JP6889803B2 - 入力装置および入力装置付き表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、静電容量式センサなどの入力装置に関し、特に導電性ナノワイヤを含む材料によって透明電極が形成された入力装置、およびこの入力装置を備える入力装置付き表示装置に関するものである。

タッチパネルに用いられる静電容量式センサなどの入力装置は、基材の上に設けられ第１透明電極と、第２透明電極とを備え、両電極の交差位置にブリッジ配線部を有するブリッジ部を設けている。このような静電容量式センサにおいて、曲面などの多様な形状に対応できるようにしたいという要望もある。そこで、静電容量式センサの透明電極の材料として、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤおよび銅ナノワイヤなどの導電性ナノワイヤを含む材料を用いることがある。

特許文献１には、銀ナノワイヤを含む導電層を導電領域と非導電領域とにパターニングでき、非導電領域の光学特性を良好にできる透光性導電部材およびそのパターニング方法が開示される。この透光性導電部材では、銀ナノワイヤを含む材料で構成された複数の第１の電極部を連結導通部で接続し、この連結導通部を挟んで隣接する第２の電極部をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のブリッジ配線部で接合している。

特許文献２には、特に、低抵抗金属としてＣｕ、Ｃｕ合金あるいはＡｇ合金を用いた際に、良好な不可視特性を確保できるとともにブリッジ配線部の耐環境性や静電破壊耐性を向上させることが可能な入力装置が開示される。この入力装置では、隣接する複数の透明電極の間を接続するブリッジ配線部が、アモルファスＩＴＯ／金属層／アモルファスＩＴＯの積層構造を有する。

国際公開第ＷＯ２０１５／０１９８０５号 特開２０１３−１７８７３８号公報

静電容量式センサなどの入力装置において、導電性ナノワイヤを含む材料を用いた透明電極にブリッジ配線部を設ける場合、ブリッジ配線部と下層の透明電極とを絶縁するためにブリッジ配線部と透明電極との間に絶縁層が配置される。この絶縁層と透明電極との密着性や可撓性の確保、光学特性の劣化抑制が重要となる。例えば、銀ナノワイヤを含む透明電極の上に、ノボラック樹脂の絶縁層を形成した場合、銀ナノワイヤを含む透明電極のマトリックス樹脂材料とノボラック樹脂との十分な密着性が得られない。一方、密着性を重視した例えばアクリル系樹脂を絶縁層として用いた場合には、絶縁層の構成材料が透明電極に含まれるマトリックス樹脂材料へ浸透することがあり、このような現象が生じた部分では光学特性の悪化が問題となる。

本発明は、導電性ナノワイヤを含む材料で透明電極を形成し、上記のように透明電極に設けられた絶縁層を介してブリッジ配線部を設ける場合、ブリッジ配線部および絶縁層を含むブリッジ部の透明電極に対する十分な密着性を確保できるとともに、光学特性の劣化を抑制することができる入力装置およびかかる入力装置を備える入力装置付き表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様は、透光性を有する基材と、基材の検出領域において第１方向と平行に配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成された複数の第１透明電極と、検出領域において第１方向と交差する第２方向と平行に配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成され、第１透明電極と絶縁された複数の第２透明電極と、導電性ナノワイヤを含む材料により形成され、隣り合う２つの第２透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、連結部の上に設けられ、隣り合う２つの第１透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ部と、を備えた入力装置である。このブリッジ部は、隣り合う２つの第１透明電極の間を繋ぐように設けられたブリッジ配線部と、ブリッジ配線部と連結部との間に設けられた絶縁層と、絶縁層と連結部との間に設けられたバッファ層と、を有し、バッファ層は、透光性を有する無機酸化物系材料によって形成される。

このような構成によれば、ブリッジ部における絶縁層と、導電性ナノワイヤを含む材料により形成された連結部と、の間に設けたバッファ層によって、絶縁層と連結部との密着性が高まり、光学特性の劣化が抑制される。すなわち、バッファ層として酸化物系材料を用いることで、バッファ層は、連結部の構成材料（マトリックス樹脂材料）に対して良好な密着性を有するとともに、絶縁層に対しても良好な密着性を有する。また、バッファ層として無機系材料を用いることで、絶縁層の構成材料が連結部に浸透することが抑制され、光学特性の劣化、特にブリッジ部の不可視性の低下が抑制される。

上記の入力装置において、絶縁層は、連結部に電気的に接続された２つの第２透明電極の一部に対向するように延設された部分を有することが、ブリッジ配線部と第２透明電極との短絡をより安定的に防止する観点から好ましい。この場合には、バッファ層は、絶縁層の第２透明電極に対向する部分と第２透明電極との間に位置する部分を有することにより、絶縁層の第２透明電極からの剥離が抑制されるとともに、光学特性の劣化が抑制される。絶縁層は、隣り合う２つの第１透明電極の一部に対向するように延設された部分を有していてもよい。この場合には、バッファ層は、絶縁層の第１透明電極に対向する部分と第１透明電極との間に位置する部分を有する。

上記の入力装置において、絶縁層は、連結部を挟んで隣り合って配置された２つの第１透明電極の一部に対向するように延設された部分を有し、バッファ層は、絶縁層の第１透明電極に対向する部分と第１透明電極との間に位置する部分を有していてもよい。これにより、絶縁層の構成材料が電極部に浸透することを防止することができる。

上記の入力装置において、バッファ層はブリッジ配線部と第１透明電極の間に形成されていてもよい。この場合には、製造過程の初期段階で第１透明電極をバッファ層で覆っておけば、バッファ層は第１透明電極の保護膜として機能し、第１透明電極におけるブリッジ配線部に対向する部分が露出することを製造過程を通じて防ぐことができる。このため、この部分で第１透明電極に含まれる導電性ナノワイヤが変質しにくく、結果、ブリッジ配線部と第１透明電極との間で抵抗上昇が生じにくい。また、上記の入力装置において、バッファ層は、絶縁層と第１透明電極との間と、ブリッジ配線部と第１透明電極との間とで連続して形成されていてもよい。

上記の入力装置において、バッファ層を形成する無機酸化物系材料はアモルファス材料であることが好ましい。これにより、バッファ層に可撓性を持たせることができる。

上記の入力装置において、バッファ層は、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびアモルファスＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）の群より選択された少なくとも一つにより形成されていることが好ましい。これにより、絶縁層と導電性ナノワイヤを含む材料との密着性向上、光学特性の劣化抑制、およびバッファ層の可撓性を得ることができる。

上記の入力装置において、導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。これにより、透明電極の低抵抗化、透光性向上および十分な可撓性を得ることができる。

本発明の一態様は、表示パネルと、表示パネルの上に設けられたタッチセンサと、を備える入力装置付き表示装置であって、かかる入力装置付き表示装置のタッチセンサは上記の入力装置からなる。これにより、光学特性に優れ、曲面など様々な形状に対応可能な入力装置付き表示装置を構成することができる。

本発明により提供される入力装置では、透明電極の交差部分に設けられた、ブリッジ配線部および絶縁層を有するブリッジ部が連結部に対して十分な密着性を有するとともに、光学特性の劣化、特にブリッジ部の不可視性の低下が抑制されている。また、本発明によれば、上記の入力装置を備える入力装置付き表示装置が提供される。

（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る静電容量式センサを例示する平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る静電容量式センサのブリッジ部分の断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサのブリッジ部分の断面図である。 本実施形態に係る静電容量式センサの製造方法を例示するフローチャートである。 （ａ）〜（ｅ）は、本実施形態に係る静電容量式センサの製造方法を例示する断面図である。 本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサの製造方法を例示するフローチャートである。 （ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサの製造方法を例示する断面図である。 本実施形態に係る静電容量式センサの適用例を示す模式図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。

図１（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る入力装置の一例である静電容量式センサを例示する平面図である。図１（ａ）には静電容量式センサの全体の平面図が示され、図１（ｂ）には図１（ａ）に示すＡ部を拡大した平面図が示される。図２（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る静電容量式センサのブリッジ部分の断面図である。図２（ａ）には図１（ｂ）のＸ１−Ｘ１断面図が示され、図２（ｂ）には図１（ｂ）のＹ１−Ｙ１断面図が示される。本願明細書において「透明」および「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。

図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材１０と、基材１０の検出領域Ｓに設けられた第１電極１１および第２電極１２を備える。基材１０は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリイミド（ＰＩ）等のフィルム状の材料によって形成される。基材１０は可撓性を有していることが好ましい。

第１電極１１は、基材１０の主面１０ａに沿ったＸ方向（第１方向）と平行に配置される。第２電極１２は、基材１０の主面１０ａに沿いＸ方向と直交するＹ方向（第２方向）に平行に配置される。第１電極１１および第２電極１２は、互いに絶縁される。本実施形態では、Ｙ方向に所定のピッチで複数の第１電極１１が配置され、Ｘ方向に所定のピッチで複数の第２電極１２が配置される。

第１電極１１は、複数の第１透明電極１１１を有する。本実施形態では、複数の第１透明電極１１１は、菱形に近い形状を有し、Ｘ方向に並んで配置される。つまり、複数の第１透明電極１１１は、Ｘ方向と平行に配置されている。隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１は、ブリッジ部３０のブリッジ配線部３１により電気的に接続されている。詳細は後述するが、ブリッジ部３０は、上層側から、ブリッジ配線部３１、絶縁層３２およびバッファ層３３を有する。

第２電極１２は、複数の第２透明電極１２１を有する。複数の第２透明電極１２１は、菱形に近い形状を有し、Ｙ方向に並んで配置される。つまり、複数の第２透明電極１２１は、Ｘ方向と交差するＹ方向と平行に配置されている。隣り合う２つの第２透明電極１２１、１２１は、連結部１２２により電気的に接続されている。

第１透明電極１１１および第２透明電極１２１のそれぞれは、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成された分散層からなる。隣り合う２つの第２透明電極１２１、１２１を電気的に接続する連結部１２２も上記の分散層からなる。すなわち、連結部１２２は、連結部１２２と電気的に接続される２つの第２透明電極１２１、１２１と一体的に形成されている。導電性ナノワイヤとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、第１透明電極１１１および第２透明電極１２１の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。

分散層は、導電性ナノワイヤと、透明な樹脂層（マトリックス）と、を有する。導電性ナノワイヤはマトリックスの中において分散され、分散層における導電性ナノワイヤの分散性は、マトリックスにより確保されている。マトリックスを構成する材料（マトリックス樹脂材料）としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、およびポリウレタン樹脂などが挙げられる。導電性ナノワイヤのそれぞれが少なくとも一部において互いに接触することにより、導電性ナノワイヤを含む材料の面内における導電性が保たれている。

主面１０ａの法線方向にみたとき、第１透明電極１１１と第２透明電極１２１および連結部１２２との間には絶縁部１４が位置する。絶縁部１４は、第１透明電極１１１などを構成する分散層と同様の構成を有する分散層から、導電性を低下させることによって形成することができる。導電性を低下させる方法として、導電性を担う導電性ナノワイヤの導電性を喪失させるように導電性ナノワイヤの形質を変換することや、導電性ナノワイヤを除去したりすることが例示される。したがって、第１透明電極１１１、第２透明電極１２１および連結部１２２（以下、これらを「電極部１５」と総称する場合がある。）は、基材１０の上に分散層を形成し、絶縁部１４に対応する部分について、上記のような分散層の導電性を低下させる処理を行うことによって形成することができる。

複数の第１電極１１のそれぞれには、図１に表したように、検出領域Ｓの外側へ引き出される引き出し配線１１ａが接続される。また、複数の第２電極１２のそれぞれには、検出領域Ｓの外側へ引き出される引き出し配線１２ａが接続される。第１電極１１には引き出し配線１１ａを介して駆動電圧が与えられ、第２電極１２は引き出し配線１２ａを介して検出電流を外部回路に伝達する。各引き出し配線１１ａ、１２ａは、第１透明電極１１１および第２透明電極１２１を構成する材料と同様な導電性ナノワイヤを含む材料により形成されてもよいし、透光性は必ずしも要求されないので別の金属系材料により形成してもよい。これにより、線幅が細くなっても高い導電性を得ることができる。引き出し配線１１ａ、１２ａは積層構造を有していてもよい。

引き出し配線１１ａ、１２ａのそれぞれは、例えばスクリーン印刷やエッチングによって形成される。また、第１透明電極１１１、第２透明電極１２１、引き出し配線１１ａ、１２ａのそれぞれは、感光型導電性シート（いわゆる、ドライフィルムレジストに導電層を有したシート）によって形成されてもよい。感光型導電性シートを用いることで、このシートを貼り付けて露光および現像を行って第１透明電極１１１、第２透明電極１２１、引き出し配線１１ａ、１２ａを生産性高く形成することができる。

図２（ａ）および図２（ｂ）に表したように、第１電極１１と第２電極１２とは、隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１の連結位置と、隣り合う２つの第２透明電極１２１、１２１の連結位置と、で交差している。この交差部分にブリッジ部３０が設けられ、交差部分において第１電極１１と第２電極１２とが接触しないようになっている。

本実施形態において、隣り合う２つの第２透明電極１２１、１２１の間には連結部１２２が設けられる。したがって、第２電極１２は、Ｙ方向に第２透明電極１２１と連結部１２２とが交互に繰り返される構成となる。連結部１２２は、前述のように、第２透明電極１２１と一体的に形成されるため、隣り合う２つの第２透明電極１２１、１２１は連結部１２２に連設されている。

一方、隣り合う２つの第１透明電極１１１の間にはブリッジ部３０が設けられる。したがって、第１電極１１は、Ｘ方向に第１透明電極１１１とブリッジ部３０とが交互に繰り返される構成となる。

ブリッジ部３０の上には、光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３５を介して保護層５０が設けられている。保護層５０は、光学透明粘着層３５を介して基材１０と接合されている。保護層５０の構成材料は、特には限定されない。保護層５０の構成材料としては、可撓性を有するプラスチック基材が好ましく適用される。光学透明粘着層３５は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等である。

本実施形態において、ブリッジ部３０は、ブリッジ配線部３１と、絶縁層３２と、バッファ層３３と、を有する。ブリッジ配線部３１は、隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１の間を繋ぐように設けられる。ブリッジ配線部３１の両端はそれぞれ第１透明電極１１１と接続されており、隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１の間で絶縁部１４を介して位置する連結部１２２を跨ぐように設けられ、隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１を電気的に接続する。

絶縁層３２は、第１透明電極１１１と第２透明電極１２１とが短絡しないように、ブリッジ配線部３１と連結部１２２との間に設けられる。絶縁層３２としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。原理的には、絶縁層３２は、主面１０ａの法線方向にみたときの、連結部１２２および連結部１２２に連設された２つの第２透明電極１２１、１２１とブリッジ配線部３１との重なり部分にのみ位置すればよいが、第１透明電極１１１と第２透明電極１２１との短絡防止を安定的に実現する製造上の要請（位置合わせ精度の緩和）により、図２（ｂ）に示されるように、絶縁層３２は、連結部１２２に連設された２つの第２透明電極１２１、１２１の連結部１２２に近位な部分の上に広がって設けられている。また、同様に、短絡防止に寄与する製造上の要請（絶縁層３２の形状精度の緩和）により、図２（ａ）に示されるように、連結部１２２の周辺に位置する２つの第１透明電極１１１、１１１の連結部１２２に近位な部分の上にも広がって設けられている。限定されない例示として、主面１０ａの法線方向にみたとき、連結部１２２は幅１５０μｍ×長さ２００μｍの矩形の形状を有し、絶縁層３２は３００μｍ×３００μｍの矩形の形状を有する。このように、主面１０ａの法線方向にみたとき、絶縁層３２の幅は、連結部１２２の長さに対して０．７倍から２．０倍程度の大きさを有していてもよい。

ブリッジ配線部３１は、絶縁層３２の表面から絶縁層３２のＸ方向の両側に位置する第１透明電極１１１の表面にかけて形成されている。ブリッジ配線部３１には、例えば酸化物系の導電材料が用いられる。酸化物系の導電材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium-doped Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-doped Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped Zinc Oxide）などが挙げられる。酸化物系の導電材料はアモルファス（非晶質）であることが可撓性を高める観点から好ましい。ブリッジ配線部３１は積層構造を有していてもよい。

バッファ層３３は、図２（ｂ）に示されるように、絶縁層３２と連結部１２２との間に設けられる。本実施形態では、絶縁層３２は、連結部１２２に連設された２つの第２透明電極１２１、１２１の上、および絶縁部１４を介して連結部１２２の隣に位置する２つの第１透明電極１１１、１１１の一部の上にも設けられている。換言すれば、絶縁層３２は、連結部１２２に電気的に接続された２つの第２透明電極１２１、１２１の一部に対向するように延設された部分を有する。また、この絶縁層３２は、連結部１２２に隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１の一部に対向するように延設された部分を有する。このため、バッファ層３３は、図２（ａ）に示されるように、絶縁層３２と、上記の２つの第２透明電極１２１、１２１の一部と、の間、および絶縁層３２と、上記の２つの第１透明電極１１１、１１１の一部と、の間にも設けられている。すなわち、バッファ層３３は、絶縁層３２の第２透明電極１２１に対向する部分と第２透明電極１２１との間に位置する部分を有し、絶縁層３２の第１透明電極１１１に対向する部分と第１透明電極１１１との間に位置する部分を有する。このように、主面１０ａの法線方向にみたとき、バッファ層３３は、絶縁層３２と電極部１５とが重なる部分に位置するように設けられている。バッファ層３３の厚さは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度である。

本実施形態において、バッファ層３３は、透光性を有する無機酸化物系材料によって形成される。透光性を有する無機酸化物系材料としては、例えば、透光性を有する無機酸化物系の導電材料であるアモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファスＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が挙げられる。なお、透光性を有する無機酸化物系材料は導電性を有していなくてもよい。バッファ層３３が絶縁性の材料からなる場合には、バッファ層３３は絶縁部１４の上に設けられていてもよい。バッファ層３３が導電性の材料からなる場合には、上記のように図２（ａ）に示されるように、バッファ層３３を絶縁部１４の上を避けるように設けて、第１透明電極１１１、１１１と、第２透明電極１２１、１２１および連結部１２２との短絡を防げばよい。

絶縁層３２の構成材料として用いられるノボラック樹脂は、前述の分散層（導電性ナノワイヤがマトリックスに分散した材料からなる層）から形成された電極部１５に対する密着性が低い。このため、電極部１５の上に絶縁層３２を直接的に形成する場合には、絶縁層３２の形成が適切に行われない、絶縁層３２の上に設けられるべきブリッジ配線部３１を適切に形成することが困難となる、ブリッジ配線部３１が絶縁層３２とともに剥離するなど、ブリッジ部３０の安定形成が困難となる、といった懸念が生じうる。

これに対し、バッファ層３３は、絶縁層３２に対して適切な密着性を有するとともに、電極部１５を構成する分散層に対しても適切な密着性を有する。したがって、上記のようにバッファ層３３を設けることで、絶縁層３２が電極部１５から剥離しにくくなって、ブリッジ部３０が安定的に形成される。その結果、ブリッジ配線部３１による隣り合う２つの第１透明電極１１１の導通が安定的に実現される。絶縁層３２が電極部１５から剥離する可能性を低減する観点から、図２（ａ）に示されるように、バッファ層３３は、隣り合う２つの第１透明電極１１１、１１１の一部と絶縁層３２との間にも設けられていることが好ましい。なお、図２（ａ）では、絶縁部１４の上にはバッファ層３３が設けられていないため、絶縁層３２と絶縁部１４との間では密着性が低下している可能性があるが、電極部１５の上にバッファ層３３が設けられているため、絶縁層３２が剥離する可能性は適切に低減されている。また、バッファ層３３は電極部１５の上にのみ形成されているため、絶縁部１４が位置する部分は、図２（ａ）に示されるように凹部となる。絶縁層３２はこの凹部を充填するように設けられるため、アンカー効果が生じて絶縁層３２の密着性は適切に確保されている。バッファ層３３が絶縁性の材料から構成される場合には、絶縁部１４の上にバッファ層３３を形成してもよいことは前述のとおりである。

また、バッファ層３３は、絶縁層３２を構成する材料が電極部１５に浸透することを抑制する。上記のとおり、絶縁層３２の構成材料として用いられるノボラック樹脂は、電極部１５のマトリックス樹脂材料（例えば、アクリル樹脂）に対する密着性が低いため、バッファ層３３を設けない場合には絶縁層３２と電極部１５との間で剥離が生じてしまう。この密着性を改善するために、絶縁層３２としてアクリル樹脂を主成分とするレジスト材料を用いると、絶縁層３２の構成材料が電極部１５へ浸透するおそれがある。この浸透が生じた部分では透光性が低下し、ブリッジ部３０の不可視性の低下をもたらしてしまう。

しかしながら、上記のようにバッファ層３３を設けることにより、絶縁層３２の構成材料がアクリル系樹脂を主成分とする場合であっても、絶縁層３２の構成材料が電極部１５へ浸透することが抑制され、ブリッジ部３０の不可視性の低下を回避することができる。なお、この場合には、図２（ａ）に示されるように絶縁部１４の上にバッファ層３３が形成されていないため、この部分で絶縁層３２の構成材料が絶縁部１４に浸透する可能性は否定されない。しかしながら、主面１０ａの法線方向にみたとき、絶縁部１４がブリッジ部３０の全体に占める面積割合は小さいため、ブリッジ部３０の不可視性に与える影響は高くない。この影響を排除することが求められる場合には、バッファ層３３を絶縁性の材料から構成し、絶縁部１４の上にも形成すればよい。

バッファ層３３は、絶縁層３２から外側にはみ出ないようにしてもよい。すなわち、バッファ層３３は、主面１０ａの法線方向にみたとき、絶縁層３２の外縁から第１透明電極１１１の側へはみ出ないように設けられていてもよい。バッファ層３３が絶縁層３２の外縁から第１透明電極１１１の側へはみ出ていると、この部分においてブリッジ配線部３１、バッファ層３３および電極部１５の３層が重なることになる。これにより、この部分では屈折率の異なる層の境界が２つになる。

一方、絶縁層３２の外縁から第１透明電極１１１の側へバッファ層３３がはみ出していなければ、絶縁層３２の外側においてブリッジ配線部３１と電極部１５との間にバッファ層３３が介在しない。すなわち、ブリッジ配線部３１と電極部１５との２層の接触になり、屈折率の異なる層の境界は１つとなる。

屈折率の異なる層の境界では光の反射が起きやすいため、境界の数が少ないほど不可視性は高くなる。つまり、ブリッジ配線部３１と電極部１５との間にバッファ層３３が設けられていないほうが、設けられている場合に比べて不可視性が高くなる。したがって、絶縁層３２の外縁から第１透明電極１１１の側へバッファ層３３がはみ出ないように設けることが、ブリッジ部３０の不可視性を高める上で好適である。上記のバッファ層３３の絶縁層３２の外縁からのはみ出しを確実に回避する観点からは、第１透明電極１１１の上にバッファ層３３を設けないことが好ましい場合もある。

図３（ａ）および図３（ｂ）は、本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサのブリッジ部分の断面図である。図３（ａ）には図１（ｂ）のＸ１−Ｘ１断面図が示され、図３（ｂ）には図１（ｂ）のＹ１−Ｙ１断面図が示される。図３に示す例において、絶縁層３２は、連結部１２２を挟んで隣り合って配置された２つの第１透明電極１１１の一部に対向するように延設された部分３２ａを有する。また、バッファ層３３は、絶縁層３２の第１透明電極１１１に対向する部分３２ａと第１透明電極１１１との間に位置する部分３３ａを有している。

バッファ層３３を設けても不可視性を確保できる場合には、図３に示されるように、ブリッジ配線部３１と電極部１５との間にバッファ層３３が設けられていてもよい。そのような場合の具体例として、バッファ層３３の厚さが十分に薄い場合が挙げられる。バッファ層３３が１５ｎｍ以下であれば不可視性に与える影響が適切に低減される場合があり、バッファ層３３が１０ｎｍ以下であれば良好な不可視性が実現される場合がある。

また、バッファ層３３は、絶縁層３２と第１透明電極１１１の間と、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１の間で連続して形成されていてもよい。

また、バッファ層３３を形成する無機酸化物系材料としては、アモルファス材料であることが好ましい。例えば、バッファ層３３の構成材料は、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびアモルファスＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）の群より選択された少なくとも一つであることが好ましい。これにより、バッファ層３３に可撓性を持たせることができる。したがって、静電容量式センサ１を適用する機器の様々な形状に合わせて湾曲等させた場合でも、バッファ層３３の損傷を抑制することができる。

なお、バッファ層３３の構成材料は、プロセス適用性を考慮して設定される場合もある。例えば、バッファ層３３を、絶縁層３２の構成材料が電極部１５に浸透することを防止する目的のみならず、エッチングプロセスから電極部１５を保護する目的でも用いる場合には、エッチングのストッパ層として機能できることが好ましい。金属系材料をエッチングする際に使用される酸性のエッチング液に対する溶解性は、アモルファスＩＴＯの方がアモルファスＩＺＯよりも高いため、上記の観点（プロセス適用性）も考慮に入れる場合には、アモルファスＩＺＯよりもアモルファスＩＴＯの方がバッファ層３３の構成材料として好ましい材料と位置づけられる。

図４は、本実施形態に係る静電容量式センサの製造方法を例示するフローチャートである。図５（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態に係る静電容量式センサの製造方法を例示する断面図である。
先ず、図４のステップＳ１０１に示すように、バッファ層３３を形成する。すなわち、図５（ａ）に示すように、基材１０の主面１０ａ上に電極部１５（第１透明電極１１１、第２透明電極１２１および連結部１２２）を形成し、この電極部１５の上にバッファ層３３を形成する。電極部１５は、導電性ナノワイヤ（例えば銀ナノワイヤからなる。）がマトリックス（例えばアクリル系樹脂からなる。）に分散してなる分散層から構成される。主面１０ａの法線方向にみたとき、第１透明電極１１１と第２透明電極１２１および連結部１２２との間には絶縁部１４が位置する。絶縁部１４は、電極部１５を構成する分散層から導電性ナノワイヤを除去することにより導電性を喪失させることによって形成される。すなわち、特許文献１に記載されるように、基材１０上に設けられた分散層の絶縁部１４に対応する部分について、導電性ナノワイヤを形質変化させる処理および形質変化した導電性ナノワイヤを除去する処理を行い、絶縁部１４によって囲まれた電極部１５の各パターンを形成する。

この電極部１５の上に、透明な無機酸化物系材料（例えば、アモルファスＩＴＯ）からなるバッファ層３３を形成する。そして、絶縁部１４の上に積層されたバッファ層３３のみをエッチングで除去し、電極部１５（第１透明電極１１１、第２透明電極１２１および連結部１２２）上にのみバッファ層３３を残すようにする。絶縁部１４の絶縁性は十分に高いため、バッファ層３３をエッチングする際に、絶縁部１４がエッチングストッパとなるような選択エッチングを行ってもよい。例えば、バッファ層３３がアモルファスＩＴＯであり、絶縁部１４がアクリル系樹脂によって形成されている場合、アクリル系樹脂に対して選択性のあるシュウ酸によってバッファ層３３のエッチングを行うとよい。なお、バッファ層３３をエッチングする際に、バッファ層３３とともに絶縁部１４をエッチングで除去してもよい。

次に、図４のステップＳ１０２に示すように、絶縁層３２を形成する。すなわち、図５（ｂ）に示すように、絶縁層３２は、電極部１５および絶縁部１４の全面を覆うように形成される。絶縁層３２としては、ノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。

次に、図４のステップＳ１０３に示すように、絶縁層３２のパターニングを行う。すなわち、図５（ｃ）に示すように、連結部１２２とその周辺となる第１透明電極１１１の一部および第２透明電極１２１の一部の上のみを残し、その他の部分を除去するように、フォトリソグラフィ（露光・現像）によって絶縁層３２をパターニングする。絶縁層３２がレジストなどの感光性を有しない絶縁材料からなる場合には、絶縁層３２をエッチングしてパターニングする。この際、絶縁層３２の下のバッファ層３３がエッチングストッパとなるような選択的なエッチングを行うとよい。

次に、図４のステップＳ１０４に示すように、バッファ層３３のパターニングを行う。すなわち、図５（ｄ）に示すように、絶縁層３２が残された部分以外のバッファ層３３をエッチングによって除去する。これにより、絶縁層３２以外の部分について第１透明電極１１１および第２透明電極１２１の面が露出する状態となる。このバッファ層３３のエッチングにおいては、電極部１５がエッチングストッパとなるような選択的なエッチングを行うとよい。例えば、バッファ層３３がアモルファスＩＴＯであり、電極部１５が、銀ナノワイヤがアクリル系樹脂に分散してなる分散層からなる場合、分散層に対して選択性のあるシュウ酸によってバッファ層３３のエッチングを行うとよい。このバッファ層３３のエッチングにおいて絶縁層３２がバッファ層３３のマスクとして機能する場合には、絶縁層３２の外側にバッファ層３３が位置してブリッジ部３０の不可視性に影響を与えることが安定的に抑制されるため、好ましい。

次に、図４のステップＳ１０５に示すように、ブリッジ配線部３１を形成する。すなわち、図５（ｅ）に示すように、絶縁層３２を跨ぐようにブリッジ配線部３１を形成する。ブリッジ配線部３１は、フォトリソグラフィおよびエッチングによって絶縁層３２の表面から絶縁層３２の両側に位置する第１透明電極１１１の表面にかけて細長い形状を有するように形成される。この際、第１透明電極１１１および第２透明電極１２１の表面が削られないように選択的なエッチングを行うとよい。これにより、絶縁層３２を跨ぐブリッジ配線部３１を介して隣り合う第１透明電極１１１が電気的に接続される。

その後は、図２に示すように、ブリッジ部３０の上に光学透明粘着層３５を介して保護層５０を形成する。これにより、静電容量式センサ１が完成する。

図６は、本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサの製造方法を例示するフローチャートである。図７（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態の他の一例に係る静電容量式センサの製造方法を例示する断面図である。

先ず、図６のステップＳ２０１に示すように、バッファ層３３を形成する。すなわち、図７（ａ）に示すように、基材１０の主面１０ａ上に電極部１５（第１透明電極１１１、第２透明電極１２１および連結部１２２）を形成し、この電極部１５の上にバッファ層３３を形成する。電極部１５は、導電性ナノワイヤ（例えば銀ナノワイヤからなる。）がマトリックス（例えばアクリル系樹脂からなる。）に分散してなる分散層から構成される。主面１０ａの法線方向にみたとき、第１透明電極１１１と第２透明電極１２１および連結部１２２との間には絶縁部１４が位置する。絶縁部１４は、電極部１５を構成する分散層から導電性ナノワイヤを除去することにより導電性を喪失させることによって形成される。

この電極部１５の上に、透明な無機酸化物系材料（例えば、アモルファスＩＴＯ）からなるバッファ層３３を形成する。そして、絶縁部１４の上に積層されたバッファ層３３のみをエッチングで除去し、電極部１５（第１透明電極１１１、第２透明電極１２１および連結部１２２）上にのみバッファ層３３を残すようにする。

次に、図６のステップＳ２０２に示すように、絶縁層３２を形成する。すなわち、図７（ｂ）に示すように、絶縁層３２を形成する。絶縁層３２は、電極部１５および絶縁部１４の全面を覆うように形成される。絶縁層３２としては、ノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。

次に、図６のステップＳ２０３に示すように、絶縁層３２のパターニングを行う。すなわち、図７（ｃ）に示すように、絶縁層３２のパターニングを行う。すなわち、連結部１２２とその周辺となる第１透明電極１１１の一部および第２透明電極１２１の一部の上のみを残し、その他の部分を除去するように、フォトリソグラフィ（露光・現像）によって絶縁層３２をパターニングする。絶縁層３２がレジストなどの感光性を有しない絶縁材料からなる場合には、絶縁層３２をエッチングしてパターニングする。この際、絶縁層３２の下のバッファ層３３がエッチングストッパとなるような選択的なエッチングを行うとよい。

次に、図６のステップＳ２０４に示すように、ブリッジ配線部３１を形成するためのブリッジ膜３１ａの形成を行う。すなわち、図６（ｄ）に示すように、ブリッジ配線部３１を形成するためのブリッジ膜３１ａを形成して、絶縁層３２およびバッファ層３３の全体を覆う。このブリッジ膜３１ａを構成する材料の具体例はアモルファスＩＴＯである。

次に、図７のステップＳ２０５に示すように、ブリッジ配線部３１の形成を行う。すなわち、図６（ｅ）に示すように、ブリッジ膜３１ａのうちブリッジ配線部３１を構成する部分以外について、エッチングを行う。ここで、バッファ層３３を構成する材料はブリッジ膜３１ａを構成する材料と同じくアモルファスＩＴＯであるから、ブリッジ膜３１ａをエッチングするためのエッチング液により、ブリッジ膜３１ａの下層に位置するバッファ層３３もエッチングされる。すなわち、ブリッジ膜３１ａとバッファ層３３とが一括でエッチングされる。その結果、第１透明電極１１１および第２透明電極１２１の表面が露出する。ブリッジ膜３１ａのうちブリッジ配線部３１を構成する部分はレジストにより保護されるため、その下層に位置するバッファ層３３もエッチングされずに残る。また、絶縁層３２の下層に位置するバッファ層３３もバッファ層３３が保護膜として機能するため、エッチングされずに残る。こうして、絶縁層３２の表面から絶縁層３２の両側のバッファ層３３の表面にかけて細長い形状を有するブリッジ配線部３１がバッファ層３３の上から絶縁層３２を跨ぐように形成される。これにより、バッファ層３３および絶縁層３２を跨ぐブリッジ配線部３１を介して隣り合う第１透明電極１１１が電気的に接続される。

その後は、図３に示すように、ブリッジ部３０の上に光学透明粘着層３５を介して保護層５０を形成する。これにより、図３に示す構造の静電容量式センサ１が完成する。

図６および図７に示される製造方法によれば、図４および図５に示される製造方法との対比で次のようなメリットが得られる。図４や図６のフローチャートに示される製造ステップはすべて連続的に行われるとは限らず、あるステップが終了してから次のステップが始まるまでの期間（インターバル）にばらつきがある場合もある。このような場合の具体例として、あるステップが連続処理であって、そのステップに続くステップがバッチ処理である場合が挙げられ、さらに具体的には、図４のステップＳ１０４（バッファ層のエッチング）と図４のステップＳ１０５（ブリッジ配線部の形成）とがそのような関係にある。

図５に示される製造方法により静電容量式センサが製造されるときには、図５（ｄ）に示される工程と図５（ｅ）に示される工程との間にインターバルがある。図５（ｄ）に示される工程が終了した段階では、電極部１５（第１透明電極１１１）におけるブリッジ配線部３１がその上に形成される部分は露出した状態にある。電極部１５（第１透明電極１１１）に含まれる導電性ナノワイヤが銀ナノワイヤを含む場合には、図５（ｄ）に示される工程が終了した状態で放置されると、電極部１５（第１透明電極１１１）に含まれる銀ナノワイヤが大気中の物質（酸素、硫黄など）と反応して抵抗成分が形成されることがある。そのような抵抗成分が形成されると、図５（ｅ）に示される工程でブリッジ配線部３１が形成されたときに、ブリッジ配線部３１と電極部１５（第１透明電極１１１）との間の抵抗が高くなる。

これに対し、図６のフローチャートに概要が示され、図７に各ステップの具体的な構成が示される製造方法により静電容量式センサが製造されるときには、図７（ａ）の状態から図７（ｅ）においてブリッジ膜３１ａとバッファ層３３とが一括でエッチングされるまで、電極部１５（第１透明電極１１１）は露出しない。すなわち、バッファ層３３は図７（ｅ）まで電極部１５（第１透明電極１１１）の保護膜として機能する。それゆえ、図７（ｃ）に示される工程が終了した状態や図７（ｄ）に示される工程が終了した状態で次の工程までの間にインターバルがあっても、電極部１５（第１透明電極１１１）におけるブリッジ配線部３１が形成される部分の変質（酸化、硫化など）が抑制される。したがって、図７に示される製造方法により静電容量式センサが製造された場合には、ブリッジ配線部３１と電極部１５（第１透明電極１１１）との間の抵抗が高くなりにくい。

なお、金属系材料に対するエッチングのストッパ層としての観点から、バッファ層３３の材料としてアモルファスＩＴＯを用いる方がアモルファスＩＺＯよりも使いやすい。引き出し配線１１ａ，１２ａは検出領域Ｓの外側に位置するため透光性が求められない。そこで、導電性を高める観点から、引き出し配線１１ａ，１２ａの構成材料として金属系材料が用いられる場合がある。このような場合には、電極部１５を構成する層の上に金属系材料の層が積層され、その後、エッチングによってこの層をパターニングして引き出し配線１１ａ，１２ａを形成するプロセスが採用されることがある。

かかるプロセスを採用するときには、電極部１５の上に金属系材料の層が積層される前の段階で、電極部１５の上にバッファ層３３を形成しておけば、金属系材料をエッチングするエッチング液から電極部１５に含まれる導電性ナノワイヤを、バッファ層３３により保護することができる。すなわち、バッファ層３３をエッチングのストッパ層として用いることができる。この目的でもバッファ層３３を用いる場合には、バッファ層３３には酸性エッチング液に対する難溶性を有していることが求められる。アモルファスＩＴＯはアモルファスＩＺＯよりも酸性エッチング液に溶けにくいため、この観点でバッファ層３３の構成材料として好適である。

電極部１５の上に形成した絶縁層３２およびバッファ層３３さらにブリッジ配線部３１と電極部１５（第１透明電極１１１）との間の態様を変えて、密着性および不可視性さらにプロセス適用性についての実験を行った。実験結果を表１に示す。

実験は、サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．９について、電極部１５と、その上の絶縁層３２との密着性をクロスカット試験（１００マス試験）で測定した。また、同サンプルについて、ＩＴＯからなるブリッジ部３０の不可視性（見えにくさ）を官能評価した。さらに、ブリッジ配線部３１と電極部１５との間に膜形成した場合には、その膜が酸性エッチング液に溶解しやすいか否かについても確認した。

サンプルＮｏ．１は、絶縁層３２としてノボラック系樹脂を用い、バッファ層３３は設けなかった。絶縁層３２の外側にもバッファ層３３は設けなかった。バッファ層３３が設けられていないサンプルＮｏ．１では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が０／１００、すなわち、全て剥がれた。したがって、密着性不良という結果となった。サンプルＮｏ．１ではこのように密着性が不良であったため、ブリッジ配線部３１を形成できず、ブリッジ部３０の不可視性の評価を行うことができなかった。

サンプルＮｏ．２は、絶縁層３２としてノボラック系樹脂を用い、バッファ層３３としてアモルファスＩＴＯを５ｎｍ厚で形成した。絶縁層３２と電極部１５との間にバッファ層３３が設けられたサンプルＮｏ．２では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性良好という結果となった。また、ブリッジ部３０の不可視性については、非常に見えにくく、色浮きも非常に少ないという特に良好な結果となった。

サンプルＮｏ．３は、サンプルＮｏ．２と同様な構成であるが、ブリッジ配線部３１と絶縁層３２との間に厚さが１０ｎｍのバッファ層３３が設けられている点で相違するサンプルであった。サンプルＮｏ．３では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性良好という結果となった。また、ブリッジ部３０の不可視性については、十分に見えにくいという良好な結果となった。

サンプルＮｏ．４は、サンプルＮｏ．２と同様な構成であるが、バッファ層３３の厚さが１５ｎｍとなっている点で相違するサンプルであった。サンプルＮｏ．４では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性良好という結果となった。また、ブリッジ部３０の不可視性については、十分に見えにくいという良好な結果となった。

サンプルＮｏ．５は、サンプルＮｏ．４と同様な構成であるが、バッファ層３３の材料がアモルファスＩＺＯとなっている点で相違するサンプルであった。サンプルＮｏ．５では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性良好という結果となった。また、ブリッジ部３０の不可視性については、十分に見えにくいという良好な結果となった。

サンプルＮｏ．６は、サンプルＮｏ．３と同様な構成（バッファ層３３の厚さ：１０ｎｍ）であるが、絶縁層３２の外側に位置する第１透明電極１１１の上にも１０ｎｍ厚のバッファ層３３（アモルファスＩＴＯからなる。）が残されている点で相違するサンプルであった。このため、ブリッジ配線部３１は第１透明電極１１１にバッファ層３３を介して接続されていた。サンプルＮｏ．６では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性が良好という結果となった。また、ブリッジ部３０の不可視性についても、十分見えにくいという良好な結果であった。この結果から、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１との間にバッファ層３３が設けられている場合であっても、その厚さを適切に設定すれば、良好な不可視性を確保できることが確認された。

サンプルＮｏ．７は、サンプルＮｏ．６と同様な構成であるが、絶縁層３２の外側に位置する第１透明電極１１１の上に位置する部分を含め、アモルファスＩＴＯからなるバッファ層３３が１５ｎｍ厚で形成されている点で相違するサンプルであった。このサンプルは、密着性についてはサンプルＮｏ．６と同様の結果となったが、ブリッジ部３０の不可視性については、絶縁層３２の外側においてブリッジ配線部３１と電極部１５との間に介在しているバッファ層３３の厚さが１５ｎｍであったことから、屈折率の異なる層の重なりが多く、色浮きが見える結果となった。したがって表１では「可」と示した。

サンプルＮｏ．８は、サンプルＮｏ．６と同様な構成であるが、絶縁層３２の外側に位置する第１透明電極１１１の上に設けられるバッファ層３３がＩＺＯからなる点で相違するサンプルであった。密着性および不可視性の評価では、サンプルＮｏ．６と同じ結果（密着性良好、不可視性良好）となったが、銅系材料をエッチングするための酸性エッチング液への溶解性を評価した結果、サンプルＮｏ．６のＩＴＯ膜からなるバッファ層３３は酸性エッチング液への溶解性が低かったが、サンプルＮｏ．８のＩＺＯ膜からなるバッファ層３３は酸性エッチング液への溶解性が高くなった。したがって、サンプルＮｏ．６やサンプルＮｏ．７のＩＴＯ膜からなるバッファ層３３は、エッチング液から第１透明電極１１１を保護する部材として使用可能であるが、サンプルＮｏ．８のＩＺＯ膜からなるバッファ層３３をそのような保護膜として用いることは困難であることが確認された。

サンプルＮｏ．９は、サンプルＮｏ．１と同様な構成であるが、絶縁層３２の材料としてアクリル系樹脂を用いた点で相違するサンプルであった。サンプルＮｏ．９では、クロスカット試験で剥がれないマスの数が１００／１００、すなわち、剥がれは発生しなかった。したがって、密着性良好という結果となった。しかし、絶縁層３２の構成材料の電極部１５への浸透が発生しており、ブリッジ部３０の不可視性については不良という結果となった。

図２に示される構成と図３に示される構成との相違を確認するために、次のような実験を行った。実験結果を表２に示す。

図２に示される構成（構成１）、すなわち、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１との間にバッファ層３３が設けられていない構成と、図３に示される構成（構成２）、すなわち、絶縁層３２の外側に位置する第１透明電極１１１の上に１０ｎｍ厚のバッファ層３３（アモルファスＩＴＯからなる。）が位置し、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１との間にバッファ層３３が設けられている構成とを用意した。構成１は、上記のサンプルＮｏ．３に対応し、構成２は上記のサンプルＮｏ．６に対応する。

各構成のサンプルについて、Ｘ軸方向に並ぶ第１電極１１の配線抵抗を測定した。測定タイミングは、製造直後（０時間）、２４時間後、および４８時間後とした。また、一部のサンプルについては、製造直後に環境試験（相対湿度８５％、温度８５℃、１６８時間）に供した。この環境試験後のサンプルについても、試験直後（０時間）、２４時間後、および４８時間後のタイミングで配線抵抗を測定した。測定結果を表２に示す。表中の数値は、サンプル製造直後（０時間）の測定結果を基準とする抵抗増加率（単位：％）である。

表２に示されるように、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１との間にバッファ層３３が設けられていない構成１では、経時的に配線抵抗が上昇し、その傾向は、環境試験を行うと顕著となった。これに対し、ブリッジ配線部３１と第１透明電極１１１との間にバッファ層３３が設けられている構成２では、ほとんど経時的な抵抗増加は認められず、環境試験を行っても抵抗増加は構成１との対比でわずかであった。

次に、本実施形態に係る入力装置の一例である静電容量式センサ１の適用例について説明する。
図８は、本実施形態に係る静電容量式センサの適用例を示す模式図である。
図８には、静電容量式センサ１を入力装置付き表示装置の一例であるタッチパネル２００に適用した例が表される。タッチパネル２００は、表示パネル２１０と、表示パネル２１０の上に設けられたタッチセンサ２２０と、を備える。このタッチセンサ２２０は静電容量式センサ１からなる。表示パネル２１０としては、例えば液晶表示パネルが用いられる。液晶表示パネルからなる表示パネル２１０は、互いに対向配置された駆動基板２１１および対向基板２１２を有し、駆動基板２１１と対向基板２１２との間に液晶層２１３が設けられる。タッチセンサ２２０は、対向基板２１２の表側に設けられる。

以上説明したように、本実施形態によれば、透明電極交差部のブリッジ部３０と電極部１５との十分な密着性を確保できるとともに、光学特性の劣化（特にブリッジ部３０の不可視性の低下）を抑制することができる静電容量式センサ１（入力装置）およびタッチパネル２００（入力装置付き表示装置）を提供することが可能になる。

なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、電極部１５、ブリッジ配線部３１（ブリッジ膜３１ａ）、絶縁層３２およびバッファ層３３のそれぞれの材料について、上記説明したもの以外であっても、本発明と同様な作用効果を得られる材料であれば適用可能である。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の構成例の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

１…静電容量式センサ（入力装置）
１０…基材
１０ａ…主面
１１…第１電極
１１ａ…引き出し配線
１２…第２電極
１２ａ…引き出し配線
１４…絶縁部
１５…電極部
３０…ブリッジ部
３１…ブリッジ配線部
３１ａ…ブリッジ膜
３２…絶縁層
３２ａ…部分
３３…バッファ層
３３ａ…部分
３５…光学透明粘着層
５０…保護層
１１１…第１透明電極
１２１…第２透明電極
１２２…連結部
２００…タッチパネル（入力装置付き表示装置）
２１０…表示パネル
２１１…駆動基板
２１２…対向基板
２１３…液晶層
２２０…タッチセンサ（入力装置）
Ｓ…検出領域

Claims (8)

1. 透光性を有する基材と、
   前記基材の検出領域において第１方向と平行に配置され、透光性を有し、透明な樹脂層に導電性ナノワイヤが分散した分散層で形成された複数の第１透明電極と、
   前記検出領域において前記第１方向と交差する第２方向と平行に配置され、透光性を有し、透明な樹脂層に導電性ナノワイヤが分散した分散層で形成され、前記第１透明電極と絶縁された複数の第２透明電極と、
   導電性ナノワイヤを含む材料により形成され、隣り合う２つの前記第２透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、
   前記連結部の上に設けられ、隣り合う２つの前記第１透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ部と、
   を備え、
   前記ブリッジ部は、
   前記隣り合う２つの前記第１透明電極の間を繋ぐように設けられたブリッジ配線部と、
   前記ブリッジ配線部と前記連結部との間に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層と前記連結部との間に設けられたバッファ層と、を有し、
   前記バッファ層は、透光性を有する無機酸化物系材料によって形成され、
   前記絶縁層は、前記連結部を挟んで隣り合って配置された２つの前記第１透明電極の一部に対向するように延設された部分を有し、
   前記バッファ層は、前記絶縁層の前記第１透明電極に対向する部分と前記第１透明電極との間に位置する部分を有する、入力装置。
2. 前記絶縁層は、前記連結部に電気的に接続された２つの前記第２透明電極の一部に対向するように延設された部分を有し、前記バッファ層は、前記絶縁層の前記第２透明電極に対向する部分と前記第２透明電極との間に位置する部分を有する、請求項１に記載の入力装置。
3. 前記バッファ層は前記ブリッジ配線部と前記第１透明電極の間に形成された請求項１または請求項２に記載の入力装置。
4. 前記バッファ層は、前記絶縁層と前記第１透明電極との間と、前記ブリッジ配線部と前記第１透明電極との間とで連続して形成された請求項３に記載の入力装置。
5. 前記無機酸化物系材料はアモルファス材料である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の入力装置。
6. 前記バッファ層は、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびアモルファスＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）の群より選択された少なくとも一つにより形成された、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の入力装置。
7. 前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の入力装置。
8. 表示パネルと、
   前記表示パネルの上に設けられたタッチセンサと、
   を備え、
   前記タッチセンサは、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の入力装置からなる、入力装置付き表示装置。

Images