JPH11288992A - 被処理物体搬送チャンバ - Google Patents

被処理物体搬送チャンバ

Info

Publication number
JPH11288992A
JPH11288992A JP9290398A JP9290398A JPH11288992A JP H11288992 A JPH11288992 A JP H11288992A JP 9290398 A JP9290398 A JP 9290398A JP 9290398 A JP9290398 A JP 9290398A JP H11288992 A JPH11288992 A JP H11288992A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
gas
vacuum processing
exhaust
introduction port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9290398A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Haseme
隆 長谷目
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP9290398A priority Critical patent/JPH11288992A/ja
Publication of JPH11288992A publication Critical patent/JPH11288992A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 被処理物体を搬入及び(又は)搬出するため
の該真空処理室に連設された被処理物体搬送チャンバ
で、真空処理室からのガスの侵入を、確実に、簡単、安
価に抑制できる。 【解決手段】 所定真空下で被処理物体に所定の処理を
施すための真空処理室に対し被処理物体を搬入及び(又
は)搬出するための真空処理室に連設され、天井壁1に
パージガス導入ポート4を設け、底壁2に排気ポート5
を設け、天井壁1の中央部にガス導入ポート4に連通す
る室内向けガス吹き出し口11を設けるとともに天井壁
1の周縁部14に沿ってガス導入ポート4に連通する室
内向けガス吹き出しスリット15を設け、底壁2に対し
て排気用空洞部60を形成するように該壁2から距離を
おいてバッフルプレート6を設置し、バッフルプレート
6の周縁部61に沿って排気用空洞部60に連通する排
気スリット7を形成した被処理物体搬送チャンバA。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は所定真空下で被処理
物体に所定の処理を施すための真空処理室に対し該被処
理物体を搬入及び(又は)搬出するための該真空処理室
に連設された被処理物体搬送チャンバに関する。
【0002】
【従来の技術】所定真空下で被処理物体に所定の処理を
施すための真空処理室としては、半導体デバイス基板、
液晶表示装置のためのガラス基板等の基板などにインオ
注入したり、イオンドーピングしたりするためのイオン
注入処理室、プラズマCVD法等によりかかる基板等上
に所定の薄膜を形成する膜形成処理室、かかる基板等上
に形成されている膜を所定パターンに従って例えばプラ
ズマのもとでエッチングするエッチング処理室等があ
る。
【0003】このような真空処理室に対しては、被処理
物体を搬入及び(又は)搬出するために該真空処理室に
被処理物体搬送チャンバが連設される。かかる被処理物
体搬送チャンバとしては、真空処理室が一つである場合
に該真空処理室に連設される、外部からの物体搬入に用
いるロードロックチャンバ、外部への物体搬出に用いる
アンロードロックチャンバ、これら双方を兼ねるチャン
バの他、真空処理室を複数備えたいわゆるマルチチャン
バ方式の処理装置において、該複数の真空処理室と被処
理物体をやりとりするための該複数の真空処理室に連設
された共通の被処理物体搬送チャンバ、該共通のチャン
バに連設されたロードロックチャンバ、アンロードロッ
クチャンバ、これら双方を兼ねるチャンバを挙げること
ができる。
【0004】このような被処理物体搬送チャンバ、特に
真空処理室に直接連設された搬送チャンバにおいては、
真空処理室との物体のやりとりのために該真空処理室に
対し開けられたとき、真空処理室内の残留処理ガスが入
ってくると、該搬送チャンバ内の被処理物体に該真空処
理室内で発生したパーティクルが付着したり、該残留ガ
スにより被処理物体に望まない、或いは物体欠陥を招く
膜付着が発生したり、通常搬送チャンバ内に設けてある
被処理物体搬送ロボットが腐食する等の不都合が発生す
る。そのため、かかる被処理物体搬送チャンバには、パ
ージガス導入部及び排気装置が付設されており、真空処
理室に対して開けられるとき、該チャンバ内にパージガ
スが導入されるとともに該チャンバから排気され、該チ
ャンバ内ガス圧が、連通した真空処理室内圧力より若干
高く維持される。
【0005】その1例を図5を参照して説明する。図5
に示す被処理物体搬送チャンバAは図示を省略した三つ
の真空処理室を有するマルチチャンバ方式の処理装置に
おけるものであり、該三つの真空処理室に連設される共
通のものである。このチャンバA’は、リッド(蓋)を
兼ねる天井壁1’、これに対抗する底壁2’、上下壁
1’、2’間の側周壁3’を有し、底壁2’の中央部に
被処理物体搬送ロボット9を設置してある。天井壁1’
には二つの覗き窓1aが設けられている。
【0006】図5には図示を省略した三つの真空処理室
に連通する三つの開口のうち二つa1、a2が示されて
いる。図5中のあと一つの開口a4は外部と被処理物体
をやりとりするロード・アンロードロックチャンバに接
続されるものである。各開口は側周壁3’に形成されお
り、それぞれについて開閉駆動されるゲート弁Gが設け
られている。
【0007】底壁2’には一つのパージガス導入ポート
4’及び一つの排気ポート5’が設けられており、パー
ジガス導入ポート4’は図示を省略したパージガス供給
装置に接続され、排気ポート5’は図示を省略した排気
装置に接続されている。このチャンバA’では、真空処
理室に対し被処理物体をやりとりするために何れかの開
口(例えば図5に示すように開口a1)が開かれると
き、パージガス導入ポート4’からチャンバA’内にパ
ージガスを導入するとともに排気ポート5’からチャン
バA’内を排気し、これによりチャンバA’内をパージ
ガスにより真空処理室内圧力より若干高圧に維持する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
被処理物体搬送チャンバでは、図5に例示したように、
チャンバ内に対しパージガスを導入するとともに排気を
行い、チャンバ内を真空処理室のガス圧より若干高圧に
維持し、これにより真空処理室からの残留ガスの侵入を
抑制するとともに、入り込んだガスをパージガスで希釈
して排気できるのであるが、パージガス導入ポート及び
排気ポートを一か所ずつ設けるだけでは搬送チャンバ内
を均一に高圧化することは困難であり、そのため真空処
理室から残留ガスが侵入してきやすい。
【0009】このような残留ガスの侵入は、被処理物体
の面積が大きくなり、それに伴ってチャンバ内容積も大
きくなってきている今日の搬送チャンバでは一層顕著で
ある。この問題を解決するには、パージガス導入ポート
と排気ポートをそれぞれ複数個設けることが考えられる
が、チャンバ内圧力を均一にしようとすると、相当数の
パージガス導入ポート及び排気ポートが必要となり、そ
れでは全体の構造が大型化、複雑化する。
【0010】そこで本発明は、所定真空下で被処理物体
に所定の処理を施すための真空処理室に対し該被処理物
体を搬入及び(又は)搬出するための該真空処理室に連
設された被処理物体搬送チャンバであって、真空処理室
と被処理物体をやりとりするために真空処理室に連通せ
しめられたとき、該真空処理室からのガスの侵入を従来
よりも、確実に、しかも簡単、安価に抑制できる被処理
物体搬送チャンバを提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するため、所定真空下で被処理物体に所定の処理を施す
ための真空処理室に対し該被処理物体を搬入及び(又
は)搬出するための該真空処理室に連設された被処理物
体搬送チャンバであり、該チャンバの天井壁及び底壁の
うち一方にパージガス導入ポートを設けるとともに他方
に排気ポートを設け、前記ガス導入ポートを設けた天井
壁又は底壁の中央部に該ガス導入ポートに連通する室内
向けガス吹き出し口を設けるとともに前記ガス導入ポー
トを設けた天井壁又は底壁の周縁部に沿って前記ガス導
入ポートに連通する室内向けガス吹き出しスリットを設
け、前記排気ポートを設けた底壁又は天井壁との間に排
気用空洞部を形成するとともに前記ガス導入ポートを設
けた天井壁又は底壁との間に被処理物体搬送用空間部を
形成するようにバッフルプレートを設置し、該バッフル
プレートの周縁部に沿って該排気用空洞部及び該被処理
物体搬送用空間部に連通する排気スリットを形成したこ
とを特徴とする被処理物体搬送チャンバを提供する。
【0012】この被処理物体搬送チャンバによると、真
空処理室と被処理物体をやり取りするとき、該真空処理
室に対し開けられ、真空処理室に連通する。被処理物体
の搬送は前記バッフルプレートとガス導入ポートを設け
た天井壁又は底壁との間の被処理物体搬送用空間部を利
用して行われる。そしてこのように真空処理室に連通せ
しめられるとき、前記パージガス導入ポートへパージガ
ス供給装置からパージガスが供給されるとともに前記排
気ポートから排気装置によりチャンバ内排気が行われ
る。
【0013】ガス導入ポートに供給されたパージガス
は、一方でチャンバ天井壁の室内向けガス吹き出し口に
流れ、ここからチャンバ内の中央部に吹き出すととも
に、他方で天井壁周縁部に沿って形成されている室内向
けガス吹き出しスリットに向け流れ、該吹き出しスリッ
トからチャンバ内の周縁部領域へ吹き出す。排気ポート
からの排気は、排気ポートに隣り合う排気用空洞部を介
して該空洞部に連通するバッフルプレート周縁部に沿っ
て形成された排気スリットから、チャンバ内、特に前記
被処理物体搬送用空間部に対し全領域的に略均一になさ
れる。
【0014】この排気処理により、前記中央部のガス吹
き出し口からチャンバ内中央部に吹き出されたパージガ
スは、チャンバ内中央部領域からチャンバ内の周縁部領
域へ略均等な分散流となって流れ、前記排気スリットへ
向け流れる。また、前記天井壁又は底壁の周縁部に沿っ
て形成されたガス吹き出しスリットからチャンバ内周縁
部領域に吹き出されたパージガスはチャンバ内の側周面
に沿うように排気スリットへ向け流れる。
【0015】排気スリットへ流れたガスは、バッフルプ
レート周縁部の各位置で略均等に排気用空洞部へ吸い込
まれ、排気ポートから排気される。このようなパージガ
スの流れにより被処理物体を搬送処理する空間部におけ
るガス圧は全体に略均一化され、且つ、そのガス圧はパ
ージガスの導入量と排気との兼ね合いで、真空処理室内
圧力より若干高圧に維持される。
【0016】かくして連通する真空処理室からの残留ガ
スの被処理物体搬送チャンバへの侵入が従来よりも確実
に抑制され、ひいては、該搬送チャンバ内の被処理物体
に該真空処理室内で発生したパーティクルが付着した
り、該残留ガスにより被処理物体に望まない、或いは物
体欠陥を招く膜付着が発生したり、通常搬送チャンバ内
に設けてある被処理物体搬送ロボットが腐食する等の問
題発生が抑えられる。
【0017】しかもそれは、少ないガス導入ポート及び
排気ポートで達成され、従ってまたそれだけチャンバ構
造の複雑化を招くことなく簡単、安価に達成される。前
記ガス導入ポートに連通する中央部の室内向けガス吹き
出し口はチャンバ内の中央部領域の全域に略均等にパー
ジガスを吹き出すことができるものであればよく、複数
の吹き出し孔からなるもの、不連続な複数のスリットか
らなるのも等種々採用できるが、中でも確実に略均等に
ガスを吹き出せるものとして、リング形状スリットの形
態の吹き出し口を挙げることができる。さらにその具体
例として、前記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底壁
の内面の中央部に形成された、前記ガス導入ポートに連
通する凹所の内周面と該凹所の中央部に配置されたプラ
グの外周面との間に形成されるリング形状のスリットを
挙げることができる。このようなリング形状スリットは
チャンバの形状等に応じて円形、楕円形、四角形等の多
角形など種々採用できる。例えば、前記凹所を円形凹所
とし、前記プラグを円形プラグとし、これらにより円形
スリットを形成する場合を挙げることができる。
【0018】前記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底
壁の周縁部に沿うガス吹き出しスリットは、チャンバ内
の周縁部領域の全域に略均等にパージガスを吹き出せる
ものであればよく、連続しているものでも、不連続のも
のでもよい。しかしより確実に均等に吹き出せるものと
して、該壁の周縁部に沿ってリング形状に形成されてい
る吹き出しスリットを挙げることができる。
【0019】いずれにしても吹き出しスリットとガス導
入ポートとの連通は例えば該ポートを設けた天井壁又は
底壁に(例えばその中に)等中心角度間隔で設けた複数
本のガス通路などにより行える。また、前記排気スリッ
トについても、チャンバ内、特に前記被処理物体搬送用
空間部に対し排気が全領域的に略均一になされるもので
あれば、連続するものでも、不連続なものでもよい。し
かしより確実に全領域的に略均一に排気できるものとし
て、前記バッフルプレートの周縁部に沿ってリング形状
に形成されている排気スリットを挙げることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は本発明に係る被処理物体搬
送チャンバの1例を備えたマルチチャンバ方式のエッチ
ング処理装置の概略平面図である。図2は天井壁を取り
外した状態の被処理物体搬送チャンバの拡大平面図であ
る。図3は被処理物体搬送チャンバの拡大断面図であ
る。
【0021】この処理装置は、図1に示すように、中心
に本発明に係る被処理物体搬送チャンバAを備えてお
り、搬送チャンバAの周囲にエッチング処理のための三
つの真空処理室(プロセスチャンバ)81、82、83
を連設するとともに一つのロード・アンロードロックチ
ャンバ84を連設したものである。この処理装置は、半
導体デバイスのための基板についてドライエッチング処
理するためのものである。
【0022】例えば、真空処理室81は塩素系ガスによ
りアルミ合金膜をエッチングするものであり、真空処理
室82はフッ素系ガスによりバリア合金膜をエッチング
するものであり、真空処理室83はアッシング処理にて
フォトレジスト膜を除去するものである。ロード・アン
ロードロックチャンバ84は、被処理基板を図示を省略
した外部の基板保持カセットとの間に位置する外部搬送
ロボット(図示省略)のとの間で基板をやり取りするた
めのものであり、それ自体既に知られているものである
から詳しい説明は省略する。
【0023】このチャンバAは、リッド(蓋)を兼ねる
円形天井壁1、これに対向する円形底壁2、上下壁1、
2間の側周壁3を有し、被処理物体搬送ロボット9が設
置されている。ロボット9は底壁中央部に設置されてい
る。側周壁3には真空処理室81、82、83にそれぞ
れ連通する開口31、32、33を設けてあるととも
に、ロード・アンロードロックチャンバに連通する開口
34を設けてある。室83に通じる開口33は図示を省
略している。
【0024】各開口にはこれを開閉するゲート弁G1、
G2、G3、G4が設けられている。各ゲート弁G1、
G2、G3、G4はピストシリンダ装置P1、P2、P
3、P4によりそれぞれ昇降駆動され、それにより開口
を開閉できる。天井壁1にはその上面側に一つのガス導
入ポート4が設けられており、底壁2には、ロボット9
の両側に左右対称に一対の排気ポート5が設けられてい
る。
【0025】ガス導入ポート4はパージガス供給装置4
0に配管接続されている。各排気ポート5は排気装置5
0に配管接続されている。天井壁1の中央部下面側に
は、円形スリットの形態の室内向けガス吹き出し口11
が形成されており、これは天井壁内に設けたガス通路に
よりガス導入ポート4に連通している。ガス吹き出し口
11は天井壁下面に設けた凹所12(ここでは円形凹
所)の中央にプラグ(ここでは円形プラグ)13を配置
して形成されており、該プラグ13はガス導入ポート4
からガス吹き出し口11へのパージガスの流れを阻害し
ないように図示を省略したボルトで天井壁1に固定され
ている。
【0026】また天井壁1の周縁部14に沿って円形に
一周する室内向けガス吹き出しスリット15が形成され
ている。スリット15は天井壁1の外周側面に設けられ
た深溝151とそれに連続してチャンバ内へ開口する浅
溝152からなっている。各溝の開放側面はチャンバ側
周壁3により閉じられている。深溝152は図1及び図
3に示すように天井壁1に等中心角度間隔で設けられた
複数本のガス通路(ここでは4本のガス通路)16によ
りガス導入ポート4に連通している。
【0027】天井壁1にはさらに一対の気密性のある覗
き窓1aが設けられている。前記排気ポート5を設けた
底壁2に対して、円形板状のバッフルプレート6が設置
されている。バッフルプレート6はロボット9の底壁2
を貫通しているコラム部分91を囲繞するように、且
つ、底壁2の上面に対し若干の距離をおいて設置されて
いる。かくしてバッフルプレート6と底壁2との間に排
気用空洞部60が形成されている。また、バッフルプレ
ート6の周縁部61に沿って円形に一周する排気スリッ
ト7が形成されている。該スリット7はバッフルプレー
ト外周側面と底壁2の周縁立ち上がり部との間に形成さ
れている。
【0028】ロボット9の基板搬送を行うアーム部分は
天井壁1とバッフルプレート6との間の空間部100に
位置している。以上説明した被処理物体搬送チャンバA
は、エッチングのための処理に伴って、いずれかの真空
処理室と被処理基板をやり取りするとき、その真空処理
室に連通する開口がゲート弁の下降駆動により開かれ
る。図3は真空処理室82に連通する開口32をゲート
弁G2を下降させて開くとともに他の開口31、33
(図示省略)、34はゲート弁G1、G3、G4を上昇
させて閉じている状態を示している。
【0029】このように開口を開けた状態でロボット9
により真空処理室と被処理基板をやり取りできる。な
お、図3では被処理基板の図示を省略している。ロボッ
ト9の動作については後ほど説明する。このように被処
理物体搬送チャンバAは、真空処理室と被処理基板をや
り取りするとき、該真空処理室に対し開けられ、真空処
理室に連通する。被処理基板の搬送は天井壁1とバッフ
ルプレート6との間の空間部100を利用してなされ
る。
【0030】そしてこのようにいずれかの真空処理室
(図示例では真空処理室82)に連通せしめられると
き、パージガス導入ポート4へパージガス供給装置40
からパージガスが供給されるとともに排気ポート5から
排気装置50によりチャンバA内排気が行われる。ガス
導入ポート4に供給されたパージガスは、一方でチャン
バ天井壁1の室内向けガス吹き出し口11に流れ、ここ
からチャンバ内の中央部に吹き出すとともに、他方で天
井壁周縁部14に沿って形成されている室内向けガス吹
き出しスリット15に向け流れ、該吹き出しスリット1
5からチャンバA内の周縁部領域へ吹き出す。
【0031】排気ポート5からの排気は、排気ポート5
に隣り合う空洞部60を介して該空洞部に連通するバッ
フルプレート周縁部61に沿う排気スリット7から、チ
ャンバA内、特に空間部100に対し全領域的に略均一
になされる。特に本例では排気ポート5を左右対称に一
対設けてあるので、一層確実にチャンバA内に対し全領
域に略均一に排気がなされる。
【0032】この排気処理により、ガス導入ポート4か
らチャンバA内中央部に吹き出されたパージガスは、図
3に矢印で示すようにチャンバA内中央部領域からチャ
ンバA内の周縁部領域へ略均等な分散流となって流れ、
排気スリット7へ向かう。また、天井壁周縁部14に沿
うガス吹き出しスリット15からチャンバA内周縁部領
域に吹き出されたパージガスはガスカーテンの如くチャ
ンバA内の側周面に沿うように排気スリット7へ向け流
れる。
【0033】排気スリット7へ向け流れたガスは、バッ
フルプレート周縁部61の各位置で略均等に空洞部60
へ吸い込まれ、排気ポート5から排気される。このよう
なパージガスの流れによりチャンバA内のガス圧、特に
被処理基板を搬送処理する空間部100におけるガス圧
は全体に略均一化され、且つ、そのガス圧はパージガス
の導入量と排気との兼ね合いで、真空処理室(ここでは
室82)内圧力より若干高圧に維持される。
【0034】かくして連通する真空処理室からの残留ガ
スの被処理物体搬送チャンバAへの侵入が従来よりも確
実に抑制され、ひいては、搬送チャンバA内の被処理基
板に真空処理室内で発生したパーティクルが付着した
り、該残留ガスにより被処理基板に望まない、或いは基
板欠陥を招く膜付着が発生したり、搬送ロボット9が腐
食する等の問題発生が抑えられる。
【0035】しかもそれは、少ないガス導入ポート4及
び排気ポート5で達成され、従ってまたそれだけチャン
バ構造の複雑化を招くことなく簡単、安価に達成され
る。またチャンバAへ真空処理室から入り込んだガスは
パージガスで希釈して排気できる。なお、ここでの搬送
ロボット9はそれ自体知られているもので、図3及び図
4に示すように、チャンバAの底壁2に貫通せしめら
れ、固定されたコラム部分91と、これに嵌装された中
心軸部材92(図3参照)と、軸部材92の頂部に図示
を省略したアーム回動駆動装置を介して片持ち支持され
た下アーム93と、下アーム93の自由端部に回動可能
に片持ち支持された中アーム94と、中アーム94の自
由端部に中央部が回動可能に支持された上アーム95
と、上アーム95の両端部に設けられた一対の基板10
の保持部96とを備えているものである。
【0036】中心軸部材92は図示を省略した部材駆動
装置により縦軸線周りに往復回動できるとともに必要に
応じ昇降動作もできる。中心軸部材92の回動により図
4(A)に示すようにアーム93〜95を全体的に回動
させて基板保持部96を任意の角度まで回動させること
ができる。例えば図2に示す位置から図4(A)に示す
ように90度回動させることができる。また、例えば図
2に示す状態から下アーム93を時計回り方向に駆動す
ることで、図4(B)に示すように、図示を省略した連
動機構により中アーム94を下アーム93に対し反時計
回り方向に回動させて上アーム95を一方向に突出させ
ることができる。さらに、例えば図2に示す状態から下
アーム93を反時計回り方向に駆動することで、図4
(C)に示すように、図示を省略した連動機構により中
アーム94を下アーム93に対し時計回り方向に回動さ
せて上アーム95を反対方向に突出させることができ
る。
【0037】このような動作によりいずれの室81〜8
4とも基板10をやり取りできる。なお、物品搬送ロボ
ットはこれに限定されるものではない。また搬送ロボッ
トを天井壁1に設けるときには、ガス導入ポート4、ガ
ス吹き出し口11及びガス吹き出しスリット15を底壁
2に対して設けるとともにバッフルプレート6及び排気
スリット7を天井壁1に対し設け、排気ポート5も天井
壁1に設けるとよい。
【0038】本発明はマルチチャンバ方式の処理装置に
おける各真空処理室に共通の被処理物体搬送チャンバだ
けでなく、真空処理室に直接連設されるロードロックチ
ャンバ、アンロードロックチャンバ、ロード・アンロー
ドロックチャンバ等の被処理物体搬送チャンバにも適用
できる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、所
定真空下で被処理物体に所定の処理を施すための真空処
理室に対し該被処理物体を搬入及び(又は)搬出するた
めの該真空処理室に連設された被処理物体搬送チャンバ
であって、真空処理室と被処理物体をやりとりするため
に真空処理室に連通せしめられたとき、該真空処理室か
らのガスの侵入を従来よりも、確実に、しかも簡単、安
価に抑制できる被処理物体搬送チャンバを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る被処理物体搬送チャンバの1例を
備えたマルチチャンバ方式のエッチング処理装置の概略
平面図である。
【図2】天井壁を取り外した状態の被処理物体搬送チャ
ンバの拡大平面図である。
【図3】被処理物体搬送チャンバの拡大断面図である。
【図4】被処理物体搬送ロボットの動作説明図である。
【図5】従来の被処理物体搬送チャンバ例の断面図であ
る。
【符号の説明】
A 被処理物体搬送チャンバ 1 天井壁 1a 覗き窓 11 ガス吹き出し口 12 凹所 13 プラグ 14 天井壁周縁部 15 ガス吹き出しスリット 151 深溝 152 浅溝 16 ガス通路 2 底壁 3 側周壁 31、32、33、34 開口 4 ガス導入ポート 40 パージガス供給装置 5 排気ポート 50 排気装置 6 バッフルプレート 60 排気用空洞部 61 バッフルプレート周縁部 7 排気スリット 100 被処理物体搬送用空間部 81、82、83 真空処理室 84 ロード・アンロードロックチャンバ 9 被処理物体搬送ロボット 91 コラム部 92 中心軸部材 93 下アーム 94 中アーム 95 上アーム 96 基板保持部 10 被処理基板 G1、G2、G3、G4 ゲート弁 P1、P2、P3、P4 ピストンシリンダ装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01J 37/317 H01J 37/317 B H01L 21/205 H01L 21/205 21/3065 21/302 B

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定真空下で被処理物体に所定の処理を施
    すための真空処理室に対し該被処理物体を搬入及び(又
    は)搬出するための該真空処理室に連設された被処理物
    体搬送チャンバであり、 該チャンバの天井壁及び底壁のうち一方にパージガス導
    入ポートを設けるとともに他方に排気ポートを設け、前
    記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底壁の中央部に該
    ガス導入ポートに連通する室内向けガス吹き出し口を設
    けるとともに前記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底
    壁の周縁部に沿って前記ガス導入ポートに連通する室内
    向けガス吹き出しスリットを設け、前記排気ポートを設
    けた底壁又は天井壁との間に排気用空洞部を形成すると
    ともに前記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底壁との
    間に被処理物体搬送用空間部を形成するようにバッフル
    プレートを設置し、該バッフルプレートの周縁部に沿っ
    て該排気用空洞部及び該被処理物体搬送用空間部に連通
    する排気スリットを形成したことを特徴とする被処理物
    体搬送チャンバ。
  2. 【請求項2】前記室内向けガス吹き出し口は、前記ガス
    導入ポートを設けた天井壁又は底壁の内面の中央部に形
    成された、該ガス導入ポートに連通する凹所の内周面と
    該凹所の中央部に配置されたプラグの外周面との間に形
    成されたリング形状のスリットである請求項1記載の被
    処理物体搬送チャンバ。
  3. 【請求項3】前記ガス導入ポートを設けた天井壁又は底
    壁の周縁部に沿うガス吹き出しスリットは、該壁の周縁
    部に沿ってリング形状に形成されている請求項1又は2
    記載の被処理物体搬送チャンバ。
  4. 【請求項4】前記排気スリットは前記バッフルプレート
    の周縁部に沿ってリング形状に形成されている請求項
    1、2又は3記載の被処理物体搬送チャンバ。
JP9290398A 1998-04-06 1998-04-06 被処理物体搬送チャンバ Withdrawn JPH11288992A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9290398A JPH11288992A (ja) 1998-04-06 1998-04-06 被処理物体搬送チャンバ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9290398A JPH11288992A (ja) 1998-04-06 1998-04-06 被処理物体搬送チャンバ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11288992A true JPH11288992A (ja) 1999-10-19

Family

ID=14067448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9290398A Withdrawn JPH11288992A (ja) 1998-04-06 1998-04-06 被処理物体搬送チャンバ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11288992A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005527120A (ja) * 2002-05-21 2005-09-08 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2007227250A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法
US7972961B2 (en) 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
CN110366774A (zh) * 2018-01-12 2019-10-22 株式会社爱发科 真空装置
CN111048438A (zh) * 2018-10-11 2020-04-21 Tes股份有限公司 气体供给单元
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005527120A (ja) * 2002-05-21 2005-09-08 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 半導体処理ツール内チャンバ間の相互汚染の減少
JP2007149948A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP4634918B2 (ja) * 2005-11-28 2011-02-16 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2007227250A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法
US7972961B2 (en) 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
US8759226B2 (en) 2009-02-09 2014-06-24 Asm America, Inc. Method for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US11626313B2 (en) 2017-11-03 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
CN110366774A (zh) * 2018-01-12 2019-10-22 株式会社爱发科 真空装置
CN110366774B (zh) * 2018-01-12 2023-06-02 株式会社爱发科 真空装置
CN111048438A (zh) * 2018-10-11 2020-04-21 Tes股份有限公司 气体供给单元
CN111048438B (zh) * 2018-10-11 2023-06-13 Tes股份有限公司 气体供给单元

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100960773B1 (ko) 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
JP5107185B2 (ja) 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5768713B2 (ja) 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム
KR101220790B1 (ko) 진공 처리 장치, 진공 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체
TW201640582A (zh) 基板處理裝置
US20070051314A1 (en) Movable transfer chamber and substrate-treating apparatus including the same
JP2010087467A (ja) 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2009200518A (ja) 大面積基板を搬送するための方法
KR102170612B1 (ko) 클리닝 방법
JP5093078B2 (ja) 成膜装置
JPH10321532A (ja) 処理装置
KR20110097663A (ko) 진공 배기용의 볼 밸브 및 진공 배기 장치
US11214864B2 (en) Method for reducing metal contamination and film deposition apparatus
JPH11288992A (ja) 被処理物体搬送チャンバ
US6024800A (en) Plasma processing apparatus
KR100754243B1 (ko) 반도체 제조설비의 진공 장치
JP2017022210A (ja) 基板処理装置
JPH10335407A (ja) 基板処理装置
CN109314071B (zh) 十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统
JP4409312B2 (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
TWI681491B (zh) 基板處理裝置
US20010052325A1 (en) Substrate processing apparatus
JP5710194B2 (ja) 真空処理装置
JPH1191943A (ja) 基板搬送システム
US20240060170A1 (en) Film deposition apparatus and film deposition method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607