CN110998457A - 图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法 - Google Patents

图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110998457A
CN110998457A CN201880049818.9A CN201880049818A CN110998457A CN 110998457 A CN110998457 A CN 110998457A CN 201880049818 A CN201880049818 A CN 201880049818A CN 110998457 A CN110998457 A CN 110998457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photosensitive resin
exposure
resin layer
layer
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880049818.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110998457B (zh
Inventor
汉那慎一
有富隆志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN110998457A publication Critical patent/CN110998457A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110998457B publication Critical patent/CN110998457B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0957—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer with sensitive layers on both sides of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2032—Simultaneous exposure of the front side and the backside
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)

Abstract

本发明提供一种图案形成方法、层叠体或触摸面板制造方法，所述图案形成方法依次具有：准备在两面具有对于曝光波长为透明的被蚀刻层的、对于曝光波长为透明的基材的工序；在上述基材的两面的上述被蚀刻层上分别形成对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层的工序；对上述感光性树脂层进行图案曝光的工序；通过对上述感光性树脂层进行显影而在两面形成抗蚀剂图案的工序；去除未被上述抗蚀剂图案被覆的部分的上述被蚀刻层的工序；及剥离上述抗蚀剂图案的工序。

Description

图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法
技术领域
本发明涉及一种图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法。
背景技术
以往，已知有通过光刻法对基材上的被蚀刻层进行图案加工的图案形成方法。
在此，近年来，有时将形成于基材的两面上的被蚀刻层作为各自独立的图案而进行图案加工。
例如，在触摸面板的领域中，为了制造触摸传感器用配线，有时进行如下加工：在基材的其中一面上对X轴方向的位置检测用电极进行图案加工，且在基材的另一面上对Y轴方向的位置检测用电极进行图案加工等。
作为在基材的两面形成不同形状的图案的方法，已知有专利文献1～专利文献3中所记载的方法。
在专利文献1中记载有：“一种触摸传感器的形成方法，其具备：在具有UV截止性能的基材膜的两面形成遮光性金属层，在上述遮光性金属层上分别形成第1感光性树脂层的工序；对上述遮光性金属层上的上述第1感光性树脂层，在两面隔着不同的图案掩膜，照射UV光的曝光工序；通过对所曝光的上述第1感光性树脂层进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过去除未被上述抗蚀剂图案被覆的部分的上述遮光性金属层来形成引绕电路图案的蚀刻工序；至少在连接部剥离去除覆盖上述引绕电路图案的上述第1感光性树脂层的工序；将感光性导电膜层叠于上述基材膜的形成有上述引绕电路图案的两面，以使上述第2感光性树脂层密合的工序，所述感光性导电膜具备支承膜、设置于上述支承膜上且含有导电性纤维的导电层及设置于上述导电层上的第2感光性树脂层；在两面隔着不同的图案掩膜，对层叠于上述基材膜的两面的上述感光性导电膜的上述第2感光性树脂层，照射UV光的曝光工序；及通过对所曝光的上述第2感光性树脂层进行显影，一并去除层叠于上述第2感光性树脂层的被去除的部分的上述导电层，而形成与上述引绕电路图案电连接的电极图案的显影工序。”。
在专利文献2中记载有：“一种触摸面板传感器的制造方法，其特征在于，具备：准备层叠体的工序，所述层叠体具有透明的基材膜、设置于上述基材膜的其中一侧的面上的第1透明导电层、设置于上述基材膜的另一侧的面上的第2透明导电层、以及设置于上述第1透明导电层上且具有遮光性及导电性的被覆导电层；通过曝光及显影处理在上述被覆导电层上形成具有规定图案的第1感光层，并且通过曝光及显影处理在上述第2透明导电层上形成具有与上述第1感光层不同的图案的第2感光层的工序；将上述第1感光层作为掩膜而蚀刻上述被覆导电层，并对上述被覆导电层进行图案化的工序；将上述第1感光层及上述被覆导电层作为掩膜而蚀刻上述第1透明导电层，并且将上述第2感光层作为掩膜而蚀刻上述第2透明导电层，并对上述第1透明导电层及上述第2透明导电层进行图案化的工序；通过曝光及显影处理形成仅配置于上述被覆导电层的一部分上的第3感光层的工序；将上述第3感光层作为掩膜而蚀刻上述被覆导电层，去除被覆导电层中除上述一部分以外的被覆导电层，由此形成与被图案化的上述第1透明导电层电连接的第1提取导电体的工序；及在上述基材膜的另一侧的面上形成与被图案化的上述第2透明导电层电连接的第2提取导电体的工序，上述第2提取导电体通过网版印刷法而形成。”。
在专利文献3中记载有：“一种透明基材两面上的图案形成方法，其特征在于，在设置于透明基材的表面和背面这两面的透明金属膜的图案形成中，在上述透明金属膜的至少一个透明金属膜上形成遮蔽曝光光的不透明层，在上述透明基材的表面和背面这两面涂布光致抗试剂而形成光致抗试膜。”。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-224735号公报
专利文献2：日本特开2011-197754号公报
专利文献3：日本特开2011-154080号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在专利文献1及2中所记载的方法中，在两面具有被蚀刻层的基材的两面上，形成使用了感光性树脂层的蚀刻抗蚀剂，从而在两面分别形成有图案。
在专利文献1或2中所记载的方法中，由于在被蚀刻层中包含遮光性的金属层，因此来自基材的一面的图案曝光光不会到达与其相反的一侧的感光性树脂层，因此认为能够在两面分别形成独立的图案。
但是，在触摸面板显示装置等领域中，就显示图像的画质等观点而言，有时要求形成配置于两面上的透明的被蚀刻层的图案。
本发明人等发现了，在基材及被蚀刻层为透明的情况下，若通过专利文献1或2中所记载的方法形成图案，则通过用于在其中一面形成蚀刻抗蚀剂的相对于其中一面的曝光光，另一面的感光性树脂层也被曝光，由此存在难以在其中一面和另一面形成独立的图案的问题。
本发明中，这种相对于其中一面的曝光光也对另一面的感光性树脂层进行曝光的现象也称为在另一面产生曝光雾。
通过抑制上述曝光雾，能够对其中一面和另一面上的感光性树脂层进行基于各自不同的曝光图案的曝光，能够在其中一面和另一面形成独立且不同的抗蚀剂图案。其结果，能够在其中一面和另一面形成独立且不同的被蚀刻层的图案。
并且，在专利文献3中，在基材的至少一面形成遮蔽曝光光的不透明层，之后形成蚀刻抗蚀剂，进行被蚀刻层的图案形成。
本发明人等发现了，在专利文献3中所记载的方法中，由于需要另外形成不透明层的工序，因此存在图案形成方法中的工序数量增加且生产率下降的问题。
本发明所涉及的实施方式所要解决的课题为提供一种图案形成方法或触摸面板制造方法，该图案形成方法中，所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
并且，本发明所涉及的另一实施方式所要解决的课题为提供一种层叠体，所述层叠体的所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
用于解决技术课题的手段
用于解决课题的具体方式中包含以下方式。
＜1＞一种图案形成方法，其依次具有：准备在两面具有对于曝光波长为透明的被蚀刻层的、对于曝光波长为透明的基材的工序；在上述基材的两面的上述被蚀刻层上分别形成对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层的工序；对上述感光性树脂层进行图案曝光的工序；通过对上述感光性树脂层进行显影而在两面形成抗蚀剂图案的工序；去除未被上述抗蚀剂图案被覆的部分的上述被蚀刻层的工序；及剥离上述抗蚀剂图案的工序。
＜2＞如上述＜1＞所述的图案形成方法，其中，上述曝光工序中的曝光量为10(n -0.5)mJ/cm2以上且10(n+1.5)mJ/cm2以下。
n：上述感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度
＜3＞如上述＜1＞所述的图案形成方法，其中，上述曝光工序中的曝光量为10nmJ/cm2以上且10(n+1.0)mJ/cm2以下。
n：上述感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度
＜4＞如上述＜1＞～＜3＞中任一项所述的图案形成方法，其中，上述感光性树脂层的膜厚为8.0μm以下。
＜5＞如上述＜1＞～＜4＞中任一项所述的图案形成方法，其中，上述曝光工序中的曝光光在波长365nm处具有极大波长。
＜6＞如上述＜1＞～＜5＞中任一项所述的图案形成方法，其中，形成上述感光性树脂层的工序为将转印膜层叠于上述被蚀刻层的工序，所述转印膜具有临时支承体及在上述临时支承体上的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层。
＜7＞如上述＜6＞所述的图案形成方法，其中，上述层叠工序中的被层叠的转印膜整体的光密度为0.50以上且2.50以下。
＜8＞如上述＜1＞～＜7＞中任一项所述的图案形成方法，其中，形成上述感光性树脂层的工序中的所形成的上述感光性树脂层的光密度为1.00以上且2.00以下。
＜9＞如上述＜1＞～＜8＞中任一项所述的图案形成方法，其中，在上述曝光的工序中，同时对两面的上述感光性树脂层进行曝光。
＜10＞如上述＜1＞～＜9＞中任一项所述的图案形成方法，其中，上述被蚀刻层为导电层。
＜11＞如上述＜1＞～＜10＞中任一项所述的图案形成方法，其中，上述感光性树脂层包含聚合性化合物及聚合引发剂。
＜12＞如上述＜1＞～＜11＞中任一项所述的图案形成方法，其中，上述感光性树脂层包含紫外线吸收材料。
＜13＞如上述＜12＞所述的图案形成方法，其中，上述紫外线吸收材料包含炭黑。
＜14＞一种层叠体，其包含：
对于曝光波长为透明的基材；
分别配置于上述基材的两面的、对于曝光波长为透明的2个被蚀刻层；及
分别配置于上述2个被蚀刻层上的、对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的2个感光性树脂层。
＜15＞一种触摸面板的制造方法，其包含上述＜1＞～＜13＞所涉及的图案形成方法。
发明效果
根据本发明所涉及的实施方式，能够提供一种图案形成方法或触摸面板制造方法，所述图案形成方法中，所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
并且，根据本发明的另一实施方式，能够提供一种层叠体，所述层叠体的所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
附图说明
图1是表示本发明中所使用的转印膜的一例的示意图。
图2是表示本发明所涉及的层叠体的一例的示意图。
具体实施方式
本发明中，使用“～”表示的数值范围是指将记载于“～”的前后的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
本发明中，关于感光性树脂层等层中的各成分的量，在层中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要无特别说明，则是指存在于层中的上述多种物质的总量。
本发明中，“工序”这一术语不仅是指独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要可达成工序的所期望的目的，则也包含在本术语中。
本发明中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸中的至少一个，“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一个。
本发明中，关于聚合物中的结构单元的比例，只要无特别说明，则为摩尔比。
(图案形成方法)
本发明所涉及的图案形成方法依次具有：准备在两面具有对于曝光波长为透明的被蚀刻层的、对于曝光波长为透明的基材的工序；在上述基材的两面的上述被蚀刻层上分别形成对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层的工序(形成感光性树脂层的工序)；对上述感光性树脂层进行图案曝光的工序；通过对上述感光性树脂层进行显影而在两面形成抗蚀剂图案的工序；去除未被上述抗蚀剂图案被覆的部分的上述被蚀刻层的工序；及剥离上述抗蚀剂图案的工序。
根据本发明所涉及的图案形成方法，所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
虽然详细的机制不明确，但如下推测。
认为感光性树脂层本身的对于曝光波长而言的光密度为0.50以上，由此可抑制相对于其中一面的曝光光对存在于另一面的感光性树脂层进行曝光，可抑制另一面的曝光雾。
并且，认为感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度为2.50以下，由此在被曝光的面中，曝光光到达至感光性树脂层的深部，从而所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异。
而且，根据本发明所涉及的图案形成方法，通过将感光性树脂层本身的光密度设为特定的值，能够抑制另一面的曝光雾，因此认为即使在不包含另外形成如专利文献3中所记载的不透明层的工序的情况下，也可抑制曝光雾。
即，认为可提供生产率也优异的图案形成方法。
以下，对本发明所涉及的图案形成方法中的各工序的详细内容进行说明。
＜准备的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含准备在两面具有对于曝光波长为透明的被蚀刻层的、对于曝光波长为透明的基材的工序。
准备基材的工序可以为使用以在两面具有被蚀刻层的基材的状态下获得的基材的工序，也可以为在基材上形成被蚀刻层而制造的工序。
〔基材〕
作为基材，并无特别限定，可使用至少具有2个面的基材，优选薄膜状或薄片状等扁平状基材。
并且，作为基材，可使用对于曝光波长为透明的基材。
对于曝光波长为透明的基材是指曝光波长下的透射率为50％以上的基材，优选60％以上的基材，更优选80％以上的基材。
上述透射率的上限并无特别限定，为100％以下即可。
上述曝光波长下的透射率可通过市售的透射率测量仪(例如，JASCO Corporation制造的V-700series)来测量。
并且，本发明中，曝光波长是指在曝光光中所包含的光中强度最大的波长。
作为基材的材质，并无特别限定，例如能够使用利用了树脂材料或玻璃、石英等无机材料的基材等，所述树脂材料使用了聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯系树脂或聚醚醚酮、丙烯酸系树脂、环聚烯烃系树脂、聚碳酸酯系树脂等。
本发明中所使用的基材优选为包含上述树脂材料的基材，更优选为树脂膜。
在被蚀刻层为后述具有导电性的层的情况下，优选基材为具有绝缘性的基材。
本发明中，导电性是指具有导电性的层的表面电阻值优选为0.1Ω/□～1000Ω/□。绝缘性是指表面电阻值小于0.1Ω/□。
上述体积电阻率可通过市售的电阻率测量仪(例如，Mitsubishi ChemicalAnalytech Co.,Ltd.制造的LORESTA GX MCP-T700)来测量。
并且，在基材用于触摸面板中的触摸传感器的制造的情况下，作为基材的厚度，优选为10μm～300μm，更优选为30μm～150μm。
-被蚀刻层-
本发明中的基材在两面具有被蚀刻层。
作为被蚀刻层，优选具有导电性。被蚀刻层具有导电性还称为被蚀刻层是导电层。
即，本发明所涉及的图案形成方法优选为导电性图案形成方法，更优选为导电性配线图案的形成方法。
并且，上述导电性图案形成方法优选为触摸面板传感器用图案形成方法。
关于被蚀刻层，并无特别限定，就具有导电性的观点而言，能够包含In2O3、SnO2、ITO(Indium Tin Oxide)等金属氧化物，也可以包含锌氧化物(ZnO)、铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)、铝锌氧化物(AZO)等。
并且，作为被蚀刻层，还能够适当地使用触摸面板领域中公知的金属网、金属奈米线层。作为金属，可举出银、铜等。
关于被蚀刻层，并无特别限定，能够通过公知的方法来制造，例如能够通过PVD(物理气相沉积法)、CVD(化学气相沉积法)、涂布等而形成于基材上。
2个被蚀刻层的材质可以不同，也可以相同，但就优选在两面一次性进行后述的去除被蚀刻层的工序的观点而言，优选为2个被蚀刻层的材质相同。
并且，作为被蚀刻层，可使用对于曝光波长为透明的被蚀刻层。
对于曝光波长为透明的被蚀刻层，是指曝光波长下的透射率为50％以上的被蚀刻层，优选60％以上的被蚀刻层，更优选80％以上的被蚀刻层。
上述透射率的上限并无特别限定，为100％以下即可。
上述曝光波长下的透射率可通过与基材相同的方法来测量。
并且，作为被蚀刻层的厚度，并无特别限定，优选为5nm～1000nm，更优选为10nm～300nm。
＜形成感光性树脂层的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含在上述基材的两面的上述被蚀刻层上分别形成对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层的工序。
形成于2个被蚀刻层上的2个感光性树脂层可以为相同的组成，也可以为不同的组成，但就同时进行后述显影的观点而言，优选为相同的组成。
〔感光性树脂层〕
本发明中的感光性树脂层可以为显影中的去除性因曝光而下降的、所谓的负型感光性树脂层，也可以为显影中的去除性因曝光而增加的、所谓的正型感光性树脂层，但优选为负型感光性树脂层。
-光密度(OD值)-
关于本发明中的感光性树脂层，对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下。
并且，就获得图案形状优异的抗蚀剂图案的观点而言，上述光密度优选为2.30以下，更优选为2.00以下。
在感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，只要光密度在上述范围内，则可抑制抗蚀剂图案中的所谓的底切的发生。
就抑制曝光雾的观点及抗蚀剂图案的剥离性的观点而言，上述光密度优选0.70以上，更优选1.00以上。
本发明中，上述光密度可使用分光光度计(V-7000，JASCO Corporation制造)来测量。
-厚度-
就抑制底切的观点而言，本发明中的感光性树脂层的厚度优选为15.0μm以下，更优选为8.0μm以下。并且，就防止曝光雾的观点而言，优选为1.0μm以上，更优选为2.0μm以上。
-感光性树脂层的组成-
本发明中的感光性树脂层优选包含聚合性化合物及聚合引发剂。
并且，就容易将光密度调节在上述范围内的观点而言，本发明中的感光性树脂层优选包含紫外线吸收材料。
以下，对本发明中的感光性树脂层中所包含的各成分的详细内容进行说明，但本发明中，并不限定于以下所示的各成分，例如能够无特别限定地使用对在触摸面板的制造中所使用的公知的感光性树脂层添加后述的紫外线吸收材料而将光密度调节在上述范围内的感光性树脂层。
《聚合性化合物》
作为聚合性化合物，并无特别限定，优选自由基聚合性化合物，优选烯属不饱和化合物。
作为烯属不饱和化合物，可以为单官能，也可以为多官能，但就获得图案形状优异的抗蚀剂图案的观点而言，优选2官能以上的烯属不饱和化合物。
并且，作为烯属不饱和化合物，优选(甲基)丙烯酸酯化合物，更优选2官能以上的(甲基)丙烯酸酯化合物。
作为聚合性化合物，例如能够举出聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯及苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯等单官能丙烯酸酯或单官能甲基丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基乙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(丙烯酰氧基丙基)醚、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)氰脲酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯；将环氧乙烷和环氧丙烷加成到三羟甲基丙烷、甘油等多官能醇之后进行(甲基)丙烯酸酯化而成者等多官能丙烯酸酯、多官能甲基丙烯酸酯。
并且，还能够优选使用氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物等氨基甲酸酯系单体。
还可举出日本特公昭48-041708号公报、日本特公昭50-006034号公报及日本特开昭51-037193号公报中所记载的聚氨酯丙烯酸酯类；日本特开昭48-064183号公报、日本特公昭49-043191号公报及日本特公昭52-030490号公报中所记载的聚酯丙烯酸酯类；作为环氧树脂与(甲基)丙烯酸的反应产物的环氧丙烯酸酯类等多官能丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
聚合性化合物可以使用市售的市售品。作为市售品，例如可优选举出三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，2官能，分子量304)、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，2官能、分子量332)、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，2官能，分子量268)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(A-HD-N，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，2官能，分子量226)、9，9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴(A-BPEF，Shin-NakamuraChemical Co.,Ltd.制造，2官能，分子量546)、聚氨酯丙烯酸酯(UA-160TM，Shin-NakamuraChemical Co.,Ltd.制造，2官能，分子量1600)、1,6-己二醇二丙烯酸酯(V#230，OsakaOrganic Chemical Industry Co.,Ltd.制造，2官能，分子量226)、1,3-金刚烷基二丙烯酸酯(ADDA，Mitsubishi Gas Chemical Company,Inc.制造，2官能，分子量276)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(A-TMPT，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，3官能，分子量296)、三羟甲基丙烷环氧乙烷(EO)改性(n≈1)三丙烯酸酯(M-350，TOAGOSEI CO.,LTD.制造，3官能)、季戊四醇四丙烯酸酯(A-TMMT，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，4官能，分子量352)、二季戊四醇六丙烯酸酯(A-DPH，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，6官能，分子量578)、季戊四醇三丙烯酸酯六亚甲基二异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物(UA-306H，KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD.制造，6官能)、季戊四醇三丙烯酸酯甲苯二异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物(UA306T，KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD.制造，6官能)、二季戊四醇六丙烯酸酯(KAYARAD DPHA，Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造，6官能，分子量579)、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(UA-32P，Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，9官能)、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(8UX-015A，TAISEI FINE CHEMICAL CO,.LTD.制造，15官能)等。
聚合性化合物的分子量优选为3000以下，更优选为2000以下，进一步优选为1000以下，尤其优选为500以下。
分子量的下限并无特别限定，但优选为100以上。
关于聚合性化合物的分子量，能够通过质谱分析(例如，液相色谱(LC/MS)分析、气相色谱(GC/MS)分析、高速原子碰撞色谱(FAB/MS)分析等)来鉴定分子结构，并由分子式求出。
相对于感光性树脂层的总固体成分量，感光性树脂层中所包含的聚合性化合物的含量优选5质量％～70质量％，更优选10质量％～40质量％，进一步优选10质量％～30质量％。
本发明中，感光性树脂层的总固体成分量是指从感光性树脂层中去除了溶剂等挥发性成分的质量。
聚合性化合物可以单独使用1种，也可以组合2种以上来使用。其中，就图案形成时的灵敏度更提高的观点而言，优选组合2种以上的聚合性化合物来使用。并且，就抑制残留及膜强度的观点而言，优选同时使用2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物。
在同时使用2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物的情况下，2官能的聚合性化合物的质量与聚合性化合物的总质量(2官能的聚合性化合物和除2官能以外的聚合性化合物的总量)的比率(2官能的聚合性化合物/聚合性化合物总质量)优选为50质量％以上。
若(2官能的聚合性化合物/聚合性化合物总质量)为50质量％以上，则在抑制由弱碱性显影液(例如，碳酸钠水溶液)引起的显影残留及膜强度的方面上是有利的。
《聚合引发剂》
感光性树脂层优选含有至少1种聚合引发剂。
作为聚合引发剂，可举出日本特开2011-095716号公报的0031段～0042段中所记载的聚合引发剂、日本特开2015-014783号公报的0064段～0081段中所记载的肟系聚合引发剂。
聚合引发剂能够使用市售的市售品。作为市售品，例如可优选举出1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(邻苯甲酰肟)](商品名称：IRGACURE OXE-01，BASF公司)、乙烷-1-酮，[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-1-(邻乙酰肟)(商品名称：IRGACURE OXE-02，BASF公司)、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(商品名称：IRGACURE 379EG，BASF公司)、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 907，BASF公司)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 127，BASF公司)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁酮-1(商品名称：IRGACURE 369，BASF公司)、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE 1173，BASF公司)、1-羟基-环己基-苯基-酮(商品名称：IRGACURE 184，BASF公司)、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(商品名称：IRGACURE651，BASF公司)、肟酯系聚合引发剂的商品名称：Lunar 6(DKSH Management Ltd.)、2,4-二乙基噻吨酮(商品名称：Kayacure DETX-S，Nippon Kayaku Co.,Ltd.)、作为芴肟系聚合引发剂的DFI-091、DFI-020(均为DAITO CHEMIX Co.,Ltd.)等。
其中，就提高灵敏度的观点而言，优选α-氨基烷基苯甲酮系化合物、α-羟基烷基苯甲酮系化合物、肟酯系化合物等肟系聚合引发剂，更优选包含肟系聚合引发剂。
本发明中的感光性树脂层可以单独含有1种、也可以含有2种以上聚合引发剂。
相对于感光性树脂层的总固体成分量，感光性树脂层中所包含的聚合引发剂的含量优选0.01质量％～5质量％，更优选0.05质量％～3质量％。
就可更抑制显影残留，且可有效地抑制聚合引发剂从感光性树脂层的析出的观点而言，感光性树脂层中的聚合引发剂的含有质量与上述聚合性化合物的含有质量之比(聚合引发剂/聚合性化合物)优选为0.05～0.60，更优选为0.05～0.50，进一步优选为0.07～0.30。
《紫外线吸收材料》
就将感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度调节在上述范围内的观点而言，本发明中的感光性树脂层优选包含紫外线吸收材料。
作为紫外线吸收材料，可举出二苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、苯甲酸酯化合物、水杨酸酯化合物、三嗪化合物、氰基丙烯酸酯化合物等紫外线吸收材料。具体而言，例如作为苯并三唑化合物，可举出2-(2H-苯并三唑-2-基)-对甲酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2-[5-氯(2H)-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(叔丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-基)-4,6-二-叔戊基苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚等或它们的混合物、改性物、聚合物、衍生物等。并且，例如作为三嗪化合物，可举出2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2-[4-[(2-羟基-3-十二烷氧基丙基)氧基]-2-羟基苯基]-4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪、2-[4-[(2-羟基-3-十三烷氧基丙基)氧基]-2-羟基苯基]-4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪、2,4-双(2,4-二甲基苯基)-6-(2-羟基-4-异辛氧基苯基)-s-三嗪等或它们的混合物、改性物、聚合物、衍生物等。它们可以单独使用，并且，也可以混合多种来使用。
并且，本发明所涉及的感光性树脂层优选含有炭黑作为紫外线吸收材料。作为炭黑，只要将光密度设在上述范围内，则能够无特别限制地使用公知的炭黑，也可以使用市售品。
本发明所涉及的感光性树脂层可以单独含有1种、也可以含有2种以上紫外线吸收材料。
关于紫外线吸收材料的含量，并无特别限定，作为使感光性树脂层的光密度成为所期望的值的量，适当设定即可。
《碱可溶性树脂》
本发明所涉及的感光性树脂层优选含有碱可溶性树脂。
作为“碱可溶性树脂”，只要为溶解或分散于后述形成抗蚀剂图案的工序中所使用的显影液的树脂，则能够无特别限制地使用。
作为碱可溶性树脂，作为粘合剂的具体的例子，可举出(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸的无规共聚物、苯乙烯/(甲基)丙烯酸的无规共聚物、(甲基)丙烯酸己酯/(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸甲酯的共聚物、(甲基)丙烯酸己酯/(甲基)丙烯酸甲酯/(甲基)丙烯酸的共聚物的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯加成物、(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸的共聚物的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯加成物、(甲基)丙烯酸烯丙酯/(甲基)丙烯酸的共聚物、(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸羟乙酯的共聚物等。
此外，作为碱可溶性树脂，例如能够使用日本特开2011-095716号公报的0025段、日本特开2010-237589号公报的0033段～0052段中所记载的树脂。
作为碱可溶性树脂的重均分子量，优选8000～100,000。
本发明中，重均分子量通过凝胶渗透色谱仪(GPC)来测量。校准曲线由TosohCorporation制造的“标准试样TSK standard，聚苯乙烯(polystyrene)”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”、“A-1000”、“正丙苯”这8个样品制作。
＜条件＞
·GPC：HLC(注册商标)-8020GPC(Tosoh Corporation制造)
·管柱：3个TSKgel(注册商标)，Super MultiporeHZ-H(Tosoh Corporation制造，4.6mmID×15cm)
·洗脱液：THF(四氢呋喃)
·试样浓度：0.45质量％
·流速：0.35mL/min
·样品注入量：10μL
·测量温度：40℃
·检测器：差示折射计(RI)
本发明中的感光性树脂层可以单独含有1种、也可以含有2种以上碱可溶性树脂。
相对于感光性树脂层的总固体成分量，碱可溶性树脂的含量优选10质量％～70质量％，更优选15质量％～60质量％，进一步优选20质量％～50质量％。
《其他成分》
本发明中的感光性树脂层可以含有敏化剂、表面活性剂等来作为其他成分。
-敏化剂-
作为敏化剂，例如可举出公知的敏化色素、染料、或颜料、硫醇化合物、氨基酸化合物等。敏化剂可以为单独1种，或也可以为2种以上。
作为敏化色素，例如可举出二烷基氨基二苯甲酮化合物、吡唑啉化合物、蒽化合物、香豆素化合物、呫吨酮化合物、噻吨酮化合物、噁唑化合物、苯并噁唑化合物、噻唑化合物、苯并噻唑化合物、三唑化合物(例如，1,2,4-三唑)、芪化合物、三嗪化合物、噻吩化合物、萘二甲酰亚胺化合物、三芳基胺化合物及氨基吖啶化合物。
作为染料或颜料，例如可举出品红、酞青绿、金胺碱、烃硫基金属绿S，副品红、结晶紫、甲基橙、尼罗蓝2B、维多利亚蓝、孔雀绿(Hodogaya Chemical Co.,Ltd.制造，aizen(注册商标)MALACHITE GREEN)、碱性蓝20、钻石绿(Hodogaya Chemical Co.,Ltd.制造，aizen(注册商标)DIAMOND GREEN GH)等。
作为染料，能够使用显色系染料。显色系染料是指具有通过光照射来显色的功能的化合物。例如可举出无色染料及荧烷染料。其中，优选无色染料。具体而言，例如可举出三(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)甲烷[无色结晶紫]、三(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)甲烷[无色孔雀绿]等。
无色染料优选与卤素化合物组合使用。作为该卤素化合物，例如可举出溴戊烷、溴异戊烷、溴化异丁烯、溴化乙烯、二苯溴甲烷、溴化亚苄基、二溴甲烷、三溴甲基苯基砜、四溴化碳、三(2,3-二溴丙基)磷酸酯、三氯乙酰胺、碘戊烷、碘异丁烷、1,1,1-三氯-2,2-双(对氯苯)乙烷、六氯乙烷、卤代三嗪化合物等。作为卤代三嗪化合物，例如可举出2,4,6-三(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)-s-三嗪。其中，三溴甲基苯基砜、三嗪化合物等是有用的。
并且，作为敏化剂的另一例，可优选举出硫醇化合物。硫醇化合物具有进一步提高光聚合引发剂相对于光源的灵敏度、抑制氧对聚合性化合物的聚合阻碍等作用。
作为硫醇化合物，例如可举出乙二醇双硫代丙酸酯(EGTP)、丁二醇双硫代丙酸酯(BDTP)、三羟甲基丙烷三硫代丙酸酯(TMTP)、季戊四醇四硫代丙酸酯(PETP)等多官能硫醇化合物、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基-4(3H)-喹唑啉、β-巯基萘、N-苯基-巯基苯并咪唑等单官能硫醇化合物。
敏化剂可以为市售品，例如可举出多官能硫醇(商品名称：Karenz MT(注册商标)BD1 SHOWA DENKO K.K.制造)。
并且，作为敏化剂的又一例，可举出氨基酸化合物(例如，N-苯甘氨酸等)、日本特公昭48-042965号公报中所记载的有机金属化合物(例如，三丁基锡乙酸酯等)、日本特公昭55-034414号公报中所记载的供氢体、日本特开平6-308727号公报中所记载的硫化合物(例如，三噻等)等。
相对于感光性树脂层的总质量，敏化剂的含量优选0.01质量％～5质量％，更优选0.05质量％～1质量％。
-表面活性剂-
本发明中的感光性树脂层可以包含表面活性剂。
作为表面活性剂，例如可举出硅酮系表面活性剂、或氟系表面活性剂。
作为硅酮系表面活性剂，可举出具有硅氧烷键的表面活性剂。具体而言，例如可举出Toray Silicone DC3PA、Toray Silicone SH7PA、Toray Silicone DC11PA、ToraySilicone SH21PA、Toray Silicone SH28PA、Toray Silicone 29SHPA、Toray SiliconeSH30PA、聚醚改性硅油SH8400(商品名称：Toray Silicone Co.,Ltd.制造)、KP321、KP322、KP323、KP324、KP326、KP340、KP341、KF6001、KF6002、KF6003、X22-160AS(Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造)、TSF400、TSF401、TSF410、TSF4300、TSF4440、TSF4445、TSF-4446、TSF4452、TSF4460(GE Toshiba Silicones Co.,Ltd.制造)等。
并且，作为氟系表面活性剂，可举出具有氟碳链的表面活性剂。具体而言，均为商品名称，例如可举出Fluorinert FC430、Fluorinert FC431(以上，Sumitomo 3M Limited制造)；MEGAFACE F142D、MEGAFACE F171、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F177、MEGAFACE F780F、MEGAFACE F781F、MEGAFACE F479、MEGAFACE F482、MEGAFACE F551A、MEGAFACE F553、MEGAFACE F554、MEGAFACE F486、MEGAFACE F478、MEGAFACE F480、MEGAFACE F484、MEGAFACE F470、MEGAFACE F471、MEGAFACE F483、MEGAFACE F489、MEGAFACE F487、MEGAFACE F444、MEGAFACE F183、MEGAFACE R30(以上，DIC CORPORATION制造)；EF TOP EF301、EF TOP EF303、EF TOP EF351、EF TOP EF352(以上，Shin-Akita KaseiCo.Ltd.制造)；Surflon S381、Surflon S382、Surflon SC101、Surflon SC105(以上，ASAHIGLASS CO.,LTD.制造)；E5844(DAIKIN INDUSTRIES,LTD.,制造)；BM-1000、BM-1100(BMChemie公司制造)等。
还可举出包含具有硅氧烷键及氟碳链的氟原子的硅酮系表面活性剂。具体而言，均为商品名称，例如可举出MEGAFACE R08、MEGAFACE BL20、MEGAFACEF475、MEGAFACE F477、MEGAFACE F443(以上，DIC CORPORATION制造)等。
这些其他表面活性剂可以为单独1种，或也可以为2种以上。
〔感光性树脂层的形成方法〕
作为本发明中的感光性树脂层的形成方法，并无特别限定，可举出使用转印膜的方法、将上述感光性树脂层中所包含的各成分溶解于溶剂中，以制备感光性树脂组合物并在上述被蚀刻层上进行涂布、干燥的方法等，但优选使用转印膜的方法。
使用转印膜的情况下，形成感光性树脂层的工序优选为将转印膜层叠于上述被蚀刻层的工序，所述转印膜具有临时支承体及在上述临时支承体上的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层。
以下，对转印膜的详细内容进行说明。
-转印膜-
本发明中所使用的转印膜优选具有临时支承体及感光性树脂层。
图1是表示本发明的一实施方式的转印膜的结构的一例的示意剖视图。
图1中所示的转印膜10依次具有临时支承体12、感光性树脂层14及保护膜(保护剥离层)16。图1中，示出临时支承体12、感光性树脂层14及保护膜16彼此相邻而层叠的方式，但本发明并不限定于此，如后述，能够采用如下方式：在临时支承体12与感光性树脂层14之间，还可以具有功能层(未图示)，在感光性树脂层14与任意设置的功能层之间，还具有热塑性树脂层(未图示)。
在转印膜具有功能层、热塑性树脂层等的情况下，形成本发明中的感光性树脂层的工序中，除形成感光性树脂层以外，还可形成功能层、热塑性树脂层等。
《转印膜中的感光性树脂层》
本发明中所使用的转印膜中的感光性树脂层为与上述的本发明中的形成于被蚀刻层上的感光性树脂层相同的层，优选方式也相同。
这是因为，通过将本发明中所使用的转印膜中的感光性树脂层层叠于被蚀刻层上来形成感光性树脂层。
《临时支承体》
转印膜具有临时支承体。
形成临时支承体时，能够使用具有挠性的材料。
作为能够用于转印膜的临时支承体的例子，可举出环烯烃共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、三乙酸纤维素膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜等树脂膜，其中，就处理性的观点而言，尤其优选PET膜。临时支承体可以具有作为基材的树脂膜和被覆层的层叠结构。
临时支承体可以为透明，也可以含有氧化硅、氧化铝溶胶、铬盐、锆盐等而被着色。
对于临时支承体，能够通过日本特开2005-221726号公报中所记载的方法等来赋予导电性，赋予了导电性的临时支承体也可适当地用于本实施方式的转印膜中。
《保护膜》
关于转印膜，为了避免保管时因垃圾等杂质引起的污染或损伤，优选在已述的感光性树脂层的表面进一步设置保护膜(覆盖膜)等。保护膜能够使用能够容易地从感光性树脂层剥离的保护膜，能够从与临时支承体相同或类似的材料的膜中适当地选择。作为保护膜，例如可优选使用聚烯膜(例如，聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜等)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、硅纸、聚四氟乙烯膜等。
并且，能够适当地使用日本特开2006-259138号公报的〔0083〕段～〔0087〕段及〔0093〕段中所记载的保护膜。
《功能层》
转印膜优选在临时支承体与感光性树脂层之间具有功能层。作为功能层，例如可举出日本专利4502784号公报的〔0027〕段中所记载的具有阻氧功能的阻氧膜。
作为阻氧膜，优选显示出低透氧性，且分散或溶解于水或碱水溶液中，并且能够从公知的膜中适当地选择。其中，优选聚乙烯醇与聚乙烯吡咯烷酮的组合。
功能层的干燥厚度优选0.2μm～5μm，更优选0.5μm～3μm，进一步优选1μm～2.5μm。
《热塑性树脂层》
关于转印膜，在临时支承体与感光性树脂层之间，还可以具有日本专利第4502784号公报的〔0026〕段中所记载的热塑性树脂层。
作为热塑性树脂层中所使用的成分，优选日本特开平5-072724号公报中所记载的有机高分子物质。
若转印膜具有热塑性树脂层，则能够对转印膜赋予缓冲性，且与在被转印面具有凹凸的情况等无关地，能够提高转印性。
热塑性树脂层的干燥厚度优选2μm～30μm，更优选5μm～20μm，进一步优选7μm～16μm。
《转印膜的制造方法》
转印膜能够根据日本特开2006-259138号公报的0094段～0098段中所记载的固化性转印材料的制作方法来制作。
即，转印膜的制造方法包含在临时支承体上形成感光性树脂层的工序。而且，在临时支承体上形成上述感光性树脂层之前，还可以包含形成功能层的工序及形成热塑性树脂层的工序中的至少一种工序。
关于转印膜的制造方法，在转印膜具有热塑性树脂层的情况下，在形成上述热塑性树脂层的工序之后，优选包含在热塑性树脂层与感光性树脂层之间形成功能层的工序。
在形成具有功能层的转印膜的情况下，能够通过如下方式来制作：在临时支承体上涂布溶解了热塑性有机高分子和根据需要而同时使用的添加剂而成的溶解液(热塑性树脂层用涂布液)，使其干燥而设置热塑性树脂层之后，在所设置的热塑性树脂层上涂布在不溶解热塑性树脂层的溶剂中添加树脂及添加剂而制备的功能层用涂布液，使其干燥而层叠功能层，在被层叠的功能层上进一步涂布使用不溶解功能层的溶剂而制备的感光性树脂组合物，使其干燥而形成感光性树脂层。
另外，感光性树脂组合物中所包含的成分如上述。
-层叠-
层叠工序中，将转印膜层叠于被蚀刻层上，将感光性树脂层转移到基材上，由此形成感光性树脂层。层叠能够使用真空层叠机、自动切割层叠机等公知的层叠机来进行。
作为层叠的条件，能够适用一般的条件。
作为层叠温度，优选80℃以上且150℃以下，更优选90℃以上且150℃以下，尤其优选100℃以上且150℃以下。
关于层叠温度，例如在使用具备有橡胶辊的层叠机的情况下，是指橡胶辊的温度。
《光密度》
本发明所涉及的图案形成方法中，在包含上述层叠工序的情况下，被层叠的转印膜整体的对于曝光波长而言的光密度优选为0.50以上且2.50以下。
就获得图案形状优异的抗蚀剂图案的观点而言，上述光密度优选为2.30以下，更优选为2.00以下。
在感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，只要光密度在上述范围内，则可抑制抗蚀剂图案中的所谓的底切的发生。
就抑制曝光雾的观点及抗蚀剂图案的剥离性的观点而言，上述光密度优选0.70以上，更优选1.00以上。
被层叠的转印膜整体的光密度为图案曝光的工序中的曝光时存在的转印膜整体的光密度。
例如，在从转印膜剥离保护膜而进行层叠和进行曝光的情况下，作为从转印膜剥离保护膜的光密度，可使用分光光度计(V-7000，JASCO Corporation制造)来测量。
并且，在从转印膜剥离保护膜而进行层叠、剥离临时支承体而进行曝光的情况下，作为从转印膜剥离临时支承体及保护膜的光密度，可通过相同的方法来测量。
＜图案曝光的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含对感光性树脂层进行图案曝光的工序。
图案曝光的工序中，在基材的两面上的2个被蚀刻层上所形成的2个感光性树脂层(也称为两面的感光性树脂层。)分别被曝光。
图案曝光工序中，优选同时对两面的感光性树脂层进行曝光。
在此，“同时进行曝光”是指无需对两面的感光性树脂层同时照射曝光光，只要在一个工序中一次性对两面进行曝光即可。例如可举出使用两面曝光用装置进行两面的曝光、或使用单面曝光用装置连续对其中一面和另一面进行曝光的方式。
根据本发明所涉及的图案形成方法，能够通过不同的曝光图案来对两面的感光性树脂进行曝光。不同的曝光图案是指在从基材的法线方向观察基材的情况下，除在基材的两面完全重叠的曝光图案以外的曝光图案。
例如，即使在用相同的线与空间图案的掩膜对基材的两面进行曝光的情况下，也能够进行如下曝光：在基材的两面上使掩膜的线方向正交而进行曝光的、在基材的两面上使线方向平行并使线的位置偏移而进行曝光的曝光。
作为曝光方法，可举出在曝光光源与感光性树脂层之间配置形成有预先设定的图案的掩膜而进行曝光的方法、或不使用掩膜而通过曝光装置以图案状进行曝光的方法等。
形成本发明中的感光性树脂层的工序为层叠转印膜的工序的情况下，可以不剥离临时支承体而隔着临时支承体进行曝光，也可以剥离临时支承体而曝光到感光性树脂层上，但优选隔着临时支承体进行曝光。
〔曝光光源〕
关于曝光光源，只要能够照射能够使感光性树脂层感光的波长区域的光(例如，365nm、405nm等)，则能够无特别限制地使用公知的光源。
本发明中所使用的曝光光优选包含波长365nm的光。
并且，本发明中所使用的曝光光优选在波长365nm下具有极大波长。
作为曝光光源，可举出超高压汞灯、高压汞灯、金属卤化物灯、紫外线发光二极管(UV-LED)、紫外线激光二极管(UV-LD)等。
〔曝光量〕
在将感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度设为n的情况下，曝光工序中的曝光量优选为10(n-0.5)mJ/cm2以上且10(n+1.5)mJ/cm2以下，更优选为10nmJ/cm2以上且10(n+1.0)mJ/cm2以下。
并且，曝光工序中，优选2个感光性树脂层的曝光量均在上述范围内。
而且，就防止所获得的抗蚀剂图案的图案缺陷(缺口、凸起、粗化等)的观点而言，曝光工序中的曝光量优选10mJ/cm2以上且500mJ/cm2以下，更优选30mJ/cm2以上且300mJ/cm2以下。
在曝光光包含多种波长的光的情况下，曝光量作为在曝光光中所包含的光中曝光强度最大的波长下的曝光光的曝光量而计算。并且，在分成多次进行曝光的情况下，将曝光量设为多次曝光下的曝光量的合计值。
＜形成抗蚀剂图案的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含通过对上述感光性树脂层进行显影而在两面形成抗蚀剂图案的工序。
作为显影方法，并无特别限定，通过公知的方法进行显影即可，例如可举出使用了显影液的显影方法。
作为显影液，并无特别限制，能够使用日本特开平5-072724号公报中所记载的显影液等公知的显影液。
并且，作为显影液，优选使用碱性水溶液。
作为碱性水溶液中能够含有的碱性化合物，例如可举出氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、胆碱(2-羟基乙基三甲基氢氧化铵)等。
作为碱性水溶液的25℃下的pH，优选大于pH7且pH14以下，更优选pH8～pH13，进一步优选pH9～pH12，尤其优选pH10～pH12。
相对于碱性水溶液总量，碱性水溶液中的碱性化合物的含量优选0.1质量％～5质量％，更优选0.1质量％～3质量％。
显影液可以包含公知的有机溶剂。
作为有机溶剂，优选与水混和或溶解于水中，例如能够举出甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单-正丁醚、苄醇、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、ε-己内酯、γ-丁内酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、六甲基磷酰胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己内酰胺及N-甲基吡咯烷酮。
相对于显影液的总质量，有机溶剂的浓度优选0.1质量％～30质量％。
显影液可以包含公知的表面活性剂。相对于显影液的总质量，表面活性剂的浓度优选0.01质量％～10质量％。
显影液的溶液温度优选20℃～40℃。
作为显影的方式，例如可举出旋覆浸没式显影、喷淋显影、喷淋及旋转显影、浸渍显影等方式。
在进行喷淋显影的情况下，通过对图案曝光后的感光性树脂层以喷淋的方式喷吹显影液来去除感光性树脂层的未曝光部。
并且，在显影之后，优选通过一边利用喷淋的方式喷吹清洗剂等一边用刷子等进行擦拭来去除显影残留。
关于显影，优选进行10秒～60秒。
显影工序中，可以对2个感光性树脂层分别单独地进行显影，但就生产率的观点而言，优选一次性对2个感光性树脂层进行显影。
作为一次性对2个感光性树脂层进行显影的方法，并无特别限定，例如可举出在两面以喷淋的方式喷吹显影液的方法、将每一具有2个感光性树脂层的基材浸渍于显影液中的方法等。
尤其优选通过从设置于所运载的基材薄片的两面的多个喷嘴喷吹显影液来将显影液供给至薄片的方法。
＜加热的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法在显影之后还可以包含对抗蚀剂图案进行加热(后烘干)的工序。
上述加热工序中，优选一次性对由2个感光性树脂层形成的2个抗蚀剂图案(两面的抗蚀剂图案)进行加热。
在基板为树脂基板的情况下，后烘干的温度优选100℃～160℃，更优选130℃～160℃。
通过后烘干，抗蚀剂图案的强度得到提高，并且，还能够调节作为被蚀刻层的透明电极图案的电阻值。
＜在抗蚀剂图案形成之后进行曝光的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法在显影工序之后还可以包含对抗蚀剂图案进行曝光(后曝光)的工序。
本发明所涉及的图案形成方法包含后烘干的工序及后曝光的工序这两种的情况下，优选在后曝光的工序之后包含后烘干的工序。
作为后曝光的方法，并无特别限定，例如使用曝光工序中所使用的曝光装置来进行曝光即可。
＜其他工序＞
此外，本发明所涉及的图案形成方法在显影工序之后还可以包含例如清洗抗蚀剂图案的工序等公知的其他工序。
＜去除被蚀刻层的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含去除未被上述抗蚀剂图案被覆的部分的上述被蚀刻层的工序。
作为去除被蚀刻层的方法，并无特别限定，能够使用日本特开2010-152155号公报的0048段～0054段等中所记载的方法等公知的蚀刻方法。
例如，作为蚀刻的方法，可举出通常所进行的浸渍于蚀刻液中的湿蚀刻法。用于湿蚀刻的蚀刻液根据蚀刻对象，根据使用酸性或碱性蚀刻液的被蚀刻层的材质或厚度，适当选择即可。
作为酸性蚀刻液，可例示盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、氢氟酸、草酸或磷酸等单独酸性成分的水溶液、酸性成分与氯化铁、氟化铵或高锰酸钾等的盐的混合水溶液等。酸性成分可以使用组合多种酸性成分而得的成分。
作为碱性蚀刻液，可例示如氢氧化钠、氢氧化钾、氨、有机胺或四甲基氢氧化铵那样的有机胺的盐等单独碱成分的水溶液、碱成分与高锰酸钾等的盐的混合水溶液等。碱成分可以使用组合多种碱成分而得的成分。
蚀刻液的温度并无特别限定，但优选为45℃以下。本发明中，用作蚀刻掩膜(蚀刻图案)的抗蚀剂图案优选对45℃以下的温度范围中的酸性及碱性蚀刻液发挥尤其优异的耐性。
＜清洗工序等＞
在蚀刻工序之后，为了防止工序线的污染，根据需要，还可以包含清洗金属基板的工序(清洗工序)及干燥金属基板的工序(干燥工序)。
关于清洗工序，例如可举出在常温(10℃～35℃)下利用纯水清洗基板10秒～300秒钟。
关于干燥工序，例如使用鼓风，适当调节鼓风压力(0.1kg/cm2～5kg/cm2左右)进行干燥即可。
去除被蚀刻层的工序中，可以分别单独地去除存在于基材的两面的2个被蚀刻层，但就生产率的观点而言，优选一次性去除上述2个被蚀刻层。
作为一次性显影2个感光性树脂层的方法，并无特别限定，能够通过对两面供给蚀刻液的方法来进行。
＜剥离的工序＞
本发明所涉及的图案形成方法包含剥离上述抗蚀剂图案的工序。
作为剥离方法，并无特别限定，优选使用公知的剥离液。
作为剥离液，例如可举出将氢氧化钠或氢氧化钾等无机碱成分或叔胺或季铵盐等有机碱成分溶解于水、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮或它们的混合溶液中而得的剥离液等。
能够使用剥离液，并通过喷涂法、喷淋法或旋覆浸没法等进行剥离。
剥离的工序中，可以分别单独地去除存在于基材的两面的被蚀刻层上的2个抗蚀剂图案，但就生产率的观点而言，优选一次性剥离上述2个抗蚀剂图案。
作为一次性显影2个感光性树脂层的方法，并无特别限定，能够通过对两面供给剥离液的方法来进行。
＜其他工序＞
本发明所涉及的图案形成方法在剥离工序之后还可以包含清洗工序等公知的其他工序。
(触摸面板及触摸面板显示装置以及它们的制造方法)
本发明中的触摸面板为至少具有通过本发明所涉及的图案形成方法制造的图案来作为传感器用电极图案的触摸面板。
本发明中的触摸面板显示装置为至少具有通过本发明所涉及的图案形成方法制造的图案来作为传感器用电极图案的触摸面板显示装置，且优选为具有本发明所涉及的触摸面板的触摸面板显示装置。
本发明所涉及的触摸面板或触摸面板显示装置的制造方法优选包含本发明所涉及的图案形成方法。
作为本发明所涉及的触摸面板及本发明所涉及的触摸面板显示装置中的检测方法，可以为电阻膜方式、静电电容方式、超声波方式、电磁感应方式及光学方式等公知的方式中的任一种，优选静电电容方式。
具体而言，根据本发明所涉及的触摸面板制造方法，能够制造如下触摸面板：形成于基材的其中一面的图案为X轴方向的位置检测用电极，且形成于基材的另一面的图案为Y轴方向的位置检测用电极。
(层叠体)
本发明所涉及的层叠体包含：基材，相对于曝光波长为透明；2个被蚀刻层，分别配置于上述基材的两面，且相对于曝光波长透明；及2个感光性树脂层，分别配置于上述2个被蚀刻层上，且对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下。
关于本发明所涉及的层叠体，参考图2进行说明。
图2是表示本发明所涉及的层叠体的一例的示意图。
在对于曝光波长为透明的基材20的两侧，配置有对于曝光波长为透明的2个被蚀刻层18，在上述2个被蚀刻层上，分别配置有对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的2个感光性树脂层14。
本发明所涉及的层叠体例如能够通过包含本发明所涉及的图案形成方法中的、准备基材的工序及形成感光性树脂层的工序的方法来制造。尤其，关于本发明所涉及的层叠体，形成感光性树脂层的工序优选为层叠上述转印膜的工序。
利用包含上述层叠工序的方法来制造本发明所涉及的层叠体，由此能够制作包含图2中所示的临时支承体12的层叠体。本发明所涉及的层叠体可以包含、也可以不包含临时支承体12。
本发明所涉及的层叠体中的基材、被蚀刻层、感光性树脂层及临时支承体与上述本发明中所说明的基材、被蚀刻层、感光性树脂层及临时支承体相同，优选的方式也相同。
并且，本发明所涉及的层叠体还可以包含上述功能层或热塑性树脂层来作为任意层。能够通过在层叠上述转印膜的工序中使用包含这些层的转印膜来制造包含这些层的本发明所涉及的层叠体。关于层构成(层的位置)及层中所包含的各成分，与上述转印膜的说明中的各层的层构成及各成分相同。
通过使用本发明所涉及的层叠体，依次进行上述工序即曝光的工序、形成抗蚀剂图案的工序、去除被蚀刻层的工序及剥离抗蚀剂图案的工序，能够制作在两面具有不同的被蚀刻层的图案的基材。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行进一步具体的说明，但本发明只要不脱离其主旨，则并不限定于以下实施例。
以下，只要无特别指明，则“份”及“％”为质量基准。
(在两面具有被蚀刻层的基材的制作)
＜基材1(具有含有Ag奈米线的层的基材)的制作＞
〔银奈米线分散液的制作〕
在常温(25℃)下，将60质量份的乙二醇和2.5质量份的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)放入容器内，一边以500rpm(rotation per minute：每分钟转速)进行搅拌一边经10分钟升温至135℃。然后，在保持在135℃的状态下持续进行了搅拌。并且，从达到135℃的时点经过10分钟之后，预先在另一容器中添加了将0.006质量份(0.1mmol份)的氯化钠溶解于0.6质量份的乙二醇而得到的氯化钠溶液。从添加氯化钠溶液的时点经过3分钟之后，预先在另一容器中添加了将0.85质量份(5.0mmol份)的硝酸银溶解于7.65质量份的乙二醇而得到的硝酸银溶液。在添加硝酸银溶液之后，将搅拌速度变更为100rpm，在135℃下保持3.0小时而停止加热，并以该状态自然冷却至成为室温(25℃)。
在容器内的溶液温度成为室温(25℃)之后，将反应后的浆料分取到离心管中，并添加蒸馏水而进行清洗，以3,000rpm进行了5分钟的离心分离。去除离心分离后的上清液之后，对残留的沉淀物添加甲醇而制成浆料，并以2500rpm实施了5分钟的离心分离。去除离心分离后的上清液之后，再次对残留的沉淀物添加甲醇而制成浆料，并以1500rpm实施了10分钟的离心分离。去除离心分离后的上清液之后，将残留的沉淀物加入到水中并以500rpm搅拌10分钟，获得了银奈米线分散液。
通过以下方法测量所获得的银奈米线的平均长轴长度及平均短轴长度的结果，平均长轴长度为10μm，平均短轴长度(平均直径)为70nm，平均纵横比为140。
-金属奈米线的平均长轴长度及平均短轴长度的测量-
使用透射型电子显微镜(TEM；JEOL Ltd.制造，JEM-2000FX)，在放大观察的金属奈米线中随机选择300个金属奈米线，测量所选择的金属奈米线的长轴长度和短轴长度(直径)，并将各个算数平均值作为金属奈米线的平均长轴长度及平均短轴长度(平均直径)。
〔基材1的制作〕
将所获得的银奈米线分散液涂布于聚对苯二甲酸乙二酯基材(膜厚为40μm)的其中一面上，并在80℃下干燥2分钟，在上述基材上形成了含有银奈米线的厚度为200nm的透明导电层。
在另一面也以相同的方式形成含有银奈米线的厚度为200nm的透明导电层，从而制作了在两面具有含有银奈米线的层(被蚀刻层)的透明基材。
在此，确认到上述聚对苯二甲酸乙二酯基材在波长360nm～410nm下的透射率为80％以上。并且，确认到基材及上述中所形成的厚度为200nm的透明导电层在波长360nm～410nm下的透射率均为80％以上。
＜基材2(具有ITO(氧化铟锡)层的基材)的制作＞
使用高频振荡器，在输出电压100％、输出250W、直径1.2mm的线电极、电极长度240mm、工件电极间1.5mm的条件下，对膜厚38μm、折射率1.53的环烯烃树脂膜(基材)进行了3秒钟的电晕放电处理，进行了表面改性。
接着，使用狭缝状喷嘴，将表1中所示的材料涂布于已进行表面改性的环烯烃树脂膜基板的两面之后，照射紫外线(累积光量300mJ/cm2)，在约110℃下进行干燥，由此制作了折射率1.60、膜厚80nm的透明膜。确认到后述实施例中的作为曝光波长的波长365nm及405nm下的基材及透明膜的透射率均为80％以上。
[表1]
Figure BDA0002378592810000281
Figure BDA0002378592810000291
[化学式1]
Figure BDA0002378592810000292
表示上述聚合物P-25的结构式中，x、l、y及z表示摩尔比。并且，Me表示甲基。
[化学式2]
Figure BDA0002378592810000293
表示上述聚合物P-25的结构式中，各结构单元的下标表示摩尔比。
将上述中所获得的具有透明膜的环烯烃树脂膜导入到真空腔室内，并使用SnO2含有率为10质量％的ITO靶(铟:锡＝95:5(摩尔比))，通过DC磁控管溅射，在基板的两面形成厚度40nm、折射率1.82的ITO膜，获得了在透明膜基板的两面形成有透明膜和透明导电层(被蚀刻层)的膜。将DC磁控管溅射条件设为：透明膜基板的温度为150℃，氩压为0.13Pa，氧压为0.01Pa。ITO膜的表面电阻为80Ω/□(Ω每平方)。
在此，确认到上述具有透明膜的环烯烃树脂膜在波长360nm～410nm下的透射率为80％以上。并且，确认到上述中所形成的厚度为40nm的透明导电层在波长360nm～410nm下的透射率为80％以上。
(转印膜的制作)
各实施例及比较例中，使用狭缝状喷嘴将表3中所示的材料涂布于临时支承体(厚度为16μm、雾度为0.12％的聚对苯二甲酸乙二酯膜)上，并以100℃的对流烘箱干燥2分钟，制作表2中所示的厚度的层，进而，贴合覆盖膜(厚度为12μm、雾度为0.2％的聚丙烯膜)而制作了转印膜。关于表2中的材料A-1～A-14的组成，记载于表3中。表3中的数值表示各成分的含量(固体成分质量)。
表2中，“感光性树脂层”的“O.D.”的记载表示转印膜中的感光性树脂层的光密度，“材料”的栏的记载表示用于形成转印膜中所包含的感光性树脂层的材料，“膜厚(μm)”的记载表示转印膜中的感光性树脂层的膜厚(μm)。另外，关于光密度的测量，将V-7000的测量模式设为Abs，而测量了感光性树脂层的光密度。
(图案形成)
各实施例及比较例中，确认到使用所制作的转印膜，能够形成图案。
各实施例及比较例中，将所制作的转印膜切割成50cm见方，剥离覆盖膜，并以辊温度为90℃、线压为0.8MPa、线速度为3.0m/分钟的层叠条件，层叠于所制作的基材1或基材2的两面。表2中，在“所使用的基材”的栏中记载为“1”的例子为使用了基材1的例子，记载为“2”的例子为使用了基材2的例子。
所形成的感光性树脂层的光密度及膜厚为与表2中所记载的转印膜中的感光性树脂层的光密度及膜厚相同的值。
本发明的实施例中的通过上述层叠而形成者为本发明所涉及的层叠体。
然后，不剥离临时支承体而将具有线宽度15μm的线与空间图案的玻璃掩膜(Duty比为1:1)密合于膜上，同时对感光性树脂层的两面进行了曝光。两面曝光时，以线图案在表面和背面正交的方式配置了掩膜。将曝光量设为表2中所记载的值。关于表2中的曝光量的值，在实施例1～实施例20中记载有365nm下的曝光量，在实施例21中记载有405nm下的曝光量。
实施例1～实施例20中，使用了包含波长为365nm的光的超高压汞灯来作为曝光光源。
实施例21中，使用了包含波长为365nm的光的超高压汞灯来作为曝光光源，经由汞曝光用带通滤波器(中心波长为405nm，Asahi Spectra Co.,Ltd.制造)进行了掩膜曝光。
在曝光后放置1小时之后，剥离临时支承体并进行显影，形成了具有在表面和背面正交的线图案的抗蚀剂图案。关于显影，使用28℃的1.0％碳酸钠水溶液(显影液)，通过喷淋显影进行了30秒。并且，通过对基材的两面同时供给显影液来一次性对两面进行了显影。
接着，对具有上述抗蚀剂图案的基材，用包含1％HNO3、1％NaNO3、及5ppm的KMnO4的酸性蚀刻液蚀刻了被蚀刻层。通过对基材的两面同时供给酸性蚀刻液来一次性对两面进行了蚀刻。关于蚀刻，在35℃下进行45秒钟，然后，用水进行冲洗，并在N2流动下进行了干燥。
而且，使用剥离液(Nagase ChemteX Corporation制造的“N-322”)去除了抗蚀剂图案。
经以上工序之后，观察表面和背面的图案，确认到在两面形成有没有缺陷的被蚀刻层的线与空间图案、及线与空间图案的方向在表面和背面正交。
＜底切量的评价＞
各实施例或比较例中，准备了表2中所记载的基材1或基材2。
接着，将各实施例或比较例中的转印膜切割成50cm见方，剥离覆盖膜，并以辊温度为90℃、线压为0.8MPa、线速度为3.0m/分的层叠条件，层叠于基板。
然后，不剥离临时支承体而隔着线宽度为20μm的线与空间图案掩膜(Duty比为1:1)对感光性树脂层进行了曝光。曝光量如表2中所记载。
实施例1～实施例20中，使用了包含波长为365nm的光的超高压汞灯来作为曝光光源。
实施例21中，使用了包含波长为365nm的光的超高压汞灯来作为曝光光源，经由汞曝光用带通滤波器(中心波长为405nm，Asahi Spectra Co.,Ltd.制造)进行了掩膜曝光。
在曝光后放置1小时之后，剥离临时支承体并进行显影，而获得了抗蚀剂图案。关于显影，使用28℃的1.0％碳酸钠水溶液(显影液)，通过喷淋显影进行了30秒。并且，通过对基材的两面同时供给显影液来一次性对两面进行了显影。
使用扫描型电子显微镜观察了20μm线图案(抗蚀剂图案)的垂直方向的截面的形状。截面中，将抗蚀剂图案的头部(最外层侧)与底部(被蚀刻层侧)的尺寸差定义为底切量，并根据下述评价基准进行了评价。将评价结果记载于表2中。可以说底切量越小，则所获得的抗蚀剂图案的图案形状越优异。
可以说底切量越小，则所获得之蚀刻抗蚀剂的图案形状越优异。
A：底切量小于1.0μm
B：底切量为1.0μm以上且小于2.0μm
C：底切量为2.0μm以上且小于3.0μm
D：底切量为3.0μm以上
＜曝光雾评价＞
接着，各实施例或比较例中，将所制作的转印膜切割成50cm见方，剥离覆盖膜，并以辊温度为90℃、线压为0.8MPa、线速度为3.0m/分，层叠于表2中所记载的基材两面。
实施例1～实施例20中，不剥离临时支承体而隔着线宽度为20μm的线与空间图案掩膜(Duty比为1:1)，用超高压汞灯对感光性树脂层进行单面曝光之后(曝光量为表2中所记载的曝光量)，放置1小时之后剥离临时支承体，对两面进行了显影。
关于实施例21，除了经由汞曝光用带通滤波器(中心波长为405nm，Asahi SpectraCo.,Ltd.制造)进行了单面曝光(在曝光量为100mJ/cm2，405nm下测量)这一点以外，实施了相同的处理。
关于显影，使用28℃的1.0％碳酸钠水溶液(显影液)，通过喷淋显影进行了30秒。并且，通过对基材的两面同时供给显影液来一次性对两面进行了显影。
观察基材的未进行曝光的一侧，并以如下方式评价了曝光雾。
在未进行曝光的一侧观察到残留的情况下，表示相对于其中一面的曝光光也对另一面进行了曝光、即产生了曝光雾。
A：不管用倍率50倍的的光学显微镜观察，还是用肉眼观察，均未确认到残留。
B：若用倍率50倍的光学显微镜进行观察，则确认到少许残留，若用肉眼观察则未确认到残留。
C：不管用倍率50倍的光学显微镜进行观察，还是用肉眼观察，均确认到残留。
[表2]
Figure BDA0002378592810000331
[表3]
Figure BDA0002378592810000341
比较例1～比较例4中，使用了基材1来作为基材，即使使用了基材2的情况下，底切量及曝光雾的评价结果也相同。
表3中，“化合物A”为由下述结构式表示的化合物。下述结构式中，括号的下标表示各结构单元的含量(摩尔比)。
[化学式3]
Figure BDA0002378592810000351
并且，表3中，OXE-01及OXE-02分别为下述结构的化合物。
[化学式4]
Figure BDA0002378592810000352
如上述，根据本发明中的实施例所涉及的图案形成方法，所获得的蚀刻抗蚀剂的图案形状优异，且由相对于其中一面的曝光光产生的另一面的曝光雾得到抑制。
关于2017年7月28日申请的日本专利申请第2017-147152号的公开，其全部内容通过参考编入本说明书中。
本说明书中所记载的所有文献、专利申请以及技术标准，以与具体且个别记载了通过参考编入个别文献、专利申请以及技术标准的情况相同程度地，通过参考编入本说明书中。
符号说明
10-转印膜，12-临时支承体，14-感光性树脂层，16-保护膜(保护剥离层)，18-被蚀刻层，20-基材。

Claims (15)

1.一种图案形成方法，其依次具有：
准备在两面具有对于曝光波长为透明的被蚀刻层的、对于曝光波长为透明的基材的工序；
在所述基材的两面的所述被蚀刻层上分别形成对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层的工序；
对所述感光性树脂层进行图案曝光的工序；
通过对所述感光性树脂层进行显影而在两面形成抗蚀剂图案的工序；
去除未被所述抗蚀剂图案被覆的部分的所述被蚀刻层的工序；及
剥离所述抗蚀剂图案的工序。
2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，
所述曝光的工序中的曝光量为10(n-0.5)mJ/cm2以上且10(n+1.5)mJ/cm2以下，
n表示所述感光性树脂层的对于曝光波长而言的光密度。
3.根据权利要求2所述的图案形成方法，其中，
所述曝光的工序中的曝光量为10nmJ/cm2以上且10(n+1.0)mJ/cm2以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述感光性树脂层的膜厚为8.0μm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述曝光的工序中的曝光光在波长365nm处具有极大波长。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案形成方法，其中，
形成所述感光性树脂层的工序为将转印膜层压于所述被蚀刻层的工序，所述转印膜具有临时支承体及在所述临时支承体上的光密度为0.50以上且2.50以下的感光性树脂层。
7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中，
所述层压的工序中的被层压的转印膜整体的光密度为0.50以上且2.50以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的图案形成方法，其中，
形成所述感光性树脂层的工序中的所形成的所述感光性树脂层的光密度为1.00以上且2.00以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的图案形成方法，其中，
在所述曝光的工序中，同时对两面的所述感光性树脂层进行曝光。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述被蚀刻层为导电层。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述感光性树脂层包含聚合性化合物及聚合引发剂。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述感光性树脂层包含紫外线吸收材料。
13.根据权利要求12所述的图案形成方法，其中，
所述紫外线吸收材料包含炭黑。
14.一种层叠体，其包含：
对于曝光波长为透明的基材；
分别配置于所述基材的两面的、对于曝光波长为透明的2个被蚀刻层；及
分别配置于所述2个被蚀刻层上的、对于曝光波长而言的光密度为0.50以上且2.50以下的2个感光性树脂层。
15.一种触摸面板的制造方法，其包含权利要求1至13所述的图案形成方法。
CN201880049818.9A 2017-07-28 2018-07-24 图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法 Active CN110998457B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017147152 2017-07-28
JP2017-147152 2017-07-28
PCT/JP2018/027763 WO2019022090A1 (ja) 2017-07-28 2018-07-24 パターン形成方法、積層体、及び、タッチパネル製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110998457A true CN110998457A (zh) 2020-04-10
CN110998457B CN110998457B (zh) 2023-12-08

Family

ID=65040213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880049818.9A Active CN110998457B (zh) 2017-07-28 2018-07-24 图案形成方法、层叠体及触摸面板制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11567410B2 (zh)
JP (2) JP6871385B2 (zh)
CN (1) CN110998457B (zh)
TW (1) TWI790257B (zh)
WO (1) WO2019022090A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110554789B (zh) * 2018-05-30 2023-09-01 英属维京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 双面电极及其图案化方法
WO2020196802A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 富士フイルム株式会社 銀導電性材料保護膜用転写フィルム、パターン付き銀導電性材料の製造方法、積層体、及び、タッチパネル

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334487A (en) * 1992-07-23 1994-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming a patterned layer on a substrate
CN1831646A (zh) * 2005-03-09 2006-09-13 富士胶片株式会社 带有遮光图像的基板和遮光图像的形成方法、转印材料、滤色片、以及显示装置
CN1977221A (zh) * 2004-05-31 2007-06-06 富士胶片株式会社 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置
JP2012006377A (ja) * 2010-05-28 2012-01-12 Fujifilm Corp 導電シートの製造方法及びタッチパネルの製造方法
JP2013131200A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd タッチパネル及びその製造方法
CN104170029A (zh) * 2012-04-04 2014-11-26 日立化成株式会社 导电图案的形成方法以及导电图案基板
WO2016199868A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 旭化成株式会社 タッチパネル用水性樹脂組成物、転写フィルム及び硬化膜積層体、並びに樹脂パターンの製造方法及びタッチパネル表示装置
CN106462067A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 日立化成株式会社 抗蚀剂图案形成方法、印刷配线板制造方法、投影曝光用感光性树脂组合物及感光性元件
JP2017059296A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 三菱製紙株式会社 導電性パタン前駆体および導電性パタンの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5201361B2 (ja) * 2009-05-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの加工方法
JP2011154080A (ja) 2010-01-26 2011-08-11 Toppan Printing Co Ltd 透明基材両面へのパターン形成方法
JP5375692B2 (ja) 2010-03-17 2013-12-25 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサの製造方法
CN104461118B (zh) * 2010-09-29 2018-10-16 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法
JP5618083B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 大日本印刷株式会社 タッチパネル部材の製造方法
KR20130118082A (ko) * 2012-04-19 2013-10-29 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법
WO2015129057A1 (ja) * 2014-02-28 2015-09-03 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
JP6230559B2 (ja) 2014-12-03 2017-11-15 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
WO2016088609A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
JP6042486B1 (ja) 2015-05-29 2016-12-14 日本写真印刷株式会社 タッチセンサの製造方法及びタッチセンサ

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334487A (en) * 1992-07-23 1994-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming a patterned layer on a substrate
CN1977221A (zh) * 2004-05-31 2007-06-06 富士胶片株式会社 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置
CN1831646A (zh) * 2005-03-09 2006-09-13 富士胶片株式会社 带有遮光图像的基板和遮光图像的形成方法、转印材料、滤色片、以及显示装置
JP2012006377A (ja) * 2010-05-28 2012-01-12 Fujifilm Corp 導電シートの製造方法及びタッチパネルの製造方法
JP2013131200A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd タッチパネル及びその製造方法
CN104170029A (zh) * 2012-04-04 2014-11-26 日立化成株式会社 导电图案的形成方法以及导电图案基板
CN106462067A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 日立化成株式会社 抗蚀剂图案形成方法、印刷配线板制造方法、投影曝光用感光性树脂组合物及感光性元件
WO2016199868A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 旭化成株式会社 タッチパネル用水性樹脂組成物、転写フィルム及び硬化膜積層体、並びに樹脂パターンの製造方法及びタッチパネル表示装置
JP2017059296A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 三菱製紙株式会社 導電性パタン前駆体および導電性パタンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11567410B2 (en) 2023-01-31
TW201910911A (zh) 2019-03-16
JP6871385B2 (ja) 2021-05-12
US20200159123A1 (en) 2020-05-21
JP2021120743A (ja) 2021-08-19
TWI790257B (zh) 2023-01-21
JP7144569B2 (ja) 2022-09-29
CN110998457B (zh) 2023-12-08
JPWO2019022090A1 (ja) 2020-02-27
WO2019022090A1 (ja) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110564193B (zh) 触摸屏电极保护膜形成用组合物及其用途
CN110716668A (zh) 转印膜、层叠体及其制造方法及其用途
JP7144569B2 (ja) パターン形成方法、積層体、及び、タッチパネル製造方法
WO2021199996A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び感光性転写材料用仮支持体
WO2020040054A1 (ja) 転写フィルム、積層体、及びパターン形成方法
WO2021176811A1 (ja) 感光性転写材料、及び回路配線の製造方法
WO2022054599A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、エッチング方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP7213981B2 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法およびタッチパネルの製造方法
CN115298614A (zh) 感光性材料、转印膜、电路布线的制造方法、触摸面板的制造方法、图案形成方法
JP7360476B2 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法
CN113631380B (zh) 转印膜及带图案的基板的制造方法
WO2022044831A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
JP7416910B2 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び感光性転写材料用仮支持体
WO2022209307A1 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
WO2022138577A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、積層体の製造方法、回路配線の製造方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2022138578A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、積層体の製造方法、回路配線の製造方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2022138246A1 (ja) 転写材料及び積層体の製造方法
WO2022131324A1 (ja) 転写フィルム、積層体の製造方法、回路配線の製造方法
WO2021157525A1 (ja) 樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法、及び、感光性転写部材
WO2022045255A1 (ja) 感光性転写材料及び樹脂パターンの製造方法
WO2021161965A1 (ja) 感光性フィルム、及び感光性フィルムの製造方法
WO2021125168A1 (ja) 感光性転写材料及びその製造方法、パターン付き金属導電性材料の製造方法、膜、タッチパネル、劣化抑制方法、並びに、積層体
WO2022163301A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
WO2022054374A1 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法及び電子機器の製造方法
CN117940848A (zh) 转印膜、转印膜的制造方法、图案形成方法、电路布线的制造方法、触摸面板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant