TW201931507A - 真空裝置 - Google Patents

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TW201931507A
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鈴木傑之
武者和博
松崎淳介
田宮慎太郎
南展史
中尾裕利
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日商愛發科股份有限公司
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

提供一種無基板的破損,可在短時間從真空環境變更成大氣壓環境的真空裝置。
在處理對象物(10)與給排氣口(9)之間配置第一整流板(5),使得從給排氣口(9)吹出的昇壓用氣體不會衝突於搬送對象物(10)。在蓋構件(16)的壁面與搬送對象物(10)之間設置第二整流板(6),使昇壓用氣體從比搬送對象物(10)之中的基板(7)更高的上側貫通孔(13)及比該基板(7)更低的下側貫通孔(23)導入至基板(7)與第一整流板(5)之間及基板(7)與平台(15)之間,使得基板(7)不會浮起。

Description

真空裝置
本發明是有關使用真空環境的真空裝置,特別是有關不產生基板的破裂或脫落,可在短時間使從真空環境變化成大氣壓環境的真空裝置。
為了使基板移動於大氣中與真空環境中之間,而使用基板搬出入室,將基板配置於大氣環境的基板搬出入室,將基板搬出入室真空排氣,而將基板的周圍設為真空環境,連接被設為真空環境的真空處理室與配置有基板的基板搬出入室。並且,進行將基板配置在處於真空環境的基板搬出入室,在真空環境中導入氮氣體或大氣,而將基板搬出入室設為大氣壓,連接基板搬出入室與大氣環境,而將基板取出至大氣環境。
圖8是以往技術的基板搬出入室102,具有:構成基板搬出入室的102底面的平台115、及使覆蓋於平台115的容器狀的蓋構件116。
在平台115是設有由突條或突起所成的支撐構件128,在支撐構件128上是可分離地乘載有搬送板112。在平台115與搬送板112之間是形成有間隙105。
在搬送板112是配置有一片或複數片的基板107。
在蓋構件116是設有給排氣口109。在給排氣口109是連接真空排氣裝置124及氣體供給裝置125。
在給排氣口109與搬送板112上的基板107之間是設有整流板106。
在將被設為真空環境的基板搬出入室102的內部空間118變更成大氣壓環境時,是使氣體供給裝置125動作,從給排氣口109供給空氣等的昇壓用氣體至內部空間118。
被供給至內部空間118的昇壓用氣體是衝突於整流板106而流至橫方向,通過整流板106與蓋構件116的壁面之間來到達基板107的表面,內部空間118會昇壓。
此時,雖導入後的昇壓用氣體是不衝突於基板107,但若基板107周邊的昇壓用氣體的流速過大,且基板107薄,則有破損的情況。
並且,導入後的昇壓用氣體是通過搬送板112的周圍的間隙105而流入至基板107的背面側的空間,因此若在基板107之下形成有昇壓用氣體的強漩渦,則基板107會浮起。然後,若基板107落下至搬送板112的框上等,則有破損的情況。
將形成大氣環境的內部空間118真空排氣時,也會有藉由充滿於內部空間118的大氣的流動,基板107揚起而破損的情況。
因此,為了防止基板107的破損,可思考使昇壓用氣體的供給速度或真空排氣速度降低。
然而,基板搬出入所要的時間的縮短化越來越被要求,若使昇壓用氣體的供給速度或真空排氣速度降低,則處理時間會變長。於是,要求可不拉長基板搬出入所要的時間,防止基板的破損之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]WO2017/146204
(發明所欲解決的課題)
本發明是為了解決上述以往技術的不合適而被創作者,其目的是在於提供一種可在短時間從真空環境變更成大氣壓環境的技術。

(用以解決課題的手段)
為了解決上述課題,本發明的真空裝置,係具有:
真空槽;
插入孔,其係被設在前述真空槽的頂部;
平台,其係可設為移動於使前述插入孔閉塞的閉塞位置與比前述閉塞位置更下方的前述真空槽內的交換位置之間,在朝向上方的面取間隙而配置搬送對象物;
蓋構件,其係被設為對於前述平台朝下的方向的容器形形狀,前述容器形形狀的開口的緣部分與前述插入孔的外側的前述頂部之間被設為氣密;及
給排氣用貫通孔,其係被形成於前述蓋構件,
前述搬送對象物,係包含:被配置於前述平台上的搬送板,及被配置於前述搬送板上的基板,
前述插入孔以前述平台所閉塞而形成之前述蓋構件與前述平台之間的搬出入空間,係若前述蓋構件與前述頂部之間被設為氣密,則自大氣分離,
前述搬出入空間係從前述給排氣用貫通孔之被設在前述搬出入空間的開口的給排氣口來真空排氣,在前述搬出入空間係從前述給排氣口供給昇壓用氣體,
其特徵為:
在前述平台與前述給排氣口之間係配置有長方形或正方形的第一整流板,
前述搬送對象物係被配置於前述第一整流板與前述平台之間,
前述蓋構件係具有被配置成四角筒形形狀的四壁面,
前述第一整流板,係與前述四壁面之中彼此平行的二壁面接觸,與其他的平行的二壁面分離而配置,
在與前述二壁面分離的前述第一整流板的部分,長方形或正方形的第二整流板,係與前述第二整流板所分離的前述二壁面對面而配置,
在前述第二整流板,係設有在和前述壁面對面的面與其背面之間貫通而前述昇壓用氣體通過的貫通孔。
本發明的真空裝置,在前述搬送板之面對前述第一整流板的表面,係形成有凹陷。
本發明的真空裝置,在前述貫通孔,係包含:
上側貫通孔,其係被配置成被配置在前述搬送板上的前述基板的表面與前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度;及
下側貫通孔,其係被配置成被配置在前述平台上的前述搬送對象物的背面的高度與前述平台的表面的高度之間的高度。
本發明的真空裝置,在前述基板與前述第一整流板之間係形成有表面側間隙,在前述搬送板的背面與前述平台的表面之間係形成有背面側間隙,
前述表面側間隙的體積與前述上側貫通孔的面積的乘積的值和前述背面側間隙的體積與前述下側貫通孔的面積的乘積的值係設為相等。
本發明的真空裝置,前述第二整流板與和前述第二整流板對面的前述壁面之間的距離,係比前述上側貫通孔的鉛直方向的寬度更大,且比前述下側貫通孔的鉛直方向的寬度更大。
本發明的真空裝置,在前述貫通孔,係包含:
上側貫通孔,其係被配置成被配置在前述搬送板上的前述基板的表面與前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度;及
平台上貫通孔,其係被設在前述平台與前述第二整流板的下端之間的間隙,
前述平台上貫通孔,係被配置成比被配置在前述平台上的前述搬送板的背面更低的高度。
本發明的真空裝置,在前述基板與前述第一整流板之間係形成有表面側間隙,在前述搬送板的背面與前述平台的表面之間係形成有背面側間隙,
前述表面側間隙的體積與前述上側貫通孔的面積的乘積的值和前述背面側間隙的體積與前述平台上貫通孔的面積的乘積的值係設為相等。
本發明的真空裝置,設有使前述第一整流板及前述第二整流板對於前述蓋構件上昇及下降的昇降裝置。
本發明的真空裝置,前述第二整流板與和前述第二整流板對面的前述壁面之間的距離,係比前述上側貫通孔的鉛直方向的寬度更大,且比前述平台上貫通孔的鉛直方向的寬度更大。
本發明的真空裝置,設有複數的前述給排氣口。
本發明的真空裝置,在前述給排氣口係設有網狀(mesh)的整流構件。
本發明的真空裝置,前述基板係於前述真空槽的內部被真空處理。

[發明的效果]
即使在短時間從真空環境變更成大氣壓環境,也不會有基板被破壊或浮起的情形。
圖1~圖3是在後述的長方形的第一整流板5的短邊設有第二整流板6的本發明的第一例的真空裝置3a,圖6、7是在第一整流板5的長邊設有第二整流板6的本發明的第二例的真空裝置3b。圖1與圖2是在不同的方向切斷第一例的真空裝置3a時的剖面圖,同樣,圖6與圖7也是在不同的方向切斷第二例的真空裝置3b時的剖面圖。在第一例的真空裝置3a與第二例的真空裝置3b的說明中,具有同目的與機能的構件是附上同名稱、同符號進行說明。
第一、第二例的真空裝置3a、3b是分別具有基板搬出入室2及真空處理室4。
真空處理室4是具有真空槽14及被配置於真空槽14的內部的平台15,在真空槽14的頂部是設有由貫通孔所成的插入孔。
圖3是如後述般,顯示使平台15靜止於真空槽14的內部的交換位置的狀態,同圖的符號11是插入孔。
基板搬出入室2是具有蓋構件16。蓋構件16是被設為朝下的方向的容器形形狀,蓋構件16是容器形形狀的容器開口39的緣部分18會接觸於真空槽14,而被設於插入孔11之上。
在圖1~圖3、圖6、圖7的狀態,蓋構件16的緣部分18與真空槽14的頂部之間是被設為氣密,在被形成於蓋構件16與平台15之間的搬出入空間8是大氣不會侵入。
若將插入孔11藉由平台15閉塞時的平台15的位置稱為閉塞位置,則在圖1、圖2、圖6、圖7中,平台15是被靜止於閉塞位置,插入孔11是藉由平台15閉塞,真空槽14的內部空間與搬出入空間8會被分離,即使搬出入空間8被設為大氣環境,也可將真空槽14的內部空間維持於真空環境。
在平台15上是設有由突條或突起所成的複數的支撐構件28,在支撐構件28上是以搬送對象物10可與支撐構件28分離的方式乘載。
搬送對象物10是具有搬送板12及被配置於搬送板12的一片乃至複數片的基板7。搬送板12的背面與平台15的表面是分離,在搬送板12的背面側是形成有搬送板12的背面與平台15的表面之間的空間的背面側間隙26。
在蓋構件16的壁是設有貫通孔的給排氣用貫通孔21。此給排氣用貫通孔21是被連接至被配置於真空槽14的外部的配管22,被配置於真空槽14的外部的真空排氣裝置24與氣體供給裝置25是藉由配管22來分別連接至搬出入空間8。
在蓋構件16之露出於搬出入空間8的面是設有給排氣用貫通孔21的一端之給排氣口9,從給排氣口9進行氣體的給排氣。
在真空裝置3a、3b是設有控制裝置19,真空排氣裝置24、氣體供給裝置25及後述的昇降裝置37是被連接至控制裝置19,藉由控制裝置19來控制。真空排氣裝置24、氣體供給裝置25及昇降裝置37是依據控制裝置19的動作來動作為以下說明般。
將被設為真空環境的基板搬出入室2的搬出入空間8變更成大氣壓環境時,是從氣體供給裝置25供給空氣或氮氣體等的昇壓氣體至給排氣用貫通孔21。
被供給的昇壓氣體是通過給排氣用貫通孔21來從給排氣口9吹出至搬出入空間8,搬出入空間8會被昇壓。此時,藉由真空排氣裝置24之搬出入空間8的真空排氣是被停止。
另一方面,將搬出入空間8從大氣壓環境變更成真空環境時,是藉由真空排氣裝置24來將充滿於搬出入空間8的空氣等的氣體從給排氣口9真空排氣。此時,從氣體供給裝置25是不供給昇壓用氣體。
給排氣口9是朝向平台15所位置的方向,在給排氣口9與搬送板12之間是配置有第一整流板5,被配置於搬送板12的基板7是與第一整流板5分離而對面。在此例中,第一整流板5會藉由一端被固定於蓋構件16,另一端被固定於第一整流板5的吊下構件33來從蓋構件16吊下。
若從給排氣口9導入昇壓用氣體,則昇壓用氣體是被吹到第一整流板5上。在第一整流板5是未形成貫通孔,昇壓用氣體是不貫通第一整流板5。
第一整流板5及搬送板12是正方形或長方形的四邊形狀的薄板,搬送板12是比第一整流板5更小,被配置於比第一整流板5的四邊更靠內側。在此,第一整流板5及搬送板12是被配置成水平,第一整流板5的六面之中,表面與背面以外的四面是被形成為線狀的細長。
蓋構件16是四面具有平面狀的壁面,各壁面是被配置成鉛直而形成四角筒。第一整流板5的細長的四面之中,若將彼此平行的二平面設為一組的平行面,則第一整流板5是具有二組的平行面。
該二組的平行面之中,一組的平行面是被配置成與蓋構件16的壁面平行,分別與壁面接觸,其他的一組的平行面是細長的兩端會與第一組的平行面所接觸的二壁面接觸,與其他的二壁面是平行地分離而被對面配置。
亦可在與蓋構件16的壁面接觸的一組的平行面、或與一組的平行面接觸的蓋構件16的壁面的任一方設置可滑動的橡膠構件,使得第一整流板5的一組的平行面與蓋構件16的壁面會經由該橡膠構件來接觸。
圖5是表示圖1,2的真空裝置3a的第一整流板5、搬送對象物10及平台15之間的相對的位置的圖面,第一整流板5的二組的平行面之中,具有長邊的組的平行面會與蓋構件16的壁面面接觸,具有短邊的組的平行面會與其他的壁面分離而對面配置,分別安裝第二整流板6。亦可如第二例的真空裝置3b般,具有短邊的組的平行面會分別與蓋構件16的壁面面接觸,具有長邊的組的平行面會與二壁面平行地分離而對面配置,安裝第二整流板6。
第二整流板6是正方形或長方形的四邊形狀的薄板,第二整流板6的六面之中,二面的面積廣,其他的四面是被形成為線狀的細長。第二整流板6是面積廣的二面會被設為鉛直,被設為分別與蓋構件16的一壁面分離而對面的二側面,二側面是被配置為在搬送板12的側方分別自搬送板12分離而位置。
第二整流板6的細長的四面之中,二面為鉛直,與第一整流板5的二面一起分別被接觸於同壁面,其他的細長的二面為水平,其一方的面是與第一整流板5接觸而安裝,其他的面是與平台15分離而對面。
在此,在薄板的第二整流板6的上端是薄板的安裝板會被垂直地固定於第二整流板6,安裝板會被乘載於第二整流板6之上,使得第二整流板6不會從第一整流板5落下。
一片的第二整流板6的面積廣的二側面之中,一側面是與蓋構件16的一壁面分離而配置,其他的側面是與搬送對象物10分離而配置,二側面的兩端是被接觸於蓋構件16的壁面,在第二整流板6與該第二整流板6所對面的蓋構件16的壁面之間形成有緩衝空間17。第二整流板6的上端是被緊貼於第一整流板5,使得在第一整流板5與第二整流板6之間是不形成間隙。
在蓋構件16是設有昇降裝置20,吊下構件33的上端是被氣密地導出至蓋構件16的外部,被安裝於昇降裝置20。若昇降裝置20動作,則吊下構件33會移動至上方或下方,隨著吊下構件33的移動,第一整流板5及第二整流板6會一邊第一整流板5的一組的平行面與壁構件16的壁面接觸,一邊移動於上下。
圖4(a)是表示第二整流板6之與蓋構件16的壁面分離而對面的側面,同圖(b)是在與該側面垂直的鉛直方向切斷後之第一整流板5,處理對象物10及平台15的剖面圖。
參照同圖(a),在第二整流板6中,將第二整流板6貫通於厚度方向的上側貫通孔13及下側貫通孔23分別設有各一個或複數個,且第二整流板6的側面之中,在與搬送板12對面的側面及與蓋構件16對面的側面是分別形成有上側貫通孔13的開口及下側貫通孔23的開口。
上側貫通孔13是被設於比被配置於搬送板12的基板7的表面或搬送板12的緣部分的高的一方更高,且比第一整流板5的背面更低的位置,又,下側貫通孔23是被設於比搬送板12的背面更低,比平台15的表面更高的位置。
搬送對象物10與第一整流板5是分離,因此基板7的表面與在基板7的周圍露出的搬送板12的表面是從第一整流板5分離。
在第二整流板6的下端與平台15的表面之間是配置有密封構件29。
密封構件29是接觸於第二整流板6的下端與平台15的表面的雙方,藉由第二整流板6的下端來推壓,緊貼於第二整流板6的下端與平台15的表面的雙方,使得在第二整流板6的下端與平台15的表面之間不通過氣體。密封構件29是例如可使用O型環般的橡膠狀變形構件。
若將在被配置於搬送板12上的基板7與第一整流板5之間所形成的空間稱為表面側間隙27,則緩衝空間17與表面側間隙27是藉由上側貫通孔13來連接,緩衝空間17與上述的背面側間隙26是藉由下側貫通孔23來連接。
密封構件29是可以不移動的方式配置在形成於平台15的表面的溝30的底面上。此情況,若將溝30的開口的寬度設為密封構件29的寬度程度的大小,將溝30的底面的寬度設為比溝30的開口的寬度更大,則不會有密封構件29飛出至溝30的外部的情形。
圖4(c)、(d)是未設有密封構件29的例子,在此例中,第二整流板6的下端是從平台15的表面分離,在第二整流板6與平台15之間形成有平台上貫通孔31,下側貫通孔23是未被形成。因此,緩衝空間17與上述的背面側間隙26是藉由平台上貫通孔31來連接。平台上貫通孔31是被形成於比搬送板12的背面更低,比平台15的表面更高的位置的點,與下側貫通孔23相同。
其次,說明有關氣體的流動。
搬出入空間8從真空環境變更成大氣壓環境時,搬出入空間8的真空排氣被停止之後,朝搬出入空間8從給排氣口9吹出昇壓用氣體。被吹出的昇壓用氣體是被吹在第一整流板5上。亦即,昇壓用氣體是衝突於第一整流板5,衝突後的昇壓用氣體是行進方向會被彎曲,沿著第一整流板5行進,衝突於蓋構件16的壁面而行進方向被彎曲,流入至緩衝空間17之中。流入至緩衝空間17之中的昇壓用氣體是朝平台15的表面所位置的方向來沿著第二整流板6而行進。
沿著第二整流板6行進時,昇壓用氣體是通過上側貫通孔13來從緩衝空間17流入至表面側間隙27,通過下側貫通孔23或平台上貫通孔31來從緩衝空間17流入至背面側間隙26。
在搬送板12是設有板開口38(圖5),基板7是被配置於板開口38之上。因此,基板7的背面是在板開口38的底面露出於背面側間隙26,流入至背面側間隙26的昇壓用氣體是通過板開口38來衝突於基板7的背面。
藉由第一整流板5,使得衝突不會發生於基板7與昇壓用氣體之間,因此基板7的破損或浮起會被防止,但若基板7未被停留於搬送板12,衝突於基板7的背面的昇壓用氣體的流速過強,或在背面側間隙26形成昇壓用氣體的漩渦,則會有基板7從搬送板12浮起,在落下時基板7破損的情況。
為了防止基板7的浮起,在搬出入空間8導入昇壓用氣體時,使表面側間隙27的昇壓速度與背面側間隙26的昇壓速度一致,且在將搬出入空間8真空排氣時,使表面側間隙27的減壓速度與背面側間隙26的減壓速度一致為理想。
該情況,使得表面側間隙27的體積值與上側貫通孔13的面積值的乘積的值和背面側間隙26的體積值與下側貫通孔23的面積值或平台上貫通孔31的面積值的乘積的值形成相等為理想。
若搬出入空間8從真空環境變化成大氣壓環境,則蓋構件16會被開啟,搬送對象物10是移動於支撐構件28上而被搬出至蓋構件16的外部。
以上是使搬出入空間8從真空環境變化成大氣環境的情況,但藉由真空排氣裝置24來將大氣環境的搬出入空間8真空排氣,使搬出入空間8變化成真空環境的情況,也充滿於表面側間隙27的空氣是通過上側貫通孔13來移動至緩衝空間17,被真空排氣,充滿於背面側間隙26的空氣是通過下側貫通孔23或通過平台上貫通孔31來移動至緩衝空間17,被真空排氣。
在平台15是藉由昇降桿36來連接至昇降裝置37,若昇降桿36藉由昇降裝置37而降下,則平台15是與昇降桿36一起降下,平台15是從插入孔11的周圍分離,插入孔11的閉塞被解除。
在閉塞被解除的狀態中,蓋構件16的內部空間與真空槽14的內部空間是藉由插入孔11來連接。但,由於蓋構件16的容器開口39的緣部分18會被接觸於真空槽14而被設為氣密,因此真空槽14的內部是維持真空環境。
圖3的平台15是被靜止於真空槽14內部的預定的位置之交換位置,被靜止於交換位置的平台15上的搬送對象物10是藉由搬送裝置來從平台15上移動於真空槽14的內部,藉由被設在真空槽14的真空處理裝置,在真空槽14的內部進行真空處理。真空處理裝置為濺射靶時,根據濺射的薄膜形成為真空處理,但真空處理是不限於薄膜形成,例如,包含蝕刻處理、灰化處理或離子注入等的處理。
在上述例子中,第二整流板6是被設在第一整流板5的短邊或長邊的任一方,但在同一的第一整流板5的短邊與長邊的雙方可設置合計四片的第二整流板6。該情況,在各第二整流板6與蓋構件16的壁面之間分別形成有緩衝空間17。
另外,若擴大緩衝空間17,則使以第一、第二整流板5,6所包圍的空間昇壓的時間及使減壓的時間會增加,但流入表面側間隙27及背面側間隙26的昇壓用氣體的流動會形成均一,晶圓破裂等會被防止。
並且,在上述例子中,給排氣口9是1個,但在1個的給排氣用貫通孔21設置複數的給排氣口9,從複數的給排氣口9導入昇壓用氣體至搬出入空間8時,被確認即使不使緩衝空間17的體積增加,晶圓破裂的發生也會減少。這可思考是因為搬出入空間8的昇壓用氣體的流動形成均一。
而且,若在給排氣口9與第一整流板5之間配置網狀的整流構件,則被確認即使不使緩衝空間17的體積增加,晶圓破裂的發生也會減少,這亦可思考是因為昇壓用氣體的流動形成均一。
平台上貫通孔31的寬度、上側貫通孔13的寬度及下側貫通孔23的寬度(貫通孔的寬度是作為高度方向的孔的距離)是設為比第二整流板6與蓋構件16的壁面之間的距離更短的大小。例如,第二整流板6與蓋構件16的壁面之間的距離為5mm時,將平台上貫通孔31的寬度、上側貫通孔13的寬度及下側貫通孔23的寬度分別設為0.5mm以上未滿5mm的大小。而且,寬度的大小是按照以第一、第二整流板5,6所包圍的空間的體積值來設定為理想。
比起在第二整流板6形成下側貫通孔23的情況,使用第二整流板6的下端與平台15的表面之間的間隙作為平台上貫通孔31較為尺寸的管理容易。
在上述例子中,在被配置於搬送板12上的基板7與第一整流板5之間是形成有表面側間隙27,在搬送板12的背面與平台15的表面之間是形成有背面側間隙26,為了使搬送對象物10的表面側與背面側的壓力的變化速度形成相同,若將表面側間隙27的體積與上側貫通孔13的面積(設有複數個上側貫通孔13的情況是各上側貫通孔13的面積的合計值)的乘積的值和背面側間隙26的體積與下側貫通孔23的面積(設有複數個下側貫通孔23的情況是各下側貫通孔23的面積的合計值)的乘積或與平台上貫通孔31的面積的乘積的值設為相等,則壓力氣體的導入時的表面側間隙27與背面側間隙26的壓力變化速度相等,且真空排氣時的表面側間隙27與背面側間隙26的壓力變化速度相等,基板7的浮起等會被防止。
又,若藉由昇降裝置20來使第一、第二整流板5,6上昇,則平台上貫通孔31的上下方向的寬度會增大,若使下降則減少。
從在表面側間隙27的體積值與上側貫通孔13的面積值的乘積的值和背面側間隙26的體積值與平台上貫通孔31的面積值的乘積的值形成相等的高度配置有第一、第二整流板5,6的狀態,導入昇壓用氣體至搬出入空間8時,使第一、第二整流板5,6下降而縮小平台上貫通孔31的上下方向的寬度來使平台上貫通孔31的面積減少,藉此比背面側間隙26更增大表面側間隙27的昇壓速度,防止搬送板12上的基板7的浮起,且在將搬出入空間8真空排氣時,使第一、第二整流板5,6上昇而擴大平台上貫通孔31的上下方向的寬度來使平台上貫通孔31的面積增大,藉此比表面側間隙27各增大背面側間隙26的減壓速度來防止搬送板12上的基板7的浮起即可。
另外,若在露出於搬送對象物10的表面的搬送板12的表面的部分形成有凹陷,則在該表面上產生成為停滯般的渦,被確認有助於防止或減少對於基板7的破裂發生。
3a、3b‧‧‧真空裝置
5‧‧‧第一整流板
6‧‧‧第二整流板
7‧‧‧基板
8‧‧‧搬出入空間
9‧‧‧給排氣口
10‧‧‧搬送對象物
11‧‧‧插入孔
12‧‧‧搬送板
13‧‧‧上側貫通孔
14‧‧‧真空槽
15‧‧‧平台
16‧‧‧蓋構件
20‧‧‧昇降裝置
23‧‧‧下側貫通孔
31‧‧‧平台上貫通孔
圖1是由表示在第一整流板的短邊設有第二整流板的真空裝置的第二整流板的剖面的方向來看的圖。
圖2是在該真空裝置的第一整流板接觸於壁面的狀態下由與圖1垂直的方向來看的圖(第二整流板省略)。
圖3是用以說明該真空裝置的平台在交換位置靜止時的狀態的圖。
圖4(a)是在下端設有密封構件的第二整流板的正面圖,(b)是與該正面圖垂直的方向的剖面圖,(c)是在下端設有平台上貫通孔的第二整流板的正面圖,(d)是與該正面圖垂直的方向的剖面圖。
圖5是表示第一、第二整流板,搬送對象物及平台的相對位置的分解組立圖。
圖6是表示在第一整流板的長邊設有第二整流板的真空裝置的第一整流板接觸於壁面的狀態的圖(第二整流板省略)。
圖7是由表示該真空裝置的第二整流板的剖面的方向來看的圖。
圖8是以往技術的基板搬出入室。

Claims (12)

  1. 一種真空裝置,係具有: 真空槽; 插入孔,其係被設在前述真空槽的頂部; 平台,其係設為可移動於使前述插入孔閉塞的閉塞位置與比前述閉塞位置更下方的前述真空槽內的交換位置之間,在朝向上方的面取間隙而配置搬送對象物; 蓋構件,其係被設為對於前述平台朝下的方向的容器形形狀,前述容器形形狀的開口的緣部分與前述插入孔的外側的前述頂部之間被設為氣密;及 給排氣用貫通孔,其係被形成於前述蓋構件, 前述搬送對象物,係包含:被配置於前述平台上的搬送板,及被配置於前述搬送板上的基板, 前述插入孔以前述平台所閉塞而形成之前述蓋構件與前述平台之間的搬出入空間,係若前述蓋構件與前述頂部之間被設為氣密,則自大氣分離, 前述搬出入空間係從前述給排氣用貫通孔之被設在前述搬出入空間的開口的給排氣口來真空排氣,在前述搬出入空間係從前述給排氣口供給昇壓用氣體, 其特徵為: 在前述平台與前述給排氣口之間係配置有長方形或正方形的第一整流板, 前述搬送對象物係被配置於前述第一整流板與前述平台之間, 前述蓋構件係具有被配置成四角筒形形狀的四壁面, 前述第一整流板,係與前述四壁面之中彼此平行的二壁面接觸,與其他的平行的二壁面分離而配置, 在與前述二壁面分離的前述第一整流板的部分,長方形或正方形的第二整流板,係與前述第二整流板所分離的前述二壁面對面而配置, 在前述第二整流板,係設有在和前述壁面對面的面與其背面之間貫通而前述昇壓用氣體通過的貫通孔。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空裝置,其中,在前述搬送板之面對前述第一整流板的表面,係形成有凹陷。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之真空裝置,其中,在前述貫通孔,係包含: 上側貫通孔,其係被配置成被配置在前述搬送板上的前述基板的表面與前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度;及 下側貫通孔,其係被配置成被配置在前述平台上的前述搬送對象物的背面的高度與前述平台的表面的高度之間的高度。
  4. 如申請專利範圍第3項之真空裝置,其中,在前述基板與前述第一整流板之間係形成有表面側間隙,在前述搬送板的背面與前述平台的表面之間係形成有背面側間隙, 前述表面側間隙的體積與前述上側貫通孔的面積的乘積的值和前述背面側間隙的體積與前述下側貫通孔的面積的乘積的值係設為相等。
  5. 如申請專利範圍第3項之真空裝置,其中,前述第二整流板與和前述第二整流板對面的前述壁面之間的距離,係比前述上側貫通孔的鉛直方向的寬度更大,且比前述下側貫通孔的鉛直方向的寬度更大。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之真空裝置,其中,在前述貫通孔,係包含: 上側貫通孔,其係被配置成被配置在前述搬送板上的前述基板的表面與前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度;及 平台上貫通孔,其係被設在前述平台與前述第二整流板的下端之間的間隙, 前述平台上貫通孔,係被配置成比被配置在前述平台上的前述搬送板的背面更低的高度。
  7. 如申請專利範圍第6項之真空裝置,其中,在前述基板與前述第一整流板之間係形成有表面側間隙,在前述搬送板的背面與前述平台的表面之間係形成有背面側間隙, 前述表面側間隙的體積與前述上側貫通孔的面積的乘積的值和前述背面側間隙的體積與前述平台上貫通孔的面積的乘積的值係設為相等。
  8. 如申請專利範圍第7項之真空裝置,其中,設有使前述第一整流板及前述第二整流板對於前述蓋構件上昇及下降的昇降裝置。
  9. 如申請專利範圍第6項之真空裝置,其中,前述第二整流板與和前述第二整流板對面的前述壁面之間的距離,係比前述上側貫通孔的鉛直方向的寬度更大,且比前述平台上貫通孔的鉛直方向的寬度更大。
  10. 如申請專利範圍第1項之真空裝置,其中,設有複數的前述給排氣口。
  11. 如申請專利範圍第1項之真空裝置,其中,在前述給排氣口係設有網狀的整流構件。
  12. 如申請專利範圍第1項之真空裝置,其中,前述基板係於前述真空槽的內部被真空處理。
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