TW201941044A - 輸入裝置及附輸入裝置之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係輸入裝置及附輸入裝置之顯示裝置，其係在以包含導電性奈米線之材料來形成透明電極，並設置架橋配線部的情況，可確保包含將架橋配線部與透明電極絕緣的絕緣層之架橋部的對於透明電極之充分的密接性及可撓性，並且可對光學特性之劣化作抑制，且其係具備：複數個第1透明電極及複數個第2透明電極，係藉由包含導電性奈米線之材料而形成，並相互地交叉、和架橋部，係將相鄰接的2個第1透明電極電連接，架橋部，係具有架橋配線部和絕緣層以及緩衝層，緩衝層，係被設置於將相鄰接的2個第2透明電極電連接的連結部與絕緣層之間，緩衝層，係藉由具有透光性的無機氧化物系材料而形成。

Description

輸入裝置及附輸入裝置之顯示裝置
本發明係關於靜電電容式感測器等之輸入裝置，特別是關於藉由包含導電性奈米線之材料而形成有透明電極的輸入裝置、以及具備此輸入裝置的附輸入裝置之顯示裝置者。
被使用於觸控面板的靜電電容式感測器等之輸入裝置，係具備：被設置於基材之上的第1透明電極、和第2透明電極，並設置有於兩電極之交叉位置處具有架橋配線部的架橋部。於這種靜電電容式感測器中，亦存在有想要構成為能夠對應於曲面等之多樣的形狀之期望。因此，作為靜電電容式感測器之透明電極的材料，係有使用包含金奈米線、銀奈米線以及銅奈米線等之導電性奈米線之材料的情形。
於專利文獻1中，係揭示有可將包含銀奈米線之導電層於導電區域與非導電區域處作圖案化，可使非導電區域之光學特性成為良好的透光性導電構件及其圖案化方法。於此透光性導電構件中，係將以包含銀奈米線之材料所構成的複數個第1電極部以連結導通部作連接，並將包夾著此連結導通部來鄰接的第2電極部以ITO(Indium Tin Oxide)之架橋配線部作接合。
於專利文獻2中，係揭示有尤其是在作為低電阻金屬而使用有Cu、Cu合金或Ag合金時，可確保良好之不可視特性，並且可提昇架橋配線部之耐環境性或靜電破壞耐性的輸入裝置。於此輸入裝置中，將鄰接的複數個透明電極之間作連接的架橋配線部，係具有非晶質ITO/金屬層/非晶質ITO之層積構造。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第WO2015/019805號
[專利文獻2] 日本特開2013-178738號公報
[發明所欲解決之課題]
於靜電電容式感測器等之輸入裝置中，於在使用有包含導電性奈米線之材料的透明電極設置架橋配線部的情況，係為了使架橋配線部與下層的透明電極絕緣，而於架橋配線部與透明電極之間配置絕緣層。此絕緣層與透明電極之密接性或可撓性的確保、光學特性的劣化抑制是重要的。例如，於在包含銀奈米線的透明電極之上形成酚醛清漆樹脂之絕緣層的情況，並無法得到包含銀奈米線的透明電極之基質樹脂材料與酚醛清漆樹脂之充分的密接性。另一方面，在例如將重視密接性之丙烯酸系樹脂作為絕緣層使用的情況時，係有絕緣層之構成材料會浸透至透明電極中所包含的基質樹脂材料的情形，在產生了這種現象的部分係成為光學特性惡化的問題。
本發明係以提供輸入裝置及具備該輸入裝置之附輸入裝置之顯示裝置作為目的，其係在以包含導電性奈米線之材料來形成透明電極，並如上述般地隔著被設置於透明電極的絕緣層來設置架橋配線部的情況，可確保包含架橋配線部及絕緣層之架橋部的對於透明電極之充分的密接性，並且可對光學特性之劣化作抑制。

[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之一樣態，係一種輸入裝置，其係具備：基材，係具有透光性、和複數個第1透明電極，係於基材之檢測區域中與第1方向平行地被作配置，具有透光性，並藉由包含導電性奈米線之材料而形成、和複數個第2透明電極，係於檢測區域中與和第1方向交叉的第2方向平行地被作配置，具有透光性，藉由包含導電性奈米線之材料而形成，並與第1透明電極絕緣、和連結部，係藉由包含導電性奈米線之材料而形成，並將相鄰接的2個第2透明電極相互地電連接、以及架橋部，係被設置於連結部之上，並將相鄰接的2個第1透明電極相互地電連接。此架橋部，係具有：架橋配線部，係以將相鄰接的2個第1透明電極之間作連結的方式來設置、和絕緣層，係被設置於架橋配線部與連結部之間、以及緩衝層，係被設置於絕緣層與連結部之間，緩衝層，係藉由具有透光性之無機氧化物系材料而形成。
若依據這種構成，則藉由設置於架橋部的絕緣層與藉由導電性奈米線之材料而形成的連結部之間的緩衝層，而提高絕緣層與連結部之密接性，並抑制光學特性之劣化。亦即，藉由作為緩衝層而使用氧化物系材料，緩衝層，係對於連結部之構成材料(基質樹脂材料)具有良好的密接性，並且對於絕緣層亦具有良好的密接性。又，藉由作為緩衝層而使用無機系材料，而使絕緣層之構成材料浸透於連結部的情形被抑制，並使光學特性之劣化，尤其是架橋部之不可視性之降低被抑制。
於上述之輸入裝置中，就更安定地防止架橋配線部與第2透明電極之短路的觀點而言，較理想為，絕緣層係具有以與被電連接於連結部的2個第2透明電極之一部分相對向的方式來延伸設置的部分。於此情況中，緩衝層，係藉由具有位置於絕緣層之與第2透明電極相對向的部分和第2透明電極之間的部分，而使絕緣層之從第2透明電極的剝離被抑制，並且使光學特性之劣化被抑制。絕緣層，係亦可具有以與相鄰接的2個第1透明電極之一部分相對向的方式來延伸設置的部分。於此情況中，緩衝層，係具有位置於絕緣層之與第1透明電極相對向的部分和第1透明電極之間的部分。
於上述輸入裝置中，絕緣層，係具有以與包夾著連結部來相鄰接地被配置的2個第1透明電極之一部分相對向的方式來延伸設置的部分，緩衝層，係亦可具有位置於絕緣層之與第1透明電極相對向的部分和第1透明電極之間的部分。藉由此，可防止絕緣層之構成材料浸透於電極部的情形。
於上述輸入裝置中，緩衝層，係亦可被形成於架橋配線部與第1透明電極之間。於此情況中，若是在製造過程之初期階段以緩衝層來覆蓋第1透明電極，則緩衝層會發揮作為第1電極之保護膜的功能，而可在製造過程中防止第1透明電極之與架橋配線部相對向的部分露出的情形。因此，在此部分，於第1透明電極中所包含之導電性奈米線不易變質，結果，在架橋配線部與第1透明電極之間不易產生電阻上昇。又，於上述輸入裝置中，緩衝層，係亦可在絕緣層與第1透明電極之間、和架橋配線部與第1透明電極之間，而連續地形成。
於上述輸入裝置中，較理想為，形成緩衝層之無機氧化物系材料係為非晶質材料。藉由此，可使緩衝層具有可撓性。
於上述輸入裝置中，緩衝層，較理想為，藉由由非晶質ITO(Indium Tin Oxide)及非晶質IZO(Indium Zinc Oxide)之群中所選擇的至少一者所形成。藉由此，可得到絕緣層與包含導電性奈米線之材料之間之密接性的提昇、光學特性之劣化抑制、以及緩衝層之可撓性。
於上述輸入裝置中，導電性奈米線，亦可為從由金奈米線、銀奈米線及銅奈米線而成之群之中所選擇的至少1者。藉由此，可得到透明電極之低電阻化、透光性提昇及充分的可撓性。
本發明之一樣態，係為具備顯示面板和被設置於顯示面板之上的觸控感測器之附輸入裝置之顯示裝置，該附輸入裝置之顯示裝置的觸控感測器，係由上述之輸入裝置所構成。藉由此，可構成光學特性優異，並可對應於曲面等各種形狀的附輸入裝置之顯示裝置。

[發明效果]
於藉由本發明所提供的輸入裝置中，被設置於透明電極的交叉部分之具有架橋配線部及絕緣層的架橋部，係對於連結部具有充分的密接性，並且使光學特性之劣化，尤其是架橋部之不可視性的降低被抑制。又，依據本發明，可提供具備上述之輸入裝置的附輸入裝置之顯示裝置。
以下，根據圖面，對於本發明之實施形態作說明。另外，於以下之說明中，對於相同之構件，係附加相同之元件符號，針對已作說明的構件，係適宜省略其說明。
第1圖(a)及(b)，係為對身為本實施形態的輸入裝置之一例的靜電電容式感測器作例示的平面圖。於第1圖(a)中，係展示靜電電容式感測器之整體的平面圖，於第1圖(b)中，係展示將第1圖(a)所示之A部放大的平面圖。第2圖(a)及(b)，係為本實施形態的靜電電容式感測器之架橋部分的剖面圖。於第2圖(a)中，係展示第1圖(b)的X1-X1剖面圖，於第2圖(b)中，係展示第1圖(b)的Y1-Y1剖面圖。於本說明書中，所謂「透明」以及「透光性」，係指可視光線透射率為50%以上(較理想為80%以上)的狀態。進而，霧值係以6%以下為理想。
如第1圖(a)所示般地，本實施形態之靜電電容式感測器1，係具備：基材10、和被設置於基材10的檢測區域S之第1電極11及第2電極12。基材10，係具有透光性，並藉由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚醯亞胺(PI)等之薄膜狀的材料而形成。基材10係以具有可撓性為理想。
第1電極11，係與沿著基材10之主面10a的X方向(第1方向)平行地被作配置。第2電極12，係與和沿著基材10之主面10a的X方向正交的Y方向(第2方向)平行地被作配置。第1電極11以及第2電極12係相互絕緣。於本實施形態中，係於Y方向上以特定之節距來配置複數個第1電極11，並於X方向上以特定之節距來配置複數個第2電極12。
第1電極11，係具有複數個第1透明電極111。於本實施形態中，複數個第1透明電極111，係具有近似於菱形的形狀，並在X方向上並排地被作配置。也就是說，複數個第1透明電極111，係與X方向平行地被作配置。相鄰接的2個第1透明電極111、111，係藉由架橋部30的架橋配線部31而被電連接。詳細內容係於後再述，但架橋部30，係從上層側起，具有架橋配線部31、絕緣層32及緩衝層33。
第2電極12，係具有複數個第2透明電極121。複數個第2透明電極121，係具有近似於菱形的形狀，並在Y方向上並排地被作配置。也就是說，複數個第2透明電極121，係與和X方向交叉的Y方向平行地被作配置。相鄰接的2個第2透明電極121、121，係藉由連結部122而被電連接。
第1透明電極111及第2透明電極121之各者，係由具有透光性，並藉由包含導電性奈米線之材料而形成的分散層所構成。將相鄰接的2個第2透明電極121、121電連接的連結部122亦由上述之分散層所構成。亦即，連結部122，係與和連結部122電連接的2個第2透明電極121、121一體性地形成。作為導電性奈米線，係使用有從由金奈米線、銀奈米線及銅奈米線而成之群之中所選擇的至少1者。藉由使用包含導電性奈米線之材料，係能夠謀求第1透明電極111及第2透明電極121之高透光性與低電阻化。
分散層，係具有導電性奈米線、和透明的樹脂層(基質)。導電性奈米線，係於基質之中被分散，分散層中的導電性奈米線之分散性，係藉由基質而確保。作為構成基質之材料(基質樹脂材料)，例如，係可列舉丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、及聚胺基甲酸酯樹脂等。藉由使導電性奈米線之各者於至少一部分處相互作接觸，而保有在包含導電性奈米線之材料的面內之導電性。
當朝主面10a的法線方向觀看時，絕緣部14，係位置於第1透明電極111與第2透明電極121及連結部122之間。絕緣部14，係可由具有與構成第1透明電極111等之分散層相同的構成之分散層，藉由使導電性降低而形成。作為使導電性降低的方法，係可例示以使擔負導電性的導電性奈米線之導電性喪失的方式來轉換導電性奈米線之形質、或去除導電性奈米線。因此，第1透明電極111、第2透明電極121及連結部122(以下，有時將該等統稱為「電極部15」)，係可藉由於基材10之上形成分散層，並針對與絕緣部14相對應的部分，來進行如上述般之使分散層之導電性降低的處理而形成。
於複數個第1電極11之各者處，係如第1圖所示般地，分別連接有朝向檢測區域S之外側引出的引出配線11a。又，於複數個第2電極12之各者處，係分別連接有朝向檢測區域S之外側引出的引出配線12a。於第1電極11處，係經由引出配線11a而被賦予驅動電壓，第2電極12，係經由引出配線12a而將檢測電流傳遞至外部電路。各引出配線11a、12a，係亦可藉由包含與構成第1透明電極111及第2透明電極121之材料相同的導電性奈米線之材料而形成，由於並不一定要求有透光性，因此亦可藉由其他的金屬系材料而形成。藉由此，即使線寬變細也可得到高導電性。引出配線11a、12a，係亦可具有層積構造。
引出配線11a、12a之各者，例如，係藉由網版印刷或蝕刻而形成。又，第1透明電極111、第2透明電極121、引出配線11a、12a之各者，係亦可藉由感光型導電性薄片(所謂的於乾膜抗蝕劑處具有導電層的薄片)而形成。藉由使用感光型導電性薄片，貼附此薄片來進行曝光及顯像，而可高生產性地形成第1透明電極111、第2透明電極121、引出配線11a、12a。
如第2圖(a)及第2圖(b)所示般地，第1電極11與第2電極12，係在相鄰接的2個第1透明電極111、111之連結位置和相鄰接的2個第2透明電極121、121之連結位置處而交叉。在此交叉部分處，係設置架橋部30，在交叉部分處，第1電極11與第2電極12係成為不相互接觸。
於本實施形態中，在相鄰接的2個第2透明電極121、121之間，係設置有連結部122。因而，第2電極12，係成為於Y方向上第2透明電極121與連結部122交互地重複的構成。連結部122，係如前述般地，由於是與第2透明電極121一體性地形成，因此相鄰接的2個第2透明電極121、121，係被連接設置於連結部122。
另一方面，於相鄰接的2個第1透明電極111、111之間，係設置有架橋部30。因而，第1電極11，係成為於X方向上第1透明電極111與架橋部30交互地重複的構成。
於架橋部30之上，係經由光學透明黏著層(OCA；Optical Clear Adhesive)35來設置有保護層50。保護層50，係經由光學透明黏著層35來與基材10接合。保護層50的構成材料並無特別限定。作為保護層50的構成材料，較理想係適用具有可撓性的塑膠基材。光學透明黏著層35，係為丙烯酸系黏著劑或雙面黏著膠帶等。
於本實施形態中，架橋部30，係具有：架橋配線部31、絕緣層32及緩衝層33。架橋配線部31，係以將相鄰接的2個第1透明電極111、111之間作連結的方式來設置。架橋配線部31的兩端，係分別與第1透明電極111連接，並以橫跨在相鄰接的2個第1透明電極111、111之間隔著絕緣部14之位置的連結部122的方式來設置，而將相鄰接的2個第1透明電極111、111電連接。
絕緣層32，係以避免第1透明電極111和第2透明電極121短路的方式，來設置於架橋配線部31與連結部122之間。作為絕緣層32，例如係使用有酚醛清漆樹脂(抗蝕劑)。原則上，絕緣層32，係只要是當朝主面10a的法線方向觀看時之僅位置於連結部122及被連接設置於連結部122的2個第2透明電極121、121與架橋配線部31之重疊的部分即可，但是，為了安定地實現第1透明電極111與第2透明電極121之短路防止的製造上之請求(對位精度之緩和)，係如第2圖(b)所示般地，絕緣層32，係在被連接設置於連結部122的2個第2透明電極121、121之連結部122近端的部分之上被廣範圍地設置。又，同樣地，為了有助於短路防止的製造上之請求(絕緣層32的形狀精度之緩和)，係如第2圖(a)所示般地，在位置於連結部122的周邊之2個第1透明電極111、111之連結部122近端的部分之上亦被廣範圍地設置。作為非限定的例示，當朝主面10a的法線方向觀看時，連結部122，係具有寬150μm×長度200μm之矩形的形狀，絕緣層32，係具有300μm×300μm之矩形的形狀。如此般地，當朝主面10a的法線方向觀看時，絕緣層32的寬，係亦可具有相對於連結部122的長度而言，為0.7倍至2.0倍左右的大小。
架橋配線部31，係從絕緣層32之表面起一直涵蓋至位置於絕緣層32之X方向的兩側之第1透明電極111的表面地被形成。於架橋配線部31，例如，係使用有氧化物系之導電材料。作為氧化物系之導電材料，例如，可列舉：ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide)、AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide)及FTO(Fluorine-doped Zinc Oxide)等。氧化物系之導電材料，就提高可撓性的觀點而言係以非晶質(amorphous)者為理想。架橋配線部31，係亦可具有層積構造。
緩衝層32，係如第2圖(b)所示般地，被設置於絕緣層32與連結部122之間。於本實施形態中，絕緣層32，係被設置於「被連接設置於連結部122的2個第2透明電極121、121之上」以及「隔著絕緣部14位置於連結部122旁邊的2個第1透明電極111、111的一部分之上」。換言之，絕緣層32，係具有以與被電連接於連結部122的2個第2透明電極121、121之一部分相對向的方式來延伸設置的部分。又，此絕緣層32，係具有以與和連結部122相鄰接的2個第1透明電極111、111之一部分相對向的方式來延伸設置的部分。因此，緩衝層33，係如第2圖(a)所示般地，被設置於絕緣層32與上述2個第2透明電極121、121的一部分之間、以及絕緣層32與上述2個第1透明電極111、111的一部分之間。亦即，緩衝層33，係具有位置於絕緣層32之與第2透明電極121相對向的部分和第2透明電極121之間的部分，並具有位置於絕緣層32之與第1透明電極111相對向的部分和第1透明電極111之間的部分。如此般，當朝主面10a的法線方向觀看時，緩衝層33，係以位置於絕緣層32與電極部15重疊的部分的方式被作設置。緩衝層33的厚度，例如，係為1nm以上20nm以下左右。
於本實施形態中，緩衝層33，係藉由具有透光性之無機氧化物系材料而形成。作為具有透光性之無機氧化物系材料，例如，係可列舉：身為具有透光性之無機氧化物系的導電材料之非晶質ITO(Indium Tin Oxide)、非晶質IZO(Indium Zinc Oxide)。另外，具有透光性之無機氧化物系材料係亦可不具有導電性。在緩衝層33為由絕緣性之材料所構成的情況時，緩衝層33，係亦可被設置於絕緣部14之上。在緩衝層33為由導電性之材料所構成的情況時，係如上述般，如第2圖(a)所示般地，將緩衝層33以避開絕緣部14之上的方式來作設置，只要防止第1透明電極111、111與第2透明電極121、121及連結部122之短路即可。
作為絕緣層32之構成材料所使用的酚醛清漆樹脂，係對於由前述分散層(由導電性奈米線分散於基質的材料所構成之層)所形成的電極部15之密接性為低。因此，於在電極部15之上直接形成絕緣層32的情況時，絕緣層32之形成並無法適當進行，而使適當地形成應該被設置於絕緣層32之上的架橋配線部31一事成為困難，而產生像是架橋配線部31與絕緣層32一起剝離等之使架橋部30的安定形成成為困難等的疑慮。
相對於此，緩衝層33，係對於絕緣層32具有適切的密接性，並且對於構成電極部15之分散層亦具有適切的密接性。因此，藉由如上述般地設置緩衝層33，而使絕緣層32不易從電極部15剝離，而使架橋部30安定地形成。其結果，可安定地實現以架橋配線部31所致之相鄰接的2個第1透明電極111之導通。就減低絕緣層32從電極部15剝離之可能性的觀點而言，如第2圖(a)所示般地，緩衝層33，較理想係亦被設置於相鄰接的2個第1透明電極111、111的一部分與絕緣層32之間。另外，於第2圖(a)中，由於在絕緣部14之上係並未設置有緩衝層33，因此存在有在絕緣層32與絕緣部14之間密接性會降低的可能性，但是，由於在電極部15之上設置有緩衝層33，因此絕緣層32剝離的可能性被適當地減低。又，緩衝層33，係由於僅被形成於電極部15之上，因此絕緣部14所位在的部分，係如第2圖(a)所示般地成為凹部。絕緣層32，係由於以填充此凹部的方式來作設置，因此產生錨定效應而絕緣層32之密接性係被適當地確保。在緩衝層33為由絕緣性之材料所構成的情況時，如前所述一般，係亦可於絕緣部14之上形成緩衝層33。
又，緩衝層33，係對構成絕緣層32之材料浸透於電極部15一事作抑制。如上述般，作為絕緣層32之構成材料所使用的酚醛清漆樹脂，係由於對於電極部15之基質樹脂材料(例如，丙烯酸樹脂)的密接性為低，因此在不設置緩衝層33的情況時，係會在絕緣層32與電極部15之間產生剝離。若是為了改善此密接性來作為絕緣層32而使用以丙烯酸樹脂作為主成分的抗蝕材料，則恐有絕緣層32之構成材料會浸透於電極部15的疑慮。在產生了此浸透的部分處係透光性會降低，而造成架橋部30之不可視性的降低。
然而，藉由如上述般地設置緩衝層33，即使是在絕緣層32之構成材料係以丙烯酸系樹脂樹脂作為主成分的情況，絕緣層32之構成材料浸透於電極部15一事亦會被抑制，而可避免架橋部30之不可視性的降低。另外，於此情況中，由於如第2圖(a)所示般地於絕緣部14之上並未形成有緩衝層33，因此並無法否定在此部分處絕緣層32之構成材料浸透於絕緣部14的可能性。然而，當朝主面10a的法線方向觀看時，由於絕緣部14佔架橋部30之整體的面積比例為小，因此對於架橋部30之不可視性所造成的影響並不高。在要求排除此影響的情況時，係只要將緩衝層33以絕緣性之材料構成，並且也形成於絕緣部14之上即可。
緩衝層33，係亦可構成為不會從絕緣層32往外側超出。亦即，緩衝層33，當朝主面10a的法線方向觀看時，以不會從絕緣層32的外緣往第1透明電極111之側超出的方式被作設置。若緩衝層33從絕緣層32的外緣往第1透明電極111之側超出，則於此部分處成為架橋配線部31、緩衝層33及電極部15之3層重疊。起因於此，於此部分處折射率相異之層的邊界係成為2個。
另一方面，只要並未從絕緣層32的外緣往第1透明電極111之側緩衝層33超出，則於絕緣層32之外側處，緩衝層33不會中介存在於架橋配線部31與電極部15之間。亦即，成為架橋配線部31與電極部15之2層的接觸，折射率相異之層的邊界係成為1個。
由於在折射率相異之層的邊界處係容易引起光的反射，因此邊界的數目越少，則不可視性越高。也就是說，於架橋配線部31與電極部15之間不設置有緩衝層33者，係相較於設置有緩衝層33的情況，而不可視性變高。因而，就提高架橋部30之不可視性而言，係以不會從絕緣層32的外緣往第1透明電極111之側超出的方式來設置緩衝層33為較理想。就確實地避免上述之緩衝層33之從絕緣層32的外緣超出的觀點而言，有時亦以於第1透明電極111之上不設置緩衝層33的方式為理想。
第3圖(a)及第3圖(b)，係為本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之架橋部分的剖面圖。於第3圖(a)中，係展示第1圖(b)的X1-X1剖面圖，於第3圖(b)中，係展示第1圖(b)的Y1-Y1剖面圖。於第3圖所示之例中，絕緣層32，係具有以與包夾著連結部122來相鄰接地被配置的2個第1透明電極111之一部分相對向的方式來延伸設置的部分32a。又，緩衝層33，係具有位置於絕緣層32之與第1透明電極111相對向的部分32a和第1透明電極111之間的部分33a。
在即使設置有緩衝層33亦可確保不可視性的情況時，係如第3圖所示般地，亦可於架橋配線部31與電極部15之間設置緩衝層33。作為這種情況的具體例，係可列舉使緩衝層33的厚度為充分薄的情況。存在有若是緩衝層33為15nm以下，則可適當地減低對於不可視性造成的影響的情況，並存在有若是緩衝層33為10nm以下，則可實現良好的不可視性的情況。
又，緩衝層33，係亦可在絕緣層32與第1透明電極111之間、和架橋配線部31與第1透明電極111之間，而連續地形成。
又，作為形成緩衝層33之無機氧化物系材料，係較理想為非晶質材料。例如，緩衝層33之構成材料，較理想為由非晶質ITO(Indium Tin Oxide)及非晶質IZO(Indium Zinc Oxide)之群中所選擇的至少一者。藉由此，可使緩衝層33具有可撓性。因而，即使是在配合適用靜電電容式感測器1之機器的各種形狀來作彎曲等的情況，亦可抑制緩衝層33之損傷。
另外，緩衝層33之構成材料，有時亦會考慮製程適用性來作設定。例如，在將緩衝層33，不僅用於防止絕緣層32之構成材料浸透於電極部15之目的，也用於在蝕刻製程中保護電極部15之目的之情況時，較理想係可發揮作為蝕刻之停止層的功能。在將金屬系材料進行蝕刻時，相對於所使用的酸性之蝕刻液的溶解性，由於非晶質ITO係較非晶質IZO更高，因此在將上述觀點(製程適用性)也列入考慮的情況時，相較於非晶質IZO，非晶質ITO係被定義是作為緩衝層33之構成材料而為較理想的材料。
第4圖係為對本實施形態的靜電電容式感測器之製造方法作例示的流程圖。第5圖(a)~(e)，係為對本實施形態的靜電電容式感測器之製造方法作例示的剖面圖。
首先，如第4圖之步驟S101所示般地，形成緩衝層33。亦即，如第5圖(a)所示般地，於基材10之主面10a上形成電極部15(第1透明電極111、第2透明電極121及連結部122)，並於此電極部15之上形成緩衝層33。電極部15，係由導電性奈米線(例如，由銀奈米線所構成)被分散於基質(例如，由丙烯酸系樹脂所構成)而成的分散層所構成。當朝主面10a的法線方向觀看時，絕緣部14，係位置於第1透明電極111與第2透明電極121及連結部122之間。絕緣部14，係藉由從構成電極部15之分散層去除導電性奈米線，而使導電性喪失而形成。亦即，如專利文獻1所記載般地，針對與被設置於基材10上的分散層之絕緣部14相對應的部分，進行使導電性奈米線形質變化的處理及將形質變化後的導電性奈米線去除的處理，而形成藉由絕緣部14所包圍的電極部15之各圖案。
於此電極部15之上，形成由透明的無機氧化物系材料(例如，非晶質ITO)所構成的緩衝層33。接著，僅將被層積於絕緣部14之上的緩衝層33以蝕刻進行去除，以使緩衝層33僅殘留於電極部15(第1透明電極111、第2透明電極121及連結部122)上。由於絕緣部14之絕緣性係充分高，因此在將緩衝層33進行蝕刻時，亦可進行以使絕緣部14成為蝕刻停止層般的選擇蝕刻。例如，在緩衝層33為非晶質ITO，且絕緣部14為藉由丙烯酸系樹脂所形成的情況，若對於丙烯酸系樹脂藉由具有選擇性之草酸來進行緩衝層33之蝕刻則為理想。另外，在將緩衝層33進行蝕刻時，亦可將絕緣部14與緩衝層33一起以蝕刻進行去除。
接著，如第4圖之步驟S102所示般地，形成絕緣層32。亦即，如第5圖(b)所示般地，絕緣層32，係以覆蓋電極部15及絕緣部14之全面的方式而被形成。作為絕緣層32，係使用有酚醛清漆樹脂(抗蝕劑)。
接著，如第4圖之步驟S103所示般地，進行絕緣層32之圖案化。亦即，如第5圖(c)所示般地，以僅殘留連結部122與成為其周邊之第1透明電極111的一部分及第2透明電極121的一部分之上，並去除其他部分的方式，來藉由光蝕刻(曝光・顯像)而將絕緣層32進行圖案化。在絕緣層32為由抗蝕劑等之不具有感光性的絕緣材料所構成的情況時，係將絕緣層32進行蝕刻來圖案化。此時，若進行如使絕緣層32之下的緩衝層33成為蝕刻停止層般的選擇性蝕刻則較理想。
接著，如第4圖之步驟S104所示般地，進行緩衝層33之圖案化。亦即，如第5圖(d)所示般地，將絕緣層32所殘留的部分以外之緩衝層33藉由蝕刻來去除。藉由此，針對絕緣層32以外的部分，係成為第1透明電極111及第2透明電極121之面露出的狀態。於此緩衝層33之蝕刻中，若進行如使電極部15成為蝕刻停止層般的選擇性蝕刻則較理想。例如，在緩衝層33為非晶質ITO，且電極部15為由銀奈米線分散於丙烯酸系樹脂而成之分散層所構成的情況，若對於分散層藉由具有選擇性之草酸來進行緩衝層33之蝕刻則為理想。於在此緩衝層33之蝕刻中絕緣層32發揮作為緩衝層33之遮罩的功能的情況時，係由於緩衝層33位置於絕緣層32的外側，而對於會對架橋部30之不可視性造成影響一事作安定地抑制，因此較理想。
接著，如第4圖之步驟S105所示般地，形成架橋配線部31。亦即，如第5圖(e)所示般地，以橫跨絕緣層32的方式來形成架橋配線部31。架橋配線部31，係以藉由光蝕刻及蝕刻來從絕緣層32之表面起一直涵蓋至位置於絕緣層32的兩側之第1透明電極111的表面處地具有細長的形狀的方式來被形成。此時，若以避免第1透明電極111及第2透明電極121的表面被削減的方式來進行選擇性蝕刻，則為理想。藉由此，經由橫跨絕緣層32的架橋配線部31，相鄰接之第1透明電極111係被電連接。
其後，如第2圖所示般地，於架橋部30之上經由光學透明黏著層35來形成保護層50。藉由此，靜電電容式感測器1係完成。
第6圖係為對本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之製造方法作例示的流程圖。第7圖(a)~(e)，係為對本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之製造方法作例示的剖面圖。
首先，如第6圖之步驟S201所示般地，形成緩衝層33。亦即，如第7圖(a)所示般地，於基材10之主面10a上形成電極部15(第1透明電極111、第2透明電極121及連結部122)，並於此電極部15之上形成緩衝層33。電極部15，係由導電性奈米線(例如，由銀奈米線所構成)被分散於基質(例如，由丙烯酸系樹脂所構成)而成的分散層所構成。當朝主面10a的法線方向觀看時，絕緣部14，係位置於第1透明電極111與第2透明電極121及連結部122之間。絕緣部14，係藉由從構成電極部15之分散層去除導電性奈米線，而使導電性喪失而形成。
於此電極部15之上，形成由透明的無機氧化物系材料(例如，非晶質ITO)所構成的緩衝層33。接著，僅將被層積於絕緣部14之上的緩衝層33以蝕刻進行去除，以使緩衝層33僅殘留於電極部15(第1透明電極111、第2透明電極121及連結部122)上。
接著，如第6圖之步驟S202所示般地，形成絕緣層32。亦即，如第7圖(b)所示般地，形成絕緣層32。絕緣層32，係以覆蓋電極部15及絕緣部14之全面的方式而被形成。作為絕緣層32，係使用有酚醛清漆樹脂(抗蝕劑)。
接著，如第6圖之步驟S203所示般地，進行絕緣層32之圖案化。亦即，如第7圖(c)所示般地，進行絕緣層32之圖案化。亦即，以僅殘留連結部122與成為其周邊之第1透明電極111的一部分及第2透明電極121的一部分之上，並去除其他部分的方式，來藉由光蝕刻(曝光・顯像)而將絕緣層32進行圖案化。在絕緣層32為由抗蝕劑等之不具有感光性的絕緣材料所構成的情況時，係將絕緣層32進行蝕刻來圖案化。此時，若進行如使絕緣層32之下的緩衝層33成為蝕刻停止層般的選擇性蝕刻則較理想。
接著，如第6圖之步驟S204所示般地，進行用以形成架橋配線部31的架橋膜31a之形成。亦即，如第6圖(d)所示般地，形成用以形成架橋配線部31的架橋膜31a，來覆蓋絕緣層32及緩衝層33之全體。構成此架橋膜31a之材料的具體例係為非晶質ITO。
接著，如第7圖之步驟S205所示般地，進行架橋配線部31之形成。亦即，如第6圖(e)所示般地，針對架橋膜31a當中構成架橋配線部31的部分以外進行蝕刻。在此，構成緩衝層33之材料，係為與構成架橋膜31a之材料相同的非晶質ITO，因此，藉由用以將架橋膜31a進行蝕刻的蝕刻液，位置於架橋膜31a之下層的緩衝層33也會被蝕刻。亦即，架橋膜31a與緩衝層33係一併被蝕刻。其結果，使第1透明電極111及第2透明電極121之表面露出。由於架橋膜31a當中構成架橋配線部31的部分係藉由抗蝕劑所保護，因此位置於其下層的緩衝層33並不會被蝕刻而殘留。又，位置於絕緣層32之下層的緩衝層33也是，由於緩衝層33發揮作為保護膜的功能，因此不會被蝕刻而殘留。是故，從絕緣層32之表面起一直涵蓋至絕緣層32的兩側之緩衝層33的表面地具有細長的形狀之架橋配線部31，係以從緩衝層33之上起橫跨絕緣層32的方式來被形成。藉由此，經由橫跨緩衝層33及絕緣層32的架橋配線部31，相鄰接之第1透明電極111係被電連接。
其後，如第3圖所示般地，於架橋部30之上經由光學透明黏著層35來形成保護層50。藉由此，第3圖所示之構造的靜電電容式感測器1係完成。
依據第6圖及第7圖所示之製造方法，對比於第4圖及第5圖所示之製造方法，可得到如下述般之優點。第4圖或第6圖的流程圖所示之製造步驟，並非僅限制為全部被連續地進行，亦存在有於某步驟結束後至下個步驟開始為止之期間(間隔)中存在有參差的情況。作為這種情況的具體例，係可列舉：某步驟為連續處理，而接續該步驟的步驟為批次處理的情況，再更具體而言，第4圖之步驟S104(緩衝層之蝕刻)與第4圖之步驟S105(架橋配線部之形成)係身為這種關係。
當藉由第5圖所示之製造方法來製造靜電電容式感測器時，於第5圖(d)所示的工程與第5圖(e)所示的工程之間具有間隔。於第5圖(d)所示的工程結束之階段中，於電極部15(第1透明電極111)之架橋配線部31被形成於其上的部分係成為露出的狀態。在電極部15(第1透明電極111)中所包含之導電性奈米線為包含銀奈米線的情況時，係若在第5圖(d)所示的工程結束的狀態下作放置，則會有於電極部15(第1透明電極111)中所包含之銀奈米線與大氣中的物質(氧、硫等)進行反應而形成電阻成分的情形。若形成這種電阻成分，則當於第5圖(e)所示的工程中架橋配線部31被形成時，架橋配線部31與電極部15(第1透明電極111)之間的電阻會變高。
相對於此，當藉由於第6圖之流程圖中展示概要，並於第7圖中展示各步驟之具體的構成之製造方法來製造靜電電容式感測器時，從第7圖(a)之狀態起，直至於第7圖(e)中架橋膜31a與緩衝層33被一併蝕刻為止，電極部15(第1透明電極111)並無露出。亦即，緩衝層33，係直至第7圖(e)為止發揮作為電極部15(第1透明電極111)之保護膜的功能。因此，即使在第7圖(c)所示的工程結束之狀態或第7圖(d)所示的工程結束之狀態而直到下個工程為止之期間中存在有間隔，於電極部15(第1透明電極111)之架橋配線部31所形成的部分之變質(氧化、硫化等)也會被抑制。因而，在藉由第7圖所示之製造方法來製造靜電電容式感測器的情況時，係架橋配線部31與電極部15(第1透明電極111)之間的電阻不易變高。
另外，就作為對於金屬系材料之蝕刻的停止層之觀點而言，作為緩衝層33之材料而使用非晶質ITO者係較非晶質IZO更容易使用。引出配線11a，12a，由於是位置於檢測區域S的外側，因此並不要求透光性。因此，就提高導電性的觀點而言，係有作為引出配線11a，12a之構成材料而使用有金屬系材料的情況。在這種情況時，係有採用於構成電極部15之層之上層積金屬系材料之層，其後，藉由蝕刻來對此層進行圖案化，而形成引出配線11a，12a之製程的情形。
當採用該製程時，係只要是在於電極部15之上層積金屬系材料之層之前的階段，於電極部15之上形成緩衝層33，則可藉由緩衝層33保護於電極部15中所包含之導電性奈米線不被將金屬系材料進行蝕刻的蝕刻液所影響。亦即，可將緩衝層33作為蝕刻之停止層來使用。基於此目的，亦同樣的，在使用緩衝層33的情況時，對緩衝層33係要求具有對於酸性蝕刻液之難溶性。由於非晶質ITO係較非晶質IZO更不易溶於酸性蝕刻液，因此就此觀點而言，作為緩衝層33之構成材料係為理想。
將形成於電極部15之上的絕緣層32及緩衝層33乃至於架橋配線部31與電極部15(第1透明電極111)之間的樣態作改變，進行密接性及不可視性乃至於製程適用性的實驗。將實驗結果展示於表1中。
實驗，係針對樣品No.1～No.9，以交叉切割試驗(100格試驗)來測定電極部15與其上之絕緣層32的密接性。又，針對該樣品，來官能評估由ITO所構成的架橋部30之不可視性(難見度)。進而，於在架橋配線部31與電極部15之間形成了膜的情況時，亦針對該膜是否容易溶解於酸性蝕刻液一事進行確認。
樣品No.1，係作為絕緣層32而使用酚醛清漆系樹脂，且無設置緩衝層33。於絕緣層32的外側處亦無設置緩衝層33。於未設置緩衝層33的樣品No.1中，係在交叉切割試驗中沒剝離的格數為0/100，亦即，全部都剝離。因而，成為密接性不良的結果。於樣品No.1中，係由於如此般地密接性為不良，因此無法形成架橋配線部31，而無法進行架橋部30之不可視性的評價。
樣品No.2，係作為絕緣層32而使用酚醛清漆系樹脂，作為緩衝層33而將非晶質ITO以5nm厚度作形成。於絕緣層32與電極部15之間設置有緩衝層33的樣品No.2中，在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性良好的結果。又，針對架橋部30之不可視性，係成為非常難看到，且顏色透出也非常少之特別良好的結果。
樣品No.3，係為與樣品No.2相同的構成，但是，就於架橋配線部31與絕緣層32之間設置有厚度為10nm的緩衝層33之點而言，係為不同的樣品。於樣品No.3中，在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性良好的結果。又，針對架橋部30之不可視性，係成為非常難看到之良好的結果。
樣品No.4，係為與樣品No.2相同的構成，但就緩衝層33的厚度成為15nm之點而言，係為不同的樣品。於樣品No.4中，在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性良好的結果。又，針對架橋部30之不可視性，係成為非常難看到之良好的結果。
樣品No.5，係為與樣品No.4相同的構成，但是，就緩衝層33之材料成為非晶質IZO之點而言，係為不同的樣品。於樣品No.5中，係在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性良好的結果。又，針對架橋部30之不可視性，係成為非常難看到之良好的結果。
樣品No.6，係為與樣品No.3相同的構成(緩衝層33的厚度：10nm)，但是，就於位置於絕緣層32之外側的第1透明電極111之上仍殘留有10nm厚的緩衝層33(由非晶質ITO所構成)之點而言，係為不同的樣品。因此，架橋配線部31，係經由緩衝層33來被連接於第1透明電極111。於樣品No.6中，係在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性為良好的結果。又，針對架橋部30之不可視性，亦成為非常難看到之良好的結果。依據此結果，可確認到：即使於架橋配線部31與第1透明電極111之間設置有緩衝層33的情況，只要適切地設定其厚度，則可確保良好的不可視性。
樣品No.7，係為與樣品No.6相同的構成，但是，就包含位置於位在絕緣層32之外側的第1透明電極111之上的部分，由非晶質ITO所構成之緩衝層33係以15nm厚度被形成之點而言，係為不同的樣品。此樣品，針對密接性方面係成為與樣品No.6相同的結果，但是，針對架橋部30之不可視性方面，由於在絕緣層32之外側處中介存在於架橋配線部31與電極部15之間的緩衝層33的厚度係為15nm，因此，折射率相異之層的重疊為多，而成為看得見顏色透出的結果。因而，於表1中係顯示為「可」。
樣品No.8，係為與樣品No.6相同的構成，但就被設置於位置於絕緣層32之外側之第1透明電極111之上的緩衝層33為由IZO所構成之點而言，係為不同的樣品。於密接性及不可視性之評價中，係成為與樣品No.6相同的結果(密接性良好、不可視性良好)，但是，評價對於用以將銅系材料進行蝕刻之酸性蝕刻液的溶解性之結果，樣品No.6之由ITO膜所構成的緩衝層33，係對於酸性蝕刻液的溶解性成為低，但是，樣品No.8之由IZO膜所構成的緩衝層33，係對於酸性蝕刻液的溶解性為變高。因而，可確認到：樣品No.6或樣品No.7之由ITO膜所構成的緩衝層33，係可作為保護第1透明電極111不受蝕刻液影響的構件來使用，但是，將樣品No.8之由IZO膜所構成的緩衝層33作為這種保護膜來使用一事係為困難。
樣品No.9，係為與樣品No.1相同的構成，但是，就作為絕緣層32之材料而使用有丙烯酸系樹脂之點而言，係為不同的樣品。於樣品No.9中，在交叉切割試驗中沒有剝離的格數為100/100，亦即，無發生剝離。因而，成為密接性良好的結果。但，發生絕緣層32之構成材料浸透於電極部15的情形，針對架橋部30之不可視性，係成為不良的結果。
為了確認第2圖所示之構成與第3圖所示之構成的差異，而進行如下述般的實驗。將實驗結果展示於表2中。
準備有第2圖所示之構成(構成1)，亦即，於架橋配線部31與第1透明電極111之間未設置緩衝層33的構成、和第3圖所示之構成(構成2)，亦即，10nm厚之緩衝層33(由非晶質ITO所構成)係位置於位在絕緣層32之外側的第1透明電極111之上，且於架橋配線部31與第1透明電極111之間設置有緩衝層33的構成。構成1，係對應於上述樣品No.3，構成2，係對應於上述樣品No.6。
針對各構成之樣品，測定於X軸方向上作排列的第1電極11的配線電阻。測定時點，係設為剛製造後(0小時)、24小時後、及48小時後。又，針對一部分的樣品，係在緊接於製造後立即供給至環境試驗(相對濕度85%、溫度85℃、168小時)。針對此環境試驗後的樣品，亦在剛試驗後(0小時)、24小時後、及48小時後的時間點測定配線電阻。將測定結果展示於表2中。表中之數值，係為以樣品剛製造後(0小時)之測定結果作為基準的電阻增加率(單位：%)。
如表2所示般地，於架橋配線部31與第1透明電極111之間未設置緩衝層33的構成1中，係配線電阻會歷時性地上昇，該傾向，係若進行環境試驗則變得明顯。相對於此，於架橋配線部31與第1透明電極111之間設置有緩衝層33的構成2中，係幾乎未確認到歷時性之電阻增加，即使進行環境試驗，電阻增加亦相較於構成1而為少許。
接著，針對身為本實施形態的輸入裝置之一例的靜電電容式感測器1之適用例進行說明。
第8圖，係為對本實施形態的靜電電容式感測器之適用例作展示的示意圖。
於第8圖中，係為展示將靜電電容式感測器1適用於身為附輸入裝置之顯示裝置之一例的觸控面板200之例。觸控面板200，係具備：顯示面板210、和被設置於顯示面板210之上的觸控感測器220。此觸控感測器220，係由靜電電容式感測器1所構成。作為顯示面板210，例如係使用液晶顯示面板。由液晶顯示面板所構成的顯示面板210，係具有相互地被對向配置的驅動基板211及對向基板212，於驅動基板211與對向基板212之間設置有液晶層213。觸控感測器220，係被設置於對向基板212之表側。
如以上所說明般地，若依據本實施形態，則成為能夠提供可確保透明電極交叉部之架橋部30與電極部15之充分的密接性，並且可對光學特性之劣化(尤其是架橋部30之不可視性的降低)作抑制的靜電電容式感測器1(輸入裝置)及觸控面板200(附輸入裝置之顯示裝置)。
另外，雖係於上述內容中對於本實施形態作了說明，但是，本發明係並非為被限定於此些之例者。例如，針對電極部15、架橋配線部31(架橋膜31a)、絕緣層32及緩衝層33之各者的材料，即使是上述所說明的材料以外，只要是可得到與本發明相同之作用效果的材料則可適用。又，對於前述之各實施形態，該業者適當進行構成要素之追加、刪除、設計變更者，或將各實施形態之構成例的特徵適當組合者，只要具備有本發明之要旨，皆納入本發明之範圍內。
1‧‧‧靜電電容式感測器(輸入裝置)
10‧‧‧基材
10a‧‧‧主面
11‧‧‧第1電極
11a‧‧‧引出配線
12‧‧‧第2電極
12a‧‧‧引出配線
14‧‧‧絕緣部
15‧‧‧電極部
30‧‧‧架橋部
31‧‧‧架橋配線部
31a‧‧‧架橋膜
32‧‧‧絕緣層
32a‧‧‧部分
33‧‧‧緩衝層
33a‧‧‧部分
35‧‧‧光學透明黏著層
50‧‧‧保護層
111‧‧‧第1透明電極
121‧‧‧第2透明電極
122‧‧‧連結部
200‧‧‧觸控面板(附輸入裝置之顯示裝置)
210‧‧‧顯示面板
211‧‧‧驅動基板
212‧‧‧對向基板
213‧‧‧液晶層
220‧‧‧觸控感測器(輸入裝置)
S‧‧‧檢測區域
[第1圖] (a)及(b)，係為對本實施形態的靜電電容式感測器作例示的平面圖。
[第2圖] (a)及(b)，係為本實施形態的靜電電容式感測器之架橋部分的剖面圖。
[第3圖] (a)及(b)，係為本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之架橋部分的剖面圖。
[第4圖] 係為對本實施形態的靜電電容式感測器之製造方法作例示的流程圖。
[第5圖] (a)~(e)，係為對本實施形態的靜電電容式感測器之製造方法作例示的剖面圖。
[第6圖] 係為對本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之製造方法作例示的流程圖。
[第7圖] (a)~(e)，係為對本實施形態之另一例的靜電電容式感測器之製造方法作例示的剖面圖。
[第8圖] 係為對本實施形態的靜電電容式感測器之適用例作展示的示意圖。

Claims (11)

  1. 一種輸入裝置，其係具備： 基材，係具有透光性、和 複數個第1透明電極，係於前述基材的檢測區域中與第1方向平行地被作配置，具有透光性，並藉由包含導電性奈米線之材料而形成、和 複數個第2透明電極，係於前述檢測區域中與和前述第1方向交叉的第2方向平行地被作配置，具有透光性，藉由包含導電性奈米線之材料而形成，並與前述第1透明電極絕緣、和 連結部，係藉由包含導電性奈米線之材料而形成，並將相鄰接的2個前述第2透明電極相互地電連接、以及 架橋部，係被設置於前述連結部之上，並將相鄰接的2個前述第1透明電極相互地電連接， 前述架橋部係具有： 架橋配線部，係以將前述相鄰接的2個前述第1透明電極之間作連結的方式來設置、和 絕緣層，係被設置於前述架橋配線部與前述連結部之間、以及 緩衝層，係被設置於前述絕緣層與前述連結部之間， 前述緩衝層，係藉由具有透光性之無機氧化物系材料而形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之輸入裝置，其中，前述絕緣層，係具有以與被電連接於前述連結部的2個前述第2透明電極之一部分相對向的方式來延伸設置的部分，前述緩衝層，係具有位置於前述絕緣層之與前述第2透明電極相對向的部分和前述第2透明電極之間的部分。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述絕緣層，係具有以與包夾著前述連結部來相鄰接地被配置的2個前述第1透明電極之一部分相對向的方式來延伸設置的部分， 前述緩衝層，係具有位置於前述絕緣層之與前述第1透明電極相對向的部分和前述第1透明電極之間的部分。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述緩衝層，係被形成於前述架橋配線部與前述第1透明電極之間。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之輸入裝置，其中，前述緩衝層，係被形成於前述架橋配線部與前述第1透明電極之間。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之輸入裝置，其中，前述緩衝層，係在前述絕緣層與前述第1透明電極之間、和前述架橋配線部與前述第1透明電極之間，而連續地形成。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之輸入裝置，其中，前述緩衝層，係在前述絕緣層與前述第1透明電極之間、和前述架橋配線部與前述第1透明電極之間，而連續地形成。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述無機氧化物系材料係為非晶質材料。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述緩衝層，係藉由由非晶質ITO(Indium Tin Oxide)及非晶質IZO(Indium Zinc Oxide)之群中所選擇的至少一者所形成。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置，其中，前述導電性奈米線，係為從由金奈米線、銀奈米線及銅奈米線而成之群中所選擇的至少1者。
  11. 一種附輸入裝置之顯示裝置，其係具備：顯示面板、和 觸控感測器，係被設置於前述顯示面板之上， 前述觸控感測器，係由如申請專利範圍第1項或第2項所記載之輸入裝置所構成。
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