TWI720111B - Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材 - Google Patents

Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材 Download PDF

Info

Publication number
TWI720111B
TWI720111B TW106101888A TW106101888A TWI720111B TW I720111 B TWI720111 B TW I720111B TW 106101888 A TW106101888 A TW 106101888A TW 106101888 A TW106101888 A TW 106101888A TW I720111 B TWI720111 B TW I720111B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
alloy
sputtering target
powder
alloy sputtering
less
Prior art date
Application number
TW106101888A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201742940A (zh
Inventor
吉田勇気
植田稔晃
森曉
Original Assignee
日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱綜合材料股份有限公司 filed Critical 日商三菱綜合材料股份有限公司
Publication of TW201742940A publication Critical patent/TW201742940A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI720111B publication Critical patent/TWI720111B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10—Sintering only
    • B22F3/1003—Use of special medium during sintering, e.g. sintering aid
    • B22F3/1007—Atmosphere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10—Sintering only
    • B22F3/1017—Multiple heating or additional steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
    • B22F5/10—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product of articles with cavities or holes, not otherwise provided for in the preceding subgroups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
    • B22F5/10—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product of articles with cavities or holes, not otherwise provided for in the preceding subgroups
    • B22F5/106—Tube or ring forms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0425—Copper-based alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/10—Copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12479—Porous [e.g., foamed, spongy, cracked, etc.]

Abstract

本發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)，其特徵係具有如下步驟：預燒步驟(S02)，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體(32)之成形模具，在還原環境下進行加熱而形成預燒體(13)；及，本燒結步驟(S03)，其係從前述預燒體(13)取出前述中間體(32)，在還原環境中加熱前述預燒體(13)而形成燒結體；在前述預燒步驟(S02)中，係使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材(10)之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體(32)，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體(13)。

Description

Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法以及Cu-Ga合金濺鍍靶材
本案發明係關於例如具有圓筒形狀等之中空部的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法、及、Cu-Ga合金濺鍍靶材。
本案係依據在2016年2月3日日本申請案之特願2016-019282號及在2016年12月26日日本申請案之特願2016-250827號，主張優先權，在此援用其內容。
以往，就由化合物半導體所構成之薄膜太陽電池而言，提供一種具備由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層的CIGS系太陽電池。
在此，就形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層之方法而言，已知有藉由蒸鍍法進行成膜之方法。具備藉由蒸鍍法所成膜之光吸收層的太陽電池，雖然具有能量交換效率高之優點，但仍有不適於大面積化，且 生產效率低之問題。
因此，就形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層的方法而言，提供一種形成In膜及Cu-Ga膜之層合膜，將此層合膜在Se環境中進行熱處理，使上述之層合膜進行硒化之方法。在此，形成In膜及Cu-Ga膜之時，係適用一種使用In濺鍍靶材及Cu-Ga合金濺鍍靶材之濺鍍法。
上述之Cu-Ga合金濺鍍靶材係已提出平板型濺鍍靶材、及、圓筒型濺鍍靶材。在此，圓筒型濺鍍靶材係使其外周面為濺鍍面，一邊使靶材旋轉，一邊實施濺鍍，故相較於使用平板型濺鍍靶材之情形，具有適於連續成膜，且濺鍍靶材之使用效率優異之優點。
在此，上述之Cu-Ga合金濺鍍靶材係例如可以專利文獻1-4所示之方法製造。
在專利文獻1中，係已提出將CuGa合金粉末在真空或惰性環境中以400℃以上900℃以下之溫度進行熱處理之後，加壓並燒結之方法。
在專利文獻2中，係已提出對於藉由溶解鑄造所得之Cu-Ga合金鑄塊，進行金屬線放電加工，以製造預定形狀之Cu-Ga合金濺鍍靶材之方法。
在專利文獻3中係已提出使Cu粉與CuGa合金粉之混合粉末之壓粉體成形，並使此成形體常壓燒結之方法。
在專利文獻4中，係在圓筒形之膠囊中填充CuGa合 金粉，並藉由熱間靜水壓擠壓(HIP)而獲得Cu-Ga合金燒結體之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-072466號公報(A)
[專利文獻2]日本特開2011-089198號公報(A)
[專利文獻3]日本特開2014-019934號公報(A)
[專利文獻4]日本特開2014-141722號公報(A)
藉由專利文獻1所記載之加壓燒結而製造具有圓筒型等中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材之時，在相當於中空部之處使用配置有中間體之成形模具，但燒結後之冷卻時，因燒結體之收縮難以取出中間體，取出中間體時有燒結體破損之虞。
又，藉由專利文獻2所記載之金屬線放電法，將Cu-Ga合金鑄塊成形為圓筒形狀之時，有加工時間長且原料良率亦降低之問題。
如專利文獻3所記載，使壓粉體成形之時，例如可在具有中間體之橡膠模具中填充原料粉而進行CIP處理。此時，在壓粉體之側面會產生源自於橡膠模具之凹凸，在其後之燒結中，亦會殘存此凹凸。因此，有所得之 燒結體之表面加工量增加，原料良率降低之問題。又，必須有加壓設備，且製造成本增加之問題。
又，如專利文獻4所記載，藉由熱間靜水壓擠壓(HIP)製造圓筒狀之Cu-Ga合金燒結體時，係因必須有加熱加壓設備，故有製造成本增加之問題。進一步，在專利文獻4中，為了除去附著於Cu-Ga合金燒結體之膠囊，必須進行車床加工。
又，藉由專利文獻1，3，4所記載之方法，製造具有圓筒型等中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材時，在內周側及外周側，有燒結之進行情形相異，特性相異之問題。
本發明係有鑑於前述之事實而構成者，目的在於提供一種可以生產效率佳且低成本製造具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法、及、在內周側及外周側之特性差異少的Cu-Ga合金濺鍍靶材。
為解決上述之課題，本案發明之一態樣的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法(以下，稱為「本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材」)係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其特徵係具有如下步驟：預燒步驟，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體之成形模具，在還原環境下進行加 熱而形成預燒體；及，本燒結步驟，其係從前述預燒體取出前述中間體，在還原環境中加熱前述預燒體而形成燒結體；在前述預燒步驟中，係藉由使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體。
形成如此構成的本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，係藉由將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充至具有中間體之成形模具，在還原環境下加熱而形成預燒體之預燒步驟；及，取出前述中間體，在還原環境下加熱前述預燒體而形成燒結體之本燒結步驟；以製造濺鍍靶材，故不需要使用加壓裝置等，可降低製造成本，同時提高生產效率。
又，在預燒步驟之後，因具有本燒結步驟，故在預燒步驟中係只要燒結至成為可維持形狀之強度即可，可在大幅地進行燒結收縮之前的階段終止預燒步驟。
進一步，不使用加壓裝置，故在預燒體中空隙較多，在本燒結步驟中，還原氣體會充分流至內周側及外周側，可抑制在內周側及外周側進行燒結之程度上產生差異。
又，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，係具備將前述原料粉填充於具有中間體之成形模具中，在還原環境下進行加熱而形成預燒體之預燒步驟，在此預燒步驟中，使用線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前 述中間體，故冷卻至預燒步驟後之時，中間體會大幅收縮，可從預燒體容易地取出中間體。因而，可抑制預燒體之破損。
又，依Ga之含量而熱膨脹係數相異，故製作由與所製造之Cu-Ga合金濺鍍靶材相同之組成之Cu-Ga合金所構成之試驗片，預先測定線熱膨脹係數，只要以此測定值為基準，選定中間體之材料即可。
又，在前述預燒步驟中，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，故可確保預燒體之強度，並可抑制在其後之本燒結步驟等處理時預燒體破損。
在此，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，前述原料粉係可包含Cu粉及CuGa合金粉，且前述Cu粉之含量為5質量%以上。
此時，因原料粉中之Cu粉之含量為5質量%以上，故在預燒步驟中，即使未達500℃之低溫條件，Cu粉亦會被優先地還原而縮頸，可獲得充分強度之預燒體。亦即，僅使用CuGa合金粉作為原料粉時，以預燒步驟中之加熱溫度設為500℃以上較佳，藉由含有Cu粉作為原料粉，可使預燒步驟中之加熱溫度為未達500℃之低溫條件。
又，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，前述原料粉係包含：Ga濃度超過0原子%且20原子%以下之範圍內的第1CuGa合金粉、及Ga濃度超過20原子%且70原子%以下之範圍內之第2CuGa合金粉，可使前述第1CuGa合金粉之含量為5質量%以上。
此時，因設為原料粉中之Ga濃度超過0原子%且20原子%以下之範圍內的第1CuGa合金粉之含量為5質量%以上，故在預燒步驟中，即使未達500℃之低溫條件，第1CuGa合金粉亦會被優先地還原而縮頸，可獲得充分強度之預燒體。
又，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，前述原料粉中之Ga之含量可為20原子%以上40原子%以下。
此時，可製造適於CIGS太陽電池製造之具有中空部的Cu-Ga合金濺鍍靶材。
又，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法中，前述本燒結步驟較佳係在常壓下，設為燒成後之Cu-Ga合金之液相顯現溫度Tm℃時，以(Tm-150)℃以上、未達Tm℃之溫度條件進行燒結之構成。
此時，設為燒成後之Cu-Ga合金之液相顯現溫度Tm℃時，可藉由以(Tm-150)℃以上之溫度條件進行燒結，充分提升燒結密度。又，可藉由以未達Tm℃之溫度條件進行燒結，維持燒結體之形狀。
本案發明之其他態樣的Cu-Ga合金濺鍍靶材(以下，稱為「本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材」)，係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材，其特徵係：內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo為0.980以上1.020以下之範圍內。
若依據該構成之Cu-Ga合金濺鍍靶材，因內周側之抗 彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo設為0.980以上1.020以下之範圍內，故在內周側與外周側進行燒結之情形下無差異，成為整體均勻之組織，靶材之開始使用至結束，維持安定之濺鍍特性(例如投入電力、成膜速度等)，故可容易製作均質之濺鍍膜。
在此，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材中，其特徵係相當圓之徑未達25μm之空孔個數密度為100個/mm2以下，相當圓之徑25μm以上未達100μm之空孔個數密度為20個/mm2以下，相當圓之徑100μm以上之空孔個數密度為2個/mm2以下。
此時，因如上述般規範各尺寸之空孔個數密度，故在空孔分布上變異較少。因而，可抑制Cu-Ga合金濺鍍靶材整體特性之變異。
再者，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材中，較佳係Ga濃度為20原子%以上40原子%以下之範圍內。
若依據此構成之Cu-Ga合金濺鍍靶材，因Ga濃度設為20原子%以上40原子%以下之範圍內，故可使用來作為CIGS太陽電池製造用之靶材。
又，在本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材中，較佳係相對密度為90%以上。
若依據此構成之Cu-Ga合金濺鍍靶材，因相對密度設為90%以上，故可抑制濺鍍時之異常放電的發生，並可安定地進行成膜。
如以上，若依據本案發明，可提供一種可以生產效率佳且低成本製造具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法、及、在內周側與外周側上特性差異較少之Cu-Ga合金濺鍍靶材。
10‧‧‧Cu-Ga合金濺鍍靶材
13‧‧‧預燒體
20‧‧‧原料粉
30‧‧‧成形模具
32‧‧‧中間體
S01‧‧‧原料粉形成步驟
S02‧‧‧預燒步驟
S03‧‧‧本燒結步驟
[圖1]關於本案發明之一實施形態的Cu-Ga合金濺鍍靶材之概略說明圖。(a)為正交於軸線方向之剖面圖、(b)為側面圖。
[圖2]表示關於本案發明之一實施形態的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法的流程圖。
[圖3]關於本案發明之一實施形態的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法之概略說明圖。
[圖4]表示本發明例2之內部組織觀察結果的照片。
[圖5]表示比較例3之內部組織觀察結果的照片。
[圖6]表示本發明例2中之空孔之觀察結果的照片。
[圖7]表示比較例3中之空孔之觀察結果的照片。
[用以實施發明之形態]
以下，參照添付之圖面並說明有關本案發明 之實施形態的Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法、及、Cu-Ga合金濺鍍靶材10。
關於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10，係例如在CIGS系薄膜太陽電池中用以形成由Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜所構成之光吸收層，使Cu-Ga薄膜藉由濺鍍而成膜時所使用者。
如圖1所示，關於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10，設為具有中空部者。具體而言，圖1所示之Cu-Ga合金濺鍍靶材10，係構成為沿著軸線O而延伸之圓筒形狀，例如外徑D設為150mm≦D≦200mm之範圍內、內徑d設為120mm≦d≦190mm之範圍內、軸線O方向長度L設為200mm≦L≦2000mm之範圍內。
在此，Cu-Ga合金濺鍍靶材10之外周面設為濺鍍面。中空部係相當於被Cu-Ga合金濺鍍靶材10之內周面包圍之空間。又，Cu-Ga合金濺鍍靶材10之外周面及內周面形成為同心圓狀。
又，關於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10中，在內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo設為0.980以上1.020以下之範圍內。
繼而，關於本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10中，相當圓之徑未達25μm之空孔個數密度設為100個/mm2以下，相當圓之徑25μm以上且未達100μm之空孔個數密度設為20個/mm2以下，相當圓之徑100μm以上之空孔個數密度設為2個/mm2以下。
又，該Cu-Ga合金濺鍍靶材10係設為依照所成膜之薄膜的組成，在本實施形態中Ga之含量設為20原子%以上40原子%以下之範圍內，且其餘部分為由Cu及不可避免雜質所構成之Cu-Ga合金構成。
又，該Cu-Ga合金濺鍍靶材10係相對密度設為90%以上。又，相對密度係在縱軸為密度且橫軸為Ga組成之圖表中，純銅之密度ρCu=8.96g/cm3及Cu-Ga合金(Cu：69.23原子%、Ga：30.77原子%)之密度ρCuGa=8.47g/cm3以直線連結，依照該Cu-Ga合金之組成(Ga之含量)而進行內插或外插而求得之值作為100%而算出者。
其次，有關本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10之製造方法，參照圖2及圖3並予以說明。
作為本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10之製造方法係如圖2所示，具備：將Cu粉與CuGa合金粉混合而得到原料粉20之原料粉形成步驟S01；將在原料粉形成步驟S01所得之原料粉20填充至具有中間體32之成形模具30，在還原環境下加熱，形成預燒體13之預燒步驟S02；從預燒體13取出中間體32，在還原環境中加熱預燒體13而燒結之本燒結步驟S03；及，對所得之燒結體17進行精加工之精加工步驟S04。
(原料粉準備步驟S01)
首先，準備至少包含CuGa合金粉之原料粉20。該原料粉20係可含有CuGa合金粉以及Cu粉5質量%以上， 亦可為Ga濃度超過0原子%且20原子%以下之第1CuGa合金粉及Ga濃度超過20原子%且70原子%以下之第2CuGa合金粉之混合粉，並使第1CuGa合金粉之含量為5質量%以上者，亦可僅使用單一組成之CuGa合金粉。原料粉20係可購入，亦可將所購入之原料粉混合，藉由例如以下所示之霧化法而製造。
以成為預定之組成方式秤量塊狀之Cu原料及Ga原料，放入於碳製之坩堝內而安裝於氣體霧化裝置上。進行真空排氣並以1000℃以上1200℃之溫度條件維持1分鐘以上至30分鐘，使原料溶解之後，從孔徑1mm以上3mm以下之噴嘴低入熱溶液，同時以噴射氣壓10kgf/cm2以上50kgf/cm2以下之條件噴射Ar氣體，製作氣體霧化粉。冷卻後，藉由使所得之氣體霧化粉以篩網進行分級，以獲得預定粒徑之CuGa合金粉。又，依照Cu及Ga之組成比，因噴射溫度高，故有熱溶液會凝固而成為粉體之前到達腔室之虞。此情形下，較佳係使噴射溫度從加熱維持溫度降至100~400℃左右來進行。
又，原料粉20中之Ga的含量係設為預定值(在本實施形態係Ga之含量：20原子%以上40原子%以下)。又，原料粉20係使用漢歇爾混合機等之混合裝置進行混合為佳。
(預燒步驟S02)
其次，將在上述之原料粉形成步驟S01所得之原料粉 20填充至具有中間體32之成形模具30中而在還原環境下加熱，獲得被燒結至成為可維持形狀之強度的預燒體13。此預燒體13較佳係相對密度設為30%以上70%以下。
在此預燒步驟S02中所使用之成形模具30，係具有外模具31與配置於該外模具31內之中間體32。外模具31與中間體32係以對於預燒步驟S02之維持溫度具有耐熱性之材質構成，本實施形態中，外模具以碳構成、中間體以鋁、鋅或不銹鋼構成。
中間體32係以線熱膨脹係數比所製造之Cu-Ga合金大之材質構成。在本實施形態中，係以線熱膨脹係數為15×10-6/℃以上之材質構成上述之中間體32。又，中間體32之線熱膨脹係數之上限無特別限定，但以45×10-6/℃以下為佳。中間體32之線熱膨脹係數以「/℃」表示其單位時，較佳係設為所製造之Cu-Ga合金之線熱膨脹係數的100%以上。
又，外模具31之內徑設為150mm以上300mm以下，中間體32之外徑設為100mm以上200mm以下，外模具31之內徑與中間體32之外徑之差設為10mm以上200mm以下，軸線方向長度設為50mm以上3000mm以下。
在此，在該預燒步驟S02中係將維持溫度設定於100℃以上600℃以下，將維持時間設定於10分鐘以上10小時以下。
預燒步驟S02中之維持溫度未達100℃及維持時間未達10分鐘，Cu粉不被還原而不形成縮頸，故有預燒體13之強度不足之虞。另一方面，維持溫度超過600℃及維持時間超過10小時，進行燒結而因燒結收縮有難以取出中間體32之虞。又，在預燒步驟S02中過度進行燒結時，在此後之本燒結步驟S03中，至預燒體13之內部無法進行還原，燒結體17之相對密度有降低之虞。
從以上之事實，在本實施形態中，係將預燒步驟S02中之維持溫度設定於100℃以上600℃以下，將維持時間設定於10分鐘以上10小時以下。
又，為確保預燒體13之強度，將預燒步驟S02中之維持溫度設為200℃以上較佳。又，將預燒步驟S02中之維持時間設為60分鐘以上較佳。
又，為了確實地抑制預燒步驟S02中之過度燒結之進行，將預燒步驟S02中之維持溫度設為500℃以下較佳。又，將預燒步驟S02中之維持時間設為180分鐘以下較佳。
進一步，以維持溫度T與維持時間H之關係成為曲線T=0.0004×H2-0.6833×H+264及T=0.0013×H2-2.05×H+792之範圍內之方式，設定於預燒步驟S02中之維持溫度及維持時間為較佳。藉此，可製作對原料粉之還原具有效果的空隙率之預燒體。為何呢，因燒結之進行速度隨溫度而異，故為獲得目標之空隙率，高溫的話必須進行短時間之燒成，低溫的話必須進行長時間之燒成。
再者，在該預燒步驟S02中，例如在氫、氨分解氣體、CO氣體等之還原環境中設為進行加熱之構成，並使環境中之氧濃度未達10體積%。若環境中之氧濃度成為10體積%以上，恐有Cu粉及CuGa合金粉之還原不充分，預燒體13之強度不足之虞。因此，環境中之氧濃度規定未達10體積%。
在本實施形態中主要係在氫(純度90體積%以上、露點-50℃以下)之環境中實施預燒步驟S02。
(本燒結步驟S03)
上述之預燒步驟S02終止之後，從所得之預燒體13取出中間體32，從成形模具30取出預燒體13。將此預燒體13在還原環境中加熱並燒結，獲得燒結體17。
在此，在本燒結步驟S03中，係在常壓下(1.00~1.05氣壓)，所製造之Cu-Ga合金的液相顯現溫度Tm℃之情形，設為以(Tm-150)℃以上且未達Tm℃之溫度條件進行燒結之構成。
本燒結步驟S03中之維持溫度為未達(Tm-50)℃時，有燒結體17之相對密度不充分之虞。另一方面，本燒結步驟S03中之維持溫度為Tm℃以上時，有液相產生至必需以上，且無法維持燒結體17之形狀之虞。
從以上之事實，在本實施形態中，係將本燒結步驟S03中之維持溫度設定於(Tm-150)℃以上且未達Tm℃。
又，為使燒結體17之相對密度確實提升，較佳係使本燒結步驟S03中之維持溫度設為(Tm-120)℃以上，以(Tm-100)℃以上為更佳。另一方面，為確實地維持燒結體17之形狀，較佳係使本燒結步驟S03中之維持溫度設為(Tm-5)℃以下，更佳係設為(Tm-20)℃以下。
又，本燒結步驟S03中之較佳燒結時間為10分鐘以上20小時以下。更佳為60分鐘以上10小時以下。
進一步，在該本燒結步驟S03中，係例如在氫、氨分解氣體、CO氣體等之還原環境中設為進行加熱之構成，且使環境中之氧濃度為未達10體積%。若環境中之氧濃度為10體積%以上，有Cu粉及CuGa合金粉之還原會不充分，且燒結體17之強度不足之虞。因此，環境中之氧濃度規定為未達10體積%。
在本實施形態中，主要係在氫(純度90體積%以上、露點-50℃以下)之環境實施本燒結步驟S03。
(精加工S04)
在本燒結步驟S03藉由對所得之燒結體17施予切削加工或研削加工，以加工成預定形狀之濺鍍靶材。
藉由如以上之步驟，可製造本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10。
若依據如以上構成之作為本實施形態的Cu-Ga合金濺鍍靶材10之製造方法及Cu-Ga合金濺鍍靶材10，因具備：將原料粉20填充至具有中間體32之成形模 具30，在還原環境中進行加熱而形成預燒體13之預燒步驟S02、及從所得之預燒體13取出中間體32，在還原環境中加熱預燒體13而形成燒結體17之本燒結步驟S03，故不需使用加壓裝置等，可獲得圓筒狀之燒結體17，可降低製造成本，同時可提升生產效率。
又，在預燒步驟S02之後，因具有本燒結步驟S03，故在預燒步驟S02只要燒結至可維持形狀之強度即可，可抑制預燒步驟S02中之收縮量，並可使中間體32比較簡單地取出。
進而，在預燒體13係空隙多，且在本燒結步驟S03中可使還原氣體充分地流至預燒體13之內周側及外周側，可抑制在預燒體13之內周側及外周側進行燒結之進行情形產生差異。藉此，可製造內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo為0.980以上1.020以下之範圍內之Cu-Ga合金濺鍍靶材10。
又，在預燒步驟S02中，因使用線熱膨脹係數比所製造之Cu-Ga合金大之材質構成的中間體32，故冷卻至預燒步驟S02後之時，中間體32大幅地收縮，可從預燒體13容易地取出中間體32。因而，可抑制預燒體13之破損。
進一步，在預燒步驟S02中，係使維持溫度設為100℃以上，使維持時間設為10分鐘以上，故可確保預燒體13之強度，並可抑制其後之本燒結步驟S03等操作時預燒體13破損。又，因使預燒步驟S02中之維持溫度設為 未達800℃，故可抑制預燒步驟S02中之燒結進行至必需以上，在此後之本燒結步驟S03中，可獲得確實地燒結至預燒體13之內部而相對密度高之燒結體17。
又，在原料粉形成步驟S01中，係以Cu粉之含量成為5質量%以上之方式，調整Cu粉與CuGa合金粉之混合比率，故在預燒步驟S02中，即使低溫條件，Cu粉亦優先地被還原而縮頸，可獲得充分之強度的預燒體13。
又，在本燒結步驟S03中，係使維持溫度設為所製造之Cu-Ga合金之液相顯現溫度Tm℃之情形，設定在(Tm-150)℃以上且未達Tm℃之範圍內，故可充分提高燒結體17之相對密度，並且可維持燒結體17之形狀。
再者，在本實施形態中，係在預燒步驟S02及本燒結步驟S03中，設為例如在氫、氨分解氣體、CO氣體等還原環境下進行加熱之構成，並使環境中之氧濃度設為未達10體積%，故可使原料粉20還原而確實地製造燒結體17。
又，在本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10中，係使內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo設為0.980以上1.020以下之範圍內，故在內周側與外周側進行燒結之情形無差異，整體成為均勻的組織。
繼而，在本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材 10中，係相當圓之徑未達20μm之空孔個數密度設為100個/mm2以下，相當圓之徑20μm以上且未達100μm之空孔個數密度設為20個/mm2以下，相當圓之徑100μm以上之空孔個數密度設為2個/mm2以下，故於空孔之分布上變異較少，可抑制Cu-Ga合金濺鍍靶材10全體特性之變異。
此外，在本實施形態之Cu-Ga合金濺鍍靶材10中，相對密度設為90%以上，故成為異常放電原因之空隙少，可安定地進行成膜。
以上，說明有關本案發明之實施形態，但本案發明係不限定於此，在不超出其發明之技術的思想之範圍可適當變更。
例如，在本實施形態中係說明Ga之含量設為20原子%以上40原子%以下之範圍內，其餘部分為由Cu及不可避免雜質所構成之組成之Cu-Ga合金濺鍍靶材，但不限定於此，Cu及Ga以外亦可為含有鹼金屬等之添加元素者。
進一步，有關成形模具(中間體)之尺寸或形狀，不限定於本實施形態，亦可依照所製造之Cu-Ga合金濺鍍靶材的形狀或尺寸而適當設計變更。
又，在本實施形態中，係說明有關製造圓筒形狀之燒結體，從此燒結體製造圓筒形狀之Cu-Ga合金濺鍍靶材，但不限定於此，亦可使用中間體而製造具有中空部之燒結體的構成。
[實施例]
以下，說明有關評估本案發明之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法的評估試驗結果。
首先，準備成為原料粉之CuGa合金粉、Cu粉，以表1所示之組成的方式秤量，藉由漢歇爾研磨機進行混合。此時，以表1所示之量的方式調整原料粉中之Cu粉之含量。
將此原料粉填充於具有中間體之成形模具。成形模具之外模具為碳製，中間體為以表2所示之材質所構成者。藉由外模具及中間體所區隔成之模穴的尺寸設為外徑230mm、內徑170mm、軸線方向長度300mm。
接著，以表2所示之環境、維持溫度及維持時間進行預燒步驟，獲得預燒體。又，在比較例3中係為在大氣環境中進行預燒步驟，故使外模具設為SUS410製。
然後，從預燒體取出中間體，從成形模具取出預燒體，以表2所示之條件實施本燒結步驟。
如以上之方式，對於所得之燒結品，如以下般評估有關燒結品之組成、在製造步驟內有無龜裂、相對密度、氧濃度、內部組織。
<燒結品之組成>
藉ICP法(高頻感應耦合電漿法)測定燒結品之組成，其結果，與原料粉之添加組成約為相同。
<燒結品之龜裂>
在上述之預燒步驟及本燒結步驟等中，以目視判斷燒結品有無龜裂。將評估結果表示於表3中。
<相對密度>
對於所得之燒結品，將重量除以體積而測定密度。而且，在縱軸為密度、橫軸為Ga含量之圖表中，純銅之密度ρCu=8.96g/cm3及Cu-Ga合金(Cu：69.23原子%、Ga：30.77原子%)之密度ρCuGa=8.47g/cm3以直線連結，依照該Cu-Ga合金之Ga之含量進行內插或外插而求出之值設為100%，算出相對密度。評估結果表示於表3中。
<氧濃度>
藉由JIS Z 2613「金屬材料之氧定量方法通則」記載之紅外線吸收法測定所得之燒結品之氧濃度。將評估結果表示於表3中。
<內部組織>
圓筒狀之燒結品之中，從圖1之T1所示之位置採取觀察試料，將觀察面進行研磨/蝕刻而使用光學顯微鏡觀察。使倍率為250倍，以總觀察視野面積成為12mm2以上之方式進行觀察。觀察試料係從燒結體之10處採取。繼而，在觀察視野內判斷未燒結部是否存在。將評估結果 表示於表3中。又，將本發明例2之觀察結果表示於圖4，將比較例3之觀察結果表示於圖5。
<空孔之分布>
圓筒狀之燒結品之中，從圖1之T1所示之位置採取觀察試料，以靶材之內周面及外周面作為觀察面而進行研磨/蝕刻，並使用光學顯微鏡觀察。使倍率為250倍，以總觀察視野面積成為7.5mm2以上之方式進行觀察。觀察試料係從燒結體之10處採取。繼而，評估相當圓之徑未達25μm之空孔個數密度，相當圓之徑25μm以上且未達100μm之空孔個數密度，相當圓之徑100μm以上之空孔個數密度。評估結果表示於表3。又，將本發明例2之內周側及外周側之觀察結果表示於圖6中，將比較例3之內周側及外周側之觀察結果表示於圖7中。
<抗彎強度>
如圖1所示，將圓筒狀之燒結品於徑方向進行3分割，從內周側及外周側之厚度中央部(以圖1之T2所示之位置)分別採取5個試驗片(3mm×4mm×35mm)，使用島津製作所製Autograph AG-X，以押入速度0.5mm/分鐘測定應力曲線，求出彈性區域之最大點應力，以5個試驗片的平均值評估抗彎強度。將評估結果表示於表3中。
Figure 106101888-A0202-12-0023-1
Figure 106101888-A0202-12-0024-2
Figure 106101888-A0202-12-0025-3
在使用線熱膨脹係數為6×10-6/℃、及比Cu-Ga合金之線熱膨脹係數(約15×10-6/℃)小之碳所構成之中間體的比較例1中，係在預燒步驟產生龜裂。
在大氣環境下實施預燒步驟及本燒結步驟之比較例2中，如圖5所示，在內部觀察到未燒結部。又，相對密度低至80%。進一步，內周側之抗彎強度Fi及外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo設為1.33，在抗彎強度上產生差。此外，空孔之數量較多。
在使預燒步驟中之維持溫度設為50℃之比較例3及預燒步驟中之維持時間設為5分鐘之比較例4中，係任一者均在操作時於預燒體產生龜裂。因此，未實施本燒結。判斷在預燒步驟未進行充分燒結之故。
又，在比較例5中，如圖7所示，在內周側及外周側空孔之分布大幅相異，對於抗彎強度亦大幅相異。
相對於此，將原料粉中之Cu粉之含量、預燒步驟之維持溫度及維持時間、中間體之線膨脹係數設定在本案發明之範圍內之本發明例中，係無龜裂等之發生，如圖4所例示，在內部看不出未燒結部。又，相對密度全部為90%以上。
又，在本發明例中，如圖6所示，在內周側及外周側空孔之分布差異較少，內周側之抗彎強度Fi及外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo設為0.980以上1.020以下之範圍內，抗彎強度之差異較小。又，空孔之個數較少，在空孔之分布上變異小。
從以上之事實，若依據本案發明，可確認出可以生產效率佳且低成本製造具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材。又，確認出可提供在內周側及外周側特性之差異少之Cu-Ga合金濺鍍靶材。
[產業上之利用可能性]
以硒化法形成Cu-In-Ga-Se四元系合金薄膜時所需之圓筒型Cu-Ga合金濺鍍靶材之生產效率會提高，又其製造成本亦降低。其結果，可使CIGS系太陽電池之製造更有效率化並低成本化。

Claims (9)

  1. 一種Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其係由Cu-Ga合金所構成，且具有中空部，內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo為0.980以上1.020以下之範圍內之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其特徵係具有下步驟：預燒步驟，其係將至少含有CuGa合金粉之原料粉填充於具有中間體之成形模具，在還原環境下進行加熱而形成預燒體；及，本燒結步驟，其係從前述預燒體取出前述中間體，並在還原環境中加熱前述預燒體而形成燒結體；在前述預燒步驟中，係藉由使用以線熱膨脹係數比構成前述Cu-Ga合金濺鍍靶材之Cu-Ga合金大之材質所構成者作為前述中間體，在100℃以上600℃以下之溫度維持10分鐘以上10小時以下，以形成前述預燒體。
  2. 如申請專利範圍第1項之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其中，前述原料粉包含Cu粉及CuGa合金粉，且前述Cu粉之含量為5質量%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其中，前述原料粉包含：Ga濃度為超過0原子%且20原子%以下的範圍內之第1CuGa合金粉，及Ga濃度為超過20原子%且70原子%以下的範圍內之第2CuGa合金粉；前述第1CuGa合金粉之含量為5質量%以上。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其中，前述原料粉中之Ga的含量為20 原子%以上40原子%以下。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之Cu-Ga合金濺鍍靶材之製造方法，其中，在前述本燒結步驟中，係在常壓下設為燒成後之Cu-Ga合金之液相顯現溫度Tm℃時，以(Tm-150)℃以上，未達Tm℃之溫度條件進行燒結
  6. 一種Cu-Ga合金濺鍍靶材，係由Cu-Ga合金所構成且具有中空部之Cu-Ga合金濺鍍靶材，且內周側之抗彎強度Fi與外周側之抗彎強度Fo之比Fi/Fo為0.980以上1.020以下之範圍內。
  7. 如申請專利範圍第6項之Cu-Ga合金濺鍍靶材，其中，相當圓之徑未達25μm之空孔的個數密度為100個/mm2以下，相當圓之徑25μm以上未達100μm之空孔的個數密度為20個/mm2以下，相當圓之徑100μm以上之空孔的個數密度為2個/mm2以下。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之Cu-Ga合金濺鍍靶材，其中，Ga濃度為20原子%以上40原子%以下之範圍內。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之Cu-Ga合金濺鍍靶材，其中，相對密度為90%以上。
TW106101888A 2016-02-03 2017-01-19 Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材 TWI720111B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016019282 2016-02-03
JP2016-019282 2016-02-03
JP2016-250827 2016-12-26
JP2016250827A JP6888294B2 (ja) 2016-02-03 2016-12-26 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法、及び、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201742940A TW201742940A (zh) 2017-12-16
TWI720111B true TWI720111B (zh) 2021-03-01

Family

ID=59564586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106101888A TWI720111B (zh) 2016-02-03 2017-01-19 Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190040524A1 (zh)
EP (1) EP3412795B1 (zh)
JP (1) JP6888294B2 (zh)
CN (1) CN108603280B (zh)
TW (1) TWI720111B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020050421A1 (ja) * 2018-09-07 2020-03-12 三菱マテリアル株式会社 光学機能膜、スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008138232A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Mitsubishi Materials Corp 高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
TW201510250A (zh) * 2013-08-01 2015-03-16 Mitsubishi Materials Corp Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法
JP2015105414A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 三菱マテリアル株式会社 円筒形ターゲットの製造方法及びその製造に用いるホットプレス用モールド
JP2015175035A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 日立金属株式会社 円筒型スパッタリングターゲット材の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05156431A (ja) * 1991-11-29 1993-06-22 Asahi Glass Co Ltd 回転カソードターゲットの製造方法
JP5679315B2 (ja) * 2010-03-31 2015-03-04 日立金属株式会社 円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法
JP5954196B2 (ja) * 2013-01-25 2016-07-20 住友金属鉱山株式会社 円筒形Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5622012B2 (ja) * 2013-03-29 2014-11-12 三菱マテリアル株式会社 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6390432B2 (ja) * 2015-01-07 2018-09-19 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金円筒型スパッタリングターゲット、Ｃｕ−Ｇａ合金円筒型鋳塊、Ｃｕ−Ｇａ合金円筒型スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金円筒型鋳塊の製造方法
JP2016191092A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 三菱マテリアル株式会社 円筒型スパッタリングターゲットの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008138232A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Mitsubishi Materials Corp 高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
TW201510250A (zh) * 2013-08-01 2015-03-16 Mitsubishi Materials Corp Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及其製造方法
JP2015105414A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 三菱マテリアル株式会社 円筒形ターゲットの製造方法及びその製造に用いるホットプレス用モールド
JP2015175035A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 日立金属株式会社 円筒型スパッタリングターゲット材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017137569A (ja) 2017-08-10
US20190040524A1 (en) 2019-02-07
CN108603280A (zh) 2018-09-28
CN108603280B (zh) 2020-06-23
EP3412795A4 (en) 2019-08-21
JP6888294B2 (ja) 2021-06-16
TW201742940A (zh) 2017-12-16
EP3412795A1 (en) 2018-12-12
EP3412795B1 (en) 2021-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5818139B2 (ja) Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット材およびその製造方法
TWI458848B (zh) Cu-Ga sintered body sputtering target and manufacturing method of the target
US9457405B2 (en) Metallic crucibles and methods of forming the same
EP2402482A1 (en) Sputtering target and process for production thereof
TWI720111B (zh) Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材之製造方法以及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶材
TWI551706B (zh) Cu-Ga target and a method for producing the same, and a light absorbing layer composed of a Cu-Ga based alloy film and a CIGS solar cell using the light absorbing layer
TWI545208B (zh) A Cu-Ga alloy sputtering target, a casting product for the sputtering target, and the like
JP2023165778A (ja) スパッタリングターゲット及び、スパッタリングターゲットの製造方法
CN112111719A (zh) 一种钨钛硅合金溅射靶材及其制备方法
TWI665317B (zh) Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶及Ｃｕ－Ｇａ合金濺鍍靶之製造方法
CN115255367A (zh) 一种镍铝合金溅射靶材及其热压制备方法
WO2017134999A1 (ja) Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法、及び、Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲット
JP2016191092A (ja) 円筒型スパッタリングターゲットの製造方法
JP2014210943A (ja) Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット材およびその製造方法
CN111492091A (zh) Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法
WO2016158293A1 (ja) Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲット、及び、Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法
WO2019194275A1 (ja) Ｃｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲット
CN111771012A (zh) Cu-Ga合金溅射靶