TW201919223A - 微型發光二極體顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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李玉柱
陳培欣
陳奕靜
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Abstract

一種微型發光二極體顯示面板包括基板、異方性導電膠膜以及多個微型發光二極體。異方性導電膠膜設置於基板的其中一側。所述多個微型發光二極體與異方性導電膠層設置於基板的同一側，並透過異方性導電膠膜電性連接基板。各個微型發光二極體包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個電極層位於基板與對應的磊晶層之間。各個電極層的厚度與對應的磊晶層的厚度的比值介於0.1至0.5之間。

Description

微型發光二極體顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板及其製造方法。
微型發光二極體顯示器具有低功耗、高亮度、高色彩飽和度、反應速度快以及省電等優點，不僅如此，微型發光二極體顯示器更具有材料穩定性佳與無影像殘留(image sticking)等優勢。因此，微型發光二極體顯示器的顯示技術的發展備受關注。
就製程上而言，在將微型發光二極體自成長基板轉移至驅動電路基板的過程中，需對微型發光二極體進行加熱加壓，以使微型發光二極體電性接合於驅動電路基板。然而，在此轉移過程中，容易造成微型發光二極體損傷，甚至是碎裂，以致於後續製作得到的微型發光二極體顯示器的可靠度不佳。
本發明提供一種微型發光二極體顯示面板，其具有良好的可靠度。
本發明提供一種微型發光二極體顯示面板的製造方法，其有助於提高產品的可靠度。
本發明一實施例的微型發光二極體顯示面板包括基板、異方性導電膠膜以及多個微型發光二極體。異方性導電膠膜設置於基板的其中一側。所述多個微型發光二極體與異方性導電膠層設置於基板的同一側，並透過異方性導電膠膜電性連接基板，其中各個微型發光二極體包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個電極層位於基板與對應的磊晶層之間，其中各個電極層的厚度與對應的磊晶層的厚度的比值介於0.1至0.5之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個電極層包括第一電極與第二電極，且各個磊晶層具有彼此相對的第一面與第二面，各個第一電極與各個第二電極設置於對應的第二面上，且各個第二面面對異方性導電膠膜。
在本發明的一實施例中，上述的各個磊晶層包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層，各個第一型半導體層與對應的第二型半導體層分別位於對應的發光層的相對兩側，且各個發光層連接對應的第一型半導體層與第二型半導體層，其中各個第一型半導體層具有第二面。各個第一電極電性接觸對應的第二面，且各個第二電極透過貫穿對應的第一型半導體層與發光層的導電通孔電性接觸對應的第二型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的各個導電通孔的深度與對應的磊晶層的厚度的比值介於0.15至0.35之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的邊長介於3至100微米之間，且各個微型發光二極體的第一電極與第二電極之間的間隙介於1至30微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個微型發光二極體的第一電極與第二電極之間的間隙與對應的微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.25之間。
在本發明的一實施例中，上述的各個磊晶層包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。各個第一型半導體層與對應的第二型半導體層分別位於對應的發光層的相對兩側，且各個發光層連接對應的第一型半導體層與第二型半導體層。各個第二型半導體層的一端部超出對應的發光層與第一型半導體層。各個第二面具有分隔的第一子面與第二子面，各個第一型半導體層具有第一子面，且各個第二型半導體層超出對應的發光層與第一型半導體層的端部具有第二子面。各個第一電極電性接觸對應的第一子面，且各個第二電極電性接觸對應的第二子面。
在本發明的一實施例中，上述的基板包括多個接墊，且異方性導電膠膜覆蓋所述多個接墊，所述多個電極層分別電性接合於所述多個接墊。
在本發明的一實施例中，上述的所述多個接墊的至少其一具有第一厚度，所述多個接墊的至少另一具有第二厚度，且第二厚度大於第一厚度。
在本發明的一實施例中，上述的異方性導電膠膜包括絕緣膜層及分散於絕緣膜層中的多個導電粒子，且各個導電粒子的粒徑小於各個微型發光二極體的第一電極與第二電極之間的間隙。位於各個電極層與對應的接墊之間的絕緣膜層中的部分導電粒子形成接合層，各個接合層配置用以電性連接對應的電極層與接墊。
在本發明的一實施例中，上述的所述多個接合層的至少其一具有第一透光率，且所述多個接合層的至少另一具有第二透光率，第二透光率大於第一透光率。
在本發明的一實施例中，上述的所述多個接合層的至少其一具有第一厚度，且所述多個接合層的至少另一具有第二厚度，第二厚度大於第一厚度。
在本發明的一實施例中，上述的異方性導電膠膜包括絕緣膜層及分散於絕緣膜層中的多個導電粒子，各個導電粒子的粒徑與各個微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.2之間。
在本發明的一實施例中，上述的所述多個微型發光二極體的至少其一與基板之間的間距不同於所述多個微型發光二極體的至少另一與基板之間的間距。
本發明一實施例的微型發光二極體顯示面板的製造方法，其包括以下步驟。(A) 提供設置有異方性導電膠膜的基板；(B) 透過轉移元件將多個微型發光二極體轉移至基板，並將所述多個微型發光二極體設置於異方性導電膠膜上；(C) 重複步驟(B)，以在基板上設置所需數量的微型發光二極體；以及，(D) 加熱加壓設置於異方性導電膠膜上的所述多個微型發光二極體，以令所述多個微型發光二極體與基板電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的在步驟(B)中，將所述多個微型發光二極體的多個電極層分別對準基板上的多個接墊。
在本發明的一實施例中，上述的在步驟(D)中，異方性導電膠膜在各個電極層與對應的接墊之間形成接合層，用以電性連接各個電極層與對應的接墊。
基於上述，本發明的微型發光二極體顯示面板中的多個微型發光二極體可透過異方性導電膠膜與基板電性連接，異方性導電膠膜可起緩衝的效果，故能避免所述多個微型發光二極體於受熱受壓時產生破損或碎裂，藉以提高微型發光二極體顯示面板的可靠度。也就是說，透過本發明的製造方法製作所得的微型發光二極體顯示面板具有良好的可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖1A，在本實施例中，微型發光二極體顯示面板100包括基板110、異方性導電膠膜120以及多個微型發光二極體130，其中基板110可為驅動電路基板，且基板110的表面111設有驅動電路(未繪示)以及與驅動電路(未繪示)電性連接的多個接墊112。
異方性導電膠膜120設置於基板110的一側，即設置於基板110的表面111上並覆蓋所述多個接墊112。異方性導電膠膜120包括絕緣膜層121與多個導電粒子122，其中絕緣膜層121可以是由樹脂製作而成，且所述多個導電粒子122分散於絕緣膜層121中。所述多個微型發光二極體130與異方性導電膠膜120設置於基板110的同一側，即所述多個微型發光二極體130與異方性導電膠膜120皆設置於表面111上。基於異方性導電膠膜120所具備的在垂直於表面111的方向上電性導通以及在平行於表面111的方向上電性絕緣的特性，所述多個微型發光二極體130可透過異方性導電膠膜120電性連接基板110，但並列於基板110的表面111上的所述多個微型發光二極體130並不會電性導通而造成短路。
在本實施例中，各個微型發光二極體130包括磊晶層131與電性連接磊晶層131的電極層132，且各個電極層132位於基板110與對應的磊晶層131之間。如圖1A所示，各個磊晶層131與基板110分別位於異方性導電膠膜120的相對兩側，且異方性導電膠膜120包覆電極層132。舉例來說，異方性導電膠膜120可完全包覆電極層132，或者是局部包覆電極層132，本發明對此不加以限制。
進一步而言，每一個微型發光二極體130對應接合於一對接墊112，各個磊晶層131以對應的電極層132對準對應的一對接墊112，並使對應的電極層132埋入異方性導電膠膜120中。在各個磊晶層131的電極層132與對應的一對接墊112電性導通(或稱電性接合)後，各個磊晶層131與基板110電性連接。另一方面，各個電極層132的厚度d1與對應的磊晶層131的厚度d2的比值介於0.1至0.5之間。倘若各個電極層132的厚度d1過厚，則各個磊晶層131與基板110之間的間隙隨之加大，且各個微型發光二極體130的結構強度也隨之減弱。另一方面，倘若各個電極層132的厚度d1過薄，則會造成導電效果不佳或電流分布不均勻。
在本實施例中，各個電極層132包括第一電極132a與第二電極132b，且各個磊晶層131具有彼此相對的第一面131a與第二面131b。如圖1A所示，各個第一電極132a與各個第二電極132b(或稱成對設置的第一電極132a與第二電極132b)設置於對應的第二面131b上，成對設置的第一電極132a與第二電極132b中的第一電極132a與對應的一對接墊112中的一個接墊112連接，且成對設置的第一電極132a與第二電極132b中的第二電極132b與對應的一對接墊112中的另一個接墊112連接。各個第二面131b面對異方性導電膠膜120(或稱面對基板110的表面111)，使得各個第一電極132a與各個第二電極132b埋入異方性導電膠膜120。換句話說，各個第一面131a背對異方性導電膠膜120(或稱背對基板110的表面111)。
另一方面，各個磊晶層131包括第一型半導體層133、發光層134以及第二型半導體層135，其中各個第一型半導體層133與對應的第二型半導體層135分別位於對應的發光層134的相對兩側，且各個發光層134連接對應的第一型半導體層133與第二型半導體層135。進一步而言，各個第一型半導體層133具有第二面131b，各個第一電極132a電性接觸對應的第二面131b，且各個第二電極132b透過貫穿對應的第一型半導體層133與發光層134的導電通孔136電性接觸對應的第二型半導體層135。舉例來說，異方性導電膠膜120可進一步包覆第一型半導體層133的側表面，但本發明不限於此。在其他實施例中，異方性導電膠膜可完全包覆電極層，且異方性導電膠膜的頂面例如是與各個第一型半導體層的第二面(即面對基板的表面)齊平，又或者是，異方性導電膠膜的頂面例如是與各個第一型半導體層的第二面(即面對基板的表面)保持間距而局部包覆電極層。
在本實施例中，各個導電通孔136的深度d3與對應的磊晶層131的厚度d2的比值介於0.15至0.35之間，其中各個導電通孔136的深度d3係由對應的第一型半導體層133的第二面131b起算到各個導電通孔136穿入對應的第二型半導體層135的末緣。倘若各個導電通孔136的深度d3過淺，則不僅會導致電流分布不均勻，也不易使電流自第二電極132b流入第二型半導體層135。另一方面，倘若各個導電通孔136的深度d3過深，則磊晶層131容易於受壓時碎裂。
在本實施例中，各個微型發光二極體130的邊長L介於3至100微米之間，且各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b之間的間隙G介於1至30微米之間。進一步而言，各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b之間的間隙G與對應的微型發光二極體130的邊長L的比值介於0.1至0.25之間。倘若間隙G過小，則各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b可能因導電粒子122的搭接而造成短路。倘若間隙G過大，則各個微型發光二極體130的第一電極132a的面積與第二電極132b的面積隨之縮減，使得各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b不易對準對應的一對接墊112，導致各個微型發光二極體的第一電極132a及第二電極132b與對應的一對接墊112的接合良率下滑。
進一步而言，各個導電粒子122的粒徑P小於各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b之間的間隙G，在異方性導電膠膜120受壓時，位於各個電極層132與對應的一對接墊112之間的絕緣膜層121中的部分導電粒子122會形成接合層123，其中各個接合層123配置用以電性連接對應的電極層132與一對接墊112。另一方面，各個導電粒子122的粒徑P與各個微型發光二極體130的邊長L的比值介於0.1至0.2之間。
在各個導電粒子122的粒徑P小於各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b之間的間隙G，以及各個導電粒子122的粒徑P與各個微型發光二極體130的邊長L的比值介於0.1至0.2之間等條件下，不僅能夠確保各個電極層132在垂直於表面111的方向上電性導通於對應的一對接墊112，也能夠避免各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b因導電粒子122的搭接而造成短路(即位於各個微型發光二極體130的第一電極132a與第二電極132b之間的導電粒子122不會使電極132a與第二電極132b在平行於表面111的方向上電性導通)。
請繼續參考圖1A，在本實施例中，所述多個微型發光二極體130可包括紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體，其中紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體可以是沿著平行於基板110的表面111的方向依序反覆排列，惟紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體的排序可依設計需求而調整，本發明對此不加以限制。
在將紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體分批轉移至基板110，並對轉移至基板110的紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體以及設置於基板110上的異方性導電膠膜120進行加熱加壓的過程中，絕緣膜層121會受熱固化以使紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體固接於基板110上，且絕緣膜層121中的部分導電粒子122會受壓而形成接合層123以使紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型微型發光二極體電性連接基板110。
在紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體受熱受壓的過程中，異方性導電膠膜120可起緩衝的效果，故能避免紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體產生破損或碎裂，藉以提高微型發光二極體顯示面板100的可靠度。由於紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型微型發光二極體係分批轉移至基板110，因此最先轉移至基板110的微型發光二極體130的受壓次數最多，且受壓次數最多的微型發光二極體130下方的接合層123的透光率最低，即受壓次數最多的微型發光二極體130下方的導電粒子122被壓合最為緊密。
舉例來說，用以電性接合紅光微型發光二極體與基板110的接合層123具有第一透光率、用以電性接合綠光微型發光二極體與基板110的接合層123具有第二透光率以及用以電性接合藍光微型發光二極體與基板110的接合層123具有第三透光率，若紅光微型發光二極體的受壓次數最多，綠光微型發光二極體的受壓次數居中，且藍光微型發光二極體的受壓次數最少，則第三透光率大於第二透光率，且第二透光率大於第一透光率。相對而言，透光率較大的接合層123的電性導通程度會較透光率較小的接合層123的電性導通程度為差。
以下舉例說明數種將微型發光二極體130轉移至基板110並使微型發光二極體130與基板110電性連接的製程。
圖1B至圖1E是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的製造流程的局部剖面示意圖。以第一種製程為例，請參考圖1B，先進行步驟(A)，提供設置有異方性導電膠膜120的基板110，其中異方性導電膠膜120覆蓋基板110的表面111以及位於表面111上的多對接墊112。接著，請參考圖1C，進行步驟(B)，透過轉移元件10將其中一塊成長基板(未繪示，以下稱第一成長基板)上的微型發光二極體130轉移至基板110，並將微型發光二極體130設置於異方性導電膠膜120上。此時，微型發光二極體130的電極層132對準基板110上的接墊112放置，微型發光二極體130埋入異方性導電膠膜120中以黏著的方式預固定於基板110後將轉移元件10移除。在另一實施方式中，微型發光二極體130不一定埋入異方性導電膠膜120，亦可黏附於異方性導電膠膜120表面。後續進行步驟(C)，請參考圖1D，即重複步驟(B)，將其他塊成長基板(未繪示)上的微型發光二極體130轉移至基板110，或將第一成長基板(未繪示)尚未轉移的微型發光二極體130轉移基板110，以在基板110上設置所需數量的微型發光二極體130。
在基板110所需的微型發光二極體130全部轉移完成後，進行步驟(D)，請參考圖1E，以加熱加壓元件20加熱加壓設置於異方性導電膠膜120上的微型發光二極體130，使各個電極層與對應的一對接墊112之間的異方性導電膠膜120形成接合層123，以電性連接各個電極層與對應的一對接墊112。舉例來說，在步驟(D)中，施加的壓力值約介於5MPa至40MPa，施加的溫度值約介於100℃至200℃，且加壓加熱的時間約介於0.5至2秒，藉由加壓加熱可令異方性導電膠膜120中的導電粒子122破裂而形成垂直導通的接合層123。最後，製作得到如圖1A所示的微型發光二極體顯示面板100，因微型發光二極體130與基板110電性連接，微型發光二極體130可受基板110的控制而發光以顯示畫面。補充說明的是，加熱加壓元件20與轉移元件10可以是相同裝置，但於本實施例中，加熱加壓元件20與轉移元件10分別是不同設備機台。
另外，亦提出第二種接合製程為例。先提供設置有異方性導電膠膜120的基板110，再透過轉移元件(未繪示)將其中一塊成長基板(未繪示，以下稱第一成長基板)上的微型發光二極體130轉移至設置有異方性導電膠膜120的基板110。更詳細地說，在轉移元件上的微型發光二極體130的電極層132是對準基板110上的接墊112設置，並對轉移至基板110的微型發光二極體130以及設置於基板110上的異方性導電膠膜120進行加熱加壓，以使微型發光二極體130與基板110電性連接。後續重複上述步驟，將其他塊成長基板(未繪示)上的微型發光二極體130轉移至設置有異方性導電膠膜120的基板110，或將第一成長基板(未繪示)尚未轉移的微型發光二極體130轉移至設置有異方性導電膠膜120的基板110，並進行加熱加壓的步驟以使微型發光二極體130與基板110電性連接。
以第三種製程為例，透過轉移元件(未繪示)將其中一塊成長基板(未繪示，以下稱第一成長基板)上的微型發光二極體130轉移至暫時載板(未繪示)。後續重複上述步驟，將其他塊成長基板(未繪示)上的微型發光二極體130轉移至暫時載板(未繪示)，或將第一成長基板(未繪示)尚未轉移的微型發光二極體130轉移至暫時載板(未繪示)。在完成將多塊成長基板(未繪示)上的微型發光二極體130轉移至暫時載板(未繪示)的步驟後，將暫時載板(未繪示)上的微型發光二極體130轉移至設置有異方性導電膠膜120的基板110。在微型發光二極體130的電極層132對準基板110上的接墊112後，進行加熱加壓的步驟以使微型發光二極體130與基板110電性連接。
以下將列舉其他實施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是本發明第二實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖2，本實施例的微型發光二極體顯示面板100A與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100大致相似，主要差異在於：各個微型發光二極體130a的第二型半導體層135的端部135a超出對應的發光層134與第一型半導體層133，其中各個磊晶層131的第二面131b具有分隔的第一子面131b1與第二子面131b2，且各個第一子面131b1與對應的第二子面131b2之間具有一段差。進一步而言，第一子面131b1與第二子面131b2皆面向基板110的表面111。
如圖2所示，各個第一子面131b1較對應的第二子面131b2靠近基板110的表面111。進一步而言，各個第一型半導體層133具有第一子面131b1，且各個第二型半導體層135的端部135a具有第二子面131b2，其中各個第一電極132a電性接觸對應的第一子面131b1，且各個第二電極132b電性接觸對應的第二子面131b2。在本實施例中，各個第二電極132b可以是柱狀的導電圖案(例如導電柱)，其中各個第二電極132b的局部埋入異方性導電膠膜120，且各個第二子面131b2與異方性導電膠膜120之間形成一間隙，也就是第二子面131b2未接觸異方性導電膠膜120。
圖3是本發明第三實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖3，本實施例的微型發光二極體顯示面板100B與第一實施例的微型發光二極體顯示面板100的差異在於：在本實施例中，具有第一厚度d4的一對接墊112a、具有第二厚度d5的一對接墊112b以及具有第三厚度d6的一對接墊112c依序反覆排列基板110的表面111上，其中第一厚度d4小於第二厚度d5，且第二厚度d5小於第三厚度d6。基於各對接墊112a至112c的厚度設計，較先轉移至基板110的微型發光二極體130係與厚度較薄的一對接墊接合，後續轉移其他微型發光二極體130至基板110時，則係使其他微型發光二極體130與厚度較厚的一對接墊接合，如此可避免已轉移至基板110的微型發光二極體130反覆受壓。
如圖3所示，透過接墊112a電性接合於基板110的微型發光二極體130的第一面131a低於透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130的第一面131a，並且，透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130的第一面131a低於透過接墊112c電性接合於基板110的微型發光二極體130的第一面131a。換句話說，透過接墊112a電性接合於基板110的微型發光二極體130的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130的第二面131b與基板110的表面111之間的間距，並且，透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於透過接墊112c電性接合於基板110的微型發光二極體130的第二面131b與基板110的表面111之間的間距。
圖4是本發明第四實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖4，本實施例的微型發光二極體顯示面板100C與第二實施例的微型發光二極體顯示面板100A的差異在於：在本實施例中，具有第一厚度d4的一對接墊112a、具有第二厚度d5的一對接墊112b以及具有第三厚度d6的一對接墊112c依序反覆排列基板110的表面111上，其中第一厚度d4小於第二厚度d5，且第二厚度d5小於第三厚度d6。基於各對接墊對112a至112c的厚度設計，較先轉移至基板110的微型發光二極體130係與厚度較薄的一對接墊接合，後續轉移其他微型發光二極體130至基板110時，則係使其他微型發光二極體130與厚度較厚的一對接墊接合，如此可避免已轉移至基板110的微型發光二極體130反覆受壓。
如圖4所示，透過接墊112a電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第一面131a低於透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第一面131a，並且，透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第一面131a低於透過接墊112c電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第一面131a。換句話說，透過接墊112a電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第二面131b與基板110的表面111之間的間距，`並且，透過接墊112b電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於透過接墊112c電性接合於基板110的微型發光二極體130a的第二面131b與基板110的表面111之間的間距。
圖5是本發明第五實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參考圖5，本實施例的微型發光二極體顯示面板100D與上述實施例的微型發光二極體顯示面板100A至100C的差異在於：在本實施例中，接合層123具有至少兩不同厚度，舉例來說，微型發光二極體130b的截面形狀呈倒梯形，其可包括紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體，其中紅光微型發光二極體的厚度例如是大於綠光微型發光二極體的厚度，且綠光微型發光二極體的厚度例如是大於藍光微型發光二極體的厚度，惟本發明對於紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體的截面形狀不多作限制，也不限制紅光微型發光二極體、綠光微型發光二極體以及藍光微型發光二極體的厚度比例。
另一方面，用以電性接合紅光微型發光二極體與基板110的接合層123具有厚度d7、用以電性接合綠光微型發光二極體與基板110的接合層123具有厚度d8以及用以電性接合藍光微型發光二極體與基板110的接合層123具有厚度d9，其中厚度d9大於厚度d8，且厚度d8大於厚度d7。因此，紅光微型發光二極體面對基板110的表面111的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於綠光微型發光二極體面對基板110的表面111的第二面131b與基板110的表面111之間的間距，且綠光微型發光二極體面對基板110的表面111的第二面131b與基板110的表面111之間的間距小於藍光微型發光二極體面對基板110的表面111的第二面131b與基板110的表面111之間的間距。並且，紅光微型發光二極體背對基板110的表面111的第二面131a、綠光微型發光二極體背對基板110的表面111的第二面131a以及藍光微型發光二極體背對基板110的表面111的第二面131a可互為齊平。
換句話說，透過調整微型發光二極體的厚度、接合層的厚度或基板上的接墊的厚度，可用以控制微型發光二極體背對基板的表面與基板之間的高度落差，透過調整接合層的厚度或基板上的接墊的厚度，可用以控制微型發光二極體面對基板的表面與基板之間的間距。
綜上所述，本發明的微型發光二極體顯示面板中的多個微型發光二極體可透過異方性導電膠膜與基板電性連接，異方性導電膠膜可起緩衝的效果，故能避免所述多個微型發光二極體於受熱受壓時產生破損或碎裂，藉以提高微型發光二極體顯示面板的可靠度。也就是說，透過本發明的製造方法製作所得的微型發光二極體顯示面板具有良好的可靠度。另一方面，異方性導電膠膜中的絕緣膜層會受熱固化以使所述多個微型發光二極體固接於基板上，避免所述多個微型發光二極體自基板脫落。並且，絕緣膜層中的部分導電粒子會受壓而形成接合層以使所述多個微型發光二極體電性連接基板，基於異方性導電膠膜所具備的在垂直於表面(即基板設置有異方性導電膠膜的表面)的方向上電性導通以及在平行於表面(即基板設置有異方性導電膠膜的表面)的方向上電性絕緣的特性，所述多個微型發光二極體可透過異方性導電膠膜電性連接基板，但並列於表面(即基板設置有異方性導電膠膜的表面)上的所述多個微型發光二極體並不會電性導通而造成短路。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧轉移元件
20‧‧‧加熱加壓元件
100、100A~100D‧‧‧微型發光二極體顯示面板
110‧‧‧基板
111‧‧‧表面
112、112a~112c‧‧‧接墊
120‧‧‧異方性導電膠膜
121‧‧‧絕緣膜層
122‧‧‧導電粒子
123‧‧‧接合層
130、130a、130b‧‧‧微型發光二極體
131‧‧‧磊晶層
131a‧‧‧第一面
131b‧‧‧第二面
131b1‧‧‧第一子面
131b2‧‧‧第二子面
132‧‧‧電極層
132a‧‧‧第一電極
132b‧‧‧第二電極
133‧‧‧第一型半導體層
134‧‧‧發光層
135‧‧‧第二型半導體層
135a‧‧‧端部
136‧‧‧導電通孔
d1~d9‧‧‧厚度
G‧‧‧間隙
L‧‧‧邊長
P‧‧‧粒徑
圖1A是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖1B至圖1E是本發明第一實施例的微型發光二極體顯示面板的製造流程的局部剖面示意圖。 圖2是本發明第二實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖3是本發明第三實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖4是本發明第四實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖5是本發明第五實施例的微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。

Claims (17)

  1. 一種微型發光二極體顯示面板，包括： 一基板； 一異方性導電膠膜，設置於該基板的其中一側；以及 多個微型發光二極體，與該異方性導電膠層設置於該基板的同一側，並透過該異方性導電膠膜電性連接該基板，其中各該微型發光二極體包括一磊晶層與電性連接該磊晶層的一電極層，且各該電極層位於該基板與對應的該磊晶層之間，其中各該電極層的厚度與對應的該磊晶層的厚度的比值介於0.1至0.5之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該電極層包括一第一電極與一第二電極，且各該磊晶層具有彼此相對的一第一面與一第二面，各該第一電極與各該第二電極設置於對應的該第二面上，且各該第二面面對該異方性導電膠膜。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該磊晶層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，各該第一型半導體層與對應的該第二型半導體層分別位於對應的該發光層的相對兩側，且各該發光層連接對應的該第一型半導體層與該第二型半導體層，其中各該第一型半導體層具有該第二面，各該第一電極電性接觸對應的該第二面，且各該第二電極透過貫穿對應的該第一型半導體層與該發光層的一導電通孔電性接觸對應的該第二型半導體層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該導電通孔的深度與對應的該磊晶層的厚度的比值介於0.15至0.35之間。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的邊長介於3至100微米之間，且各該微型發光二極體的該第一電極與該第二電極之間的間隙介於1至30微米之間。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該微型發光二極體的該第一電極與該第二電極之間的間隙與對應的該微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.25之間。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中各該磊晶層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，各該第一型半導體層與對應的該第二型半導體層分別位於對應的該發光層的相對兩側，且各該發光層連接對應的該第一型半導體層與該第二型半導體層，各該第二型半導體層的一端部超出對應的該發光層與該第一型半導體層，各該第二面具有分隔的一第一子面與一第二子面，各該第一型半導體層具有該第一子面，且各該第二型半導體層的該端部具有該第二子面，其中各該第一電極電性接觸對應的該第一子面，且各該第二電極電性接觸對應的該第二子面。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該基板包括多個接墊，且該異方性導電膠膜覆蓋該些接墊，該些電極層分別電性接合於該些接墊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些接墊的至少其一具有一第一厚度，該些接墊的至少另一具有一第二厚度，且該第二厚度大於該第一厚度。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該異方性導電膠膜包括一絕緣膜層及分散於該絕緣膜層中的多個導電粒子，且各該導電粒子的粒徑小於各該微型發光二極體的該第一電極與該第二電極之間的間隙，位於各該電極層與對應的該接墊之間的該絕緣膜層中的部分該些導電粒子形成一接合層，各該接合層配置用以電性連接對應的該電極層與該接墊。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些接合層的至少其一具有一第一透光率，且該些接合層的至少另一具有一第二透光率，該第二透光率大於該第一透光率。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些接合層至少其一具有一第一厚度，且該些接合層的至少另一具有一第二厚度，該第二厚度大於該第一厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該異方性導電膠膜包括一絕緣膜層及分散於該絕緣膜層中的多個導電粒子，各該導電粒子的粒徑與各該微型發光二極體的邊長的比值介於0.1至0.2之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些微型發光二極體的至少其一與該基板之間的間距不同於該些微型發光二極體的至少另一與該基板之間的間距。
  15. 一種微型發光二極體顯示面板的製造方法，包含： (A) 提供設置有一異方性導電膠膜的一基板； (B) 透過一轉移元件將多個微型發光二極體轉移至該基板，並將該些微型發光二極體設置於該異方性導電膠膜上； (C) 重複步驟(B)，以在該基板上設置所需數量的微型發光二極體；以及 (D) 加熱加壓設置於該異方性導電膠膜上的該些微型發光二極體，以令該些微型發光二極體與該基板電性連接。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的微型發光二極體顯示面板的製造方法，其中在步驟(B)中，將該些微型發光二極體的多個電極層分別對準該基板上的多個接墊。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的微型發光二極體顯示面板的製造方法，其中在步驟(D)中，該異方性導電膠膜在各該電極層與對應的該接墊之間形成一接合層，用以電性連接各該電極層與對應的該接墊。
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