TW201906727A - 積層體及使用其之附凹部多層體之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種積層體,該積層體至少依序具有第1層、第1接著層、及圖案狀之構造體,且上述第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。
Description
本發明係關於一種能夠容易地轉印圖案狀之構造體之積層體。
於配置於構件上之圖案狀之構造體難以直接形成於成為配置對象之面上之情形時、或欲一次地配置於複數個部位之情形等時,藉由轉印法轉印配置於對象面上。作為圖案狀之構造體,例如可列舉配線基板等中之配線圖案、於醫療領域等中用於活體組織或器官等之細胞圖案、於配線圖案之形成過程或立體結構之電子零件之製造過程等中局部地配置於需要保護之部位之保護構件等。
作為將圖案狀之構造體轉印至被轉印體之方法,例如使用如下方法:使用配置有圖案狀之構造體之承載膜,使承載膜上之構造體與被轉印體之一面接著,其後將承載膜剝離。再者,於專利文獻1中揭示有一種附承載膜之保護膜,其於在電路基板等之製造中為了保護電路等而轉印配置保護層時,能夠防止於保護層中產生皺褶。保護層由於被轉印至電路上,因此相當於構造體,但並非圖案狀。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5647593號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-37378號公報
[發明所欲解決之問題]
配置有構造體之承載膜於轉印前需要將構造體與承載膜以一定程度之強度而接著。然而,若構造體與承載膜之間之接著力過高,則存在如下等問題:難以將構造體一次地轉印至被轉印體、因構造體之機械強度等而於轉印時容易產生破損等。進而,根據構造體之種類,存在殘存於構造體上之承載膜之接著劑成分對構造體之功能或物性造成不良影響之問題。
本發明係鑒於上述實際情況而完成者,主要目的在於提供一種能夠容易地將圖案狀之構造體轉印至被轉印體之積層體、及使用其之附凹部多層體之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明提供一種積層體,其至少依序具有第1層、第1接著層、及圖案狀之構造體,且上述第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。
又,本發明提供一種附凹部多層體之製造方法,其係使用上述積層體之於多層體之一面具備具有開口之凹部的附凹部多層體之製造方法,且該方法包括如下步驟:接觸步驟,其係使上述積層體之上述構造體直接接觸第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸第2層之一面;接著力調整步驟,其係藉由上述接著力調整處理使上述第1接著層之接著力降低;轉印步驟,其係至少將上述第1層剝離,並將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀轉印至上述第2層;積層步驟,其係於上述第2層之具有上述圖案部之側之面積層1層以上之其他層;劃分步驟,其係將上述圖案部及上述1層以上之其他層劃分成包含上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層之第1區域、及除此以外之第2區域;及凹部形成步驟,其係將上述第1區域剝離去除,而形成上述凹部。 [發明之效果]
本發明之積層體係藉由第1接著層接受接著力調整處理使接著力發生變化,而發揮能夠容易地將圖案狀之構造體一次地轉印至被轉印體,可抑制上述構造體之破損或於上述構造體側產生糊劑殘留之效果。又,根據本發明之附凹部多層體之製造方法,藉由使用上述積層體,而發揮能夠於多層體表面容易地形成凹部之效果。
於本說明書中,於某構件或某區域等某構成處於其他構件或其他區域等其他構成「上(或下)」之情形時,只要無特別限定,其不僅包含處於其他構成之正上方(或正下方)之情況,還包含處於其他構成之上方(或下方)之情況,即,亦包含如下情況:於其他構成之上方(或下方)當中包含有其他構成要素。
本發明將積層體及附凹部多層體之製造方法包含於實施形態中。以下,一面參照圖式等一面說明本發明之實施形態。但是,本發明能夠以大量不同之態樣而實施,並不限定於以下所例示之實施形態之記載內容而進行解釋。又,關於圖式,為了更明確地進行說明,存在較實施態樣而言針對各部之寬度、厚度、形狀等模式性地表示之情況,但只不過為一例,並不限定本發明之解釋。又,於本說明書及各圖中,存在如下情況:對與關於已經出現之圖於上文所述者相同之要素附相同之符號,並適當省略詳細之說明。又,為了說明之方便起見,存在使用上方或下方之詞語進行說明之情況,上下方向亦可倒轉。
I.積層體 本發明之積層體至少依序具有第1層、第1接著層、及圖案狀之構造體,且上述第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。
圖1係表示本發明之積層體之一例之概略俯視圖,圖2係圖1之X-X線剖視圖。本發明之積層體10至少依序具有第1層1、第1接著層2、及圖案狀之構造體3,且第1接著層2接受接著力調整處理而使接著力發生變化。再者,於圖2中,將接著力調整處理前之第1接著層2與第1層1之間之接著力設為N1
,將接著力調整處理後之第1接著層2與第1層1之間之接著力設為N1
',將接著力調整處理前之第1接著層2與構造體3之間之接著力設為N2
,將接著力調整處理後之第1接著層2與構造體3之間之接著力設為N2
'。
圖3(a)~(c)係對使用本發明之積層體之構造體之轉印方法之一例進行說明的步驟圖。作為使用本發明之積層體將構造體轉印至被轉印體(第2層)之方法,首先,使本發明之積層體10之構造體3直接接觸第2層11之一面或經由第2接著層間接地接觸第2層11之一面(圖3(a),接觸步驟)。繼而,藉由接著力調整處理T使第1接著層2之接著力降低(圖3(b),接著力調整步驟)。其後,至少將第1層1剝離(圖3(c),轉印步驟)。圖3(c)中,係將第1層1及第1接著層2剝離。藉此,於第2層11,將至少包含構造體3之圖案部20呈圖案狀一次性轉印至第2層11。再者,於圖3中,將構造體與第2層之間之接著力設為N4
。除此以外,關於在圖3中未說明之符號,與圖2相同。
作為將圖案狀之構造體轉印至被轉印體之方法,例如有使用配置有圖案狀之構造體之承載膜之方法。配置有構造體之承載膜於轉印前需要構造體與承載膜以一定程度之強度而接著。然而,若構造體與承載膜之間之接著力過高,則存在如下等問題:難以將構造體一次地轉印至被轉印體、因構造體之機械強度等而於轉印時產生破損等。進而,根據構造體之種類,存在殘存於構造體上之承載膜之接著劑成分對構造體之功能或物性造成不良影響之問題。
對於此種問題,本發明者等人以圖案狀之構造體之轉印用積層體之形式開發了本發明之積層體,其係於接著力會因接著力調整處理而降低之接著力可變型之接著層上配置圖案狀之構造體,從而解決上述問題。即,根據本發明之積層體,藉由於接著力會因接著力調整處理而降低之第1接著層上配置圖案狀之構造體,於接著力調整處理前,第1接著層具有較高之接著力從而能夠保持構造體,另一方面,於接著力調整處理後,第1接著層相對於構造體之接著力降低,因此構造體能夠容易地剝離。藉此,本發明之積層體能夠將構造體一次地轉印至被轉印體。又,本發明之積層體之第1接著層能夠藉由接著力調整處理之程度使接著力充分地降低,因此本發明之積層體不論構造體之機械強度或種類等如何均能夠實現高轉印性,且能夠抑制轉印時之構造體之破損或於構造體側之糊劑殘留之產生。
此處,所謂「圖案狀」,係指於供構造體配置之層之被黏著面具有設置有構造體之部分、及未設置有構造體之部分的狀態。又,有時將藉由本發明之積層體而轉印至被轉印體之至少包含構造體之轉印體稱為「圖案部」。圖案部可呈圖案狀轉印至被黏著體。所謂轉印、或被轉印至被轉印體,係指轉印、或被轉印至被轉印體之一面上。進而,有時將供藉由本發明之積層體轉印包含構造體之圖案部的被轉印體稱為「第2層」進行說明。以下,針對本發明之積層體,逐個構成地進行說明。
A.第1接著層 本發明之積層體之第1接著層係接受接著力調整處理而使接著力發生變化之層。第1接著層於接著力調整處理前具有接著性及/或黏著性。
1.第1接著層之態樣 第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。此處,所謂「接受接著力調整處理而使接著力發生變化」,可接受接著力調整處理而使接著力較接受接著力調整處理之前上升,亦可接受接著力調整處理而使接著力較接受接著力調整處理之前降低。其中,於本發明中,較佳為接受接著力調整處理而使接著力降低,更佳為接受接著力調整處理而使接著力消失。
第1接著層具有適合於接著力調整處理之種類之組成。作為接著力調整處理,較佳為可使第1接著層之接著力降低之處理,例如可列舉加熱處理或冷卻處理之熱處理、能量線照射處理、電場施加處理或無電場處理之電場處理等。
即,第1接著層可大致分為接受加熱處理或冷卻處理而使接著力降低之感溫性接著層的第1態樣、接受能量線照射處理而使接著力降低之能量線響應性接著層的第2態樣、接受電場施加處理或無電場處理而使接著力降低之電氣響應性接著層的第3態樣。以下,針對第1接著層,逐個態樣地進行說明。
(1)第1態樣 本態樣之第1接著層為接受加熱處理或冷卻處理作為接著力調整處理而使接著力降低的感溫性接著層。感溫性接著層為與溫度變化對應地重複接著性與非接著性的接著層,於本發明之積層體中,可為藉由加熱處理而使接著力降低的加熱剝離型,亦可為藉由冷卻處理而使接著力降低的冷卻剝離型。
(a)加熱剝離型感溫性接著層 加熱剝離型感溫性接著層係藉由於特定之開關溫度以上進行加熱,而使接著力降低從而能夠進行剝離。開關溫度可視加熱剝離型感溫性接著層之組成或其熔點等而適當設定,例如可設為30℃以上且200℃以下之範圍內,其中較佳為40℃以上且90℃以下之範圍內。其原因在於:藉由將開關溫度設定於上述範圍內,能夠確保於常溫下之作業性。
再者,於本發明之積層體於伴隨熱之步驟中使用之情形時,開關溫度較佳為高於伴隨熱之步驟之溫度。所謂伴隨熱之步驟,例如可列舉下文所述之附凹部多層體之製造中之阻焊劑等之燒成步驟(例如120℃左右)、回焊步驟(例如260℃左右)等。
作為加熱剝離型感溫性接著層之組成,只要能夠表現出所需物性,則並無特別限定,例如可列舉至少包含接著劑及發泡劑或膨脹劑之組成(組成A)、至少包含接著劑及側鏈晶質聚合物之組成(組成B)等。組成A藉由接受加熱處理使發泡劑發泡、或使膨脹劑膨脹,接觸面積物理性地減少,藉此能夠實現接著力之降低,從而能夠容易地剝離。又,關於組成B,若藉由加熱處理於側鏈晶質聚合物之熔點以上之溫度下進行加熱,則側鏈晶質聚合物之物性因相變化而變化從而進行流動,能夠使感溫性接著層之黏著力充分地降低,從而能夠容易地剝離。
(i)組成A 加熱剝離型感溫性接著層之組成A至少包含接著劑及發泡劑或膨脹劑。
接著劑包含具有黏著性之聚合物。作為上述接著劑,例如可列舉:天然橡膠接著劑;合成橡膠接著劑;苯乙烯/丁二烯乳膠基質接著劑;嵌段共聚物型之熱塑性橡膠;丁基橡膠;聚異丁烯;丙烯酸系接著劑;乙烯醚共聚物等。具體而言,可列舉日本專利特開2008-13590號公報、日本專利第3853247號公報等所揭示之接著劑。
作為發泡劑或膨脹劑,可使用接受加熱處理會使發泡劑發泡、或使膨脹劑膨脹的材料。發泡劑可為化學發泡劑,亦可為物理發泡劑。作為發泡劑或膨脹劑,具體而言,可使用日本專利特開2008-13590號公報所揭示之發泡劑、日本專利第3853247號公報所揭示之熱膨脹性微球等。發泡劑或膨脹劑進行發泡或膨脹之溫度、加熱剝離型感溫性接著層中之發泡劑或膨脹劑之含量可適當設定,具體而言,可設為與日本專利特開2008-13590號公報、日本專利第3853247號公報等所揭示之發泡或膨脹之溫度、含量相同。
上述組成A可進而包含側鏈晶質聚合物。側鏈晶質聚合物由於若於熔點以上之溫度下進行加熱則會流動從而能夠使感溫性接著層之黏著力充分地降低,因此能夠減少感溫性接著層中之發泡劑之含量,從而能夠進行感溫性接著層之減薄。關於側鏈晶質聚合物,由於會於「(ii)組成B」中進行說明,故而此處省略說明。上述組成A中之側鏈晶質聚合物之含量並無特別限定,可適當設定。
(ii)組成B 加熱剝離型感溫性接著層之組成B至少包含接著劑及側鏈晶質聚合物。關於接著劑,由於可設為與組成A相同,因此此處省略說明。
側鏈晶質聚合物係於未達熔點之溫度下結晶化且於熔點以上之溫度下表現出流動性之聚合物,且係能夠與溫度變化對應地可逆地產生結晶狀態及流動狀態的聚合物。作為側鏈晶質聚合物,例如可列舉包含具有直鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、及極性單體的聚合物等。具體而言,可列舉日本專利特開2008-13590號公報所揭示之側鏈晶質聚合物。上述組成B中之側鏈晶質聚合物之含量並無特別限定,可適當設定對於使加熱剝離型感溫性接著層表現出如下特性而言充分之量:於設定溫度以上之溫度下,大致為非黏著性,又,於設定溫度以下之溫度下為黏著性。例如,可設為日本專利特開2008-13590號公報所揭示之含量。
(iii)其他 再者,作為包含上述組成A之加熱剝離型感溫性接著層,例如可列舉日本專利第3853247號公報所揭示之加熱剝離型黏著片之熱膨脹性層。又,作為包含上述組成B之加熱剝離型感溫性接著層,例如可列舉日本專利特開2008-13590號公報所揭示之黏著片之黏著劑層。
(b)冷卻剝離型感溫性接著層 冷卻剝離型感溫性接著層藉由於特定之開關溫度以下進行冷卻,而使接著力降低從而能夠進行剝離。開關溫度可視冷卻剝離型感溫性接著層之組成或其熔點等適當設定,例如較佳為10℃以上。又,開關溫度可設為70℃以下,其中較佳為20℃以下。其原因在於:藉由將開關溫度設定於上述範圍內,冷卻剝離型感溫性接著層能夠容易地進行於常溫下之貼附及於冷卻環境下之剝離。
作為冷卻剝離型感溫性接著層之組成,只要能夠表現出所需物性,則並無特別限定,例如可列舉包含將以16以上之直鏈狀烷基為側鏈之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯作為構成成分之側鏈可結晶化之聚合物的組成。
作為以16以上之直鏈狀烷基為側鏈之丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯(亦總稱為(甲基)丙烯酸酯),例如可列舉(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸二十二烷基酯等具有碳數16~22之直鏈烷基之(甲基)丙烯酸酯。
作為側鏈可結晶化之聚合物,並無特別限定,例如亦可使用含有烷基之碳數為1~6之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯40重量%~60重量%之範圍內、含羧基乙烯性不飽和單體2重量%~10重量%之範圍內、及烷基之碳數為16~22之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯20重量%~60重量%之範圍內的單體聚合物。
側鏈可結晶化之聚合物較佳為熔點(亦稱為第1次熔融轉移)為0℃以上且70℃以下之範圍內,其中尤佳為約15℃以上且55℃以下之範圍內。又,側鏈可結晶化之聚合物較佳為於低於約35℃、較佳為低於約25℃之相對較窄之溫度範圍內產生熔融。側鏈可結晶化之聚合物之量並無特別限定,可適當設定對於使冷卻剝離型感溫性接著層表現出如下特性而言充分之量:於設定溫度以下之溫度下,大致為非黏著性,又,於設定溫度以上之溫度下為黏著性。
再者,作為包含上述組成之冷卻剝離型感溫性接著層,例如可使用日本專利特開2000-351951號公報所揭示之黏著、接著層。
(2)第2態樣 本態樣之第1接著層係接受能量線照射處理作為接著力調整處理而使接著力降低的能量線響應性接著層。能量線響應性接著層係藉由能量線之照射使接著層硬化及收縮,藉此因接著力之降低及於被黏著面之剪力之產生等而能夠剝離。
作為能量線照射處理所使用之能量線,只要為能夠使第1接著層之反應產生者即可,可視能量線響應性接著層之組成而適當選擇。作為能量線,例如可列舉:遠紫外線、紫外線、近紫外線、紅外線等光線、X射線、電子束、γ射線等電磁波、質子線、中子射線等各種游離輻射。其中,較佳為紫外線、電子束。
關於能量線響應性接著層之組成,只要藉由能量線照射處理能夠硬化,則無特別限定。作為能量線響應性接著層之組成,例如可列舉含有丙烯酸系聚合物、能量線聚合性之低聚物或單體、聚合起始劑、及交聯劑的組成。再者,於本發明中,「丙烯酸」中可亦包含「甲基丙烯酸」。
作為丙烯酸系聚合物,例如可列舉作為主要單體之丙烯酸酯與含有可與上述丙烯酸酯共聚之官能基之丙烯酸系單體之共聚物即丙烯酸酯共聚物。作為含有官能基之丙烯酸系單體之官能基,例如可列舉羥基、羧基、環氧基等、異氰酸酯基、胺基等。關於構成丙烯酸系聚合物之丙烯酸酯及含有官能基之單體,例如可使用日本專利特開2012-31316號公報、日本專利特開2004-158812號公報等中揭示之丙烯酸酯及單體。又,上述丙烯酸系聚合物例如可設為上述公報所揭示之質量平均分子量(Mw)。
作為能量線聚合性之低聚物或單體,只要為藉由能量線之照射可進行聚合者,則並無特別限定,例如可列舉光自由基聚合性、光陽離子聚合性、光陰離子聚合性等之低聚物或單體。具體而言,可使用日本專利特開2012-31316號公報、日本專利特開2004-158812號公報等中揭示之能量線聚合性低聚物或單體。能量線聚合性之低聚物或單體例如可設為上述公報所揭示之質量平均分子量(Mw)及含量。
作為聚合起始劑,例如可列舉IRGACURE754(BASF JAPAN公司製造)、IRGACURE2959(BASF JAPAN公司製造)、日本專利特開2004-158812號公報等中所揭示之光聚合起始劑等。又,作為交聯劑,例如可使用異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑等,具體而言,可使用日本專利特開2012-31316號公報中揭示之交聯劑。
能量線響應性接著層可進而包含氣體產生劑。其原因在於:氣體產生劑因能量線照射而產生氣體,且氣體轉移至接著層與被黏著體之間之界面,藉此變得更容易剝離。作為氣體產生劑,並無特別限定,例如可使用偶氮化合物、疊氮化合物。具體而言,可列舉日本專利特開2004-158812號公報所揭示之偶氮化合物、疊氮化合物。關於氣體產生劑之含量,只要能夠發揮所需功能,則並無特別限定,例如可設為日本專利特開2004-158812號公報所揭示之量。
再者,作為能量線響應性接著層,例如可使用日本專利特開2012-31316號公報、日本專利特開2004-158812號公報等所揭示之黏著、接著層。
(3)第3態樣 本態樣之第1接著層係接受電場施加處理或無電場處理作為接著力調整處理而使接著力降低的電氣響應性接著層。所謂電氣響應性接著層,係與電場之施加之有無對應地重複接著性及非接著性的接著層。於本發明之積層體中,電氣響應性接著層可為於無電場中表現出接著力、藉由電場施加而使接著力降低的電剝離性接著層,亦可為藉由電場施加表現出接著力、於無電場中接著力降低的電接著性接著層。其中,較佳為藉由電場施加使接著力降低之電剝離性接著層。其原因在於:能夠於通常環境下實施轉印作業或製程。
若本態樣之第1接著層為電剝離性接著層,則接著力調整處理稱係指對無電場下之第1接著層施加電場之電場施加處理。即,於本態樣之第1接著層為電剝離性接著層之情形時,藉由將本發明之積層體置於無電場下,第1接著層能夠具有接著性。另一方面,於將包含構造體之圖案部轉印至第2層時,藉由於第2層配置有本發明之積層體之狀態下置於電場下作為電場施加處理,受到電場施加之第1接著層之接著力降低,至少第1層能夠進行剝離。
作為此種電剝離性接著層之組成,例如可列舉包含丙烯酸系接著劑或聚酯接著劑及電解液之組成。構成丙烯酸系接著劑之丙烯酸系聚合物並無特別限定,就接著性之觀點而言,例如可使用具有1萬~500萬之範圍之重量平均分子量之丙烯酸系聚合物。關於重量平均分子量之算出方法、以及構成此種丙烯酸系聚合物之丙烯酸系單體及聚合起始劑之具體例,可設為與日本專利特開2010-037354號公報所揭示之算出方法及材料相同。
關於電解液,只要能夠表現出所需離子導電率,則並無特別限定,例如可列舉包含作為電解質之四級銨鹽或鹼金屬鹽、及有機溶劑之混合物。關於電解液之離子導電率及其測定方法、以及電解液之具體組成,可設為與日本專利特開2010-37354號公報所揭示之離子導電率及測定方法、以及電解液之組成相同。
另一方面,若本態樣之第1接著層為電接著性接著層,則接著力調整處理係指停止第1接著層之電場施加而設為無電場之無電場處理。即,於本態樣之第1接著層為電接著性接著層之情形時,藉由對第1接著層施加電場,第1接著層能夠具有所需接著力。另一方面,於將包含構造體之圖案部轉印至第2層時,藉由停止對第1接著層之電場施加作為無電場處理,第1接著層之接著力降低,於與和第1接著層鄰接之層之所需界面能夠進行剝離。
作為此種電接著性接著層之組成,例如可列舉於樹脂交聯體分散有電流變粒子(ER粒子)之電流變凝膠(ER凝膠)。再者,作為電接著性接著層,例如亦可使用如日本專利特開2013-049820號公報所揭示之電黏著片,具體而言,將具有黏彈性之矽凝膠、胺基甲酸酯橡膠、或丁二烯橡膠組合於積層有2層之多孔片材而成的片材。
對第1接著層施加電場之方法可使用公知之方法。例如可列舉將端子連接於導電性之第1層及構造體並對端子間施加電壓之方法、使端子與導電性之第1層及第1接著層接觸並對端子間施加電壓之方法等。作為導電性之第1層,例如可使用銅箔、鋁箔等金屬箔等。又,施加條件並無特別限定,例如可於電場5 V~50 V之範圍內、施加時間10秒~120秒之範圍內進行設定。
(4)其他 各態樣之第1接著層可視需要而包含其他任意之添加劑。作為任意之添加劑,例如可列舉:著色劑、顏料等之粉體、界面活性劑、塑化劑、黏著賦予劑、低分子量聚合物、表面潤滑劑、調平劑、抗氧化劑、防腐蝕劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑、無機或有機之填充劑、金屬粉、粒子狀、箔狀物等。
2.其他 第1接著層較佳為於接著力調整處理前後表現出所需接著力。接著力調整處理前之第1接著層之接著力亦取決於接著層之組成、厚度,例如為0.1 N/25 mm以上且10 N/25 mm以下之範圍內,較佳為0.5 N/25 mm以上且5 N/25 mm以下之範圍內,更佳為1 N/25 mm以上且3 N/25 mm以下之範圍內。又,接著力調整處理後之第1接著層之接著力只要低於接著力調整處理前即可,其中,較佳為第1接著層能夠對第1層或構造體表現出易剝離性或非接著性。作為接著力調整處理後之第1接著層之接著力,例如可設為5 N/25 mm以下、較佳為0.05 N/25 mm以上且2 N/25 mm以下之範圍內,更佳為0.05 N/25 mm以上且0.5 N/25 mm以下之範圍內。再者,所謂非接著性,係指實質上不具有接著力之物性,又,所謂易剝離性,係指具有黏性、能夠與第1層及構造體接著、且能夠容易地自第1層或構造體剝離之物性。
接著力調整處理前後之第1接著層之接著力可依據JIS Z0237-2009進行測定。測定係以如下方式而進行:準備利用厚度50 μm之PET(polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙二酯)膜對第1接著層(寬度25 mm,長度150 mm)進行襯底之試片,將該試片之第1接著層貼合於SUS304BA板,利用2 kg之輥來回壓合2次,並於溫度20℃~28℃、濕度30%RH~60%RH之條件下放置1小時~24小時,其後,使用拉伸試驗機(例如A&D(股)製造,Tensilon萬能試驗機RTF-1150H)於依據JIS Z0237-2009之條件(剝離角:180°方向;拉伸速度:300 mm/min;剝離距離:50 mm)進行剝離。於對接著力調整處理後之第1接著力之接著力進行測定之情形時,將利用上述方法所準備之試片之第1接著層貼合於SUS304BA板,利用2 kg之輥來回壓合2次並於上述條件下進行放置,其後,進行接著力調整處理,對處理後之試片使用拉伸試驗機於依據上述JIS Z0237-2009之條件下進行剝離而進行測定。
第1接著層之厚度只要為於接著力調整處理前後於與第1層或構造體之間能夠表現出所需接著力之厚度,則並無特別限定,可適當設定,例如可設為1 μm以上且500 μm以下之範圍內,較佳為5 μm以上且300 μm以下之範圍內。第1接著層可為膜狀,亦可為片狀。
第1接著層可如圖2所示般配置於第1層1之一面之整個面,亦可如圖4所示般配置成與構造體3相同之圖案狀。於第1接著層為與構造體相同之圖案狀之情形時,於接著力調整處理後之第1層與第1接著層之間會產生剝離,藉此能夠將具有構造體及上述構造體上之第1層之圖案部轉印至第2層之一面。
第1接著層可視本發明之積層體之使用環境而選擇其態樣。例如於在加熱步驟等施加熱之步驟中使用之情形時,較好為加熱剝離型之感溫性接著層以外,其中基於操作簡便而言,更佳為電氣響應性接著層。又,於在進行紫外線照射之步驟中使用之情形時,較好為能量線響應性接著層以外,其中較佳為感溫性接著層。
B.第1層 本發明之積層體之第1層為支持上述第1接著層及構造體之層。第1層係使本發明之積層體與第2層接觸並對第1接著層進行接著力調整處理之後進行剝離去除的層,且視本發明之積層體之用途,為成為剝離層或基材之層。
第1層可使用可與接著力調整處理前之第1接著層接著且可使第1接著層表現出所需接著力者。作為第1層,例如可列舉樹脂層、金屬箔等金屬層、於樹脂層之一或兩面具有金屬膜之蒸鍍膜、脫模紙等紙、該等材料之複合材等。
作為樹脂層,並無特別限定,例如可列舉包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚乙烯、聚丙烯等烯烴、聚醯亞胺、環狀聚烯烴、三乙醯纖維素等樹脂之層。
又,作為金屬箔,例如可列舉銅箔、鋁箔等。作為銅箔,可使用包含銅之單金屬之箔,亦可使用包含銅與其他金屬(例如,錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金之箔。
其中,第1層較佳為樹脂層。如下文所述,於將接著力調整處理後之剝離位置設定於第1接著層與構造體之間之情形時,第1層較佳為樹脂層。其原因在於能夠提高第1接著層與接著力調整處理後之第1層之間之接著力。作為此種情形時之第1層,具體而言,較佳為包含PET等聚酯、聚醯亞胺、聚丙烯、聚乙烯等之樹脂層。
關於第1層,可對與第1接著層相接之側之面實施表面處理。其原因在於:能夠提高與接著力調整處理前後之第1接著層、尤其是接著力調整處理後之第1接著層之間之接著力,能夠使接著力調整處理後之第1接著層與第1層之間不易剝離。對第1層之第1接著層側之面進行表面處理之方法可視構成第1層之材料之種類適當選擇,例如可列舉氧化法、凹凸化法等公知之方法。
第1層之厚度並無特別限制,較佳為可獲得至少能夠支持第1接著層及構造體之程度之強度的厚度,例如可設為5 μm以上且1000 μm以下之範圍內。第1層可為膜狀,亦可為片狀。其中,就剝離之觀點而言,較佳為膜狀。
第1層可具有透光性,亦可不具有透光性。於第1接著層為能量線響應性接著層之情形時,第1層較佳為具有能量線透過性。其原因在於:自第1層側照射能量線,能夠使第1接著層之接著力容易地降低。第1層之能量線透過性可視照射之能量線之種類、構成第1層之材料相對於能量線之感度而適當設定。例如,若能量線為光線,則較佳為第1層之400 nm以下之透光率為60%以上。再者,透光率可使用市售之分光光度計(例如,島津製作所公司製造之MPC2200)進行測定。
又,於第1接著層為加熱剝離型感溫性接著層之情形時,第1層較佳為具有耐熱性。其原因在於:於藉由加熱處理使第1接著層之接著力降低時,能夠防止第1層之熱劣化,能夠容易地進行剝離。第1層較佳為具有可耐加熱剝離型感溫性接著層之加熱處理溫度的耐熱性,具體而言,較佳為第1層之熔點高於加熱處理溫度。
C.構造體 本發明之積層體中之構造體係配置於上述第1接著層之與上述第1層側為相反側的構件。藉由直接轉印或經由其他層呈圖案狀轉印至第2層之一面,而具有適合於用途之功能。於本發明之積層體中,於第1接著層之與第1層相反之側呈圖案狀配置有1個以上構造體。
構造體可具有適合於本發明之積層體之用途之形狀,例如可設為片材或薄膜等層狀、球(ball)狀、立方體、長方體等立體狀等形狀。層狀之構造體可為單層,亦可具有積層構造。構造體之大小或厚度可視構造體之功能或形態、本發明之積層體之用途而適當設定。
作為構造體之材料,可視本發明之實施態樣之積層體之用途、構造體之功能或物性而選擇,例如可列舉樹脂、金屬、細胞等。
構造體本身可具有接著性,亦可不具有接著性。於構造體具有接著性之情形時,本發明之積層體能夠不另行經由接著層等將包含構造體之圖案部直接轉印至第2層。此處,所謂構造體具有接著性,除包含構造體於常溫下具有黏性(黏著性)以外,亦包含藉由加壓或加熱表現出黏性。
作為構造體具有接著性之情形時之接著力,只要能夠與作為被轉印體之第2層充分地接著,則並無特別限定,例如可設為0.1 N/25 mm以上且5 N/25 mm以下之範圍內,較佳為0.5 N/25 mm以上且1 N/25 mm以下之範圍內。構造體之接著力可依據JIS Z0237-2009進行測定。測定方法之詳細情況與「A.第1接著層」之項中所說明之接著力之測定方法相同。
另一方面,於構造體不具有接著性之情形時,藉由於構造體之與第1接著層側為相反側具有下文所述之第2接著層,本發明之積層體能夠將包含構造體及第2接著層之圖案部轉印至第2層。即,構造體可經由第2接著層間接地轉印至第2層。
構造體可除上述接著性以外視構造體之種類、本發明之積層體之用途等而具有所需功能或物性。作為構造體所要求之物性,例如可列舉耐熱性、耐化學品性等。
以下,針對本發明之構造體,有條理地進一步詳細地說明本發明之實施態樣之積層體之用途例。
(用途例1) 用途例1為將本發明之積層體用作轉印用載片之例,例如可用於附凹部多層體之製造。具體而言,藉由將構成多層體之一構件作為第2層,並使用本發明之積層體將包含構造體之圖案部轉印至上述第2層,進而於上述構造體上配置多層體之構成構件,可於多層體之製造中將圖案狀之構造體配置於所需位置。並且,藉由根據構造體之配置位置對多層體進行劃分之後將俯視下與構造體重疊之劃分區域剝離去除,可於多層體形成凹部。關於用途例1,由於會於下文所述之「B.附凹部多層體之製造方法」之項中詳細地進行說明,因此,此處省略說明。
於用途例1中,構造體可設為構成多層體之構件。例如,若於用途例1中用於附凹部多層配線板之製造之情形時,作為上述構造體,可使用適合於使用上述積層體之步驟之構件,具體而言,可列舉保護層、配線圖案、焊球等。其中,作為上述構造體,可較佳地使用保護層。
於用途例1中,構造體之材料可適當選擇表現出適合於使用積層體之步驟之物性之材料。例如,若上述構造體為保護層,則作為構造體之材料,可列舉樹脂。又,若上述構造體為配線圖案,則作為構造體之材料,可列舉一般用於配線之金屬、導電性材料等。
於用途例1中,構造體可視用途而具有所需物性。於此情形時,構造體之材料可視物性而適當選擇。例如,構造體可具有接著性。作為具有接著性之構造體之材料,例如可列舉聚胺基甲酸酯、丁基橡膠、聚苯乙烯系彈性體等黏著性橡膠等。該等材料可使用1種或2種以上。
又,於用途例1中,構造體可具有耐熱性。其原因在於能夠抑制因熱而產生之構造體之尺寸變化。尤其於上述構造體為保護層且於用途例1中用於附凹部多層配線板之製造之情形時,由於包含加熱之步驟、及需要形成較高之尺寸精度之凹部,因此對上述構造體要求高耐熱性。作為具有耐熱性之構造體之材料,例如可列舉:聚醯亞胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂等。該等樹脂可使用1種或2種以上。其中,聚苯硫醚(PPS)樹脂就亦具有下文所述之耐化學品性等之方面而言較佳。
進而,於用途例1中,構造體亦可除耐熱性以外還具有耐久性、耐化學品性等。其原因在於:於在用途例1中用於附凹部多層配線板之製造之情形時,例如於進行藥液處理等之情形時,能夠抑制構造體及第2層因藥液而引起劣化。又,其原因在於:於剝離去除劃分區域時,能夠抑制糊劑殘留之產生。
於用途例1中,圖案狀之構造體係呈圖案狀配置1個以上構造體而成。關於構造體之每單元之俯視形狀,於在用途例1中用於附凹部多層配線板之製造之情形時,可使之與附凹部多層體之凹部之每單元之俯視形狀相當。又,構造體之配置圖案可設為與形成於多層體之凹部之配置圖案相同。
(用途例2) 用途例2為將本發明之積層體用作細胞圖案轉印用積層體之例。即,藉由將活體組織、培養基板等作為第2層且使用本發明之積層體將包含構造體之圖案部轉印至第2層,可將細胞圖案移植至活體組織中。
於用途例2中,作為構造體,例如可列舉細胞片。細胞片為培養細胞集合並層狀化而成之薄片。作為構成細胞片之細胞,例如可列舉血球系細胞或淋巴系細胞等懸浮細胞、黏著性細胞等。具體而言,可列舉日本專利特開2007-014753號中揭示之細胞。
於用途例2中,圖案狀之構造體係呈圖案狀配置1個以上構造體而成,且構造體之每單元之俯視形狀可與細胞圖案轉印用積層體中之細胞片之每單元之俯視形狀相當。又,構造體之配置圖案可設為與細胞圖案轉印用積層體中之細胞片之配置圖案相同。
D.第2接著層 本發明之積層體於上述構造體之與上述第1接著層側為相反側可具有與上述第1接著層不同之組成之第2接著層。其原因在於:於構造體不具有接著性之情形時,藉由於構造體之與第1接著層側為相反側之面具有第2接著層,可經由第2接著層將構造體轉印至第2層。此時,轉印至第2層之圖案部自第2層側至少依序具有第2接著層及構造體。 圖5係表示本發明之積層體之另一例之概略剖視圖,於構造體3之與第1接著層2側為相反側具有第2接著層4。再者,圖5中,將構造體3與第2接著層4之間之接著力設為N3
。除此以外,圖5中未說明之符號與圖1~圖3相同。
第2接著層具有接著性及/或黏著性。第2接著層由於配置於構造體之與第1接著層側為相反側之面上,因此通常為具有與構造體相同形狀之圖案狀。
第2接著層具有與第1接著層不同之組成。所謂與第1接著層不同之組成,係指於受到對第1接著層之接著力調整處理時,接著力不易降低之組成。具體而言係指接著力調整處理後之第2接著層之接著力高於接著力調整處理後之第1接著層的組成。尤其第2接著層較佳為接著力不因各種接著力調整處理而降低之組成。
第2接著層之組成只要能夠表現出所需接著力則並無特別限定,可列舉以熱塑性樹脂、硬化性樹脂等一般用於接著劑或黏著劑之樹脂為主成分之組成。作為上述樹脂,例如可列舉:丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、橡膠、聚矽氧樹脂、聚酯樹脂等。該等樹脂可包含1種,亦可包含2種以上。其中,丙烯酸系樹脂就透明性、耐久性、耐熱性、成本優異之方面而言較佳。丙烯酸系樹脂並無特別限定,可使用先前公知之丙烯酸系單體或甲基丙烯酸系單體之聚合物。具體而言,可列舉日本專利特開2009-226621號公報所揭示之用於接著層之單體之聚合物。第2接著層亦可視需要包含「A.第1接著層」之項中所說明之添加劑。
第2接著層較佳為具有適合於本發明之積層體之用途之物性。例如,若為將本發明之積層體用於下文所述之附凹部多層體之製造方法之情形時,第2接著層較佳為具有耐熱性或耐化學品性。
第2接著層較佳為對構造體及成為被轉印體之第2層之各者具有所需接著性。其原因在於:於接著力調整處理後將構造體自本發明之積層體剝離時,存在構造體與第2接著層之間產生剝離之情況,又,存在難以將構造體經由第2接著層轉印至第2層之情況。第2接著層之接著力例如可設為0.1 N/25 mm以上且5 N/25 mm以下之範圍內,較佳為0.5 N/25 mm以上且1 N/25 mm以下之範圍內。第2接著層之接著力可依據JIS Z0237-2009進行測定。測定方法之詳細情況與「A.第1接著層」之項中所說明之接著力之測定方法相同。
第2接著層之厚度並無特別限定,可以能夠對構造體及第2層表現出所需接著力之方式適當進行設計,例如可設為1 μm~500 μm之範圍內,較佳為設為5 μm~50 μm之範圍內。
E.任意之構成 若於本發明之積層體具有接著性之情形時,可於構造體之與第1層側為相反側具有剝離層。又,若於本發明之積層體具有第2接著層之情形時,可於第2接著層上具有剝離層。剝離層可為與構造體相同之圖案狀,亦可為俯視下覆蓋第1層之構造體之配置面之整個區域之形狀。剝離層可使用先前公知者。
F.其他 本發明之積層體可將至少包含構造體之1個以上之圖案部一次地轉印至第2層。圖案部係於第2層上呈圖案狀配置。
1.第2層 第2層係自本發明之積層體轉印包含構造體之圖案部時之成為被轉印體的構件,作為任意之構成之剝離層除外。第2層可視本發明之積層體之用途而適當選擇。例如,若於將本發明之積層體用於下文所述之附凹部多層體之製造之情形時,第2層可設為構成多層體之構件之一。具體而言,若多層體為多層配線板,則作為第2層,可列舉配線層等金屬層、絕緣層或樹脂基板等樹脂層等。又,若為將本發明之積層體用作細胞圖案轉印用積層體之情形時,作為第2層,可列舉培養基板、活體組織等。
第2層可為與第1層相同之材質,亦可為不同之材質。但是,於構造體之一面與第1接著層相接且另一面與第2層相接之情形時,第2層之材質較佳為以如下方式進行選擇:於接著力調整處理前後,構造體與第2層之間之接著力與第1接著層與構造體之間之接著力不同。
2.層間接著力之關係 關於本發明之積層體,接著力調整處理前之第1接著層與第1層之間之接著力N1
、及接著力調整處理後之第1接著層與第1層之間之接著力N1
'可具有N1
>N1
'之關係,亦可具有N1
<N1
'之關係。又,接著力調整處理前之第1接著層與構造體之間之接著力N2
、及接著力調整處理後之第1接著層與構造體之間之接著力N2
'可具有N2
>N2
'之關係,亦可具有N2
<N2
'之關係。
於接著力調整處理前,接著力N1
及接著力N2
之大小關係並無特別限定,例如可具有N1
>N2
之關係。
另一方面,於接著力調整處理後,接著力N1
'及接著力N2
'可具有N1
'>N2
'之關係,亦可具有N1
'<N2
'之關係,可視將包含構造體之圖案部轉印至第2層時之剝離位置適當設定。即,若為N1
'>N2
',則於將圖案部轉印至第2層時,可使第1接著層與構造體之界面容易剝離,另一方面,若為N1
'<N2
',則於將圖案部轉印至第2層時,可使第1接著層與第1層之界面容易剝離。
接著力處理前後之第1接著層與第1層之間之接著力N1
、N1
'不論第1層之材質或種類如何,均較佳為表現出所需大小。作為接著力N1
,例如可設為0.05 N/25 mm以上,尤其可設為0.1 N/25 mm以上且0.5 N/25 mm以下之範圍內。接著力N1
之上限並無特別限定,可設為5 N/25 mm以下。另一方面,作為接著力N1
',例如可設為5 N/25 mm以下,尤其可設為0.1 N/25 mm以上且1 N/25 mm以下之範圍內。
又,接著力處理前後之第1接著層與構造體之間之接著力N2
、N2
'不論構造體之材質之材質或種類如何,均較佳為表現出所需大小。作為接著力N2
,例如可設為0.5 N/25 mm以上且10 N/25 mm以下之範圍內,尤其可設為1 N/25 mm以上且5 N/25 mm以下之範圍內。又,作為接著力N2
',例如可設為0.05 N/25 mm以上且2 N/25 mm以下之範圍內,尤其可設為0.05 N/25 mm以上且0.5 N/25 mm以下之範圍內。
各接著力係將接著層分別轉印至PET基材,設為PET/接著層之構成,逐個被黏著體地進行測定。測定方法及測定條件可設為與「A.第1接著層 2.其他」之項中所說明之接著力之測定方法及測定條件相同。
於本發明之積層體中,於構造體具有接著性之情形時,如圖3(a)~(b)所示,本形式之積層體於構造體之與第1接著層側為相反側之面與第2層相接。再者,將構造體與第2層之間之接著力設為N4
。於構造體具有接著性之情形時,於接著力調整處理前,接著力N1
、接著力N2
、及接著力N4
之大小關係並無特別限定,例如可具有N1
>N2
>N4
之關係。
另一方面,於接著力調整處理後,作為接著力N1
'、接著力N2
'、及接著力N4
之大小關係,較佳為接著力N4
最大,例如可具有N4
>N1
'>N2
'之關係,亦可具有N4
>N2
'>N1
'之關係。其原因在於:藉由接著力N1
、接著力N2
、及接著力N4
之間具有上述關係,於第1接著層與構造體之界面、或第1接著層與第1層之界面容易優先地產生剝離,因此能夠容易地將構造體轉印至第2層,且能夠以充分之接著力將構造體固定於第2層。
又,於本發明之積層體於上述構造體之與上述第1接著層側為相反側具有上述第2接著層之情形時,本發明之積層體於上述第2接著層之與構造體側為相反側之面與第2層相接。關於本發明之積層體,於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時,可大致分為:第1形式,其於接著力調整處理前後,於上述第1接著層與上述構造體之間及上述第2接著層與上述第2層之間具有所需接著力之關係;及第2形式,其於上述第1層與上述第1接著層之間及上述第2接著層與上述第2層之間具有所需接著力之關係。以下,針對各形式進行說明。
(a)第1形式 關於本形式之積層體,於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時,上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力N2
為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力N5
以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力N2
'低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力N5
。
圖6(a)~(c)係對使用本發明之積層體之第1形式將構造體轉印至第2層之步驟之另一例進行說明的模式圖,表示將包含構造體3及第2接著層4之圖案部20轉印至第2層11之例。於圖6中,將第2接著層4與第2層11之間之接著力設為N5
。除此以外,關於在圖6中未說明之符號,與圖1~圖5相同。
根據本形式,藉由於接著力調整處理前後於第1接著層與構造體之間、及第2接著層與第2層之間分別具有特定之接著力之關係,如圖6(c)所示,於第1接著層與構造體之間因接著力調整處理而產生剝離,從而能夠將至少包含構造體之圖案部一次地轉印至第2層。轉印至第2層之圖案部可自第2層側具有第2接著層及構造體,且呈圖案狀配置於第2層上。再者,於本形式中,由於第1接著層會殘留於第1層側,因此第1接著層可覆蓋第1層之一面之整個區域,亦可為與構造體相同之圖案狀。
本形式較佳為於接著力調整處理前,接著力N2
及接著力N5
具有N2
≧N5
之關係。又,於接著力調整處理前,接著力N1
、接著力N2
、及接著力N3
之大小關係並無特別限定,例如可具有N1
>N2
>N3
之關係。藉由於接著力N1
、接著力N2
、接著力N3
、及接著力N5
之間具有上述關係,能夠容易地進行再次之重貼及位置調整。另一方面,本形式較佳為於接著力調整處理後,接著力N2
'及接著力N5
具有N2
'<N5
之關係,更佳為於接著力N1
'、接著力N2
'、接著力N3
、及接著力N5
中,接著力N2
'最小。又,接著力N1
'與接著力N3
或接著力N5
之間之接著力之關係並無特別限定,例如可具有N3
≧N1
'之關係、N5
>N1
'之關係。藉由於接著力調整處理前後分別具有上述關係,若為接著力調整處理前,則能夠進行位置之再調整,若為接著力調整處理後,則能夠將第1基材及第1接著層同時剝離。
接著力N3
、接著力N5
之具體之值並無特別限定,可視構造體之材質或種類分別具有所需大小。
於本形式中,不論第2層及構造體之材質或種類如何,均較佳為接著力N2
'與接著力N5
之差Δ(N5
-N2
')為0.1 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下之範圍內,其中較佳為0.5 N/25 mm以上且2.0 N/25 mm以下之範圍內。其原因在於:藉由Δ(N5
-N2
')處於上述範圍內,於轉印時,能夠容易使第1接著層與構造體之界面產生剝離。Δ(N5
-N2
')係將第1接著層、第2接著層分別轉印至PET基材,設為PET/接著層之構成,逐個被黏著體地進行測定,並算出其差。測定方法及測定條件可設為與「A.第1接著層 2.此外」之項中所說明之接著力之測定方法及測定條件相同。
本形式可不限於本發明之積層體之用途而進行應用,尤其較佳為作為用作細胞圖案轉印用積層體之情形之形式。其原因在於存在如下情況:若於細胞圖案上殘存第1接著層,則會阻礙細胞之功能。
(b)第2形式 關於本形式之上述積層體,於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時,較佳為上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力N1
為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力N5
以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力N1
'低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力N5
。
圖7(a)~(c)係對使用本發明之積層體之第2形式將構造體轉印至第2層之步驟之另一例進行說明的模式圖,表示將接著力調整處理後之包含第1接著層2、構造體3、及第2接著層4之圖案部20轉印至第2層11之例。再者,關於在圖7中未說明之符號,與圖1~圖6相同。
根據本形式,藉由於接著力調整處理前後,於上述第1層與上述第1接著層之間及上述第2接著層與上述第2層之間具有上述接著力之關係,於第1層與第1接著層之間因接著力調整處理而產生剝離,從而能夠將至少包含構造體之圖案部一次地轉印至第2層。轉印至上述第2層之圖案部自上述第2層側依序具有第2接著層、構造體、及第1接著層,且上述圖案部呈圖案狀配置於上述第2層上。於本形式中,由於第1接著層會殘留於構造體側,因此上述第1接著層較佳為與構造體相同之圖案狀。
本形式較佳為於接著力調整處理前,接著力N1
及接著力N5
具有N1
≧N5
之關係。又,於接著力調整處理前,接著力N1
、接著力N2
、及接著力N3
之大小關係並無特別限定,例如可設為N1
>N2
>N3
。另一方面,本形式較佳為於接著力調整處理後,接著力N1
'及接著力N5
具有N1
'<N5
之關係,更佳為接著力N1
'、接著力N2
'、接著力N3
、及接著力N5
中,接著力N1
'最小。其原因在於:藉由於接著力調整處理前後分別具有上述關係,能夠僅將第1層去除。
本形式中之接著力N3
、接著力N5
與第1形式相同。
於本形式中,不論第1層及第2層之材質或種類如何,均較佳為接著力N1
'與接著力N5
之差Δ(N5
-N1
')為0.1 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下之範圍內,尤其較佳為0.5 N/25 mm以上且2.0 N/25 mm以下之範圍內。其原因在於:藉由Δ(N5
-N1
')處於上述範圍內,於轉印時,能夠容易使第1接著層與構造體之界面產生剝離。Δ(N5
-N1
')之算出方法可設為與Δ(N5
-N2
')之算出方法相同。
本形式可不限於本發明之積層體之用途而進行應用,尤其較佳為作為用於附凹部多層體之製造之情形時之形式。其原因在於:於使用本發明之積層體將構造體轉印至第2層之後使其他層積層於構造體上時,藉由殘存於第1接著層之接著力能夠將其他層暫時固定。
(c)其他 於本形式之積層體於第2接著層上具有剝離層之情形時,較佳為接著力調整處理前之接著力N1
、接著力N2
、接著力N3
高於第2接著層與剝離層之間之接著力N6
。
F.製造方法 作為本發明之積層體之製造方法,並無特別限定,可視用途適當選擇。例如可使用下述方法。
(1)第1例 作為本發明之積層體之製造方法之第1例,可列舉如下方法:將具有第1層及第1接著層之第1構件與包含配置於剝離層上之圖案狀之構造體之第2構件進行貼合,而於第1接著層上配置構造體。
具體而言,首先於第1層上形成第1接著層,獲得第1構件。又,於剝離層上之整個面配置構造體形成用層,獲得第2構件。構造體形成用層係經圖案化而成為構造體者,構造體形成用層之材料與構造體相同。繼而,於剝離層上將構造體形成用層圖案化成所需形狀,形成圖案狀之構造體。可藉由將第2構件之與剝離層側為相反側之面與第1構件之第1接著層進行貼合,而獲得於第1接著層上配置有圖案狀之構造體的本發明之積層體。於構造體形成用層不具有接著性之情形時,第2構件設為於剝離層上依序配置第2接著層及構造體形成用層之構造,並於剝離層上將構造體形成用層及第2接著層圖案化成所需形狀,其後,與第1構件之第1接著層貼合。
作為第1接著層之形成方法,可藉由於第1層之一面塗佈包含上述「A.第1接著層」之項中所說明之組成之接著劑組合物並將溶劑去除而形成。作為具體之塗佈方法,並無特別限定,例如可使用日本專利特開2015-108156號公報所揭示之方法。又,亦可使用包含上述「A.第1接著層」之項中所說明之組成之市售之膠帶作為第1接著層並貼附於第1層上而形成。第2接著層亦可藉由與第1接著層相同之方法於剝離層上形成。
作為構造體形成用層之形成方法,並無特別限定,可視構造體之種類適當選擇。例如可列舉於剝離層上或第2接著層上塗佈構造體之材料之方法等。作為構造體形成用層之圖案化之方法,可視構造體之種類適當選擇,例如可使用沖裁、半切等公知之方法。將除成為構造體形成用層之構造體之區域以外之區域進行剝離去除。
上述製造方法之例係將配置於剝離層上之整個面之構造體形成用層進行圖案化而形成構造體,亦可於剝離層上直接呈圖案狀形成構造體。作為於剝離層上形成構造體之方法,可視構造體之種類適當選擇,例如可列舉印刷法等。
(2)第2例 作為本發明之積層體之製造方法之第2例,可列舉如下方法:於第1層上形成第1接著層,並於第1接著層上直接呈圖案狀形成構造體。作為於第1接著層上直接形成構造體之方法,可視構造體之種類適當選擇,例如可列舉印刷法等。
(3)第3例 作為本發明之積層體之製造方法之第3例,可列舉如下方法:如圖8所例示,準備至少依序積層有第1層1、第1接著層2及構造體形成用層3A之積層體50(圖8(a)),至少將構造體形成用層3A進行圖案化,形成圖案狀之構造體3(圖8(b))。作為構造體形成用層之圖案化方法,可設為與製造方法之第1例所述之方法相同。又,於將構造體形成用層進行圖案化時,第1接著層亦可一併進行圖案化。
(4)第4例 作為本發明之積層體之製造方法之第4例,可列舉如下方法:準備至少依序積層有第1剝離層、第1接著層、構造體形成用層、及第2剝離層之積層體,至少將第1剝離層、第1接著層、及構造體形成用層進行圖案化,其後,將第1剝離層剝離並配置第1層。根據該方法,能夠於第1層上呈圖案狀形成包含構造體及第1接著層之圖案部。作為圖案化方法,可設為與製造方法之第1例所述之方法相同。
G.用途 本發明之積層體可視構造體所具有之功能等而用於需要圖案狀之構造體之轉印之各種用途。例如,本發明之積層體可製成轉印用載片。具體而言,本發明之積層體可製成如下保護層轉印用載片:第1層為基材、構造體為保護層,且具有:具有基材及第1接著層之承載膜、及圖案狀之保護層。藉由將本發明之積層體製成保護層轉印用載片,能夠將圖案狀之保護層轉印至第2層之所需位置。保護層轉印用載片於附凹部多層體之製造中可較佳地使用於凹部之形成。其中於附凹部多層體為附凹部多層配線板之情形時,藉由轉印保護層並覆蓋其他層之表面,能夠保護其他層免遭藥液等破壞。關於使用本發明之積層體之附凹部多層體之製造方法,於下文進行敍述。又,保護層轉印用載片亦可用作利用圖案狀之保護層遮蔽第2層之所需位置之遮蔽材。
又,本發明之積層體例如可製成如下細胞圖案轉印用積層體:第1層為基材、構造體為細胞片,且具有:具有基材及第1接著層之細胞支持層、及圖案狀之細胞片。藉由將本發明之積層體製成細胞圖案轉印用積層體,不論形狀或尺寸如何,均能夠將細胞圖案容易地直接轉印至細胞培養基板或活體組織等之第2層。又,藉由對第1接著層之種類進行選擇,能夠於不破壞細胞之情況下進行轉印。
II.附凹部多層體之製造方法 本發明之附凹部多層體之製造方法係使用上述積層體之於多層體之一面具備具有開口之凹部的附凹部多層體之製造方法,該方法包括如下步驟:接觸步驟,其係使上述積層體之上述構造體直接接觸上述第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸上述第2層之一面;接著力調整步驟,其係藉由上述接著力調整處理使上述第1接著層之接著力降低;轉印步驟,其係至少將上述第1層剝離,並將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀轉印至上述第2層;積層步驟,其係於上述第2層之具有上述圖案部之側之面積層1層以上之其他層;劃分步驟,其係將上述圖案部及上述1層以上之其他層劃分成包含上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層之第1區域、及除此以外之第2區域;及凹部形成步驟,其係將上述第1區域剝離去除,而形成上述凹部。
圖9係表示本發明之附凹部多層體之製造方法之一例的步驟圖。再者,關於接觸步驟、接著力調整步驟及轉印步驟,由於在圖3、圖6、圖7中進行過說明,因此此處之圖示及說明省略。圖3係表示於接觸步驟中使上述積層體之上述構造體直接與上述第2層之一面接觸之情況,圖6、圖7係表示於接觸步驟中使上述積層體之上述構造體經由上述第2接著層間接地與上述第2層之一面接觸之情況。如圖3、圖6、圖7所圖示,於實施接觸步驟(圖3(a)、圖6(a)、圖7(a))、接著力調整步驟(圖3(b)、圖6(b)、圖7(b))、及轉印步驟(圖3(c)、圖6(c)、圖7(c))之後,於上述第2層11之具有上述圖案部20之側之面積層1層以上其他層12(12A~12C)(圖9(a),積層步驟)。繼而,於上述第2層11中,將上述圖案部20及上述1層以上其他層12A~12C劃分為包含上述圖案部20及俯視下處於與上述圖案部20重疊之位置之上述其他層12A~12C的第1區域51、及除此以外之第2區域52(圖9(b),劃分步驟)。其後,將上述第1區域51剝離去除,而形成凹部P(圖9(c),凹部形成步驟)。藉此獲得附凹部多層體30。
例如,就包含軟性印刷配線板(FPC)之零件安裝多層配線板而言,正在推進採用於多層配線板之一表面設置具有開口之凹部並於上述凹部內載置晶片等零件的構造(參照專利文獻2)。根據上述構造,能夠將先前載置於多層配線板之表面之電子零件載置於凹部內,因此能夠謀求零件安裝多層配線板整體之薄型化或小型化。
此處,作為於多層配線板等多層體形成凹部之方法,一般為藉由立銑刀等之切割加工或雷射加工等。然而,該等方法由於需要對欲設置凹部之部位逐個地進行加工,因此存在如下問題:無法容易地設置凹部、於加工時於凹部之形成位置產生偏移、其他層因凹部之形成位置偏移而受損傷等。
對於此種問題,本發明者等人發現了如下方法作為於多層配線板形成凹部之方法:於製造多層體時,於上述多層體內配置成為上述剝離之起點之構造體,對俯視下與上述構造體重疊之多層體之區域藉由半切等進行劃分並進行剝離,藉此於多層體之所需位置容易地形成凹部。推測根據該方法,能夠於上述劃分區域之位置容易地形成凹部,且能夠抑制加工時之位置偏移或對其他層之損傷等。
然而,上述方法存在如下情況:必須於多層體內根據欲設置凹部之位置分別配置上述構造體,不僅配置作業繁雜化,而且配置位置精度降低。又,上述構造體由於配置於多層體內且成為剝離之起點,因此要求厚度較薄、具有可撓性、尺寸較小等。尤其於上述多層體為多層配線板之情形時,對上述構造體之該等要求會提高。然而,若根據凹部之形成位置以成為圖案狀之方式分別配置此種構造體,則操作性較差,因此存在配置作業進一步繁雜化之問題。
又,作為於上述多層體內配置構造體之又一方法,亦可假定如下方法:於成為被黏著體之層(本發明之附凹部多層體之製造方法之第2層)上直接藉由圖案化形成上述構造體。然而,存在如下問題:步驟數增加、因圖案化之方法而對其他層造成不良影響等。
因此,本發明者等人發現藉由使用「I.積層體」之項中所說明之積層體能夠利用更簡便之方法將構造體呈圖案狀配置於上述多層體內。即,若於使第2層與上述積層體接觸之狀態下進行上述接著力調整處理,則上述積層體之第1接著層之接著力降低,包含構造體之圖案部能夠容易地剝離。因此,能夠不限於上述構造體之形狀或厚度、尺寸等而將上述圖案部呈圖案狀一次地轉印至上述第2層之所需位置,且能夠提高轉印精度。並且,藉由於上述第2層之轉印有上述圖案部之面上積層其他層,而使上述圖案部呈圖案狀配置於多層體之內部,藉由於上述第2層上劃分具有上述圖案部之第1區域,以上述圖案部為起點,能夠將上述第1區域一次地剝離去除。藉此,能夠於多層體之一面側呈圖案狀一次地形成具有開口之凹部。此時,能夠結合上述圖案部之位置進行第1區域之劃分,因此能夠提高凹部之形成位置精度。 以下,針對發明之附凹部多層體之製造方法之各步驟進行說明。
1.接觸步驟 本發明之接觸步驟係使上述積層體之上述構造體直接接觸上述第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸上述第2層之一面的步驟。
(1)積層體 關於在本步驟中所使用之積層體,由於在上述「I.積層體」之項詳細地進行過說明,因此此處省略說明。
(2)第2層 於本步驟中所使用之第2層可視目標之附凹部多層體而適當選擇,例如可列舉於上述「I.積層體」之項所例示之構件。上述第2層可於與上述積層體側為相反側之面預先具有其他層。關於其他層,於下文進行敍述。
(3)接觸方法 於本步驟中,使上述積層體具有之圖案狀之構造體直接接觸上述第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸上述第2層之一面。於上述積層體之構造體具有接著性之情形時,可使上述積層體之構造體直接與上述第2層之一面接觸。又,於上述積層體於構造體之與上述第1接著層側為相反側具有第2接著層之情形時,可使上述構造體經由上述第2接著層間接地與上述第2層之一面接觸。作為使上述積層體之上述構造體與上述第2層之一面接觸之方法,並無特別限定,可使用普通之方法。例如可列舉單片方式、卷對卷方式等各種方法。
2.接著力調整步驟 本發明之接著力調整步驟係藉由上述接著力調整處理使上述第1接著層之接著力降低之步驟。
上述接著力調整處理係為了使上述積層體之上述第1接著層之接著力降低而進行。上述接著力調整處理可視上述「I.積層體」之項中所說明之第1接著層之態樣進行選擇。以下,針對接著力調整處理而對第1接著層之態樣逐個地進行說明。
(1)第1態樣之第1接著層之情形 於上述第1接著層為第1態樣即感溫性接著層之情形時,本步驟係進行加熱處理或冷卻處理作為接著力調整處理。
若本態樣之第1接著層為加熱剝離型感溫性接著層,則可藉由進行對上述第1接著層進行加熱之加熱處理作為接著力調整處理,而使上述第1接著層之接著力降低。作為此時之加熱溫度,可設為上述加熱剝離型感溫性接著層之開關溫度以上之溫度。作為加熱剝離型感溫性接著層之加熱方法,例如可列舉於烘箱內進行加熱之方法、於加熱板上進行加熱之方法、使用點式加熱器進行加熱之方法。作為加熱時間,可以加熱處理後之本態樣之第1接著層之接著力成為上述「I.積層體」之項中所說明之範圍內之方式適當設定。上述加熱處理之條件並無特別限定,例如可設為60℃且10分鐘。
另一方面,若本態樣之第1接著層為冷卻剝離型感溫性接著層,則可藉由進行將上述第1接著層進行冷卻之冷卻處理作為上述接著力調整處理,而使上述第1接著層之接著力降低。作為此時之冷卻溫度,可設為上述冷卻剝離型感溫性接著層之開關溫度以下之溫度。作為冷卻剝離型感溫性接著層之冷卻方法,例如可列舉置於冰箱內進行冷卻之方法、於冷卻板上進行冷卻之方法。作為冷卻時間,可以冷卻處理後之本態樣之第1接著層之接著力成為上述「I.積層體」之項中所說明之範圍內之方式適當設定。上述冷卻處理之條件並無特別限定,例如可設為5℃且20分鐘。
(2)第2態樣之第1接著層之情形 於上述第1接著層為第2態樣即能量線響應性接著層之情形時,本步驟中,進行能量線照射處理作為接著力調整處理。於本步驟中,可藉由對上述第1接著層照射能量線作為上述能量線照射處理,而使第1接著層之接著力降低。
關於上述能量線,由於在上述「I.積層體」之項進行過說明,因此此處省略說明。能量線之光源只要能夠發出所需波長域之光則無特別限定。於使用紫外線作為能量線之情形時,例如可列舉發出150 nm~450 nm波長域之光之高壓水銀燈、超高壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、氙氣燈、化學燈等。又,能量線之累計光量可以能量線照射後之本態樣之第1接著層成為上述「I.積層體」之項中所說明之範圍內之方式適當設定。
上述能量線可於上述接觸步驟後自上述積層體之第1層側照射,亦可自第2層側照射。尤其較佳為自上述積層體之第1層側照射。其原因在於:不論第2層之透光性之有無,均可對上述第1層進行能量線照射處理。
(3)第3態樣之第1接著層之情形 於上述第1接著層為第3態樣即電氣響應性接著層之情形時,本步驟中進行電場施加處理或無電場處理作為接著力調整處理。
若本態樣之第1接著層為電剝離性接著層,則可藉由進行對上述第1接著層施加電場之電場施加處理作為接著力調整處理,而使上述第1接著層之接著力降低。作為對上述第1接著層之電場施加方法,並無特別限定,可使用上述「I.積層體」之項中所說明之方法。作為接著力調整處理之條件,例如若為藉由電場施加處理之剝離之情形時,可設為施加電場5 V~50 V之範圍內且10秒~120秒之範圍內。 定義電場之大小之施加電壓之大小及施加時間可以電場施加後之第1接著層之接著力成為所需值之方式適當設定。施加電壓之上限或施加時間之上限就剝離之觀點而言無特別規定,較佳為考慮電場施加裝置或對其他層之影響而進行設定。
另一方面,若本態樣之第1接著層為電接著性接著層,則可藉由進行停止對上述第1接著層之電場施加之無電場處理作為接著力調整處理,而使上述第1接著層之接著力降低。
3.轉印步驟 本發明之轉印步驟係至少將上述第1層剝離並將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀轉印至上述第2層上的步驟。
本步驟中,藉由上述接著力調整步驟,上述第1接著層之接著力降低,因此於積層體中,使第1層於構成所包含之所需積層界面產生剝離。藉此,能夠將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀一次地轉印至上述第2層上。
作為自上述積層體至少將上述第1層剝離之方法,只要為能夠於積層體之所需界面剝離之方法,則並無特別限定,可手動進行剝離,亦可利用機械進行剝離。作為具體之剝離方法,可列舉藉由吸附進行剝離之方法、附著黏著膜並藉由上述黏著膜之黏著力進行剝離之方法等。
於本步驟中,可視積層體之形式而決定藉由接著力調整處理之剝離界面,且可將具有適合於剝離位置之層構成之圖案部呈圖案狀一次地轉印至第2層。即,若上述積層體為上述「I.積層體 F.其他 2.關於層間接著力之關係」之項中所說明之第1形式,則會於第1接著層與構造體之界面產生剝離,從而能夠將第1層及第1接著層剝離。此時,轉印至第2層上之圖案部自第2層側依序具有第2接著層及構造體。 另一方面,若上述積層體為上述「I.積層體 F.其他 2.關於層間接著力之關係」之項中所說明之第2形式,則會於第1層與第1接著層之界面產生剝離,從而能夠將第1層剝離。此時,轉印至第2層上之圖案部自第2層側依序具有第2接著層、構造體、及第1接著層。
4.積層步驟 本發明之積層步驟係於上述第2層之具有上述圖案部之側之面積層1層以上其他層之步驟。
藉由轉印步驟,於第2層之一面上呈圖案狀配置至少包含構造體之圖案部,其他層積層於第2層之具有上述圖案部之側之面。作為上述其他層,可視製造之附凹部多層體之種類適當選擇。例如,若為使用本發明之附凹部多層體之製造方法而製造附凹部多層配線板之情形時,作為上述其他層,一般使用構成多層配線板之層。具體而言,可列舉絕緣層、可撓性配線基板、剛性配線基板等配線基板等。
於上述第2層之具有上述圖案部之側之面,上述其他層可積層1層以上,且可視目標之附凹部多層體適當調整積層數。上述其他層之積層方法並無特別限定,例如可使用塗佈法、層壓法等進行積層。上述其他層可以覆蓋第2層之該面及上述圖案部之與第2層側為相反側之面之方式而形成。若為製造附凹部多層配線板之情形時,作為上述其他層之積層方法,可使用能夠實現導通之方法,例如可與經由導電性凸塊進行積層等一般將配線基板進行多層化時之積層方法相同。又,於積層時,可經由覆蓋層、預浸體、層間接著層、絕緣層等進行積層。再者,上述第2層於與具有上述圖案部之側之面相反之側之面上亦可積層1層以上其他層。
5.劃分步驟 本發明之劃分步驟係將上述圖案部及上述1層以上其他層劃分為包含上述圖案部及俯視下處於與上述圖案部重疊位置之上述其他層的第1區域、及除此以外之第2區域的步驟。配置於上述第2層之具有上述圖案部之側之面上的上述圖案部及上述1層以上其他層於俯視下被劃分為上述第1區域及上述第2區域,且於上述第2層上,各區域分離而獨立存在。
(1)劃分方法 作為對上述第2層上之上述圖案部及上述1層以上其他層進行劃分之方法,只要為能夠於上述第2層上劃分出上述第1區域之方法即可,可為機械方法,亦可為化學方法。
作為上述機械方法,例如可列舉沿著俯視下之上述圖案部之外周將上述第2層上之上述圖案部及上述1層以上其他層向積層方向(厚度方向)切斷而劃分出上述第1區域的半切。具體而言,可使用使安裝有切割刀之上模上下移動而進行切斷之方法、利用針筒型之旋切刀進行切斷之方法、藉由雷射加工手段實施熱處理的方法等進行半切。
作為上述化學方法,例如可列舉沿著俯視下之上述圖案部之外周對上述第2層上之上述圖案部及上述1層以上其他層向積層方向(厚度方向)進行蝕刻而劃分出上述第1區域之半蝕刻。具體而言,可於包含配置於上述第2層之具有上述圖案部之側之面上的上述圖案部及上述1層以上其他層而成之積層體之表面形成與上述圖案部之外周形狀相應之抗蝕劑圖案,並藉由濕式蝕刻法或乾式蝕刻法進行半蝕刻。蝕刻後將上述抗蝕劑圖案去除。
作為劃分方法,尤其較佳為使用機械方法。其原因在於:能夠以較高之位置精度劃分出上述第1區域及上述第2區域。
上述第2層上之上述圖案部及上述1層以上其他層係向厚度(積層)方向被切斷,且被劃分分離成第1區域及第2區域。將劃分分離上述積層體為第1區域及第2區域的切割線稱為劃分線。
於上述劃分步驟中,劃分第1區域及第2區域之劃分線可如圖10(a)所示般形成於上述圖案部之俯視下之外周上,亦可如圖10(b)所示般形成於較上述圖案部之俯視下之外周更靠外側,還可如圖10(c)所示般形成於較上述圖案部之俯視下之外周更靠內側。又,劃分線之寬度並無特別限定,例如可如圖10(d)所示般以包含上述圖案部之俯視下之外周之內側及外側之寬度而形成。 圖10(a)~(d)係說明劃分線之位置之說明圖,左圖為概略俯視圖,右圖為左圖之X-X線剖視圖。又,於圖10中,線L表示劃分線。
關於上述劃分線,視劃分方法,於俯視下可連續亦可斷續。又,上述劃分線於俯視可為直線狀亦可為非直線狀。
上述劃分線較佳為於上述第2層之具有上述圖案部之側之面上貫通上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層。其原因在於:於下文所述之凹部形成步驟中,能夠容易地進行上述第1區域之剝離去除,且能夠使上述第1區域之一部分不易殘留於第2層之面上。再者,上述劃分線可形成於上述第2層之一部分。
上述第1區域於上述第2層之具有上述圖案部之側之面上包含上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層。上述第1區域之俯視形狀可設為與上述圖案部之俯視形狀相同。又,關於上述第1區域之俯視之大小,根據劃分線之位置,可大於上述圖案部之俯視之大小,亦可小於上述圖案部之俯視之大小,還可相同。
6.凹部形成步驟 本發明之凹部形成步驟係將上述第1區域剝離去除而形成上述凹部的步驟。
上述第1區域能夠以上述構造體為起點進行剝離。具體而言,於上述構造體與第2層之接觸界面產生剝離。剝離上述第1區域之方法並無特別限定,例如可列舉藉由吸附進行剝離之方法、附著黏著膜並藉由上述黏著膜之黏著力進行剝離之方法等。
若將上述第1區域剝離去除,則可於多層體之一面形成具有開口之凹部。凹部係於多層體之一面於俯視呈圖案狀形成。上述凹部之俯視下之大小相當於上述第1區域之俯視下之大小。
7.其他 本發明之附凹部多層體之製造方法可除上述步驟以外還包含任意之步驟。例如,於使用本發明之附凹部多層體之製造方法製造附凹部多層配線板之情形時,可包含表面處理步驟、蝕刻步驟、鍍覆步驟等步驟。
本發明之附凹部多層體之製造方法亦可於積層步驟中進而進行使用「I.積層體」之項中所說明之積層體之轉印步驟。其原因在於:能夠將任意之構造體轉印配置於上述其他層之積層層間。 又,本發明之附凹部多層體之製造方法可對第2層之兩面分別進行接觸步驟、接著力調整步驟、轉印步驟、積層步驟、劃分步驟及凹部形成步驟。其原因在於:能夠製造於第2層之兩面具有凹部之多層體。
8.附凹部多層體 藉由本發明之附凹部多層體之製造方法所獲得的附凹部多層體可視第2層及其他層之種類而例如用作附凹部多層配線板。根據本發明之附凹部多層體之製造方法,於多層配線板之製造過程中能夠容易且以較高之位置精度形成凹部,因此可獲得於上述凹部內安裝有零件之零件安裝多層配線板。
III.其他 本發明係包含以下技術性事項者。 (1)一種積層體,其至少依序具有第1層、第1接著層、及圖案狀之構造體,且上述第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。 (2)如(1)記載之積層體,其中上述第1接著層為接受加熱處理或冷卻處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的感溫性接著層。 (3)如(1)記載之積層體,其中上述第1接著層為接受能量線照射處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的能量線響應性接著層。 (4)如(1)記載之積層體,其中上述第1接著層為接受電場施加處理或無電場處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的電氣響應性接著層。 (5)如(1)至(4)中任一項記載之積層體,其中上述構造體具有接著性。 (6)如(1)至(4)記載之積層體,其於上述構造體之與上述第1接著層側為相反側具有與上述第1接著層不同之組成之第2接著層。 (7)如(1)至(6)中任一項記載之積層體,其中上述第1接著層為與上述構造體相同之圖案狀。 (8)如(6)或(7)記載之積層體,其中於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時,上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。 (9)如(7)記載之積層體,其中於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時,上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。
(10)一種附凹部多層體之製造方法,其係使用如(6)、(8)及(9)中任一項記載之積層體的於多層體之一面具備具有開口之凹部的附凹部多層體之製造方法,且該方法包括如下步驟:接觸步驟,其係使上述積層體之上述構造體直接接觸上述第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸上述第2層之一面;接著力調整步驟,其係藉由上述接著力調整處理使上述第1接著層之接著力降低;轉印步驟,其係至少將上述第1層剝離,並將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀轉印至上述第2層;積層步驟,其係於上述第2層之具有上述圖案部之側之面積層1層以上其他層;劃分步驟,其係將上述圖案部及上述1層以上其他層劃分成包含上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層之第1區域、及除此以外之第2區域;及凹部形成步驟,其係將上述第1區域剝離去除,而形成上述凹部。 (11)如(10)記載之附凹部多層體之製造方法,其中上述附凹部多層體為附凹部多層配線板。 (12)一種構造體之轉印方法,其係使用如(6)或(7)記載之積層體之將上述構造體轉印至第2層之構造體之轉印方法,且於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與上述第2層接觸時,上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。 (13)一種構造體之轉印方法,其係使用如(6)記載之積層體之將上述構造體轉印至第2層之構造體之轉印方法,且上述第1接著層為與上述構造體相同之圖案狀,於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與上述第2層接觸時,上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。 [實施例]
以下,例示實施例及比較例,對本發明進一步詳細地進行說明。
[實施例1] 1.積層體之準備 藉由以下方法準備積層體。
(1)接著力可變型接著劑組合物之製備 對包含丙烯酸系聚合物(平均分子量65萬)及能量線聚合化合物(平均分子量65萬)之丙烯酸系黏著劑(E-TEC股份有限公司製造,E-306)100質量份分別添加作為能量線聚合性化合物之丙烯酸胺基甲酸酯(日本合成化學工業股份有限公司製造,商品名:UV-7600B)60質量份、作為9-氧硫系聚合起始劑之2,4-二乙基9-氧硫(日本化藥股份有限公司製造,商品名:KAYACURE DETX-S)0.2質量份、及異氰酸酯系交聯劑(交聯劑,Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造 商品名:Coronate L;固形物成分:75%)1.6質量份,並利用甲苯及甲基乙基酮之混合溶劑稀釋至25%,而製備接著力可變型接著劑組合物。
(2)接著片材A之製作 使用PET膜(TOYOBO製造 商品名:E5100;厚度50 μm)作為第1層,並使用敷料器以加熱乾燥後之塗佈厚度成為10 μm之方式將接著力可變型接著劑組合物塗佈於第1層,並進行乾燥而形成第1接著層。繼而,將具有聚矽氧脫模處理面之輕剝離PET分隔件(TOYOBO製造 商品名:E7006;厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面層壓於第1接著層之露出面,其後,於40℃下實施3天固化,而獲得接著片材A。
(3)構造體片材A之製作 使用依序具有聚醯亞胺膜、丙烯酸系黏著層、及剝離層之耐熱遮蔽膠帶(3M製造 商品名:7414),將聚醯亞胺膜及丙烯酸系黏著層於厚度方向上進行半切,並將聚醯亞胺膜及丙烯酸系黏著層劃分為圖案狀,其後,將無用之部分去除。藉此,於剝離層上配置有具有聚醯亞胺膜及丙烯酸系黏著層之圖案狀之構造體之構造體片材A。
(4)積層體A之製作 將接著片材A之輕剝離PET分隔件剝離,並以所露出之第1接著層之面與構造體片材A之聚醯亞胺膜相接之方式進行貼合,而獲得依序具有PET膜、第1接著層、圖案狀之構造體(自第1接著層側依序具有聚醯亞胺膜、丙烯酸系黏著層)、及構造體片材A之剝離層之積層體A。
2.構造體之轉印 使用壓延銅箔(福田金屬製造 商品名:RCF-T5B-35)作為第2層,將積層體A之輕剝離PET分隔件剝離,並使所露出之丙烯酸系黏著層與第2層接觸,自積層體A之第1層側以500 mJ/cm2
(i射線)進行UV(ultraviolet,紫外線)照射。藉由UV照射,具有第1接著層及第1層之接著片材A能夠自第1接著層與聚醯亞胺膜之界面剝離,從而能夠將具有聚醯亞胺膜及丙烯酸系黏著層之圖案狀之構造體轉印至第2層上。
[實施例2] 1.積層體之準備 藉由以下方法準備積層體。
(1)第2接著層用接著劑組合物之製備 設為丙烯酸系共聚物(綜研化學製造 商品名:SK Dyne 1811L)100質量份,並調配異氰酸酯系硬化劑(綜研化學製造 商品名:L-45;固形物成分45 wt%)3質量份,製備第2接著層用接著劑組合物。
(2)接著片材B之製作 於具有聚矽氧脫模處理面之重剝離型PET分隔件(TOYOBO製造 商品名:E7304;厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面,以乾燥後之厚度成為10 μm之方式使用敷料器塗佈第2接著層用接著劑組合物,其後進行乾燥,而形成第2接著層。繼而,將具有聚矽氧脫模處理面之輕剝離型PET分隔件(TOYOBO製造 商品名:E7006;厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面層壓於第2接著層之露出面,其後,於40℃下實施3天固化,獲得具有第2接著層之接著片材B。
(3)構造體片材B之製作 將接著片材B之輕剝離型PET分隔件剝離,並與聚醯亞胺膜(Toray・Dupont製造 商品名:Kapton 200h)貼合,將聚醯亞胺膜及第2接著層於厚度方向上呈圖案狀進行半切,其後,將無用之部分去除。藉此於重剝離型PET分隔件上配置有具有聚醯亞胺膜及第2接著層之圖案狀之構造體的構造體片材B。
(4)積層體B之製作 將實施例1所製作之接著片材A之輕剝離PET分隔件剝離,並以所露出之第1接著層之面與構造體片材B之聚醯亞胺膜相接之方式進行貼合,而製作積層體B。
2.構造體之轉印 使用與實施例1相同之壓延銅箔作為第2層,將積層體B之重剝離型PET分隔件剝離,並使所露出之第2接著層與第2層接觸,自積層體B之第1層側以500 mJ/cm2
(i射線)進行UV照射。藉由UV照射,具有第1接著層及第1層之接著片材A能夠自第1接著層與聚醯亞胺膜之界面剝離,從而能夠將具有聚醯亞胺膜及第2接著層之圖案狀之構造體轉印至第2層上。
[實施例3] 1.積層體之準備 藉由以下方法準備積層體。
(1)接著片材C之製作 使用具有聚矽氧脫模處理面之重剝離型PET分隔件(TOYOBO製造 商品名:7304;厚度50 μm),並使用敷料器將實施例1所製備之接著力可變型接著劑組合物以加熱乾燥後之塗佈厚度成為10 μm之方式塗佈於第1層之聚矽氧脫模處理面並進行乾燥而形成第1接著層。繼而,將具有聚矽氧脫模處理面之輕剝離型PET分隔件(TOYOBO製造 商品名:E7006;厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面層壓於第1接著層之露出面,其後,於40℃下實施3天固化而獲得接著片材C。
(2)積層體C之製作 將接著片材C之輕剝離型PET分隔件剝離,並將所露出之第1接著層與聚醯亞胺膜(Toray・Dupont製造 商品名:Kapton 200h)之一面貼合,進而將實施例2所製作之接著片材B之重剝離型PET分隔件剝離,並將所露出之第2接著層與聚醯亞胺膜之另一面貼合。繼而,將接著片材B、聚醯亞胺膜、及第1接著層於厚度方向上呈圖案狀進行半切,其後,將無用之部分去除。藉此獲得於接著片材A之重剝離型PET分隔件上配置有依序具有接著片材B之輕剝離型PET分隔件、第2接著層、聚醯亞胺膜及第1接著層之圖案狀之構造體的構造體片材C。其後,將第1接著層側之輕剝離型PET分隔件剝離,並於所露出之第1接著層配置OPP(Oriented PolyPropylene,延伸聚丙烯)基材作為第1層,而獲得積層體C。
2.構造體之轉印 使用與實施例1相同之壓延銅箔作為第2層,將積層體C之輕剝離型PET分隔件剝離,使所露出之第2接著層與第2層接觸,自積層體C之第1層側以500 mJ/cm2
(i射線)進行UV照射。藉由UV照射,第1層能夠自第1層與第1接著層之界面剝離,從而成功將具有第1接著層、聚醯亞胺膜及第2接著層之圖案狀之構造體轉印至第2層上。
1‧‧‧第1層
2‧‧‧第1接著層
3‧‧‧構造體
3A‧‧‧構造體形成用層
4‧‧‧第2接著層
10‧‧‧積層體
11‧‧‧第2層
12‧‧‧其他層
12A‧‧‧其他層
12B‧‧‧其他層
12C‧‧‧其他層
20‧‧‧圖案部
30‧‧‧附凹部多層體
50‧‧‧積層體
51‧‧‧第1區域
52‧‧‧第2區域
L‧‧‧線
N1‧‧‧接著力
N1'‧‧‧接著力
N2‧‧‧接著力
N2'‧‧‧接著力
N3‧‧‧接著力
N4‧‧‧接著力
N5‧‧‧接著力
P‧‧‧凹部
T‧‧‧接著力調整處理
X-X‧‧‧線
圖1係表示本發明之積層體之一例之概略俯視圖。 圖2係圖1之X-X線剖視圖。 圖3(a)~(c)係對使用本發明之積層體之構造體之轉印方法之一例進行說明的步驟圖。 圖4係表示本發明之積層體之另一例之概略剖視圖。 圖5係表示本發明之積層體之另一例之概略剖視圖。 圖6(a)~(c)係對使用本發明之積層體之構造體之轉印方法之另一例進行說明的步驟圖。 圖7(a)~(c)係對使用本發明之積層體之構造體之轉印方法之另一例進行說明的步驟圖。 圖8(a)、(b)係表示本發明之積層體之製造方法之一例的步驟圖。 圖9(a)~(c)係表示本發明之附凹部多層體之製造方法之一例的步驟圖。 圖10(a)~(d)係說明劃分步驟之劃分線之位置之說明圖。
Claims (13)
- 一種積層體,其至少依序具有第1層、第1接著層、及圖案狀之構造體,且 上述第1接著層接受接著力調整處理而使接著力發生變化。
- 如請求項1之積層體,其中上述第1接著層為接受加熱處理或冷卻處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的感溫性接著層。
- 如請求項1之積層體,其中上述第1接著層為接受能量線照射處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的能量線響應性接著層。
- 如請求項1之積層體,其中上述第1接著層為接受電場施加處理或無電場處理作為上述接著力調整處理而使接著力降低的電氣響應性接著層。
- 如請求項1至4中任一項之積層體,其中上述構造體具有接著性。
- 如請求項1至4中任一項之積層體,其中於上述構造體之與上述第1接著層側為相反側具有與上述第1接著層不同之組成之第2接著層。
- 如請求項1至4中任一項之積層體,其中上述第1接著層為與上述構造體相同之圖案狀。
- 如請求項6之積層體,其中於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時, 上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且 上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。
- 如請求項7之積層體,其中於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與第2層接觸時, 上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且 上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。
- 一種附凹部多層體之製造方法,其係使用如請求項6之積層體之於多層體之一面具備具有開口之凹部的附凹部多層體之製造方法,且該方法包括如下步驟: 接觸步驟,其係使上述積層體之上述構造體直接接觸上述第2層之一面或經由上述第2接著層間接地接觸上述第2層之一面; 接著力調整步驟,其係藉由上述接著力調整處理使上述第1接著層之接著力降低; 轉印步驟,其係至少將上述第1層剝離,並將至少包含上述構造體之圖案部呈圖案狀轉印至上述第2層; 積層步驟,其係於上述第2層之具有上述圖案部之側之面積層1層以上之其他層; 劃分步驟,其係將上述圖案部及上述1層以上之其他層劃分成包含上述圖案部及俯視下與上述圖案部處於重疊位置之上述其他層之第1區域、及除此以外之第2區域;及 凹部形成步驟,其係將上述第1區域剝離去除,而形成上述凹部。
- 如請求項10之附凹部多層體之製造方法,其中上述附凹部多層體為附凹部多層配線板。
- 一種構造體之轉印方法,其係使用如請求項6之積層體之將上述構造體轉印至第2層之構造體之轉印方法,且 於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與上述第2層接觸時, 上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且 上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述構造體之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。
- 一種構造體之轉印方法,其係使用如請求項6之積層體之將上述構造體轉印至第2層之構造體之轉印方法,且 上述第1接著層為與上述構造體相同之圖案狀, 於使上述第2接著層之與上述構造體側為相反側之面與上述第2層接觸時, 上述接著力調整處理前之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力為上述第2接著層與上述第2層之間之接著力以上,且 上述接著力調整處理後之上述第1接著層與上述第1層之間之接著力低於上述第2接著層與上述第2層之間之接著力。
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