JPH10335407A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH10335407A
JPH10335407A JP9145203A JP14520397A JPH10335407A JP H10335407 A JPH10335407 A JP H10335407A JP 9145203 A JP9145203 A JP 9145203A JP 14520397 A JP14520397 A JP 14520397A JP H10335407 A JPH10335407 A JP H10335407A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで、パージ時間が短く、基板の汚染
の少ない基板処理装置を提供する。 【解決手段】 各チャンバはＮ2供給用の給気口と内部
雰囲気の排気口を備えており、Ｎ2の供給量と内部雰囲
気の排気量がチャンバごとに異なるように設定されてい
る。それにより第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャ
ンバＰＣ４は全て等しく最も低い内部圧力ｐ３に調節さ
れ、トランスファモジュールＴＭはそれより高い内部圧
力ｐ２に調節され、さらにローダＬおよびアンローダＵ
Ｌは最も高い内部圧力ｐ１に調節されている。これによ
り基板処理装置１全体を高い内部圧力ｐ１に保つ必要が
なく、Ｎ2を大量に必要としないため低コストでパージ
時間が短く、基板の汚染の少ない基板処理を行うことが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、互いに隣接する
複数のチャンバを備え、その複数のチャンバ間で液晶用
ガラス角型基板、半導体ウエハ等（以下「基板」とい
う）を受け渡しながら各種処理を施す基板処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数のチャンバにおいて基板を搬
送しながら、各処理チャンバにおいて成膜や洗浄等の基
板処理を施す装置の例としては、特開平５−２１７９１
８号公報や特開平５−２１７９１９号公報に記載される
ものなどがある。これらの基板処理装置においては、酸
素による不要な自然酸化膜の形成やパーティクルの付着
による基板の汚染を嫌うため各チャンバに不活性ガスと
してＮ2（窒素）を供給してそのチャンバ内の気圧を高
くし、それによってチャンバ内の酸素を排出するととも
に外部からの酸素やパーティクルの流入を抑えて基板の
汚染を防いでいる。
【０００３】また、上記の装置では、各チャンバへの基
板搬入時にゲートバルブを開くとともに基板処理や基板
の搬出後にはそのチャンバのゲートを閉じて、順次基板
を搬送しながらそれぞれの各処理チャンバにおいて各種
基板処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の装置
では全チャンバに同じ流量のＮ2を供給している。ま
た、その基板処理の性質上、基板処理工程の上流側から
下流側にかけて次第に酸素濃度が低いことが要求され
る。したがって下流側のチャンバの酸素濃度を低くする
ためには全チャンバの酸素濃度を最低の酸素濃度が要求
される最も下流のチャンバに合わせる必要があり、した
がって、大量のＮ2の供給を必要としていた。
【０００５】また、この装置に対して外部から処理を施
すべき基板を搬入する際、または処理済みの基板を外部
に搬出する際に外部から大気が流入した状態からＮ2の
供給を行いＮ2が充満した状態にするまでに大量のＮ2を
供給するための時間（以下「パージ時間」という）が長
くなっていた。
【０００６】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、低コストで、パージ時間が短
く、基板の汚染の少ない基板処理装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の装置は、外部から基板を受け
取る受け取り室と前記基板に各種処理を施す複数の処理
室と外部に基板を渡す渡し室とが基板の搬送室の周囲に
配列され、前記複数の処理室と受け取り室と渡し室とに
対する基板の搬送が前記搬送室を介して行われる基板処
理装置であって、前記複数の処理室と渡し室と搬送室と
のそれぞれに不活性ガス供給手段が設けられ、前記不活
性ガスによる各室内の圧力が、（渡し室の圧力）＞（搬
送室の圧力）＞（複数の処理室の圧力）かつ、（搬送室
の圧力）＞（受け取り室の圧力）の関係に保たれること
を特徴とする。
【０００８】また、この発明の請求項２の装置は、外部
から基板を受け取る受け取り室と前記基板に各種処理を
施す複数の処理室と外部に基板を渡す渡し室とが基板の
搬送室の周囲に配列され、前記複数の処理室と受け取り
室と渡し室とに対する基板の搬送が前記搬送室を介して
行われる基板処理装置であって、前記受け取り室と複数
の処理室と渡し室と搬送室とのそれぞれに不活性ガス供
給手段が設けられ、前記不活性ガスによる各室内の圧力
が、（渡し室の圧力）＞（搬送室の圧力）＞（複数の処
理室の圧力）かつ、（受け取り室の圧力）＞（搬送室の
圧力）の関係に保たれることを特徴とする。
【０００９】さらに、この発明の請求項３の装置は、請
求項２の基板処理装置において、さらに、受け取り室に
排気手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】さらに、この発明の請求項４の装置は、請
求項１ないし３のうちのいずれか１つの基板処理装置に
おいて、前記処理室が、基板に対して処理を行う処理部
本体と、前記処理部本体と前記搬送室との間で基板を搬
送する副搬送部と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
【００１２】
【１．第１の実施の形態における機構的構成】図１は第
１の実施の形態の基板処理装置１における全体構成図で
ある。同図および以下の各図においては、水平面をＸ−
Ｙ面とし、鉛直方向をＺ軸方向とする３次元座標系Ｘ−
Ｙ−Ｚが定義されている。以下、図１を用いてこの基板
処理装置１について説明していく。
【００１３】図示のようにこの装置は六角柱状をなすト
ランスファモジュールＴＭの周囲にローダＬ、第１処理
チャンバＰＣ１、第２処理チャンバＰＣ２、第３処理チ
ャンバＰＣ３、第４処理チャンバＰＣ４、アンローダＵ
Ｌが放射状に設けられたクラスター型の基板処理装置で
あり、各部に接続された図示しない制御部によるタイミ
ング制御によって、トランスファモジュールＴＭを介し
てローダＬから順に第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理
チャンバＰＣ４において複数の基板Ｗを枚葉式に搬送し
ながら薬液処理や純水洗浄処理等を行い、全処理が終了
した基板ＷをアンローダＵＬ内のカセットに収納する基
板処理装置である。なお、このローダＬが受け取り室ア
ンローダＵＬが受渡し室に相当する。
【００１４】以下、各部の機構的構成について説明す
る。
【００１５】まず、ローダＬおよびアンローダＵＬの構
成について説明する。図２は第１の実施の形態における
ローダの断面図である。ローダＬは内部にカセットＣＡ
を保持するカセット保持部１４０を内部底面に備えた筐
体１１０からなっている。この筐体１１０にはカセット
ＣＡ搬入用の開口１１０ａ、上面にＮ2供給用の給気口
１１０ｂ、基板Ｗの受渡し用の開口１１０ｃ、内部雰囲
気の排出用の排気口１１０ｄ，１１０ｅが設けられてい
る。
【００１６】筐体１１０の開口１１０ａ，１１０ｃには
それぞれ密閉型シャッタ１２０，１３０が設けられてい
る。密閉型シャッタ１２０は筐体１１０の開口１１０ａ
の周囲の外壁に設けられたガイド１２１およびそれに昇
降自在に保持された平板状部材１２２からなり、その平
板状部材１２２が昇降することによって開口１１０ａの
開閉を行う。密閉型シャッタ１２０では開口１１０ｃを
囲むようにして筐体１１０の外壁に弾性部材１２３が固
着されており、平板状部材１２２は開口１１０ａを閉じ
た状態で弾性部材１２３に密着するように位置してい
る。そのため、密閉型シャッタ１２０を閉じると外部と
の間の雰囲気の交流は完全に遮断される。また、密閉型
シャッタ１３０も密閉型シャッタ１２０と同様の構成で
ある。
【００１７】また、カセット保持部１４０が筐体１１０
内部の底面に設けられており、開口１１０ａを通じて外
部から搬入されたカセットＣＡがセットされる。
【００１８】また、筐体１１０の内部底面の排気口１１
０ｄ，１１０ｅにはそれぞれバルブ１５１を備えた排気
管１５０およびバルブ１６１を備えた排気管１６０が設
けられており、いずれも内部の雰囲気を排出するが、１
６０にはポンプ１６２が設けられており、このポンプ１
６２によって強制的に内部の雰囲気を排出することがで
きる。
【００１９】ローダＬはこのような構成により後述のよ
うに雰囲気を調節されながら複数の未処理の基板Ｗを保
持したカセットＣＡがカセット保持部１４０にセットさ
れた後、そのカセットＣＡから１枚ずつ基板Ｗが後述の
メカニカルハンド２２０によって開口１１０Ｃを通じて
搬出される。
【００２０】ローダＬは上記のような構成であるがアン
ローダＵＬも全く同様の機構的構成を備え、未処理の基
板Ｗを搬出していく代わりに処理済みの基板Ｗをトラン
スファモジュールＴＭから受取る点と、外部からカセッ
トＣＡが搬入される代わりにカセットＣＡを外部に渡す
作業が行われる点が異なっている。
【００２１】つぎに、トランスファモジュールＴＭの構
成について説明する。図３はトランスファモジュールＴ
Ｍの断面図である。このトランスファモジュールＴＭの
筐体２１０は六角柱状をなしており、６つの各側面には
各チャンバに通じる基板Ｗの受渡し用の開口（図３には
開口２１０ａ，２１０ｃのみ表示）が設けられている。
さらに上面にＮ2供給用の給気口２１０ｂ、基板Ｗの受
渡し用の開口２１０ｃ、内部雰囲気の排出用の排気口２
１０ｄが設けられている。これら各部はローダＬの筐体
１１０の対応する各部と同様の動作および役割をする。
【００２２】また、この筐体２１０の中央の内部底面に
はメカニカルハンド２２０が設けられている。メカニカ
ルハンド２２０は底面に固定された基台２２１上に本体
２２２が設けられており、さらに本体２２２の内部には
鉛直駆動部２２３が設けられている。この鉛直駆動部２
２３は昇降自在に設けられており、上昇すると本体２２
２の上面の開口から上方に突出し、逆に降下すると本体
２２２の内部に収納される。さらに、この鉛直駆動部２
２３の上面には水平方向に伸びる第１アーム２２４の一
方端が回動軸Ａ1の回りに回動自在に取り付けられてい
る。また、第１アーム２２４の他方端に第２アーム２２
５の一方端が、また第２アーム２２５の他方端にハンド
２２６の一方端が、それぞれ回動軸Ａ2，Ａ3回りに回動
自在となっており、内蔵のモータの回転により各アーム
がそれぞれ回動軸Ａ1，Ａ2，Ａ3を中心として回動し任
意の角度をとることが可能となっている。さらに、ハン
ド２２６の他方端部には、複数の吸着孔が設けられてお
り、ハンド２２６上で基板Ｗを吸着保持することができ
るようになっている。
【００２３】このため、このメカニカルハンド２２０で
は、ハンド２２６により基板Ｗを吸着保持した状態で、
図示しない制御部からの指令に応じて、ハンド２２６を
三次元的に移動させることができ、基板Ｗの受渡し用の
開口を通じて他のチャンバ基板Ｗを受け取り、それをさ
らに別のチャンバに受け渡す。
【００２４】つぎに処理チャンバの構成について説明す
る。図４は第１の実施の形態における第１処理チャンバ
ＰＣ１の断面図である。この第１の実施の形態の装置で
は第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４は
全く同じ機構的構成のチャンバである。以下、第１処理
チャンバＰＣ１を例にして説明していく。第１処理チャ
ンバＰＣ１の筐体３１０も側面に基板Ｗの受渡し用の開
口３１０ａ、上面にＮ2供給用の給気口３１０ｂ、底面
に内部雰囲気の排出用の排気口３１０ｃを備えている。
【００２５】また、その内部には密閉型カップ３４０を
備えている。この密閉型カップ３４０には上面に開口３
４０ａが設けられており、筐体３１０の給気口３１０ｂ
から通じるＮ2供給管３２０が接続され、それを通じて
Ｎ2が供給される。また密閉型カップ３４０の底面には
排液口を兼ねる排気口３４０ｂが設けられており、筐体
３１０に通じる排気管３３０が接続され、それを通じて
内部の雰囲気を排出する。また、密閉型カップ３４０は
密閉型シャッタ１３０が閉じられた際には外部からの雰
囲気の流入を遮断する。
【００２６】また、密閉型カップ３４０の内部にはスピ
ンナー３５０が設けられており、スピンナー３５０はチ
ャック３５１の上面に基板Ｗを保持し、駆動軸３５２を
介して図示しないモータの駆動によりチャック３５１を
水平面内で回転自在となっている。
【００２７】さらにカップ３４０の上面にはノズル３６
０ａが、底面にはノズル３６０ｂ，３６０ｃが設けられ
ており、チャック３５１の上面に保持された基板Ｗに対
向している。そして、図示しない薬液供給機構および純
水供給機構により供給された薬液または純水を噴射す
る。
【００２８】このような構成により第１処理チャンバＰ
Ｃ１ではスピンナー３５０により基板Ｗを回転させなが
らノズル３６０ａ〜３６０ｃにより薬液または純水を噴
射することにより基板処理を行う。
【００２９】なお、第２処理チャンバＰＣ２〜第４処理
チャンバＰＣ４でも薬液または純水等の使用する処理液
は異なるが、上記と同様にして各種基板処理を行う。
【００３０】さらに、上記において各チャンバの筐体は
減圧に耐えうるように材質をＳＵＳとしてその表面にテ
フロン（デュポン社の登録商標）によるコーティングし
たものを用いている。
【００３１】
【２．第１の実施の形態における特徴】以下において、
第１の実施の形態の基板処理装置１の特徴について述べ
ていく。
【００３２】第１の実施の形態の基板処理装置１では処
理を終了したアンローダＵＬに集められた処理済みの基
板Ｗは酸素による不要な自然酸化膜の形成やパーティク
ルの付着による汚染を嫌う。このために基板処理装置１
では以下に図１を用いて示すように、Ｎ2の供給により
第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４は全
て等しく最も低い内部圧力ｐ３に調節され、トランスフ
ァモジュールＴＭはそれより高い内部圧力ｐ２に調節さ
れ、さらにローダＬおよびアンローダＵＬは最も高い内
部圧力ｐ１に調節されている。
【００３３】以下、Ｎ2の供給による各チャンバの気圧
調節について説明していく。基板処理装置１の各チャン
バは前述のようにそれぞれ内部に所定流量のＮ2を供給
する給気口、および内部の雰囲気をその口径によって定
まる所定流量で外部に排出する排気口を備えており、ロ
ーダＬではＮ2の供給量を多く、排気口の口径を小さく
設定して、少なくともトランスファモジュールＴＭとの
基板Ｗの受渡しのために密閉型シャッタ１３０を開ける
直前には最も高い内部圧力ｐ１になるように設定してい
る。
【００３４】同様に第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理
チャンバＰＣ４においても給気口におけるＮ2の流量を
ローダＬならびにアンローダＵＬおよびトランスファモ
ジュールＴＭのそれより少なくし、排気口の口径をロー
ダＬならびにアンローダＵＬおよびトランスファモジュ
ールＴＭのそれより大きくしている。これにより、第１
処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４では少な
くともトランスファモジュールＴＭとの基板Ｗの受渡し
のために密閉型シャッタ１３０を開ける直前には内部圧
力ｐ３となるように設定している。
【００３５】そして、上記の設定から当然であるがトラ
ンスファモジュールＴＭにおいても給気口におけるＮ2
の流量をローダＬおよびアンローダＵＬのそれより少な
くするとともに、第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チ
ャンバＰＣ４のそれより多くしている。また、排気口の
口径をローダＬおよびアンローダＵＬのそれより大きく
するとともに、第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャ
ンバＰＣ４のそれより小さくしている。これにより、ト
ランスファモジュールＴＭでは少なくともローダＬなら
びにアンローダＵＬおよび第１処理チャンバＰＣ１〜第
４処理チャンバＰＣ４との基板Ｗの受渡しのために密閉
型シャッタ１３０を開ける直前には内部圧力ｐ３となる
ように設定している。以上の内部圧力の関係をまとめる
と以下のようになる。
【００３６】（内部圧力ｐ１）＞（内部圧力ｐ２）＞
（内部圧力ｐ３） すなわち、各チャンバ内の圧力は以下のようになる。
【００３７】（アンローダＵＬ）＝（ローダＬ）＞（ト
ランスファモジュールＴＭ）＞（第１処理チャンバＰＣ
１〜第４処理チャンバＰＣ４） 各チャンバにおいてこのような内部圧力の設定になって
いるためトランスファモジュールＴＭとローダＬまたは
アンローダＵＬとの基板Ｗの受渡しの際には必ずローダ
ＬまたはアンローダＵＬからトランスファモジュールＴ
Ｍに雰囲気が流入する。同様に、第１処理チャンバＰＣ
１〜第４処理チャンバＰＣ４のいずれかとトランスファ
モジュールＴＭとの基板Ｗの受渡しの際には必ずトラン
スファモジュールＴＭから対象となる処理チャンバに雰
囲気が流入する。その際の雰囲気の流入は、低酸素側か
ら高酸素側への流入であり、さらに、薬液や洗浄液等の
ミストやパーティクル等の少ないチャンバ内の雰囲気が
相対的にそれらの多いチャンバ内へ流入することは基板
Ｗの不要な酸化膜の形成や汚染といった点からも問題な
く、許容されるものである。
【００３８】そして、以上のような構成により第１の実
施の形態の基板処理装置１では、全チャンバをローダＬ
およびアンローダＵＬと等しいＮ2濃度の高い雰囲気に
保つ必要がなく、それによりＮ2を大量に必要としない
ため、低コストで基板Ｗの汚染の少ない基板処理を行う
ことができる。また、Ｎ2を大量に必要としないことよ
りパージ時間を短くすることができる。
【００３９】また、ローダＬおよびアンローダＵＬでは
外部との間で開口１１０ａを通じてカセットＣＡの搬
出、搬入を行うが、その際に外部から大量の空気が流入
する。そのためカセットＣＡの搬入、搬出の後に開口１
１０ａに設けられている密閉型シャッタ１２０を閉じた
後にポンプ１６２を作動してローダＬおよびアンローダ
ＵＬ内部の酸素を大量に含んだ雰囲気を排気した後にＮ
2を供給してローダＬおよびアンローダＵＬ内部にＮ2を
充満させて内部圧力ｐ１にする。このようにローダＬお
よびアンローダＵＬでは基板Ｗの搬入、搬出時の酸素を
大量に含んだ雰囲気の状態でも排気を行った後にＮ2の
供給を行うのでＮ2を大量に必要とせず、そのためさら
に低コストで、パージ時間の短い基板処理を行うことが
できる。
【００４０】なお、以上において各チャンバ内の内部圧
力と外気圧との関係は特に規定していないが、この装置
では各チャンバ同士の相対的な内部圧力の関係が問題で
あって、内部圧力と外気圧とがどの様な関係にあっても
基板Ｗの汚染に関しては問題はない。しかし、全体とし
て大気圧付近に内部圧力を設定した方が、トランスファ
モジュールＴＭおよび第１処理チャンバＰＣ１〜第４処
理チャンバＰＣ４でのＮ2の供給量が少なくて済み、全
体としても必要なＮ2の量が少なくなる。そのため、実
際には装置全体の内部圧力が大気圧付近になるように設
定している。
【００４１】さらに、このように内部圧力を大気圧付近
に保つ構成であるため、第１処理チャンバＰＣ１〜第４
処理チャンバＰＣ４のうち特に酸素を嫌う処理でない基
板処理を行うチャンバは密閉型の処理室ではなく開放型
の処理室とすることもできる。図５は開放型の処理チャ
ンバＯＣを示す断面図である。この処理チャンバＯＣで
はカップ３８０の上部に開口３８０ａが設けられており
カップ３８０内の雰囲気と筐体３１０内の雰囲気との間
に交流がある。さらに筐体３１０の上部にも開口３１０
ａが設けられており、その開口３１０ａを覆うようにド
ーム状のキャップ３７０が設けられている。このキャッ
プ３７０と筐体３１０の開口３１０ａの周囲との間は完
全にシールされておらず、隙間を通じて外部との雰囲気
の交流がある。このような開放型の処理チャンバＯＣを
用いた場合にはその内部圧力ｐ３は大気圧であり、その
際にもトランスファモジュールＴＭの内部圧力ｐ２は内
部圧力ｐ３に比べて高く維持されるとともに、ローダＬ
およびアンローダＵＬの内部圧力ｐ１は内部圧力ｐ２よ
りも高く維持される。その他の構成は密閉型の第１処理
チャンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４と同様であ
る。
【００４２】なお、上記の実施形態ではローダＬにもア
ンローダＵＬにもＮ２が供給されており、それぞれの内
部の雰囲気がトランスファモジュールＴＭに比べて高圧
かつ低酸素濃度になっている。よって、ローダＬの内部
圧力とアンローダＵＬの内部圧力とが等しくなくてもよ
い。すなわち、各チャンバ内の圧力を以下のようにして
もよい。
【００４３】（アンローダＵＬ）＞（トランスファモジ
ュールＴＭ）＞（第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チ
ャンバＰＣ４）かつ、（ローダＬ）＞（トランスファモ
ジュールＴＭ） なお、また、上記の実施形態ではローダＬおよび、アン
ローダＵＬ共にＮ２を供給しているが、ローダＬへのＮ
２の供給を省略しても良い。
【００４４】この場合の各チャンバの内の圧力は以下の
関係にする。
【００４５】（アンローダＵＬ）＞（トランスファモジ
ュールＴＭ）＞（第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チ
ャンバＰＣ４）かつ、（トランスファモジュールＴＭ）
＞（ローダＬ） これは以下の理由による。
【００４６】ローダＬにはＮ２を供給していないことか
らカセットＣＡの搬入時にはローダＬの内部に空気が流
入し、内部雰囲気の酸素濃度が高くなってしまう。この
状態でトランスファモジュールＴＭに基板を渡すとトラ
ンスファモジュールＴＭに酸素濃度の高い雰囲気が流入
してしまう。そうすると、トランスファモジュールＴＭ
から第１処理チャンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４
に酸素濃度の高い雰囲気が流入し、第１処理チャンバＰ
Ｃ１〜第４処理チャンバＰＣ４での基板の処理品質が低
下するからである。よって、酸素濃度の高いローダＬの
雰囲気がトランスファモジュールＴＭに流入しないよう
にローダＬの内部圧力をトランスファモジュールＴＭの
それよりも低くしている。
【００４７】
【３．第２の実施の形態の構成および特徴】図６は第２
の実施の形態の基板処理装置２の全体構成図である。以
下、この図６を用いて第２の実施の形態の基板処理装置
２について説明していく。
【００４８】第１の実施の形態の基板処理装置１がアン
ローダＵＬを備えていたのに対してこの第２の実施の形
態の基板処理装置２ではアンローダＵＬを備えていな
い。その代わりにこの装置は第３処理チャンバＰＣ３の
トランスファモジュールＴＭに隣接した側面と対向する
側面において外部処理装置ＯＰＭに接続されている。こ
れにより基板処理装置２における最後の処理である第３
処理チャンバＰＣ３における基板処理を終えた基板Ｗは
再びトランスファモジュールＴＭに戻ることなく、外部
処理装置ＯＰＭに受渡され、そこでさらに別の処理を施
される。このようにこの発明の基板処理装置では必ずし
もアンローダＵＬを備える構成としなくてもよく、逆に
ローダＬをなくしてアンローダＵＬを備える構成として
他の処理装置をこの発明の基板処理装置のトランスファ
モジュールＴＭに接続して、そこから基板Ｗを受け取っ
た後に第１処理チャンバＰＣ１〜第３処理チャンバＰＣ
３において基板処理を行うこともできる。
【００４９】また、基板処理装置２では第１処理チャン
バＰＣ１が特に酸素を嫌う処理を行わないため前述の開
放型の処理チャンバＯＣとして構成されている。そのた
め、第１処理チャンバＰＣ１内の雰囲気は酸素を多く含
んでいる。また、この基板処理装置２では、外部処理装
置ＯＰＭの内部圧力をＰｘとすると、各チャンバの内部
圧力を以下のようにしている。
【００５０】Ｐｘ＞Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３ すなわち、各チャンバ内圧力は以下の通りである。
【００５１】（外部処理装置ＯＰＭ）＞（第３処理チャ
ンバＰＣ３）＝（ローダＬ）＞（トランスファモジュー
ルＴＭ）＞（搬送チャンバＴＣ）＝（第１処理チャンバ
ＰＣ１、第２処理チャンバＰＣ２） なお、第１処理チャンバＰＣ１とトランスファモジュー
ルＴＭの間での基板Ｗの受渡しの際には第１処理チャン
バＰＣ１内の雰囲気のわずかな巻込みが発生する。この
ためこの基板処理装置２ではトランスファモジュールＴ
Ｍと第１処理チャンバＰＣ１との間に搬送チャンバＴＣ
を設けている。（ここでは第１処理チャンバＰＣ１が処
理部本体に相当し、搬送チャンバＴＣが副搬送部に相当
し、これらをまとめたものが搬送室に相当する。）この
搬送チャンバＴＣは内部にメカニカルハンド２２０を備
えており、トランスファモジュールＴＭとほぼ同様の構
成であるが、第１処理チャンバＰＣ１と隣接する側面の
開口には密閉型シャッタ１３０の代わりに非密閉型シャ
ッタ２３０を備えている。この非密閉型シャッタ２３０
は１３０とほぼ同様の構成であるが弾性部材１２３を備
えておらず、筐体３１０の開口３１０ａ周囲の外壁面と
平板状部材１２２との間には隙間が存在し、その隙間を
通じて第１処理チャンバＰＣ１と搬送チャンバＴＣとの
雰囲気がわずかながら交流する。
【００５２】このように基板処理装置２では、第１処理
チャンバＰＣ１とトランスファモジュールＴＭとの基板
Ｗの受渡しは搬送チャンバＴＣにおけるメカニカルハン
ド２２０を介して行われるので、第１処理チャンバＰＣ
１内の酸素を大量に含んだ雰囲気がトランスファモジュ
ールＴＭ内に直接巻き込まれることがなく、一層基板Ｗ
の汚染が少ない。
【００５３】その他、各チャンバの構成は第１の実施の
形態の基板処理装置１と同様である。
【００５４】なお、本実施形態ではローダＬの内部圧力
と第３処理チャンバＰＣ３の内部圧力とを等しくしてい
るが、等しくなくてもよい。すなわち、この場合、各チ
ャンバの内部圧力は以下の通りである。
【００５５】（外部処理装置ＯＰＭ）＞（第３処理チャ
ンバＰＣ３）＞（トランスファモジュールＴＭ）、か
つ、（ローダＬ）＞（トランスファモジュールＴＭ） なお、また、上記の実施形態ではローダＬにＮ２を供給
しているが、ローダＬへのＮ２の供給を省略しても良
い。
【００５６】この場合の各チャンバの内の圧力は以下の
関係にする。
【００５７】（外部処理装置ＯＰＭ）＞（第３処理チャ
ンバＰＣ３）＞（トランスファモジュールＴＭ）＞（第
１処理チャンバＰＣ１、第２処理チャンバＰＣ２）＝
（搬送チャンバＴＣ）、かつ、（トランスファモジュー
ルＴＭ）＞（ローダＬ） これは以下の理由による。
【００５８】ローダＬにはＮ２を供給していないことか
らカセットＣＡの搬入時にはローダＬの内部に空気が流
入し、内部雰囲気の酸素濃度が高くなってしまう。この
状態でトランスファモジュールＴＭに基板を渡すとトラ
ンスファモジュールＴＭに酸素濃度の高い雰囲気が流入
してしまう。そうすると、トランスファモジュールＴＭ
から酸素を嫌う処理を行う第２処理チャンバＰＣ２、第
３処理チャンバＰＣ３に酸素濃度の高い雰囲気が流入
し、第２処理チャンバＰＣ２〜第３処理チャンバＰＣ３
での基板の処理品質が低下するからである。よって、酸
素濃度の高いローダＬの雰囲気がトランスファモジュー
ルＴＭに流入しないようにローダＬの内部圧力をトラン
スファモジュールＴＭのそれよりも低くしている。
【００５９】
【４．変形例】上記の第１および第２の実施の形態では
処理チャンバにおける基板処理は薬液処理または洗浄処
理としたが、ベイク処理等を行う構成としてもよい。
【００６０】また、第１の実施の形態ではローダＬとア
ンローダＵＬをそれぞれ備え、第２の実施の形態ではロ
ーダＬのみを備える構成としたが、ローダＬとアンロー
ダＵＬを共通にして基板Ｗの送り出しと受取りを一つの
カセットＣＡで行う構成としてもよい。
【００６１】また、第２の実施の形態では第１処理チャ
ンバＰＣ１とトランスファモジュールＴＭとの間に搬送
チャンバＴＣを備える構成としたが、各チャンバとトラ
ンスファモジュールＴＭとの間に搬送チャンバＴＣを設
けてもよい。
【００６２】また、第１の実施の形態では第１処理チャ
ンバＰＣ１〜第４処理チャンバＰＣ４、第２の実施の形
態では第１処理チャンバＰＣ１〜第３処理チャンバＰＣ
３を備える構成としたが、より多くの処理チャンバを備
える構成としてもよく、逆により少ない構成としてもよ
い。
【００６３】また、第１および第２の実施の形態では、
各チャンバの内部雰囲気の圧力調節を所定量のＮ2をパ
ージすること、および所定の口径の排気口によって排気
流量を所定量とすることによって行っているが、チャン
バの内部圧力のセンサを設けるとともにＮ2の供給用配
管や排気管にコンダクタンス調整用バルブ等を設けてチ
ャンバの内部圧力の変動に応じてＮ2の供給量や内部雰
囲気の排気量を調節して制御する構成としてもよい。ま
た、各チャンバに等量のＮ２を供給し、各チャンバ毎に
異なる口径の排気口を設けたり、異なる長さの排気管を
設けたり、また、異なる回数屈曲した排気管を設けても
よい。
【００６４】また、第１および第２の実施の形態では排
気口を通じて内部雰囲気の排気を行っているが、特に排
気口を設けないでＮ2の供給機構のみ設け、Ｎ2の供給量
のみで調節する構成としてもよい。
【００６５】また、第１および第２の実施の形態では内
部の雰囲気の排気をローダＬおよびアンローダＵＬのみ
ポンプ１６２によっても行うことができる構成とした
が、他のチャンバにも同様のポンプを備えた排気管を設
けて、内部雰囲気を強制的に排出した後にＮ2をパージ
する構成としても良い。
【００６６】さらに、この発明の基板処理装置では各チ
ャンバの材質をＳＵＳにテフロン（デュポン社の登録商
標）コーティングしたものとしたが、Ａｌに同様のコー
ティングを施したものでもよく、また、処理チャンバは
ＰＶＣ、ＰＴＦＥ等の樹脂を用いることも可能である。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項４の基板処理装置では不活性ガスによる室内の圧力
が、 （渡し室の圧力）＞（搬送室の圧力）＞（複数の処理室
の圧力）かつ、 （搬送室の圧力）＞（受け取り室の圧力） の関係に保たれる構成であるため、最も酸素濃度が低い
ことが望まれる位置での酸素濃度に全体をあわせるため
に全体を不活性ガスの供給により等しく高圧に保つ必要
がない。そのため大量の不活性ガスを必要としないこと
により不活性ガスの供給量が少なくて済み、低コストで
基板の汚染の少ない基板処理を行うことができる。
【００６８】また、基板の搬出および搬入に際して、外
部から空気が大量に流入した状態からＮ2の供給を行う
際にも、大量のＮ2を装置全体に供給する必要がないた
めパージ時間が短い。
【００６９】また、請求項３の基板処理装置では、受け
取り室に排気用手段を備える構成としたため、受け取り
室において不活性ガスを供給して内部の酸素濃度を低下
させる際に、一旦内部の空気を排気した後に不活性ガス
を供給することができるため不活性ガスの供給量が少な
くて済み、それにより一層低コストで基板処理を行うこ
とができるとともに、さらにパージ時間を短くすること
ができる。
【００７０】さらに、請求項４の基板処理装置では処理
室が処理部本体と搬送室との間で基板を搬送する副搬送
部を備える構成であるため、処理室と搬送室との間での
基板の受渡しの際にも処理部本体の酸素やパーティクル
を多く含んだ雰囲気が直接搬送室に巻き込まれることが
ないので余分な不活性ガスを供給する必要がなくさらに
低コストで基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態の基板処理装置に
おける全体構成図である。
【図２】第１の実施の形態におけるローダの断面図であ
る。
【図３】第１の実施の形態におけるトランスファモジュ
ールの断面図である。
【図４】第１の実施の形態における第１処理チャンバの
断面図である。
【図５】開放型の処理チャンバの断面図である。
【図６】第２の実施の形態における全体構成図である。
【符号の説明】
１，２ 基板処理装置 １６２ ポンプ ＰＣ１〜ＰＣ４ 第１処理チャンバ〜第４処理チャンバ ＴＣ 搬送チャンバ ＴＭ トランスファモジュール Ｌ ローダ ＵＬ アンローダ Ｗ 基板 ｐ１ 内部圧力 ｐ２ 内部圧力 ｐ３ 内部圧力

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部から基板を受け取る受け取り室と前
    記基板に各種処理を施す複数の処理室と外部に基板を渡
    す渡し室とが基板の搬送室の周囲に配列され、前記複数
    の処理室と受け取り室と渡し室とに対する基板の搬送が
    前記搬送室を介して行われる基板処理装置であって、 前記複数の処理室と渡し室と搬送室とのそれぞれに不活
    性ガス供給手段が設けられ、 前記不活性ガスによる各室内の圧力が、 （渡し室の圧力）＞（搬送室の圧力）＞（複数の処理室
    の圧力）かつ、 （搬送室の圧力）＞（受け取り室の圧力） の関係に保たれることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 外部から基板を受け取る受け取り室と前
    記基板に各種処理を施す複数の処理室と外部に基板を渡
    す渡し室とが基板の搬送室の周囲に配列され、前記複数
    の処理室と受け取り室と渡し室とに対する基板の搬送が
    前記搬送室を介して行われる基板処理装置であって、 前記受け取り室と複数の処理室と渡し室と搬送室とのそ
    れぞれに不活性ガス供給手段が設けられ、 前記不活性ガスによる各室内の圧力が、 （渡し室の圧力）＞（搬送室の圧力）＞（複数の処理室
    の圧力）かつ、 （受け取り室の圧力）＞（搬送室の圧力） の関係に保たれることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２の基板処理装置において、 さらに、受け取り室に排気手段を設けたことを特徴とす
    る基板処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし３のうちのいずれか１つ
    の基板処理装置において、 前記処理室が、基板に対して処理を行う処理部本体と、 前記処理部本体と前記搬送室との間で基板を搬送する副
    搬送部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
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