TW201931387A - 雙芯平行電線 - Google Patents

Abstract

一種雙芯平行電線，其具備平行配置的兩條導體、在兩條導體的周圍藉由擠出被覆而形成的絕緣層、縱向卷附在絕緣層的周圍的屏蔽帶（shield tape）、配置在屏蔽帶的內側的洩流線（drain wire）、及以覆蓋屏蔽帶的方式而形成的外覆。絕緣層的斷面被形成為長圓形狀，該長圓形狀將短軸的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸的長度。絕緣層在包含長圓形狀的外形線和長軸的垂直二等分線的交點的部分具有溝。溝被形成為大於洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度。洩流線以其一部分從絕緣層向屏蔽帶側突出的方式被保持在溝內。

Description

雙芯平行電線

本發明涉及雙芯平行電線。

本申請主張基於2017年12月27日申請的日本申請第2017－251729號的優先權，並將上述日本申請中記載的內容全部引用於此。

專利文獻1中揭示了一種電纜，其具有兩條導體、以覆蓋兩條導體的方式而形成的絕緣體、洩流線（drain wire）、以覆蓋絕緣體和洩流線的方式而形成的屏蔽層、及以覆蓋屏蔽層的方式而形成的保護套（protective sheath）（參照專利文獻1）。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕（日本）實開昭57－4116號公報

本揭示的一個形態的雙芯平行電線具備：
平行配置的兩條導體；
在上述兩條導體的周圍藉由擠出被覆而形成的絕緣層；
縱向卷附在上述絕緣層的周圍的屏蔽帶（shield tape）；
配置在上述屏蔽帶的內側的洩流線；及
以覆蓋上述屏蔽帶的方式而形成的外覆，
上述絕緣層的與電纜的長度方向垂直的斷面為長圓形狀，該長圓形狀將短軸的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸的長度，在包含上述長圓形狀的外形線和長軸（圖中由符號表示）的垂直二等分線的交點的部分具有溝，
上述溝被形成為大於上述洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為上述洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度，
上述洩流線以其一部分從上述絕緣層向上述屏蔽帶側突出的方式而被保持在上述溝內。

［本揭示欲解決的課題］
雙芯平行電線中，存在為了提高電纜的電氣特性而進行改善的餘地。

本揭示的目的在於，提供一種可提高電氣特性的雙芯平行電線。

［本揭示的效果］
根據本揭示，能夠提供一種可提高電氣特性的雙芯平行電線。

［本揭示的實施方式的說明］
＜本揭示的實施方式的概要＞
首先，列出本揭示的實施方式，並進行說明。

本揭示的一個形態的雙芯平行電線具備：
平行配置的兩條導體；
在上述兩條導體的周圍藉由擠出被覆而形成的絕緣層；
縱向卷附在上述絕緣層的周圍的屏蔽帶；
配置在上述屏蔽帶的內側的洩流線；及
以覆蓋上述屏蔽帶的方式而形成的外覆，
上述絕緣層的與電纜的長度方向垂直的斷面為長圓形狀，該長圓形狀將短軸的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸的長度，在包含上述長圓形狀的外形線和長軸的垂直二等分線的交點的部分具有溝，
上述溝被形成為大於上述洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為上述洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度，
上述洩流線以其一部分從上述絕緣層向上述屏蔽帶側突出的方式被保持在上述溝內。
＜本揭示的實施方式的細節＞
以下，參照圖式對本揭示的實施方式的雙芯平行電線的具體實例進行說明。

需要說明的是，本揭示並不限定於這些例示，還包括由申請專利範圍所示的與申請專利範圍均等的意思和範圍內的所有的變化形式。
（第一實施方式）
圖1是表示本揭示的一實施方式的雙芯平行電線1的結構的斷面圖。雙芯平行電線1例如可作為高速收發數位數據（digital data）的通信機器等中所用的電線來使用。

如圖1所示，雙芯平行電線1具有兩條導體2和在兩條導體2的周圍所形成的絕緣層3。此外，雙芯平行電線1還具有在絕緣層3的周圍所卷附的屏蔽帶（shield tape）4、在屏蔽帶4的內側所配置的洩流線5、及以覆蓋屏蔽帶4的方式而形成的外覆6。

兩條導體2具有彼此大致相同的結構，並被平行地進行了配置。圖1所示的L1是兩條導體2的中心彼此的間隔。

導體2例如是由銅、鋁、或主要含有其等的合金等的導體、被錫、銀等進行了鍍覆的導體等所形成的單線或絞線。就導體2中所用的上述導體的尺寸而言，在AWG（American Wire Gauge）標準中例如為AWG26～AWG36。導體2的斷面積為0.01mm² ～0.16mm² 。

絕緣層3例如可由聚烯烴（Polyolefin）等的介電常數（Dielectric constant）較低的熱塑性樹脂構成。絕緣層3例如可採用從擠出機被供給且被擠出成形，並被一次性覆蓋於導體2的方式而形成。絕緣層3的與雙芯平行電線1的長度方向垂直的斷面被形成為長圓形狀。

需要說明的是，本說明書中「斷面」是指從雙芯平行電線的長度方向觀察的斷面。此外，「長圓形狀」是指包括橢圓形狀、使圓形扁平化而獲得的小判錢幣型形狀、及由圓弧狀曲線對兩條平行線進行連接而獲得的形狀等的形狀。

當將絕緣層3的斷面中的兩條導體2的並排方向設為左右方向並將與該左右方向垂直的方向設為上下方向時，絕緣層3在兩條導體2的上下具有沿左右方向延伸的平坦部31、32。此外，絕緣層3在兩條導體的左右還具有半圓周部33、34。

絕緣層3的斷面被形成為長圓形狀，該長圓形狀將短軸L2的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸L3的長度（圖中由符號表示短軸和長軸）。較佳為，絕緣層3的斷面被形成為，將短軸L2的2倍設為長軸L3的長度的長圓形狀。本例中，就絕緣層3的斷面的長圓形狀而言，例如，在AWG26的設計中為長軸3.14mm×短軸1.57mm左右，在AWG28的設計中為長軸2.24mm×短軸1.12mm左右，在AWG30的設計中為長軸1.80mm×短軸0.90mm左右，在AWG36的設計中為長軸0.78mm×短軸0.39mm左右。

這裡，對絕緣層3的厚度方向（圖1的上下方向）的偏差率（deviation ratio）進行說明。厚度方向的偏差率是指，就分別位於導體2的上下的絕緣層3的厚度T1、T2而言的“厚度的最小值／厚度的最大值”的比率。偏差率優選為，在雙芯平行電線1的長度方向上，絕緣層3的厚度的“最小值／最大值”接近1.0。在絕緣層3的厚度方向的偏差率為1.0的情況下，絕緣層3的厚度T1和厚度T2相同。在絕緣層3的厚度T1和厚度T2相同的情況下，雙芯平行電線1具有良好的電氣特性。可藉由調整絕緣樹脂的擠出條件使偏差率接近1.0。例如，可對絕緣樹脂的擠出時的樹脂壓力、螺桿的速度、導體2的線速、樹脂流路的形狀等進行調整，藉此對偏差率進行調整。

如果絕緣層3的厚度方向的偏差率較小，則雙芯平行電線1的電氣特性會發生惡化。從具有良好的電氣特性的觀點來看，可允許的絕緣層3的偏差率為0.85以上。在雙芯平行電線1的長度方向上，絕緣層3的厚度會發生變動。為了使雙芯平行電線1的電氣特性保持穩定，長度方向上的絕緣層3的厚度的變動優選為較小。就考慮了絕緣層3的厚度的變動的偏差率而言，在雙芯平行電線1的長度為5m的範圍內，優選為0.85以上且1.0以下。本例中，絕緣層3被形成為：在雙芯平行電線1的長度為5m的範圍內，位於兩條導體2的至少一者的上方和下方的絕緣層3的厚度的“最小值／最大值”為0.85以上且1.0以下。

絕緣層3在包含長圓形狀的外形線（外輪廓線）和長軸L3的垂直二等分線的交點的部分具有溝35。可在平坦部31、32的兩者上都形成溝35，但為了進一步提高電氣特性，優選在平坦部31、32中的任一者上形成溝35。本例中，如圖1所示，溝35形成在平坦部31上。

溝35被形成為與洩流線5的外形相配的形狀。在洩流線5的斷面形狀為圓形的情況下，溝35可被形成為其底部沿著洩流線5的外形的圓弧形狀。在洩流線5的斷面為圓形之外例如矩形的情況下，溝35的底部可被形成為矩形形狀。

此外，溝35被形成為大於洩流線5的外徑或厚度的0.5倍且為洩流線5的外徑或厚度的0.9倍以下的深度。在溝35的深度淺於洩流線5的外徑或厚度的0.5倍的情況下，存在洩流線5會從溝35中脫出並蜿蜒而行（蛇行）的風險。如果溝35的深度大於洩流線5的外徑或厚度的0.9倍，則存在洩流線5進入溝35內過深，與屏蔽帶4的接觸狀態變得不穩定，導致雙芯平行電線1的電氣特性不穩定的可能性。

溝35的深度較佳為洩流線5的外徑的0.6倍以上且0.8倍以下。更佳為，溝35的深度是洩流線5的0.7倍。本例中，溝35被形成為，其底部沿著斷面為圓形的洩流線5的外形的圓弧形狀，最深處具有0.18mm左右的深度（洩流線的外徑的0.72倍）。藉由這樣的深度來形成溝35，洩流線5能以從絕緣層3向屏蔽帶4側突出的方式被保持在溝35內，進而可切實地與屏蔽帶4進行接觸。

屏蔽帶4例如可由帶金屬層的樹脂帶（resin tape）形成，該帶金屬層的樹脂帶可藉由將鋁等的金屬層41貼附或蒸鍍在聚酯（polyester）等的樹脂帶（resin tape）上而獲得。屏蔽帶4可縱向卷附（longitudinal lapping）於絕緣層3的周圍和洩流線5的外側。屏蔽帶4具有對屏蔽帶4的卷附開始位置42至卷附結束位置43的領域進行重疊覆蓋的重疊部44。重疊部44可配置在絕緣層3的平坦部31、32中的任一者上。本例中，如圖1所示，重疊部44配置在平坦部32上。

重疊部44之左右方向（圖1中的左右方向）的長度被形成為兩條導體2的中心彼此的間隔L1的0.7倍至1.3倍的長度。藉由這樣地進行構成，易於使雙芯平行電線1的電氣特性保持穩定。

屏蔽帶4以金屬層41朝向絕緣層3和洩流線5側的方式被進行卷附。本例中，屏蔽帶4以縱向覆蓋絕緣層3和洩流線5的方式被進行了卷附。即，以屏蔽帶的卷附開始位置和卷附結束位置與雙芯平行電線的長度方向平行的方式被進行了卷附。

就屏蔽帶4而言，可在重疊部44上設置接著劑，並由該接著劑對重疊部44處的屏蔽帶4彼此進行固著，由此對卷附了屏蔽帶4的形狀進行維持。

洩流線5例如為銅、鋁等的導體線。洩流線5在屏蔽帶4的內側沿與雙芯平行電線1的長度方向平行的方向（圖1的紙面深度方向（depth direction））縱向配置，並被保持在絕緣層3的溝35內。洩流線5的斷面形狀可為圓形，也可為矩形。

本例中，洩流線5為經過了退火（annealing）處理的鍍錫銅線，其斷面被形成為圓形。洩流線5的直徑例如為0.18～0.3mm。本例中，在AWG26的設計中，溝35的深度為上述的0.18mm左右，洩流線5的直徑為0.25mm左右，故洩流線5能以洩流線5的一部分（本例中，在AWG26的設計中為0.07mm左右）從絕緣層3的平坦部31向屏蔽帶4側突出的方式被保持在溝35內。

藉由這樣地進行構成，屏蔽帶4的金屬層41可切實地與洩流線5進行接觸，故易於使雙芯平行電線1的電氣特性保持穩定。此外，洩流線5可被保持在溝35內，故還可防止洩流線5在絕緣層3上蜿蜒而行。據此，可提高雙芯平行電線1的電氣特性。

外覆6例如由聚酯等的樹脂帶來形成。外覆6以覆蓋屏蔽帶4的外周的方式例如被卷成螺旋狀（斜卷）。就構成外覆6的樹脂而言，為了提高耐熱性，可被進行交聯（cross-linked）。本例中，外覆6可藉由使聚酯帶（tape）沿相同方向以雙層斜卷的方式進行卷附而形成。需要說明的是，在使樹脂帶進行雙層卷附從而形成外覆6的情況下，卷附方向並不限定於相同方向，還可為相反方向。

需要說明的是，例如就高速通信中所用的雙芯平行電線而言，要求使其電氣特性更加良好。為此，在使洩流線的整體都埋沒於絕緣體的先前結構的電纜中，存在洩流線完全進入絕緣體，洩流線和屏蔽帶之間出現間隙，導致電氣特性不足的情況。

然而，就本揭示的一個形態的雙芯平行電線1而言，如上所述，以洩流線5的一部分從絕緣層3向屏蔽帶4側突出的方式被保持在溝35中。為此，向屏蔽帶4側突出了的洩流線5的一部分可切實地與卷附於絕緣層3的周圍的屏蔽帶4進行接觸。即，不會發生洩流線5完全進入溝35內而使屏蔽帶4浮動，也不會發生洩流線5從溝35中脫出並蜿蜒而行。據此，雙芯平行電線1的電氣特性非常穩定，故可提高雙芯平行電線1的電氣特性。

此外，就本揭示的一個形態的雙芯平行電線1而言，溝35配置在沒有設置重疊部44的平坦部31上，故縱向配置的屏蔽帶4的卷附開始位置42和卷附結束位置43可配置在平坦部32上。藉由這樣地進行配置，重疊部44處的屏蔽帶4可與平坦部32重疊，故屏蔽帶4的縱向配置（縱向卷附）不易打開。據此，易於使雙芯平行電線1的電氣特性保持穩定。

需要說明的是，溝35在本例中僅形成在平坦部31上，但從易於調整雙芯平行電線的特性阻抗的觀點和易於製造絕緣層3的觀點來看，也可在平坦部31、32上分別形成溝35。當在平坦部31、32上分別形成了溝35的情況下，洩流線5可配置在兩溝或單溝內。在洩流線被配置在任一溝35內的情況下，就其中沒有配置洩流線5的溝35而言，可由不會出現褶皺而呈緊繃狀態的屏蔽帶4來進行覆蓋。藉由這樣地進行構成，可防止屏蔽帶4進入溝35內進而導致電氣特性惡化。

接下來，對本揭示的實施例進行說明。製作下述實施例和比較例的雙芯平行電線，並分別對雙芯平行電線進行電氣特性（Scd21－Sdd21）試驗。Scd21－Sdd21是指，相對於差動模式（differential mode）輸出的相對共模（common mode）輸出。
（實施例）
實施例的雙芯平行電線1的結構為圖1所示的第一實施方式的結構，設定如下。

使兩根AWG26的銅線（直徑為0.41mm的導體2）平行排列，藉由聚烯烴（絕緣層3）並採用擠出成形對其周圍進行一體被覆。絕緣層3被形成為長軸L32.74mm×短軸L21.37mm的長圓形狀的斷面。在絕緣層3的上方的平坦部31上，形成了其底部為圓弧形狀且最深處的深度為0.18mm的溝35。

將進行了退火（annealing）處理後的鍍錫銅線形成為斷面成為圓形形狀，由此形成直徑為0.25mm的洩流線5。將1根洩流線5配置在絕緣層3的溝35內。以洩流線5的一部分（0.07mm）從絕緣層3的平坦部31向屏蔽帶4側突出的方式使洩流線5保持在溝35內。

採用真空蒸鍍法將鋁蒸鍍在聚酯樹脂帶上，由此形成鋁蒸鍍聚酯樹脂帶（屏蔽帶4）。在絕緣層3和洩流線5的外周面上，以屏蔽帶4的鋁的那一面配置在內側的方式，縱向卷附屏蔽帶4。在屏蔽帶4的外側，使兩片聚酯帶卷附為螺旋狀，並將其作為外覆6。

使上述結構的實施例的雙芯平行電線1的長度為5m，傳送0GHz至19GHz的高頻信號，求出了電氣特性（Scd21－Sdd21）。
（比較例）
比較例中，以深度為0.25mm的方式形成溝35，以直徑為0.25mm的方式形成洩流線5，由此獲得洩流線5的整體都埋沒於絕緣層3的結構。其他結構被構成為與實施例的結構相同。
（試驗結果）
針對以上的實施例和比較例，分別進行了十個例子的電氣特性（Scd21－Sdd21）的結果的比較（參照圖2和圖3）。

對圖2和圖3進行比較可知，就電氣特性（Scd21－Sdd21）而言，比較例中如圖3所示，最大值為－1dB，而實施例中則如圖2所示，最大值為－15dB，故實施例為良好。各例的不均也如圖2所示，實施例為良好。

由以上結果可確認到，與使洩流線5的整體都埋沒於絕緣層3的結構的雙芯平行電線相比，以使洩流線5的一部分從絕緣層3向屏蔽帶4側突出的方式而將洩流線5保持在溝35內的雙芯平行電線1具有良好的電氣特性（Scd21－Sdd21）。

以上，參照特定的實施方式對本揭示進行了詳細說明，然而，本業者顯然可知，在不脫離本揭示的精神和範圍的前提下，還可對其進行各種各樣的變更或修正。此外，上述構成構件的數量、位置、形狀等也不限定於上述實施形態，實施本揭示時還可將其改變為優選的數量、位置、形狀等。

＜本揭示的優選形態＞
以下，對本揭示的優選形態進行附記。
［附記1］
本揭示的一個形態的雙芯平行電線具備：
平行配置的兩條導體；
在上述兩條導體的周圍藉由擠出被覆而形成的絕緣層；
在上述絕緣層的周圍所縱向卷附的屏蔽帶；
在上述屏蔽帶的內側所配置的洩流線；及
以對上述屏蔽帶進行覆蓋的方式而形成的外覆，
上述絕緣層的與電纜的長度方向垂直的斷面為長圓形狀，該長圓形狀將短軸的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸的長度，在包含上述長圓形狀的外形線和長軸的垂直二等分線的交點的部分具有溝，
上述溝被形成為大於上述洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為上述洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度，
上述洩流線以其一部分從上述絕緣層向上述屏蔽帶側突出的方式被保持在上述溝內。

根據上述結構的雙芯平行電線，溝被形成為大於洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度，並且，洩流線以其一部分從絕緣層向屏蔽帶側突出的方式被保持在溝內。為此，洩流線可切實地與屏蔽帶進行接觸，並可使洩流線不會蜿蜒而行地保持在溝內。據此，可易於使雙芯平行電線的電氣特性保持穩定，並可提高電氣特性。
［附記2］
此外，在上述附記1的雙芯平行電線中，
當在上述斷面中將上述兩條導體並排的方向設為左右方向並將與上述左右方向垂直的方向設為上下方向時，上述絕緣層在上述兩條導體的上下具有沿左右方向延伸的平坦部，在上述兩條導體的左右具有半圓周部，
上述屏蔽帶在上述屏蔽帶的卷附開始位置和卷附結束位置之間具有上述屏蔽帶重疊的重疊部，
上述重疊部配置在上述平坦部的任一者上，
上述洩流線的一條可配置在沒有配置上述重疊部的平坦部上。

根據該結構，屏蔽帶的重疊部配置在平坦部的任一者上，並且，洩流線配置在沒有設置重疊部的平坦部上。為此，縱向配置（縱向卷附）的屏蔽帶難以打開，並易於使雙芯平行電線的電氣特性保持穩定。據此，可提高雙芯平行電線的電氣特性。
［附記3］
此外，在上述附記1的雙芯平行電線中，
上述重疊部的上述左右方向的長度被形成為：上述兩條導體的中心彼此的間隔的0.7倍以上且1.3倍以下。

根據該結構，易於使雙芯平行電線的電氣特性保持穩定。據此，可提高雙芯平行電線的電氣特性。
［附記4］
此外，在上述附記1～附記3中的任一個所述的雙芯平行電線中，
上述絕緣層被形成為：在上述長圓形狀中，位於上述兩條導體中的至少任一者的上方和下方的上述絕緣層的厚度的“最小值／最大值”在長度5m的範圍內為0.85以上且1.0以下。

根據該結構，各導體的厚度方向的位置偏差較小，可進一步提高雙芯平行電線的電氣特性。

1‧‧‧雙芯平行電線

2‧‧‧導體

3‧‧‧絕緣層

4‧‧‧屏蔽帶

5‧‧‧洩流線

6‧‧‧外覆

31、32‧‧‧平坦部

33、34‧‧‧半圓周部

35‧‧‧溝

41‧‧‧金屬層

42‧‧‧卷附開始位置

43‧‧‧卷附結束位置

44‧‧‧重疊部

L1‧‧‧（導體2的中心之間的）間隔

L2‧‧‧短軸

L3‧‧‧長軸

〔第1圖〕表示本揭示的一實施方式的雙芯平行電線的結構的斷面圖。

〔第2圖〕實施例的電氣特性（Scd21－Sdd21）的說明圖。

〔第3圖〕比較例的電氣特性（Scd21－Sdd21）的說明圖。

Claims (4)

1. 一種雙芯平行電線，具備： 平行配置的兩條導體； 在上述兩條導體的周圍藉由擠出被覆而形成的絕緣層； 縱向卷附在上述絕緣層的周圍的屏蔽帶（shield tape）； 配置在上述屏蔽帶的內側的洩流線（drain wire）；及 以覆蓋上述屏蔽帶的方式而形成的外覆， 上述絕緣層的與上述雙芯平行電線的長度方向垂直的斷面為長圓形狀，該長圓形狀將短軸的長度的1.7倍以上且2.2倍以下設為長軸的長度，在包含上述長圓形狀的外形線和長軸的垂直二等分線的交點的部分具有溝， 上述溝被形成為：大於上述洩流線的外徑或厚度的0.5倍且為上述洩流線的外徑或厚度的0.9倍以下的深度， 上述洩流線以其一部分從上述絕緣層向上述屏蔽帶側突出的方式被保持在上述溝內。
2. 如請求項1所述的雙芯平行電線，其中， 上述斷面中，當將上述兩條導體並排的方向設為左右方向並將與上述左右方向垂直的方向設為上下方向時，上述絕緣層在上述兩條導體的上下具有沿左右方向延伸的平坦部，並在上述兩條導體的左右具有半圓周部， 上述屏蔽帶在上述屏蔽帶的卷附開始位置和卷附結束位置之間具有上述屏蔽帶重疊的重疊部， 上述重疊部配置在上述平坦部的任一者上， 上述溝形成在沒有配置上述重疊部的平坦部上。
3. 如請求項2所述的雙芯平行電線，其中， 上述重疊部被形成為：上述左右方向的長度是上述兩條導體的中心彼此的間隔的0.7倍以上且1.3倍以下的長度。
4. 如請求項1至3中任一項所述的雙芯平行電線，其中， 上述絕緣層被形成為：在上述長圓形狀內，位於上述兩條導體中的至少一者的上方和下方的上述絕緣層的厚度的最小值／最大值在長度5m的範圍內為0.85以上且1.0以下。