TW201932612A - Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶，及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種Cu-Ga合金濺鍍靶，其係具有：作為金屬成分，在20原子%以上40原子%以下之範圍含有Ga，以及以合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有Na及K，且剩餘部分係由Cu及不可避免之雜質所構成之組成，於Cu-Ga合金之母相中分散有由鈉鹽或鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子，前述鹼金屬鹽粒子之最大粒徑係作成30μm以下，相對密度係作成97%以上。

Description

Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶，及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法
本發明係關於形成例如成為CIGS太陽能電池光吸收層之Cu-In-Ga-Se化合物膜(以下，略稱為CIGS膜)之際所使用之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，該Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法者。
本案係根據2017年12月22日在日本提出專利申請之特願2017-246340號而主張優先權，並將該內容援用至此。
過往，作為由化合物半導體所構成之薄膜太陽能電池，提供一種具備由CIGS膜所構成之光吸收層之CIGS系太陽能電池。
作為形成由CIGS膜所構成之光吸收層之方法，已知有使用蒸鍍法進行成膜之方法。具備藉由蒸鍍法所成膜之光吸收層之太陽能電池雖然具有高能量轉換效率之優點，但不適合大面積化，且有低生產效率之問題。又，有膜厚分佈之均勻性容易降低之問題。
因此，提出藉由濺鍍法來形成由CIGS膜所構成之光吸收層的方法。
濺鍍法中，首先，使用In濺鍍靶而將In膜予以成膜，並於該In膜之上使用Cu-Ga合金濺鍍靶而將Cu-Ga合金膜予以成膜，而形成In膜與Cu-Ga合金膜之層合膜。且，在Se環境中熱處理該層合膜，藉由硒化層合膜，而形成CIGS膜。
例如非專利文獻1所示，成為光吸收層之CIGS膜係已知藉由添加Na、K等之鹼金屬，而提升太陽能電池之轉換效率。
因此，作為對CIGS膜添加鹼金屬之手段，例如專利文獻1已揭示對使Cu-Ga合金膜進行成膜之際所使用之Cu-Ga合金濺鍍靶添加Na者，專利文獻2已提出對Cu-Ga合金濺鍍靶添加K者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-140452號公報
[專利文獻2]日本特開2016-028173號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1] Adrian Chirila et ; Potassium-induced surface modification of Cu (In,Ga) Se2 thin films for high-efficiency solar cells; NATURE MATERALS, vol.12, DECEBER (2013)
[發明所欲解決之課題]
對濺鍍靶添加Na或K等之鹼金屬之際係使用硒化物、硫化物、氯化物、氟化物等之鹼金屬鹽。然而，該等鹼金屬鹽由於為高吸濕性，故使用該等鹼金屬鹽粒子作為燒結原料時，由於吸濕而得之水分會阻礙燒結性，故無法取得高密度之燒結體。
鹼金屬鹽由於為絶緣性，故粗大之鹼金屬鹽存在於濺鍍靶中時，在濺鍍時會有容易產生異常放電之傾向。
如以上所述，對濺鍍靶添加鹼金屬鹽時，因密度為低從而強度不足，並且由於變得容易產生異常放電，故有在使用時容易破裂，且濺鍍靶之使用壽命變短的問題。
本發明係有鑑於前述情況所完成者，其目的在於提供一種包含Na與K，高密度且異常放電之產生受到抑制，而能謀求長壽命化之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，該Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。

[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶，其特徵為具有：作為金屬成分，在20原子%以上40原子%以下之範圍含有Ga，以及以合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有K及Na，且剩餘部分係由Cu及不可避免之雜質所構成之組成，於Cu-Ga合金之母相中分散有由鈉鹽或鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子，前述鹼金屬鹽粒子之最大粒徑係作成15μm以下，相對密度係作成97%以上。
根據該構成之Cu-Ga合金濺鍍靶，由於係以合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有K及Na，故能將包含Na及K之Cu-Ga合金膜予以成膜。
又，由於在Cu-Ga合金之母相中分散有由鈉鹽及鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子，且前述鹼金屬鹽粒子之最大粒徑係作成30μm以下，故可抑制前述鹼金屬鹽粒子所造成之異常放電產生。
並且，由於相對密度係作成97%以上，故可確保靶自身之強度。
因此，由於強度受到確保，且異常放電之產生受到抑制，故可謀求該Cu-Ga合金濺鍍靶之長壽命化。
本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶係在複數之部位測量密度，求出密度之最大值ρmax 、密度之最小值ρmin 及密度之平均值ρave ，且將｜ρmax -ρave ｜，及，｜ρave -ρmin ｜之較大者設為ρA 時，以將ρA ／ρave ×100所定義之密度之偏差作成平均值ρave 之5%以下為佳。
於此情況，由密度之偏差係抑制成如上述般，故不存在局部性強度較低之部分，從而能確實地謀求Cu-Ga合金濺鍍靶之長壽命化。
又，本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶在複數之部位測量Na含量，經測量之Na含量之最大值與Na含量之平均值之差，及，Na含量之平均值與Na含量之最小值之差係以皆為0.05原子%以下為佳。
於此情況，在Cu-Ga合金濺鍍靶中，Na含量之差由於被抑制縮小，而變得能將均勻含有Na之Cu-Ga合金膜予以成膜。因此，能讓使用該Cu-Ga合金膜之太陽能電池之性能安定提升。
並且，本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶在複數之部位測量K含量，經測量之K含量之最大值與K含量之平均值差，及，K含量之平均值與K含量之最小值之差係以皆為0.05原子%以下為佳。
於此情況，在Cu-Ga合金濺鍍靶中，K含量之差由於被抑制縮小，而變得能將均勻含有K之Cu-Ga合金膜予以成膜。因此，能讓使用該Cu-Ga合金膜之太陽能電池之性能安定提升。
又，本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶之氧含量係以作成1000質量ppm以下為佳。
於此情況，氧含量由於係限制在1000質量ppm以下，故不會過多存在燒結不充足之未燒結部，而能充分提高密度。
本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法，其係製造如上述之Cu-Ga合金濺鍍靶之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法，其特徵為具備下述步驟：
取得包含鈉鹽粉末及鉀鹽粉末之原料粉末的原料粉末形成步驟、形成前述原料粉末之成形體的成形體形成步驟、前述成形體在還原環境中加熱前述成形體而進行還原處理的還原步驟，及，將前述還原步驟後之成形體予以常壓燒結的燒結步驟；其中前述還原步驟中之加熱溫度係作成550℃以上650℃以下之範圍內，加熱溫度下之保持時間係作成15小時以上60小時以下之範圍內，前述燒結步驟中之燒結溫度係作成750℃以上850℃以下之範圍內，燒結溫度下之保持時間係作成1小時以上10小時以下之範圍內。還原步驟中在加熱溫度下之保持時間係以20小時以上55小時以下為佳，以25小時以上50小時以下為更佳。
根據該構成之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法，由於具備還原環境中加熱前述成形體而進行還原處理之還原步驟，故即使因吸濕而成形體含有水分，在該還原步驟中，可去除水分並且去除原料粉末表面之氧化膜。因此，在其後之燒結步驟中，可促進原料粉末彼此之燒結，而可取得高密度之Cu-Ga合金濺鍍靶。
又，還原步驟中之加熱溫度由於係作成550℃以上650℃以下，加熱溫度下之保持時間係作成15小時以上60小時以下，故能抑制成形體所包含之鈉鹽及鉀鹽粉末不幸之蒸發，從而能確實地製造包含規定量之Na及K之Cu-Ga合金濺鍍靶。

[發明之效果]
根據本發明，可提供一種包含Na與K，高密度且異常放電之產生受到抑制，而能謀求長壽命化之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，該Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。
以下，參照附屬圖式來說明關於本發明之實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶係例如為了形成CIGS系薄膜太陽能電池中由CIGS膜所構成之光吸收層，藉由濺鍍Cu-Ga膜而進行成膜之際所使用者。
如圖1所示，本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10係作成具有中空部者。具體而言，如圖1所示之Cu-Ga合金濺鍍靶10係沿著軸線O延伸存在而形成圓筒形狀，例如外徑D係作成150mm≦D≦200mm之範圍內，內徑d係作成120mm≦d≦190mm之範圍內，軸線O方向長度L係作成200mm≦L≦2000mm之範圍內。
Cu-Ga合金濺鍍靶10之外圓周面係作成濺鍍面。中空部係該當於由Cu-Ga合金濺鍍靶10之內圓周面所包圍之空間。Cu-Ga合金濺鍍靶10之外圓周面與內圓周面係形成為同心圓狀。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10係具有：作為金屬成分，在20原子%以上40原子%以下之範圍含有Ga，以及合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有K及Na，且剩餘部分係由Cu及不可避免之雜質所構成之組成。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10係如圖2所示，於Cu-Ga合金之母相11中分散有由鈉鹽或鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子12，該鹼金屬鹽粒子12之最大粒徑係作成30μm以下。
本實施形態之Cu-Ga合金之母相11中之平均結晶粒徑係設定在10μm以上150μm以下之範圍內。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10之相對密度係作成97%以上。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10之氧含量係作成1000質量ppm以下。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10在複數之部位測量密度，求出密度之最大值ρmax 、密度之最小值ρmin 及密度之平均值ρave ，且將｜ρmax -ρave ｜，及，｜ρave -ρmin ｜之較大者設為ρA 時，將ρA ／ρave ×100所定義之密度之偏差作成平均值ρave 之5%以下。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10在複數之部位測量Na含量，經測量之Na含量之最大值與Na含量之平均值之差，及，Na含量之平均值與Na含量之最小值之差係皆作成為0.05原子%以下。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10在複數之部位測量K含量，經測量之K含量之最大值與K含量之平均值差，及，K含量之平均值與K含量之最小值之差係皆作成為0.05原子%以下。
本實施形態係如圖1(a)、(c)所示般，在沿著圓筒之徑方向之任意之剖面S中，在軸線O方向上3分割(上段：A／中段：B／下段：C)，且，徑方向上3分割(內圓周側：1／中央：2／外圓周側：3)後之合計9區塊中，分別測量密度、Na含量、K含量，且測量上述之密度之偏差、Na含量及K含量之差。
以下，說明在本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10中，將Na及K之合計含量、鹼金屬鹽粒子12之最大粒徑、相對密度、相對密度之偏差、Na含量之差、K含量之差、氧含量、Cu-Ga合金之母相11中之結晶粒徑規定成如上述之理由。
(Na及K之合計含量)
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10中，Na及K之合計含量在未滿0.05原子%時，有已成膜之Cu-Ga合金膜中之Na及K之含量為少，而無法讓使用該Cu-Ga合金膜之太陽能電池之轉換效率提升之憂慮。
另一方面，Na及K之合計含量在超過1.0原子%時，有燒結性降低，密度不會提升之憂慮。又，有於Cu-Ga合金之母相11中所分散之鹼金屬鹽粒子12會粗大化，且於濺鍍時產生異常放電之憂慮。
因此，本實施形態中，將Na及K之合計含量規定在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍內。
為了使太陽能電池之轉換效率更加提升，Na及K之合計含量之下限係以作成0.2原子%以上為佳，以作為0.4原子%以上為更佳。
為了更加提升密度，且為了更加抑制異常放電產生，Na及K之合計含量之上限係以作成0.8原子%以下為佳，以作成0.6原子%以下為佳。
Na含量係作成0.1原子%以上0.5原子%以下之範圍內為佳，K含量係以作成0.1原子%以上0.3原子%以下之範圍內為佳。
(鹼金屬鹽粒子)
由鈉鹽或鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子由於為絶緣體，故該鹼金屬鹽粒子之粒徑若為大時，於濺鍍成膜時變得容易產生異常放電。因此，本實施形態中，將鹼金屬鹽粒子之最大粒徑限制在30μm以下。
本實施形態係如圖1(c)所示，在沿著圓筒之徑方向之任意之剖面中，從在軸線O方向上3分割(上段：A／中段：B／下段：C)，且，徑方向上3分割(內圓周側：1／中央：2／外圓周側：3)後之合計9區塊採取試料，在倍率1000倍下進行該試料之組織觀察，在1個試料中觀察9視域數，並測量合計81視域中之鹼金屬鹽粒子之最大粒徑。
鹼金屬鹽粒子之最大粒徑係以20μm以下為佳，以15μm以下為更佳。
(相對密度)
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10中，相對密度變低時，變得會存在諸多空隙，而變得容易產生由該空隙造成之異常放電。又，強度降低而變得容易產生破裂。
因此，本實施形態係將相對密度規定在97%以上。
為了更加抑制空隙所造成之異常放電之產生或靶之破裂產生，以將Cu-Ga合金濺鍍靶10之相對密度作成98%以上為佳，以作成99%以上為更佳。
(密度之偏差)
由於在燒結不充足之未燒結部中密度變低，故在低密度區域中強度係局部性地變低。又，在濺鍍時變得容易產生未燒結部所造成之異常放電。因此，Cu-Ga合金濺鍍靶之使用壽命有變短之憂慮。
因此，本實施形態中，藉由將上述密度之偏差限制在平均值ρave 之5%以下，而作成不會存在局部性低密度之部分者。
上述之密度之偏差係以作成平均值ρave 之1%以下為佳，以作成平均值ρave 之0.5%以下為更佳。
(Na含量之差／K含量之差)
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10中，Na含量之平均值與最小值或最大值之差，及，K含量之平均值與最小值或最大值之差為大時，有變得難以使均質之Cu-Ga合金膜進行成膜，且導致使用該Cu-Ga合金膜之太陽能電池之性能產生偏差之憂慮。
因此，本實施形態係將Na含量之平均值與最小值或最大值之差，及，K含量之平均值與最小值或最大值之差限制在0.05原子%以下。
上述之Na含量之平均值與最小值或最大值之差，及，K含量之平均值與最小值或最大值之差係以作成0.02原子%以下為佳，以作成0.01原子%以下為更佳。
(氧含量)
燒結不充足之未燒結部由於會在原料粉末之表面殘留氧化膜，故有濺鍍靶中之氧含量變高之傾向。未燒結部變多時，有強度會局部性變低且濺鍍時變得容易產生異常放電，從而Cu-Ga合金濺鍍靶之使用壽命變短之憂慮。
因此，本實施形態係將氧含量限制在1000質量ppm以下。
氧含量係以作成900質量ppm以下為佳，以作成800質量ppm以下為更佳。
(Cu-Ga合金之母相之結晶粒徑)
Cu-Ga合金之母相11之結晶粒徑為粗大時，在進行濺鍍之際，於靶濺鍍面會產生大凹凸，而成為濺鍍時異常放電之原因。又，為了使Cu-Ga合金之母相之結晶粒徑細小化，則有必要將原料粉末微細化，而有導致濺鍍靶之製造成本增加之憂慮。
基於上述理由，本實施形態係將Cu-Ga合金之母相之平均結晶粒徑規定在10μm以上150μm以下之範圍內。
Cu-Ga合金之母相11之平均結晶粒徑之下限係以作成15μm以上為佳，以作成30μm以上為更佳。又，Cu-Ga合金之母相11之平均結晶粒徑之上限係作成100μm以下為佳，以作成75μm以下為更佳。
其次，參照圖3說明關於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。
(原料粉末形成步驟S01)
首先，準備純銅粉末、Cu-Ga合金粉末、鈉鹽粉末，及鉀鹽粉末。
純銅粉末係作成經粒度儀(microtrac)測量而得之中徑D50為2~3μm者。
Cu-Ga合金粉末係作成以霧化法製造而得者，且係作成經粒度儀測量而得之中徑D50為20~30μm者。Cu-Ga合金粉末中之Ga含量係以作成40質量%以上60質量%以下之範圍內為佳。
作為鈉鹽粉末，可使用例如，鈉之硒化物、硫化物、氯化物、氟化物等。本實施形態係將鈉鹽粉末之最大粒徑作成15μm以下。
作為鉀鹽粉末，可使用例如，鉀之硒化物、硫化物、氯化物、氟化物等。本實施形態係將鉀鹽粉末之最大粒徑作成15μm以下。
以成為規定組成之方式秤量上述之純銅粉末、Cu-Ga合金粉末、鈉鹽粉末，及鉀鹽粉末，使用亨歇爾混合機等之混合裝置在惰性環境(Ar環境)進行混合而取得原料粉末。
以在原料粉末全體之10質量%以上15質量%以下之範圍包含純銅粉末為佳。
(成形體形成步驟S02)
其次，以500kgf／cm2 以上2000kgf／cm2 以下之成型壓力，使藉由上述操作而得之原料粉末形成為壓粉體(成形體)。
(還原步驟S03)
藉由將藉由上述操作而得之成形體裝入於已作成還原性氣體環境之加熱爐內並進行加熱來進行成形體之脫水・還原。作為還原性氣體，可使用例如氫、一氧化碳、氨分解氣體等。
在加熱溫度未滿550℃之情況，或，加熱時間未滿15小時之場合，則有成形體之脫水・還原變得不充足，於原料粉末之表面殘留氧化膜，其後之燒結步驟S04中之燒結性降低，而無法提升密度之憂慮。另一方面，在加熱溫度超過650℃之情況，或，加熱時間超過60小時之情況，則有導致鹼金屬鹽蒸發之憂慮。又，有鹼金屬鹽出現偏析、粗大化之憂慮。
故，本實施形態係將還原步驟S03中之加熱溫度設定在550℃以上650℃以下之範圍內，且將加熱溫度下之保持時間設定在15小時以上60小時以下之範圍內。
(燒結步驟S04)
其次，藉由將通過上述操作而經過脫水・還原之成形體裝入於燒結爐內並進行加熱來燒結成形體。
燒結步驟S04係作成例如氫、一氧化碳、氨分解氣體等之還原性氣體環境，燒結溫度係作成750℃以上850℃以下之範圍內，燒結溫度下之保持時間係作成1小時以上10小時以下之範圍內。
其後，在燒結爐內自然冷卻後取得燒結體。
(機械加工步驟S05)
其次，對上述之燒結體進行旋盤加工，而取得規定尺寸之Cu-Ga合金濺鍍靶。
藉由上述操作而製造出本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶。
根據具有如以上構成之本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10，由於係以合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有K及Na，故可使包含Na及K之Cu-Ga合金膜進形成膜。
由於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10係在Cu-Ga合金之母相11中分散有由鈉鹽及鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子12，且該鹼金屬鹽粒子12之最大粒徑係作成30μm以下，故可抑制鹼金屬鹽粒子12所造成之異常放電產生。
由於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶10之相對密度係作成在97%以上，故可確保靶自身之強度。
由於本實施形態之密度之偏差係作成在平均值ρave 之5%以下，故不存在局部性強度較低之部分，故可抑制Cu-Ga合金濺鍍靶10在使用時產生局部性破裂。
由於本實施形態係將經測量之Na含量之平均值與最小值或最大值之差，及，經測量之K含量之平均值與最小值或最大值之差皆作成0.05原子%以下，故可使均勻含有Na及K之Cu-Ga合金膜進形成膜。
由於本實施形態係將氧含量作成1000質量ppm以下，故不存在過多燒結不充足之未燒結部，而可充分提高密度。由於本實施形態係將Cu-Ga合金之母相11之平均結晶粒徑作成10μm以上150μm以下之範圍內，故即使在進行濺鍍後，在靶濺鍍面上仍不會形成較大凹凸，而可抑制異常放電產生。
本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法由於具備將原料粉末之成形體在還原環境中進行加熱而施以還原處理之還原步驟S03，故即使因吸濕而成形體中包含水分，在該還原步驟S03中，仍可去除水分並且去除原料粉末表面之氧化膜。因此，在其後之燒結步驟S04中，可促進原料粉末彼此之燒結，而取得高密度之Cu-Ga合金濺鍍靶10。
由於還原步驟S03中之加熱溫度係作成550℃以上650℃以下，加熱溫度下之保持時間係作成15小時以上60小時以下，故可抑制成形體所包含之鈉鹽及鉀鹽粉末不幸蒸發之憂慮，從而可取得包含Na及K之Cu-Ga合金濺鍍靶10。
以上，已說明關於本發明之實施形態，但本發明並非係受限於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍內皆能適宜變更。
例如，本實施形態係如圖1所示，以濺鍍面係作成圓筒面之圓筒型濺鍍靶為例進行說明，但並非係受限於此，亦可做成如圖4所示之濺鍍面形成矩形狀之矩形平板型濺鍍靶。又，也可為如圖5所示之濺鍍面形成為圓形狀之圓板型濺鍍靶。
濺鍍面形成矩形狀之矩形平板型濺鍍靶係如圖4所示般，以在矩形面之中心部(A)、端部(B)、角部(C)之3處，在厚度方向上3分割(上面側：1／中央：2／下面側：3)後之合計9區塊中，分別測量密度、Na含量、K含量，且求出上述之密度之偏差、Na含量及K含量之差為佳。又，以在倍率1000倍下進行從上述之9區塊所採取之試料之組織觀察，在1個試料中觀察9視域數，且測量合計81視域中之鹼金屬鹽粒子之最大粒徑為佳。
又，濺鍍面形成圓形狀之圓板型濺鍍靶係如圖5所示，以在圓形面之中心部(A)、外圓周部(對圓周方向以90°間隔之2處(B、C))之3處，在厚度方向上3分割(上面側：1／中央：2／下面側：3)後之合計9區塊中，分別測量密度、Na含量、K含量，且求出上述之密度之偏差、Na含量及K含量之差為佳。又，以在倍率1000倍下進行從上述之9區塊所採取之試料之組織觀察，在1個試料中觀察9視域數，且測量合計81視域中之鹼金屬鹽粒子之最大粒徑為佳。
矩形平板型濺鍍靶及圓板型濺鍍靶雖然能以加熱板等進行加壓燒結來提升密度，但、本實施形態說明之圓筒型濺鍍靶若係進行加壓燒結，則難以從成形模具中取出。因此，本發明係以常壓燒結成形體為佳。

[實施例]
以下，說明對於前述之本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法進行評價之評價試驗之結果。
準備如表1所示組成之Cu-Ga合金霧化粉末(中徑25μm)作為原料粉末，準備氟化鈉粉末及氯化鈉粉末、氟化鉀粉末及氯化鉀粉末作為鹼金屬鹽粉末。
將上述之各粉末以成為如表1所示之配合比之方式進行秤量，使用亨歇爾混合機在Ar環境中進行混合而取得原料粉末。
藉由將上述之原料粉末填充至成形模具，以1500kgf／cm2 之成型壓力進行加壓，而取得圓筒形狀之成形體。
將此成形體裝入於加熱爐，在表1所示之條件下實施還原步驟，其後，在表1所示之條件下實施燒結步驟。
機械加工取得之燒結體，而製造出外徑170mm、內徑135mm、長度230mm之圓筒型之Cu-Ga合金濺鍍靶。
對於取得之Cu-Ga合金濺鍍靶，進行有關下述項目之評價。
(金屬成分之含量／Na含量及K含量之偏差)
在已製作之Cu-Ga合金濺鍍靶中，從如圖1(c)所示之9區塊分別採取試料，將此粉碎並使用酸進行前處理後，藉由ICP-AES進行K、Na之組成分析，算出其平均值，並記載於表2。
又，關於Na、K，將9區塊中測量時之最大值與平均值之差，平均值與最小值之差當中較大者作為「含量之差」並展示於表2。
(鹼金屬鹽粒子)
在由波長分離型X線檢測器所得之原子分佈圖中，Cu-Ga合金之本體中將Na與F(或Cl)，K與F(或Cl)共存之區域當作鹼金屬鹽粒子。本實施例係如圖1(c)所示，在沿著圓筒徑方向之任意之剖面中，從在軸線O方向上3分割(上段：A／中段：B／下段：C)，且，徑方向上3分割(內圓周側：1／中央：2／外圓周側：3)後之合計9區塊採取試料，在倍率1000倍下進行該試料之組織觀察，在1個試料中觀察9視域數，且測量合計81視域中之鹼金屬鹽粒子之最大粒徑。
以SEM觀察各試料，在30~50倍之低倍率下觀察全體視域，以COMPO圖確認呈現較暗之絶緣領域。關於全體之視域內之最大粒子，藉由EDS・元素分佈確認鹼鹽存在，測量該最大粒子之內切圓之直徑，並將此作為「鹼金屬鹽粒子之最大粒徑」。評價結果係如表2所示。
(Cu-Ga合金相之平均結晶粒徑)
母相之Cu-Ga合金相之平均結晶粒徑係將從濺鍍靶切出之試料表面研磨成鏡面，使用由硝酸與純水所構成之蝕刻液進行蝕刻後，使用能判斷結晶粒界之倍率：50~1000倍之範圍內之光學顯微鏡，拍攝顯微鏡照片，在取得之照片之1邊以11等分描繪出10條直線，計算該10條直線所通過之結晶粒，並使用下述計算式來求出。
(平均粒徑)=(將照片上之10條線之長度修正成實際長度後之值)／(10條線所通過之Cu-Ga合金相結晶粒之數)
在上述之9區塊中算出平均粒徑，並且算出9區塊之平均粒徑之平均值，而作為「Cu-Ga合金相之平均結晶粒徑」。作為評價結果，若在10~150μm之範圍則評為「A」，若在10~150μm之範圍外則評為「B」，並且展示於表2。
(相對密度)
在Ga含量與密度之圖表中，將純銅之密度ρCu =8.96g／cm3 與Cu-Ga合金(Cu：69.23原子%，Ga：30.77原子%)之密度ρCuGa =8.47g／cm3 以直線連結，因應該Cu-Ga合金之組成(Ga含量)，將藉由內挿或外挿而求得之值當作基準值，對此因應NaF(理論密度2.79g／cm3 )與KF(理論密度2.48g／cm3 )之添加量來計算理論密度。
其後，測量施加機械加工而得之Cu-Ga合金濺鍍靶之重量，藉由以重量除以根據形狀求出之體積來測量密度。算出經測量之密度與上述之理論密度之比而求出相對密度。將評價結果展示於表2。
(密度之偏差)
在已製作之Cu-Ga合金濺鍍靶中，從如圖1(c)所示之9區塊分別採取試料，藉由阿基米德法對該等試料測量密度。
其後，求出密度之最大值ρmax 、密度之最小值ρmin 及密度之平均值ρave ，將｜ρmax -ρave ｜，及，｜ρave -ρmin ｜之較大者設為ρA ，且算出以ρA ／ρave ×100所定義之密度之偏差。將評價結果展示於表2。
(氧含量)
O(氧)之分析係使用從上述之9區塊所採取之試料，藉由JIS Z 2613「金屬材料之氧定量方法通則」記載之紅外線吸收法進行測量。將評價結果展示於表2。
(異常放電)
使用In焊料，將已製作之Cu-Ga合金濺鍍靶焊接於Cu製之背襯板。其後，在以下之條件下進行濺鍍試驗，並測量異常放電產生次數。為了去除Cu-Ga合金濺鍍靶之表面痕跡，以下述之條件實施預濺鍍後，才測量異常放電次數。將評價結果展示於表2。
濺鍍方式：DC磁控濺鍍
極限真空度：4×10-4 Pa以下
濺鍍Ar壓：0.5Pa
預濺鍍電力量：1.5kWh
濺鍍電力：3kW
靶旋轉速度：10rpm
異常放電之測量：地標技術公司製微電弧監視器
測量時間：2小時連續放電
(加工時之破裂)
確認在上述之Cu-Ga合金濺鍍靶之製作時有無破裂。將評價結果展示於表2。
(濺鍍時之破裂)
確認在上述之濺鍍試驗時有無破裂。將評價結果展示於表2。
還原步驟中之保持時間為短比較例1，其相對密度變得低至96%。又，氧濃度變高至1700質量ppm。且，在濺鍍時產生破裂而無法安定進行濺鍍成膜。推測係由於還原不充足而無法進行燒結所致。
還原步驟及燒結步驟中之保持時間較長之比較例2，其鹼鹽粒子之最大粒徑變得大至45μm。且，異常放電發生次數多達1500次，而無法安定進行濺鍍成膜。推測係由於鹼鹽粒子進行凝聚而粗大化所致。
Na及K之合計含量係作成1.1原子%之比較例3，其相對密度變得低至96%。又，氧濃度變得高至1200質量ppm。且，由於在加工時破裂產生，故並未實施濺鍍試驗。
Na及K之合計含量係作成0.02原子%之比較例4，其Cu-Ga合金相之平均結晶粒徑超過150μm。且，異常放電發生次數多達1200次，而無法安定進行濺鍍成膜。
在大氣環境下實施燒結之比較例5，其相對密度變得低至80%。又，氧濃度變得高至2500質量ppm。並且，無法對濺鍍靶進行加工。因此，並未實施濺鍍試驗。
在氮環境下實施燒結之比較例6，其相對密度變得低至81%。又，氧濃度變得高至2000質量ppm。並且，無法對濺鍍靶進行加工。因此，並未實施濺鍍試驗。
相對於此，本發明例1-16即使含有Na及K，其相對密度仍高達97%以上，且異常放電之產生也受到抑制，而能安定進行濺鍍成膜。
又，本發明例13雖係使用氯化物作為鹼鹽，但能與使用氟化物之本發明例1-12、14、15相同地發現本發明之效果。
並且，如本發明例16所示，即使在添加氟化物與氯化物作為鹼鹽之情況，也能發現本發明之效果。
由以上之內容，可確認到本發明能提供一種包含Na與K，高密度且異常放電之產生受到抑制，而能謀求長壽命化之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，該Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。

[產業上之可利用性]
根據本發明，能提供一種包含Na與K，高密度且異常放電之產生受到抑制，而能謀求長壽命化之Cu-Ga合金濺鍍靶，及，該Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法。
10‧‧‧Cu-Ga合金濺鍍靶
11‧‧‧母相
12‧‧‧鹼金屬鹽粒子
[圖1]本發明之一實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之概略說明圖。(a)為在軸線O方向正交之剖面圖、(b)為沿著軸線O之剖面圖、(c)為說明密度、Na含量、K含量之測量位置的說明圖。
[圖2]本發明之一實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之掃描型電子顯微鏡照片。
[圖3]展示本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法之流程圖。
[圖4]本發明之其他實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之概略說明圖。
[圖5]本發明之其他實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶之概略說明圖。

Claims (6)

  1. 一種Cu-Ga合金濺鍍靶，其特徵為具有：作為金屬成分，在20原子%以上40原子%以下之範圍含有Ga，以及以合計計算在0.05原子%以上1.0原子%以下之範圍含有Na及K，且剩餘部分係由Cu及不可避免之雜質所構成之組成， 於Cu-Ga合金之母相中分散有由鈉鹽或鉀鹽所構成之鹼金屬鹽粒子， 前述鹼金屬鹽粒子之最大粒徑係作成30μm以下， 相對密度係作成97%以上。
  2. 如請求項1之Cu-Ga合金濺鍍靶，其中在複數之部位測量密度，求出密度之最大值ρmax 、密度之最小值ρmin 及密度之平均值ρave ，且將｜ρmax -ρave ｜，及，｜ρave -ρmin ｜之較大者設為ρA 時， 以ρA ／ρave ×100所定義之密度之偏差係作成平均值ρave 之5%以下。
  3. 如請求項1或請求項2之Cu-Ga合金濺鍍靶，其中在複數之部位測量Na含量，經測量之Na含量之最大值與Na含量之平均值之差，及，Na含量之平均值與Na含量之最小值之差皆為0.05原子%以下。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之Cu-Ga合金濺鍍靶，其中在複數之部位測量K含量，經測量之K含量之最大值與K含量之平均值差，及，K含量之平均值與K含量之最小值之差皆為0.05原子%以下。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項之Cu-Ga合金濺鍍靶，其中氧含量係作成1000質量ppm以下。
  6. 一種Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法，其係製造如請求項1至請求項5中任一項之Cu-Ga合金濺鍍靶之Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法，其特徵為具備下述步驟： 取得包含鈉鹽粉末及鉀鹽粉末之原料粉末的原料粉末形成步驟、 形成前述原料粉末之成形體的成形體形成步驟、 在還原環境中加熱前述成形體而進行還原處理的還原步驟，及 將前述還原步驟後之成形體予以常壓燒結的燒結步驟； 其中前述還原步驟中之加熱溫度係作成550℃以上650℃以下之範圍內，加熱溫度下之保持時間係作成15小時以上60小時以下之範圍內， 前述燒結步驟中之燒結溫度係作成750℃以上850℃以下之範圍內，燒結溫度下之保持時間係作成1小時以上10小時以下之範圍內。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4793504B2 (ja) * 2009-11-06 2011-10-12 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2011083647A1 (ja) * 2010-01-07 2011-07-14 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃｕ-Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池
JP5725610B2 (ja) * 2011-04-29 2015-05-27 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5919738B2 (ja) * 2011-11-10 2016-05-18 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP6311912B2 (ja) * 2012-10-17 2018-04-18 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａ二元系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5594618B1 (ja) * 2013-02-25 2014-09-24 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6365922B2 (ja) * 2013-04-15 2018-08-01 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6120076B2 (ja) * 2013-08-01 2017-04-26 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5743119B1 (ja) 2014-01-28 2015-07-01 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6665428B2 (ja) * 2014-07-08 2020-03-13 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6634750B2 (ja) * 2014-09-22 2020-01-22 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2018021105A1 (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ－Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ－Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法

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