TW201910911A - 圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法 - Google Patents

圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201910911A
TW201910911A TW107126094A TW107126094A TW201910911A TW 201910911 A TW201910911 A TW 201910911A TW 107126094 A TW107126094 A TW 107126094A TW 107126094 A TW107126094 A TW 107126094A TW 201910911 A TW201910911 A TW 201910911A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photosensitive resin
exposure
resin layer
layer
pattern
Prior art date
Application number
TW107126094A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI790257B (zh
Inventor
漢那慎一
有冨隆志
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW201910911A publication Critical patent/TW201910911A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI790257B publication Critical patent/TWI790257B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0957—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer with sensitive layers on both sides of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2032—Simultaneous exposure of the front side and the backside
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)

Abstract

本發明提供一種圖案形成方法、積層體或觸控面板製造方法，該圖案形成方法依次具有：準備基材之製程，該基材在兩面具有相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，且相對於曝光波長為透明；在上述基材的兩面的上述被蝕刻層上分別形成感光性樹脂層之製程，該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下；對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之製程；藉由對上述感光性樹脂層進行顯影而在兩面形成抗蝕劑圖案之製程；去除未被上述抗蝕劑圖案被覆之部分的上述被蝕刻層之製程；及剝離上述抗蝕劑圖案之製程。

Description

圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法
本揭示係有關一種圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法。
以往，已知有藉由光刻法對基材上的被蝕刻層進行圖案加工之圖案形成方法。 在此，近年來，有時將形成於基材的兩面上之被蝕刻層作為各自獨立的圖案而進行圖案加工。 例如，在觸控面板的領域中，為了製造觸控感測器用配線，有時進行如下加工：在基材的一面對X軸方向的位置檢測用電極進行圖案加工，且在基材的另一面對Y軸方向的位置檢測用電極進行圖案加工等。 作為在基材的兩面形成不同形狀的圖案之方法，已知有專利文獻1～專利文獻3中所記載之方法。
在專利文獻1中記載有：“一種觸控感測器的形成方法，其具備：在具有UV截止性能之基材薄膜的兩面形成遮光性金屬層，且在上述遮光性金屬層上分別形成第1感光性樹脂層之製程；對上述遮光性金屬層上的上述第1感光性樹脂層，於兩面隔著不同的圖案遮罩，照射UV光之曝光製程；藉由對所曝光之上述第1感光性樹脂層進行顯影而形成抗蝕劑圖案之製程；藉由去除未被上述抗蝕劑圖案被覆之部分的上述遮光性金屬層來形成佈線電路圖案之蝕刻製程；至少在連接部剝離去除覆蓋上述佈線電路圖案之上述第1感光性樹脂層之製程；將感光性導電薄膜層合於上述基材薄膜的形成有上述佈線電路圖案之兩面，以使上述第2感光性樹脂層密接之製程，該感光性導電薄膜具備支撐薄膜、設置於上述支撐薄膜上且含有導電性纖維之導電層及設置於上述導電層上之第2感光性樹脂層；於兩面隔著不同之圖案遮罩，對層合於上述基材薄膜的兩面上之上述感光性導電薄膜的上述第2感光性樹脂層，照射UV光之曝光製程；及藉由對所曝光之上述第2感光性樹脂層進行顯影，一併去除積層於上述第2感光性樹脂層的被去除之部分之上述導電層，形成與上述佈線電路圖案電連接之電極圖案之顯影製程。”。
在專利文獻2中記載有：““一種觸控面板感測器的製造方法，其特徵為，具備：準備積層體之製程，該積層體具有透明的基材薄膜、設置於上述基材薄膜的一側的面上之第1透明導電層、設置於上述基材薄膜的另一側的面上之第2透明導電層、以及設置於上述第1透明導電層上且具有遮光性及導電性之被覆導電層；藉由曝光及顯影處理在上述被覆導電層上形成具有既定圖案之第1感光層，並且藉由曝光及顯影處理在上述第2透明導電層上形成具有與上述第1感光層不同的圖案之第2感光層之製程；將上述第1感光層作為遮罩而蝕刻上述被覆導電層，並對上述被覆導電層進行圖案化之製程；將上述第1感光層及上述被覆導電層作為遮罩而蝕刻上述第1透明導電層，並且將上述第2感光層作為遮罩而蝕刻上述第2透明導電層，並對上述第1透明導電層及上述第2透明導電層進行圖案化之製程；藉由曝光及顯影處理形成僅配置於上述被覆導電層的一部分上之第3感光層之製程；將上述第3感光層作為遮罩而蝕刻上述被覆導電層，並去除被覆導電層中除上述一部分以外的被覆導電層，藉此形成與被圖案化之上述第1透明導電層電連接之第1提取導電體之製程；及在上述基材薄膜的另一側的面上形成與被圖案化之上述第2透明導電層電連接之第2提取導電體之製程，上述第2提取導電體藉由網版印刷法而形成。”。
在專利文獻3中記載有：““一種對透明基材兩面的圖案形成方法，其特徵為，在設置於透明基材的表面和背面這兩面之透明金屬膜的圖案形成中，在上述透明金屬膜的至少一個透明金屬膜上形成遮蔽曝光光之不透明層，在上述透明基材的表面和背面這兩面塗佈光阻劑而形成光阻膜。”。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2016-224735號公報 專利文獻2：日本特開2011-197754號公報 專利文獻3：日本特開2011-154080號公報
在專利文獻1及2中所記載之方法中，在兩面具有被蝕刻層之基材的兩面，形成使用了感光性樹脂層之蝕刻抗蝕劑，從而在兩面分別形成有圖案。 在專利文獻1或2中所記載的方法中，由於在被蝕刻層中包含遮光性的金屬層，因此來自基材的一面的圖案曝光光不會到達與其相反的一側的感光性樹脂層，因此認為能夠在兩面分別形成獨立的圖案。 但是，在觸控面板顯示裝置等領域中，就顯示圖像的畫質等觀點考慮，有時要求形成配置於兩面上之透明的被蝕刻層的圖案。 本發明人發現了，在基材及被蝕刻層為透明之情形下，若藉由專利文獻1或2中所記載之方法形成圖案，則藉由用於在其中一面形成蝕刻抗蝕劑之相對於其中一面的曝光光，另一面的感光性樹脂層亦被曝光，藉此存在難以在其中一面和另一面形成獨立的圖案之問題。 本揭示中，將該種相對於其中一面的曝光光還對另一面的感光性樹脂層進行曝光之現象亦稱為在另一面產生曝光霧。 藉由抑制上述曝光霧，能夠對其中一面和另一面上的感光性樹脂層進行基於各自不同的曝光圖案之曝光，能夠在其中一面和另一面形成獨立且不同的抗蝕劑圖案。其結果，能夠在其中一面和另一面形成獨立且不同的被蝕刻層的圖案。 又，在專利文獻3中，在基材的至少一面形成遮蔽曝光光之不透明層，然後形成蝕刻抗蝕劑，進行被蝕刻層的圖案形成。 本發明人發現了，在專利文獻3中所記載之方法中，由於需要獨立地形成不透明層之製程，因此存在圖案形成方法中的製程數量增加且生產率下降之問題。
本揭示之實施形態所解決之課題為提供一種圖案形成方法或觸控面板製造方法，該圖案形成方法中，所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。 又，本揭示之另一實施形態所解決之課題為提供一種積層體，該積層體的所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。
在用於解決問題之具體方式中包含以下態樣。 ＜1＞一種圖案形成方法，其依次具有：準備基材之製程，該基材在兩面具有相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，且相對於曝光波長為透明；在上述基材的兩面的上述被蝕刻層上分別形成感光性樹脂層之製程，該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下；對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之製程；藉由對上述感光性樹脂層進行顯影而在兩面形成抗蝕劑圖案之製程；去除未被上述抗蝕劑圖案被覆之部分的上述被蝕刻層之製程；及剝離上述抗蝕劑圖案之製程。 ＜2＞如上述＜1＞所述之圖案形成方法，其中在上述曝光製程中，曝光量為10（ n-0.5 ） mJ/cm2 以上且10（ n+1.5 ） mJ/cm2 以下。 n：上述感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度 ＜3＞如上述＜1＞所述之圖案形成方法，其中在上述曝光製程中，曝光量為10n mJ/cm2 以上且10（ n+1.0 ） mJ/cm2 以下。 n：上述感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度 ＜4＞如上述＜1＞～＜3＞中任一項所述之圖案形成方法，其中上述感光性樹脂層的膜厚為8.0μm以下。 ＜5＞如上述＜1＞～＜4＞中任一項所述之圖案形成方法，其中在上述曝光製程中，曝光光在波長365nm下具有極大波長。 ＜6＞如上述＜1＞～＜5＞中任一項所述之圖案形成方法，其中形成上述感光性樹脂層之製程為將轉印薄膜層合於上述被蝕刻層之製程，該轉印薄膜具有臨時支撐體及在上述臨時支撐體上且光學濃度為0.50以上且2.50以下之感光性樹脂層。 ＜7＞如上述＜6＞所述之圖案形成方法，其中在上述層合製程中，被層合之轉印薄膜整體的光學濃度為0.50以上且2.50以下。 ＜8＞如上述＜1＞～＜7＞中任一項所述之圖案形成方法，其中在形成上述感光性樹脂層之製程中，所形成之上述感光性樹脂層的光學濃度為1.00以上且2.00以下。 ＜9＞如上述＜1＞～＜8＞中任一項所述之圖案形成方法，其中上述曝光之製程中，同時對兩面的上述感光性樹脂層進行曝光。 ＜10＞如上述＜1＞～＜9＞中任一項所述之圖案形成方法，其中上述被蝕刻層為導電層。 ＜11＞如上述＜1＞～＜10＞中任一項所述之圖案形成方法，其中上述感光性樹脂層包含聚合性化合物及聚合起始劑。 ＜12＞如上述＜1＞～＜11＞中任一項所述之圖案形成方法，其中上述感光性樹脂層包含紫外線吸收材料。 ＜13＞如上述＜12＞所述之圖案形成方法，其中上述紫外線吸收材料包含碳黑。 ＜14＞一種積層體，其包含： 基材，相對於曝光波長為透明； 2個被蝕刻層，分別配置於上述基材的兩面，且相對於曝光波長為透明；及 2個感光性樹脂層，分別配置於上述2個被蝕刻層上，且相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下。 ＜15＞一種觸控面板的製造方法，其包含上述＜1＞～＜13＞之圖案形成方法。 [發明效果]
依本揭示之實施形態，能夠提供一種圖案形成方法或觸控面板製造方法，該圖案形成方法中，所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。 又，依本揭示之另一實施形態，能夠提供一種積層體，該積層體的所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。
本揭示中，使用“～”表示之數值範圍係指將記載於“～”的前後之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 本揭示中，關於感光性樹脂層等層中的各成分的量，在層中存在複數種相當於各成分之物質之情形下，只要無特別指明，則係指存在於層中之上述複數種物質的總量。 本揭示中，“製程”這一術語不僅包含獨立的製程，即使在無法與其他製程明確區分之情形下，只要達到製程的所期望的目的，則亦包含在本術語中。 本揭示中，“（甲基）丙烯酸”係指丙烯酸及甲基丙烯酸中的至少一者，“（甲基）丙烯酸酯”係指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一者。 本揭示中，關於聚合物中的構成單元的比例，只要無特別指明，則為莫耳比。
（圖案形成方法） 本揭示之圖案形成方法依次具有：準備基材之製程，該基材在兩面具有相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，且相對於曝光波長為透明；在上述基材的兩面的上述被蝕刻層上分別形成感光性樹脂層之製程（形成感光性樹脂層之製程），該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下；對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之製程；藉由對上述感光性樹脂層進行顯影而在兩面形成抗蝕劑圖案之製程；去除未被上述抗蝕劑圖案被覆之部分的上述被蝕刻層之製程；及剝離上述抗蝕劑圖案之製程。
依本揭示之圖案形成方法，所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。 雖然詳細的機制不明確，但是推測如下。 認為感光性樹脂層本身的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上，藉此可抑制相對於其中一面的曝光光對存在於另一面之感光性樹脂層進行曝光，可抑制另一面的曝光霧。 又，認為感光性樹脂層的相對於曝光波長之光學濃度為2.50以下，藉此在被曝光之面中，曝光光到達至感光性樹脂層的深部，從而所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異。 而且，依本揭示之圖案形成方法，將感光性樹脂層本身的光學濃度設為特定的值，藉此能夠抑制另一面的曝光霧，因此認為即使在不包含獨立地形成如專利文獻3中所記載之不透明層之製程之情形下，亦可抑制曝光霧。 亦即，認為可提供生產率亦優異之圖案形成方法。 以下，對本揭示之圖案形成方法中的各製程的詳細內容進行說明。
＜準備之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含準備基材之製程，該基材在兩面具有相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，且相對於曝光波長為透明。 準備基材之製程可以為使用以在兩面具有被蝕刻層之基材的狀態獲得者之製程，亦可以為在基材上形成被蝕刻層而製造之製程。
〔基材〕 作為基材，並無特別限定，但是可使用至少具有2個面之基材，薄膜狀或片狀等板狀基材為較佳。 又，作為基材，可使用相對於曝光波長為透明的基材。 所謂相對於曝光波長為透明的基材，係指曝光波長下的透射率為50%以上之基材，60%以上之基材為較佳，80%以上之基材為更佳。 上述透射率的上限並無特別限定，可以為100%以下。 上述曝光波長下的透射率藉由市售的透射率測量器（例如，JASCO Corporation製造的V-700series）來測量。 又，本揭示中，所謂曝光波長，係指在曝光光中所包含之光中強度最大之波長。
作為基材的材質，並無特別限定，但是例如能夠使用如下基材等，該基材使用了樹脂材料或玻璃、石英等無機材料，該樹脂材料使用了聚對鈦酸乙二酯等聚酯系樹脂或聚醚醚酮、丙烯酸系樹脂、環聚烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂等。 本揭示中所使用之基材係包含上述樹脂材料之基材為較佳，樹脂薄膜為更佳。
在被蝕刻層為後述具有導電性之層之情形下，基材係具有絕緣性之基材為較佳。 本揭示中，所謂導電性，係指具有導電性之層的表面電阻值較佳為0.1Ω/□～1000Ω/□。所謂絕緣性，係指表面電阻值小於0.1Ω/□。 上述體積電阻率藉由市售的電阻率測量器（例如，Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.製造的LORESTA GX MCP-T700）來測量。 又，在基材用於觸控面板中的觸控感測器的製造之情形下，作為基材的厚度，10μm～300μm為較佳，30μm～150μm為更佳。
-被蝕刻層- 本揭示中的基材在兩面具有被蝕刻層。 作為被蝕刻層，具有導電性為較佳。將被蝕刻層具有導電性還稱為被蝕刻層係導電層。 亦即，本揭示之圖案形成方法係導電性圖案形成方法為較佳，導電性配線圖案的形成方法為更佳。 又，上述導電性圖案形成方法係觸控面板感測器用圖案形成方法為較佳。 關於被蝕刻層，並無特別限定，但是就具有導電性之觀點而言，能夠包含In2 O3 、SnO2 、ITO（Indium Tin Oxide）等金屬氧化物，亦可以包含鋅氧化物（ZnO）、銦鋅氧化物（IZO）、鎵鋅氧化物（GZO）、鋁鋅氧化物（AZO）等。 又，作為被蝕刻層，還能夠較佳地使用觸控面板領域中公知的金屬網格、金屬奈米線層。作為金屬，可舉出銀、銅等。 關於被蝕刻層，並無特別限定，能夠藉由公知的方法來製造，例如能夠藉由PVD（物理氣相沉積法）、CVD（化學氣相沉積法）、塗佈等而形成於基材上。 2個被蝕刻層的材質可以不同，亦可以相同，但是就於兩面一次性進行去除後述被蝕刻層之製程為較佳之觀點而言，2個被蝕刻層的材質相同為較佳。
又，作為被蝕刻層，可使用相對於曝光波長為透明的被蝕刻層。 所謂相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，係指曝光波長下的透射率係50%以上之被蝕刻層，60%以上之被蝕刻層為較佳，80%以上之被蝕刻層為更佳。 上述透射率的上限並無特別限定，100%以下即可。 上述曝光波長下的透射率藉由與基材相同的方法來測量。 又，作為被蝕刻層的厚度，並無特別限定，但是5nm～1000nm為較佳，10nm～300nm為更佳。
＜形成感光性樹脂層之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含在上述基材的兩面的上述被蝕刻層上分別形成感光性樹脂層之製程，該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下。 形成於2個被蝕刻層上之2個感光性樹脂層可以為相同的組成，亦可以為不同的組成，但是就同時進行後述顯影之觀點而言，相同的組成為較佳。
〔感光性樹脂層〕 本揭示中的感光性樹脂層可以為顯影中的去除性藉由曝光而下降之所謂的負型感光性樹脂層，亦可以為顯影中的去除性藉由曝光而增加之所謂的正型感光性樹脂層，但是負型感光性樹脂層為較佳。
-光學濃度（OD值）- 關於本揭示中的感光性樹脂層，相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下。 又，就獲得圖案形狀優異之抗蝕劑圖案之觀點而言，上述光學濃度係2.30以下為較佳，2.00以下為更佳。 在感光性樹脂層為負型感光性樹脂層之情形下，若光學濃度在上述範圍內，則可抑制抗蝕劑圖案中的所謂的底切的發生。 就抑制曝光霧之觀點及抗蝕劑圖案的剝離性的觀點而言，上述光學濃度係0.70以上為較佳，1.00以上為更佳。 本揭示中，上述光學濃度使用分光光度計（V-7000，JASCO Corporation製造）來測量。
-厚度- 就抑制底切之觀點而言，本揭示中的感光性樹脂層的厚度係15.0μm以下為較佳，8.0μm以下為更佳。又，就防止曝光霧之觀點而言，1.0μm以上為較佳，2.0μm以上為更佳。
-感光性樹脂層的組成- 本揭示中的感光性樹脂層包含聚合性化合物及聚合起始劑為較佳。 又，就容易將光學濃度調節在上述範圍內之觀點考慮，本揭示中的感光性樹脂層包含紫外線吸收材料為較佳。 以下，對本揭示中的感光性樹脂層中所包含之各成分的詳細內容進行說明，但是本揭示中，並不限定於以下所示之各成分，例如能夠無特別限定地使用對製造觸控面板時所使用之公知的感光性樹脂層添加後述紫外線吸收材料來將光學濃度調節在上述範圍內者。
＜＜聚合性化合物＞＞ 作為聚合性化合物，並無特別限定，但是自由基聚合性化合物為較佳，乙烯性不飽和化合物為較佳。 作為乙烯性不飽和化合物，可以為單官能，亦可以為多官能，但是就獲得圖案形狀優異之抗蝕劑圖案之觀點而言，2官能以上的乙烯性不飽和化合物為較佳。 又，作為乙烯性不飽和化合物，（甲基）丙烯酸酯化合物為較佳，2官能以上的（甲基）丙烯酸酯化合物為更佳。
作為聚合性化合物，例如能夠舉出聚乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇單（甲基）丙烯酸酯及苯氧基乙基（甲基）丙烯酸酯等單官能丙烯酸酯、單官能甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、己二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（丙烯醯氧基丙基）醚、三（丙烯醯氧基乙基）異氰脲酸酯、三（丙烯醯氧基乙基）氰脲酸酯、甘油三（甲基）丙烯酸酯；將環氧乙烷、環氧丙烷加成到三羥甲基丙烷、甘油等多官能醇之後進行（甲基）丙烯酸酯化而成者等多官能丙烯酸酯、多官能甲基丙烯酸酯。 又，還能夠較佳地使用胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物等胺基甲酸酯系單體。
還可舉出日本特公昭48-041708號公報、日本特公昭50-006034號公報及日本特開昭51-037193號公報中所記載之丙烯酸胺基甲酸酯類；日本特開昭48-064183號公報、日本特公昭49-043191號公報及日本特公昭52-030490號公報中所記載之聚酯丙烯酸酯類；作為環氧樹脂與（甲基）丙烯酸的反應產物之環氧丙烯酸酯類等多官能丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯。
聚合性化合物可以使用市售之市售品。作為市售品，例如可較佳地舉出三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯（A-DCP，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能，分子量304）、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯（DCP，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能、分子量332）、1,9-壬二醇二丙烯酸酯（A-NOD-N，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能，分子量268）、1,6-己二醇二丙烯酸酯（A-HD-N，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能，分子量226）、9，9-雙[4-（2-丙烯醯氧基乙氧基）苯基]芴（A-BPEF，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能，分子量546）、丙烯酸胺基甲酸酯（UA-160TM，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，2官能，分子量1600）、1,6-己二醇二丙烯酸酯（V#230，OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.製造，2官能，分子量226）、1,3-金剛烷基二丙烯酸酯（ADDA，MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造，2官能，分子量276）、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯（A-TMPT，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，3官能，分子量296）、三羥甲基丙烷環氧乙烷（EO）改質（n≈1）三丙烯酸酯（M-350，TOAGOSEI CO., LTD.製造，3官能）、季戊四醇四丙烯酸酯（A-TMMT，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，4官能，分子量352）、二季戊四醇六丙烯酸酯（A-DPH，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，6官能，分子量578）、季戊四醇三丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物（UA-306H，KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD.製造，6官能）、季戊四醇三丙烯酸酯甲苯二異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物（UA306T，KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD.製造，6官能）、二季戊四醇六丙烯酸酯（KAYARAD DPHA，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造，6官能，分子量579）、胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯（UA-32P，Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.製造，9官能）、胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯（8UX-015A，TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.製造，15官能）等。
聚合性化合物的分子量係3000以下為較佳，2000以下為更佳，1000以下為進一步較佳，500以下為尤佳。 分子量的下限並無特別限定，但是100以上為較佳。
關於聚合性化合物的分子量，能夠藉由質譜分析（例如，液相色譜（LC/MS）分析、氣相色譜（GC/MS）分析、高速原子碰撞色譜（FAB/MS分析）等）來鑒定分子結構，並由分子式求出。
相對於感光性樹脂層的總固體成分量，感光性樹脂層中所包含之聚合性化合物的含量係5質量%～70質量%為較佳，10質量%～40質量%為更佳，10質量%～30質量%為進一步較佳，。 本揭示中，所謂感光性樹脂層的總固體成分量，係指自感光性樹脂層中去除了溶劑等揮發性成分之質量。
聚合性化合物可以單獨使用1種，亦可以組合2種以上來使用。其中，就圖案形成時靈敏度得到進一步提高之觀點而言，組合2種以上的聚合性化合物來使用為較佳。又，就抑制殘渣及膜強度的觀點考慮，同時使用2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物為較佳。
在同時使用2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物之情形下，2官能的聚合性化合物的質量與聚合性化合物的總質量（2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物的總量）的比率（2官能的聚合性化合物/聚合性化合物總質量）係50質量%以上為較佳。 若（2官能的聚合性化合物/聚合性化合物總質量）為50質量%以上，則在由弱鹼性顯影液（例如，碳酸鈉水溶液）抑制顯影殘渣及膜強度的方面上係有利的。
＜＜聚合起始劑＞＞ 感光性樹脂層含有至少1種聚合起始劑為較佳。 作為聚合起始劑，可舉出日本特開2011-095716號公報的0031段～0042段中所記載之聚合起始劑、日本特開2015-014783號公報的0064段～0081段中所記載之肟系聚合起始劑。 聚合起始劑能夠使用市售之市售品。作為市售品，例如可較佳地舉出1,2-辛二酮-1-[4-（苯硫基）-2-（鄰苯甲醯肟）]（商品名稱：IRGACURE OXE-01，BASF公司）、乙烷-1-酮，[9-乙基-6-（2-甲基苯甲醯基）-9H-咔唑-3-基]-1-（鄰乙醯肟）商品名稱：IRGACURE OXE-02，BASF公司）、2-（二甲基胺基）-2-[（4-甲基苯基）甲基]-1-[4-（4-口末啉基）苯基]-1-丁酮（商品名稱：IRGACURE 379EG，BASF公司）、2-甲基-1-（4-甲硫基苯基）-2-口末啉代丙烷-1-酮（商品名稱：IRGACURE 907，BASF公司）、2-羥基-1-{4-[4-（2-羥基-2-甲基-丙醯基）-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮（商品名稱：IRGACURE 127，BASF公司）、2-苄基-2-二甲基胺基-1-（4-口末啉代苯基）-丁酮-1（商品名稱：IRGACURE 369，BASF公司）、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮（商品名稱：IRGACURE 1173，BASF公司）、1-羥基-環己基-苯基-酮（商品名稱：IRGACURE 184，BASF公司）、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮（商品名稱：IRGACURE 651，BASF公司）、肟酯系聚合起始劑的商品名稱：Lunar 6（DKSH MANAGEMENT LTD.）、2,4-二乙基噻噸酮（商品名稱：Kayacure DETX-S，Nippon Kayaku Co.,Ltd.）、作為芴肟系聚合起始劑之DFI-091、DFI-020（均為DAITO CHEMIX Co., Ltd.）等。
其中，就提高靈敏度之觀點而言，α-胺基烷基苯酮系化合物、α-羥基烷基苯酮系化合物、肟酯系化合物等肟系聚合起始劑為較佳，包含肟系聚合起始劑為更佳。
本揭示中的感光性樹脂層可以單獨含有1種聚合起始劑，亦可以含有2種以上。 相對於感光性樹脂層的總固體成分量，感光性樹脂層中所包含之聚合起始劑的含量係0.01質量%～5質量%為較佳，0.05質量%～3質量%為更佳。
就可進一步抑制顯影殘渣，且可有效地抑制聚合起始劑自感光性樹脂層的析出之觀點考慮，感光性樹脂層中的聚合起始劑的含有質量與上述聚合性化合物的含有質量之比（聚合起始劑/聚合性化合物）係0.05～0.60為較佳，0.05～0.50為更佳，0.07～0.30為進一步較佳。
＜＜紫外線吸收材料＞＞ 就將感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度調節在上述範圍內之觀點考慮，本揭示中的感光性樹脂層包含紫外線吸收材料為較佳。 作為紫外線吸收材料，可舉出二苯基酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、柳酸鹽化合物、三化合物、氰基丙烯酸酯化合物等紫外線吸收材料。具體而言，例如作為苯并三唑化合物，可舉出2-（2H-苯并三唑-2-基）-對甲酚、2-（2H-苯并三唑-2-基）-4-6-雙（1-甲基-1-苯基乙基）苯酚、2-[5-氯（2H）-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-（三級丁基）苯酚、2-（2H-苯并三唑-基）-4,6-二-三級戊基苯酚、2-（2H-苯并三唑-2-基）-4-（1,1,3,3-四甲基丁基）苯酚等、它們的混合物、改質物、聚合物、衍生物等。又，例如作為三化合物，可舉出2-（4,6-二苯基-1,3,5-三-2-基）-5-[（己基）氧基]-苯酚、2-[4-[（2-羥基-3-十二烷氧基丙基）氧基]-2-羥基苯基]-4,6-雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三、2-[4-[（2-羥基-3-十三烷氧基丙基）氧基]-2-羥基苯基]-4,6-雙（2,4-二甲基苯基）-1,3,5-三、2,4-雙（2,4-二甲基苯基）-6-（2-羥基-4-異辛氧基苯基）-s-三等、它們的混合物、改質物、聚合物、衍生物等。它們可以單獨使用，又，亦可以混合複數種來使用。 又，本揭示之感光性樹脂層含有碳黑來作為紫外線吸收材料為較佳。作為碳黑，只要將光學濃度設在上述範圍內，則能夠無特別限制地使用公知的碳黑，亦可以使用市售品。
本揭示之感光性樹脂層可以單獨含有1種紫外線吸收材料，亦可以含有2種以上。 關於紫外線吸收材料的含量，並無特別限定，可以適當地設定為使感光性樹脂層的光學濃度成為所期望的值之量。
＜＜鹼可溶性樹脂＞＞ 本揭示之感光性樹脂層含有鹼可溶性樹脂為較佳。 作為“鹼可溶性樹脂”，只要為溶解於或分散於後述形成抗蝕劑圖案之製程中所使用之顯影液之樹脂，則能夠無特別限制地使用。
作為鹼可溶性樹脂，作為黏合劑的具體的例子，可舉出苄基（甲基）丙烯酸酯/（甲基）丙烯酸的無規共聚物、苯乙烯/（甲基）丙烯酸的無規共聚物、環己基（甲基）丙烯酸酯/（甲基）丙烯酸/（甲基）甲基丙烯酸酯的共聚物、環己基（甲基）丙烯酸酯/（甲基）甲基丙烯酸酯/（甲基）丙烯酸的共聚物的縮水甘油（甲基）丙烯酸酯加成物、苄基（甲基）丙烯酸酯/（甲基）丙烯酸的共聚物的縮水甘油（甲基）丙烯酸酯加成物、（甲基）丙烯酸烯丙酯/（甲基）丙烯酸的共聚物、苄基（甲基）丙烯酸酯/（甲基）丙烯酸/羥基乙基（甲基）丙烯酸酯的共聚物等。
此外，作為鹼可溶性樹脂，例如能夠使用日本特開2011-095716號公報的0025段、日本特開2010-237589號公報的0033段～0052段中所記載之樹脂。
作為鹼可溶性樹脂的重量平均分子量，8000～100，000為較佳。 本揭示中，重量平均分子量藉由凝膠滲透層析術（GPC）來測量。校準曲線由TOSOH CORPORATION製造的“標準試樣TSK standard，聚苯乙烯（polystyrene）”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”、“A-1000”、“正丙苯”這8個樣品製作。
＜條件＞ ･GPC：HLC（註冊商標）-8020GPC（TOSOH CORPORATION製造） ･管柱：3個TSKgel（註冊商標），Super MultiporeHZ-H（TOSOH CORPORATION製造，4.6mmID×15cm） ･溶析液：THF（四氫呋喃） ･試樣濃度：0.45質量% ･流速：0.35mL/min ･樣品注入量：10μL ･測量溫度：40℃ ･檢測器：差示折射計（RI）
本揭示中的感光性樹脂層可以單獨含有1種鹼可溶性樹脂，亦可以含有2種以上。 相對於感光性樹脂層的總固體成分量，鹼可溶性樹脂的含量係10質量%～70質量%為較佳，15質量%～60質量%為更佳，20質量%～50質量%為進一步較佳。
＜＜其他成分＞＞ 本揭示中的感光性樹脂層可以含有敏化劑、界面活性劑等來作為其他成分。
-敏化劑- 作為敏化劑，例如可舉出公知的敏化色素、染料、或顏料、硫醇化合物、胺基酸化合物等。敏化劑可以為單獨1種，或亦可以為2種以上。
作為敏化色素，例如可舉出二烷基胺基二苯基酮化合物、吡唑啉化合物、蒽化合物、香豆素化合物、酮（Xanthone）化合物、噻噸酮化合物、㗁唑化合物、苯并㗁唑化合物、噻唑化合物、苯并噻唑化合物、三唑化合物（例如，1,2,4-三唑）、二苯乙烯化合物、三化合物、噻吩化合物、萘二甲醯亞胺化合物、三芳基胺化合物及胺基吖啶化合物。
作為染料或顏料，例如可舉出品紅、酞青綠、金胺鹼、烴硫基金屬綠S，副品紅、結晶紫、甲基橙、尼羅藍2B、維多利亞藍、孔雀綠（Hodogaya Chemical Co., Ltd.製造，aizen（註冊商標）MALACHITE GREEN）、鹼性藍20、鉆石綠（Hodogaya Chemical Co., Ltd.製造，aizen（註冊商標）DIAMOND GREEN GH）等。
作為染料，能夠使用顯色系染料。所謂顯色系染料，係指具有藉由光照射來顯色之功能之化合物。例如可舉出無色染料及熒光黃母體染料。其中，無色染料為較佳。具體而言，例如可舉出三（4-二甲基胺基-2-甲基苯基）甲烷[無色結晶紫]、三（4-二甲基胺基-2-甲基苯基）甲烷[無色孔雀綠]等。
無色染料與鹵素化合物組合使用為較佳。作為該鹵素化合物，例如可舉出溴戊烷、溴異戊烷、溴化異丁烯、溴化乙烯、二苯溴甲烷、溴化亞苄基、二溴甲烷、三溴甲基苯基碸、四溴化碳、三（2､3-二溴丙基）磷酸酯、三氯乙醯胺、碘戊烷、碘異丁烷、1､1､1-三氯-2､2-雙（對氯苯）乙烷、六氯乙烷、鹵素化三化合物等。作為鹵素化三化合物，例如可舉出2､4､6-三（三氯甲基）-s-三、2-（4-甲氧基苯基）-4､6-雙（三氯甲基）-s-三。其中，三溴甲基苯基碸、三化合物等係有用的。
又，作為敏化劑的另一例，可較佳地舉出硫醇化合物。硫醇化合物具有進一步提高光聚合起始劑相對於光源的靈敏度、及抑制由氧引起之聚合性化合物的聚合阻礙等作用。 作為硫醇化合物，例如可舉出乙二醇雙硫代丙酸酯（EGTP）、丁二醇雙硫代丙酸酯（BDTP）、三羥甲基丙烷三硫代丙酸酯（TMTP）、季戊四醇四硫代丙酸酯（PETP）等多官能硫醇化合物、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并㗁唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基-4（3H）-喹唑啉、β-巰基萘、N-苯基-巰基苯并咪唑等單官能硫醇化合物。 敏化劑可以為市售品，例如可舉出多官能硫醇（商品名稱：Karenz MT（註冊商標）BD1 SHOWA DENKO K.K.製造）。
又，作為敏化劑的又一例，可舉出胺基酸化合物（例如，N-苯甘胺酸等）、日本特公昭48-042965號公報中所記載之有機金屬化合物（例如，三丁基錫乙酸酯等）、日本特公昭55-034414號公報中所記載之氫供體、日本特開平6-308727號公報中所記載之硫化合物（例如，三噻等）等。
相對於感光性樹脂層的總質量，敏化劑的含量係0.01質量%～5質量%為較佳，0.05質量%～1質量%為更佳。
-界面活性劑- 本揭示中的感光性樹脂層可以包含界面活性劑。 作為界面活性劑，例如可舉出聚矽氧系界面活性劑、或氟系界面活性劑。 作為聚矽氧系界面活性劑，可舉出具有矽氧烷鍵之界面活性劑。具體而言，例如可而舉出Toray Silicone DC3PA、Toray Silicone SH7PA、Toray Silicone DC11PA、Toray Silicone SH21PA、Toray Silicone SH28PA、Toray Silicone 29SHPA、Toray Silicone SH30PA、聚醚改質矽油SH8400（商品名稱：Toray Silicone Co.,Ltd.製造）、KP321、KP322、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341、KF6001、KF6002、KF6003、X22-160AS（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.製造）、TSF400、TSF401、TSF410、TSF4300、TSF4440、TSF4445、TSF-4446、TSF4452、TSF4460（GE Toshiba Silicones Co., Ltd.製造）等。
又，作為氟系界面活性劑，可舉出具有氟碳鏈之界面活性劑。具體而言，均為商品名稱，例如可舉出Fluorinert FC430、Fluorinert FC431（以上，Sumitomo 3M Limited製造）；MEGAFACE F142D、MEGAFACE F171、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F177、MEGAFACE F780F、MEGAFACE F781F、MEGAFACE F479、MEGAFACE F482、MEGAFACE F551A、MEGAFACE F553、MEGAFACE F554、MEGAFACE F486、MEGAFACE F478、MEGAFACE F480、MEGAFACE F484、MEGAFACE F470、MEGAFACE F471、MEGAFACE F483、MEGAFACE F489、MEGAFACE F487、MEGAFACE F444、MEGAFACE F183、MEGAFACE R30（以上，DIC CORPORATION製造）；EF TOP EF301、EF TOP EF303、EF TOP EF351、EF TOP EF352（以上，Shin-Akita Kasei Co. Ltd.製造）；Surflon S381、Surflon S382、Surflon SC101、Surflon SC105（以上，ASAHI GLASS CO.,LTD.制造）；E5844（DAIKIN INDUSTRIES, LTD.,製造）；BM-1000、BM-1100（BM Chemie公司製造）等。
還可舉出包含具有矽氧烷鍵及氟碳鏈之氟原子之聚矽氧系界面活性劑。具體而言，均為商品名稱，例如可舉出MEGAFACE R08、MEGAFACE BL20、MEGAFACE F475、MEGAFACE F477、MEGAFACE F443（以上，DIC CORPORATION製造）等。 該些其他界面活性劑可以為單獨1種，或亦可以為2種以上。
〔感光性樹脂層的形成方法〕 作為本揭示中的感光性樹脂層的形成方法，並無特別限定，但是可舉出使用轉印薄膜之方法、將上述感光性樹脂層中所包含之各成分溶解於溶劑中，以製備感光性樹脂組成物並在上述被蝕刻層上進行塗佈、乾燥之方法等，但是使用轉印薄膜之方法為較佳。 在使用轉印薄膜之情形下，形成感光性樹脂層之製程係將轉印薄膜層合於上述被蝕刻層之製程為較佳，該轉印薄膜具有臨時支撐體及在上述臨時支撐體上且光學濃度為0.50以上且2.50以下之感光性樹脂層。 以下，對轉印薄膜的詳細內容進行說明。
-轉印薄膜- 本揭示中所使用之轉印薄膜具有臨時支撐體及感光性樹脂層為較佳。 圖1係表示本發明的一實施形態的轉印薄膜的構成的一例之示意剖面圖。 圖1中所示之轉印薄膜10依次具有臨時支撐體12、感光性樹脂層14及保護薄膜（保護剝離層）16。圖1中，示出臨時支撐體12、感光性樹脂層14及保護薄膜16彼此相鄰而積層之態樣，但是本發明並不限定於此，如後述，能夠採用如下態樣：在臨時支撐體12與感光性樹脂層14之間，還可以具有功能層（未圖示），在感光性樹脂層14與任意設置之功能層之間，還具有熱塑性樹脂層（未圖示）。 在轉印薄膜具有功能層、熱塑性樹脂層等之情形下，形成本揭示中的感光性樹脂層之製程中，除形成感光性樹脂層以外，還形成功能層、熱塑性樹脂層等。
＜＜轉印薄膜中的感光性樹脂層＞＞ 本揭示中所使用之轉印薄膜中的感光性樹脂層為與上述的本揭示中的形成於被蝕刻層上之感光性樹脂層相同的層，較佳的態樣亦相同。 這是因為，藉由將本揭示中所使用之轉印薄膜中的感光性樹脂層層合於被蝕刻層上來形成感光性樹脂層。
＜＜臨時支撐體＞＞ 轉印薄膜具有臨時支撐體。 形成臨時支撐體時，能夠使用具有撓性之材料。 作為能夠用於轉印薄膜之臨時支撐體的例子，可舉出環烯烴共聚物薄膜、聚對鈦酸乙二酯（PET）薄膜、三乙酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜等樹脂薄膜，其中，就處理性的觀點而言，PET薄膜為尤佳。臨時支撐體可以具有作為基材之樹脂薄膜和被覆層的積層結構。 臨時支撐體可以為透明，亦可以含有氧化矽、氧化鋁溶膠、鉻鹽、鋯鹽等而被著色。 對於臨時支撐體，能夠藉由日本特開2005-221726號公報中所記載之方法等來賦予導電性，賦予了導電性之臨時支撐體亦可較佳地用於本實施形態的轉印薄膜。
＜＜保護薄膜＞＞ 為了避免保管時由垃圾等雜質引起的污染或損傷，轉印薄膜中，在已述之感光性樹脂層的表面上還設置保護薄膜（覆蓋薄膜）等為較佳。保護薄膜能夠使用能夠容易地自感光性樹脂層剝離者，能夠自與臨時支撐體相同或類似的材料的薄膜中適當地選擇。作為保護薄膜，例如可較佳地使用聚烯薄膜（例如，聚丙烯（PP）薄膜、聚乙烯（PE）薄膜等）、聚對鈦酸乙二酯（PET）薄膜、矽紙、聚四氟乙烯薄膜等。 又，能夠適當地使用日本特開2006-259138號公報的〔0083〕段～〔0087〕段及〔0093〕段中所記載之保護薄膜。
＜＜功能層＞＞ 轉印薄膜在臨時支撐體與感光性樹脂層之間具有功能層為較佳。作為功能層，例如可舉出日本專利4502784號公報的〔0027〕段中所記載之具有阻氧功能之阻氧膜。 作為阻氧膜，顯示低透氧性，且分散或溶解於水或鹼水溶液中者為較佳，能夠自公知者中適當地選擇。其中，聚乙烯醇與聚乙烯氫吡咯酮的組合為較佳。 功能層的乾燥厚度係0.2μm～5μm為較佳，0.5μm～3μm為更佳，1μm～2.5μm為進一步較佳。
＜＜熱塑性樹脂層＞＞ 轉印薄膜中，在臨時支撐體與感光性樹脂層之間，還可以具有日本專利第4502784號公報的〔0026〕段中所記載之熱塑性樹脂層。 作為熱塑性樹脂層中所使用之成分，日本特開平5-072724號公報中所記載之有機高分子物質為較佳。 若轉印薄膜具有熱塑性樹脂層，則能夠對轉印薄膜賦予緩衝性，且與在被轉印面具有凹凸之情形等無關地，能夠提高轉印性。 熱塑性樹脂層的乾燥厚度係2μm～30μm為較佳，5μm～20μm為更佳，7μm～16μm為進一步較佳。
＜＜轉印薄膜的製造方法＞＞ 轉印薄膜能夠依照日本特開2006-259138號公報的0094段～0098段中所記載之硬化性轉印材料的製作方法來製作。 亦即，轉印薄膜的製造方法包含在臨時支撐體上形成感光性樹脂層之製程。而且，在臨時支撐體上形成上述感光性樹脂層之前，還可以包含形成功能層之製程及形成熱塑性樹脂層之製程中的至少一者。
關於轉印薄膜的製造方法，在轉印薄膜具有熱塑性樹脂層之情形下，在形成上述熱塑性樹脂層之製程之後，包含在熱塑性樹脂層與感光性樹脂層之間形成功能層之製程為較佳。 在形成具有功能層之轉印薄膜之情形下，能夠藉由如下方式來製作：在臨時支撐體上塗佈溶解熱塑性有機高分子和依據需要而同時使用之添加劑而成之溶解液（熱塑性樹脂層用塗佈液），並使其乾燥而設置熱塑性樹脂層之後，在所設置之熱塑性樹脂層上塗佈在不溶解熱塑性樹脂層之溶劑中添加樹脂及添加劑而製備之功能層用塗佈液，並使其乾燥而積層功能層，在被積層之功能層上進一步塗佈使用不溶解功能層之溶劑而製備之感光性樹脂組成物，並使其乾燥而形成感光性樹脂層。 另外，感光性樹脂組成物中所包含之成分如上述。
-層合- 層合製程中，將轉印薄膜層合於被蝕刻層上，並將感光性樹脂層轉移到基材上，藉此形成感光性樹脂層。層合能夠使用真空層合機、自動切割層合機等公知的層合機來進行。
作為層合的條件，能夠應用一般的條件。 作為層合溫度，80℃以上且150℃以下為較佳，90℃以上且150℃以下為更佳，100℃以上且150℃以下為尤佳。 關於層合溫度，例如在使用具備橡膠輥之層合機之情形下，係指橡膠輥的溫度。
＜＜光學濃度＞＞ 本揭示之圖案形成方法中，在包含上述層合製程之情形下，被層合之轉印薄膜整體的相對於曝光波長的光學濃度係0.50以上且2.50以下為較佳。 就獲得圖案形狀優異之抗蝕劑圖案之觀點而言，上述光學濃度係2.30以下為較佳，2.00以下為更佳。 在感光性樹脂層為負型感光性樹脂層之情形下，若光學濃度在上述範圍內，則可抑制抗蝕劑圖案中的所謂的底切的發生。 就抑制曝光霧之觀點及抗蝕劑圖案的剝離性的觀點而言，上述光學濃度係0.70以上為較佳，1.00以上為更佳。 被層合之轉印薄膜整體的光學濃度為圖案曝光之製程中的曝光時存在之轉印薄膜整體的光學濃度。 例如，在自轉印薄膜剝離保護薄膜而進行層合，並進行曝光之情形下，作為自轉印薄膜剝離保護薄膜而得到者的光學濃度，使用分光光度計（V-7000，JASCO Corporation製造）來測量。 又，在自轉印薄膜剝離保護薄膜而進行層合，並剝離臨時支撐體而進行曝光之情形下，作為自轉印薄膜剝離臨時支撐體及保護薄膜而得到者的光學濃度，藉由相同的方法來測量。
＜圖案曝光之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含對感光性樹脂層進行圖案曝光之製程。 圖案曝光之製程中，分別對基材的兩面上的2個被蝕刻層上所形成之2個感光性樹脂層（亦稱為兩面的感光性樹脂層。）進行曝光。 圖案曝光製程中，同時對兩面的感光性樹脂層進行曝光為較佳。 在此，所謂“同時進行曝光”，係指無需對兩面的感光性樹脂層同時照射曝光光，而是在一個製程中一次性對兩面進行曝光即可。例如可舉出使用兩面曝光用裝置進行兩面的曝光、或使用單面曝光用裝置連續對其中一面和另一面進行曝光之態樣。
依本揭示之圖案形成方法，能夠藉由不同的曝光圖案來對兩面的感光性樹脂進行曝光。所謂不同的曝光圖案，係指在自基材的法線方向觀察基材之情形下，除在基材的兩面完全重疊之曝光圖案以外的曝光圖案。 例如，即使在用相同的線與空間圖案的遮罩對基材的兩面進行曝光之情形下，亦能夠進行如下曝光：在基材的兩面上使遮罩的線方向正交而進行曝光之、在基材的兩面上使線方向平行並使線的位置偏移而進行曝光之曝光。
作為曝光方法，可舉出在曝光光源與感光性樹脂層之間配置形成有預先確定之圖案之遮罩而進行曝光之方法、不使用遮罩而藉由曝光裝置以圖案狀進行曝光之方法等。 在形成本揭示中的感光性樹脂層之製程為層合轉印薄膜之製程之情形下，可以不剝離臨時支撐體而隔著臨時支撐體進行曝光，亦可以剝離臨時支撐體而曝光到感光性樹脂層上，但是隔著臨時支撐體而進行曝光為較佳。
〔曝光光源〕 關於曝光光源，只要係能夠照射能夠使感光性樹脂層感光之波長區域的光（例如，365nm、405nm等）者，則能夠無特別限制地使用公知者。 本揭示中所使用之曝光光包含波長365nm的光為較佳。 又，本揭示中所使用之曝光光在波長365nm下具有極大波長為較佳。 作為曝光光源，可舉出超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、紫外線發光二極體（UV-LED）、紫外線雷射二極體（UV-LD）等。
〔曝光量〕 在將感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度設為n之情形下，曝光製程中的曝光量係10（ n-0.5 ） mJ/cm2 以上且10（ n+1.5 ） mJ/cm2 以下為較佳，10n mJ/cm2 以上且10（ n+1.0 ） mJ/cm2 以下為更佳。 又，曝光製程中，2個感光性樹脂層的曝光量均在上述範圍內為較佳。 而且，就防止所獲得之抗蝕劑圖案的圖案缺陷（缺口、突起、粗化等）之觀點考慮，曝光製程中的曝光量係10mJ/cm2 以上且500mJ/cm2 以下為較佳，30mJ/cm2 以上且300mJ/cm2 以下為更佳。 在曝光光包含複數種波長的光之情形下，曝光量作為在曝光光中所包含之光中曝光強度最大的波長下的曝光光的曝光量而計算。又，在分成複數次而進行曝光之情形下，將曝光量設為複數次曝光下的曝光量的合計值。
＜形成抗蝕劑圖案之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含藉由對上述感光性樹脂層進行顯影而在兩面形成抗蝕劑圖案之製程。 作為顯影方法，並無特別限定，可以藉由公知的方法進行顯影，例如可舉出使用了顯影液之顯影方法。
作為顯影液，並無特別限制，能夠使用日本特開平5-072724號公報中所記載之顯影液等公知的顯影液。 又，作為顯影液，使用鹼性水溶液為較佳。 作為鹼性水溶液中能夠含有之鹼性化合物，例如可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、膽鹼（2-羥基乙基三甲基氫氧化銨）等。 作為鹼性水溶液的25℃下的pH，大於pH7且pH14以下為較佳，pH8～pH13為更佳，pH9～pH12為更進一步較佳，pH10～pH12為尤佳。 相對於鹼性水溶液總量，鹼性水溶液中的鹼性化合物的含量係0.1質量%～5質量%為較佳，0.1質量%～3質量%為更佳。
顯影液可以包含公知的有機溶劑。 作為有機溶劑，與水混和或溶解於水中者為較佳，例如能夠舉出甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單-正丁醚、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、ε-己內酯、γ-丁內酯、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己內醯胺及N-甲基吡咯啶酮。 相對於顯影液的總質量，有機溶劑的濃度係0.1質量%～30質量%為較佳。
顯影液可以包含公知的界面活性劑。相對於顯影液的總質量，界面活性劑的濃度係0.01質量%～10質量%為較佳。 顯影液的液溫係20℃～40℃為較佳。
作為顯影的方式，例如可舉出浸沒顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影、浸漬顯影等方式。 在進行噴淋顯影之情形下，藉由對圖案曝光後的感光性樹脂層以噴淋的方式噴吹顯影液來去除感光性樹脂層的未曝光部。 又，在顯影之後，藉由一邊利用噴淋的方式噴吹清洗劑等一邊用刷子等進行擦拭來去除顯影殘渣為較佳。 關於顯影，進行10秒～60秒為較佳。
顯影製程中，可以對2個感光性樹脂層分別單獨地進行顯影，但是就生產率的觀點而言，一次性對2個感光性樹脂層進行顯影為較佳。 作為一次性對2個感光性樹脂層進行顯影之方法，並無特別限定，但是例如可舉出在兩面以噴淋的方式噴吹顯影液之方法、按每一具有2個感光性樹脂層之基材浸漬於顯影液中之方法等。 尤其，藉由自設置於所傳送之基材片的兩面之複數個噴嘴噴吹顯影液來將顯影液供給至片材之方法為較佳。
＜加熱之製程＞ 本揭示之圖案形成方法在顯影之後還可以包含對抗蝕劑圖案進行加熱（後烘烤）之製程。 上述加熱製程中，一次性對藉由2個感光性樹脂層形成之2個抗蝕劑圖案（兩面的抗蝕劑圖案）進行加熱為較佳。 在基板為樹脂基板之情形下，後烘烤的溫度係100℃～160℃為較佳，130℃～160℃為更佳。 藉由後烘烤，抗蝕劑圖案的強度得到提高，且還能夠調節作為被蝕刻層之透明電極圖案的電阻值。
＜在抗蝕劑圖案形成之後進行曝光之製程＞ 本揭示之圖案形成方法在顯影製程之後還可以包含對抗蝕劑圖案進行曝光（後曝光）之製程。 在本揭示之圖案形成方法包含後烘烤之製程及後曝光之製程這兩者之情形下，在後曝光之製程之後包含後烘烤之製程為較佳。 作為後曝光的方法，並無特別限定，例如使用曝光製程中所使用之曝光裝置來進行曝光即可。
＜其他製程＞ 此外，本揭示之圖案形成方法在顯影製程之後還可以包含例如清洗抗蝕劑圖案之製程等公知的其他製程。
＜去除被蝕刻層之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含去除未被上述抗蝕劑圖案被覆之部分的上述被蝕刻層之製程。 作為去除被蝕刻層之方法，並無特別限定，能夠使用日本特開2010-152155號公報的0048段～0054段等中所記載之方法等公知的蝕刻方法。 例如，作為蝕刻的方法，可舉出通常所進行之浸漬於蝕刻液中之濕蝕刻法。濕蝕刻中所使用之蝕刻液依據按照蝕刻對象使用酸性型或鹼性型蝕刻液之被蝕刻層的材質或厚度來適當選擇即可。 作為酸性型蝕刻液，可例示鹽酸、硫酸、硝酸、乙酸、氫氟酸、草酸或磷酸等只有酸性成分之水溶液、酸性成分與氯化鐵、氟化銨或高錳酸鉀等的鹽的混合水溶液等。酸性成分可以使用組合複數種酸性成分而得到之成分。 作為鹼性型蝕刻液，可例示如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺或氫氧化四甲銨那樣的有機胺的鹽等只有鹼成分之水溶液、鹼成分與高錳酸鉀等的鹽的混合水溶液等。鹼成分可以使用組合複數種鹼成分而得到之成分。
蝕刻液的溫度並無特別限定，但是45℃以下為較佳。本揭示中，用作蝕刻遮罩（蝕刻圖案）之抗蝕劑圖案相對於45℃以下的溫度區域中之酸性及鹼性蝕刻液發揮特別優異之耐性為較佳。
＜清洗製程等＞ 在蝕刻之製程之後，為了防止製程線的污染，依據需要，還可以包含清洗金屬基板之製程（清洗製程）及乾燥金屬基板之製程（乾燥製程）。 關於清洗製程，例如可舉出在常溫（10℃～35℃）下利用純水經10秒～300秒鐘清洗基板。 關於乾燥製程，例如使用鼓風適當調節鼓風壓力（0.1kg/cm2 ～5kg/cm2 左右）而進行乾燥即可。
去除被蝕刻層之製程中，可以分別單獨地去除存在於基材的兩面之2個被蝕刻層，但是就生產率的觀點而言，一次性去除上述2個被蝕刻層為較佳。 作為一次性對2個感光性樹脂層進行顯影之方法，並無特別限定，能夠藉由對兩面供給蝕刻液之方法來進行。
＜剝離之製程＞ 本揭示之圖案形成方法包含剝離上述抗蝕劑圖案之製程。 作為剝離方法，並無特別限定，使用公知的剝離液為較佳。 作為剝離液，例如可舉出將氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼成分或三級胺或四級銨鹽等有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮或它們的混合溶液中而得到之剝離液等。 能夠使用剝離液，並藉由噴塗法、噴淋法或浸沒法等而進行剝離。
剝離之製程中，可以分別單獨地去除存在於基材的兩面的被蝕刻層上之2個抗蝕劑圖案，但是就生產率的觀點而言，一次性剝離上述2個抗蝕劑圖案為較佳。 作為一次性對2個感光性樹脂層進行顯影之方法，並無特別限定，能夠藉由對兩面供給剝離液之方法來進行。
＜其他製程＞ 本揭示之圖案形成方法在剝離製程之後還可以包含清洗製程等公知的其他製程。
（觸控面板及觸控面板顯示裝置以及它們的製造方法） 本揭示中的觸控面板為至少具有藉由本揭示之圖案形成方法製造之圖案來作為感測器用電極圖案之觸控面板。 本揭示中的觸控面板顯示裝置為至少具有藉由本揭示之圖案形成方法製造之圖案來作為感測器用電極圖案之觸控面板顯示裝置，且為具有本揭示之觸控面板之觸控面板顯示裝置為較佳。 本揭示之觸控面板或觸控面板顯示裝置的製造方法包含本揭示之圖案形成方法為較佳。 作為本揭示之觸控面板及本揭示之觸控面板顯示裝置中的檢測方法，可以為電阻膜方式、靜電電容方式、超音波方式、電磁感應方式及光學方式等公知的方式中的任一種，但是靜電電容方式為較佳。 具體而言，依本揭示之觸控面板製造方法，能夠製造一種觸控面板，該觸控面板中，形成於基材的一面之圖案為X軸方向的位置檢測用電極，且形成於基材的另一面的圖案為Y軸方向的位置檢測用電極。
（積層體） 本揭示之積層體包含：基材，相對於曝光波長為透明；2個被蝕刻層，分別配置於上述基材的兩面，且相對於曝光波長為透明；及2個感光性樹脂層，分別配置於上述2個被蝕刻層上，且相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下。
關於本揭示之積層體，參閱圖2進行說明。 圖2係表示本揭示之積層體的一例之示意圖。 在相對於曝光波長為透明之基材20的兩側，配置有相對於曝光波長為透明之2個被蝕刻層18，在上述2個被蝕刻層上，分別配置有相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下之2個感光性樹脂層14。 本揭示之積層體例如能夠藉由包含本揭示之圖案形成方法中的準備基材之製程及形成感光性樹脂層之製程之方法來製造。尤其，關於本揭示之積層體，形成感光性樹脂層之製程係層合上述轉印薄膜之製程為較佳。 利用包含上述層合製程之方法來製造本揭示之積層體，藉此能夠製作包含圖2中所示之臨時支撐體12之積層體。本揭示之積層體可以包含臨時支撐體12，亦可以不包含該臨時支撐體12。
本揭示之積層體中的基材、被蝕刻層、感光性樹脂層及臨時支撐體與上述本揭示中所說明之基材、被蝕刻層、感光性樹脂層及臨時支撐體相同，較佳的態樣亦相同。 又，本揭示之積層體還可以包含上述功能層或熱塑性樹脂層來作為任意層。該些層能夠藉由在包含層合上述轉印薄膜之製程之製程中使用包含該些層之轉印薄膜來製造本揭示之積層體。關於層構成（層的位置）及層中所包含之各成分，與上述轉印薄膜的說明中的各層的層構成及各成分相同。
藉由使用本揭示之積層體，依次進行上述製程亦即曝光之製程、形成抗蝕劑圖案之製程、去除被蝕刻層之製程及剝離抗蝕劑圖案之製程，能夠製作在兩面具有不同的被蝕刻層的圖案之基材。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行進一步具體的說明，但是本發明只要不脫離其主旨，則並不限定於以下實施例。 以下，只要無特別指明，則“份”及“%”為質量基準。
（在兩面具有被蝕刻層之基材的製作） ＜基材1（具有含有Ag奈米線之層之基材）的製作＞ 〔銀奈米線分散液的製作〕 在常溫（25℃）下，將60質量份的乙二醇和2.5質量份的聚乙烯氫吡咯酮（PVP）放入容器內，並一邊以500rpm（rotation per minute：每分鐘轉數）進行攪拌一邊經10分鐘升溫至135℃。然後，在保持在135℃之狀態下持續進行了攪拌。又，自達到135℃之時點經過10分鐘之後，預先在另一容器中添加了將0.006質量份（0.1mmol份）的氯化鈉溶解於0.6質量份的乙二醇而得到之氯化鈉溶液。自添加氯化鈉溶液之時點經過3分鐘之後，預先在又一容器中添加了將0.85質量份（5.0mmol份）的硝酸銀溶解於7.65質量份的乙二醇而得到之硝酸銀溶液。在添加硝酸銀溶液之後，將攪拌速度變更為100rpm，在135℃下保持3.0小時而結束加熱，並以該狀態自然冷卻直至成為室溫（25℃）。 在容器內的溶液溫度成為室溫（25℃）之後，將反應後的料漿分取到離心管中，並添加蒸餾水而進行清洗，以3,000rpm進行了5分鐘的離心分離。去除離心分離後的上清液之後，對殘留之沉澱物添加甲醇而製成料漿，並以2500rpm實施了5分鐘的離心分離。去除離心分離後的上清液之後，再次對殘留之沉澱物添加甲醇而製成料漿，並以1500rpm實施了10分鐘的離心分離。去除離心分離後的上清液之後，將殘留之沉澱物加入到水中並以500rpm攪拌10分鐘，獲得了銀奈米線分散液。
藉由以下方法測量所獲得之銀奈米線的平均長軸長度及平均短軸長度之結果，平均長軸長度為10μm，平均短軸長度（平均直徑）為70nm，平均縱橫比為140。
-金屬奈米線的平均長軸長度及平均短軸長度的測量- 使用透射型電子顯微鏡（TEM；JEOL Ltd.製造，JEM-2000FX）被放大觀察之金屬奈米線中，隨機選擇300個金屬奈米線，測量所選擇之金屬奈米線的長軸長度和短軸長度（直徑），並將各個算數平均值作為金屬奈米線的平均長軸長度及平均短軸長度（平均直徑）。
〔基材1的製作〕 將所獲得之銀奈米線分散液塗佈於聚對鈦酸乙二酯基材（膜厚為40μm）的一面，並在80℃下乾燥2分鐘，在上述基材上形成了含有銀奈米線且厚度為200nm的透明導電層。 在另一面亦以相同的方式形成含有銀奈米線且厚度為200nm的透明導電層，從而製作了在兩面具有含有銀奈米線之層（被蝕刻層）之透明基材。 在此，確認到上述聚對鈦酸乙二酯基材在波長360nm～410nm下的透射率為80%以上。又，確認到基材及上述中所形成之厚度為200nm的透明導電層在波長360nm～410nm下的透射率均為80%以上。
＜基材2（具有ITO（氧化銦錫）層之基材）的製作＞ 對於膜厚為38μm、折射率為1.53的環烯烴樹脂薄膜（基材），使用高頻振蕩器，於輸出電壓100%、輸出250W，直徑為1.2mm的線電極中，電極長度為240mm、工作電極間距為1.5mm的條件下，進行3秒鐘的電暈放電處理，並進行了表面改質。 接著，使用狹縫狀噴嘴，將表1中所示之材料塗佈於已進行表面改質之環烯烴樹脂薄膜基板的兩面之後，照射紫外線（累積光量為300mJ/cm2 ），在約110℃下進行乾燥，藉此製作了折射率為1.60、膜厚為80nm的透明膜。確認到後述實施例中的作為曝光波長之波長365nm及405nm下的基材及透明膜的透射率均為80%以上。
[表1]
[化學式1]
表示上述聚合物P-25之結構式中，x、l、y及z表示莫耳比。又，Me表示甲基。
[化學式2]
表示上述聚合物P-25之結構式中，各構成單元的下標表示莫耳比。
將上述中所獲得之具有透明膜之環烯烴樹脂薄膜導入到真空腔室內，並使用SnO2 含有率為10質量%之ITO靶（銦:錫=95:5（莫耳比）），藉由DC磁控濺射，在基板的兩面形成厚度為40nm、折射率為1.82之ITO薄膜，以獲得了在透明薄膜基板的兩面形成有透明膜和透明導電層（被蝕刻層）之薄膜。將DC磁控濺射條件設為：透明薄膜基板的溫度為150℃，氬壓為0.13Pa，氧壓為0.01Pa。ITO薄膜的表面電阻為80Ω/□（Ω每平方）。 在此，確認到上述具有透明膜之環烯烴樹脂薄膜在波長360nm～410nm下的透射率為80%以上。又，確認到上述中所形成之厚度為40nm之透明導電層在波長360nm～410nm下的透射率為80%以上。
（轉印薄膜的製作） 各實施例及比較例中，使用狹縫狀噴嘴將表3中所示之材料塗佈於臨時支撐體（厚度為16μm、霧度為0.12%之聚對鈦酸乙二酯薄膜）上，並使用100℃的對流烘箱乾燥2分鐘，製作表2中所示之厚度的層，進而，貼合覆蓋薄膜（厚度為12μm、霧度為0.2%之聚丙烯薄膜）而製作了轉印薄膜。關於表2中的材料A-1～A-14的組成，記載於表3中。表3中的數值表示各成分的含量（固體成分質量）。 表2中，“感光性樹脂層”的“O.D.”的記載表示轉印薄膜中的感光性樹脂層的光學濃度，“材料”的欄的記載表示用於形成轉印薄膜中所包含之感光性樹脂層之材料，“膜厚（μm）”的記載表示轉印薄膜中的感光性樹脂層的膜厚（μm）。另外，關於光學濃度的測量，將V-7000的測量模式設為Abs，測量了感光性樹脂層的光學濃度。
（圖案形成） 各實施例及比較例中，確認到使用所製作之轉印薄膜，能夠形成圖案。 各實施例及比較例中，將所製作之轉印薄膜切割成50cm見方，並剝離覆蓋薄膜，在輥溫度為90℃、線壓為0.8MPa、線速度為3.0m/分鐘之層合條件下，層合於所製作之基材1或基材2的兩面。表2中，在“所使用之基材”的欄中記載為“1”之例子為使用了基材1之例子，記載為“2”之例子為使用了基材2之例子。 所形成之感光性樹脂層的光學濃度及膜厚為與表2中所記載之轉印薄膜中的感光性樹脂層的光學濃度及膜厚相同值。 本揭示的實施例中的藉由上述層合而形成者為本揭示之積層體。 然後，不剝離臨時支撐體而將具有線寬度為15μm之線與空間圖案之玻璃遮罩（Duty比為1:1）密接於薄膜上，並同時對感光性樹脂層的兩面進行了曝光。兩面曝光時，以線圖案在表面和背面正交之方式配置了遮罩。將曝光量設為表2中所記載之值。關於表2中的曝光量的值，在實施例1～實施例20中記載了365nm下的曝光量，且在實施例21中記載了405nm下的曝光量。 實施例1～實施例20中，使用了包含波長365nm的光之超高壓水銀燈來作為曝光光源。 實施例21中，使用了包含波長365nm的光之超高壓水銀燈來作為曝光光源，但是經由水銀曝光用帶通濾波器（中心波長為405nm，Asahi Spectra Co.,Ltd.製造）進行了遮罩曝光。
在曝光後放置1小時之後，剝離臨時支撐體並進行顯影，形成了具有在表面和背面正交之線圖案之抗蝕劑圖案。關於顯影，使用28℃的1.0%碳酸鈉水溶液（顯影液），藉由噴淋顯影進行了30秒。又，藉由對基材的兩面同時供給顯影液來一次性對兩面進行了顯影。 接著，對於具有上述抗蝕劑圖案之基材，用包含1%HNO3 、1%NaNO3 、及5ppm的KMnO4 之酸性蝕刻液蝕刻了被蝕刻層。藉由對基材的兩面同時供給酸性蝕刻液來一次性對兩面進行了蝕刻。關於蝕刻，在35℃下進行45秒鐘，然後，用水進行漂洗，並在N2 流動下進行了乾燥。 而且，使用剝離液（Nagase ChemteX Corporation製造的“N-322”）去除了抗蝕劑圖案。 經以上製程之後，觀察表面和背面的圖案，確認到在兩面形成有沒有缺陷之被蝕刻層的線與空間圖案、及線與空間圖案的方向在表面和背面正交。
＜底切量的評價＞ 各實施例或比較例中，準備了表2中所記載之基材1或基材2。 接著，將各實施例或比較例中的轉印薄膜切割成50cm見方，並剝離覆蓋薄膜，在輥溫度為90℃、線壓為0.8MPa、線速度為3.0m/分鐘的層合條件下層合於基板。 然後，不剝離臨時支撐體而隔著線寬度為20μm之線與空間圖案遮罩（Duty比為1:1）對感光性樹脂層進行了曝光。曝光量如表2中所記載。 實施例1～實施例20中，使用了包含波長365nm的光之超高壓水銀燈來作為曝光光源。 實施例21中，使用了包含波長365nm的光之超高壓水銀燈來作為曝光光源，但是經由水銀曝光用帶通濾波器（中心波長為405nm，Asahi Spectra Co.,Ltd.製造）進行了遮罩曝光。 在曝光後放置1小時之後，剝離臨時支撐體並進行顯影，獲得了抗蝕劑圖案。關於顯影，使用28℃的1.0%碳酸鈉水溶液（顯影液），藉由噴淋顯影進行了30秒。又，藉由對基材的兩面同時供給顯影液來一次性對兩面進行了顯影。
使用掃描型電子顯微鏡觀察了20μm線圖案（抗蝕劑圖案）的垂直方向的截面的形狀。截面中，將抗蝕劑圖案的頭部（最外層側）與底部（被蝕刻層側）的尺寸差定義為底切量，並依據下述評價基準進行了評價。評價結果記載於表2中。可以說底切量越小，則所獲得之抗蝕劑圖案的圖案形狀越優異。 A：底切量小於1.0μm B：底切量為1.0μm以上且小於2.0μm C：底切量為2.0μm以上且小於3.0μm D：底切量為3.0μm以上
＜曝光霧評價＞ 接著，各實施例或比較例中，將所製作之轉印薄膜切割成50cm見方，並剝離覆蓋薄膜，在輥溫度為90℃、線壓為0.8MPa、線速度為3.0m/分鐘下，層合於表2中所記載之基材兩面。 實施例1～實施例20中，不剝離臨時支撐體而隔著線寬度為20μm的線與空間圖案遮罩（Duty比為1:1）並用超高壓水銀燈對感光性樹脂層進行單面曝光之後（曝光量為表2中所記載之曝光量），放置1小時之後剝離臨時支撐體以對兩面進行了顯影。 關於實施例21，除了經由水銀曝光用帶通濾波器（中心波長為405nm，Asahi Spectra Co.,Ltd.製造）進行了單面曝光（曝光量為100mJ/cm2 ，在405nm下測量）這一點以外，實施了相同的處理。 關於顯影，使用28℃的1.0%碳酸鈉水溶液（顯影液），並藉由噴淋顯影進行了30秒。又，藉由對基材的兩面同時供給顯影液來一次性對兩面進行了顯影。
觀察基材的未進行曝光之一側，並以如下方式評價了曝光霧。 在未進行曝光之一側觀察到殘渣之情形下，表示相對於其中一面的曝光光亦對另一面進行了曝光、亦即產生了曝光霧。
A：不管利用50倍的倍率的光學顯微鏡進行觀察，還是用肉眼觀察，均未確認到殘渣。 B：若利用50倍的倍率的光學顯微鏡進行觀察，則確認到少許殘渣，若用肉眼觀察則未確認到殘渣。 C：不管利用50倍的倍率的光學顯微鏡進行觀察，還是用肉眼觀察，均確認到殘渣。
[表2]
[表3]
比較例1～比較例4中，使用了基材1來作為基材，但是即使在使用基材2之情形下，底切量及曝光霧的評價結果亦相同。
表3中，“化合物A”為由下述結構式表示之化合物。下述結構式中，括號的下標表示各構成單元的含量（莫耳比）。
[化學式3]
又，表3中，OXE-01及OXE-02分別為下述結構的化合物。
[化學式4]
如上述，依本揭示中的實施例之圖案形成方法，所獲得之蝕刻抗蝕劑的圖案形狀優異，且由相對於其中一面的曝光光產生之另一面的曝光霧得到抑制。
關於2017年7月28日申請之日本專利申請第2017-147152號的揭示，其全部內容藉由參閱編入本說明書中。 本說明書中所記載之所有文獻、專利申請以及技術標準，以與具體且個別記載了藉由參閱編入個別文獻、專利申請以及技術標準之情況相同程度地，藉由參閱編入本說明書中。
10‧‧‧轉印薄膜
12‧‧‧臨時支撐體
14‧‧‧感光性樹脂層
16‧‧‧保護薄膜（保護剝離層）
18‧‧‧被蝕刻層
20‧‧‧基材
圖1係表示本揭示中所使用之轉印薄膜的一例之示意圖。 圖2係表示本揭示之積層體的一例之示意圖。

Claims (15)

  1. 一種圖案形成方法，其依次具有： 準備基材之製程，該基材在兩面具有相對於曝光波長為透明的被蝕刻層，且相對於曝光波長為透明； 在該基材的兩面的該被蝕刻層上分別形成感光性樹脂層之製程，該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下； 對該感光性樹脂層進行圖案曝光之製程； 藉由對該感光性樹脂層進行顯影而在兩面形成抗蝕劑圖案之製程； 去除未被該抗蝕劑圖案被覆之部分的該被蝕刻層之製程；及 剝離該抗蝕劑圖案之製程。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之圖案形成方法，其中 在該曝光製程中，曝光量為10（ n-0.5 ） mJ/cm2 以上且10（ n+1.5 ） mJ/cm2 以下， n表示該感光性樹脂層的相對於曝光波長的光學濃度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之圖案形成方法，其中 在該曝光製程中，曝光量為10n mJ/cm2 以上且10（ n+1.0 ） mJ/cm2 以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 該感光性樹脂層的膜厚為1.0μm以上且8.0μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 在該曝光製程中，曝光光在波長365nm下具有極大波長。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 形成該感光性樹脂層之製程為將轉印薄膜層合於該被蝕刻層之製程，該轉印薄膜具有臨時支撐體及在該臨時支撐體上且光學濃度為0.50以上且2.50以下之感光性樹脂層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之圖案形成方法，其中 在該層合之製程中，被層合之轉印薄膜整體的光學濃度為0.50以上且2.50以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 在形成該感光性樹脂層之製程中，所形成之該感光性樹脂層的光學濃度為1.00以上且2.00以下。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 該曝光之製程中，同時對兩面的該感光性樹脂層進行曝光。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 該被蝕刻層為導電層。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 該感光性樹脂層包含聚合性化合物及聚合起始劑。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之圖案形成方法，其中 該感光性樹脂層包含紫外線吸收材料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之圖案形成方法，其中 該紫外線吸收材料包含碳黑。
  14. 一種積層體，其包含： 基材，相對於曝光波長為透明； 2個被蝕刻層，分別配置於該基材的兩面，且相對於曝光波長為透明；及 2個感光性樹脂層，分別配置於該2個被蝕刻層上，且相對於曝光波長的光學濃度為0.50以上且2.50以下。
  15. 一種觸控面板的製造方法，其包含申請專利範圍第1項至第13項所述之圖案形成方法。
TW107126094A 2017-07-28 2018-07-27 圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法 TWI790257B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017147152 2017-07-28
JP2017-147152 2017-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201910911A true TW201910911A (zh) 2019-03-16
TWI790257B TWI790257B (zh) 2023-01-21

Family

ID=65040213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107126094A TWI790257B (zh) 2017-07-28 2018-07-27 圖案形成方法、積層體及觸控面板製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11567410B2 (zh)
JP (2) JP6871385B2 (zh)
CN (1) CN110998457B (zh)
TW (1) TWI790257B (zh)
WO (1) WO2019022090A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110554789B (zh) * 2018-05-30 2023-09-01 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 双面电极及其图案化方法
WO2020196802A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 富士フイルム株式会社 銀導電性材料保護膜用転写フィルム、パターン付き銀導電性材料の製造方法、積層体、及び、タッチパネル

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334487A (en) * 1992-07-23 1994-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming a patterned layer on a substrate
CN1977221A (zh) * 2004-05-31 2007-06-06 富士胶片株式会社 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置
JP4837297B2 (ja) * 2005-03-09 2011-12-14 富士フイルム株式会社 遮光画像付き基板及び遮光画像の形成方法、転写材料、カラーフィルター、並びに表示装置
JP5201361B2 (ja) * 2009-05-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの加工方法
JP2011154080A (ja) 2010-01-26 2011-08-11 Toppan Printing Co Ltd 透明基材両面へのパターン形成方法
JP5375692B2 (ja) 2010-03-17 2013-12-25 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサの製造方法
JP5661533B2 (ja) 2010-05-28 2015-01-28 富士フイルム株式会社 導電シートの製造方法及びタッチパネルの製造方法
CN104461118B (zh) * 2010-09-29 2018-10-16 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法
JP5618083B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 大日本印刷株式会社 タッチパネル部材の製造方法
US20130161070A1 (en) 2011-12-21 2013-06-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
KR20170072956A (ko) * 2012-04-04 2017-06-27 히타치가세이가부시끼가이샤 도전 패턴의 형성 방법 및 도전 패턴 기판
KR20130118082A (ko) * 2012-04-19 2013-10-29 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법
WO2015129057A1 (ja) * 2014-02-28 2015-09-03 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
JP6673197B2 (ja) * 2014-05-23 2020-03-25 日立化成株式会社 レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法、投影露光用感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP6230559B2 (ja) 2014-12-03 2017-11-15 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
WO2016088609A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
JP6042486B1 (ja) 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ
KR102019581B1 (ko) * 2015-06-09 2019-09-06 아사히 가세이 가부시키가이샤 터치 패널용 수성 수지 조성물, 전사 필름 및 경화막 적층체, 그리고 수지 패턴의 제조 방법 및 터치 패널 표시 장치
JP6463242B2 (ja) * 2015-09-14 2019-01-30 三菱製紙株式会社 導電性パタン前駆体および導電性パタンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11567410B2 (en) 2023-01-31
JP6871385B2 (ja) 2021-05-12
US20200159123A1 (en) 2020-05-21
JP2021120743A (ja) 2021-08-19
TWI790257B (zh) 2023-01-21
JP7144569B2 (ja) 2022-09-29
CN110998457B (zh) 2023-12-08
JPWO2019022090A1 (ja) 2020-02-27
CN110998457A (zh) 2020-04-10
WO2019022090A1 (ja) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6639098B2 (ja) タッチパネル部材、タッチパネル及びタッチパネル表示装置
TW201504761A (zh) 前面遮光層形成用感光性樹脂組合物和顯示裝置
JP7144569B2 (ja) パターン形成方法、積層体、及び、タッチパネル製造方法
TW201922815A (zh) 電路配線的製造方法、觸控面板的製造方法及附圖案基材的製造方法
KR102521385B1 (ko) 전사 필름, 정전 용량형 입력 장치의 전극 보호막, 적층체 및 정전 용량형 입력 장치
CN109154773B (zh) 感光性树脂组合物、转印膜、装饰图案及触摸面板
JP7213981B2 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法およびタッチパネルの製造方法
WO2021176811A1 (ja) 感光性転写材料、及び回路配線の製造方法
JP7407272B2 (ja) 感光性材料、転写フィルム、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法、パターン形成方法
WO2021199542A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、及び回路配線の製造方法
WO2020195345A1 (ja) 転写フィルム、及び、パターン付き基板の製造方法
WO2023032656A1 (ja) 感光性組成物、転写フィルム、パターン形成方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法
WO2022196537A1 (ja) 積層体及びその製造方法
WO2023033065A1 (ja) 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、パターン形成方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法
JP7360476B2 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法
WO2021125168A1 (ja) 感光性転写材料及びその製造方法、パターン付き金属導電性材料の製造方法、膜、タッチパネル、劣化抑制方法、並びに、積層体
WO2022209307A1 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
WO2021161965A1 (ja) 感光性フィルム、及び感光性フィルムの製造方法
WO2022044831A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
WO2022181415A1 (ja) 転写フィルム、パターン形成方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法
WO2024048317A1 (ja) 感光性組成物、転写フィルム、積層体の製造方法、積層体、半導体パッケージ
WO2022065049A1 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法、回路配線の製造方法
WO2021187549A1 (ja) 転写フィルム、感光性材料、パターン形成方法、回路基板の製造方法、タッチパネルの製造方法
WO2021187279A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び感光性転写材料用仮支持体
JP2023031733A (ja) 感光性組成物、パターン形成方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法、転写フィルム