KR20160136019A - 서셉터 및 이를 구비하는 웨이퍼 증착장치 - Google Patents

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주식회사 케이씨텍
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Abstract

웨이퍼에 증착량을 동일하게 형성시킬 수 있는 서셉터 및 이를 구비하는 웨이퍼 증착장치가 개시된다. 세미배치(semibatch) 방식의 원자층 증착장치용 서셉터는 오목부가 형성된 바디부, 오목부 내부에 구비되되, 오목부의 표면에서 이격되게 배치되어 웨이퍼를 안착하는 안착부, 안착부의 하부에 구비되며, 안착부가 오목부의 표면에 대해 경사지도록 안착부를 틸팅시키는 틸팅부를 포함할 수 있다.

Description

서셉터 및 이를 구비하는 웨이퍼 증착장치{SUSCEPTOR AND WAFER DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 서셉터에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 웨이퍼에 증착량을 동일하게 형성시킬 수 있는 서셉터 및 이를 구비하는 웨이퍼 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼나 글래스 등의 웨이퍼 상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등을 이용한 박막 제조 방법이 사용된다.
반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐으로써 미세 패턴의 박막이 요구되었고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커지게 되었다. 이에 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스템 커버리지(step coverage)가 우수한 단원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법의 사용이 증대되고 있다.
원자층 증착(ALD) 방법은 기체 분자들 간의 화학 반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착 방법과 유사하다. 하지만, 통상의 화학 기상 증착(CVD) 방법이 다수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 웨이퍼의 상방에서 발생된 반응 생성물을 웨이퍼에 증착하는 것과 달리, 원자층 증착 방법은 하나의 기체 물질을 프로세스 챔버 내로 주입한 후 이를 퍼지(purge)하여 가열된 웨이퍼의 상부에 물리적으로 흡착된 기체만을 잔류시키고, 이후 다른 기체 물질을 주입함으로써 웨이퍼의 상면에서만 발생되는 화학 반응 생성물을 증착한다는 점에서 상이하다. 이러한 원자층 증착 방법을 통해 구현되는 박막은 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 구현하는 것이 가능한 장점을 가지고 있어 현재 널리 각광받고 있다.
한편, 복수장의 웨이퍼에 동시에 박막을 증착할 수 있는 세미배치 타입(semi-batch type)의 웨이퍼 증착장치가 개시되어 있다. 기존 세미배치 타입의 웨이퍼 증착장치는 서셉터 상에 복수장의 웨이퍼가 원주 방향을 따라 방사상으로 배치되고 서셉터가 회전함에 따라 웨이퍼 상으로 소스가스가 순차적으로 분사되면서 증착 공정이 수행된다.
그런데, 웨이퍼의 위치에 따른 증착량이 달라지는 문제가 있으며, 이는 웨이퍼의 불량을 야기하는 요인으로 작용한다.
따라서, 웨이퍼의 증착량을 동일하게 형성시키는 장치 개발이 필요한 실정이다.
본 발명의 목적은 웨이퍼의 증착량을 동일하게 형성시키는 서셉터 및 이를 구비하는 웨이퍼 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 서셉터에 대하여 설명한다. 세미배치(semibatch) 방식의 원자층 증착장치용 서셉터에 있어서, 오목부가 형성된 바디부, 오목부 내부에 구비되되, 오목부의 표면에서 이격되게 배치되어 웨이퍼를 안착하는 안착부, 안착부의 하부에 구비되며, 안착부가 오목부의 표면에 대해 경사지도록 안착부를 틸팅시키는 틸팅부를 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 틸팅부는 안착부의 하부에 구비되며 오목부 내측면에 힌지부를 구비할 수 있으며, 힌지부는 힌지축에 구비되며, 힌지축은 바닥부에 구비될 수 있다.
일 측에 따르면, 바디부는 오목부와 안착부 사이로 가스를 분사하는 분사부를 더 포함하며, 분사부는 가스를 분사하여, 오목부로부터 안착부를 띄우도록 구성될 수 있다.
일 측에 따르면, 분사부는 바디부의 일측에 가스를 안착부 방향으로 유동시키는 안내유로 형태의 제1안내부를 더 포함하며, 제1안내부는 상기 바디부 내측에 구비되어, 분사부로부터의 가스의 진행방향을 바꾸도록 구성될 수 있다.
바디부의 일측은 제2안내부가 형성되며, 제2안내부는 제1안내부와 마주하도록 구성될 수 있다. 제1안내부 혹은 제2안내부는 오목부가 형성된 바닥부의 측벽에 형성될 수 있다.
일 측에 따르면, 오목부의 내측면과 안착부 사이가 이격되도록 구성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 원자층 증착장치에 대하여 설명한다. 복수장의 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버, 프로세스 챔버 내에 구비되어 복수장의 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 프로세스 챔버 상부에 구비되어 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드, 및 프로세스 챔버 내에 구비되어 증착가스를 배출하는 배기부를 포함하고, 서셉터는 오목부가 형성된 바디부, 오목부 내부에 구비되되, 오목부의 표면에서 이격되게 배치되어 웨이퍼를 안착하는 안착부, 안착부의 하부에 구비되며, 안착부가 오목부의 표면에 대해 경사지도록 안착부를 틸팅시키는 틸팅부를 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 틸팅부는 안착부의 하부에 구비되며 오목부 내측면에 힌지부를 구비할 수 있으며, 힌지부는 힌지축에 구비되며, 힌지축은 오목부의 바닥부 중앙에 구비될 수 있다.
일 측에 따르면, 바디부는 오목부와 안착부 사이로 가스를 분사하는 분사부를 더 포함하며, 분사부는 가스를 분사하여, 오목부로부터 안착부를 띄우도록 구성될 수 있다.
일 측에 따르면, 분사부는 바디부의 일측에 가스를 안착부 방향으로 유동시키는 안내유로 형태의 제1안내부를 더 포함하며, 제1안내부는 바디부 내측에 구비되어, 분사부로부터의 상기 가스의 진행방향을 바꾸도록 구성될 수 있다. 바디부의 일측은 제2안내부가 형성되며, 제2안내부는 제1안내부와 마주하도록 구성될 수 있다. 제1안내부 혹은 제2안내부는 오목부가 형성된 바닥부의 측벽에 형성될 수 있다.
일 측에 따르면, 오목부는 안착부를 수용하며, 오목부는 안착부보다 크게 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼의 일측은 배기부와 근접 타측은 분사부와 근접하여도, 웨이퍼가 기울어지게 형성되어, 위치를 다르게함으로써, 웨이퍼에 증착량이 한쪽으로만 치우치는 문제를 줄일 수 있다.
또한, 웨이퍼가 어느 한쪽과 연결되어 고정된 구성이 아닌, 안착부가 바디붑로부터 띄우도록 구성됨으로써, 증착량을 고루 분배할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 힌지부가 작동되는 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 종단면도이다.
도 4는 서셉터에 홀이 형성된 것을 나타낸 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 종단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 힌지부가 작동되는 상태를 도시한 단면도이다.
이하에서는 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치(100)에 대해 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 증착장치(100)는 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버((110), 프로세스 챔버(110) 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터(120), 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드(130), 및 샤워헤드(130)로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(140), 가스를 외부로 배출하는 배기부(160)를 포함한다.
웨이퍼는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼는 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리를 포함하는 투명 웨이퍼일 수 있다. 또한, 웨이퍼는 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
프로세스 챔버(110)는 웨이퍼를 수용하여 증착 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 프로세스 챔버(110) 내에는 웨이퍼가 안착되는 서셉터(120)가 배치되며, 샤워헤드(130)는 웨이퍼에 증착가스를 분사하도록 구성될 수 있다.
서셉터(120)는 프로세스 챔버(110) 내에 구비되고, 복수장의 웨이퍼가 안착된다. 여기서, 서셉터(120)는 스루풋(throughput)이 우수한 세미배치(semi-batch) 타입으로서, 복수장의 웨이퍼를 동시에 수용하여 증착 공정이 수행될 수 있도록, 웨이퍼의 일면이 서셉터(120) 상면에 안착되되 서셉터(120)의 원주방향을 따라 방사상으로 배치된다. 예를 들어, 서셉터(120)는 6장의 웨이퍼가 서로 소정 간격 이격되어 안착될 수 있다.
서셉터(120) 하부에는 서셉터(120)의 회전을 위한 구동축(150)이 구비되어 서셉터(120)를 회전시킴에 따라 서셉터(120)의 중심점을 기준으로 웨이퍼가 공전하게 된다. 또한, 구동축(150)은 서셉터(120)를 프로세스 챔버(110) 내에서 소정 거리 상하로 승강 이동시킨다.
샤워헤드(130)는 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어 서셉터(120)에 안착된 웨이퍼 표면으로 증착가스를 제공한다.
증착가스는 웨이퍼 표면에 형성하고자 하는 박막을 구성하는 물질이 포함된 소스가스와 소스가스의 퍼지를 위한 퍼지가스를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따르면 소스가스로서 웨이퍼 표면에서 서로 반응하여 박막 물질을 형성하는 서로 다른 종류의 가스가 사용되고, 퍼지가스로는 소스가스, 웨이퍼 및 웨이퍼 상에 형성된 박막과 화학적으로 반응하지 않는 안정한 가스가 사용된다.
샤워헤드(130) 일 측에는 샤워헤드(130)로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(140)가 연결될 수 있다.
서셉터(120)는 홈 형태의 복수개의 오목부(121)가 원형의 둘레로 형성된 바디부(123)와, 오목부(121)에 구비되는 안착부(124), 안착부(124)를 틸팅시키는 틸팅부(180)를 포함할 수 있다. 여기에서, 틸팅부(180)는 안착부(124)를 틸팅시키는 힌지부(128), 힌지축(127)을 포함할 수 있다.
안착부(124)의 상부에는 웨이퍼가 안착될 수 있으며, 안착부(124)의 상면이 바디부(123)의 표면보다 낮게 형성되며, 이에 의해, 구동축에 따른 서셉터(120)의 회전에 대해 웨이퍼가 안착부(124)에 안정적으로 안착되도록 구성이 가능하다.
안착부(124)의 하단에는 힌지형태로 안착부(124)를 구동시키는 힌지부(128)와, 힌지부(128)를 지지하는 힌지축(127)이 구비될 수 있다. 힌지축은 오복부(121)의 바닥부의 중앙에 구비될 수 있다.
안착부(124)는 힌지부(128)에 의하여, 0˚ 내지180˚각도로 기울어지도록 구성되어, 웨이퍼를 경사지는 형태로 구동시킬 수 있다.
샤워헤드(130)로부터 웨이퍼에 분사된 증착가스가 챔버내에 구비된 배기부(160)의 배출홀부(161)를 통해 가스가 외부로 배출되도록 구성되는데, 웨이퍼의 증착량은 안착부(124)에 구비된 웨이퍼 배치된 위치마다 다를 수 있다. 특히, 배기부(160)와 근접한 웨이퍼의 증착량은 배기부(160)와 근접유무에 따라 다르게 형성될 수 있다.
예를들어, 웨이퍼의 일측은 배기부(160)와 근접, 타측은 분사부재(151)와 근접할 시, 웨이퍼의 양끝단의 증착량이 각각 다르게 형성되는 문제점이 발생할 수 있는데, 이를 안착부(124)에 구비된 힌지부(128)가 소정각도 기울어지게 구성되어, 웨이퍼를 틸팅시켜, 웨이퍼의 증착량이 달라지는 문제를 줄일 수 있도록 구성이 가능하다.
샤워헤드(130)로부터 분사된 가스가 웨이퍼에 증착될 시, 웨이퍼의 일측에 배치된 배기부(160)가 작동하여, 웨이퍼의 가장자리의 증착량이 각각 달라지는 문제점을 웨이퍼를 경사지게 구동함으로써, 증착량을 동일하게 형성시킬 수 있다.
여기에서, 배기부(160)는 항상 작동되지만, 배기부(160)가 기설정된 이상으로 강한 흡입력의 형태로 작동할 시, 힌지부(128)는 분사부재(151)와 근접한 안착부(124)를 들어올려, 배기부(160)와 근접한 안착부(124)의 높이를 낮게 구동하여, 소정각도 경사진 형태로 구성할 수 있다.
반대로, 배기부(160)의 작동이 기설정된 이하로 작동될 시, 힌지부(128)는 반대방향으로 구동시켜, 분사부재(151)과 근접한 안착부(124)를 낮게, 배기부(160)와 근접한 안착부(124)를 높게 구동시킬 수 있다.
힌지부(128)는 배기부(160)의 작동과 무관하게, 기설정된 시간에 따라, 안착부(124)를 경사지게 구동시키도록 구성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 증착장치의 종단면도이며, 도 4는 서셉터에 홀이 형성된 것을 나타낸 단면도이다. 이를 참조하여 설명한다.
웨이퍼 증착장치(200)는 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버(110), 프로세스 챔버(110) 내에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터(120), 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드(130), 및 샤워헤드(130)로 증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(140), 가스를 외부로 배출하는 배기부(160)를 포함한다.
서셉터(120)는 프로세스 챔버(110) 내에 구비되고, 복수장의 웨이퍼가 안착된다. 여기서, 서셉터(120)는 스루풋(throughput)이 우수한 세미배치(semi-batch) 타입으로서, 복수장의 웨이퍼를 동시에 수용하여 증착 공정이 수행될 수 있도록, 웨이퍼의 일면이 서셉터(120) 상면에 안착되되 서셉터(120)의 원주방향을 따라 방사상으로 배치된다. 예를 들어, 서셉터(120)는 6장의 웨이퍼가 서로 소정 간격 이격되어 안착될 수 있다.
서셉터(120) 하부에는 서셉터(120)의 회전을 위한 구동축(150)이 구비되어 서셉터(120)를 회전시킴에 따라 서셉터(120)의 중심점을 기준으로 웨이퍼가 공전하게 된다. 구동축(150)은 서셉터(120)를 프로세스 챔버(110) 내에서 소정 거리 상하로 승강 이동시킨다. 구동축(150)의 상단에는 분사부재(151)가 구비될 수 있다.
증착가스를 공급하는 증착가스 공급부(140)와 연결된 샤워헤드(130)는 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어 서셉터(120)에 안착된 웨이퍼 표면으로 증착가스를 분사하도록 구성될 수 있다. 증착가스는 웨이퍼 표면에 형성하고자 하는 박막을 구성하는 물질이 포함된 소스가스와 소스가스의 퍼지를 위한 퍼지가스를 포함할 수 있다.
서셉터(120)는 홈 형태의 복수개의 오목부(121)가 원형의 둘레로 형성된 바디부(123)와, 오목부(121)에 수용되는 안착부(124), 안착부(124)를 틸팅시키는 틸팅부(180)를 포함할 수 있다. 여기에서, 틸팅부(180)는 바디부(123)의 분사부(122)로부터 안착부에 가스를 분사하여, 안착부를 들어올리는 형태일 수 있다.
바디부(123)에 형성된 오목부(121)는 안착부(124)보다 크게 형성될 수 있으며, 오목부의 내측면과 안착부 사이가 이격되도록 구성될 수 있다.
안착부(124)의 형태와, 오목부(121)의 형상은 대응되도록 구성이 가능하다.
바디부(123)는 복수개의 오목부(121), 오목부(121)의 중앙에 구비된 분사부재(151), 분사부재(151)의 측단에 개구부 혹은 홀 형태로 형성된 분사부(122)로 구성될 수 있다.
여기에서, 분사부재(151)는, 질소가스를 제공하는 주입부(170), 주입부(170)로부터 안착부(124)에 가스를 유동시키는 안내유로 형태의 안내관부(171), 안내관부(171)를 통과하여, 안착부(124)가 배치된 방향으로 가스를 안내하는 제1안내부(125), 제1안내부로부터 가스를 분사하는 분사부(122)를 포함할 수 있다.
제1안내부(125)와 마주하는 자리에 제2안내부(126)가 형성될 수 있으며, 바디부에 구비된 홈의 측벽에는 1안내부(125), 제2안내부(126)가 형성될 수 있다.
여기에서의 오목부(121)의 측벽은 분사부재(151)의 외측면, 서셉터의 내측면일 수 있다.
제2안내부(125)는 안착부(124) 주변으로부터, 서셉터(120) 외측방향으로 관통되도록 홀이 형성될 수 있다. 제2안내부(125)의 형태는 수평형태의 홀, 소정각도 경사진 홀의 형태로 구성이 가능하다.
분사부(122)는 관형태의 안내관부(171), 안내관부(171)로부터 가스가 분배되어, 복수개의 개구부 형태의 분사부(122)로 가스를 유동시키는 제1안내부(171)와 연결되어, 가스를 분사하도록 구성될 수 있다.
여기서 제1안내부(125)는 주입부(170)로부터, 안착부(124)쪽을 향하도록 바디부의 측면에 형성될 수 있다. 안내관부(171)와 제1안내부(125)는 서로 연결되도록 구성이 가능하다.
주입부(170)의 질소가스가, 구동축(150) 내에 관 형태로 형성된 안내관부(171)를 타고 유동되어, 수직방향으로 유동하던 가스가 제1안내부(125)에서, 진행방향이 바뀌게 되어, 안착부(124)쪽으로 가스가 분사하도록 구성이 가능하다.
이에, 홈(121)에 안착부(124)는 꽉 끼어진 형태가 아니게 구성되어, 분사부(129)로부터 분사된 공기가 안착부(124) 하단으로 공기가 유동되어, 다시 공기가 상단으로 올라가는 형태로 구성될 수 있다.
제1안내부(125)로 분사된 질소가스는 안착부(124)와 오목부(121) 사이를 타고 유동하여, 제2안내부(125)로 배출되면서, 안착부(124)를 들어올리는 형태로 구성될 수 있다.
이는 오목부(121)에 배치된 안착부가 꽉낀 형태가 아닌, 오목부(121)가 안착부보다 더 크게 형성되어, 질소가스가 바디부의 바닥부까지 내려오면서, 가스가 홈(121)과 안착부 사이로 유동되면서, 오목부(121)의 상단에 구비된 안착부(124)를 들어올린 후에, 가스는 제2안내부(237)로 통과하도록 구성될 수 있다.
상승한 안착부(124)는 바디부(123)의 높이까지만 올라가도록 구성되어, 안착부(124)가 서셉터(120) 외부로 떨어지는 것을 방지하도록 구성이 가능하다.
제2안내부(125)로 배출된 가스는 챔버(110)의 가장자리에 구비된 배기부(160)로 가스가 외부로 배출되도록 구성이 가능하다.
배기부(160)와 근접한 웨이퍼의 증착량은 배기부(160)와 근접유무에 따라 증착량이 다르게 형성되는데, 웨이퍼의 일측은 배기부(160)와 근접, 타측은 분사부(122)과 근접할 시, 웨이퍼의 양끝단의 증착량이 각각 다르게 형성될 수 있는데, 이를 주입부(170)의 작동으로, 질소가스가 제1안내부(125)를 통과하여, 제2안내부(126)로 유동되면서, 안착부(124)를 들어올려, 동시에 웨이퍼를 유동성있게 움직임으로써, 증착량이 달라지는 문제를 줄일 수 있도록 구성될 수 있다.
서셉터(120)에 고정된 안착부(124)보다, 웨이퍼가 유동성있게 회전하고 높이 조절이 가능해짐으로서, 웨이퍼에 증착량을 한쪽에 치우치지 않게 구성이 가능하다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 웨이퍼 증착장치 110: 챔버
120: 서셉터 122: 분사부
124: 안착부 127: 힌지축
128: 힌지부 130: 샤워헤드
140: 증착가스 공급부 150: 구동축
160: 배기부 170: 주입부
171: 안내부

Claims (15)

  1. 세미배치(semibatch) 방식의 원자층 증착장치용 서셉터에 있어서,
    오목부가 형성된 바디부;
    상기 오목부 내부에 구비되되, 상기 오목부의 바닥면에서 이격되게 배치되어 웨이퍼가 안착되는 안착부;
    상기 안착부의 하부에 구비되며, 상기 안착부가 상기 오목부의 바닥면에 대해 경사지도록 상기 안착부를 틸팅시키는 틸팅부;
    를 포함하는 서셉터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 틸팅부는
    상기 안착부의 하부에 구비되며 상기 오목부 내측면에 구비된 힌지부를 더 포함하는 서셉터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 힌지부는 힌지축에 구비되며, 상기 힌지축은 상기 오목부의 바닥면에 구비된 것을 특징으로 하는 서셉터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 바디부는 상기 오목부와 상기 안착부 사이로 가스를 분사하는 분사부를 더 포함하며, 상기 분사부는 상기 가스를 분사하여, 상기 오목부로부터 상기 안착부를 띄우도록 구성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 바디부의 일측에 상기 가스를 상기 안착부 방향으로 유동시키는 안내유로 형태의 제1안내부를 더 포함하며, 상기 제1안내부는 상기 바디부 내측에 구비되어, 상기 분사부로부터 유동되는 상기 가스의 진행방향을 바꾸도록 구성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 바디부의 일측은 제2안내부가 형성되며, 상기 제2안내부는 상기 제1안내부와 마주하도록 구성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1안내부 혹은 상기 제2안내부는 상기 오목부가 형성된 바닥부의 측벽에 형성된 것을 특징으로 하는 서셉터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 오목부의 내측면과 상기 안착부 사이가 이격된 것을 특징으로하는 서셉터.
  9. 복수장의 웨이퍼가 수용되어 증착 공정이 수행되는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 복수장의 웨이퍼가 안착되는 서셉터;
    상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 웨이퍼로 증착가스를 제공하는 샤워헤드; 및
    상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 상기 증착가스를 배출하는 배기부;
    를 포함하고,
    상기 서셉터는,
    오목부가 형성된 바디부;
    상기 오목부 내부에 구비되되, 상기 오목부의 표면에서 이격되게 배치되어 웨이퍼를 안착하는 안착부;
    상기 안착부의 하부에 구비되며, 상기 안착부가 상기 오목부의 표면에 대해 경사지도록 상기 안착부를 틸팅시키는 틸팅부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 틸팅부는
    상기 안착부의 하부에 구비되며 상기 오목부 내측면에 구비된 힌지부를 더 포함하는 원자층 증착장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 힌지부는 힌지축에 구비되며, 상기 힌지축은 상기 오목부의 중앙에 구비된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 바디부는 상기 오목부와 상기 안착부 사이로 가스를 분사하는 분사부를 더 포함하며, 상기 분사부는 상기 가스를 분사하여, 상기 오목부로부터 상기 안착부를 띄우도록 구성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 바디부의 일측에 상기 가스를 상기 안착부 방향으로 유동시키는 안내유로 형태의 제1안내부를 더 포함하며, 상기 제1안내부는 상기 바디부 내측에 구비되어, 상기 분사부로부터 유동되는 상기 가스의 진행방향을 바꾸도록 구성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 바디부의 일측은 제2안내부가 형성되며, 상기 제2안내부는 상기 제1안내부와 마주하도록 구성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1안내부 혹은 상기 제2안내부는 상기 오목부가 형성된 바닥부의 측벽에 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
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