融せずにある程度の弾性率を保持させていることを意味している。

このように、非鉛半田粒子の融点において、樹脂層２６を構成する樹脂混合物にある程度の柔軟性を持たせることによって、導電性ペースト組成物と樹脂混合物とが相互になじむことができ、導電性ペースト組成物と樹脂層２６との接着性が向上する。また、非鉛半田粒子の融点において、樹脂混合物が溶融せずに、ある程度の弾性率を保持することによって、熱プレス積層する際に、導電性ペースト組成物をビアホールの側面である樹脂層２６により締め付けることができ、導電性ペースト組成物に圧力をかけることができる。これにより、非鉛半田粒子中の錫成分が第２の金属粒子および／または導電部分１４を形成する金属中に金属拡散し、金属拡散接合を形成させることができると考えられている。

（ボンディングシート２０の製造方法）
以下、ボンディングシート２０の製造方法を説明する。２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の樹脂混合物に、上記した無機充填材、添加剤を加えた混合組成物を溶融混練し、Ｔダイを用いた押出キャスト法を採用して、急冷製膜することによって非晶性フィルム化されたシートを形成する。

このようにして形成されたシートに対して、ビアホール２２および開口部２４を形成する。これらを形成する順序は特に限定されない。ビアホール２２は、レーザーまたは機械ドリルによりシートに穿孔して形成した貫通孔に、上記した導電性ペースト組成物をスクリーン印刷等の通常の印刷方法により充填し、乾燥することにより形成される。

開口部２４は、シートを所定の形状で打ち抜くことにより形成される。また、凹部２４は、座繰り加工、または、凸型を有したガラススタンパーを用いシートに熱転写することにより形成される。開口部または凹部２４の大きさは、形成する空間１２０の大きさ、つまり、空間に収納する電子素子等の大きさにより決定される。以上のようにして、ビアホール２２および開口部または凹部２４を備えたボンディングシート２０が形成される。

＜離型フィルム３０ａ、３０ｂ＞
本発明の離型フィルム３０ａ、３０ｂは、延伸されたポリエステルフィルム３２およびフッ素樹脂層３４を備えて構成される。

（延伸されたポリエステルフィルム３２）
延伸されたポリエステルフィルム３２は、離型フィルム３０に所定の硬さを付与するための層である。このような機能を有していれば、延伸は一軸延伸でも、二軸延伸でもよい。これにより、離型フィルム３０が柔らかすぎた場合に生じる、空間１２０の凹み等の変形を防ぐことができる。このような観点から、延伸されたポリエステルフィルム３２の厚みは、下限が７０μｍ以上であることが好ましく、８０μｍ以上であることがより好ましい。また、上限が２５０μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましい。熱プレス温度における弾性率が５０ＭＰａ以上のフィルムであることが好ましい。

（フッ素樹脂層３４）
フッ素樹脂層３４は、離型フィルム３０の表面、つまり、多層配線基板１０ａ、１０ｂと接する表面に離型性を付与するため、および、離型フィルム３０表面にある程度の柔軟性を与えるための層である。離型フィルム３０の表面に柔軟性を与えることによって、多層配線基板１０ａ、１０ｂ表面の凹凸を吸収し、多層配線基板１０ａ、１０ｂに対し均一に圧力をかけることができる。そして、ボンディングシート２０を介した積層およびビアホールを介した金属拡散接合を好適に発現することができる。

このような観点から、フッ素樹脂層３４の層厚は、その下限が３μｍ以上であることが好ましく、４μｍ以上であることがより好ましい。また、その上限は１５μｍ以下であることが好ましく、１２μｍ以下であることがより好ましい。また、熱プレス温度における弾性率が５０ＭＰａ未満であることが好ましい。

また、フッ素樹脂層３４は、ＥＴＦＥ層からなる単層構成、あるいは、ＴＨＶ層およびＥＴＦＥ層からなる二層構成であることが好ましい。二層構成の場合は、ＴＨＶ層がポリエステルフィルム３２側に積層され、ＥＴＦＥ層が表面層となる。また、二層構成とした場合は、ＴＨＶ層とＥＴＦＥ層の厚み比は、１：１とすることが好ましい。なお、ＴＨＶ層を設ける場合は、弾性率の低いＴＨＶ層は４μｍ以下とすることが好ましく、３μｍ以下とすることがより好ましい。

フッ素樹脂層３４を、ＥＴＦＥ層からなる単層構成とすることで、上記の好ましい範囲の弾性率を好適に発揮することができる。また、より柔らかい層であるＴＨＶ層を形成することによって、離型フィルムに柔軟性を付与し、多層配線基板１０ａ、１０ｂに均一に圧力をかけるという効果をより効果的に発揮することができる。また、ＴＨＶ層を形成した場合においても、表面にＥＴＦＥ層を備えることで離型性が付与されている。

（離型フィルム３０の製造方法）
離型フィルム３０は、例えば、Ｔダイにより押出キャスト成形したポリエステルフィルムに対して延伸処理を施して形成された延伸ポリエステルフィルム３２の表面に、フッ素樹脂を押出ラミネートすることにより製造することができる。フッ素樹脂層３４として、ＴＨＶ層およびＥＴＦＥ層の二層構成とする場合は、まず、ＴＨＶを延伸ポリエステルフィルム３２上に押出ラミネートしてＴＨＶ層を形成し、このＴＨＶ層の上にＥＴＦＥを押出ラミネートしてＥＴＦＥ層を形成することができる。このようにして、離型フィルム３０は製造される。

＜熱プレス条件＞
熱プレス積層時の積層温度は、その下限が２２０℃より高いことが好ましく、２２５℃以上であることがより好ましく、２３０℃以上であることがさらに好ましい。その上限は、２４０℃未満であることが好ましく、２３５℃以下であることがより好ましい。また、積層圧力は、その下限が２ＭＰａ以上であることが好ましく、４ＭＰａ以上であることがより好ましい。その上限は７ＭＰａ未満であることが好ましく、６ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。

（実施例１）
公知の方法により作製した図１に示すような三層構成のＦＲ４基板からなる層厚２００μｍのビルドアップ基板を準備した。ＦＲ４基板の室温（２３℃）における弾性率は１３ＧＰａであり、また、積層温度（２３０℃）での弾性率は５ＧＰａである。

また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ １０００）６０質量％からなる樹脂混合物１００質量部に対して、平均粒子径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを２５質量部（２０ｗｔ％充填）混合して得られた混合組成物を溶融混練し、押出成形して急冷製膜することにより、２００μｍのシート状に成形した。このシートに対して、レーザーにより直径１００μｍの貫通孔を形成し、該貫通孔に導電性ペースト組成物をスクリーン印刷により充填した。充填後、１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペースト組成物を乾燥固化した。そして、５ｍｍ×２０ｍｍの大きさの開口部を打ち抜きにより形成してボンディングシートとした。

導電性ペースト組成物としては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、組成：Ａｇ３．０質量％、Ｃｕ０．５質量％、残部Ｓｎ）７６質量％およびＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％およびビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部を添加して、３本ロールで混練して調整した導電性ペースト組成物を用いた。

離型フィルムとしては、厚さ１００μｍの延伸ＰＥＴフィルムに対して、テトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン−ビニリデンフロオライド三元共重合体を厚さ２．５μｍで押出ラミネートしてＴＨＶ層を形成した。さらに該ＴＨＶ層上に、テトラフロロエチレン−エチレン共重合体を厚さ２．５μｍで押出ラミネートしてＥＴＦＥ層を形成した。なお、熱プレス温度（２３０℃）における延伸ＰＥＴフィルムの弾性率は、１５０ＭＰａであり、ＴＨＶ層の弾性率は１００ＫＰａ未満であり、ＥＴＦＥ層の弾性率は２０ＭＰａであった。

以上で製造した、多層配線基板、ボンディングシートおよび離型フィルムを図１に示すようにプレス機熱盤の間に配置して、２３０℃、５ＭＰａで熱融着積層した。得られた多層配線基板複合体に対して、以下の基準により評価を行った。

（実施例２）
延伸ＰＥＴフィルム上にＴＨＶ層を形成しないで、５μｍのＥＴＦＥ層のみを形成して離型フィルムとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（実施例３）
延伸ＰＥＴフィルム上にＴＨＶ層を形成しないで、１０μｍのＥＴＦＥ層のみを形成して離型フィルムとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（実施例４）
積層圧力を２ＭＰａとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例１）
延伸ＰＥＴフィルム上にＴＨＶ層を形成しないで、５μｍのＥＴＦＥ層のみを形成して離型フィルムとし、積層温度を２４０℃とした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例２）
積層圧力を７ＭＰａとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例３）
積層温度を２２０℃とした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例４）
積層温度を２４０℃とした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例５）
積層温度を２５０℃とした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例６）
厚さ５０μｍの延伸ＰＥＴフィルムを用いて、該延伸ＰＥＴフィルム上にＴＨＶ層を形成しないで、５μｍのＥＴＦＥ層のみを形成して離型フィルムとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（参考例７）
延伸ＰＥＴフィルム上にＴＨＶ層を形成しないで、２．５μｍのＥＴＦＥ層のみを形成して離型フィルムとした以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（比較例１）
離型フィルムとして、厚さ１００μｍの結晶性ポリスチレンフィルム（シンジオタクチックポリスチレン）を用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（比較例２）
離型フィルムとして、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

（比較例３）
離型フィルムとして、厚さ５０μｍのポリカーボネートフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして多層配線基板複合体を作製した。

＜評価方法＞
（離型性）
プレス後にプレス機から取り出し、多層配線基板複合体の両側の離型フィルムを剥離する際に、手で簡単に剥離できるものを「○」、剥離はできるものの力が必要なものを「△」、離型フィルムのフッ素樹脂層が多層配線基板複合体の表面に残ったものを「×」とした。

（空間凹み）
積層された多層配線基板複合体の厚み方向の断面を精密切断機でカット後、マイクロスコープを用いて断面形状を確認し、空間部の凹み量が初期と比べて５μｍ未満である場合を「○」、５μｍ以上１０μｍ未満を「△」、１０μｍ以上を「×」とした。

（合金化）
得られた多層配線基板複合体の上下のＦＲ４基板部と、ボンディングシートのビア部について、断面ＳＥＭ観察を行い、金属粒子や充填欠陥が見当たらないものを「○」、金属粒子は見当たらないが充填欠陥があるものを「△」、金属粒子が見当たるものを「×」とした。

（評価結果）
本発明の好ましい使用形態で離型フィルムを用いた実施例１〜４においては、いずれの評価項目においても良好な結果を示した。ただ、実施例４においては、積層圧力が本発明の好ましい範囲の下限であり比較的小さかったため、合金化の程度が少し低かった。

参考例１では、積層温度が本発明の好ましい範囲よりも高く、このため離型フィルム表面のＥＴＦＥ層が積層プレス時に柔らかくなりすぎて、空間凹みを生じさせたと考えられる。また、柔らかくなりすぎたことによって、離型性も劣った結果になったと考えられる。ただ、後に示す参考例４と比較すると、本例では、ＴＨＶ層と比較すると弾性率が高いＥＴＦＥ層のみでフッ素樹脂層を形成しているので、参考例４よりは良好な結果を示している。

参考例２では、積層圧力が本発明の好ましい範囲よりも高く、このため、空間凹みおよび離型性の評価が劣っていたと考えられる。参考例３では、積層温度が本発明の好ましい範囲よりも低く、このため、金属拡散接合が生じず合金化の評価が劣っていたと考えられる。参考例４では、積層温度が本発明の好ましい範囲よりも高く、このため、特にＴＨＶ層が積層プレス時に柔らかくなりすぎて、空間凹みおよび離型性で劣った結果になったと考えられる。参考例５では、積層温度が本発明の好ましい範囲から大きく外れて高いため、離型性および空間凹みにおいて劣った結果を示した。参考例６ではＰＥＴフィルムの厚みが本発明の好ましい範囲よりも薄いため、空間凹みの評価が劣っていたと考えられる。また、参考例７では、フッ素樹脂層の厚みが本発明の好ましい範囲よりも薄いため、離型性および合金化の評価が劣っていたと考えられる。

比較例１では、結晶性ポリスチレンフィルムを用いており、該フィルムは熱プレス積層時において柔らかくなりすぎてしまう。このため、空間凹みの評価が劣ったものとなった。比較例２では、ポリイミドフィルムを用いているが、該フィルムは熱プレス積層時においても弾性率が高く硬すぎるため、ビアホールに圧力がかかりにくく、合金化の程度が劣ったものとなった。比較例３では、ポリカーボネートフィルムを用いているが、該フィルムは離型性がなく、また、熱プレス積層時において柔らかくなりすぎてしまうため、離型性および空間凹みの評価が劣っていた。

以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ、好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う離型フィルム、多層配線基板複合体の製造方法、多層配線基板複合体もまた本発明の技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。

多層基板複合体を製造するための熱プレス積層前の状態を示す断面図である。 多層基板複合体を製造するための熱プレス積層前の状態を示す断面図である（（ａ）が開口部２４を形成した場合、（ｂ）が凹部２４を形成した場合である。）。 ボンディングシート２０の平面図である。 ビアホール２２中の導電性ペースト組成物のバインダー成分の弾性率が、温度により変化する様子を示した図である。 樹脂層２６を構成する樹脂混合物の弾性率が温度により変化する様子を示した図である。

符号の説明

１０ａ、１０ｂ 多層配線基板
１２ 絶縁部分
１４ 導電部分
１６ ソルダレジスト
２０ ボンディングシート
２２ ビアホール
２４ 開口部または凹部
２６ 樹脂層
３０ 離型フィルム
３２ 延伸されたポリエステルフィルム
３４ フッ素樹脂層
４０ プレス機熱盤
１００ 多層配線基板複合体
１２０ 空間

Claims (8)

1. 熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板の間に、導電性ペースト組成物が充填されたビアホール、開口部または凹部、および、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂を含有してなる混合組成物からなる樹脂層を備えて構成されるボンディングシートを配置し、
   これらを熱プレスして、二つの多層配線基板同士を前記ビアホールにより電気的に接続すると共に、内部に前記開口部または凹部に起因する空間が形成された多層配線基板複合体を製造する際における該熱プレス積層時において、前記熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板の外側に配置して用いる離型フィルムであって、
   延伸されたポリエステルフィルムおよび該ポリエステルフィルム上に積層されたフッ素樹脂層を備えて構成され、該フッ素樹脂層側が、前記熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板側に配置されて使用される、離型フィルム。
2. 前記フッ素樹脂層が、テトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる単層構成、あるいは、前記延伸されたポリエステルフィルム上に積層されたテトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン−ビニリデンフロオライド３元共重合体樹脂（ＴＨＶ）層、およびその上に積層されたテトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる二層構成である、請求項１に記載の離型フィルム。
3. 前記テトラフロロエチレン−ヘキサフロロプロピレン−ビニリデンフロオライド３元共重合体樹脂（ＴＨＶ）層、およびその上に積層されたテトラフロロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）層からなる二層構成の各層の厚み比が１：１である、請求項２に記載の離型フィルム。
4. 前記ポリエステルフィルムの厚みが７０μｍ以上２５０μｍ以下で、熱プレス温度における前記ポリエステルフィルムの弾性率が５０ＭＰａ以上であり、前記フッ素樹脂層の厚みが３μｍ以上１５μｍ以下で、熱プレス温度における前記フッ素樹脂層の弾性率が５０ＭＰａ未満である、請求項１〜３のいずれかに記載の離型フィルム。
5. 前記熱硬化性樹脂組成物からなる多層配線基板を構成する基板が、室温における弾性率が１０ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下で、熱プレス温度における弾性率が３ＧＰａ以上８ＧＰａ以下であるガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）であり、該多層配線基板の層厚が５０μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の離型フィルム。
6. 前記熱プレス積層時の積層温度が２２０℃より高く２４０℃未満であり、積層圧力が２ＭＰａ以上７ＭＰａ未満である、請求項１〜５のいずれかに記載の離型フィルム。
7. 熱硬化性樹脂組成物からなる二つの多層配線基板の間に、導電性ペースト組成物が充填されたビアホール、開口部または凹部、および、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有するポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂を含有してなる混合組成物からなる樹脂層を備えて構成されるボンディングシートを配置する工程、
   前記多層配線基板の外側に請求項１〜６のいずれかに記載の離型フィルムを、フッ素樹脂層側を前記多層配線基板側にして配置する工程、
   二つの多層配線基板およびその間のボンディングシートからなる積層体を前記離型フィルムを介して熱プレスして、これらを積層する工程、
   を備えた、ボンディングシートを介して二つの多層配線基板が積層された多層配線基板複合体の製造方法。
8. 請求項７の方法により製造された多層配線基板複合体。

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