JP2023036414A - シールドケーブル、基板付きシールドケーブル及び多芯ケーブル - Google Patents

Abstract

【課題】良好な高周波信号の品質を得ながら小型化できるシールドケーブル、基板付きシールドケーブル及び多芯ケーブルを提供する。【解決手段】シールドケーブルは、第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、前記シールド層に接するドレイン線と、前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、シールドケーブル、基板付きシールドケーブル及び多芯ケーブルに関する。

平行に並べられた一対の絶縁電線の周囲に巻き付けられた導電性のシールドテープと、シールドテープの外側に巻かれた絶縁テープと、を備えたシールドケーブルが提案されている（特許文献１～４）。

特開２０１８－０６０６８５号公報 特開２０１８－０６７４３５号公報 国際公開第２０１９／０８２４３７号 国際公開第２０１９／１３１５００号

特許文献１に記載のシールドケーブルによれば、所期の目的は達成されるものの、近年ではシールドケーブルの更なる小型化が望まれている。

本開示は、良好な高周波信号の品質を得ながら小型化できるシールドケーブル、基板付きシールドケーブル及び多芯ケーブルを提供することを目的とする。

本開示のシールドケーブルは、第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、前記シールド層に接するドレイン線と、前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、を有する。

本開示によれば、良好な高周波信号の品質を得ながら小型化できる。

図１は、第１実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。 図２は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第１例を示す模式図である。 図３は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第１例を示す断面図（その１）である。 図４は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第１例を示す断面図（その２）である。 図５は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第２例を示す模式図である。 図６は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第２例を示す断面図である。 図７は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第３例を示す模式図である。 図８は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第３例を示す断面図である。 図９は、第２実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。 図１０は、第３実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。 図１１は、第４実施形態に係る多芯ケーブルを示す断面図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。

〔１〕 本開示の一態様に係るシールドケーブルは、第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、前記シールド層に接するドレイン線と、前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、を有する。

第１絶縁電線及び第２絶縁電線とシールド層との間に第３絶縁層が設けられている。従って、第１中心導体と第２中心導体との間の距離を小さくしても、インピーダンスを適切に調整できる。このため、良好な高周波信号の品質を得ながら、第１中心導体と第２中心導体との間の距離を小さくして小型化することができる。

〔２〕 〔１〕において、前記第１中心導体と前記第２中心導体との間の距離は、前記第１中心導体と前記シールド層との間の距離の２倍よりも小さく、前記第２中心導体と前記シールド層との間の距離の２倍よりも小さくてもよい。この場合、シールドケーブルを小型化しやすい。

〔３〕 〔１〕又は〔２〕において、前記ドレイン線は、平板状の形状を有する。この場合、シールドケーブルの厚さを小さくしやすい。

〔４〕 〔１〕～〔３〕において、前記第１絶縁層は、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１充実層を有し、前記第２絶縁層は、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２充実層を有してもよい。この場合、第１絶縁電線及び第２絶縁電線に所望の機械的強度を確保しやすい。

〔５〕 〔４〕において、前記第１絶縁層は、前記第１充実層の周囲に設けられた第１発泡層を有し、前記第２絶縁層は、前記第２充実層の周囲に設けられた第２発泡層を有してもよい。この場合、第１絶縁電線及び第２絶縁電線に所望のインピーダンスを得やすい。

〔６〕 〔５〕において、前記第１絶縁層は、前記第１発泡層の周囲に設けられた第３充実層を有し、前記第２絶縁層は、前記第２発泡層の周囲に設けられた第４充実層を有してもよい。この場合、第１絶縁電線及び第２絶縁電線に所望のインピーダンスを更に得やすい。

〔７〕 〔６〕において、前記第３絶縁層は、前記第１充実層、前記第２充実層、前記第３充実層及び前記第４充実層よりも厚くてよい。この場合、第１中心導体と第２中心導体との間の距離を小さくしながら、インピーダンスを調整しやすい。

〔８〕 〔１〕～〔７〕において、前記シールド層は、前記第３絶縁層の外周面に形成されためっき層を有してもよい。この場合、高周波信号の伝送品質をより向上しやすい。

〔９〕 〔１〕～〔７〕において、前記シールド層は、前記ドレイン線が接する金属箔を有してもよい。この場合、シールドケーブルを製造しやすい。

〔１０〕 〔９〕において、前記ドレイン線は、前記金属箔と前記第４絶縁層との間に設けられていてもよい。この場合、シールド層を第３絶縁層の上に巻き付けやすい。

〔１１〕 〔９〕において、前記ドレイン線は、前記第３絶縁層と前記金属箔との間に設けられていてもよい。この場合、ドレイン線を第３絶縁層の上に設けやすい。

〔１４〕 本開示の他の一態様に係るシールドケーブルは、第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、前記シールド層に接するドレイン線と、前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、を有し、前記第１中心導体と前記第２中心導体との間の距離は、前記第１中心導体と前記シールド層との間の距離の１．６倍以下であり、前記第２中心導体と前記シールド層との間の距離の１．６倍以下であり、前記ドレイン線は、平板状の形状を有し、前記第１絶縁層は、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１充実層と、前記第１充実層の周囲に設けられた第１発泡層と、前記第１発泡層の周囲に設けられた第３充実層と、を有し、前記第２絶縁層は、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２充実層と、前記第２充実層の周囲に設けられた第２発泡層と、前記第２発泡層の周囲に設けられた第４充実層と、を有し、前記シールド層は、前記第３絶縁層の外周面に形成されためっき層を有する。

第１絶縁電線及び第２絶縁電線とシールド層との間に第３絶縁層が設けられている。また、第１中心導体と第２中心導体との間の距離が、第１中心導体とシールド層との間の距離の１．６倍以下であり、第２中心導体とシールド層との間の距離の１．６倍以下である。このため、良好な高周波信号の品質を得ながら、第１中心導体と第２中心導体との間の距離を小さくして小型化することができる。

〔１５〕 本開示の他の一態様に係る基板付きシールドケーブルは、〔１〕～〔１４〕のいずれかのシールドケーブルと、前記シールドケーブルに接続された基板と、を有し、前記基板は、絶縁基材と、前記第１中心導体と電気的に接続された第１導体層と、前記第２中心導体と電気的に接続された第２導体層と、前記ドレイン線と電気的に接続された第３導体層と、を備え、前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、前記絶縁基材の表面に設けられており、前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、互いに平行に延び、前記第３導体層は、前記第１導体層と前記第２導体層との間に配置される。この場合、良好な高周波信号の品質を得ながら基板付きシールドケーブルを小型化できる。

〔１６〕 本開示の他の一態様に係る基板付きシールドケーブルは、〔１〕～〔１４〕のいずれかのシールドケーブルと、前記シールドケーブルに接続された基板と、を有し、前記基板は、絶縁基材と、前記第１中心導体と電気的に接続された第１導体層と、前記第２中心導体と電気的に接続された第２導体層と、前記ドレイン線と電気的に接続された第３導体層と、を備え、前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、前記絶縁基材の表面に設けられており、前記絶縁基材は、前記第４絶縁層の前記ドレイン線を基準にして前記第１中心導体及び前記第２中心導体側とは反対側の部分に接し、前記第１導体層及び前記第２導体層は、互いに平行に延び、前記第３導体層は、前記第１導体層が延びる方向に直交する方向に延びる。この場合、良好な高周波信号の品質を得ながら基板付きシールドケーブルを小型化できる。

〔１７〕 本開示の他の一態様に係る多芯ケーブルは、複数の〔１〕～〔１４〕のいずれかのシールドケーブルと、前記複数のシールドケーブルを内包する外被と、を有する。

多芯ケーブルに含まれるシールドケーブルにおいて、良好な高周波信号の品質を得ながら、小型化することができる。従って、多芯ケーブルも小型化できる。更に、多芯ケーブルにより、大容量の信号を伝送できる。

［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。第１実施形態は、シールドケーブルに関する。図１は、第１実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。図１には、シールドケーブルの長手方向（第１方向）に垂直な断面を示す。

第１実施形態に係るシールドケーブル１は、例えばツイナックスケーブルである。図１に示すように、シールドケーブル１は、主として、絶縁電線１０と、絶縁電線２０と、絶縁層３０と、シールド層４０と、ドレイン線５０と、絶縁層６０とを有する。絶縁電線１０及び絶縁電線２０は、互いに平行に並べられている。例えば、絶縁電線１０及び絶縁電線２０は、長手方向に垂直な方向（第２方向）に並べられている。絶縁電線１０及び絶縁電線２０は、互いに接している。

絶縁電線１０は、中心導体１１と、中心導体１１の周囲に設けられた絶縁層１２とを有する。絶縁層１２は中心導体１１の周囲を被覆する。絶縁層１２は、充実層１３（内側充実層）と、発泡層１４と、充実層１５（外側充実層）とを含む。中心導体１１は第１中心導体の一例である。絶縁層１２は第１絶縁層の一例である。

中心導体１１の材料は、例えば銅、アルミニウム等の金属である。中心導体１１に錫又は銀等のめっき処理が施されていてもよい。中心導体１１は、単線であってもよく、撚線であってもよい。中心導体１１の寸法は、例えば、ＡＷＧ（American Wire Gauge）の規格において、例えばＡＷＧ３４～ＡＷＧ２２である。ＡＷＧ３４では、直径が０．１６０ｍｍであり、ＡＷＧ２２では、直径が０．６４３ｍｍである。

充実層１３は中心導体１１の周囲に設けられている。充実層１３は中心導体１１の外周面に接する。充実層１３は中心導体１１の外周面を覆う。充実層１３の材料は、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）又はオレフィン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＯ）である。充実層１３の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。充実層１３は第１充実層の一例である。

発泡層１４は充実層１３の周囲に設けられている。発泡層１４は充実層１３の外周面に接する。発泡層１４は充実層１３の外周面を覆う。発泡層１４の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。発泡層１４の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。発泡層１４は第１発泡層の一例である。

充実層１５は発泡層１４の周囲に設けられている。充実層１５は発泡層１４の外周面に接する。充実層１５は発泡層１４の外周面を覆う。充実層１５の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。充実層１５の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。充実層１５は第３充実層の一例である。

発泡層１４は充実層１３及び充実層１５よりも厚い。充実層１３の厚さと充実層１５の厚さとが同じでもよく、充実層１５が充実層１３より厚くてもよい。例えば、発泡層１４の厚さが０．２０ｍｍであり、充実層１３の厚さが０．０８ｍｍであり、充実層１５の厚さが０．０８ｍｍである。

充実層１３、発泡層１４及び充実層１５は、例えば充実層１３、発泡層１４及び充実層１５の３層をまとめての加圧押出により形成されている。

絶縁電線２０は、中心導体２１と、中心導体２１の周囲に設けられた絶縁層２２とを有する。絶縁層２２は中心導体２１の周囲を被覆する。絶縁層２２は、絶縁層１２と同様の構成を備える。絶縁層２２は、充実層２３（内側充実層）と、発泡層２４と、充実層２５（外側充実層）とを含む。中心導体２１は第２中心導体の一例である。絶縁層２２は第２絶縁層の一例である。

中心導体２１の材料は、例えば銅、アルミニウム等の金属である。中心導体２１に錫又は銀等のめっき処理が施されていてもよい。中心導体２１は、単線であってもよく、撚線であってもよい。中心導体２１の寸法は、例えば、ＡＷＧの規格において、例えばＡＷＧ３４～ＡＷＧ２２である。

充実層２３は中心導体２１の周囲に設けられている。充実層２３は中心導体２１の外周面に接する。充実層２３は中心導体２１の外周面を覆う。充実層２３の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。充実層２３の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。充実層２３は第２充実層の一例である。

発泡層２４は充実層２３の周囲に設けられている。発泡層２４は充実層２３の外周面に接する。発泡層２４は充実層２３の外周面を覆う。発泡層２４の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。発泡層２４の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。発泡層２４は第２発泡層の一例である。

充実層２５は発泡層２４の周囲に設けられている。充実層２５は発泡層２４の外周面に接する。充実層２５は発泡層２４の外周面を覆う。充実層２５の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。充実層２５の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。充実層２５は第４充実層の一例である。

発泡層２４は充実層２３及び充実層２５よりも厚い。充実層２３の厚さと充実層２５の厚さとが同じでもよく、充実層２５が充実層２３より厚くてもよい。例えば、発泡層２４の厚さが０．２０ｍｍであり、充実層２３の厚さが０．０８ｍｍであり、充実層２５の厚さが０．０８ｍｍであってもよい。

充実層２３、発泡層２４及び充実層２５は、例えば充実層２３、発泡層２４及び充実層２５の３層をまとめての加圧押出により形成されている。

絶縁層３０は絶縁電線１０及び絶縁電線２０の周囲に設けられている。絶縁層３０は、２つの絶縁電線１０及び２０に接触し、平坦な上側平坦部、下側平坦部と、２つの絶縁電線と接触し、円形状の第１円形部と、第２円形部とを有する。絶縁層３０は、絶縁電線１０の外周面のうち絶縁電線２０側とは反対側の部分と、絶縁電線２０の外周面のうち絶縁電線１０側とは反対側の部分とに接する。絶縁層３０の材料は、例えばＰＥ、ＰＰ又はＴＰＯである。絶縁層３０の厚さは、例えば０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である。絶縁層３０は充実層１３、充実層１５、充実層２３及び充実層２５よりも厚い。絶縁層３０の厚さは、例えば０．１０ｍｍであってもよい。絶縁層３０は、例えばチューブ押出により形成されている。絶縁層３０は第３絶縁層の一例である。

シールド層４０は、樹脂テープ４１と、金属箔４２とを有する。例えば、金属箔４２は、樹脂テープ４１の一方の面に接着又は蒸着されている。樹脂テープ４１の材料は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の樹脂である。金属箔４２は、例えば、銅箔又はアルミニウム箔である。シールド層４０の厚さは、例えば４μｍ以上１００μｍ以下である。金属箔４２の厚さは、例えば７μｍ以上、６０μｍ以下である。シールド層４０は、樹脂テープ４１が絶縁層３０に接するようにして、絶縁層３０の周囲に縦添えで巻かれている。従って、樹脂テープ４１が絶縁層３０と金属箔４２との間にあり、金属箔４２が樹脂テープ４１の外側にある。

ドレイン線５０の材料は、例えば銅、アルミニウム等の金属である。ドレイン線５０は、平板状の形状を有する。例えば、ドレイン線５０は、長手方向に垂直な方向から見たときに、すなわち断面視で、矩形状の断面形状を有する。ドレイン線５０は絶縁層３０の上側平坦部の上方に設けられている。例えば、ドレイン線５０の厚さは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、幅は０．１ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。ドレイン線５０は、シールド層４０の金属箔４２に接するようにして、金属箔４２の外側に設けられている。ドレイン線５０は、例えば縦添えされている。ドレイン線５０は、金属箔４２に電気的に接続されている。絶縁電線１０と絶縁電線２０とが並ぶ方向（第２方向）とドレイン線５０の幅方向とが略平行である。ドレイン線５０は、長手方向（第１方向）に垂直な方向であって、かつ絶縁電線１０と絶縁電線２０とが並ぶ方向（第２方向）にも垂直な方向（第３方向）から見たときに、すなわち平面視で、絶縁電線１０と絶縁電線２０との接触部と重なる。好ましくは、ドレイン線５０の幅方向の中心が、平面視で、絶縁電線１０と絶縁電線２０との接触部と重なる。

絶縁層６０はシールド層４０及びドレイン線５０の周囲に設けられている。絶縁層６０の材料は、例えばＰＥＴ、ＰＶＣ等の樹脂である。絶縁層６０の厚さは、例えば４μｍ以上５０μｍ以下である。絶縁層６０は、例えば、絶縁テープがシールド層４０及びドレイン線５０の周囲に螺旋状（横巻き）に巻かれて形成されている。絶縁層６０がシールド層４０及びドレイン線５０の周囲に設けられることにより、シールド層４０の機械的強度を強くし、外部からの汚染を防ぐことができる。絶縁層６０は、絶縁テープに限定されず、加圧押出又はチューブ押出で形成されていてもよい。絶縁層６０は第４絶縁層の一例である。

第１実施形態に係るシールドケーブル１では、絶縁電線１０及び絶縁電線２０とシールド層４０との間に絶縁層３０が設けられている。従って、絶縁電線１０の中心導体１１と絶縁電線２０の中心導体２１との間の距離を小さくしても、インピーダンスを適切に調整できる。このため、良好な高周波信号の品質を得ながら、絶縁電線１０の中心導体１１と絶縁電線２０の中心導体２１との間の距離を小さくして小型化できる。

例えば、中心導体１１と中心導体２１との間の距離Ｌ１２は、中心導体１１とシールド層４０との間の距離Ｌ１０の２倍よりも小さく、中心導体２１とシールド層４０との間の距離Ｌ２０の２倍よりも小さい。シールドケーブル１が小型化しやすくなるためである。距離Ｌ１２は、好ましくは距離Ｌ１０の１．８倍以下、かつ距離Ｌ２０の１．８倍以下であり、より好ましくは距離Ｌ１０の１．６倍以下、かつ距離Ｌ２０の１．６倍以下である。距離Ｌ１２が、距離Ｌ１０の１．５倍程度、かつ距離Ｌ２０の１．５倍程度であってもよい。

本実施形態では、ドレイン線５０が平板状の形状を有する。このため、シールドケーブル１の厚さを小さくしやすい。ドレイン線５０は、例えば平角導体である。

本実施形態では、絶縁電線１０が充実層１３、発泡層１４及び充実層１５を含み、絶縁電線２０が充実層２３、発泡層２４及び充実層２５含む。このため、高周波信号の伝送品質を安定させやすい。

なお、絶縁電線１０が充実層１５を含まなくてもよく、絶縁電線２０が充実層２５を含まなくてもよい。また、絶縁電線１０が発泡層１４及び充実層１５を含まなくてもよく、絶縁電線２０が発泡層２４及び充実層２５を含まなくてもよい。特に、スキュー又はコモンモードコンバージョンを向上しようとする場合、絶縁電線１０が発泡層１４を含まず、絶縁電線２０が発泡層２４を含まなくてもよい。この場合、絶縁電線１０は充実層１３又は充実層１５で形成され、絶縁電線２０は充実層２３又は充実層２５で形成される。特に、挿入損失を向上しようとする場合は、発泡層１４及び発泡層２４を設けることが好ましい。また、絶縁層１２の構造は、充実層１３、発泡層１４及び充実層１５の３層構造に限定されず、充実層１３及び発泡層１４の２層構造であってもよく、発泡層１４及び充実層１５の２層構造であってもよい。同様に、絶縁層２２の構造は、充実層２３、発泡層２４及び充実層２５の３層構造に限定されず、充実層２３及び発泡層２４の２層構造であってもよく、発泡層２４及び充実層２５の２層構造であってもよい。

本実施形態では、ドレイン線５０が金属箔４２と絶縁層６０との間に設けられている。このため、シールド層４０を絶縁層３０の上に巻き付けやすい。

ドレイン線５０の幅は、例えば絶縁層３０の上側平坦部の幅、つまり、絶縁電線１０の中心と絶縁電線２０の中心との間の距離以下である。ドレイン線５０の幅は、中心導体１１と中心導体２１との間の距離Ｌ１２以下であってもよい。ドレイン線５０の幅が距離Ｌ１２以下であると、長手方向にわたり、ドレイン線５０を絶縁層３０の上側平坦部に配置しやすくできる。

ここで、縦添えされるシールド層４０の内側の端部及び外側の端部の配置について説明する。シールド層４０の内側の端部は、絶縁層３０の第１円形部又は第２円形部のうち面５１よりも下側（ドレイン線５０が配置されていない方）に設けられる。また、シールド層４０の外側の端部は、絶縁層３０の下側平坦部に設けられるか、又は第１円形部若しくは第２円形部のうち面５１よりも下側に設けられる。つまり、長手方向に垂直な方向から見たときに、少なくとも、シールド層４０の内側の端部及び外側の端部は、絶縁層３０の周方向においてドレイン線５０から離れて配置され、ドレイン線５０と直接重畳しないように設けられるとよい。

＜シールドケーブル１の使用形態＞
次に、第１実施形態に係るシールドケーブル１の使用形態について説明する。シールドケーブル１は、例えば、導電層が形成された基板に接続されて用いられる。

〔使用形態の第１例〕
まず、使用形態の第１例について説明する。使用形態の第１例は基板付きシールドケーブルに関する。図２は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第１例を示す模式図である。図３及び図４は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第１例を示す断面図である。図３は、ドレイン線に沿った断面図であり、図４は、中心導体に沿った断面図である。

図２～図４に示すように、シールドケーブル１は、例えば基板９０に接続される。基板９０は、絶縁基材９５と、信号用の導体層９１と、信号用の導体層９２と、グランド用の導体層９３とを有する。導体層９１～９３は、絶縁基材９５の表面に設けられており、互いに平行に延びる。導体層９３が導体層９１と導体層９２との間に配置されている。導体層９１は第１導体層の一例であり、導体層９２は第２導体層の一例であり、導体層９３は第３導体層の一例である。

第１例では、中心導体１１及び中心導体２１を含む面５１に対して、ドレイン線５０が基板９０側とは反対側に配置される。つまり、第１例では、絶縁層３０の下側平端部が面５１よりも絶縁基材９５側に位置する。そして、絶縁層６０が絶縁基材９５の上に絶縁基材９５に接するように設けられる。また、中心導体１１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９１に接続され、中心導体２１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９２に接続され、ドレイン線５０がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９３に接続される。はんだ等の接合材は樹脂９６により覆われる。

〔使用形態の第２例〕
次に、使用形態の第２例について説明する。使用形態の第２例は基板付きシールドケーブルに関する。図５は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第２例を示す模式図である。図６は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第２例を示す断面図である。図６は、ドレイン線に沿った断面図である。

第２例では、図５及び図６に示すように、中心導体１１及び中心導体２１を含む面５１に対して、ドレイン線５０が基板９０側に配置される。つまり、第２例では、絶縁層３０の上側平端部が面５１よりも絶縁基材９５側に位置する。そして、絶縁層６０が絶縁基材９５の上に絶縁基材９５に接するように設けられる。また、中心導体１１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９１に接続され、中心導体２１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９２に接続され、ドレイン線５０がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９３に接続される。はんだ等の接合材は樹脂９６により覆われる。

〔使用形態の第３例〕
次に、使用形態の第３例について説明する。使用形態の第３例は基板付きシールドケーブルに関する。図７は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第３例を示す模式図である。図８は、第１実施形態に係るシールドケーブルの使用形態の第３例を示す断面図である。図８は、ドレイン線に沿った断面図である。

第３例では、図７及び図８に示すように、導体層９３が、導体層９１及び９２が延びる方向に直交する方向に延びる。また、第２例と同様に、中心導体１１及び中心導体２１を含む面５１に対して、ドレイン線５０が基板９０側に配置される。つまり、第３例では、絶縁層３０の上側平端部が面５１よりも絶縁基材９５側に位置する。そして、絶縁層６０が絶縁基材９５の上に絶縁基材９５に接するように設けられる。絶縁基材９５は、絶縁層６０のドレイン線５０を基準にして中心導体１１及び中心導体２１側とは反対側の部分に接する。また、中心導体１１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９１に接続され、中心導体２１がはんだ等の接合材（図示せず）により導体層９２に接続される。はんだ等の接合材は樹脂９６により覆われる。また、絶縁層６０の一部が剥ぎ取られて、ドレイン線５０の一部が絶縁層６０から露出し、ドレイン線５０が異方性導電膜等の接合材（図示せず）により導体層９３に接続される。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、シールド層４０とドレイン線５０との位置関係の点で第１実施形態と相違する。図９は、第２実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。図９には、シールドケーブルの長手方向に垂直な断面を示す。

図９に示すように、第２実施形態に係るシールドケーブル２では、ドレイン線５０が絶縁層３０に接するようにして、絶縁層３０の外側に設けられている。ドレイン線５０は、例えば縦添えされている。また、シールド層４０は、金属箔４２が絶縁層３０及びドレイン線５０に接するようにして、絶縁層３０及び金属箔４２の周囲に縦添えで巻かれている。従って、金属箔４２が絶縁層３０と樹脂テープ４１との間にあり、樹脂テープ４１が金属箔４２の外側にある。ドレイン線５０は、金属箔４２に電気的に接続されている。絶縁層６０はシールド層４０の周囲に設けられている。絶縁層６０は、例えば、絶縁テープがシールド層４０の周囲に螺旋状（横巻き）に巻かれて形成されている。

他の構成は第１実施形態と同様である。

第２実施形態によっても第１実施形態と同様に、良好な高周波信号の品質を得ながら、小型化できる効果が得られる。また、本実施形態では、ドレイン線５０が絶縁層３０と金属箔４２との間に設けられている。このため、ドレイン線５０を絶縁層３０の上に設けやすい。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主として、シールド層及び絶縁層の構成の点で第１実施形態等と相違する。図１０は、第３実施形態に係るシールドケーブルを示す断面図である。図１０には、シールドケーブルの長手方向に垂直な断面を示す。

図１０に示すように、第３実施形態に係るシールドケーブル３は、シールド層４０に代えて、絶縁層３０の外周面に形成されためっき層４３をシールド層として有する。めっき層４３の材料は、例えば銅である。めっき層４３の厚さは、例えば０．１μｍ以上２０μｍ以下である。ドレイン線５０は、めっき層４３に接するようにして、めっき層４３の外側に設けられている。ドレイン線５０は、例えば縦添えされている。ドレイン線５０は、めっき層４３に電気的に接続されている。

また、シールドケーブル３は、絶縁層６０に代えて、絶縁層７０を有する。絶縁層７０は、第１層７１と、第２層７２とを有する。第１層７１及び第２層７２の材料は、例えばＰＥＴ、ＰＶＣ等の樹脂である。第１層７１及び第２層７２の厚さは、例えば４μｍ以上５０μｍ以下である。第１層７１は、面５１の一方側にラミネートされ、めっき層４３の面５１の一方側の部分と、ドレイン線５０とを覆う。また、第２層７２は面５１の他方側にラミネートされ、めっき層４３の面５１の他方側の部分を覆う。そして、第１層７１及び第２層７２が、めっき層４３に連続しながら互いに貼り合わされている。絶縁層７０は、第１層７１及び第２層７２が貼り合わされた２個の耳部７３を有する。

他の構成は第１実施形態と同様である。

第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第３実施形態では、めっき層４３がシールド層として機能する。このため、めっき層４３と中心導体１１との間の距離Ｌ１０、及びめっき層４３と中心導体２１との間の距離Ｌ２０を安定させやすい。従って、高周波信号の伝送品質をより向上しやすい。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。第４実施形態は、第１実施形態に係るシールドケーブル１を含む多芯ケーブルに関する。図１１は、第４実施形態に係る多芯ケーブルを示す断面図である。図１１には、多芯ケーブルの長手方向に垂直な断面を示す。

図１１に示すように、第４実施形態に係る多芯ケーブル４は、複数、例えば８本のシールドケーブル１と、介在８１と、積層テープ８２と、シールド層８３と、外被８４とを有する。

８本のシールドケーブル１のうち、２本のシールドケーブル１が、ドレイン線５０が外側を向くようにして撚り合わされ、その周囲に、他の６本のシールドケーブル１が、ドレイン線５０が外側を向くようにして撚り合わされている。例えば、２本のシールドケーブル１の撚り合わせのピッチと、６本のシールドケーブル１の撚り合わせのピッチとが等しい。介在８１は、例えば、撚り合わされた２本のシールドケーブル１と、撚り合わされた６本のシールドケーブル１との間に設けられる。撚り合わされた６本のシールドケーブル１の周囲に設けられてもよい。

積層テープ８２は、複数のシールドケーブル１及び介在８１の周囲に設けられている。積層テープ８２は、例えば、ＰＥＴテープと、アルミニウム箔とを有する。アルミニウム箔がＰＥＴテープの外側に配置されている。シールド層８３は積層テープ８２の周囲に設けられており、積層テープ８２のアルミニウム箔に接する。積層テープ８２は、複数のシールドケーブル１及び介在８１の周囲に螺旋状（横巻き）に巻かれて形成されている。シールド層８３は、例えば編組である。外被８４はシールド層８３の周囲に設けられている。外被８４は複数のシールドケーブル１を内包する。シールド層８３と外被８４との間に銅箔が設けられていてもよい。

多芯ケーブル４に含まれるシールドケーブル１において、良好な高周波信号の品質を得ながら、小型化することができる。従って、多芯ケーブル４も小型化できる。更に、多芯ケーブル４によれば、大容量の信号を伝送できる。また、ドレイン線５０が外側を向くように配置されているため、多芯ケーブル４を基板に接続する際に、基板の導体層とドレイン線５０とを接続しやすい。

多芯ケーブル４が、シールドケーブル１に代えてシールドケーブル２又は３を含んでもよい。

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

１、２、３：シールドケーブル
４：多芯ケーブル
１０、２０：絶縁電線
１１：中心導体（第１中心導体）
１２：絶縁層（第１絶縁層）
１３：充実層（第１充実層）
１４：発泡層（第１発泡層）
１５：充実層（第３充実層）
２１：中心導体（第２中心導体）
２２：絶縁層（第２絶縁層）
２３：充実層（第２充実層）
２４：発泡層（第２発泡層）
２５：充実層（第４充実層）
３０：絶縁層（第３絶縁層）
６０：絶縁層（第４絶縁層）
７０：絶縁層
４０、８３：シールド層
４１：樹脂テープ
４２：金属箔
４３：めっき層
５０：ドレイン線
５１：面
７１：第１層
７２：第２層
７３：耳部
８１：介在
８２：積層テープ
８４：外被
９０：基板
９１：導体層（第１導体層）
９２：導体層（第２導体層）
９３：導体層（第３導体層）
９５：絶縁基材
９６：樹脂

Claims (17)

1. 第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、
   第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、
   前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、
   前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、
   前記シールド層に接するドレイン線と、
   前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、
   を有するシールドケーブル。
2. 前記第１中心導体と前記第２中心導体との間の距離は、
   前記第１中心導体と前記シールド層との間の距離の２倍よりも小さく、
   前記第２中心導体と前記シールド層との間の距離の２倍よりも小さい請求項１に記載のシールドケーブル。
3. 前記ドレイン線は、平板状の形状を有する請求項１又は請求項２に記載のシールドケーブル。
4. 前記第１絶縁層は、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１充実層を有し、
   前記第２絶縁層は、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２充実層を有する請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のシールドケーブル。
5. 前記第１絶縁層は、前記第１充実層の周囲に設けられた第１発泡層を有し、
   前記第２絶縁層は、前記第２充実層の周囲に設けられた第２発泡層を有する請求項４に記載のシールドケーブル。
6. 前記第１絶縁層は、前記第１発泡層の周囲に設けられた第３充実層を有し、
   前記第２絶縁層は、前記第２発泡層の周囲に設けられた第４充実層を有する請求項５に記載のシールドケーブル。
7. 前記第３絶縁層は、前記第１充実層、前記第２充実層、前記第３充実層及び前記第４充実層よりも厚い請求項６に記載のシールドケーブル。
8. 前記シールド層は、前記第３絶縁層の外周面に形成されためっき層を有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシールドケーブル。
9. 前記シールド層は、前記ドレイン線が接する金属箔を有する請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシールドケーブル。
10. 前記ドレイン線は、前記金属箔と前記第４絶縁層との間に設けられている請求項９に記載のシールドケーブル。
11. 前記ドレイン線は、前記第３絶縁層と前記金属箔との間に設けられている請求項９に記載のシールドケーブル。
12. 前記ドレイン線の幅は、前記第１中心導体と前記第２中心導体との間の距離以下である請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のシールドケーブル。
13. 前記シールド層は、前記第３絶縁層の周囲に縦添えされており、
    長手方向に垂直な方向から見たときに、前記シールド層の内側の端部及び外側の端部は、前記第３絶縁層の周方向において前記ドレイン線から離れて配置されている請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のシールドケーブル。
14. 第１中心導体と、前記第１中心導体の周囲に設けられた第１絶縁層と、を備えた第１絶縁電線と、
    第２中心導体と、前記第２中心導体の周囲に設けられた第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁電線に平行に配置された第２絶縁電線と、
    前記第１絶縁電線及び前記第２絶縁電線の周囲に設けられた第３絶縁層と、
    前記第３絶縁層の周囲に設けられたシールド層と、
    前記シールド層に接するドレイン線と、
    前記シールド層及び前記ドレイン線の周囲に設けられた第４絶縁層と、
    を有し、
    前記第１中心導体と前記第２中心導体との間の距離は、
    前記第１中心導体と前記シールド層との間の距離の１．６倍以下であり、
    前記第２中心導体と前記シールド層との間の距離の１．６倍以下であり、
    前記ドレイン線は、平板状の形状を有し、
    前記第１絶縁層は、
    前記第１中心導体の周囲に設けられた第１充実層と、
    前記第１充実層の周囲に設けられた第１発泡層と、
    前記第１発泡層の周囲に設けられた第３充実層と、
    を有し、
    前記第２絶縁層は、
    前記第２中心導体の周囲に設けられた第２充実層と、
    前記第２充実層の周囲に設けられた第２発泡層と、
    前記第２発泡層の周囲に設けられた第４充実層と、
    を有し、
    前記シールド層は、前記第３絶縁層の外周面に形成されためっき層を有するシールドケーブル。
15. 請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載のシールドケーブルと、
    前記シールドケーブルに接続された基板と、
    を有し、
    前記基板は、
    絶縁基材と、
    前記第１中心導体と電気的に接続された第１導体層と、
    前記第２中心導体と電気的に接続された第２導体層と、
    前記ドレイン線と電気的に接続された第３導体層と、
    を備え、
    前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、前記絶縁基材の表面に設けられており、
    前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、互いに平行に延び、
    前記第３導体層は、前記第１導体層と前記第２導体層との間に配置される基板付きシールドケーブル。
16. 請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載のシールドケーブルと、
    前記シールドケーブルに接続された基板と、
    を有し、
    前記基板は、
    絶縁基材と、
    前記第１中心導体と電気的に接続された第１導体層と、
    前記第２中心導体と電気的に接続された第２導体層と、
    前記ドレイン線と電気的に接続された第３導体層と、
    を備え、
    前記第１導体層、前記第２導体層及び前記第３導体層は、前記絶縁基材の表面に設けられており、
    前記絶縁基材は、前記第４絶縁層の前記ドレイン線を基準にして前記第１中心導体及び前記第２中心導体側とは反対側の部分に接し、
    前記第１導体層及び前記第２導体層は、互いに平行に延び、
    前記第３導体層は、前記第１導体層が延びる方向に直交する方向に延びる基板付きシールドケーブル。
17. 複数の請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載のシールドケーブルと、
    前記複数のシールドケーブルを内包する外被と、
    を有する多芯ケーブル。

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