TW201906058A - 工件搬送裝置、電子零件的製造裝置、工件搬送方法以及電子零件的製造方法 - Google Patents

工件搬送裝置、電子零件的製造裝置、工件搬送方法以及電子零件的製造方法

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TW201906058A
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Abstract

本發明提供一種用於對藉由切斷而單片化且排列有多個的單片化工件進行搬送的工件搬送裝置。工件搬送裝置包括:第1吸附裝置,利用第1吸附面來統一吸附包含多個單片化工件的單片化工件群;以及第2吸附裝置,具有面積比第1吸附面小的第2吸附面,並且利用第2吸附面來吸附第1吸附裝置所吸附的單片化工件群的一部分。第1吸附裝置具有多系統吸附回路,所述多系統吸附回路用於在第1吸附面的互不相同的區域進行吸附。

Description

工件搬送裝置、電子零件的製造裝置、工件搬送方法以及電子零件的製造方法
本發明涉及一種對電子零件等經單片化的工件(work)進行搬送的工件搬送裝置、包含所述工件搬送裝置的電子零件的製造裝置、對電子零件等經單片化的工件進行搬送的工件搬送方法、以及包含所述工件搬送方法的電子零件的製造方法。
作為製造積體電路(Integrated Circuit,IC)等電子零件的一種方法,已知有下述方法:對利用樹脂材料等將多個IC統一密封成形的已成形基板進行切斷,以形成各個封裝(package)。
例如,日本專利特開2002-214288號公報揭示了一種能夠有效地生成半導體封裝裝置的半導體封裝裝置切斷用處理機系統(handler system)。日本專利特開2002-214288號公報中揭示的系統是對經分離的多個半導體封裝裝置統一執行清潔(cleaning)、乾燥、品質檢查等。
作為提高生產性的途徑之一,有欲將已成形基板大型化的需求(needs)。藉由對經大型化的已成形基板進行切斷,能夠一次形成更多的封裝。一般而言,對於藉由切斷而形成的封裝,必須執行檢查等後工序,由於採用經大型化的已成形基板,因而對於它們的後工序也需要大型化的裝置。
本發明的目的在於解決如上所述的新問題,提供能夠抑制製造裝置的大型化的機構以及方法。
根據本發明的一方面,提供一種工件搬送裝置,用於對藉由切斷而單片化且排列有多個的單片化工件進行搬送。工件搬送裝置包括:第1吸附裝置,利用第1吸附面來統一吸附包含多個單片化工件的單片化工件群;以及第2吸附裝置,具有面積比第1吸附面小的第2吸附面,並且利用第2吸附面來吸附第1吸附裝置所吸附的單片化工件群的一部分。第1吸附裝置具有多系統吸附回路,所述多系統吸附回路用於在第1吸附面的互不相同的區域進行吸附。
優選的是,第1吸附裝置還包括選擇機構,所述選擇機構用於選擇性地啟用多系統吸附回路。
優選的是,第2吸附裝置對於形成於第2吸附面的主區域及副區域,具有用於獨立地啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路。
優選的是,第2吸附裝置在單片化工件群的排數為奇數的情況下,從第1吸附裝置多次吸附單片化工件的動作中的至少一次僅啟用第2吸附面的主區域。
優選的是,第1吸附裝置包含配置在第1吸附面的背面側的加強構件。
優選的是,第2吸附裝置包含配置在第2吸附面的背面側的加強構件。
優選的是,第1吸附裝置具有第1空氣送出回路,所述第1空氣送出回路用於從設於第1吸附面的吸附孔朝第1吸附面側送出空氣。
優選的是,第2吸附裝置具有第2空氣送出回路,所述第2空氣送出回路用於從設於第2吸附面的吸附面朝第2吸附面側送出空氣。
優選的是,工件搬送裝置還包括:第3吸附裝置,利用第3吸附面來統一吸附第2吸附裝置所吸附的單片化工件。第3吸附裝置對於形成於第3吸附面的主區域及副區域,具有用於獨立啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路。
根據本發明的另一方面,提供一種包括所述工件搬送裝置的電子零件的製造裝置。
依據本發明的又一方面的工件搬送方法包括下述步驟:將藉由切斷而單片化且排列的多個單片化工件即單片化工件群統一吸附於第1吸附面;將吸附於第1吸附面的單片化工件群的一部分,吸附於面積比第1吸附面小的第2吸附面;以及在對單片化工件群的一部分以外的單片化工件執行標記(mark)檢查工序及翻轉(flip)工序中的任一工序時,並行地對單片化工件群的一部分單片化工件執行與對單片化工件群的一部分以外的單片化工件執行的工序不同的工序。
優選的是,工件搬送方法還包括下述步驟:根據第2吸附面對單片化工件的吸附,選擇性地啟用與第1吸附面的互不相同的區域連接的多系統吸附回路。
優選的是,工件搬送方法還包括下述步驟:根據被吸附於第1吸附面的單片化工件群的一部分的排數,選擇性地啟用與形成於第2吸附面的主區域及副區域分別連接的多系統吸附回路。
優選的是,工件搬送方法還包括下述步驟:在吸附於第1吸附面的單片化工件群的一部分的排數為奇數的情況下,將單片化工件吸附於第2吸附面的多次動作中的至少一次動作僅啟用第2吸附面的主區域。
優選的是,工件搬送方法還包括下述步驟:在對吸附於第2吸附面的單片化工件的工序執行完成後,利用第3吸附面來統一吸附被吸附於第2吸附面的單片化工件,並依照預定的規則予以配置;選擇性地啟用與形成於第3吸附面的主區域及副區域分別連接的多系統吸附回路;以及在吸附於第1吸附面的單片化工件群的一部分的排數為奇數的情況下,將單片化工件吸附於第3吸附面的多次動作中的至少一次動作僅啟用第3吸附面的主區域。
根據本發明的再一方面,提供一種包括所述工件搬送方法的電子零件的製造方法。
所述發明的所述及其他目的、特徵、方面及優點當可根據跟與添附的附圖關聯地理解的所述發明相關的下述詳細說明而明確。
參照附圖來詳細說明本發明的實施方式。另外,對於圖中的相同或相當的部分,標注相同的符號並不再重複其說明。本發明的實施方式中,作為電子零件的製造裝置的典型例,對藉由將半導體製品單個化(singulation)(單片化)而製造電子零件的結構進行說明。但是,本發明的技術範圍並不限定於如上所述的半導體製品的單個化,對於任意電子零件的製造均有效。
<A.製造裝置的整體結構>
首先,對依據本實施方式的包含工件搬送裝置的電子零件的製造裝置的整體結構進行說明。
圖1是表示依據本實施方式的電子零件的製造裝置1的整體結構的概略平面圖。參照圖1,依據本實施方式的電子零件的製造裝置1(以下,也簡稱作“製造裝置1”)是將在基板上統一安裝多個電子零件之後使用樹脂等進行密封成形所得的基板(以下,也稱作“已成形基板5”),依據指定的切斷圖案(pattern)予以切斷,由此生成多個封裝(以下,也將各封裝稱作“單片化工件6”)。製造裝置1對所生成的多個單片化工件6執行清洗/乾燥工序(清潔工序)及各種檢查工序後,重新配置於規定的托盤(tray)上,再送出至下個工序。
在製造裝置1中,多個單片化工件6多為在受到排列配置後統一執行各種工序,因此也有時將成為任意工序對象的多個單片化工件6總稱作“單片化工件群”。
更具體而言,製造裝置1包含接納模塊2、切斷模塊3及排出模塊4。各模塊的名稱與其功能對應。
接納模塊2是從前工序接納已成形基板5的部分,在適當的時機(timing)將已成形基板5交給切斷模塊3。切斷模塊3依照指定的切斷圖案來切斷已成形基板5。排出模塊4將藉由切斷已成形基板5而生成的多個封裝(多個單片化工件6)依照指定的規則而重新配置於指定的托盤後,送出至下個工序。
典型的是,將圖1所示的各個模塊個別地裝配好之後彼此連結,由此構成製造裝置1。藉由採用如上所述的模塊單位的結構,能夠容易地將模塊彼此安裝,並且也能夠相互分離。因此,事後的模塊更換或模塊追加變得容易。進而,特定模塊的多重化等變形也容易。也可使模塊的分隔更小或者更大。並不限定於模塊結構,也可使裝置整體一體地構成。
以下,對各模塊作進一步詳細說明。另外,為了便於說明,將紙面左右方向稱作“X方向”,將紙面上下方向稱作“Y方向”,將紙面鉛垂方向稱作“Z方向”。而且,將XY平面內的旋轉以“θ”來表示。
在接納模塊2中,配置收納有一個或多個已成形基板5的多個匣盒(magazine)21。收納在匣盒21中的已成形基板5以規定的順序及時機,由未圖示的推出構件從匣盒21配置到切斷模塊3的供給軌道(rail)31。
切斷模塊3除了供給軌道31以外,還具備基板搬送機構32、切割平臺(cut table)33、切斷機構34、位置識別部35、基板側清潔機構36、排列機構37、封裝搬送機構38及樹脂側清潔機構39。
基板搬送機構32將配置於供給軌道31的已成形基板5配置到切割平臺33上。切割平臺33是與未圖示的移動機構機械連結,當配置好已成形基板5時,朝向Y方向移動,以與切斷機構34接近。切斷機構34具有主軸(spindle)及與主軸機械結合的刀片(blade)。
排列機構37對切斷前的已成形基板5的形狀進行識別,對切斷機構34的位置指令給予修正值,而且,對基板搬送機構32及封裝搬送機構38的搬送位置給予修正值。
在切斷工序中,根據指定的切斷圖案,移動機構使切割平臺33(即,配置於切割平臺33的已成形基板5)朝Y方向移動及作θ旋轉,並且切斷機構34的主軸朝X方向移動。藉由如上所述的聯動動作,切斷機構34的刀片依據指定的切斷圖案藉由已成形基板5上。
位置識別部35在切斷工序中,對切斷後的切斷線(槽)進行識別,探測寬度及偏移(offset)以進行異常探測。進而,位置識別部35對移動機構及切斷機構34給予位置指令,以進行對下次切斷的反饋(feedback)。
當依據切斷圖案的切斷完成時,配置有多個單片化工件6的切割平臺33經過基板側清潔機構36及排列機構37而返回最初的位置。基板側清潔機構36對單片化工件6的基板51側進行清潔。更具體而言,例如,對單片化工件6的基板51側噴霧清洗水,並且噴射空氣(air)以對其表面進行乾燥。
圖2A~圖2C是對構成依據本實施方式的電子零件的製造裝置1的切斷模塊3中的切斷工序的概略進行說明的示意圖。
圖2A中表示由切斷機構34所執行的單片化工序。切斷機構34各自具有主軸341及與主軸341機械結合的刀片342。藉由主軸341來使刀片342旋轉,並使主軸341下降直至刀片342能夠切斷已成形基板5的位置為止。並且,切斷機構34各自使保持有已成形基板5的切割平臺33通過刀片切斷位置。藉由反覆此操作,配置於切割平臺33的已成形基板5被切斷,生成多個單片化工件6。典型的是,已成形基板5具有基板51及形成於基板51上的密封樹脂52。在基板51上,安裝有多個電子零件。另外,作為切斷對象,並不限於已成形基板5,也可為已成形引線框架。基板或引線框架也可不僅對單面,而且對兩面(即,相反側的面也)進行樹脂密封。如上所述的情況下,也可成為本申請發明的對象。
圖2B及圖2C中表示清洗/乾燥工序(清潔工序)。基板側清潔機構36包含清洗水噴霧部361及空氣噴射部362。在圖2B所示的清洗工序中,清洗水噴霧部361對多個單片化工件6噴霧清洗水。在圖2C所示的乾燥工序中,空氣噴射部362對多個單片化工件6噴射空氣。另外,清洗水噴霧部361也可使壓縮空氣與清洗水一同噴出。
藉由以上的處理,切斷工序的執行完成。繼而,執行排出工序。即,執行將多個單片化工件6搬送至排出模塊4的處理。
再次參照圖1,排出模塊4包含反轉機構40、轉位工作臺(index table)41、移載機構42、視覺檢查機構43、良品托盤44、不良品托盤45及托盤供給機構46。
當切斷工序的執行完成時,配置於切割平臺33的多個單片化工件6由封裝搬送機構38朝向反轉機構40搬送。即,封裝搬送機構38統一吸附被配置於切割平臺33的多個單片化工件6,並維持所述吸附狀態而朝向反轉機構40移動。
當封裝搬送機構38朝向反轉機構40搬送多個單片化工件6時,樹脂側清潔機構39對單片化工件6的密封樹脂52進行清潔。
視覺檢查機構43在封裝搬送機構38吸附有多個單片化工件6的狀態下,執行對單片化工件6的標記檢查工序,在反轉機構40吸附有多個單片化工件的狀態下,執行封裝檢查工序。這些檢查工序的詳細將後述。
反轉機構40受理封裝搬送機構38所保持的多個單片化工件6,並使其朝Y軸方向旋轉後配置於轉位工作臺41上。轉位工作臺41通過未圖示的移動機構而朝向Y方向移動。移載機構42個別地吸附配置於轉位工作臺41的多個單片化工件6,根據視覺檢查機構43的個別的檢查結果,依序配置於良品托盤44或不良品托盤45上。即,將視覺檢查機構43中的檢查合格的單片化工件6重新配置於良品托盤44上,將視覺檢查機構43中的檢查未合格的單片化工件6重新配置於不良品托盤45上。
良品托盤44及不良品托盤45在分別排列配置有規定數的單片化工件6時,被搬出至裝置外。托盤供給機構46供給新的托盤作為良品托盤44或不良品托盤45。
本實施方式中,基板搬送機構32、封裝搬送機構38、反轉機構40、切割平臺33、轉位工作臺41及移載機構42將分別吸附已成形基板5或單片化工件6,但作為實現所述吸附的部件,利用使用真空產生器(噴射器(ejector)或真空泵(pump))的抽吸力。在製造裝置1中,設有氣壓控制機構50,所述氣壓控制機構50包含作為吸附源的噴射器及所需的配管。
而且,製造裝置1中的各工序是由控制部100予以控制。控制部100的硬體(hardware)結構及軟體(software)結構將後述。
圖1所示的製造裝置1的構成元件中的、依據本實施方式的工件搬送裝置8相當於對藉由切斷而單片化且排列有多個的單片化工件6進行搬送的構成元件。具體而言,工件搬送裝置8主要包含封裝搬送機構38、樹脂側清潔機構39、反轉機構40、轉位工作臺41、移載機構42及視覺檢查機構43。但是,並不限於如上所述的結構,可根據已成形基板5的大小或所要求的規格等來採用任意結構及配置。
控制部100及氣壓控制機構50的配置位置並無特別限定,只要根據設備要求等來配置於任意位置即可。
<B.工件搬送裝置8中的工序>
接下來,對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8中的工序進行說明。一併對使用依據本實施方式的工件搬送裝置8的工件搬送方法、以及包含工件搬送方法的電子零件的製造方法進行說明。
工件搬送裝置8統一吸附而接納包含在切斷工序中生成的多個單片化工件6的單片化工件群。但是,在工件搬送裝置8中,對被統一吸附而接納的單片化工件群進行分割而處理。即,對藉由切斷工序而生成的單片化工件群逐部分地進行處理,由此,與統一進行處理的情況相比,能夠降低處理所需的X方向上的長度。藉由採用如上所述的結構,能夠抑制裝置的大型化。以下,對工件搬送裝置8中的工序進行詳述。
圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A~圖5C、圖6A~圖6C是用於對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8中的工序進行說明的示意圖。
首先,參照圖3A,當切斷工序完成時,在切斷模塊3的切割平臺33上,配置包含多個單片化工件6的單片化工件群60。單片化工件6各自以密封樹脂52側與切割平臺33接觸的狀態而配置。
在圖3A的狀態下,執行拾取工序。拾取工序包含下述處理,即,將藉由切斷而單片化且排列的多個單片化工件6即單片化工件群60統一吸附於封裝搬送機構38的吸附面。即,封裝搬送機構38統一吸附被配置於切割平臺33上的單片化工件群60,並朝重力上方向(沿著Z方向)移動。
封裝搬送機構38進而朝向樹脂側清潔機構39(沿著X方向)移動。封裝搬送機構38具有用於吸附多個單片化工件6(單片化工件群60)的吸附面,在吸附面上,設有一個或多個吸附孔。使用連接於這些吸附孔的真空產生器所產生的負壓,來抽吸多個單片化工件6(單片化工件群60)。封裝搬送機構38的詳細結構將後述。
封裝搬送機構38相當於利用吸附面(第1吸附面)來統一吸附包含多個單片化工件6的單片化工件群60的裝置(第1吸附裝置)。為了便於說明,圖3A中表示將單片化工件群60在X方向上一分為二的狀態。將單片化工件群60的經分割的各群稱作子群(subset)61及子群62。但是,子群61與子群62的分割是為了方便,並非在切斷工序完成的時間點被明確分割。
繼而,如圖3B所示,對多個單片化工件6(單片化工件群60)執行清洗/乾燥工序(清潔工序)。在清洗/乾燥工序中,對單片化工件6的密封樹脂52側進行清潔。具體而言,封裝搬送機構38在樹脂側清潔機構39的附近沿著X方向進行往復運動。樹脂側清潔機構39包含刷輥(brush roller)391及空氣噴射部392。刷輥391接觸至單片化工件6的密封樹脂52的表面而旋轉,並且,空氣噴射部392對單片化工件6的密封樹脂52的表面噴射空氣。藉由如上所述的各部進行動作,位於單片化工件6的密封樹脂52側的異物被去除。另外,也可將樹脂側清潔機構39的刷輥391替換為海綿輥(sponge roller)。
在拾取工序及清洗/乾燥工序中,保持在切斷工序中生成的單片化工件群60的狀態來進行處理。並且,封裝搬送機構38朝向視覺檢查機構43(沿著X方向)移動。
以下的工序中,對構成單片化工件群60的每個子群進行處理。為了便於說明,在各工序名稱的最後分別附加“(其一)”及“(其二)”,以將針對單片化工件群60的子群61及子群62的工序相互區分。
繼而,如圖4A所示,對子群61執行標記檢查工序(其一)。標記檢查工序包含下述處理,即:對標記(marking)在單片化工件6的密封樹脂52表面的印字的狀態進行檢查。在密封樹脂52的表面所作的印字的內容包含製品名或型號等信息。
更具體而言,封裝搬送機構38將單片化工件群60的子群61移動到視覺檢查機構43中所含的攝像機(camera)431的視野範圍內的位置。當攝像機431對單片化工件群60的子群61的標記檢查工序完成時,封裝搬送機構38朝向反轉機構40(沿著X方向)移動。另外,作為攝像機431的示例,可列舉搭載有電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)感測器或互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)感測器等的攝像機等。
繼而,如圖4B所示,執行對於子群61的第1放置(place)工序(其一)。第1放置工序包含下述處理,即:將封裝搬送機構38所吸附的單片化工件群60的子群配置於反轉機構40。從反轉機構40來看,是新配置單片化工件群60的子群,因此也稱作第1裝載(load)工序。
更具體而言,封裝搬送機構38移動到單片化工件群60的子群61與反轉機構40對應的位置。然後,封裝搬送機構38朝重力下方向(沿著Z方向),使單片化工件群60的子群61接觸至反轉機構40的吸附面之後,解除對子群61的吸附狀態。然後,使反轉機構40吸附子群61。於是,吸附於封裝搬送機構38的子群61被配置到反轉機構40的表面。當將子群61配置於反轉機構40後,封裝搬送機構38朝重力上方向(沿著Z方向)移動而恢復到原本的高度。
反轉機構40具有用於吸附多個單片化工件6(單片化工件群60的子群)的吸附面,在吸附面上,設有一個或多個吸附孔。使用連接於這些吸附孔的真空產生器所產生的負壓來抽吸多個單片化工件6(單片化工件群60的子群)。反轉機構40的詳細結構將後述。
如上所述,第1放置工序是將吸附於封裝搬送機構38的吸附面的單片化工件群60的一部分,吸附至面積比封裝搬送機構38的吸附面小的反轉機構40的吸附面。反轉機構40相當於如下所述的裝置(第2吸附裝置),即,其具有面積比封裝搬送機構38的吸附面小的吸附面(第2吸附面),並且,利用所述小的吸附面來吸附封裝搬送機構38所吸附的單片化工件群60的一部分。即,反轉機構40只要僅吸附單片化工件群60的一部分即可,因此反轉機構40的吸附面可小於封裝搬送機構38的吸附面。
而且,在第1放置工序(其一)中,吸附於封裝搬送機構38的單片化工件群60中的、配置於反轉機構40的子群61以外的單片化工件6(即子群62)必須依然由封裝搬送機構38吸附。如上所述,封裝搬送機構38構成為,能夠分別獨立地吸附子群61及子群62。即,封裝搬送機構38(第1吸附裝置)具有用於在封裝搬送機構38的吸附面的互不相同的區域進行吸附的多系統吸附回路。多系統吸附回路的詳細將後述。
繼而,如圖5A所示,針對子群61的翻轉工序(其一)與針對子群62的標記檢查工序(其二)是並列地執行。翻轉工序包含下述處理,即:藉由使反轉機構40以Y方向為中心旋轉,從而使吸附於反轉機構40的子群61的上下方向反轉。即,配置於反轉機構40的子群61是以單片化工件6的基板51朝向上側的方式而配置,但藉由反轉機構40旋轉,使得單片化工件6的基板51朝向下側。
更具體而言,反轉機構40在吸附有單片化工件群60的子群61的狀態下,以Y方向為中心旋轉。並行地,封裝搬送機構38將單片化工件群60的子群62移動到視覺檢查機構43中所含的攝像機431的視野範圍內的位置。當攝像機431對單片化工件群60的子群61的標記檢查工序完成時,封裝搬送機構38朝向反轉機構40(沿著X方向)移動。
繼而,如圖5B所示,對子群61執行封裝檢查工序(其一)。此時,若對子群62的標記檢查工序(其二)仍在繼續,則並列地執行兩工序。
封裝檢查工序包含對單片化工件6的基板51側的視覺檢查。具體而言,封裝檢查工序包含下述處理,即:對多個單片化工件6的基板51側進行攝像,檢查出現在基板上的焊球的位置、數量、形狀等是否與預先指定的一致,或者,從所成形的樹脂鑄模(mold)延伸的引線框架的位置、數量、形狀等是否與預先指定的一致。
更具體而言,反轉機構40將單片化工件群60的子群61移動到視覺檢查機構43中所含的攝像機432的視野範圍內的位置。當攝像機432對單片化工件群60的子群61的封裝檢查工序完成時,反轉機構40朝向轉位工作臺41(沿著X方向)移動。另外,作為攝像機432的示例,可列舉搭載有CCD感測器或CMOS感測器等的攝像機等。
繼而,如圖5C所示,執行對子群61的第2放置工序(其一)。第2放置工序包含下述處理,即:將反轉機構40所吸附的單片化工件群60的子群配置於轉位工作臺41。從轉位工作臺41來看,是新配置單片化工件群60的子群,因此也稱作第2裝載工序。
更具體而言,反轉機構40移動到單片化工件群60的子群61與轉位工作臺41對應的位置。然後,轉位工作臺41朝重力上方向(沿著Z方向)移動,反轉機構40解除對子群61的吸附狀態。於是,吸附於反轉機構40的子群61被配置於轉位工作臺41。當將子群61配置於轉位工作臺41後,轉位工作臺41朝重力下方向(沿著Z方向)移動而恢復到原本的高度。
反轉機構40具有用於吸附多個單片化工件6(單片化工件群60的子群)的吸附面,在吸附面上,設有一個或多個吸附孔。使用連接於這些吸附孔的真空產生器所產生的負壓來抽吸多個單片化工件6(單片化工件群60的子群)。反轉機構40的詳細結構將後述。
而且,轉位工作臺41相當於下述裝置(第3吸附裝置),其利用轉位工作臺41的吸附面來統一吸附反轉機構40所吸附的單片化工件6(單片化工件群60的子群)。即,轉位工作臺41的吸附面只要具有與反轉機構40的吸附面為同等面積的吸附面即可,因此,與反轉機構40同樣地,比起封裝搬送機構38,能夠更加緊湊化。
繼而,如圖6A所示,針對子群61的拾取和放置(pick and place)工序(其一)與針對子群62的第1放置工序(其二)是並列執行。
第2裝載工序包含下述處理,即:在對吸附於反轉機構40的吸附面的單片化工件6的工序執行完成後,利用轉位工作臺41的吸附面來統一吸附被吸附於反轉機構40的吸附面的單片化工件6,並依照預定的規則予以配置。拾取和放置工序包含下述處理,即:將配置於轉位工作臺41的子群中所含的單片化工件6分別藉由移載機構42(參照圖1)而重新配置於良品托盤44或不良品托盤45。
更具體而言,移載機構42將配置於轉位工作臺41的子群61中所含的單片化工件6分別根據對應的檢查結果而依序配置於良品托盤44或不良品托盤45。與此並行地,封裝搬送機構38移動到單片化工件群60的子群62與反轉機構40對應的位置。然後,封裝搬送機構38朝重力下方向(沿著Z方向)移動,解除對子群62的吸附狀態。於是,吸附於封裝搬送機構38的子群62被配置到反轉機構40的表面。當將子群62配置於反轉機構40後,封裝搬送機構38朝重力上方向(沿著Z方向)移動而恢復到原本的高度。
繼而,如圖6B所示,執行對子群62的封裝檢查工序(其二)。
更具體而言,反轉機構40將單片化工件群60的子群62移動到視覺檢查機構43中所含的攝像機432的視野範圍內的位置。當攝像機432對單片化工件群60的子群62的封裝檢查工序完成時,反轉機構40朝向轉位工作臺41(沿著X方向)移動。
繼而,如圖6C所示,執行對子群62的第2放置工序(其二)。
更具體而言,反轉機構40移動到單片化工件群60的子群62與轉位工作臺41對應的位置。然後,轉位工作臺41朝重力上方向(沿著Z方向)移動,反轉機構40解除對子群62的吸附狀態。於是,吸附於反轉機構40的子群62被配置於轉位工作臺41。當將子群62配置於轉位工作臺41後,轉位工作臺41朝重力下方向(沿著Z方向)移動而恢復到原本的高度。
配置於轉位工作臺41的子群62中所含的單片化工件6分別由移載機構42(參照圖1)重新配置於良品托盤44或不良品托盤45。
藉由如上所述的處理流程,工件搬送裝置8中的工序的執行完成。
圖7是用於對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8中的各工序的時間關係進行說明的示意圖。參照圖7,針對吸附於封裝搬送機構38的單片化工件群60,統一執行拾取工序(工序P1)及清洗/乾燥工序(工序P2)。繼而,僅對單片化工件群60中的子群61執行標記檢查工序(工序P31)。然後,僅將單片化工件群60中的子群61從封裝搬送機構38移至反轉機構40(第1放置工序(工序P41)/第1裝載工序(工序P51))。
繼而,對封裝搬送機構38中剩餘的單片化工件群60的子群62執行標記檢查工序(工序P32)。與標記檢查工序(工序P32)並列地,對被移至反轉機構40的單片化工件群60的子群61執行翻轉工序(工序P61)及封裝檢查工序(工序P71)。即,至少並列地執行對單片化工件群60的子群61的封裝檢查工序、及對單片化工件群60的子群62的標記檢查工序。
然後,單片化工件群60的子群61從反轉機構40被移至轉位工作臺41(第2放置工序(工序P81)/第2裝載工序(工序P91))。而且,單片化工件群60的子群62從封裝搬送機構38被移至反轉機構40(第2放置工序(工序P42)/第1裝載工序(工序P52))。
繼而,對被移至轉位工作臺41的單片化工件群60的子群61執行拾取和放置工序(工序P101)。與拾取和放置工序(工序P101)並列地,對被移至反轉機構40的單片化工件群60的子群62執行翻轉工序(工序P62)。即,至少並列地執行對單片化工件群60的子群61的拾取和放置工序、及對單片化工件群60的子群62的翻轉工序。
進而,對被移至反轉機構40的單片化工件群60的子群62執行了封裝檢查工序(工序P72)後,單片化工件群60的子群62從反轉機構40被移至轉位工作臺41(第2放置工序(工序P82)/第2裝載工序(工序P92))。最後,對被移至轉位工作臺41的單片化工件群60的子群62執行拾取和放置工序(工序P102)。然後,工件搬送裝置8中的工序結束。
如圖7所示,當對單片化工件群60的一部分以外的單片化工件6(子群62)執行標記檢查工序(工序P32)及翻轉工序(工序P62)中的任一工序時,並行地對單片化工件群60的一部分單片化工件6(子群61),執行與對單片化工件群60的一部分以外的單片化工件6(子群62)所執行的工序不同的工序(工序P61、P71或工序P101)。藉由如上所述的並列執行,能夠提高生產效率。
<C.工件搬送>
接下來,對借助封裝搬送機構38、反轉機構40與轉位工作臺41的工件搬送的詳細進行說明。如上所述,在依據本實施方式的工件搬送裝置8中,對單片化工件群60進行分割而搬送。此時,將單片化工件群60分割所得的各子群中的單片化工件6的配置形狀也有時並非彼此相同。例如,在單片化工件群60包含偶數排單片化工件6的情況下,被一分為二的時的各子群的排數可能相同,但在單片化工件群60包含奇數排單片化工件6的情況下,被一分為二時的各子群的排數不可能相同(其中一個子群的排數為偶數,另一個子群的排數為奇數)。
另外,在封裝搬送機構38、反轉機構40及轉位工作臺41上,根據已成形基板5及單片化工件6的製品規格(例如大小、形狀、個數等),安裝有專用的搬送夾具。即,封裝搬送機構38、反轉機構40及轉位工作臺41吸附單片化工件6的區域是對單片化工件6各自固有地設計。
在依據本實施方式的工件搬送裝置8中,採用了對將單片化工件群60分割時產生的子群間的不統一進行吸收的結構。以下,對將單片化工件群60分割而產生的子群的佈局相同時及不同時的、單片化工件6的搬送處理進行說明。
(c1:子群的佈局相同時)
圖8A及圖8B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8中子群的佈局相同時的工件搬送進行說明的圖。圖8A及圖8B中表示將單片化工件群60分割為子群61及子群62,並分別搬送子群61及子群62的示例。
圖8A中表示將吸附於封裝搬送機構38的單片化工件群60中的子群61搬送至反轉機構40及轉位工作臺41的過程,圖8B表示將吸附於封裝搬送機構38的單片化工件群60中的子群62搬送至反轉機構40及轉位工作臺41的過程。
參照圖8A及圖8B,在封裝搬送機構38安裝有搬送夾具388A。在搬送夾具388A上,設有用於吸附子群61的吸附面381、及用於吸附子群62的吸附面382。在吸附面381及吸附面382上,與單片化工件6的排列對應地設有一個或多個吸附孔387。在圖8A及圖8B所示的示例中,吸附面381與吸附面382成為相同的面積及吸附孔387的佈局。
在搬送夾具388A的內部,設於吸附面381的吸附孔387經由空間385而與控制埠(port)(配管)383連通。另一方面,設於吸附面382的吸附孔387經由空間386而與控制埠(配管)384連通。如後所述,在控制埠(配管)383及384分別連接有獨立的氣壓回路。
而且,在反轉機構40安裝有搬送夾具408A。在搬送夾具408A上設有主吸附面401。主吸附面401被共用於子群61及子群62的吸附。在主吸附面401上,與單片化工件6的排列對應地設有一個或多個吸附孔407。
在搬送夾具408A的內部,設於主吸附面401的吸附孔407經由空間405而與控制埠(配管)403連通。如後所述,在控制埠(配管)403連接有氣壓回路。
而且,在轉位工作臺41安裝有搬送夾具418A。在搬送夾具418A上設有主吸附面411。主吸附面411被共用於子群61及子群62的吸附。在主吸附面411上,與單片化工件6的排列對應地設有一個或多個吸附孔417。
在搬送夾具418A的內部,設於主吸附面411的吸附孔417經由空間415而與控制埠(配管)413連通。如後所述,在控制埠(配管)413連接有氣壓回路。
如圖8A所示,當將封裝搬送機構38所吸附的子群61交給反轉機構40時,經由控制埠(配管)383給予至吸附面381的吸附孔387的負壓被解除。另一方面,在反轉機構40中,經由控制埠(配管)403對主吸附面401的吸附孔407給予負壓。
而且,當將反轉機構40所吸附的子群61交給轉位工作臺41時,經由控制埠(配管)403給予至主吸附面401的吸附孔407的負壓被解除。另一方面,在轉位工作臺41中,經由控制埠(配管)413對主吸附面411的吸附孔417給予負壓。
如圖8B所示,當將封裝搬送機構38所吸附的子群62交給反轉機構40時,經由控制埠(配管)384給予至吸附面382的吸附孔387的負壓解除。另一方面,在反轉機構40中,經由控制埠(配管)403對主吸附面401的吸附孔407給予負壓。
而且,當將反轉機構40所吸附的子群62交給轉位工作臺41時,經由控制埠(配管)403給予至主吸附面401的吸附孔407的負壓被解除。另一方面,在轉位工作臺41中,經由控制埠(配管)413對主吸附面411的吸附孔417給予負壓。
(c2:子群的佈局不同時)
圖9A及圖9B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8中子群的佈局不同時的工件搬送進行說明的圖。圖9A及圖9B中表示將單片化工件群60分割為子群61及子群62,並分別搬送子群61及子群62的示例。
參照圖9A及圖9B,在封裝搬送機構38安裝有搬送夾具388B。搬送夾具388B與圖8A及圖8B所示的搬送夾具388A相比,在吸附面381與吸附面382之間,面積及吸附孔387的佈局不同。除此以外,與圖8A及圖8B所示的搬送夾具388A同樣。
而且,在反轉機構40安裝有搬送夾具408B。在搬送夾具408B上,除了主吸附面401以外,還設有副吸附面402。在主吸附面401上,與單片化工件6的排列對應地設有一個或多個吸附孔407。在副吸附面402上,設有用於吸收子群61與子群62之間的佈局差異的吸附孔407(典型的是1列吸附孔407)。
主吸附面401被共用於子群61及子群62的吸附。副吸附面402僅用於子群61的吸附。圖9A及圖9B所示的示例中,對於子群61的吸附,使用主吸附面401及副吸附面402這兩者,對於子群62的吸附,僅使用主吸附面401。
在搬送夾具408B的內部,設於主吸附面401的吸附孔407經由空間405而與控制埠(配管)403連通。另一方面,設於副吸附面402的吸附孔407經由空間406而與控制埠(配管)404連通。如後所述,在控制埠(配管)403及404分別連接有獨立的氣壓回路。
而且,在轉位工作臺41安裝有搬送夾具418B。在搬送夾具418B上,除了主吸附面411以外,還設有副吸附面412。在主吸附面411上,與單片化工件6的排列對應地設有一個或多個吸附孔417。在副吸附面412上,設有用於吸收子群61與子群62之間的佈局差異的吸附孔417(典型的是1列吸附孔417)。
主吸附面411被共用於子群61及子群62的吸附。副吸附面412僅用於子群61的吸附。圖9A及圖9B所示的示例中,對於子群61的吸附,使用主吸附面411及副吸附面412這兩者,對於子群62的吸附,僅使用主吸附面411。
在搬送夾具418B的內部,設於主吸附面411的吸附孔417經由空間415而與控制埠(配管)413連通。另一方面,設於副吸附面412的吸附孔417經由空間416而與控制埠(配管)414連通。如後所述,在控制埠(配管)413及414分別連接有獨立的氣壓回路。
如圖9A所示,當將封裝搬送機構38所吸附的子群61交給反轉機構40時,經由控制埠(配管)383給予至吸附面381的吸附孔387的負壓被解除。另一方面,在反轉機構40中,經由控制埠(配管)403對主吸附面401的吸附孔407給予負壓,並且也經由控制埠(配管)404對副吸附面402的吸附孔407給予負壓。
而且,當將反轉機構40所吸附的子群61交給轉位工作臺41時,經由控制埠(配管)403給予至主吸附面401的吸附孔407的負壓、及經由控制埠(配管)404給予至副吸附面402的吸附孔407的負壓被解除。另一方面,在轉位工作臺41中,經由控制埠(配管)413對主吸附面411的吸附孔417給予負壓,並且,也經由控制埠(配管)414對副吸附面412的吸附孔417給予負壓。
如圖9B所示,當將封裝搬送機構38所吸附的子群62交給反轉機構40時,經由控制埠(配管)384給予至吸附面382的吸附孔387的負壓解除。另一方面,在反轉機構40中,經由控制埠(配管)403而僅對主吸附面401的吸附孔407給予負壓。
而且,當將反轉機構40所吸附的子群62交給轉位工作臺41時,經由控制埠(配管)403給予至主吸附面401的吸附孔407的負壓被解除。另一方面,在轉位工作臺41中,經由控制埠(配管)413而僅對主吸附面411的吸附孔417給予負壓。
如圖9A及圖9B所示,當單片化工件群60的排數為奇數時(子群的佈局不同時),從封裝搬送機構38(第1吸附裝置)多次吸附單片化工件(子群)的動作中的至少一次僅啟用反轉機構40的主吸附面401(主區域)。
同樣,當單片化工件群60的排數為奇數時(子群的佈局不同時),從反轉機構40(第2吸附裝置)多次吸附單片化工件(子群)的動作中的至少一次僅啟用轉位工作臺41的主吸附面411(主區域)。
<D.搬送夾具>
接下來,對安裝於封裝搬送機構38、反轉機構40及轉位工作臺41的搬送夾具進行說明。
圖10是表示在構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8的封裝搬送機構38中安裝的搬送夾具388的剖面結構的示意圖。參照圖10,搬送夾具388具有金屬板3881與金屬橡膠板3882這兩層結構。沿著將金屬板3881與金屬橡膠板3882接合的外周而配置有O型環(O-ring)3883。
在金屬板3881上,與吸附孔387的排列對應地,形成有相當於空間385及386的槽。在金屬板3881的底面,形成有與控制埠(配管)383及384對應的孔。
金屬橡膠板3882包含配置在金屬板3881側的金屬層3884與形成吸附面的橡膠層3885。
安裝於反轉機構40及轉位工作臺41的搬送夾具也具有同樣的剖面結構,因此不再重複詳細說明。
圖11A及圖11B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8的封裝搬送機構38中安裝的搬送夾具388中拆除了金屬橡膠板的狀態的示意圖。
圖11A中表示設有與用於吸附子群61的吸附面381對應的一體空間385、及與用於吸附子群62的吸附面382對應的一體空間386的結構。圖11A所示的結構中,空間385及386相對較寬,因此也可在金屬板3881與金屬橡膠板3882之間配置加強構件389。加強構件389是以緩和吸附面的翹曲的目的而配置。即,如圖11A所示,封裝搬送機構38(第1吸附裝置)也可包含配置在封裝搬送機構38的吸附面的背面側的加強構件389。
圖11B中表示與用於吸附子群61的吸附面381對應的空間385被一分為二,且與用於吸附子群62的吸附面382對應的空間386被一分為二的結構。圖11B所示的結構中,空間385及386各自相對較窄,因此也可省略金屬板3881與金屬橡膠板3882之間的加強構件389。但是,此時,設有多個與空間385及386分別對應的控制埠(配管)383及384。
圖12A及圖12B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8的反轉機構40中安裝的搬送夾具408A、408B中拆除了金屬橡膠板的狀態的示意圖。圖12A中表示俯視從子群的佈局相同時所用的搬送夾具408A中拆除了金屬橡膠板的狀態的一例,圖12B中表示從子群的佈局不同時所用的搬送夾具408B中拆除了金屬橡膠板的狀態的一例。
圖12A所示的搬送夾具408A中,在金屬板4081的內周側設有與主吸附面401對應的空間405。以圍繞空間405的方式配置O型環4083。
另一方面,圖12B所示的搬送夾具408B中,在金屬板4081的內周側設有與主吸附面401對應的空間405。進而,與空間405獨立地,設有與副吸附面402對應的空間406。空間405與控制埠(配管)403連通,空間406與控制埠(配管)404連通。藉由對經由控制埠(配管)403及404而施加的氣壓進行控制,能夠獨立地控制主吸附面401及/或副吸附面402的吸附及開放。
圖12A及圖12B所示的結構中,由於空間405相對較廣,因此也可在金屬板4081與金屬橡膠板之間配置加強構件409。加強構件409是以緩和吸附面的翹曲的目的而配置。即,反轉機構40(第2吸附裝置)也可包含配置在反轉機構40的吸附面的背面側的加強構件409。
如圖12A及圖12B所示,也可在金屬板4081的共同的規定位置形成多個孔,並且對使各個孔連通於主吸附面401(主區域)及副吸附面402(副區域)的哪一個進行適當設計。即,藉由使設於金屬板4081的孔的位置共同化,從而即使搬送夾具408A、408B的用途不同,也能夠使與氣壓回路連接的接口(interface)共同化。
圖13A及圖13B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8的轉位工作臺41中安裝的搬送夾具418A、418B中拆除了金屬橡膠板的狀態的示意圖。圖13A中表示從子群的佈局相同時所用的搬送夾具418A中拆除了金屬橡膠板的狀態的一例,圖13B中表示從子群的佈局不同時所用的搬送夾具418B中拆除了金屬橡膠板的狀態的一例。
圖13A所示的搬送夾具418A中,在金屬板4181的內周側設有與主吸附面411對應的空間415。以圍繞空間415的方式配置O型環4183。
另一方面,圖13B所示的搬送夾具418B中,在金屬板4181的內周側設有與主吸附面411對應的空間415。進而,與空間415獨立地,設有與副吸附面412對應的空間416。空間415與控制埠(配管)413連通,空間416與控制埠(配管)414連通。藉由對經由控制埠(配管)413及414而施加的氣壓進行控制,能夠獨立地控制主吸附面411及/或副吸附面412的吸附及開放。
圖13A及圖13B所示的結構中,由於空間415相對較廣,因此也可在金屬板4181與金屬橡膠板之間配置加強構件419。加強構件419是以緩和吸附面的翹曲的目的而配置。即,轉位工作臺41(第3吸附裝置)也可包含配置在轉位工作臺41的吸附面的背面側的加強構件409。
如圖13A及圖13B所示,也可在金屬板4181的共同的規定位置形成多個孔,並且對使各個孔與主吸附面411(主區域)及副吸附面412(副區域)的哪一個連通進行適當設計。即,藉由使設於金屬板4181的孔的位置共同化,從而即使搬送夾具418A、418B的用途不同,也能夠使與氣壓回路連接的接口共同化。
<E.氣壓控制機構50>
接下來,對用於對依據本實施方式的工件搬送裝置8的動作進行控制的氣壓控制機構50進行說明。另外,氣壓控制機構50的位置及數量並無特別限制。而且,圖14A~圖14C的壓縮空氣源56及吸附源54既可分別使用獨立的壓縮空氣源56及吸附源54,也可使用同一壓縮空氣源56及吸附源54。
圖14A~圖14C是表示構成依據本實施方式的製造裝置1的氣壓控制機構50的主要部分的示意圖。圖14A中表示與封裝搬送機構38關聯的氣壓回路50A的一例,圖14B中表示與反轉機構40關聯的氣壓回路50B的一例,圖14C中表示與轉位工作臺41關聯的氣壓回路50C的一例。
參照圖14A,氣壓回路50A分別控制封裝搬送機構38的吸附面381及吸附面382中的吸附及開放。更具體而言,氣壓回路50A包含:支管501,與封裝搬送機構38的控制埠(配管)383連通;以及支管502,與封裝搬送機構38的控制埠(配管)384連通。支管501及支管502選擇性地連接於與吸附源54連通的負壓用主管55、或與壓縮空氣源56連通的正壓用主管58。
吸附源54包含噴射器等,供給用於吸附單片化工件6的負壓。壓縮空氣源56包含產生壓縮空氣的壓縮機(compressor)等。另外,壓縮空氣源56經由調節器(regulator)57而與正壓用主管58連通。
在支管501與負壓用主管55之間,配置有機械閥(mechanism vavle)521,在支管501與正壓用主管58之間,配置有機械閥523。
同樣,在支管502與負壓用主管55之間,配置有機械閥522,在支管502與正壓用主管58之間,配置有機械閥524。
在機械閥521、522、523、524的控制電路,分別連接有由電磁閥511、512、513、514驅動的先導(pilot)回路。即,藉由分別驅動電磁閥511、512、513、514,從而切換對應的機械閥521、522、523、524的阻斷狀態/開放狀態。
例如,當將單片化工件6吸附於封裝搬送機構38的吸附面381時,將電磁閥511設為先導空氣阻斷,將機械閥521切換為開放狀態。由此,吸附源54與吸附面381的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。同樣地,當將單片化工件6吸附於封裝搬送機構38的吸附面382時,將電磁閥512設為先導空氣阻斷,將機械閥522切換為開放狀態。由此,吸附源54與吸附面382的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。
相反地,當解除封裝搬送機構38的吸附面381上的吸附狀態時,將電磁閥511設為先導空氣供給,將機械閥521切換為阻斷狀態,並且,將電磁閥513設為先導空氣阻斷,將機械閥523切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與吸附面381的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。同樣地,當解除封裝搬送機構38的吸附面382上的吸附狀態時,將電磁閥512設為先導空氣供給,將機械閥522切換為阻斷狀態,並且將電磁閥514設為先導空氣阻斷,將機械閥524切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與吸附面382的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。
如上所述,封裝搬送機構38(第1吸附裝置)具有用於將空氣從設於吸附面381及吸附面382(一併地,第1吸附面)的吸附孔387送出至吸附面側的空氣送出回路(壓縮空氣源56、電磁閥512、514、機械閥522、524等)。
如上所述,氣壓回路50A能夠分別獨立地控制封裝搬送機構38的吸附面381及吸附面382上的吸附狀態。即,封裝搬送機構38具有用於選擇性地啟用多系統吸附回路(支管501及支管502)的選擇機構(機械閥521、522、523、524及電磁閥511、512、513、514)。利用如上所述的選擇機構,根據反轉機構40(第2吸附裝置)的吸附面(主吸附面401及副吸附面402:第2吸附面)對單片化工件6的吸附,選擇性地啟用與封裝搬送機構38的互不相同的區域(吸附面381及吸附面382)連接的多系統吸附回路。
接下來,參照圖14B,氣壓回路50B分別控制反轉機構40的主吸附面401及副吸附面402上的吸附及開放。更具體而言,氣壓回路50B包含:支管503,與反轉機構40的控制埠(配管)403連通;以及支管504,與反轉機構40的控制埠(配管)404連通。支管503及支管504選擇性地連接於與吸附源54連通的負壓用主管55、或與壓縮空氣源56連通的正壓用主管58。
在支管503與負壓用主管55之間,配置有機械閥541,在支管503與正壓用主管58之間,配置有機械閥543。同樣地,在支管504與負壓用主管55之間,配置有機械閥542,在支管504與正壓用主管58之間,配置有機械閥544。
在機械閥541、542、543、544的控制電路,分別連接有由電磁閥531、532、533、534所驅動的先導回路。即,藉由分別驅動電磁閥531、532、533、534,從而切換對應的機械閥541、542、543、544的阻斷狀態/開放狀態。
例如,當將單片化工件6吸附於反轉機構40的主吸附面401時,將電磁閥531設為先導空氣阻斷,將機械閥541切換為開放狀態。由此,吸附源54與主吸附面401的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。同樣地,當將單片化工件6吸附於反轉機構40的副吸附面402時,將電磁閥532設為先導空氣阻斷,將機械閥542切換為開放狀態。由此,吸附源54與副吸附面402的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。
相反地,當解除反轉機構40的主吸附面401上的吸附狀態時,將電磁閥531設為先導空氣供給,將機械閥541切換為阻斷狀態,並且將電磁閥533設為先導空氣阻斷,將機械閥543切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與主吸附面401的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。同樣地,當解除反轉機構40的副吸附面402上的吸附狀態時,將電磁閥532設為先導空氣供給,將機械閥542切換為阻斷狀態,並且將電磁閥534設為先導空氣阻斷,將機械閥544切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與副吸附面402的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。
如上所述,反轉機構40(第2吸附裝置)具有用於將空氣從設於主吸附面401及副吸附面402(第2吸附面)的吸附孔407送出至吸附面側的空氣送出回路(壓縮空氣源56、電磁閥532、534、機械閥542、544等)。
如上所述,氣壓回路50B能夠分別獨立地控制反轉機構40的主吸附面401及副吸附面402上的吸附狀態。即,反轉機構40對於形成於反轉機構40的吸附面的主吸附面401(主區域)及副吸附面402(副區域),具有用於獨立地啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路(支管503、504、機械閥541、542、543、544、電磁閥531、532、533、534)。利用如上所述的選擇機構,根據被吸附於封裝搬送機構38(第1吸附裝置)的吸附面381及吸附面382(一併地,第1吸附面)的單片化工件群60的排數,選擇性地啟用與形成於反轉機構40的主吸附面401及副吸附面402分別連接的多系統吸附回路。
另外,根據安裝於反轉機構40的搬送夾具408A、408B的種類,也有時不存在副吸附面402而僅包含主吸附面401。此時,控制埠(配管)403及404共同連接於與主吸附面401對應的空間405,因此也可使連接於支管503及支管504的機械閥共同動作。
接下來,參照圖14C,氣壓回路50C分別控制轉位工作臺41的主吸附面411及副吸附面412上的吸附及開放。更具體而言,氣壓回路50C包含:支管505,與轉位工作臺41的控制埠(配管)413連通;以及支管506,與轉位工作臺41的控制埠(配管)414連通。支管503及支管504選擇性地連接於與吸附源54連通的負壓用主管55、或與壓縮空氣源56連通的正壓用主管58。
在支管505與負壓用主管55之間,配置有機械閥561,在支管505與正壓用主管58之間,配置有機械閥563。同樣地,在支管506與負壓用主管55之間,配置有機械閥562,在支管506與正壓用主管58之間,配置有機械閥564。
在機械閥561、562、563、564的控制電路,分別連接有由電磁閥551、552、553、554驅動的先導回路。即,藉由分別驅動電磁閥551、552、553、554,從而切換對應的機械閥561、562、563、564的阻斷狀態/開放狀態。
例如,當將單片化工件6吸附於轉位工作臺41的主吸附面411時,將電磁閥551設為先導空氣阻斷,將機械閥561切換為開放狀態。由此,吸附源54與主吸附面411的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。同樣地,當將單片化工件6吸附於轉位工作臺41的副吸附面412時,將電磁閥553設為先導空氣阻斷,將機械閥562切換為開放狀態。由此,吸附源54與副吸附面412的吸附孔連通,在吸附孔產生負壓。
相反地,當解除轉位工作臺41的主吸附面411上的吸附狀態時,將電磁閥551設為先導空氣供給,將機械閥561切換為阻斷狀態,並且將電磁閥552設為先導空氣阻斷,將機械閥563切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與主吸附面411的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。同樣地,當解除轉位工作臺41的副吸附面412上的吸附狀態時,將電磁閥553設為先導空氣供給,將機械閥562切換為阻斷狀態,並且,將電磁閥554設為先導空氣阻斷,將機械閥564切換為開放狀態。由此,壓縮空氣源56與副吸附面412的吸附孔連通,在吸附孔產生正壓。
如上所述,轉位工作臺41(第3吸附裝置)具有用於將空氣從設於主吸附面411及副吸附面412(第3吸附面)的吸附孔417送出至吸附面側的空氣送出回路(壓縮空氣源56、電磁閥552、554、機械閥562、564等)。利用如上所述的選擇機構,根據被吸附於封裝搬送機構38(第1吸附裝置)的吸附面381及吸附面382(一併地,第1吸附面)的單片化工件群60的排數,選擇性地啟用與形成於轉位工作臺41的主吸附面411及副吸附面412分別連接的多系統吸附回路。
如上所述,氣壓回路50C能夠分別獨立地控制轉位工作臺41的主吸附面411及副吸附面412上的吸附狀態。即,轉位工作臺41對於形成於轉位工作臺41的吸附面上的主吸附面411(主區域)及副吸附面412(副區域),具有用於獨立地啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路(支管505、506、機械閥561、562、563、564、電磁閥551、552、553、554)。
另外,根據安裝於轉位工作臺41的搬送夾具418A、418B的種類,也有時不存在副吸附面412而僅包含主吸附面411。此時,控制埠(配管)413及414共同連接於與主吸附面411對應的空間415,因此也可使連接於支管505及支管506的機械閥共同動作。
另外,在依據本實施方式的工件搬送裝置8中,例示了下述結構,即,使用壓縮空氣源56來對吸附於吸附面的單片化工件6給予壓力,由此,使單片化工件6從吸附面積極地分離,但並不限定於如上所述的結構。即,由於只要停止對單片化工件6施加負壓,便能夠解除單片化工件6的吸附,因此,例如也可將設於吸附面的吸附孔設為開放狀態,以使對單片化工件6的壓力與大氣壓一致。借此,在自重的作用下,單片化工件6朝向重力下方向掉落。
另外,在依據本實施方式的工件搬送裝置8中,表示了下述示例,即,使用氣壓回路來作為吸附單片化工件6的方法,但並不限定於如上所述的結構,能夠採用任意的附著方法。例如,也可採用在側面握持單片化工件6的方法、從底面支撐單片化工件6的方法、利用藉由磁產生的抽吸力的方法、及利用藉由靜電產生的抽吸力的方法等。
<F.搬送佈局>
接下來,對於單片化工件群的若干佈局,表示由工件搬送裝置8的各部所搬送的子群的佈局例。
圖15A、圖15B、圖16A、圖16B、圖17A、圖17B、圖18是用於對構成依據本實施方式的製造裝置1的工件搬送裝置8的搬送佈局例進行說明的圖。另外,以下的說明中,將在X方向上觀察所見的排列數稱作“列”,在Y方向上觀察所見的排列數稱作“行”。
圖15A中表示藉由切斷工序而生成配置成4列×5行的單片化工件6的示例。圖15A所示的示例中,若在X方向上觀察,則排數為偶數,因此藉由在X方向的中心進行分割,能夠決定具有同一佈局的子群201及202。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成4列×5行的單片化工件6的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝有與子群201(及子群202)對應的搬送夾具。此時,相當於兩子群的共同部分203僅作為主吸附面而設,不需要副吸附面。
圖15B中表示藉由切斷工序而生成配置成5列×5行的單片化工件6的示例。圖15B所示的示例中,若在X方向上觀察,則排數為奇數,因此藉由以分割後的列數差成為最小的方式進行分割,能夠決定3列的子群211與2列的子群212。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成5列×5行的單片化工件6的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)上,安裝有與更大的子群211對應的搬送夾具。此時,子群211與子群212之間的共同部分213是作為主吸附面而設,子群211與共同部分213之差即差值部分214是作為副吸附面而設。
接下來,對生成單片化工件6的小集合(以下也稱作島(Island))的示例進行說明。例如,在統一安裝於基板上的電子零件的數量相對較少的情況下,僅將它們安裝於單個基板上無法提高生產效率。此種情況下,有時會採用如下所述的佈局,即,藉由將多個包含多個電子零件的小集合配置於單個基板上,從而在表觀上提高了安裝效率。此種情況下,形成圖16A所示的島。
圖16A中表示藉由切斷工序而生成配置成1列×2行的單片化工件6的島的示例。圖16A所示的示例中,若在X方向上觀察,則島的排數為1(奇數),但由於島自身包含多個單片化工件6,因此藉由在X方向的中心對島自身進行分割,從而能夠決定具有同一佈局的子群221及222。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成1列×2行的島的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝有與子群221(及子群222)對應的搬送夾具。此時,相當於兩子群的共同部分223僅作為主吸附面而設,不需要副吸附面。
圖16B中表示藉由切斷工序而生成配置成2列×2行的單片化工件6的島的示例。圖16B所示的示例中,若在X方向上觀察,則排數為偶數,因此藉由在X方向的中心進行分割,能夠決定具有同一佈局的子群231及232。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成2列×2行的島的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝有與子群231(及子群232)對應的搬送夾具。此時,相當於兩子群的共同部分233僅作為主吸附面而設,不需要副吸附面。
圖17A中表示藉由切斷工序而生成配置成3列×3行的單片化工件6的島的示例。圖17A所示的示例中,若在X方向上觀察,島的排數為3(奇數),但由於島自身包含多個單片化工件6,因此藉由在X方向的中心上對島自身進行分割,從而能夠決定具有同一佈局的子群241及242。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成3列×3行的島的佈局對應的搬送夾具。
但是,在子群241與子群242之間,呈對稱性的佈局,因此除了兩者的共同部分245以外,產生差值部分243及244。因此,在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝形成有與子群241對應的共同部分245及差值部分243和與子群242對應的共同部分245及差值部分244的搬送夾具。此時,共同部分245是作為主吸附面而設,並且,差值部分243及差值部分244是作為副吸附面而設。作為氣壓控制機構50,準備用於分別獨立地吸附共同部分245與差值部分243及244的吸附回路。
圖17B中表示與圖17A同樣地,藉由切斷工序而生成配置成3列×3行的單片化工件6的島的示例。圖17B所示的示例中,若在X方向上觀察,則排數為奇數,因此藉由以分割後的列數差成為最小的方式進行分割,能夠決定1列的子群251與2列的子群252。在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成3列×3行的島的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝有與更大的子群252對應的搬送夾具。此時,子群251與子群252之間的共同部分253是作為主吸附面而設,子群251與子群252之差即差值部分254是作為副吸附面而設。
圖18中表示與圖17A及圖17B同樣地,藉由切斷工序而生成配置成3列×3行的單片化工件6的島的示例。圖18所示的示例中,藉由分割成每個島,從而能夠決定1列的子群261、262、263。即,藉由一分為三,能夠使子群的佈局相同。
在封裝搬送機構38中,安裝有與配置成3列×3行的島的佈局對應的搬送夾具,並且在反轉機構40(及未圖示的轉位工作臺41)中,安裝有與子群261(及子群262、263)對應的搬送夾具。此時,相當於各子群的共同部分264僅作為主吸附面而設,不需要副吸附面。
<G.控制部100>
接下來,對構成依據本實施方式的製造裝置1的控制部100的結構進行說明。
圖19是表示構成依據本實施方式的電子零件的製造裝置1的、控制部100的硬體結構及相關組件的示意圖。圖19中,作為典型例,表示採用了遵循通用架構(architecture)的電腦的控制部100的結構例。控制部100中,藉由分別執行通用操作系統(Operating System,OS)及實時(realtime)OS,從而兼顧人機接口(Human-Machine Interface,HMI)功能及通信功能與要求實時性的控制功能。
控制部100包含輸入部102、輸出部104、主記憶體(main memory)106、光學驅動器108、處理器(processor)110、硬碟驅動器(Hard Disk Drive,HDD)120、網路接口(network interface)112、伺服馬達接口(servo motor interface)114以及執行器接口(actuator interface)116,以作為主要組件。這些組件經由內部匯流排(bus)119而以能夠彼此交換數據的方式連接。
輸入部102是受理來自用戶的操作的組件,典型的是包含鍵盤(keyboard)、觸控面板(touch panel)、滑鼠(mouse)、軌跡球(track ball)等。輸出部104是將控制部100中的處理結果等輸出至外部的組件,典型的是包含顯示器(display)、印表機(printer)、各種指示器(indicator)等。主記憶體106包含動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等,保持由處理器110所執行的程式的代碼(code)或程式的執行所需的各種工作數據(work data)。
處理器110是讀出HDD 120中保存的程式,對所輸入的數據執行處理的處理主體。處理器110構成為,能夠分別並列地執行通用OS及在此通用OS上進行動作的各種應用程式(application)、以及實時OS及在此實時OS上進行動作的各種應用程式。作為一例,處理器110是以包含多個處理器的結構(所謂的“多處理器(multi processor)”)、在單個處理器內包含多個核心(core)的結構(所謂的“多核(multi core)”)、及具有多處理器與多核這兩者的特徵的結構中的任一種來實現。
HDD 120為儲存部,典型的是保存通用OS 122、實時OS 124、HMI程式126及控制程式128。HMI程式126是在通用OS 122的執行環境下進行動作,主要實現跟與用戶的交換相關的處理。控制程式128是在實時OS 124的執行環境下進行動作,對構成製造裝置1的各個組件進行控制。
在控制部100中執行的各種程式是被保存在數字多功能光碟唯讀記憶體(Digital Versatile Disc Read Only Memory,DVD-ROM)等記錄介質108A中而流通。記錄介質108A是由光學驅動器108來讀取其內容並安裝於HDD 120中。即,本發明的一方面包含用於實現控制部100的程式以及保存此程式的任何記錄介質。作為這些記錄介質,除了光學記錄介質以外,也可使用磁記錄介質、光磁記錄介質、半導體記錄介質等。
圖19中,例示在HDD 120中安裝有多種程式的形態,但既可將這些程式作為一個程式而一體化,也可進一步作為其他程式的一部分而編入。
網路接口112是在與外部裝置之間經由網路來交換數據。
被安裝於HDD 120的程式也可經由網路接口112而從伺服器(server)獲取。即,實現依據本實施方式的控制部100的程式也可藉由任意方法進行下載(download)並安裝於HDD 120。
伺服馬達接口114及執行器接口116對針對構成製造裝置1的組件(伺服馬達、電磁閥、氣缸(cylinder)等)的控制進行中介。伺服馬達接口114對驅動製造裝置1中所設的伺服馬達的伺服驅動器(servo driver)給予指令。更具體而言,伺服馬達接口114經由現場匯流排(field bus)115而連接於伺服驅動器130_1~130_N。伺服驅動器130_1~130_N分別驅動伺服馬達132_1~132_N。
執行器接口116經由現場匯流排117而連接於繼電器(relay)140_1~140_N,並且經由現場匯流排118而連接於繼電器150_1~150_N。繼電器140_1~140_N響應來自控制部100的指令,使電磁閥142_1~142_N分別進行先導空氣供給。繼電器150_1~繼電器150_N響應來自控制部100的指令,分別驅動氣缸152_1~152_N。
圖19中,對藉由處理器110執行程式而實現依據本實施方式的控制部100的結構例進行了說明,但並不限於此,可適當採用與現實實現本發明的製造裝置或搬送方法的時代技術水平相應的結構。例如,也可取代通用電腦,而使用作為工業用控制器的可編程邏輯控制器(Programmable Logic Controller,PLC)。或者,對於控制部100所提供的功能的全部或一部分,也可使用大規模積體電路(Large Scale Integration,LSI)或專用積體電路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)等積體電路來實現,還可使用現場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)等可重新編程的電路元件來實現。又或者,也可藉由多個處理主體彼此協動來實現圖19所示的控制部100所提供的功能。例如,也可使多個電腦聯動而實現控制部100所提供的功能。
<H.優點>
依據本實施方式的電子零件的製造裝置1中所含的工件搬送裝置8並非統一而是分割地執行針對包含藉由切斷工序的執行而生成的多個單片化工件6的單片化工件群60的標記檢查工序、封裝檢查工序、朝轉位工作臺41上的放置工序、及借助移載機構42的拾取和放置工序。藉由將如上所述的單片化工件群60分割成多個子群來進行處理,從而與統一進行處理的情況相比,能夠降低為了進行所述處理應確保的空間(space)。尤其,能夠降低製造裝置1的X方向上的、反轉機構40及轉位工作臺41的長度。藉由如上所述的處理所需空間的降低化,能夠抑制工件搬送裝置8及包含工件搬送裝置8的電子零件的製造裝置1的大型化。
依據本實施方式的電子零件的製造裝置1中所含的工件搬送裝置8從切割平臺33統一吸附單片化工件群60,並且能夠對單片化工件群60中所含的子群分別並列地執行不同的工序。因此,與使單片化工件群60統一地依序執行各工序的情況相比,成為瓶頸(bottleneck)的部分減少,從而能夠在整體上提高生產效率。
另外,如圖18所示,也可將單片化工件群60分割為3個以上的子群。即,在依據本實施方式的工件搬送裝置8中,分割成子群的分割數並無特別限制。
對本發明的實施方式進行了說明,但應認為,此次揭示的實施方式在所有方面僅為例示而非限制者。本發明的範圍是由權利要求書所示,並意圖包含與權利要求書均等的含義及範圍內的所有變更。
1‧‧‧製造裝置
2‧‧‧接納模塊
3‧‧‧切斷模塊
4‧‧‧排出模塊
5‧‧‧已成形基板
6‧‧‧單片化工件
8‧‧‧工件搬送裝置
21‧‧‧匣盒
31‧‧‧供給軌道
32‧‧‧基板搬送機構
33‧‧‧切割平臺
34‧‧‧切斷機構
35‧‧‧位置識別部
36‧‧‧基板側清潔機構
37‧‧‧排列機構
38‧‧‧封裝搬送機構(第1吸附裝置)
39‧‧‧樹脂側清潔機構
40‧‧‧反轉機構(第2吸附裝置)
41‧‧‧轉位工作臺(第3吸附裝置)
42‧‧‧移載機構
43‧‧‧視覺檢查機構
44‧‧‧良品托盤
45‧‧‧不良品托盤
46‧‧‧托盤供給機構
50‧‧‧氣壓控制機構
50A、50B、50C‧‧‧氣壓回路
51‧‧‧基板
52‧‧‧密封樹脂
54‧‧‧吸附源
55‧‧‧負壓用主管
56‧‧‧壓縮空氣源
57‧‧‧調節器
58‧‧‧正壓用主管
60‧‧‧單片化工件群
61、62、201、202、211、212、221、222、231、232、241、242、251、252、261、262、263‧‧‧子群
100‧‧‧控制部
102‧‧‧輸入部
104‧‧‧輸出部
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧光學驅動器
108A‧‧‧記錄介質
110‧‧‧處理器
112‧‧‧網路接口
114‧‧‧伺服馬達接口
115、117、118‧‧‧現場匯流排
116‧‧‧執行器接口
119‧‧‧內部匯流排
120‧‧‧HDD
122‧‧‧通用OS
124‧‧‧實時OS
126‧‧‧HMI程式
128‧‧‧控制程式
130_1~130_N‧‧‧伺服驅動器
132_1~132_N‧‧‧伺服馬達
140_1~140_N、150_1~150_N‧‧‧繼電器
142_1~142_N、511、512、513、514、531、532、533、534、551、552、553、554‧‧‧電磁閥
152、152_1~152_N‧‧‧氣缸
203、213、223、233、245、253、264‧‧‧共同部分
214、243、244、254‧‧‧差值部分
341‧‧‧主軸
342‧‧‧刀片
361‧‧‧清洗水噴霧部
362、392‧‧‧空氣噴射部
381、382‧‧‧吸附面
383、384、403、404、413、414‧‧‧控制埠(配管)
385、386、405、406、415、416‧‧‧空間
387、407、417‧‧‧吸附孔
388、388A、388B、408A、408B、418A、418B‧‧‧搬送夾具
389、409、419‧‧‧加強構件
391‧‧‧刷輥
401、411‧‧‧主吸附面(主區域)
402、412‧‧‧副吸附面(副區域)
431、432‧‧‧攝像機
501、502、503、504、505、506‧‧‧支管
521、522、523、524、541、542、543、544、561、562、563、564‧‧‧機械閥
3881、4081、4181‧‧‧金屬板
3882‧‧‧金屬橡膠板
3883、4083、4183‧‧‧O型環
3884‧‧‧金屬層
3885‧‧‧橡膠層
P1、P2、P31、P32、P41、P42、P51、P52、P61、P62、P71、P72、P81、P82、P91、P92、P101、P102‧‧‧工序
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是表示依據本實施方式的電子零件的製造裝置的整體結構的概略平面圖。 圖2A至圖2C是對構成依據本實施方式的電子零件的製造裝置的切斷模塊中的切斷工序的概略進行說明的示意圖。 圖3A及圖3B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中的工序進行說明的示意圖。 圖4A及圖4B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中的工序進行說明的示意圖。 圖5A至圖5C是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中的工序進行說明的示意圖。 圖6A至圖6C是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中的工序進行說明的示意圖。 圖7是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中的各工序的時間關係進行說明的示意圖。 圖8A及圖8B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中子群的佈局相同時的工件搬送進行說明的圖。 圖9A及圖9B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置中子群的佈局不同時的工件搬送進行說明的圖。 圖10是表示在構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的封裝搬送機構38中安裝的搬送夾具(jig)的剖面結構的示意圖。 圖11A及圖11B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的封裝搬送機構中安裝的搬送夾具中拆除了金屬橡膠板(rubber plate)的狀態的示意圖。 圖12A及圖12B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的反轉機構中安裝的搬送夾具中拆除了金屬橡膠板的狀態的示意圖。 圖13A及圖13B是俯視從構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的轉位工作臺中安裝的搬送夾具中拆除了金屬橡膠板的狀態的示意圖。 圖14A至圖14C是表示構成依據本實施方式的製造裝置的氣壓控制機構的主要部分的示意圖。 圖15A及圖15B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的搬送佈局例進行說明的圖。 圖16A及圖16B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的搬送佈局例進行說明的圖。 圖17A及圖17B是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的搬送佈局例進行說明的圖。 圖18是用於對構成依據本實施方式的製造裝置的工件搬送裝置的搬送佈局例進行說明的圖。 圖19是表示構成依據本實施方式的電子零件的製造裝置的控制部的硬體結構及相關組件(component)的示意圖。

Claims (16)

  1. 一種工件搬送裝置,用於對藉由切斷而單片化並排列有多個的單片化工件進行搬送,包括: 第1吸附裝置,利用第1吸附面來統一吸附包含多個單片化工件的單片化工件群;以及 第2吸附裝置,具有面積比所述第1吸附面小的第2吸附面,並且利用所述第2吸附面來吸附所述第1吸附裝置所吸附的所述單片化工件群的一部分, 所述第1吸附裝置具有多系統吸附回路,所述多系統吸附回路用於在所述第1吸附面的互不相同的區域進行吸附。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第1吸附裝置還包括選擇機構,所述選擇機構用於選擇性地啟用所述多系統吸附回路。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第2吸附裝置對於形成於所述第2吸附面的主區域及副區域,具有用於獨立地啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第2吸附裝置在所述單片化工件群的排數為奇數的情況下,從所述第1吸附裝置多次吸附單片化工件的動作中的至少一次僅啟用所述第2吸附面的所述主區域。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第1吸附裝置包含配置在所述第1吸附面的背面側的加強構件。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第2吸附裝置包含配置在所述第2吸附面的背面側的加強構件。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第1吸附裝置具有第1空氣送出回路,所述第1空氣送出回路用於從設於所述第1吸附面的吸附孔朝所述第1吸附面側送出空氣。
  8. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的工件搬送裝置,其中, 所述第2吸附裝置具有第2空氣送出回路,所述第2空氣送出回路用於從設於所述第2吸附面的吸附面朝所述第2吸附面側送出空氣。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的工件搬送裝置,其中還包括: 第3吸附裝置,利用第3吸附面來統一吸附所述第2吸附裝置所吸附的單片化工件, 所述第3吸附裝置對於形成於所述第3吸附面的主區域及副區域,具有用於獨立啟用各個區域中的吸附的雙系統吸附回路。
  10. 一種電子零件的製造裝置,其特徵在於包括如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的工件搬送裝置。
  11. 一種工件搬送方法,包括下述步驟: 將藉由切斷而單片化且排列的多個單片化工件即單片化工件群統一吸附於第1吸附面; 將吸附於所述第1吸附面的所述單片化工件群的一部分,吸附於面積比所述第1吸附面小的第2吸附面;以及 在對所述單片化工件群的一部分以外的單片化工件執行標記檢查工序及翻轉工序中的任一工序時,並行地對所述單片化工件群的一部分單片化工件執行與對所述單片化工件群的一部分以外的單片化工件執行的工序不同的工序。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的工件搬送方法,其中還包括下述步驟: 根據所述第2吸附面對單片化工件的吸附,選擇性地啟用與所述第1吸附面的互不相同的區域連接的多系統吸附回路。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的工件搬送方法,其中還包括下述步驟: 根據被吸附於所述第1吸附面的所述單片化工件群的一部分的排數,選擇性地啟用與形成於所述第2吸附面的主區域及副區域分別連接的多系統吸附回路。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的工件搬送方法,其中還包括下述步驟: 在吸附於所述第1吸附面的所述單片化工件群的一部分的排數為奇數的情況下,將單片化工件吸附於所述第2吸附面的多次動作中的至少一次動作僅啟用所述第2吸附面的所述主區域。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的工件搬送方法,其中還包括下述步驟: 在對吸附於所述第2吸附面的單片化工件的工序執行完成後,利用第3吸附面來統一吸附被吸附於所述第2吸附面的單片化工件,並依照預定的規則予以配置; 選擇性地啟用與形成於所述第3吸附面的主區域及副區域分別連接的多系統吸附回路;以及 在吸附於所述第1吸附面的所述單片化工件群的一部分的排數為奇數的情況下,將單片化工件吸附於所述第3吸附面的多次動作中的至少一次動作僅啟用所述第3吸附面的所述主區域。
  16. 一種電子零件的製造方法,其中包括如申請專利範圍第11項至第15項中任一項所述的工件搬送方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI783882B (zh) * 2021-06-24 2022-11-11 日商山田尖端科技股份有限公司 壓縮成形裝置以及壓縮成形方法
TWI788107B (zh) * 2020-11-25 2022-12-21 韓商细美事有限公司 半導體條帶切割及分類設備、封裝體乾燥裝置及搬運裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7084519B1 (ja) 2021-03-04 2022-06-14 Towa株式会社 加工装置
JP7157860B1 (ja) * 2021-09-29 2022-10-20 Dmg森精機株式会社 工作機械用装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050670A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Toshiba Corp ピックアップ装置及びピックアップ方法
GB2370411B (en) 2000-12-20 2003-08-13 Hanmi Co Ltd Handler system for cutting a semiconductor package device
JP3636153B2 (ja) * 2002-03-19 2005-04-06 松下電器産業株式会社 電子部品搭載装置および電子部品搭載方法
JP2005019909A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Apic Yamada Corp 半導体製造装置
JP5054933B2 (ja) * 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5108481B2 (ja) * 2007-11-30 2012-12-26 Towa株式会社 個片化された電子部品の搬送装置及び搬送方法
JP5126091B2 (ja) * 2009-02-02 2013-01-23 ウシオ電機株式会社 ワークステージ及び該ワークステージを使用した露光装置
JP5572353B2 (ja) * 2009-09-29 2014-08-13 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
TWI435402B (zh) * 2010-09-06 2014-04-21 Wen Hua Chang Microchip pick and place mechanism
KR101711497B1 (ko) * 2010-10-29 2017-03-02 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장 장치
JP6017382B2 (ja) * 2013-07-29 2016-11-02 Towa株式会社 個片化された電子部品の搬送装置及び搬送方法
JP5737767B1 (ja) * 2013-12-24 2015-06-17 上野精機株式会社 点灯試験装置
JP6333648B2 (ja) * 2014-07-16 2018-05-30 Towa株式会社 個片化物品の移送方法、製造方法及び製造装置
KR101610256B1 (ko) * 2014-11-05 2016-04-07 김성기 진공 흡착 플레이트
JP6338555B2 (ja) * 2015-07-10 2018-06-06 Towa株式会社 吸着機構及び吸着方法並びに製造装置及び製造方法
KR20170074141A (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 (주)제이티 플립소자 핸들러
JP2017175055A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 株式会社ディスコ パッケージ基板のハンドリング方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI788107B (zh) * 2020-11-25 2022-12-21 韓商细美事有限公司 半導體條帶切割及分類設備、封裝體乾燥裝置及搬運裝置
TWI783882B (zh) * 2021-06-24 2022-11-11 日商山田尖端科技股份有限公司 壓縮成形裝置以及壓縮成形方法

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