TW201903825A - 半導體裝置的製造方法、程式及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於可容易地掌握處理室的狀態。 　　為了解決上述課題，而提供一種技術，其係具有： 　　準備動作工程，其係處理室不存在基板的狀態下，控制被設在前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示前述處理室的狀態之第一處理室資料；及 　　基板處理工程，其係於前述處理室存在基板的狀態下控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示前述處理室的狀態之第二處理室資料， 　　在前述基板處理工程中，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。

Description

半導體裝置的製造方法、程式及基板處理裝置
[0001] 本發明是有關半導體裝置的製造方法，程式及基板處理裝置。
[0002] 基板處理裝置是存在運轉狀態及非運轉狀態。例如，在批間進行的維修或基板搬入前的裝置啟動時等，處理對象的晶圓不存在於基板處理裝置內時，基板處理裝置的處理室是作為非運轉狀態被放置。在晶圓被搬入至處理室的階段移至運轉狀態，進行預定的基板處理。
（發明所欲解決的課題） 　　[0003] 一旦形成非運轉狀態，則會有背離預定的基板處理條件的情形。例如處理室的溫度會比預定的溫度更低。因此，從非運轉狀態移至運轉狀態初次處理的基板與移至運轉狀態處理數片後的晶圓，會有在處理狀態產生差異的情況。如此的情況，由於在晶圓間處理條件不同，因此產生品質的偏差。於是，在處理基板之前，使處理室接近基板處理條件，而使處理條件一致。例如，在投入分批的最初的基板之前使加熱器等運轉，而使加熱器溫度接近處理條件。藉由如此，最初的基板也可設為與處理數片基板後的情況同樣的條件，其結果可防止基板處理的品質的偏差。（例如專利文獻1） 　　[0004] 可是，為了更確實地抑制品質的偏差，而追求掌握更正確的處理室的狀態。 　　[0005] 於是，本發明是以提供一種可容易地掌握處理室的狀態之技術為目的。 　　[0006] 　　[專利文獻1] 日本特開2009-231809 （用以解決課題的手段） 　　[0007] 為了解決上述課題，而提供一種技術，其係具有： 　　準備動作工程，其係處理室不存在基板的狀態下，控制被設在前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示前述處理室的狀態之第一處理室資料；及 　　基板處理工程，其係於前述處理室存在基板的狀態下控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示前述處理室的狀態之第二處理室資料， 　　在前述基板處理工程中，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。 [發明的效果] 　　[0008] 若根據本發明的技術，則可提供一種能夠容易掌握處理狀態的技術。
[0010] （1）基板處理方法 　　利用圖1來說明本實施形態的基板處理方法。圖1是說明後述的反應器（以下稱為RC）的狀態遷移的說明圖。基板處理裝置是如圖2記載般具有複數的RC。RC是處理基板的處理室。詳細後述。 　　[0011] S102是空閒工程，表示基板處理裝置未運轉的非運轉狀態。具體而言，為基板處理裝置的剛安裝後或維修時的狀態。例如在圖1中，第一次的空閒工程S102（1）是實施安裝，第二次的空閒工程S102（2）是實施零件洗淨等的維修。在圖1中，將第m次的空閒工程稱為S102（m）（m=1、･･･、m）。一旦空閒工程S102終了，則移至其次的準備動作工程（以下稱為WU工程）S104。 　　[0012] S104為WU工程。WU工程S104是亦稱為待命（standby）工程。在此所謂的準備動作是使RC接近後述的分批處理工程S106的狀態之工程。例如進行使加熱器的運轉安定等的處理。在圖1中，將第n次的WU工程稱為S104（n）（n=1、･･･、n）。 　　[0013] WU工程S104是以複數的副準備動作工程（以下稱為SWU工程）S105（S105（p）（p=1、…、p））所構成。 　　在SWU工程S105中，在後述的基板處理工程S107使用的處方之中，有關準備動作對象的零件之處方程式會被使用。例如，以溫度作為監視對象時，使用包含加熱器控制的處方。藉由實行複數次SWU工程105，可設為與後述的分批處理工程S106的最初的基板處理工程S107（1）及r片處理後的狀態的工程S107（r）相同的處理條件。一旦SWU工程S105（p）終了，則移至基板處理工程s107（1）。 　　[0014] 處方程式是在處理基板（以下晶圓W）的期間控制各零件的實行程式，例如加熱晶圓的期間，控制加熱器、氣體供給部、氣體排氣部等的零件之程式。另外，在此是設為處理晶圓W的期間，但並非限於此，例如亦可包含載置晶圓W時的零件動作等。又，處方是亦可按每個零件設定副處方。在準備動作工程S104是只使有關準備動作對象的零件之副處方運轉，在分批處理工程S106中是使以外的副處方運轉。例如，在準備動作工程S104是使有關加熱器的副處方實行，在分批處理工程S106是例如使處理氣體供給系的副處方也運轉。 　　[0015] S106是分批處理工程。分批處理工程S106是處理被搬入至RC的1批的晶圓W之工程，為運轉狀態。例如每1批設定有k片的晶圓（W（1）~W（k）），如圖4記載般，該等是例如搭載於一個的容器111。在圖1中，將第一次的分批處理工程稱為S106（1）、･･･、將第q次的分批處理工程稱為S106（q）。各晶圓W是一片一片搬入至RC。當RC有複數時，分配於各個的RC。 　　[0016] 分批處理工程S106是以複數的基板處理工程S107（S107（1）~S107（r））所構成。如後述般，在基板處理工程S107中，主要進行晶圓W的搬入/搬出（或更換）處理、成膜或改質等的處理。 　　[0017] 在基板處理工程S107的RC是處方程式會被實行，被搬入的晶圓W會藉由加熱器等來加熱，且藉由供給至RC的處理氣體來進行成膜處理或改質處理等。一旦處理終了，則從RC搬出晶圓W，且其次的晶圓W搬入。在基板處理工程S107（1）~S107（r）是進行同樣的處理，因此使用相同的處方程式。 　　[0018] 在基板處理工程S107中，讀出與SWU工程S105相同的處方程式而實行。藉由使處方程式共通化，可減少有關後述的記憶裝置280c的記憶容量之負荷。另外，亦可使用WU工程專用的處方程式，該情況是配合基板處理條件來適宜調整時間等。 　　[0019] 又，依維修的頻率，如圖1所記載般，亦可連續實施分批處理工程S106。維修頻率是只要按照處理內容來設定即可。例如在微粒容易產生的CVD處理等是提高維修頻率，在微粒不產生的退火處理等是降低維修頻率。 　　[0020] （2）基板處理裝置的構成 　　利用圖2、圖3、圖4來說明本發明之一實施形態的基板處理裝置的概要構成。圖2是表示本實施形態的基板處理裝置的構成例的橫剖面圖。圖3是表示本實施形態的基板處理裝置的構成例，圖2α-α’的縱剖面圖。圖4是說明本實施形態的容器的說明圖。 　　[0021] 在圖2及圖3中，本發明所適用的基板處理裝置100是處理作為基板的晶圓W者，主要以IO平台110、大氣搬送室120、裝載鎖定室130、真空搬送室140、RC200來構成。 　　[0022] （大氣搬送室･IO平台） 　　在基板處理裝置100的前面是設置有IO平台（裝載埠）110。在IO平台110上是搭載有複數的容器111。容器111是可作為搬送矽（Si）基板等的晶圓W之載體使用。在容器111內是如圖4記載般設有多段地以水平姿勢支撐晶圓W的支撐部113。 　　[0023] 儲存於容器111內的晶圓W是被賦予晶圓號碼。（ ）為晶圓號碼。在圖4中，例如由下依序設定成W（1）、･･･、W（j）、W（j+1）、･･･、W（k）（1＜j＜k）。 　　[0024] 在容器111是設有蓋112，藉由容器開啟器121來開閉。容器開啟器121是藉由開閉被載置於IO平台110的容器111的蓋112，將基板出入口開放･閉鎖，可使晶圓W對於容器111出入。容器111是藉由未圖示的AMHS（Automated Material Handling Systems、自動晶圓搬送系統）來對於IO平台110供給及排出。 　　[0025] IO平台110是與大氣搬送室120鄰接。大氣搬送室120是在與IO平台110不同的面連結後述的裝載鎖定室130。在大氣搬送室120內是設置有移載晶圓W的大氣搬送機械手臂122。 　　[0026] 在大氣搬送室120的框體127的前側是設有用以對於大氣搬送室120搬入搬出晶圓W的基板搬入搬出口128、及容器開啟器121。在大氣搬送室120的框體127的後側是設有用以將晶圓W搬入搬出於裝載鎖定室130的基板搬入出口129。基板搬入出口129是藉由閘閥133來開放･閉鎖，藉此可使晶圓W出入。 　　[0027] （裝載鎖定室） 　　裝載鎖定室130是與大氣搬送室120鄰接。構成裝載鎖定室130的框體131所具有的面之中，在與大氣搬送室120不同的面是配置有後述的真空搬送室140。 　　[0028] 在裝載鎖定室130內是設置有基板載置台136，該基板載置台136是具有兩個載置晶圓W的載置面135。 　　[0029] （真空搬送室） 　　基板處理裝置100是具備作為搬送室的真空搬送室（傳輸模組）140，該搬送室是成為在負壓下搬送晶圓W的搬送空間。構成真空搬送室140的框體141是平面視形成五角形，在五角形的各邊是連結裝載鎖定室130及處理晶圓W的RC200（RC200a~200d）。在真空搬送室140的大致中央部是作為在負壓下移載（搬送）晶圓W的搬送部之搬送機械手臂170會以凸緣144作為基部而設置。 　　[0030] 被設置於真空搬送室140內的真空搬送機械手臂170是被構成可藉由昇降機145及凸緣144來一邊維持真空搬送室140的氣密性一邊昇降。機械手臂170所具有的二個臂180是被構成可昇降。另外，在圖3中，基於說明的方便起見，顯示臂180的末端執行器（end effector），其他的構造則省略。 　　[0031] 框體141的側壁之中，在與各RC200相向的壁是設有基板搬入出口148。例如圖3所記載般，在與RC200c相向的壁是設有基板搬入搬出口148c。而且，閘閥149會按每個RC而設。例如，在RC5是設有閘閥149c。另外，RC200a、200b、200d是與200c同樣的構成，所以在此是省略說明。 　　[0032] 臂180是可以軸為中心旋轉或延伸。藉由進行旋轉或延伸，將晶圓W搬送至RC內，或從RC200內搬出晶圓W。而且，可按照控制器280的指示，搬送晶圓至對應於晶圓號碼的RC200。 　　[0033] （反應器） 　　接著利用圖5來說明有關反應器的RC200。 　　如圖例般，RC200是具備處理容器（容器）202。容器202是例如橫剖面為圓形，構成為扁平的密閉容器。並且，容器202是例如藉由鋁（Al）或不鏽鋼（SUS）等的金屬材料所構成。在容器202內是形成有處理晶圓W的處理空間205、及在將晶圓W搬送至處理空間205時晶圓W所通過的搬送空間206。容器202是以上部容器202a及下部容器202b所構成。在上部容器202a與下部容器202b之間是設有隔板208。 　　[0034] 在下部容器202b的側面是設有與閘閥149鄰接的基板搬入出口204，晶圓W是經由基板搬入出口204來移動於與未圖示的搬送室之間。在下部容器202b的底部是設有複數個昇降銷207。 　　[0035] 在處理空間205是配置有支撐晶圓W的基板支撐部210。基板支撐部210是主要具有：載置晶圓W的基板載置面211、在表面持有基板載置面211的基板載置台21、及設於基板載置台212內之作為加熱源的加熱器213。在基板載置台212是昇降銷207所貫通的貫通孔214會分別設於與昇降銷207對應的位置。加熱器213是連接加熱器控制部220，依據控制器280的指示來加熱至所望的溫度。 　　[0036] 在加熱器213的近旁是設有溫度感測器215。溫度感測器215是連接溫度監視部221。溫度監視部221是將溫度感測器215所檢測出的溫度資訊發送至控制器280。檢測出的溫度資料是表示RC200的狀態之資訊。在本實施形態中，亦將表示所被檢測出的RC的狀態之資料稱為處理室資料。加熱器控制部220、溫度監視部221是被電性連接至控制器280。溫度監視部221是在WU工程S104、分批處理工程S106運轉。另外，亦將在WU工程S104取得的處理室資料稱為第一處理室資料，將在分批處理工程S106取得的處理室資料稱為第二處理室資料。 　　[0037] 基板載置台212是藉由軸217來支撐。軸217是貫通處理容器202的底部，且在處理容器202的外部被連接至昇降部218。 　　[0038] 昇降部218是主要具有：將軸217支撐的支撐軸、及使支撐軸昇降或旋轉的作動部。作動部是具有：例如包含用以實現昇降的馬達之昇降機構、及用以使支撐軸旋轉的齒輪等的旋轉機構。 　　[0039] 藉由使昇降部218作動來使軸217及基板載置台212昇降，基板載置台212可使被載置於載置面211上的晶圓W昇降。另外，軸217下端部的周圍是藉由波紋管219來覆蓋，藉此處理空間205內是被保持於氣密。 　　[0040] 基板載置台212是在晶圓W的搬送時，基板載置面211會下降至與基板搬入出口204對向的位置，在晶圓W的處理時，如在圖5所示般，晶圓W會上昇至成為處理空間205內的處理位置。 　　[0041] 在處理空間205的上部（上游側）是設有作為氣體分散機構的淋浴頭230。在淋浴頭230的蓋231是設有貫通孔231a。貫通孔231a是與後述的氣體供給管242連通。 　　[0042] 淋浴頭230是具備用以使氣體分散之作為分散機構的分散板234。此分散板234的上游側為緩衝空間232，下游側為處理空間205。在分散板234是設有複數的貫通孔234a。分散板234是被配置成與基板載置面211對向。分散板234是例如構成圓盤狀。貫通孔234a是遍及分散板234的全面而設。 　　[0043] 上部容器202a是具有凸緣，在凸緣上載置固定有支撐塊233。支撐塊233是具有凸緣233a，在凸緣233a上是載置固定有分散板234。而且，蓋231是被固定於支撐塊233的上面。 　　[0044] （供給部） 　　在蓋231連接共通氣體供給管242，而使能夠與被設在淋浴頭230的蓋231之氣體導入孔231a連通。共通氣體供給管242是連接第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。 　　[0045] （第一氣體供給系） 　　在第一氣體供給管243a是從上游方5411依序設有第一氣體源243b、流量控制器（流量控制部）的質量流控制器（MFC）243c、及開閉閥的閥243d。 　　[0046] 第一氣體源243b是含有第一元素的第一氣體（亦稱為「含第一元素氣體」）源。含第一元素氣體是原料氣體，亦即處理氣體之一。在此，第一元素是例如為矽（Si）。亦即，含第一元素氣體是含矽氣體。具體而言，使用二氯矽烷（Cl2 H2 Si，亦稱為DCS）或六氯矽烷（Si2 Cl6 ，亦稱為HCDS）氣體，作為含矽氣體。 　　[0047] 主要，藉由第一氣體供給管243a、質量流控制器243c、閥243d來構成第一氣體供給系243（亦稱為含矽氣體供給系）。 　　[0048] （第二氣體供給系） 　　在第二氣體供給管244a是從上游方向依序設有第二氣體源244b、流量控制器（流量控制部）的質量流控制器（MFC）244c、及開閉閥的閥244d。 　　[0049] 第二氣體源244b是含有第二元素的第二氣體（以下亦稱為「含第二元素氣體」）源。含第二元素氣體是處理氣體之一。另外，含第二元素氣體是亦可思考作為反應氣體。 　　[0050] 在此，含第二元素氣體是含有與第一元素不同的第二元素。第二元素是例如為氧（O）、氮（N）、碳（C）的任一個。在本實施形態中，含第二元素氣體是例如設為含氮氣體。具體而言，使用氨（NH3 ）氣體，作為含氮氣體。 　　[0051] 以電漿狀態的第二氣體來處理晶圓W時，亦可在第二氣體供給管設置作為電漿產生部的遠程電漿部246。在遠程電漿部246是設有用以控制對遠程電漿部246供給電力等的電漿控制部247。在遠程電漿部246與電漿控制部247之間是連接有電漿監視部248。電漿監視部248是檢測出對遠程電漿部246供給電力時的反射波等，監視遠程電漿部246的狀態。遠程電漿部246是在WU工程S104、分批處理工程S106被運轉。因為被檢測出的反射波等是影響供給至處理空間205的電漿，所以反射波等的資料是表示處理室的狀態之資料。 　　[0052] 主要藉由第二氣體供給管244a、質量流控制器244c、閥244d來構成第二氣體供給系244（亦稱為反應氣體供給系）。在第二氣體供給系244中亦可包含遠程電漿部246。 　　[0053] （第三氣體供給系） 　　在第三氣體供給管245a是從上游方向依序設有第三氣體源245b、流量控制器（流量控制部）的質量流控制器（MFC）245c、及開閉閥的閥245d。 　　[0054] 第三氣體源245b為惰性氣體源。惰性氣體是例如氮（N2 ）氣體。 　　[0055] 主要藉由第三氣體供給管245a、質量流控制器245c、閥245d來構成第三氣體供給系245。 　　[0056] 從惰性氣體源245b供給的惰性氣體是在基板處理工程中，作為淨化滯留在容器202或淋浴頭230內的氣體之淨化氣體作用。 　　[0057] （排氣部） 　　說明將容器202的氣氛排氣的排氣部。容器202是連接排氣管262，使能連通至處理空間205。排氣管262是設在處理空間205的側方。在排氣管262是設有將處理空間205內控制成預定的壓力之壓力控制器的APC（AutoPressure Controller）266。APC266是具有可調整開度的閥體（未圖示），按照來自控制器280的指示，調整排氣管262的傳導。在排氣管262中，在APC266的上游側是設有閥267。在閥267的下游是設有計測排氣管262的壓力之壓力監視部268。 　　[0058] 壓力監視部268是監視排氣管252的壓力者。因為排氣管252與處理空間205連通，所以間接性地監視處理空間205的壓力。壓力監視部268是與控制器280電性連接，將檢測出的壓力資料發送至控制器280。壓力監視部268是在WU工程S104、分批處理工程S106被運轉。在壓力監視部268檢測出的壓力資料是表示處理室的狀態之資料。 　　[0059] 將排氣管262、壓力監視部268、閥267、APC266總稱為排氣部。而且，設有DP（Dry Pump，乾式泵）269。如圖示般，DP269是經由排氣管262來將處理空間205的氣氛排氣。 　　[0060] 另外，藉由供給部及排氣部來控制RC200的氣氛，因此在本實施形態中是將供給部與排氣部總稱為氣氛控制部。 　　[0061] （控制器） 　　基板處理裝置100是具有控制基板處理裝置100的各部的動作之控制器280。 　　[0062] 將控制器280的概略顯示於圖6。控制部（控制手段）的控制器280是構成為具備CPU（Central Processing Unit）280a、RAM（Random Access Memory）280b、作為記憶部的記憶裝置280c、I/O埠280d之電腦。RAM280b、記憶裝置280c、I/O埠280d是被構成可經由內部匯流排280f來與CPU280a交換資料。基板處理裝置100內的資料的收發是依據亦為CPU280a的一個機能的收發指示部280e的指示來進行。 　　[0063] 並且，CPU280a是具有比較在各監視部檢測出的資料與其他的資料之機能。而且，具有將該等的資料顯示於後述的顯示裝置284之機能。所謂其他的資料是預先記錄於記憶裝置280c的初期值或在各監視部檢測出的最佳的資料等。亦可為其他的基板處理裝置的資料、其他的RC的資料。CPU280a是亦可比較在各監視部檢測出的資料與其他的資料，以該等的資料能夠匹配的方式，控制加熱器或閥等。 　　[0064] 控制器280是構成可連接例如作為鍵盤等構成的輸入裝置281或外部記憶裝置282。而且，設有經由網路來連接至上位裝置270的接收部283。接收部283是可從上位裝置270接收被儲存於容器111的晶圓W的處理資訊等。所謂晶圓W的處理資訊是例如被形成於晶圓W的膜或圖案等有關晶圓W的處理狀態之資訊。 　　[0065] 在顯示裝置284是顯示有在各監視部所檢測出的資料等。另外，在本實施形態中是作為與輸入裝置281不同的零件進行說明，但並非限於此。例如若輸入裝置為觸控面板等兼具顯示畫面者，則亦可將輸入裝置281及顯示裝置284設為一個的零件。 　　[0066] 記憶裝置280c是例如以快閃記憶體、HDD（Hard Disk Drive）等所構成。 　　在記憶裝置280c內是可讀出地儲存有製程處方或作為控制程式的處方程式、後述的表等，該製程處方是記載有後述的基板處理的程序或條件等，該控制程式是為了實現製程處方而控制基板處理裝置的動作。另外，處方程式是使後述的基板處理工程的各程序實行於控制器280，以能夠取得預定的結果之方式組合者，作為程式機能。以下，亦將此程式處方或控制程式等總簡稱為程式。另外，在本說明書中稱為程式時，有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含其雙方時。又，RAM280b是構成為暫時性地保持藉由CPU280a所讀出的程式或資料等的記憶領域（工作區域）。 　　[0067] 在記憶裝置280c是記憶有圖7所記載的WU工程的監視資料表W。而且，記憶有圖8所記載的分批處理工程的監視資料表L。在各表中是分別記錄有在裝置安裝時等設定的初期值。監視資料是例如在電漿監視部248、壓力監視部268、溫度監視部221的任一個所檢測出的資料。各個的監視資料是即時被寫入，同時間的經過一起儲存資料。例如，WU工程S104（n）的SWU工程S105（p）的資料是被記錄於表W的Wnp的位置。並且，分批處理工程S106（o）的基板處理工程S107（r）的資料是被記錄於表L的Lop的位置。該等的資料是時間序列地連續記錄。 　　[0068] 被監視的資料是顯示於輸出入裝置281。顯示方法是例如圖9或圖10般，被記憶於表W的WU工程的基準資料（第一基準資料）及基板處理工程的基準資料（第二基準資料）會被顯示於畫面上。顯示於畫面上時是匯集第一基準資料、第二基準資料、第一處理室資料、第二處理室資料，令使用者可掌握的方式顯示。例如，一個的顯示畫面上基準資料及處理室資料會同時被顯示。在圖9中以虛線來顯示溫度監視部所檢測出的第一處理室資料、第二處理室資料，以實線來顯示第一基準值、第二基準值。在此，例如顯示初期值作為基準值。 　　[0069] I/O埠280d是被連接至設在各閘閥149、RC200的昇降機構218、各壓力調整器、各泵、溫度監視部221、電漿監視部248、壓力監視部268、臂170等、基板處理裝置100的各構成。 　　[0070] CPU280a是構成可讀出來自記憶裝置280c的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置281的操作指令的輸入等，從記憶裝置280c讀出處方程式。而且，CPU280a是以能夠按照所被讀出的處方程式的內容之方式，構成可控制閘閥149的開閉動作、機械手臂170的動作、昇降機構218的昇降動作、溫度監視部221、電漿監視部248、壓力監視部268的動作、各泵的ON/OFF控制、質量流控制器的流量調整動作、閥等。 　　[0071] 另外，控制器280是使用儲存上述程式的外部記憶裝置（例如硬碟等的磁碟、DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體）282來將程式安裝於電腦等，藉此可構成本實施形態的控制器280。另外，用以供給程式至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置282來供給的情況。例如，亦可利用網際網路或專線等的通訊手段，不經由外部記憶裝置282來供給程式。另外，記憶裝置280c或外部記憶裝置282是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總稱簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中稱記錄媒體時，有只包含記憶裝置280c單體的情況，只包含外部記憶裝置282單體時，或包含其雙方時。 　　[0072] （3）基板處理方法的詳細 　　接著說明基板處理方法的詳細。 　　在此是詳細說明有關WU工程S105、分批處理工程S107。 　　[0073] （WU工程S104） 　　在此是說明WU工程S104。在WU工程S104是以能接近分批處理工程S106的初期的處理（例如基板處理工程S107（1））及數片處理後的處理（例如基板處理工程S107（r））的處理條件之方式，進行加熱處理等。亦即，在投入被處理的晶圓W之前，使加熱器213運轉，接近溫度條件。而且，從氣體供給系供給氣體，對處理空間205供給氣體。另外，在此是說明有關加熱處理，但並非限於此，例如有關電漿產生或壓力調整也是同樣。電漿產生時，將在WU工程S104的反射波控制成與分批處理工程106同樣接近零。又，有關壓力調整是在基板處理前調整壓力。 　　[0074] 如前述般接近溫度條件時，在WU工程S104是處方程式會被讀出，根據此來控制各零件。各零件是被控制成接近分批處理工程S106的處理。處方程式是進行預定次數，接近處理條件。另外，具有專用的準備動作處方程式時，該程式會被讀出，根據此來控制各零件。 　　[0075] 在WU工程S104是控制加熱器213，且溫度資料會藉由溫度感測器215來連續地檢測出。被檢測出的溫度資料是被發送至控制器280。電漿產生時，反射波等會被連續性檢測出，被檢測出的反射波資料是被發送至控制器280。壓力檢測時，壓力會被連續性檢測出，被檢測出的壓力資料是被發送至控制器280。 　　[0076] 被檢測出的資料是記錄於監視資料表W。被記錄的資料是如圖9或圖10般，以圖表來顯示於顯示裝置284的顯示畫面。在顯示畫面中，具體地顯示哪個的工程的資料。在此，顯示SWU工程S105（p）作為一例。 　　[0077] （分批處理工程S106） 　　接著，說明基板處理工程。 　　以下，說明有關使用HCDS氣體作為第一處理氣體，使用氨（NH3 ）氣體作為第二處理氣體，形成矽氮化（SiN）膜的例子。 　　[0078] 一旦晶圓W搬入至腔室202內，則關閉閘閥149，將腔室202內密閉。然後，藉由使基板載置台212上昇，使晶圓W載置於基板載置台212所設的基板載置面211上，再藉由使基板載置台212上昇，使晶圓W上昇至前述的處理空間205內的處理位置（基板處理位置）。 　　[0079] 在將晶圓W載置於基板載置台212上時，對被埋入於基板載置台212的內部之加熱器213供給電力，晶圓W的表面會被控制成為預定的溫度。晶圓W的溫度是例如室溫以上，800℃以下，較理想是室溫以上，700℃以下。此時，藉由溫度感測器215所檢測出的資料是經由加熱器監視部220來發送至控制器280。控制器280是根據溫度資訊來算出控制值，根據該算出值來指示溫度控制部220控制往加熱器213的通電情況，調整溫度。 　　[0080] 而且，控制加熱器213的同時，溫度資料會藉由溫度感測器215來連續性檢測出，發送至控制器280。在檢測出電漿產生狀態時，藉由電漿監視部248來連續地檢測出反射波等，發送至控制器280。在檢測出壓力狀態時，藉由壓力監視部268來連續地檢測出壓力，發送至控制器280。 　　[0081] 被檢測出的資料是記錄於監視資料表L。被記錄的資料是如圖9或圖10般，作為基板處理工程S107以圖表顯示於顯示裝置284。被顯示時是具體地顯示哪個工程的資料。在此是顯示基板處理工程S107（r）。 　　[0082] 一旦晶圓W被維持於預定的溫度，則從第一氣體供給系243供給HCDS氣體至處理空間205，且從第二氣體供給系244供給NH3 氣體。此時NH3 氣體是藉由遠程電漿部246來成為電漿狀態。 　　[0083] 在處理空間205是存在被熱分解的HCDS氣體及電漿狀態的NH3 氣體。藉由Si與氮結合，在晶圓W形成有SiN膜。一旦形成所望的膜厚的SiN膜，則停止往處理空間205的HCDS氣體供給、NH3 氣體供給，且從處理空間205將HCDS氣體、NH3 氣體排氣。排氣時是從第三氣體供給系供給N2 氣體，淨化殘留氣體。 　　[0084] 接著，說明在分批處理工程S106及WU工程S104中，檢測出資料的理由。首先，說明有關圖11所記載的比較例。比較例是只檢測出基板處理工程S107的資料，予以顯示者。在此是顯示藉由基板處理工程S107（r）的溫度感測器215所檢測出的資料。實線為基準資料，虛線為溫度感測器215所檢測出的檢測資料。 　　[0085] 在圖11是可知基準資料與檢測資料有背離的情形。因此，推測加熱器213有問題。在此所謂的問題是表示例如斷線等的硬體面的故障或在準備動作工程的加熱不夠充分等。為了特定資料背離的原因，停止基板處理裝置之後，卸下基板載置台212或軸217而分解，或收集各種的資料來分析等，非常費事。而且，因為必須使基板處理裝置停止，所以生產性顯著降低。 　　[0086] 因為如此的狀況，所以最好不使基板處理裝置停止，容易地特定問題。於是，在本實施形態中，即使在WU工程S104也可檢測出資料。 　　[0087] 將在分批處理工程S106及WU工程S104的雙方檢測出的資料顯示於圖9、圖10。與圖11同樣，實線為基準資料，虛線為在溫度監視部221檢測出的資料。 　　[0088] 圖9是在SWU工程S105、基板處理工程S107雙方產生背離。因此，可知至少在WU工程S104發生問題。此問題是可思考例如WU工程S104不夠充分。並且，WU工程S104的準備動作用處方程式的設定內容的錯誤（例如昇降溫速率或壓力設定錯誤所造成的溫度上昇抑制）或必要以上的非運轉時間的空閒時間成為問題。如此一來，由於可容易地特定WU工程的問題，因此相較於比較例，問題的檢索範圍會變小。所以，使用者在問題特定不費時，可快速採取對策。另外，作為對策例，是進行以增減SWU工程S105的方式設定，或構築專用的準備動作處方等的作業。 　　[0089] 圖10是在SWU工程S105幾乎無背離，在基板處理工程S107產生背離。因此，可知在WU工程S105是無問題，在基板處理工程S107中發生問題。此問題是可思考在WU工程S104未被運轉的零件或處方等發生問題，受其影響。具體而言，在WU工程S104不供給處理氣體，只供給惰性氣體時，可思考在WU工程S104未使用的第一氣體供給系243或第二氣體供給系244等有問題。或，可思考在有關第一氣體供給系243或第二氣體供給系244等的處方有問題。並且，可思考進入分批處理工程S106之後，與監視對象關聯的零件壞掉等的問題。如此一來，由於可容易地特定分批處理工程S106的問題，因此相較於比較例，問題的檢索範圍會變小。所以，使用者在問題特定不費時，可快速採取對策。另外，作為對策例，是進行有關問題處的處方程式或副處方的再設定，或可變參數的再設定，確認零件等的作業。 　　[0090] 藉由如此在分批處理工程S106及WU工程S104的雙方檢測出資料予以顯示，可容易特定問題。 　　[0091] 其次，說明有關基準資料。 　　基準資料是在上述實施例中以初期值為例進行說明，但並非限於此。例如基準資料是亦可為與各個RC200關聯的資料之中最佳的資料、其他的RC的資料、其他的基板處理裝置的資料。 　　[0092] 當基準資料為在RC200所被檢測出的資料之中，品質最高的基板處理工程S107的資料時，被判斷成若有背離則不是高品質的處理。此情況，藉由控制各零件使能接近基準資料，可再現性佳製造品質高的半導體裝置。因此，可提高高品質的半導體裝置的製造良品率。 　　[0093] 當在其他的RC所被檢測出的資料或在其他的基板處理裝置所被檢測出的資料為基準資料時，被判斷成若有背離則在各RC有個體差。此情況，藉由控制零件使能接近基準資料，即使在RC或基板處理裝置間有個體差，還是可使晶圓W的處理狀態接近。因此，可實現良品率高的處理。 　　[0094] 並且，在資料的顯示是亦可使如其次般顯示。 　　顯示的SWU工程S105的資料是亦可使從S105（1）到S105（p）連續性地顯示。藉由使連續顯示，可容易地特定在哪個SWU工程有問題。
[0095]
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧反應器（RC）
210‧‧‧基板載置部
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
215‧‧‧溫度感測器
220‧‧‧加熱器控制部
221‧‧‧溫度監視部
246‧‧‧遠程電漿部
247‧‧‧電漿控制部
248‧‧‧電漿監視部
262‧‧‧排氣管
268‧‧‧壓力監視部
280‧‧‧控制器
W‧‧‧晶圓
[0009] 　　圖1是說明本實施形態的基板處理裝置的處理流程的說明圖。 　　圖2是說明本實施形態的基板處理裝置的說明圖。 　　圖3是說明本實施形態的基板處理裝置的說明圖。 　　圖4是說明本發明的實施形態的容器的說明圖。 　　圖5是表示本發明的實施形態的反應器的概略構成例的說明圖。 　　圖6是說明本實施形態的基板處理裝置的說明圖。 　　圖7是說明本發明的實施形態的表的一例的說明圖。 　　圖8是說明本發明的實施形態的表的一例的說明圖。 　　圖9是說明本實施形態的反應器的狀態的說明圖。 　　圖10是說明本實施形態的反應器的狀態的說明圖。 　　圖11是說明比較例的反應器的狀態的說明圖。

Claims (22)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： 　　準備動作工程，其係處理室不存在基板的狀態下，控制被設在前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示不存在基板的前述處理室的狀態之第一處理室資料；及 　　基板處理工程，其係於前述處理室存在基板的狀態下控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示存在基板的前述處理室的狀態之第二處理室資料， 　　在前述基板處理工程中，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，檢測出前述第一處理室資料及前述第二處理室資料時，係連續地檢測出前述處理室的狀態。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，所謂前述處理室的狀態，為前述加熱部的溫度、前述處理室的壓力或電漿產生的狀態。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中，更具有非運轉狀態的空閒工程， 　　前述準備動作工程，係於前述空閒工程之後，前述基板處理工程之前實施。
  5. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述準備動作工程不同的準備動作工程檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述基板處理工程不同的基板處理工程檢測出的第二處理室資料。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為前述不同的準備動作工程之中，品質最佳的第一處理室資料，前述第二基準資料為前述不同的基板處理工程之中，品質最佳的第二處理室資料。
  7. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料及前述第二基準資料為預先被記憶於記憶部的資料。
  8. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第二處理室資料。
  9. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述準備動作工程不同的準備動作工程檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述基板處理工程不同的基板處理工程檢測出的第二處理室資料。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為前述不同的準備動作工程之中，品質最佳的第一處理室資料，前述第二基準資料為前述不同的基板處理工程之中，品質最佳的第二處理室資料。
  11. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料及前述第二基準資料為預先被記憶於記憶部的資料。
  12. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第二處理室資料。
  13. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述準備動作工程不同的準備動作工程檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述基板處理工程不同的基板處理工程檢測出的第二處理室資料。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為前述不同的準備動作工程之中，品質最佳的第一處理室資料，前述第二基準資料為前述不同的基板處理工程之中，品質最佳的第二處理室資料。
  15. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料及前述第二基準資料為預先被記憶於記憶部的資料。
  16. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第二處理室資料。
  17. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述準備動作工程不同的準備動作工程檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述基板處理工程不同的基板處理工程檢測出的第二處理室資料。
  18. 如申請專利範圍第17項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為前述不同的準備動作工程之中，品質最佳的第一處理室資料，前述第二基準資料為前述不同的基板處理工程之中，品質最佳的第二處理室資料。
  19. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料及前述第二基準資料為預先被記憶於記憶部的資料。
  20. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，前述第一基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第一處理室資料，前述第二基準資料為在與前述處理室不同的處理室檢測出的第二處理室資料。
  21. 一種程式，係藉由電腦來使實行於基板處理裝置的程式，其特徵為具有： 　　在處理室不存在基板的狀態下，控制被設於前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示前述處理室的狀態的第一處理室資料之程序；及 　　在前述處理室存在基板的狀態下，控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示前述處理室的狀態的第二處理室資料之程序， 　　在前述基板存在的狀態中處理時，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。
  22. 一種基板處理裝置，其特徵係具有： 　　處理室，其係處理基板； 　　加熱部，其係設於前述處理室； 　　氣氛控制部，其係控制前述處理室的氣氛； 　　監視部，其係檢測出前述處理室的狀態； 　　顯示畫面，其係顯示前述處理室的狀態；及 　　控制部，其係 　　在處理室不存在基板的狀態下，控制被設於前述處理室的加熱部及控制前述處理室的氣氛的氣氛控制部，且檢測出表示前述處理室的狀態的第一處理室資料， 　　在前述處理室存在基板的狀態下，控制前述加熱部及前述氣氛控制部，處理基板，且檢測出表示前述處理室的狀態的第二處理室資料， 　　在前述基板存在的狀態中處理時，將前述第一處理室資料及前述第二處理室資料與預先取得的前述準備動作工程的第一基準資料及前述基板處理工程的第二基準資料一起顯示於顯示畫面。
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