TW201935144A - 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、及元件製造方法 - Google Patents

曝光裝置、平板顯示器之製造方法、及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201935144A
TW201935144A TW108117161A TW108117161A TW201935144A TW 201935144 A TW201935144 A TW 201935144A TW 108117161 A TW108117161 A TW 108117161A TW 108117161 A TW108117161 A TW 108117161A TW 201935144 A TW201935144 A TW 201935144A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
exposure
substrate
shielding plate
mask
Prior art date
Application number
TW108117161A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI711893B (zh
Inventor
青木淳行
水橋謙介
中村貴
西川仁
金子宏和
Original Assignee
日商尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商尼康股份有限公司 filed Critical 日商尼康股份有限公司
Publication of TW201935144A publication Critical patent/TW201935144A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI711893B publication Critical patent/TWI711893B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提高利用接合曝光製造製品時之設計之自由度。
具備將遮罩M之圖案投影至基板P之複數個投影光學單元，且使遮罩M與基板P沿X方向相對移動而將遮罩M之圖案曝光至基板P之曝光方法包括：第1曝光步驟，其於以第1傾斜角度對藉由投影光學單元投影至基板P上之投影區域之-Y側之端部進行遮光之狀態下，將圖案A投影至基板P上之A區域；步進移動步驟，其使基板P移動；及第2曝光步驟，其於以第2傾斜角度對投影區域之+Y側之端部進行遮光之狀態下，將圖案B投影至至少一部分與A區域重合之B區域。

Description

曝光裝置、平板顯示器之製造方法、及元件製造方法
本發明係關於一種曝光方法、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光裝置，進而詳細而言，係關於一種將經由複數個投影光學系統形成於物體上之圖案彼此接合之曝光方法、使用上述曝光方法之平板顯示器或元件之製造方法。
習知，於製造液晶顯示元件(液晶面板)、半導體元件等電子元件(微型元件)之微影步驟中，使用使遮罩或光罩(以下統稱為「遮罩」)與玻璃板或晶圓等(以下統稱為「基板」)沿既定之掃描方向同步移動，並且使用能量束將形成於遮罩之圖案轉印至基板上之步進掃描方式之曝光裝置(所謂之掃描步進式曝光機(亦稱為掃描儀))等。
作為使用此種曝光裝置於基板上形成圖案之方法，已知有利用形成於遮罩之圖案(遮罩圖案)之週期性，將遮罩圖案於基板上接合之所謂之接合曝光(參照專利文獻1)。
於利用習知之曝光裝置進行上述接合曝光之情形時，上述接合之自由度並不充分。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-335864號公報
於第1實施形態中，提供一種曝光裝置，其係相對於將既定圖案投影至物體之投影光學系統，使上述物體沿第1方向相對移動並進行曝光之曝光裝置，並且具備：遮光部，其對經由上述投影光學系統投影至上述物體上之投影區域中，根據上述第1方向之位置而上述物體上之照明量沿與上述第1方向交叉之上述第2方向變化之既定區域進行遮光；及驅動部，其以使上述照明量變化之方式驅動上述遮光部。
於第2實施形態中，提供一種平板顯示器之製造方法，其包括：使用第1實施形態中之曝光裝置對上述基板進行曝光；及使經曝光之上述基板顯影。
於第3實施形態中，提供一種元件製造方法，其包括：使用第1實施形態中之曝光裝置對上述基板進行曝光；及使經曝光之上述基板顯影。
於第4態樣之實施形態中，提供一種遮光裝置，其係用於相對於將既定圖案投影至物體之投影光學系統，使上述物體沿第1方向相對移動並進行掃描曝光之曝光裝置之遮光裝置，並且具備：遮光部，其對經由上述投影光學系統投影至上述物體上之投影區域中，根據上述第1方向之位置而上述物體上之照明量沿與上述第1方向交叉之上述第2方向變化之既定區域進行遮光；及驅動部，其以使上述照明量變化之方式驅動上述遮光部。
於第5態樣之實施形態中，提供一種曝光方法，其係相對於將既定圖案投影至物體之投影光學系統，使上述物體沿第1方向相對移動並進行掃描曝光之曝光方法，並且包括：藉由遮光部對經由上述投影光學系統投影至上述 物體上之投影區域中，根據上述第1方向之位置而上述物體上之照明量沿與上述第1方向交叉之上述第2方向變化之既定區域進行遮光；及以使上述照明量變化之方式驅動上述遮光部。
於第6態樣之實施形態中，提供一種平板顯示器之製造方法，其包括：使用第5態樣之實施形態中之曝光方法對上述基板進行曝光；及使經曝光之上述基板顯影。
於第7態樣之實施形態中，提供一種元件製造方法，其包括：使用第5態樣之實施形態中之曝光方法對上述基板進行曝光；及使經曝光之上述基板顯影。
20‧‧‧視場光闌
30‧‧‧遮光板
50‧‧‧投影區域
60‧‧‧擋板裝置
80‧‧‧驅動機構
CONT‧‧‧控制裝置
EX‧‧‧曝光裝置
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
M‧‧‧遮罩
MST‧‧‧遮罩載置台
K‧‧‧開口
P‧‧‧基板
PLa~PLg‧‧‧投影光學模組
PN1‧‧‧面板
PN2‧‧‧面板
PST‧‧‧基板載置台
圖1係概略性地表示一實施形態之曝光裝置之構成之圖。
圖2係用以說明圖1之曝光裝置所具有之照明光學系統、及投影光學系統之構造之圖。
圖3(a)係表示投影光學系統所具有之視場光闌與遮光板之配置之俯視圖，圖3(b)係表示視場光闌與遮光板之光軸方向之位置關係之圖。
圖4(a)係表示遮光板之第1傾斜配置之圖，圖4(b)係表示遮光板之第2傾斜配置之圖。
圖5(a)係表示使用遮光板於投影區域之中央形成連接部之情形時之圖，圖5(b)係表示使用遮光板於投影區域之端部附近形成連接部之情形時之圖。
圖6(a)係表示使用2片遮光板形成連接部之情形時之圖，圖6(b)係表示利用1片遮光板形成與圖6(a)相同之連接部之情形時之圖。
圖7(a)係表示習知之遮光板之圖，圖7(b)係表示實施形態之遮光板之圖，圖7(c)係表示具備多片實施形態之遮光板之情形時之圖。
圖8(a)~圖8(d)係用以說明藉由視場光闌與遮光板而形成之開口之態樣(第1模式~第4模式)之圖。
圖9係表示產生於基板上之投影區域之俯視圖。
圖10係表示接合曝光之概念圖。
圖11(a)係表示第1曝光方法之基板與遮罩之關係之圖，圖11(b)係表示利用第1曝光方法對A區域進行掃描曝光時之圖，圖11(c)係表示利用第1曝光方法對B區域進行掃描曝光時之圖。
圖12(a)係表示第2曝光方法之基板與遮罩之關係之圖，圖12(b)係表示利用第2曝光方法對A區域進行掃描曝光時之圖，圖12(c)係表示利用第2曝光方法對B區域進行掃描曝光時之圖。
圖13(a)係表示第3曝光方法之基板與遮罩之關係之圖，圖13(b)係表示利用第3曝光方法對A區域進行掃描曝光時之圖。
圖14(a)係表示利用第3曝光方法對B區域進行掃描曝光時之圖，圖14(b)係表示利用第3曝光方法對C區域進行掃描曝光時之圖。
圖15(a)係表示第4曝光方法之基板與遮罩之關係之圖，圖15(b)係表示利用第4曝光方法對A區域進行掃描曝光時之圖。
圖16係表示利用第4曝光方法對B區域進行掃描曝光時之圖。
圖17(a)係表示第5曝光方法之基板與遮罩之關係之圖，圖17(b)係表示利用第5曝光方法對A1區域進行掃描曝光時之圖。
圖18(a)係表示利用第5曝光方法對B1區域進行掃描曝光時之圖，圖18(b)係表示利用第5曝光方法對A2區域進行掃描曝光時之圖。
圖19係表示利用第5曝光方法對B2區域進行掃描曝光時之圖。
圖20係表示進行接合曝光時之流程圖。
圖21係表示遮光板之驅動機構之變形例(其1)之圖。
圖22係表示遮光板之驅動機構之變形例(其2)之圖。
圖23(a)及圖23(b)係表示遮光板之驅動機構之變形例(其3)之圖(其1及其2)。
圖24(a)係表示遮光板之變形例之圖，圖24(b)~圖24(e)係表示圖24(a)之遮光板之動作之圖(其1~其4)。
圖25係表示遮光板之驅動機構之詳細內容之圖。
圖26係用以說明使用光學濾波器之接合曝光之圖。
以下，關於一實施形態，使用圖1~圖20進行說明。圖1係表示一實施形態之曝光裝置EX之構成之立體圖。於圖1中，曝光裝置EX具備：遮罩載置台MST，其支持遮罩M；基板載置台PST，其支持感光基板P(以下，簡稱為「基板P」)；照明光學系統IL，其利用曝光光EL對遮罩M進行照明；投影光學系統PL，其將形成於遮罩M之圖案之投影像(以下，稱為圖案影像)轉印至基板P，並將作為與該圖案影像對應之潛像之轉印圖案形成於基板P上；及控制裝置CONT(於圖1中未圖示，參照圖2)，其總括地控制曝光裝置EX之動作。基板P係將感光劑(光阻)塗佈於玻璃基板而成者，轉印圖案形成於該感光劑中。投影光學系統PL係由並列設置之複數個(於圖1中為7個)投影光學模組PLa~PLg構成，本實施形態中之曝光裝置EX相對於該投影光學系統PL，使遮罩M與基板P同步移動(同步掃描)，並且利用曝光光EL對遮罩M進行照明，而將遮罩M之圖案影像轉印至基板P。
此處，於以下之說明中，將遮罩M與基板P之同步移動方向(掃描方向)設為X軸方向，將於水平面內與掃描方向正交之方向設為Y軸方向(非掃描方向)，將與X軸方向及Y軸方向正交之方向設為Z軸方向。又，將繞X軸、 Y軸、及Z軸之軸線之方向分別設為θX、θY、及θZ方向。
本實施形態之遮罩載置台裝置具備：遮罩載置台MST，其支持遮罩M；線性導軌(未圖示)，其具有於X軸方向上較長之行程；及由線性馬達、音圈馬達(VCM)等構成之遮罩載置台驅動部MSTD。遮罩載置台驅動部MSTD於在控制裝置CONT(參照圖2)之控制下使遮罩M與基板P同步移動時，能以於X軸方向上較長之行程驅動具有遮罩M之遮罩載置台MST，並且為了對包含X軸方向及Y軸方向之水平面內之遮罩M之位置進行微調整，能夠將遮罩載置台MST沿X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及θZ方向驅動。又，遮罩載置台MST之水平面內之位置係使用雷射干擾計進行測定，例如平時係利用0.5~1nm左右之分解能力被檢測出。該雷射干擾計之測量值被傳輸至控制裝置CONT，以控制遮罩載置台MST之X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及θZ方向之位置。
透過遮罩M之曝光光EL分別入射至投影光學模組PLa~PLg。投影光學模組PLa~PLg支持於定盤150，並使與藉由曝光光EL而形成之遮罩M上之照射區域對應之圖案影像於基板P成像。投影光學模組PLa、PLc、PLe、PLg與投影光學模組PLb、PLd、PLf分別於Y軸方向上以既定間隔配置。又，投影光學模組PLa、PLc、PLe、PLg之行與投影光學模組PLb、PLd、PLf之行於X軸方向上隔開配置，整體上沿Y軸方向配置成錯位狀。投影光學模組PLa~PLg分別具有複數個光學元件(透鏡等)。透過各投影光學模組PLa~PLg之曝光光EL使與遮罩M上之照射區域對應之圖案影像成像於基板P上之不同之各個投影區域50a~50g。
基板載置台PST具有基板保持器PH，經由該基板保持器PH保持基板P。基板載置台PST與遮罩載置台MST同樣地，可沿X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動，進而，亦可沿θX、θY、及θZ方向移動。基板載置台PST係於控制裝置CONT(參照圖2)之控制下，由藉由線性馬達等構成之基板載置台驅動部 PSTD驅動。
又，於-X側之投影光學模組PLa、PLc、PLe、PLg之行與+X側之投影光學模組PLb、PLd、PLf之行之間配置有檢測遮罩M之圖案面及基板P之曝光面之Z軸方向上之位置之焦點檢測系統110。焦點檢測系統110構成為配置有複數個斜入射方式之焦點檢測系統。焦點檢測系統110之檢測結果被輸出至控制裝置CONT(參照圖2)，控制裝置CONT基於焦點檢測系統110之檢測結果，以遮罩M之圖案面與基板P之曝光面形成既定之間隔及平行度之方式進行控制。
控制裝置CONT與記憶部120(分別參照圖2)連接，並基於記憶於記憶部120之配方資訊等，一面監測遮罩載置台MST及基板載置台PST之位置，一面控制基板載置台驅動部PSTD及遮罩載置台驅動部MSTD，藉此使遮罩M與基板P沿X軸方向同步移動。
圖2係表示照明光學系統IL及投影光學系統PL之構成之圖。如圖2所示，照明光學系統IL具備：光源1，其係由超高壓水銀燈等構成；橢圓鏡1a，其使自光源1射出之光聚光；分色鏡2，其使藉由該橢圓鏡1a而聚光之光中之曝光所需之波長之光反射，並使其他波長之光透過；波長選擇濾波器3，其使由分色鏡2反射之光中之僅包含進一步曝光所需之波長(通常為g、h、i射線中之至少1個頻帶)之光作為曝光光通過；及導光件4，其將來自波長選擇濾波器3之曝光光分支成多條(於本實施形態中為7條)，並使之經由反射鏡5入射至各照明系統模組IMa~IMg。此處，作為構成照明光學系統IL之照明系統模組IM，於本實施形態中，與7個投影光學模組PLa~PLg對應地設置有7個照明系統模組IMa~IMg。但是，於圖2中，為便於說明，僅示出與投影光學模組PLf對應之照明系統模組IMf。各個照明系統模組IMa~IMg於X軸方向與Y軸方向上具有既定之間隔，且係與各個投影光學模組PLa~PLg對應地配置。並且，自各個照明系統模組IMa~IMg射出之曝光光EL與投影光學模組PLa~PLg對應地分別對遮罩M上 之不同照射區域進行照明。
各個照明系統模組IMa~IMg具備照明快門6、中繼透鏡7、作為光學積分器之複眼透鏡8、及聚光透鏡9。照明快門6相對於光路插脫自如地配置於導光件4之光路下游側。照明快門6於配置於光路內時對曝光光進行遮光，於自光路退避時將該遮光解除。於照明快門6連接有快門驅動部6a。快門驅動部6a係由控制裝置CONT控制。
又，各個照明系統模組IMa~IMg具有光量調整機構10。光量調整機構10係藉由針對各光路設定曝光光之照度而調整曝光量者，並且具備半反射鏡11、檢測器12、濾波器13、及濾波器驅動部14。半反射鏡11配置於濾波器13與中繼透鏡7之間之光路中，並使透過濾波器13之曝光光之一部分入射至檢測器12。檢測器12獨立地檢測所入射之曝光光之照度，並將檢測出之照度信號輸出至控制裝置CONT。濾波器13係以透過率沿X軸方向於既定範圍內線形地逐漸變化之方式形成，且配置於各光路中之照明快門6與半反射鏡11之間。濾波器驅動部14基於控制裝置CONT之指示使濾波器13沿X軸方向移動，藉此針對各光路調整曝光量。
透過光量調整機構10之光束經由中繼透鏡7到達至複眼透鏡8。複眼透鏡8於射出面側形成二次光源，來自該二次光源之曝光光EL於通過聚光透鏡9，並通過具備直角稜鏡16、透鏡系統17、及凹面鏡18之反射折射型光學系統15後，均勻地對遮罩M上之照射區域進行照明。再者，亦可省略反射折射型光學系統15。即，亦可將通過聚光透鏡9之光束直接照射至遮罩M。藉此，可使照明光學系統IL、進而曝光裝置EX小型化。
各個投影光學模組PLa~PLg具備像位移機構19、焦點位置調整機構31、2組反射折射型光學系統21、22、視場光闌20、及倍率調整機構23。像位移機構19藉由使2片平行平面板玻璃分別沿θY方向或者θX方向旋轉，而使遮罩 M之圖案影像沿X軸方向或者Y軸方向位移。又，焦點位置調整機構31具備1對楔狀稜鏡，藉由使光路中之楔狀稜鏡之厚度之總和變化而使圖案影像之像面位置變化，藉由使至少一個楔狀稜鏡繞光軸旋轉而使圖案影像之像面之傾斜角度變化。透過遮罩M之曝光光EL於透過像位移機構19、焦點位置調整機構31後，入射至第1組反射折射型光學系統21。反射折射型光學系統21形成遮罩M之圖案之中間像，並且具備直角稜鏡24、透鏡系統25及凹面鏡26。直角稜鏡24於θZ方向上旋轉自如，且可使遮罩M之圖案影像旋轉。
視場光闌20配置於反射折射型光學系統21所形成之中間像之像面或者其附近。視場光闌20設定基板P上之投影區域。透過視場光闌20之曝光光EL入射至第2組反射折射型光學系統22。反射折射型光學系統22與反射折射型光學系統21同樣地，具備直角稜鏡27、透鏡系統28及凹面鏡29。直角稜鏡27亦於θZ方向上旋轉自如，且可使遮罩M之圖案影像旋轉。
自反射折射型光學系統22射出之曝光光EL通過倍率調整機構23，並使遮罩M之圖案影像以直立等倍於基板P上成像。倍率調整機構23沿Z軸依序具有第1平凸透鏡、兩凸透鏡及第2平凸透鏡，藉由使兩凸透鏡沿Z軸方向移動而使遮罩M之圖案影像之倍率變化。
圖3(a)係表示各投影光學模組PLa~PLg所具備之視場光闌20之圖。視場光闌20配置於相對於遮罩M及基板P大致共軛之位置。各投影光學模組PLa~PLg分別具有視場光闌20，各投影光學模組PLa~PLg之基板P上之投影區域50a~50g係由形成於分別對應之視場光闌20之開口K設定。於本實施形態中，各開口K形成為具有沿Y軸方向平行之2邊之等腰梯形狀或者具有沿Y軸方向平行之2邊及沿X軸方向平行之1邊之梯形狀，投影區域50a~50g設定為與分別對應之開口K成為共軛關係之梯形形狀。
再者，於圖3(a)中，視場光闌20係作為形成有梯形狀之開口之 俯視下為矩形之板狀構件而圖示，實際上如圖3(b)所示，包含設定開口K之Y軸方向之寬度之邊緣(端部)之光闌構件20y與包含設定開口K之X軸方向之寬度之邊緣(端部)之光闌構件20x被設為獨立之構件。並且，上述光闌構件20y、20x中，光闌構件20y配置於相對於遮罩M及基板P之共軛面CP上，光闌構件20x配置於較共軛面CP略微更靠曝光光EL之入射側(+Z側)。
返回至圖3(a)，投影光學模組PLa~PLg中，投影光學模組PLf具有遮光板30。遮光板30係於俯視下(自Z軸方向觀察時)為大致長方形之板構件，並且如圖3(b)所示，相對於投影光學模組PLf所具備之視場光闌20配置於曝光光EL之出射側(-Z側)。
返回至圖3(a)，遮光板30可藉由下述驅動機構80(參照圖8(a)等)於+Y側之長邊與形成視場光闌20之開口K之+Y側之端部(斜邊)成為大致平行之第1傾斜配置(參照圖4(a))和-Y側之長邊與形成視場光闌20之開口K之-Y側之端部(斜邊)成為大致平行之第2傾斜配置(參照圖4(b))之間進行驅動。如此一來，遮光構件30可藉由於第1傾斜配置(第1傾斜角度)與第2傾斜配置(第2傾斜角度)之間移動，而變更藉由投影光學模組PLf而產生之投影區域50f之形狀。再者，第1傾斜角度及第2傾斜角度取決於梯形狀之投影區域之傾斜角度。例如，圖4(a)所示之第1傾斜角度係遮光板30之相對於Y軸方向之傾斜角度與梯形狀之投影區域50f之+Y軸方向之端邊之傾斜角度平行。又，圖4(b)所示之第2傾斜角度係遮光板30之相對於Y軸方向之傾斜角度與梯形狀之投影區域50f之-Y軸方向之端邊之傾斜角度平行。即，可鑒於投影區域之形狀，任意地決定遮光板30之傾斜角度(第1傾斜角度及第2傾斜角度)。
又，遮光板30可藉由驅動機構80(參照圖8(a)等)沿Y軸方向直進移動，且可設定變更藉由投影光學模組PLf而產生之投影區域50f之Y軸方向之寬度。又，遮光板30亦可藉由沿Y軸方向直進移動，而移動至不與開口K重合 之位置、即開口K僅由視場光闌20設定之位置。
此處，對使用習知之遮光板之實施例與使用遮光板30之本實施形態之差異進行說明。
於圖5(a)~圖6(b)中記載有表示進行接合曝光時之投影區域與遮光部之位置關係之圖。於圖5(a)~圖6(b)中之紙面右側示出藉由上述實施形態中所使用之複數個投影光學模組投影至基板上之投影區域之一部分(投影區域50e~50g)與藉由對曝光光進行遮光而規定投影區域之遮光板30。又，於圖5(a)~圖6(b)中之紙面左側示出將投影區域配置成一行之形態。
如圖5(a)所示，於在投影區域50e之X軸方向之投影寬度於Y軸方向上大致固定之區域、即梯形狀之投影區域50e之中心部進行圖案接合之情形時，藉由將遮光板30配置於投影區域50e之中心部，可形成投影寬度沿Y軸方向變化之曝光量之傾斜部G(連接部)。
然而，如圖5(b)所示，於在投影區域50e之X軸方向之投影寬度沿Y軸方向變化之區域、即梯形狀之投影區域中之端部區域進行圖案接合之情形時，若僅由規定投影區域50e之遮光部30形成曝光量之傾斜部G，則於傾斜部G曝光量變得過多而無法進行圖案接合。
因此，如圖6(a)所示，若除投影區域50e之遮光板30以外，亦於投影區域50f配置相同之遮光板30A，則可形成曝光量之傾斜部G，從而可進行圖案接合。遮光板30A係以傾斜角度與遮光板30成為相等之方式配置。再者，遮光板30與遮光板30A可為獨立之構件，亦可藉由共用之構件形成。
進而，即便不如圖6(a)所示般配置遮光板30A，亦可藉由如圖6(b)所示般變更遮光板30之傾斜角度，而僅由規定投影區域50e之1個遮光板30形成傾斜部G。將遮光板30之傾斜角度以與投影區域50e之端部區域之角度成為平行之方式進行變更。即，將遮光板30之傾斜角度以與投影區域50f之端部區 域之角度成為平行之方式進行變更。藉此，可進行投影區域50e之端部區域與投影區域50f之端部區域之圖案接合。以投影區域50f之端部區域正好沿+Y方向移動之方式進行圖案接合。藉此，無須增加遮光板，並且與圖6(a)之情形時相比，無須使投影區域50e之遮光板與投影區域50f之遮光板同步，因此可使曝光裝置簡單化。
又，亦可如下所述般對使用習知之遮光板之實施例與使用遮光板30之本實施形態之差異進行說明。
如圖7(a)所示，於習知之實施例中，由於使用相對於投影區域50f之傾斜配置僅向一方向傾斜之遮光板，故而可設定僅於在Y軸方向之T區域及α區域、β區域可利用1次掃描移動進行曝光之Y軸方向之掃描寬度。例如，於在T區域及β區域內進行接合曝光時，可藉由使遮光板沿Y軸方向移動而設定掃描寬度，於在α區域或γ區域進行接合曝光時，可藉由利用照明系統模組IMf或照明系統模組IMg之照明快門6(參照圖2)對曝光光進行遮光而設定掃描寬度。然而，於在區域U內配置有遮光板之情形時，曝光量變得不均勻，而可進行接合曝光之區域受到限制。
相對於此，於使用遮光板30之本實施形態中，由於可如圖7(b)所示般使遮光板30於第1傾斜配置及第2傾斜配置之間移動，故而即便於在U區域內配置有遮光板30之情形時，亦可使曝光量均勻而進行接合曝光。例如，於在T區域內進行接合曝光時，可以第1傾斜配置使用遮光板30，於在U區域內進行接合曝光時，可使遮光板30移動至第2傾斜配置後使用。
又，如圖7(c)所示，若將遮光板30以除投影區域50f以外，亦可對投影區域50e及投影區域50g進行遮光之方式配置，則亦可於S區域進行接合曝光。即，若使用本實施形態之遮光板30，則可於Y軸方向之任何區域進行接合曝光。
繼而，對藉由使用驅動機構80使本實施形態之遮光板30移動至第1傾斜配置或第2傾斜配置而對開口K進行設定變更之方法進行說明。
如圖8(a)所示，驅動機構80隔著開口K(於開口K之-X側、+X側)具備一對致動器82、84。致動器82係所謂之進給螺桿裝置，具備馬達(伺服馬達)82a、由該馬達82a驅動之螺桿82b、及螺合於該螺桿82b之圓筒狀之螺母82c，且可將螺母82c於Y軸方向以較開口K長之行程往返驅動。於遮光板30之-X側之端部附近形成有俯視U字狀之缺口30a，螺母82c插入於該缺口30a內。致動器84亦為與致動器82相同之構成(馬達84a、螺桿84b、螺母84c)之進給螺桿裝置，但螺母84c相對於遮光板30於θZ方向上旋轉自如地安裝於遮光板30之+X側之端部附近之方面不同。驅動機構80所具有之一對致動器82、84分別獨立地由控制裝置CONT(參照圖2)控制。
如圖8(a)所示，驅動機構80將遮光板30定位於遮光板30之+Y側之邊緣(端部)與形成視場光闌20(於圖8(a)中未圖示，參照圖3(a))之開口K之邊緣(端部)中+Y側之邊緣平行之位置，於遮光板30之-Y側形成曝光光之光路，藉此可使產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f為俯視梯形(等腰梯形)。遮光板30之位置及角度係基於未圖示之測量裝置(位置測量裝置、光量測量裝置等)之輸出或者對致動器82、84之輸入信號而測量。此時，開口K中較遮光板30更靠+Y側之區域係藉由可動式之擋板裝置60以不使曝光光通過之方式遮光。以下，將如圖8(a)所示般於遮光板30之-Y側形成有曝光光之光路，且藉由通過該光路之曝光光而於基板P上產生俯視梯形之投影區域50f之狀態稱為遮光板30之第1模式進行說明。
又，驅動機構80可藉由自圖8(a)所示之狀態將一對致動器82、84各自之螺母82c、84c以相同之行程(移動量)沿Y軸方向驅動，而對開口K之面積、即產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f(俯視下為梯形)之寬度(面 積)進行設定變更。此時，擋板裝置60亦對應於遮光板30之位置而沿Y軸方向被驅動。
再者，亦與不具備遮光板30之投影光學模組PLa~PLe、PLg(參照圖1)分別對應地具備上述擋板裝置60，且可任意地選擇將形成於該投影光學模組PLa~PLe、PLg各自具備之視場光闌20之開口K(參照圖3(a))開放及遮蔽。再者，於本實施形態中，照明光學系統IL(參照圖1)具有擋板裝置60，但並不限定於此，只要位於曝光光EL之光路上，則亦可配置於其他位置。
又，驅動機構80可自上述第1模式(作為一例，參照圖8(a))如圖8(b)所示般以使致動器82之螺母82c位於較致動器84之螺母84c更靠+Y側之方式控制螺母82c、84c各自之Y位置，藉此將遮光板30定位於遮光板30之-Y側之邊緣(端部)與形成視場光闌20(於圖8(b)中未圖示，參照圖3(a))之開口K之邊緣(端部)中-Y側之邊緣平行之位置。藉此，可使產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f為俯視平行四邊形。以下，將如圖8(b)所示般於遮光板30之-Y側形成有曝光光之光路，且藉由通過該光路之曝光光而於基板P上產生有俯視平行四邊形之投影區域50f之狀態稱為遮光板30之第2模式並進行說明。於本第2模式中，亦可藉由將一對螺母82c、84c沿Y軸方向同步驅動，而對開口K之面積、即產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f(俯視下為平行四邊形)之寬度(面積)進行設定變更。又，開口K中之較遮光板30更靠+Y側之區域亦對應於遮光板30之位置並藉由擋板裝置60適當被遮光。
又，驅動機構80可自上述第2模式(作為一例，參照圖8(b))如圖8(c)所示般使擋板裝置60之位置沿遮光板30之-Y側移動，藉此於遮光板30之+Y側形成曝光光之光路。由於遮光板30之+Y側之邊緣(端部)與形成視場光闌20(於圖8(c)中未圖示，參照圖3(a))之開口K之邊緣(端部)中-Y側之邊緣平行，故而藉由通過上述光路之曝光光而產生於基板P上之投影區域50f於俯 視下成為梯形(等腰梯形)。以下，將如圖8(c)所示般於遮光板30之+Y側形成有曝光光之光路，且藉由通過該光路之曝光光而於基板P上產生有俯視下為梯形之投影區域50f之狀態稱為遮光板30之第3模式並進行說明。於本第3模式中，亦可藉由將一對螺母82c、84c沿Y軸方向同步驅動，而對開口K之面積、即產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f(俯視下為梯形)之寬度(面積)進行設定變更。又，開口K中之較遮光板30更靠-Y側之區域對應於遮光板30之位置並藉由擋板裝置60而適當被遮光。
又，驅動機構80可自上述第3模式(作為一例，參照圖8(c))如圖8(d)所示般以使螺母84c位於較螺母82c更靠+Y側之方式控制螺母82c、84c之Y位置，藉此將遮光板30定位於遮光板30之+Y側之邊緣(端部)與形成視場光闌20(於圖8(b)中未圖示，參照圖3(a))之開口K之邊緣(端部)中+Y側之邊緣成為平行之位置。藉此，可將產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f設為俯視下平行四邊形。以下，將如圖8(d)所示般於遮光板30之+Y側形成有曝光光之光路，且藉由通過該光路之曝光光而於基板P上產生有俯視下為平行四邊形之投影區域50f之狀態稱為遮光板30之第4模式並進行說明。於本第4模式中，亦可藉由將一對螺母82c、84c沿Y軸方向同步驅動，而對開口K之面積、即產生於基板P(參照圖1)上之投影區域50f(俯視下為平行四邊形)之寬度(面積)進行設定變更。又，開口K中之較遮光板30更靠-Y側之區域對應於遮光板30之位置並藉由擋板裝置60而適當被遮光。
如上所述，於本實施形態中，可相對於遮光板30於開口K之-Y方向(第1及第2模式)及+Y方向(第3及第4模式)之兩方向形成曝光光之光路，且可分別於第1~第4模式中任意地調節開口K之寬度。即，視場光闌20、遮光板30、驅動機構80、及擋板裝置60構成使投影光學模組PLf於基板P上產生之投影區域50f之形狀及位置任意地變化之可變視場光闌裝置。
圖9係表示產生於基板P上之投影區域50a~50g之俯視圖。投影區域50a~50g係以於Y軸方向上相鄰之投影區域之端部彼此、即端部51a與51b、端部51c與51d、端部51e與51f、端部51g與51h、端部51i與51j、端部51k與51l於Y軸方向上重合之方式(以Y軸方向之位置重複之方式)設定。因此，相對於投影區域50a~50g，一面將基板P沿X軸方向掃描，一面曝光(掃描曝光)，藉此形成經重複曝光(雙重曝光)之重複區域52a~52f(於圖9中由短劃線夾持之區域)。
又，於圖9中如虛線所示，遮光板30係藉由向上述第1及第2位置、以及Y軸方向之移動而適當設定投影區域50f之實效之大小。藉此，遮光板30於將基板P向X軸方向掃描並進行掃描曝光之情形時，可適當設定經由投影區域50f轉印之遮罩M之圖案影像之Y軸方向之寬度及形狀，且可適當設定作為與該圖案影像對應之潛像形成於基板P上之轉印圖案之Y軸方向之圖案寬度及圖案形狀。
繼而，對使用曝光裝置EX(參照圖1)進行多次掃描曝光，並將與遮罩M之圖案影像對應之複數個轉印圖案於基板P上接合之接合曝光方法進行說明。於以下之說明中，如圖10所示，分2次掃描曝光(第1及第2掃描曝光)將形成於遮罩M上之圖案PPA中Y軸方向上具有長度LA之部分圖案PA與Y軸方向上具有長度LB之部分圖案PB之2個區域之圖案影像依序轉印至基板P上，並將與該等圖案影像對應之轉印圖案MA、MB於基板P上接合而進行圖案合成。此時，對與部分圖案PA、PB各自之交界部45、46對應之轉印圖案MA、MB之交界部重複地進行曝光，藉此形成連接部MC。藉此，基板P上之整體之轉印圖案MRA成為部分圖案PA之轉印圖案MA與部分圖案PB之轉印圖案MB接合而成者。
此處，於本實施形態中，可使用上述第1~第4之4個模式對藉由投影光學模組PLf產生於基板P上之投影區域50f之在Y軸方向之位置及寬度適當進行設定變更。藉此，於在第1掃描曝光中使用投影光學模組PLf形成轉印圖案MA中之連接部之情形時，可任意地設定部分圖案PA之Y軸方向之長度LA及其端 部形狀，或於在第2掃描曝光中使用投影光學模組PLf形成轉印圖案MB中之連接部之情形時，可任意地設定部分圖案PB之Y軸方向之長度LB及其端部形狀。
此處，實際上，於使用曝光裝置EX自1片素玻璃基板製造多片作為製品之液晶面板之情形時，要求液晶面板之尺寸、片數等各種各樣。例如要求於一片玻璃基板上製作尺寸互不相同之製品(液晶面板等之電路圖案)。因此，實際上，根據設計而要求接合曝光之次數(連接部MC之數量)、轉印圖案MA、MB之長度等為各種態樣。以下，對使用本實施形態之遮光板30進行接合曝光時之曝光方法具體地進行說明。再者，對於以下之第1曝光方法及第2曝光方法中投影光學系統模組為7個之情形進行說明，對於第3~第5曝光方法中投影光學系統模組為11個之情形進行說明，投影光學系統模組之個數可適當變更，關於接合曝光之概念、方法等，無關投影光學系統模組之個數而與圖6所說明之例相同。
於圖11(a)中圖示出第1曝光方法之基板P與遮罩M。於第1曝光方法中，自1片基板P製造2片面板PN1、PN2。面板PN1、PN2之尺寸相同，所使用之遮罩圖案亦相同。於第1曝光方法中，與圖10中說明之情形同樣，可利用2次曝光動作(1次接合曝光動作)完成對各面板PN1、PN2之曝光動作。
於第1曝光方法中，如圖11(b)所示，以使遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向(第1方向)相對移動，而將遮罩圖案中之A區域之圖案形成於基板P之第1掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向(第2方向)移動之步進移動。接下來，如圖11(c)所示，以使遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於-Y軸方向側形成曝光光之光路之方式使遮光板30沿Y軸方向移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A區域對應之轉印圖案和與B區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝 光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B區域之圖案形成於基板P之第2掃描曝光。藉此，可於基板P形成尺寸大於遮罩M之圖案區域PPA(參照圖10)之面板。
於圖12(a)中圖示出第2曝光方法之基板P與遮罩M。於第2曝光方法中，自1片基板P製造2片面板PN1、PN2。面板PN1、PN2之尺寸相同，所使用之遮罩圖案亦相同。於第2曝光方法中，可製造大於第1曝光方法之面板。又，與第1曝光方法同樣地，可利用2次曝光動作(1次接合曝光動作)完成對各面板PN1、PN2之曝光動作。
於第2曝光方法中，如圖12(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PLf(參照圖1)而產生之投影區域50f之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A區域之圖案形成於基板P之第1掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之步進移動。接下來，如圖12(c)所示，以使規定藉由投影光學模組PLb(參照圖1)而產生之投影區域50b之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A區域對應之轉印圖案和與B區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B區域之圖案形成於基板P之第2掃描曝光。藉此，可於基板P形成尺寸大於遮罩M之圖案區域PPA之面板。
於圖13(a)中圖示出第3曝光方法之基板P與遮罩M。於第3曝光方法中，自1片基板P製造2片面板PN1、PN2。面板PN1、PN2之尺寸相同，所使 用之遮罩圖案亦相同。於第3曝光方法中，面板PN1、PN2之Y軸方向之長度為遮罩M之Y軸方向之長度之大致2倍，且與圖10中說明之情形不同，利用2次曝光動作(1次接合曝光動作)並未完成對各面板PN1、PN2之曝光動作。因此，於遮罩M上設定A區域、B區域、及C區域，並針對1片面板(製品)進行合計3次曝光動作(2次接合曝光動作)。
於第3曝光方法中，如圖13(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A區域之圖案形成於基板P之第1掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之第1步進移動。接下來，如圖14(a)所示，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A區域對應之轉印圖案和與B區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B區域之圖案形成於基板P之第2掃描曝光。進而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之第2步進移動。接下來，如圖14(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PL4而產生之投影區域504之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與B區域對應之轉印圖案和與C區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之C區域之圖案形成於基板P之第3掃描曝光。藉此，可於基板P形成尺寸大於遮罩M之圖案區域PPA之面板。
又，於圖15(a)中圖示出第4曝光方法之基板P與遮罩M。於第4曝光方法中，自1片基板P製造3片面板PN1~PN3。面板PN1~PN3之尺寸相同，所使用之遮罩圖案亦相同。於第4曝光方法中，面板PN1~PN3之Y軸方向之長度為遮罩M之Y軸方向之長度之1.3倍左右，且與上述第3曝光方法不同，利用2次曝光動作(1次接合曝光動作)完成對各面板PN1~3之曝光動作。於第4曝光方法中，於遮罩M上設定A區域及B區域之2個區域，且針對1片面板(製品)進行合計2次曝光動作(1次接合曝光動作)。
於第4曝光方法中，如圖15(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A區域之圖案形成於基板P之第1掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之步進移動。接下來，如圖16所示，以使規定藉由投影光學模組PL7而產生之投影區域507之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A區域對應之轉印圖案和與B區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B區域之圖案形成於基板P之第2掃描曝光。藉此，可於基板P形成尺寸大於遮罩M之圖案區域PPA(參照圖10)之面板。
又，於圖17(a)中圖示出第5曝光方法之基板P與遮罩M。於第5曝光方法中，自1片基板P製造3片面板PN1~PN3。面板PN1與面板PN2、PN3相比，尺寸較小，Y軸方向之長度亦較短。又，面板PN1之曝光使用形成於遮罩M上之遮罩圖案MP1，面板PN2、PN3之曝光使用與上述遮罩圖案MP1不同之遮罩圖案MP2。
於第5曝光方法中，如圖17(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A1區域之圖案形成於基板P之第1掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之第1步進移動。接下來，如圖18(a)所示，以使規定藉由投影光學模組PL7而產生之投影區域507之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A1區域對應之轉印圖案和與B1區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B1區域之圖案形成於基板P之第2掃描曝光。藉此，可將遮罩圖案MP1轉印至基板P，從而可於基板P形成面板PN1。
進而，為了於基板P上形成面板PN2，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿X軸方向及Y軸方向移動之第2步進移動。又，於第2步進移動中，為了將遮罩圖案MP2轉印至基板P，藉由遮罩載置台驅動部MSTD使遮罩M移動。接下來，如圖18(b)所示，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A2區域之圖案形成於基板P之第3掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之第3步進移動。接下來，如圖19所示，以使規定藉由投影光學模組PL7而產生之投影區域507之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A2區域對應之轉印圖案和與B2區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光 板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B2區域之圖案形成於基板P之第4掃描曝光。藉此，可將遮罩圖案MP2轉印至基板P，從而可於基板P形成面板PN2。
以下，雖未圖示，但同樣地，為了於基板P上形成面板PN3，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿X軸方向及Y軸方向移動之第4步進移動。接下來，以使規定藉由投影光學模組PL10而產生之投影區域5010之遮光板30移動至第1傾斜配置，並且於+Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。於該狀態下進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之A2區域之圖案形成於基板P之第5掃描曝光。繼而，進行藉由基板載置台驅動部PSTD使基板P沿Y軸方向移動之第5步進移動。接下來，以使規定藉由投影光學模組PL7而產生之投影區域507之遮光板30移動至第2傾斜配置，並且於-Y軸側形成曝光光之光路之方式使遮光板30移動。此時，於基板P上之各面板區域，於與A2區域對應之轉印圖案和與B2區域對應之轉印圖案之間形成有連接部。以於該連接部曝光量變得均勻之方式進行遮光板30及擋板裝置60之定位。其後，進行藉由使遮罩M與基板P沿X軸方向相對移動，而將遮罩圖案中之B2區域之圖案形成於基板P之第6掃描曝光。藉此，可將遮罩圖案MP3轉印至基板P，從而可於基板P形成面板PN3。藉由以上，可於基板P上形成面板PN1、面板PN2、面板PN3。
再者，上述第1~第5曝光方法為一例，並且除該等以外，於曝光裝置EX中進行之接合曝光亦想到各種態樣。因此，必須對應於所要求之面板之尺寸，每次設計如何將遮罩圖案分割成複數個區域並進行接合曝光。
但是，遮罩圖案之分割部位之設計存在各種制約。即，於曝光裝置EX中，遮罩載置台MST(遮罩M)與各投影光學系統模組之步進(Y軸)方向之相對位置不變，因此關於各轉印圖案之Y軸方向之長度，藉由各投影光學系統模組而形成之投影區域之長度之整數倍成為基礎，且利用遮光板30調整其合 計長度。相對於此，具有遮光板30之投影光學模組僅為一部分(於本實施形態中為投影光學系統模組PLf)，於設計投影區域之Y軸方向之合計長度之方面成為制約。又，於面板之製造步驟中，於各面板，與形成有重複圖案之液晶顯示面分開地形成有用以於周邊部將各面板與驅動電路連接之引出線(被稱為引板區域)。形成於該引板區域之引出線並非重複之圖案，因此成為進行接合曝光時之制約。又，就產能之觀點而言，接合曝光之次數較佳為較少，該點亦成為將遮罩圖案分割成複數個區域時之制約。又，遮罩尺寸亦因遮罩載置台MST之大小而存在物理性之限制，因此該點亦成為將遮罩圖案分割成複數個區域時之制約。
相對於此，於本實施形態之曝光裝置EX中，於藉由由上述視場光闌20、遮光板30、驅動機構80、及擋板裝置60構成之可變光闌裝置進行接合曝光時，可藉由使用遮光板30之上述第1~第4模式之任一模式任意地調整形成連接部之一對投影區域中之一投影區域(於本實施形態中為投影區域50f)之長度及端部形狀。因此，利用接合曝光製造製品時之設計(使用接合曝光將形成於遮罩上之電路圖案之哪個部分形成於玻璃基板上，或實施有該接合曝光處理之電路圖案上之位置或進而將大小互不相同之多種電路圖案曝光至玻璃基板上時所使用之遮罩上之該多種電路圖案之配置等)之自由度提高，從而可緩和上述各種制約。若列舉一例，假設於將遮光板30之傾斜方向設為固定之情形時，若以可形成如圖4(a)或者圖4(c)所示之梯形狀之開口K之方式配置遮光板30，則無法如圖4(b)或者圖4(d)所示般形成平行四邊形狀及狹縫狀之開口K(遮光板30之斜邊與形成開口K之端部(斜邊)交叉)，因此成為設計上之制約，於本實施形態中，上述設計之自由度提高。
於使用本實施形態之曝光裝置EX進行接合曝光時，根據所要求之製品之設計(參照上述第1曝光方法~第5曝光方法)決定遮光板30之位置及傾斜度(上述第1~第4模式之任一者)。例如，如圖20所示，於步驟S10中，根 據面板(製品)尺寸、遮罩尺寸、引板區域之寬度(位置)、遮光板30之位置(於本實施形態中為與投影區域50f對應之位置)、最佳之掃描曝光之次數等各條件，於遮罩M上設定複數個區域(上述第1曝光方法之A及B區域、第3曝光方法之A~C區域等)。又，於步驟S12中，決定與於上述步驟S10中決定之遮罩M上之區域之Y軸方向之長度對應之遮光板30之Y軸方向之位置。
接下來，於步驟S14中判定步驟S12中所決定之遮光板30之位置是否滿足所需之接合曝光之條件。例如，判定於以現狀之遮光板30之傾斜方向進行接合曝光之情形時，形成於基板P上之連接部MC(參照圖10)之總曝光量是否滿足所需之曝光條件。於在步驟S14之判定中判定為Yes之情形時，進入步驟S16，並進行接合曝光。又，於在步驟S14中判定為No之情形時，進入步驟S18，並於將遮光板30之模式切換(第1模式與第2模式之切換或第3模式與第4模式之切換)追加至接合曝光之步驟後(實際上係於基板P之Y步進動作中進行遮光板30之模式切換)，進入步驟S16，並進行接合曝光。
再者，若預先鑒於面板(製品)尺寸、遮罩尺寸、引板區域之寬度(位置)、掃描曝光之次數等得知進行接合曝光時之曝光條件，則亦可於第1掃描曝光與第2掃描曝光中切換遮光板30之位置。藉此，可省略上述步驟(步驟S14、S18)，因此可使曝光處理簡單化。
如以上說明所述，於本實施形態中，藉由形成開口K之於Y軸方向上隔開之一對邊緣中之一者(+y側或-Y側)與遮光板30之在Y軸方向之一對邊緣中之一者(+Y側或-Y側)於遮光板30之一側或另一側(+Y側或-Y側)形成曝光光之光路，且藉由通過該光路之曝光光於基板P上產生俯視下為梯形或平行四邊形之投影區域50f。並且，上述俯視下為梯形或平行四邊形之投影區域50f之在Y軸方向之寬度可根據遮光板30之Y位置適當設定變更。
如此一來，藉由切換遮光板30之模式，可使投影區域50f之位置 及形狀變化，因此可任意地設定包含投影區域50f之藉由複數個投影光學模組形成於基板P上之投影區域之Y軸方向之長度及其端部形狀(傾斜方向)。因此，藉由接合曝光形成於基板P上之轉印圖案MPA或MPB(參照圖10)之寬度之設計之自由度提高，從而可於1片素玻璃基板上形成任意寬度之液晶面板。
再者，以上所說明之一實施形態之構成為一例，可適當變更。即，於上述實施形態中，遮光板30(可變視場光闌裝置)僅設置有1個，但並不限定於此，亦可設置複數個。又，設置有遮光板30(可變視場光闌裝置)之投影光學模組之數量及位置並無特別限定。於此情形時，藉由接合曝光形成於基板P上之轉印圖案MPA或MPB(參照圖10)之寬度之設計之自由度進一步提高。
又，用以驅動遮光板30之機構亦可適當變更。即，亦可如圖21所示之變形例般，相對於1個開口K(視場光闌20(參照圖3))設置2片遮光板30。用以獨立地驅動2片遮光板30之驅動機構80A與上述實施形態同樣地，具有一對致動器82A、84A，且於該一對致動器82A、84A各自之螺母82c、84c固定有遮光板30。於上述實施形態中，藉由旋轉驅動1片遮光板30而變更其角度，但於本變形例中，以2片遮光板30各自之端部與形成開口K之於Y軸方向上隔開之一對邊緣平行之方式預先設定安裝角度，並將視場光闌20之一對端部之任一者與2片遮光板30之合計4個端部之任一者進行組合，藉此可與上述實施形態同樣地實現第1~第4模式。再者，圖21係模式圖，於圖25中示出本變形例之詳細內容。於圖25所示之驅動機構中，各遮光板30係沿著沿Y軸方向延伸之一對支臂88於既定之可動範圍(參照圖25之虛線箭頭)內獨立地往返驅動。此種往返驅動支臂88之類型之驅動機構亦可用作上述實施形態之遮光板30之驅動機構。
又，亦可如圖22所示之變形例之驅動機構80B般，使致動器84B之螺母84c具有用以旋轉驅動遮光板30之旋轉馬達84d。旋轉馬達84d旋轉驅動遮光板30，並使之抵接於固定於螺母84c之一對擋塊84e，藉此進行遮光板30之定 位。上述實施形態之驅動機構80(參照圖4(a)等)具有一對線性致動器，相對於此，於本變形例中，可僅具有1個線性致動器，從而構成簡單。
又，亦可如圖23(a)所示之變形例之驅動機構80C般，經由軸84f將遮光板30支持為相對於致動器84C之螺母84c旋轉自如。驅動機構80C具有相對於開口K之位置固定之一對接腳84h，藉由於使遮光板30抵接於該一對接腳84h之一者之狀態下使螺母84c沿Y軸方向移動，藉此使遮光板30旋轉(參照圖23(b))。又，螺母84c具有將遮光板30擠壓於一對擋塊84e之任一者之板簧84g，遮光板30始終保持抵接於一對擋塊84e之任一者之狀態。於本變形例中，無需旋轉驅動遮光板30之致動器，而驅動機構80C之構成簡單。
又，上述實施形態之遮光板30形成為俯視下為矩形(長方形)，且藉由旋轉變更角度，但遮光板之形狀並不限定於此。即，亦可如圖24(a)所示之變形例之遮光板130般形成為朝+X側開口之俯視下U字狀(倒C字狀)。遮光板130係由沿Y軸方向延伸之板狀構件構成，且+Y側之端部與形成視場光闌20(參照圖3)之開口K之端部中之+Y側之端部平行地形成。又，遮光板130之-Y側之端部與形成視場光闌20之開口K之端部中之-Y側之端部平行地形成。又，遮光板130之形成朝+X側開口之缺口132之於Y軸方向上隔開之一對端部中之+Y側之端部與形成視場光闌20之開口K之端部中之+Y側之端部平行(即與遮光板130之+Y側之端部平行)地形成。又，形成缺口132之於Y軸方向上隔開之一對端部中之-Y側之端部與形成視場光闌20之開口K之端部中之-Y側之端部平行(即與遮光板130之-Y側之端部平行)地形成。
圖24(a)所示之變形例之遮光板130係藉由致動器86而沿Y軸方向被驅動。藉此，如圖24(b)~圖24(e)所示，可與上述實施形態同樣地實現第1~第4模式。再者，與上述實施形態同樣地，開口K中之未形成曝光光之光路之部分係藉由可動之擋板裝置60而被遮光。根據本變形例，可僅藉由利用1個 致動器86直進驅動遮光板130而實現第1~第4模式，因此構成簡單。
又，於上述實施形態中，藉由視場光闌20與由板狀構件構成之遮光板30之協動而形成曝光光之光路(開口K)，但與視場光闌20協動地形成曝光光之光路之構件並不限定於此。即，如圖26所示，亦可使用光學濾波器230a、230b對開口K之一部分進行遮光。光學濾波器230a係以光之透過率自+Y側之端部朝向-Y側降低之方式設定。光學濾波器230b構成為相對於光學濾波器230a紙面左右對稱。光學濾波器230a、230b可分別獨立地進行Y軸方向之驅動，且可任意地設定曝光光之遮光範圍及曝光光之光路之位置。根據本變形例，亦可進行與上述實施形態相同之接合曝光。再者，可以光學濾波器230a、230b中之形成遮光部(濾波器部)之微小之點不會轉印至基板P上之方式將光學濾波器230a、230b配置於自相對於遮罩M及基板P之共軛面沿光軸方向略微偏移後之位置。
又，於上述實施形態(及其變形例)中，對將進給螺桿裝置用作驅動遮光板30之驅動機構之情形進行了說明，但驅動機構之構成並不限定於此。即，作為用以驅動遮光板30之致動器，亦可使用公知之軸馬達等。軸馬達可相對於一個定子獨立地驅動複數個可動子，因此適合如圖21所示之變形例般獨立地對一對遮光板30進行位置控制之類型。又，作為致動器，亦可使用如線性馬達之電磁馬達或者超音波馬達、如氣缸之機械致動器。
又，於圖21所示之變形例中，一對遮光板30分別係由獨立之致動器驅動，但致動器之一部分亦可共用。即，亦可為如將一對遮光板30載置於共用之第1載置台(粗動載置台)上，且於該第1載置台上載置有可獨立地控制一對遮光板30各自之位置之第2載置台(微動載置台)之構成。
又，用以驅動遮光板30之致動器於上述實施形態中係沿Y軸方向配置，但並不限定於此，亦可沿其他方向(X軸方向、Z軸方向等)配置。
又，遮光板30及其驅動機構80係用以規定產生於基板P上之投影 區域(曝光區域)而設置，但並不限定於此，亦可於照明光學系統IL之擋板裝置設置與上述實施形態相同之構成之遮光板及其驅動機構。
又，遮光板30設置於構成投影光學系統PL之投影光學模組，但只要於曝光光EL之光路上，則配置位置並無特別限定，亦可設置於照明光學系統IL等。
又，於上述實施形態中，遮光板30及其驅動機構80係構成曝光裝置EX之一部分之裝置，但並不限定於此，亦可將遮光板30及驅動機構80(包含驅動器等軟體)作為遮光裝置(可變視場光闌裝置)追加地設置於已有之曝光裝置。
又，於上述實施形態中，係藉由包含遮光板30之可変視場光闌裝置變更形成於基板P上之投影區域之位置及形狀，但並不限定於此，亦可將遮罩M與投影光學系統PL構成為可沿Y軸方向相對移動，並藉由該遮罩M與投影光學系統PL之向Y軸方向之相對移動而變更投影區域之位置及形狀。
又，照明光亦可為ArF準分子雷射光(波長193nm)、KrF準分子雷射光(波長248nm)等紫外線光或F2雷射光(波長157nm)等真空紫外線光。又，作為照明光，例如亦可使用利用摻雜有例如鉺(或鉺與鐿之兩者)之光纖放大器將自DFB半導體雷射或光纖雷射振盪出之紅外區域或可見光區域之單一波長雷射光增幅，並使用非線性光學結晶波長轉換為紫外線光之諧波。又，亦可使用固體雷射(波長：355nm、266nm)等。
又，對投影光學系統PL係具備複數個投影光學模組之多透鏡方式之投影光學系統之情形進行了說明，但投影光學模組之個數並不限定於此，只要為1個以上即可。又，作為投影光學系統PL，亦可為擴大系統或縮小系統。
又，作為曝光裝置之用途，並不限定於將液晶顯示元件圖案轉印至方型之玻璃板之液晶用之曝光裝置，例如亦可廣泛地應用於有機EL (Electro--Luminescence，電致發光)面板製造用之曝光裝置、半導體製造用之曝光裝置、用以製造薄膜磁頭、微機械及DNA晶片等之曝光裝置。又，亦可應用於為了製造不僅是半導體元件等微型元件，此外光曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置、及電子束曝光裝置等所使用之遮罩或光罩而將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
又，成為曝光對象之物體並不限定於玻璃板，例如亦可為晶圓、陶瓷基板、膜構件或者空白光罩等其他物體。又，於曝光對象物為平板顯示器用之基板之情形時，該基板之厚度並無特別限定，例如包含膜狀(具有可撓性之片狀之構件)者。再者，本實施形態之曝光裝置於曝光對象物為一邊之長度或對角線長為500mm以上之基板之情形時尤其有效。
液晶顯示元件(或者半導體元件)等電子元件係經過進行元件之功能、性能設計之步驟、製作基於該設計步驟之遮罩(或者光罩)之步驟、製作玻璃基板(或者晶圓)之步驟、藉由上述各實施形態之曝光裝置及其曝光方法將遮罩(光罩)之圖案轉印至玻璃基板之微影步驟、使經曝光之玻璃基板顯影之顯影步驟、藉由蝕刻將殘存有抗蝕劑之部分以外之部分之露出構件去除之蝕刻步驟、將蝕刻結束後無用之抗蝕劑去除之抗蝕劑去除步驟、元件組裝步驟、檢查步驟等而製造。於此情形時，於微影步驟中，使用上述實施形態之曝光裝置執行上述曝光方法，而於玻璃基板上形成元件圖案，因此可生產性良好地製造高積體度之元件。
[產業上之可利用性]
如以上說明所述，本發明之曝光方法適合將遮罩之圖案曝光至基板。又，本發明之平板顯示器之製造方法及元件製造方法分別適合製造平板顯示器及微型元件。又，本發明之遮光裝置及曝光裝置適合將遮罩之圖案曝光至基板。

Claims (11)

  1. 一種曝光裝置，使物體相對於照明光於掃描方向相對移動而曝光，其具備：視場光闌，設定投影前述照明光之前述物體上之投影區域中的前述掃描方向之寬度；遮光部，以根據與前述掃描方向交叉之非掃描方向之位置，變更前述投影區域之前述掃描方向之寬度的方式，對前述照明光之一部分進行遮光；以及驅動部，到達以前述遮光部規定之遮光區域之端部與前述投影區域之端部交叉之位置為止，使前述遮光部往前述非掃描方向移動。
  2. 如請求項1所述之曝光裝置，其中，前述遮光部以前述物體上之前述投影區域之前述掃描方向之寬度非連續地變化的方式，對前述照明光之一部分進行遮光。
  3. 如請求項1或2所述之曝光裝置，其中，前述遮光部以前述投影區域之前述非掃描方向之端部被遮光的方式，對前述照明光之一部分進行遮光。
  4. 如請求項1或2所述之曝光裝置，其中，前述遮光部配置於相對於具有投影於前述物體上之既定圖案的光罩與前述物體之共軛面之附近。
  5. 如請求項4所述之曝光裝置，其中，前述遮光部在與前述掃描方向和前述非掃描方向交叉之上下方向，設置於較設於前述共軛面之前述視場光闌靠近前述物體側。
  6. 如請求項5所述之曝光裝置，其中，於前述掃描方向，設置複數個將前述照明光投影至前述物體上之投影光學系統；前述遮光部，分別設置於在前述掃描方向分離設置之前述投影光學系統。
  7. 如請求項6所述之曝光裝置，其中，於前述非掃描方向，設置於前述掃描方向之不同位置的前述投影光學系統之前述投影區域的一部分不同。
  8. 如請求項1或2所述之曝光裝置，其中，前述物體係用於平板顯示器之製造的基板。
  9. 如請求項1或2所述之曝光裝置，其中，前述物體之至少一邊的長度或對角線長係500mm以上。
  10. 一種平板顯示器之製造方法，其包含：使用如請求項8所述之曝光裝置對前述基板進行曝光之動作；及使經曝光之前述基板顯影之動作。
  11. 一種元件製造方法，其包含：使用如請求項1至9中任一項所述之曝光裝置對前述基板進行曝光之動作；及使經曝光之前述基板顯影之動作。
TW108117161A 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、及元件製造方法 TWI711893B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016037099 2016-02-29
JPJP2016-037099 2016-02-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201935144A true TW201935144A (zh) 2019-09-01
TWI711893B TWI711893B (zh) 2020-12-01

Family

ID=59742985

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106106905A TWI663482B (zh) 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法
TW109138062A TWI815055B (zh) 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法以及投影光學模組
TW108117161A TWI711893B (zh) 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、及元件製造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106106905A TWI663482B (zh) 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法
TW109138062A TWI815055B (zh) 2016-02-29 2017-03-01 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法以及投影光學模組

Country Status (6)

Country Link
JP (3) JPWO2017150388A1 (zh)
KR (2) KR102223791B1 (zh)
CN (1) CN108700825B (zh)
HK (1) HK1256939A1 (zh)
TW (3) TWI663482B (zh)
WO (1) WO2017150388A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117908338A (zh) 2019-03-29 2024-04-19 株式会社尼康 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3711586B2 (ja) * 1995-06-02 2005-11-02 株式会社ニコン 走査露光装置
JP2001044099A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2001201867A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP4362999B2 (ja) * 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
WO2007055199A1 (ja) * 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
WO2007066679A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法
WO2008108423A1 (ja) * 2007-03-08 2008-09-12 Nikon Corporation 位置計測モジュール、位置計測装置、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5105155B2 (ja) 2007-07-13 2012-12-19 Ｎｓｋテクノロジー株式会社 露光装置及び露光方法
JP2009163133A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
WO2009128488A1 (ja) * 2008-04-17 2009-10-22 株式会社ニコン 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5392549B2 (ja) * 2009-05-12 2014-01-22 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2011248125A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Nikon Corp 露光方法、露光装置、マスク及びデバイス製造方法
JP5836848B2 (ja) * 2012-03-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置
JP2013238670A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び開口板
JP6243616B2 (ja) 2013-03-26 2017-12-06 キヤノン株式会社 露光装置および物品の製造方法
JP6380728B2 (ja) * 2013-11-25 2018-08-29 株式会社ニコン 投影走査露光方法及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022106891A (ja) 2022-07-20
TWI815055B (zh) 2023-09-11
JP7347578B2 (ja) 2023-09-20
HK1256939A1 (zh) 2019-10-04
KR102223791B1 (ko) 2021-03-05
KR102538199B1 (ko) 2023-05-30
WO2017150388A1 (ja) 2017-09-08
TWI711893B (zh) 2020-12-01
TW201800867A (zh) 2018-01-01
KR20210025719A (ko) 2021-03-09
CN108700825B (zh) 2021-07-23
KR20180100405A (ko) 2018-09-10
JPWO2017150388A1 (ja) 2018-11-29
CN108700825A (zh) 2018-10-23
TW202115508A (zh) 2021-04-16
JP2020173465A (ja) 2020-10-22
TWI663482B (zh) 2019-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW512444B (en) Exposure method and exposure apparatus
JP4929762B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1993120A1 (en) Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TW530333B (en) Exposure method and exposure apparatus
TWI474126B (zh) 曝光設備及電子裝置製造方法
US8023103B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO1999066370A1 (fr) Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2004335864A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2007287760A (ja) 照明光学装置、投影露光装置、投影光学系、及びデバイス製造方法
US8384875B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP7347578B2 (ja) 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
US7148948B2 (en) Scanning exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004153096A (ja) 露光装置
JP2003272989A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2010272631A (ja) 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2010272640A (ja) 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2000058422A (ja) 露光装置
JP2008089941A (ja) マスク、露光方法及び表示素子の製造方法
TW501184B (en) Scanning exposure method and scanning type exposure device
JP5007538B2 (ja) 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法
JP2000298354A (ja) 走査型露光方法および走査型露光装置
JP2010238832A (ja) 照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005353966A (ja) 走査型露光装置
JP2012234110A (ja) 露光装置、およびそれを用いたデバイスの製造方法