CN111048438A - 气体供给单元 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种气体供给单元，包括：背板，设置于腔室内部；簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。在执行针对大面积基板的各种处理工艺的基板处理装置中，在根据沉积工艺或清洗工艺而向基板处理装置的内部供给各种气体的情况下，气体供给单元可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散。

Description

气体供给单元

技术领域

本发明涉及一种气体供给单元，更详细而言，涉及一种在执行针对大面积基板的各种处理工艺的基板处理装置中，在根据沉积工艺或清洗工艺而向基板处理装置的内部供给各种气体的情况下，可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散的气体供给单元。

背景技术

通常，基板处理装置包括配置于腔室内侧支撑基板并沿上下移动的基座、及朝向所述基板供给工艺气体等的气体供给部。

在这种情况下，根据在所述腔室中执行的处理工艺，通过气体供给部供给的气体的种类会不同。例如，在执行针对基板的沉积工艺的情况下，可通过气体供给部供给工艺气体，且可在执行腔室内部的清洗工艺的情况下供给清洗气体。

此时，工艺气体需要均匀地分散并供给到基板的上表面，在清洗气体的情况下，为了对腔室内部进行清洗，需要供给到腔室的内侧的边缘为止。

然而，最近液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、等离子显示面板(PlasmaDisplay Panel，PDP)及有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes)等平面显示器逐渐大型化、大面积化，因此对基板供给气体的气体供给部与腔室也同样地大面积化或大型化。

在观察这种倾向时，难以使各种气体在大型化的腔室的内侧均匀地分散。

通常，在考虑到清洗气体的自由基(radical)反应机制、生命周期(lift-cycle)等时，因所述清洗气体的慢的反应速度及时间延迟，在当从腔室的中央供给所述清洗气体到大面积、大型化的基板处理装置的腔室的最外围边缘为止进行清洗的情况下存在困难。

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明为了解决如上所述的问题点，目的在于提供一种在向执行针对大面积基板的工艺的大型腔室的内侧供给各种气体的情况下，可使气体均匀地分散的气体供给单元。

另外，本发明的目的在于提供一种可根据腔室的处理工艺或根据供给的气体的种类而使气体在挡板单元中分散的区域不同的气体供给单元。

进而，本发明的目的在于提供一种可在进行沉积工艺的情况下通过挡板单元的中央部区域或周边区域供给沉积气体，在进行清洗工艺的情况下通过挡板单元的周边区域供给清洗气体的气体供给单元。

[解决问题的技术手段]

如上所述的本发明的目的通过气体供给单元来达成，所述气体供给单元包括：背板，设置于腔室内部；簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。

在这里，在所述挡板单元中可形成：中央喷射孔，朝向所述簇射头供给工艺气体；及至少一个周边喷射孔，朝向所述簇射头供给工艺气体或清洗气体，并与所述中央喷射孔隔开。

另外，在所述挡板单元中还可形成：周边喷射流路，使供给所述工艺气体的工艺气体供给线管及供给所述清洗气体的清洗气体供给线管与所述周边喷射孔连接；及中央喷射流路，使所述工艺气体供给线管与所述中央喷射孔连接。

进而，在所述挡板单元中，第一挡板、第二挡板及第三挡板层叠配置，与所述工艺气体供给线管及清洗气体供给线管连接并将所述工艺气体或清洗气体传递到所述周边喷射流路的供给流路形成于所述第一挡板，在所述第二挡板形成与所述供给流路连接的所述周边喷射流路，在所述第三挡板可形成所述中央喷射孔、与所述中央喷射孔连接的中央喷射流路、与所述周边喷射流路连接的周边喷射孔。

另一方面，所述周边喷射流路可从所述供给流路以放射状延长形成。

在这种情况下，在所述第三挡板中还可形成扩散空间，所述扩散空间通过分隔壁与所述中央喷射孔划分开来并包围所述中央喷射孔，且通过贯通孔与所述中央喷射孔连通，所述中央喷射流路可与所述扩散空间连接而供给所述工艺气体。

另一方面，所述背板与挡板单元可构成为一个部件。

[发明的效果]

根据具有所述构成的本发明，在向执行针对大面积基板的工艺的大型腔室的内侧供给各种气体的情况下，可使气体均匀地分散。

另外，根据本发明，可根据腔室的处理工艺或根据供给的气体的种类而使气体在挡板单元中分散的区域不同。例如，可在进行沉积工艺的情况下，通过挡板单元的中央部区域或周边区域供给沉积气体，在进行清洗工艺的情况下通过挡板单元的周边区域供给清洗气体。

因此，在进行清洗工艺的情况下，也可使清洗气体被充分地供给到腔室的内侧的边缘区域为止，从而明显地提高腔室的清洗效率。

附图说明

图1是包括本发明的一实施例的气体供给单元的基板处理装置的剖面图；

图2是根据本发明的一实施例的挡板单元的结合立体图；

图3是所述挡板单元的分解立体图；

图4是沿图3的‘IV-IV’线的剖面图；

图5是沿图3的‘V-V’线的剖面图；

图6是根据本发明的一实施例的第三挡板的局部平面图；

图7是根据本发明的另一实施例的第三挡板的局部平面图。

[符号的说明]

100：腔室；

200：气体供给单元；

210：背板；

220：簇射头；

310：基座；

500：工艺气体供给源；

550：清洗气体供给源；

700：挡板单元；

710：第一挡板；

730：第二挡板；

750：第三挡板。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施例的气体供给单元的结构详细地进行说明。

图1是包括本发明的气体供给单元200的基板处理装置1000的侧剖面图。

参照图1，所述基板处理装置1000可包括：腔室100，提供针对基板W的处理空间123；及基板支撑单元900，设置于所述腔室100内侧并支撑所述基板W。

另外，所述基板处理装置1000可包括供给工艺气体或清洗气体的气体供给单元200。

首先，所述基板处理装置1000可包括提供处理所述基板W的处理空间123的腔室100。

所述腔室100可包括腔室本体120、及对所述腔室本体120的被开口的上部进行密封的腔室顶盖110。

在所述腔室100的内部的处理空间123的下部可包括支撑所述基板W的基板支撑单元900。

所述基板支撑单元900安装所述基板W，且可包括通过与下表面中央部连接的驱动杆320沿上下移动的基座310、及从所述基座310的下表面且与所述驱动杆320隔开特定距离而支撑所述基座310的基座支撑部460。

在执行针对所述基板W的工艺期间使用等离子体的情况下，可对所述背板210施加高频电源，在这种情况下，可包括使所述基板支撑单元900接地的接地部(未图示)。

所述接地部可包含将所述基座310与腔室100连接的带子(strap)等。由于所述腔室100保持接地的状态，因此利用所述带子而使基座310与腔室100电连接，从而使基座310接地。

另一方面，所述基板W可安装于所述基座310的上表面。在这种情况下，在所述基座310的下表面中央部连接驱动杆320，所述驱动杆320使所述基座310沿上下按照预先决定的距离移动。

所述驱动杆320以如下方式配置：贯通所述腔室100的基底121并延长，并在所述腔室100的外侧被第一波纹管330包围。例如，所述驱动杆320的下端部与第一波纹管330的下端部可与驱动板340连接，由此可保持所述腔室100内部的真空状态。

所述驱动杆320使下端部的所述驱动板340与如马达(motor)等驱动源(未图示)连接而沿上下移动，由此使所述基座310也沿上下移动。

在执行如沉积工艺等针对所述基板W的处理工艺的情况下，使所述基座310朝向所述簇射头220上升，此时所述基座310与所述簇射头220之间的距离可预先确定，由此决定所述基座310的上升高度。

然而，液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、等离子显示面板(PlasmaDisplay Panel,PDP)及有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)等平面显示器逐渐大型化、大面积化，由此位于腔室100的背板210、簇射头220及基座310也大面积化。

如上所述，在随着平面显示器的大型化、大面积化，所述基座310的大小也大型化、大面积化的情况下，所述基座310的负荷也增加。

因此，如上所述，若由位于所述基座310的中央部下表面的驱动杆320支撑经大面积化的基座，则所述基座310的边缘区域会朝向下下垂。在这种情况下，安装于所述基座310的所述基板W与所述簇射头220之间的距离变化，从而沉积到所述基板W的薄膜的品质会下降。

为了解决此种问题点，可设置支撑所述基座310的下表面的基座支撑部460。

所述基座支撑部460可包括支撑所述基座310的下表面的多个支撑杆400A、400B、及与所述支撑杆400A、400B的下端部连接并沿上下移动的支撑板440。

所述多个支撑杆400A、400B的上端部支撑所述基座310的下表面，此时与所述驱动杆320按照预先决定的距离隔开而支撑所述基座310的下表面。

另外，为了防止所述基座310向任一侧方向倾斜，优选为所述多个支撑杆400A、400B以所述驱动杆320为中心对称地配置来支撑所述基座310。

例如，所述多个支撑杆400A、400B的下端部以如下方式配置：贯通所述腔室100的基底121并延长，并在所述腔室100的外侧被第二波纹管420A、420B包围。例如，所述支撑杆400A、400B的下端部与所述第二波纹管420A、420B的下端部可与支撑板440连接，由此可保持所述腔室100内部的真空状态。

使所述支撑板440与如马达等驱动源(未图示)连接而沿上下移动，由此所述支撑杆400A、400B也沿上下移动。

在这种情况下，所述支撑板440可配置在所述腔室100的外部沿上下移动。

另一方面，在所述腔室100的内部，可包括根据如沉积工艺或清洗工艺等处理工艺供给工艺气体或清洗气体的气体供给单元200。

所述气体供给单元200可包括：背板210，设置于所述腔室100内部；簇射头220，与所述背板210的下部隔开设置并朝向所述腔室100内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元700，设置于所述背板210与所述簇射头220之间，通过中央部供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或清洗气体；以及工艺气体供给源500与清洗气体供给源550，所述工艺气体供给源500朝向所述挡板单元700供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源550朝向所述挡板单元700供给所述清洗气体。

所述簇射头220在所述背板210的下部与所述背板210按照预先决定的距离隔开配置。因此，可在所述簇射头220与所述背板210之间形成间隔空间部230。在这种情况下，从所述挡板单元700供给的工艺气体及清洗气体经过所述间隔空间部230并通过所述簇射头220朝向所述基板W供给。

另一方面，可在所述簇射头220形成微细的大小的多个贯通孔222。供给到所述间隔空间部230的工艺气体及清洗气体通过所述贯通孔222朝向所述基板W供给。

另一方面，为了保持沉积到基板W上的沉积膜的均匀度，所述簇射头220与装载有所述基板W的基座310实质上并排地平行地配置，且还可适当地调节与所述基板W的间隔。

在根据本发明的基板处理装置1000中，在执行针对所述基板W的各种工艺、例如沉积工艺等的情况下，可通过外部的高频施加部600施加高频电源，将工艺气体活性化并供给到所述基板W。

在这种情况下，可在所述的背板210连接所述高频施加部600而起到上部电极的作用，且基板支撑单元900的基座310可接地而起到下部电极的作用。

然而，如上所述，随着平面显示器大型化及大面积化，需要稳定地支撑经大面积化的背板210与簇射头220。为此，所述背板210可与所述腔室本体120的内壁连接来支撑。

例如，在所述腔室本体120的内壁可通过突出形成的突出部122支撑所述背板210的边缘，且所述簇射头220可与所述背板210的下表面按照预先决定的距离隔开而连接。

另一方面，随着平面显示器大型化及大面积化，所述背板210与簇射头220也同样地大面积化。在这种情况下，在根据利用所述基板处理装置1000的处理工艺将各种气体供给到所述腔室100的内部的情况下，需要均匀地供给。

例如，在所述腔室100内侧配置有基板W并执行针对所述基板W的沉积工艺的情况下，需要朝向所述基板W均匀地供给工艺气体。

另外，在为了去除所述腔室100内壁或基座310的外壁的粒子(particle)等而执行清洗工艺的情况下，将清洗气体供给到所述腔室100的内侧，此时，需要使所述清洗气体在短时间内均匀地分散并供给到所述腔室100的内侧的边缘或隅角。

然而，通常在考虑到清洗气体的自由基(radical)反应机制、生命周期(lift-cycle)等时，因所述清洗气体的慢的反应速度及时间延迟，在当从腔室的中央供给所述清洗气体到大面积、大型化的基板处理装置的腔室的内侧边缘为止进行清洗的情况下存在困难。

因此，所述清洗气体的情况，若仅通过所述簇射头220的中央部供给，则会不能供给到所述腔室100的内侧的外周或边缘为止或相对地花费大量时间。

因此，本发明的气体供给单元200的情况为了解决这种问题点，可根据所述腔室100的处理工艺或根据欲通过所述气体供给单元200供给的气体的种类而使在所述挡板单元700中供给气体的区域不同。

即，在对配置于所述腔室100的内侧的基板W执行沉积工艺的情况下，通过所述挡板单元700的下表面中央部区域或周边区域朝向所述簇射头220供给所述工艺气体。

反之，在执行用于清洗所述腔室100的清洗工艺的情况下，通过所述挡板单元700的下表面周边区域而使所述清洗气体朝向所述簇射头220供给。

在供给所述清洗气体的情况下，通过所述挡板单元700的下表面周边区域供给所述清洗气体，并使所述清洗气体通过所述簇射头220在所述腔室100的内侧均匀地分散到边缘为止。

另一方面，所述挡板单元700可设置于所述背板210与所述簇射头220之间，与所述簇射头220按照预先决定的距离隔开设置。例如，如图所示，可埋置于所述背板210的下表面来配置。

图2是根据本发明的一实施例的挡板单元700的结合立体图，图3是所述挡板单元700的分解立体图。

参照图2及图3，在所述挡板单元700中可形成：中央喷射孔760，朝向所述簇射头220供给工艺气体；及至少一个周边喷射孔754，朝向所述簇射头220供给工艺气体或清洗气体，并与所述中央喷射孔760隔开。

即，通过形成于所述挡板单元700的下表面中央部的所述中央喷射孔760朝向所述簇射头220供给工艺气体。另外，可通过与所述挡板单元700的所述中央喷射孔760隔开形成的至少一个周边喷射孔754供给所述工艺气体或清洗气体。

在这种情况下，所述周边喷射孔754能够以如下方式配置：与所述中央喷射孔760隔开特定距离，并比所述中央喷射孔760更邻接于所述腔室100的内侧边缘。因此，在供给所述清洗气体的情况下，通过所述挡板单元700的下表面周边喷射孔754供给所述清洗气体，并使所述清洗气体通过所述簇射头220在所述腔室100的内侧均匀地分散到边缘为止。

另一方面，所述工艺气体可通过所述的中央喷射孔760供给或通过周边喷射孔754供给。

例如，在所述工艺气体以气体状态供给或所述工艺气体的扩散速度相对快的情况下，可仅通过所述中央喷射孔760来供给。其原因在于，在这种情况下，即便仅通过所述中央喷射孔760供给所述工艺气体，也可在快的时间内使所述工艺气体充分地供给到所述基板W的整体面积。

如上所述，在仅通过所述中央喷射孔760供给所述工艺气体的情况下，将所述工艺气体仅供给到中央区域并在除中央部以外的周边区域供给清洗气体。因此，供给工艺气体的流路与供给清洗气体的流路完全分离。根据现有技术，工艺气体与清洗气体共用流路而产生生成粒子的问题点，但在本案发明中，可防止产生由工艺气体与清洗气体的混合生成的粒子。

反之，在所述工艺气体以液体状态供给或所述工艺气体的扩散速度相对慢的情况下，若仅通过所述中央喷射孔760来供给，则供给到所述基板W的整体面积会需要相当长的时间。因此，在这种情况下，可通过所述周边喷射孔754供给所述工艺气体，从而减少将所述工艺气体供给到所述基板W的整体面积的时间。

进而，在如所述工艺气体的扩散速度极慢的情况的必要的情况下，可通过所述中央喷射孔760及周边喷射孔754全部供给所述工艺气体。在这种情况下，可明显减少将所述工艺气体供给到所述基板W的整体面积的时间。

另一方面，在所述挡板单元700中可形成：周边喷射流路731，使供给所述工艺气体的工艺气体供给线管510及供给所述清洗气体的清洗气体供给线管552与所述周边喷射孔754连接；及中央喷射流路758，使所述工艺气体供给线管510与所述中央喷射孔760连接。

具体而言，从供给所述工艺气体的工艺气体供给源500延长的工艺气体供给线管510朝向所述挡板单元700供给工艺气体。

在这种情况下，所述工艺气体供给线管510可分支为第一供给线管512(参照图1)与第二供给线管520(参照图1)。

所述第一供给线管512通过所述挡板单元700的上表面中央部与所述周边喷射流路731连接，并通过所述周边喷射孔754供给所述工艺气体。

另一方面，所述第二供给线管520可通过所述挡板单元700的侧面部与所述中央喷射流路758连接，并通过所述中央喷射孔760供给所述工艺气体。

在这种情况下，在所述第一供给线管512与第二供给线管520可分别设置可调节所述工艺气体的供给的阀(valve)(未图示)。因此，通过调节所述阀，可通过所述第一供给线管512及所述第二供给线管520中的任一者供给工艺气体，或者通过所述第一供给线管512与第二供给线管520两者全部供给工艺气体。

另外，从供给所述清洗气体的清洗气体供给源550延长的清洗气体供给线管552通过所述挡板单元700的上表面中央部与所述周边喷射流路731连接，并通过所述周边喷射孔754供给所述清洗气体。

此时，所述清洗气体供给源550包括远程等离子体源(Remote Plasma Source，RPS)(未图示)，可在供给所述清洗气体的情况下使其活性化来供给。

另一方面，所述挡板单元700也可形成为一个部件。进而，所述背板210与挡板单元700也可形成为一个部件。在所述背板210与挡板单元700形成为一个部件的情况，所述气体供给单元200可包含背板210与簇射头220并保持简单的构成。

但是，在这种情况下，将所述周边喷射流路731与中央喷射流路758分别与周边喷射孔754及中央喷射孔760连接的作业工艺会非常困难且费力。

因此，在本实施例的所述气体供给单元200的情况，所述背板210与挡板单元700能够以可拆卸的方式连接。另外，所述挡板单元700的情况包括多个挡板710、730、750，所述多个挡板710、730、750可沿垂直方向层叠来配置。

例如，所述挡板单元700可具有使第一挡板710、第二挡板730及第三挡板750沿垂直方向层叠配置的组装体(assembly)结构。在这种情况下，构成所述挡板单元700的挡板的个数仅列举一例进行说明，可适当地进行变形调节。

具体而言，所述第一挡板710位于最上部，所述第三挡板750位于最下部并与所述簇射头220相对。所述第二挡板730位于所述第一挡板710与第三挡板750之间。

如上所述，在多个挡板710、730、750以层叠配置的组装体结构构成所述挡板单元700的情况下，将所述周边喷射流路731与中央喷射流路758分别与周边喷射孔754及中央喷射孔760连接的作业工艺可容易地执行。

图4是沿图3的‘IV-IV’线的所述挡板单元700的剖面图。

参照图3及图4，与所述第一供给线管512及清洗气体供给线管552连接并将所述工艺气体或清洗气体传递到所述周边喷射流路731的供给流路712可形成于所述第一挡板710。

所述供给流路712可形成于所述第一挡板710的中央部。在这种情况下，所述供给流路712可贯通所述第一挡板710而形成。所述供给流路712可与位于所述第一挡板710的下方的第二挡板730的所述周边喷射流路731连接。

另一方面，所述周边喷射流路731形成于所述第二挡板730。所述周边喷射流路731与所述供给流路712连接，并将从所述供给流路712供给的工艺气体或清洗气体传递到所述第三挡板750的周边喷射孔754。

在这种情况下，所述周边喷射流路731可由至少一个延长喷射流路732与连接喷射流路734形成，其中所述至少一个延长喷射流路732与所述供给流路712连接并从所述供给流路712以放射状延长形成，所述连接喷射流路734在所述延长喷射流路732的端部与所述第三挡板750的周边喷射孔754连接。

所述至少一个延长喷射流路732可从所述第二挡板730以中央部为中心并以放射状延长形成。于附图中，所述延长喷射流路732图示为4个，但并不限定于此而可适当地进行变形。

所述至少一个延长喷射流路732可在所述第二挡板730的上表面形成并制造凹陷部。即，所述第一挡板710的下表面与所述第二挡板730上表面的凹陷部之间的空间可形成所述延长喷射流路732。

在图4中，所述延长喷射流路732沿水平方向延长形成，但并不限定于此，也可以具有预先决定的倾斜度的方式倾斜形成。

例如，所述延长喷射流路732的基底可以朝向所述连接喷射流路734并具有预先决定的倾斜度的方式向下倾斜形成。在这种情况下，在通过所述延长喷射流路732将所述工艺气体或清洗气体供给到所述连接喷射流路734的情况下，可减少流动阻力而更平稳地供给。

另一方面，所述连接喷射流路734以在所述延长喷射流路732的端部与所述第三挡板750的周边喷射孔754连接的方式形成。

在图4中，所述连接喷射流路734沿垂直方向形成，但并不限定于此，也可以具有预先决定的倾斜度的方式倾斜并与所述周边喷射孔754连接。

另一方面，在所述第三挡板750可形成所述中央喷射孔760、周边喷射孔754及中央喷射流路758。

图5是沿图3的‘V-V’线的所述挡板单元700的剖面图。

参照图3及图5，在所述第三挡板750的中央部形成所述中央喷射孔760，并与所述中央喷射孔760按照预先决定的距离隔开而形成多个周边喷射孔754。

如上所述，所述周边喷射孔754与所述第二挡板730的所述周边喷射流路731连接，更具体而言与所述连接喷射流路734连接。

另一方面，将工艺气体供给到所述中央喷射孔760的所述中央喷射流路758形成于所述第三挡板750。

在这种情况下，所述中央喷射流路758从所述第三挡板750的侧面部向内侧延长形成而将工艺气体供给到所述中央喷射孔760。

此时，若所述中央喷射流路758与所述中央喷射孔760直接连接，则从所述中央喷射流路758供给的工艺气体可从所述中央喷射孔760的内部向一侧倾斜供给。此情况会使沉积于所述基板W的薄膜厚度的均匀度下降。

因此，本实施例的情况，所述中央喷射流路758并不与所述中央喷射孔760直接连接而经过扩散空间连接。

图6是根据本发明的一实施例的第三挡板750的局部平面图。

参照图5及图6，在所述第三挡板750中还形成扩散空间762，所述扩散空间762通过分隔壁763与所述中央喷射孔760划分开来并包围所述中央喷射孔760，且通过贯通孔766与所述中央喷射孔760连通。

所述扩散空间762形成为圆形或环形以包围所述中央喷射孔760。此时，所述扩散空间762可通过所述分隔壁763与所述中央喷射孔760划分开来。在所述分隔壁763形成多个贯通孔766，通过所述贯通孔766使所述扩散空间762与所述中央喷射孔760彼此连通。

因此，通过所述中央喷射流路758供给的工艺气体首先被供给到所述扩散空间762并向所述扩散空间762的内侧扩散。分散到所述扩散空间762的内侧的工艺气体通过所述贯通孔766流入到所述中央喷射孔760。

此时，所述扩散空间762形成为圆形并以包围所述中央喷射孔760的方式配置。因此，通过所述贯通孔766供给到所述中央喷射孔760的工艺气体在所述中央喷射孔760的内部可并不向一侧倾斜供给而均匀地分散流入。

另一方面，在图6的实施例中，所述中央喷射流路758朝向所述扩散空间762或所述中央喷射孔760的中央部沿直径方向与所述扩散空间762连接。

在这种情况下，通过所述中央喷射流路758供给的工艺气体与所述分隔壁763在垂直方向上相遇而使所述工艺气体的喷射速度减小。在这种情况下，可在所述扩散空间762的内侧减小所述工艺气体的分散程度。

图7是用以解决如上所述的问题点的根据本发明的另一实施例的第三挡板750的局部平面图。

参照图7，在本发明的情况下，在所述中央喷射流路758与所述扩散空间762连接的情况下，可沿圆形的扩散空间762的切线方向与所述中央喷射流路758连接。

在这种情况下，通过所述中央喷射流路758供给的工艺气体与所述分隔壁763不在垂直方向上相遇，且可在不使所述工艺气体的喷射速度减小的状态下使所述工艺气体分散到所述扩散空间762。在这种情况下，可在所述扩散空间762的内侧使所述工艺气体更均匀地分散，从而将所述工艺气体均匀地供给到所述中央喷射孔760。

在所述中，参照本发明的优选的实施例进行说明，但相应技术领域的普通技术人员可在不脱离以下叙述的权利要求中记载的本发明的思想及领域的范围内，对本发明实施各种修正及变更。因此，若经变形的实施基本包含本发明的权利要求的构成要素，则应视为均包含于本发明的技术范畴内。

Claims (7)

1.一种气体供给单元，其特征在于，包括：

背板，设置于腔室内部；

簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；

挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及

工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。

2.根据权利要求1所述的气体供给单元，其特征在于：

所述挡板单元包括：

中央喷射孔，朝向所述簇射头供给所述工艺气体；及

至少一个周边喷射孔，朝向所述簇射头供给所述工艺气体或所述清洗气体，并与所述中央喷射孔隔开。

3.根据权利要求2所述的气体供给单元，其特征在于：

所述挡板单元还包括：

周边喷射流路，使供给所述工艺气体的工艺气体供给线管及供给所述清洗气体的清洗气体供给线管与所述周边喷射孔连接；及

中央喷射流路，使所述工艺气体供给线管与所述中央喷射孔连接。

4.根据权利要求3所述的气体供给单元，其特征在于：

在所述挡板单元中，第一挡板、第二挡板及第三挡板层叠配置，

与所述工艺气体供给线管及所述清洗气体供给线管连接并将所述工艺气体或所述清洗气体传递到所述周边喷射流路的供给流路形成于所述第一挡板，

在所述第二挡板形成与所述供给流路连接的所述周边喷射流路，

在所述第三挡板形成所述中央喷射孔、与所述中央喷射孔连接的所述中央喷射流路、与所述周边喷射流路连接的所述周边喷射孔。

5.根据权利要求4所述的气体供给单元，其特征在于：

所述周边喷射流路从所述供给流路以放射状延长形成。

6.根据权利要求4所述的气体供给单元，其特征在于：

在所述第三挡板中还包括扩散空间，所述扩散空间通过分隔壁与所述中央喷射孔划分开来并包围所述中央喷射孔，且通过贯通孔与所述中央喷射孔连通，

所述中央喷射流路与所述扩散空间连接来供给所述工艺气体。

7.根据权利要求1所述的气体供给单元，其特征在于：

所述背板与所述挡板单元构成为一个部件。

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