JP2011044458A - 基板処理システム - Google Patents

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裕幸 岩倉
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Abstract

【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、レシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムに関する。
レシピに基づく基板処理プロセス(バッチ処理)を繰り返し実行する基板処理装置内には、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置の状態を示すデータ(例えば温度、ガス流量、圧力等の時系列データ)の発生箇所(例えば温度センサ、ガス流量計、圧力計など、以下これらをデータ発生箇所と呼ぶ)が多数存在する。基板処理装置が複数存在する場合には、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置群の状態を統合的かつ効率的に管理するため、複数の基板処理装置に接続される群管理装置(上位管理装置)が用いられることがある。群管理装置は、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置の状態を示す上述のデータを各基板処理装置から受信し、受信したデータをデータベース(DB)に格納するように構成されている。そして、群管理装置は、DBに格納したデータを所定のタイミングで読み出し、読み出したデータを所定のチェック条件に基づいてチェックすることで、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常の検出を行うように構成されていた。
上述の異常検出は、チェック条件を予め定めることが可能であるようなデータ、すなわち、正常時のデータの値の範囲と異常時のデータの値の範囲とを明確に区分できるようなデータをチェックする場合には有効である。但し、基板処理装置から受信するデータには、チェック条件を予め定めることが困難なデータが存在する。例えば、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置の状態が正常であったとしても、データの値が所定の範囲を超えて複雑に変動し得るような場合には、チェック条件を予め定めることは困難である。
チェック条件を予め定めることが困難なデータについては、同一のレシピに基づいて行われた複数の基板処理プロセスに関するデータを相互に比較することで、異常検出を行うことが可能な場合がある。チェック条件を予め定めることが困難なデータであっても、その値の変化の再現性を複数の基板処理プロセス間で相互にチェックすることで、異常な挙動を示す点(特異点)を検出することが可能な場合がある。しかしながら、基板処理プロセスに関するデータの数は膨大であり、従来の基板処理システムでは、複数の基板処理プロセスに関するデータを相互に比較することは困難であった。
本発明は、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較が容易であり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出が容易である基板処理システムを提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムであって、前記群管理装置は、前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、前記通信手段が受信した前記データを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、所定の前記基板処理装置及び所定の前記レシピに関する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時
系列グラフを作成するグラフ作成手段と、前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの開始時刻から前記特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える基板処理システムが提供される。
本発明に係る基板処理システムによれば、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較が容易となり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出が容易となる。
本発明の一実施形態にかかる基板処理システムの概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理システム及び群管理装置のブロック構成図である。 本発明の一実施形態にかかる群管理装置の動作を例示するフロー図である。 特異点が存在しない時系列グラフを例示する概略図である。 特異点が存在する時系列グラフを例示する概略図である。 (a)は特異点が存在する時系列グラフを例示する概略図であり、(b)は特異点の指定を受け付けてプロセス比較グラフが表示される様子を例示する概略図である。 時系列グラフ或いはプロセス比較グラフを構成するデータと、閾値線を構成する所定の閾値とを比較する様子を示す概略図であり、特異点が存在しない場合を示す。 時系列グラフ或いはプロセス比較グラフを構成するデータと、閾値線を構成する所定の閾値とを比較する様子を示す概略図であり、特異点が存在する場合を示す。 (a)は特異点が存在するプロセス比較グラフを例示する概略図であり、(b)は特異点が発生した基板処理プロセス及びその前後に実施された基板処理プロセスの時系列グラフを例示する概略図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の斜透視図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
<本発明の一実施形態>
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
(1)基板処理システムの構成
まず、図1を用いて、本発明の一実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理システムの概要構成図である。
図1に示すとおり、本実施形態にかかる基板処理システムは、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する少なくとも一台の基板処理装置100と、基板処理装置100とデータ交換可能なように接続される群管理装置500と、を備えている。基板処理装置100と群管理装置500との間は、例えば構内回線(LAN)や広域回線(WAN)等のネットワーク400により接続されている。
(2)基板処理装置の構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置100の構成について、図10,図11を参照しながら説明する。図10は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の斜透視図である。図11は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。なお、
本実施形態にかかる基板処理装置100は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、CVD処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
図10、図11に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置100は、耐圧容器として構成された筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設されている。正面メンテナンス口103には、正面メンテナンス口103を開閉する一対の正面メンテナンス扉104が設けられている。シリコン等のウエハ(基板)200を収納したポッド(基板収容器)110が、筐体111内外へウエハ200を搬送するキャリアとして使用される。
筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されている。ロードポート114上には、ポッド110を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド110は、工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114上に搬送されるように構成されている。
筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。回転式ポッド棚105上には複数個のポッド110が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117と、を備えている。複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されている。ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を相互に搬送するように構成されている。
筐体111内の下部には、サブ筐体119が、筐体111内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口120には、ポッドオープナ121がそれぞれ設置されている。
各ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する一対の載置台122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122上に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体119内には、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室124が構成されている。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、
ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。図10に示すように、ウエハ移載装置エレベータ125bは、サブ筐体119の移載室124前方領域右端部と筐体111右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置125aは、ウエハ200の載置部としてのツイーザ(基板保持体)125cを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ200をボート(基板保持具)217に対して装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)することが可能なように構成されている。
移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、基板処理系としての処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。
図10に示すように、サブ筐体119の待機部126右端部と筐体111右側端部との間には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が連結されている。アーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は複数本の保持部材を備えている。ボート217は、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。
図10に示すように、移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されている。ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置125a、待機部126にあるボート217の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体111の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環されてクリーンユニット134によって移載室124内に再び吹き出されるように構成されている。
(3)基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置100の動作について、図10,図11を参照しながら説明する。
図10、図11に示すように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114の上のポッド110が、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。
筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって回転式ポッド棚105の棚板117上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板117
上から一方のポッドオープナ121の載置台122上に移載される。なお、筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって直接ポッドオープナ121の載置台122上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124内にクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、移載室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気である筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。
載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ200は、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填(チャージング)される。ボート217内にウエハ200を装填したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217内に装填する。
この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載機構125によるウエハのボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121の載置台122上には、別のポッド110が回転式ポッド棚105上からポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウエハ200がボート217内に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。
ローディング後は、処理炉202内にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ200を格納したボート217が処理室201内より搬出され、処理後のウエハ200を格納したポッド110が筐体111外へと搬出される。
(4)処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉202の構成について、図12を用いて説明する。図12は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置100の処理炉202の縦断面図である。
図12に示すように、処理炉202は、反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英(SiO)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201内は後述するボート217を収容可能なように構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英また
は炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。
プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。
アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状になるように、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209により反応容器が形成される。
後述するシールキャップ219には、ガス導入部としてのノズル230が処理室201内に連通するように接続されている。ノズル230には、ガス供給管232が接続されている。ガス供給管232の上流側(ノズル230との接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、MFC241を制御するように構成されている。
マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。排気管231の下流側(マニホールド209との接続側と反対側)には、圧力検出器としての圧力センサ245、例えばAPC(Auto Pressure Contoroller)として構成された圧力調整装置242、真空ポンプ等の真空排気装置246が上流側から順に接続されている。圧力調整装置242及び圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検出された圧力値に基づいて、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置242を制御するように構成されている。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219の中心部付近であって処理室201と反対側には、ボートを回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。回転機構254は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219を昇降させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構254及びボートエレベータ115には、メカ制御部238が電気的に接続されている。メカ制御
部238は、回転機構254及びボートエレベータ115が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。
上述したように、基板保持具としてのボート217は、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるように構成されている。
プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206と温度センサ263とには、電気的に温度制御部237が接続されている。温度制御部237は、温度センサ263により検出された温度情報に基づいて、処理室201内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ206への通電具合を調整するように構成されている。
ガス流量制御部235、圧力制御部236、メカ制御部238、温度制御部237は、基板処理装置全体を制御する主制御部としての表示装置制御部239に電気的に接続されている(以下、ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237をI/O制御部とも呼ぶ)。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、メカ制御部238、温度制御部237、及び主制御部としての表示装置制御部239は、基板処理装置用コントローラ240として構成されている。基板処理装置用コントローラ240の構成や動作については、後述する。
(5)処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉202を用いてCVD法によりウエハ200上に薄膜を形成する方法について、図12を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ240により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図12に示すように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空排気装置246によって真空排気される。この際、圧力センサ245が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置242(の弁の開度)がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ206によって加熱される。この際、温度センサ263が検出した温度値に基づき、ヒータ206への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217及びウエハ200が回転させられる。
次いで、処理ガス供給源から供給されてMFC241にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管232内を流通してノズル230から処理室201内に導入される。導入されたガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して排気管231から排気される。ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されてマニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200を保持するボート217がマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部へと搬出(ボートアンローディング)される。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出され、ポッド110内へ格納される(ウエハディスチャージ)。
(6)基板処理装置用コントローラの構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置用コントローラ240の構成について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置100及び群管理装置500のブロック構成図である。
基板処理装置用コントローラ240は、処理炉202を制御する上述のI/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)と、上記I/O制御部とデータ交換可能なように接続された上述の処理制御部239aと、を備えている。処理制御部239aは、I/O制御部を介して処理炉202の動作を制御するとともに、処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すデータを収集する(読み出す)ように構成されている。
基板処理装置用コントローラ240は、処理制御部239aにデータ交換可能なように接続された主制御部としての表示装置制御部239を備えている。表示装置制御部239には、ディスプレイ等のデータ表示部240aとキーボード等の入力手段240bとがそれぞれ接続されるように構成されている。表示装置制御部239は、操作員による入力手段240bからの入力(操作コマンドの入力等)を受け付けると共に、基板処理装置100の状態表示画面や操作入力受付画面等をデータ表示部240aに表示するように構成されている。
また、基板処理装置用コントローラ240は、主制御部としての表示装置制御部239にデータ交換可能なように接続されたメカ制御部238と、メカ制御部238にデータ交換可能なように接続されたメカ機構I/O238aと、を備えている。メカ機構I/O238aには、基板処理装置100を構成する各部(例えばポッドエレベータ118a、ポッド搬送機構118b、ポッドオープナ121、ウエハ移載機構125、ボートエレベータ115等)が接続されている。メカ制御部238は、メカ機構I/O238aを介して基板処理装置100を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置100を構成する各部の状態(例えば位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すデータを収集する(読み出す)ように構成されている。
また、基板処理装置用コントローラ240は、主制御部としての表示装置制御部239に接続されたデータ保持部239eを備えている。データ保持部239eには、基板処理装置用コントローラ240に種々の機能を実現するプログラムや、処理炉202にて実施される基板処理工程の設定データ(レシピデータ)や、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)やメカ機構I/O238aから読み出した各種データ等が保持(記憶)されるように構成されている。
また、基板処理装置用コントローラ240は、主制御部としての表表示装置制御部239に接続された通信制御部239bを備えている。また、図示しないが、上述のI/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)やメカ制御部23
8は、処理制御部239aや主制御部としての表示装置制御部239を介さずに通信制御部239bと直接データ交換可能なようにも接続されている。なお、通信制御部239bは、後述する基板処理装置100とネットワーク400を介してデータ交換可能なように接続されている。
通信制御部239bは、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)を介して読み出した処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すデータを、処理制御部239a及び表示装置制御部239を介して受信し、群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部239bは、メカ機構I/O238aを介して読み出した基板処理装置100を構成する各部の状態(位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すデータを、メカ制御部238及び表示装置制御部239を介して受信し、群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。
また、通信制御部239bは、I/O制御部を介して読み出した処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すデータを、主制御部としての表示装置制御部239及び処理制御部239aを介さずに直接受信して群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部239bは、メカ機構I/O238aを介して読み出した基板処理装置100を構成する各部の状態(位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すデータを、表示装置制御部239を介さずに直接受信して群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。
図示しないが、上述のI/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)やメカ制御部238は、主制御部としての表示装置制御部239、処理制御部239a、及び通信制御部239bを介さずに、群管理装置500と直接データ交換可能なようにも構成されている。そして、I/O制御部は、読み出した処理炉202の状態(温度、ガス流量、圧力等)を示すデータを、主制御部としての表示装置制御部239、処理制御部239a、通信制御部239bを介さずに直接に群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。また、メカ機構I/O238aは、読み出した基板処理装置100を構成する各部の状態(位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等)を示すデータを、主制御部としての表示装置制御部239や通信制御部239bを介さずに直接に群管理装置500へ送信することが可能なように構成されている。
(7)群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置100とデータ交換可能なように構成された本実施形態にかかる群管理装置500の構成について、主に図2を参照しながら説明する。
群管理装置500は、中央処理装置(CPU)として構成された制御部501と、内部に共有メモリ502領域を有するメモリと、HDDなどの記憶装置として構成された格納手段としてのデータ保持部503と、ディスプレイ装置などのデータ表示部505と、キーボード等の入力手段506と、通信手段としての通信制御部504と、を有するコンピュータとして構成されている。上述のメモリ、データ保持部503、データ表示部505、入力手段506、通信制御部504は、内部バス等を介して制御部501とデータ交換可能なように構成されている。また、制御部501は、図示しない時計機能を有している。
(通信制御部)
通信手段としての通信制御部504は、基板処理装置用コントローラ240の通信制御部239bに接続されていると共に、I/O制御部(ガス流量制御部235、圧力制御部236、温度制御部237)及びメカ制御部238に接続されている。通信制御部504は、基板処理装置100からデータを受信し、共有メモリ502に渡すように構成されて
いる。なお、共有メモリ502に渡されるデータには、データの発生源である基板処理装置100を特定する装置IDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していたレシピを特定するレシピIDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、基板処理プロセスの開始時刻からデータの発生時刻迄の経過時間と、が付加されるように構成されている。
(データ保持部)
格納手段としてのデータ保持部503は、共有メモリ502に格納されているデータを、データの発生源である基板処理装置100を特定する装置IDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していたレシピを特定するレシピIDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、基板処理プロセスの開始時刻からデータの発生時刻迄の経過時間を特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納するように構成されている。
また、データ保持部503には、図示しない群管理プログラムが格納されている。群管理プログラムは、データ保持部503から上述のメモリに読み出されて制御部501に実行されることにより、後述するグラフ作成手段511を群管理装置500に実現するように構成されている。
(グラフ作成手段)
グラフ作成手段511は、データ検索条件の入力を受け付けてデータ保持部503を検索し、所定の基板処理装置100及び所定のレシピに関するデータをデータ保持部503から読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフ(トレース重ねデータグラフ)を作成するように構成されている。
具体的には、グラフ作成手段511は、装置ID及びレシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付けてデータ保持部503を検索し、装置ID及びレシピIDに関連付けられたデータをデータ保持部503から読み出すように構成されている。なお、データ検索条件の入力は、後述する「時系列グラフ」の作成要求の入力として、入力手段506により行われる。
そして、グラフ作成手段511は、読み出した前記データを、前記時間情報に基づいて前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成するように構成されている。グラフ作成手段511は、作成した時系列グラフを、データ表示部505に表示させるように構成されている。
ここで、重ね合わされる複数のデータのうち他のデータと比較して偏差が大きなデータを「特異点」と呼ぶことにする。特異点は、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置100の状態に異常が発生したことを示唆するデータである。図4は、特異点が存在しない時系列グラフを例示する概略図である。基板処理プロセスが繰り返し正常に行われている場合、繰り返された複数の基板処理プロセスにおいて、データ値の再現性は高くなる。その結果、時系列グラフは特異点の存在しないグラフとなる。図5は、特異点が存在する時系列グラフを例示する概略図である。基板処理プロセスに異常が発生した場合、異常が発生した基板処理プロセスに関するデータの値が、正常に行われている基板処理プロセスに関するデータの値から解離することになる。その結果、時系列グラフ中に、他のデータと再現性良く重なり合わないデータ、すなわち特異点が生じることとなる。なお、図5では、基板処理プロセスの開始時刻から時間Taが経過したときに特異点が発生している様子を示している。
また、グラフ作成手段511は、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、特異点が発生した基板処理プロセスの開始時刻から特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータをデータ保持部503から読み出し、読み出したデータおよび特異点を、基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフ(バッチ毎データグラフ)を作成するように構成されている。
具体的には、グラフ作成手段511は、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、特異点を示すデータの経過時間を時間情報により特定し、繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータ(特異点と経過時間が同じである他の基板処理プロセスにおけるデータ)を、データ保持部503から読み出すように構成されている。なお、時系列グラフ中における特異点の指定は、後述する「プロセス比較グラフ」の作成要求の入力として、入力手段506により行われる。
そして、グラフ作成手段511は、取得した経過時間に対応するデータおよび特異点を、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと対応させつつグラフ化することでプロセス比較グラフを作成するように構成されている。そして、グラフ作成手段511は、作成したプロセス比較グラフを、データ表示部505に表示させるように構成されている。
かかる様子を図6に示す。図6(a)は、特異点が存在する時系列グラフを例示する概略図であり、図6(b)は、特異点の指定を受け付けてプロセス比較グラフが表示される様子を例示する概略図である。図6(a)に示される時系列グラフでは、基板処理プロセスの開始時刻から時間Taが経過したときに特異点が発生している。特異点の指定が入力手段506により行われると、経過時間Taに対応するデータおよび特異点が、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスID(図中1〜5)と対応させつつグラフ化されて、図6(b)に例示するようなプロセス比較グラフが作成されるように構成されている。図6(b)に示すデータは、繰り返された各基板処理プロセス(プロセスID1〜5で特定される各基板処理プロセス)の、経過時刻Taにおけるデータの値を図示しており、プロセスID3において異常が発生していることが一目で分かるように構成されている。
また、グラフ作成手段511は、上述したように先に時系列グラフを作成し、その後にプロセス比較グラフを作成する場合に限らず、先にプロセス比較グラフを作成し、その後に時系列グラフを作成することが可能なようにも構成されている。
具体的には、グラフ作成手段511は、装置ID、レシピID、及び時間情報を含むデ
ータ検索条件の入力を受け付けてデータ保持部503を検索し、装置ID及びレシピIDに関連付けられ、時間情報により特定される経過時間が同一であるデータを読み出すように構成されている。なお、装置ID、レシピID、及び時間情報を含むデータ検索条件の入力は、プロセス比較グラフの作成要求として、入力手段506により行われる。
そして、グラフ作成手段511は、読み出したデータをプロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するように構成されている。そして、グラフ作成手段511は、作成したプロセス比較グラフを、データ表示部505に表示させるように構成されている。
そして、グラフ作成手段511は、プロセス比較グラフ中における特異点の指定を受け付け、特異点が発生した基板処理プロセスに関するデータ、及び特異点が発生した基板処
理プロセスの前後に実施された他の前記基板処理プロセスに関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成するように構成されている。なお、プロセス比較グラフ中における特異点の指定は、「時系列グラフ」の作成要求の入力として、入力手段506により行われる。
係る様子を図9に示す。図9(a)は、特異点が存在するプロセス比較グラフを例示する概略図であり、(b)は特異点が発生した基板処理プロセス及びその前後に実施された基板処理プロセスの時系列グラフを例示する概略図である。図9において、グラフ作成手段511は、装置ID、レシピID、及び時間情報を含むデータ検索条件(プロセス比較グラフの作成要求)の入力を受け付けて図9(a)に例示するようなプロセス比較グラフを作成する。そして、グラフ作成手段511は、プロセス比較グラフ中におけるプロセスIDが6である基板処理プロセスのデータは特異点である旨を示す特異点の指定を受け付ける。そして、特異点の指定を受け付けたグラフ作成手段511は、特異点が発生した基板処理プロセス(プロセスIDが6である基板処理プロセス)に関するデータ、及び特異点が発生した基板処理プロセスの前後に実施された他の基板処理プロセス(プロセスIDが5である基板処理プロセス、及びプロセスIDが7である基板処理プロセス)に関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、図9(b)に例示するような時系列グラフを作成する。
また、時系列グラフ中における特異点の指定は、入力手段506により行われる場合に限らず、グラフ作成手段511によって自動的に行われるようにも構成されている。
すなわち、グラフ作成手段511は、時系列グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定することが出来るように構成されている。そして、グラフ作成手段511は、特異点を示すデータの経過時間をデータに関連付けられた時間情報により特定し、繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータ(特異点と経過時間が同じである他の基板処理プロセスにおけるデータ)をデータ保持部503から読み出し、取得した経過時間に対応するデータおよび特異点を、プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、図6(b)に例示するようなプロセス比較グラフを作成することが出来るように構成されている。
また同様に、プロセス比較グラフ中における特異点の指定も、入力手段506により行われる場合に限らず、グラフ作成手段511が自動的に行えるようにも構成されている。
すなわち、グラフ作成手段511は、プロセス比較グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定することが出来るように構成されている。そして、グラフ作成手段511は、特異点が発生した基板処理プロセスに関するデータ、及び特異点が発生した基板処理プロセスの前後に実施された他の基板処理プロセスに関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、図9(b)に例示するような時系列グラフを自動的に作成することが出来るように構成されている。
図7は、時系列グラフ或いはプロセス比較グラフを構成するデータと、閾値線を構成する所定の閾値とを比較する様子を示す概略図であり、特異点が存在しない場合を示す。図8は、時系列グラフ或いはプロセス比較グラフを構成するデータと、閾値線を構成する所定の閾値とを比較する様子を示す概略図であり、特異点が存在する場合を示す。図7、図8中の実線は閾値で構成される閾値線を示している。
(8)群管理装置の動作
続いて、本実施形態にかかる群管理装置500の動作について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態にかかる群管理装置500の動作を例示するフロー図である。
(データ受信工程(S10))
まず、群管理装置500が備える通信制御部504が、基板処理プロセスの進行状況又は基板処理装置100の状態を示すデータを基板処理装置100から受信する。通信制御部504は、基板処理装置100からデータを受信し、共有メモリ502に渡す。共有メモリ502に渡されるデータには、データの発生源である基板処理装置100を特定する装置IDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していたレシピを特定するレシピIDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、基板処理プロセスの開始時刻からデータの発生時刻迄の経過時間と、が付加されている。
(データ格納工程(S11))
次に、群管理装置500が備えるデータ保持部503が、共有メモリ502に格納されているデータを、データの発生源である前記基板処理装置を特定する装置IDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記レシピを特定するレシピIDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、前記基板処理プロセスの開始時刻から前記データの発生時刻迄の経過時間と特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納する。
(グラフ表示要求の工程(S21〜S26,S31〜S36))
次に、群管理装置500が備えるグラフ作成手段511が、時系列グラフ或いはプロセス比較グラフの表示要求の受付待ち状態となる(S12)。時系列グラフ或いはプロセス比較グラフの表示要求の入力は、入力手段506により行われる。
(時系列グラフの表示要求があった場合(S21〜S26))
工程S12において、時系列グラフの表示要求の入力が入力手段506により行われた場合、グラフ作成手段511は、上記表示要求と共に、装置ID及びレシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付ける(S21)。そして、グラフ作成手段511は、データ保持部503を検索し、前記装置ID及び前記レシピIDに関連付けられた前記データをデータ保持部503から読み出す(S22)。そして、グラフ作成手段511は、読み出した前記データを、前記時間情報に基づいて前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する。そして、グラフ作成手段511は、作成した時系列グラフをデータ表示部505に表示させる(S23)。
そして、グラフ作成手段511は、入力手段506による時系列グラフ中における特異点の指定を受け付けるか、或いは時系列グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定する(S24)。そして、時系列グラフ中に特異点が指定された場合或いは時系列グラフ中に特異点が存在すると判定された場合、グラフ作成手段511は、特異点を示すデータの経過時間を時間情報により特定し、繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータ(特異点と経過時間が同じである他の基板処理プロセスにおけるデータ)を、データ保持部503から読み出す(S25)。そして、グラフ作成手段511は、取得した経過時間に対応するデータおよび特異点を、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと対応させつつグラフ化することで、図6(b)に例示するようなプロセス比較グラフを作成する(S26)。そして、グラフ作成手段511は、作成したプロセス比較グラフを、データ表示部505に表示させ、グラフ表示処理を終了する。なお、工程
S24において特異点が指定されず、また、時系列グラフ中に特異点が存在しないと判定された場合には、グラフ作成手段511は、プロセス比較グラフを作成せずにグラフ表示処理を終了する。
(プロセス比較グラフの表示要求があった場合(S31〜S36))
工程S12において、プロセス比較グラフの表示要求の入力が入力手段506により行われた場合、グラフ作成手段511は、上記表示要求と共に、装置ID、レシピID、及び時間情報を含むデータ検索条件の入力を受け付ける(S31)。そして、グラフ作成手段511は、データ保持部503を検索し、装置ID及びレシピIDに関連付けられ、時間情報により特定される経過時間が同一であるデータを読み出す(S32)。そして、グラフ作成手段511は、読み出したデータをプロセスIDと対応させつつグラフ化することでプロセス比較グラフを作成し、作成したプロセス比較グラフをデータ表示部505に表示させる(S33)。
そして、グラフ作成手段511は、入力手段506によるプロセス比較グラフ中における特異点の指定を受け付けるか、或いはプロセス比較グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定する(S34)。そして、プロセス比較グラフ中に特異点が指定された場合或いはプロセス比較グラフ中に特異点が存在すると判定された場合、グラフ作成手段511は、特異点が発生した基板処理プロセスに関するデータ、及び特異点が発生した基板処理プロセスの前後に実施された他の基板処理プロセスに関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出す(S35)。そして、グラフ作成手段511は、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、図9(b)に例示するような時系列グラフを作成する(S36)。そして、グラフ作成手段511は、作成した時系列グラフを、データ表示部505に表示させ、グラフ表示処理を終了する。なお、工程S34において特異点が指定されず、また、プロセス比較グラフ中に特異点が存在しないと判定された場合には、グラフ作成手段511は、時系列グラフを作成せずにグラフ表示処理を終了する。
(9)本発明の一実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
(a)本実施形態に係るデータ保持部503は、通信制御部504が受信したデータを、データの発生源である基板処理装置100を特定する装置IDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していたレシピを特定するレシピIDと、データ発生時に基板処理装置100が実行していた基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、基板処理プロセスの開始時刻からデータの発生時刻迄の経過時間を特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納する。
そして、本実施形態に係るグラフ作成手段511は、装置ID及びレシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付けてデータ保持部503を検索し、装置ID及びレシピIDに関連付けられたデータをデータ保持部503から読み出し、読み出したデータを時間情報に基づいて基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する。
そして、本実施形態に係るグラフ作成手段511は、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、特異点を示すデータの経過時間を時間情報により特定し、繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータをデータ保持部503から読み出し、読み出したデータおよび特異点を、プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成する。
このように構成された結果、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較が容易となり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出が容易となる。
(b)また本実施形態に係るグラフ作成手段511は、装置ID、レシピID、及び時間情報を含むデータ検索条件の入力を受け付けてデータ保持部503を検索し、装置ID及びレシピIDに関連付けられ、時間情報により特定される経過時間が同一であるデータを読み出し、読み出したデータをプロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成する。
そして、本実施形態に係るグラフ作成手段511は、プロセス比較グラフ中における特異点の指定を受け付け、特異点が発生した基板処理プロセスに関するデータ、及び特異点が発生した基板処理プロセスの前後に実施された他の基板処理プロセスに関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する。
このように構成された結果、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較が容易となり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出が容易となる。
(c)また本実施形態に係るグラフ作成手段511は、時系列グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定する。そして、本実施形態に係るグラフ作成手段511は、特異点を示すデータの経過時間を時間情報により特定し、繰り返された他の基板処理プロセスにおける経過時間に対応するデータをデータ保持部503から読み出し、読み出したデータおよび特異点を、プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成する。
このように構成された結果、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較がさらに容易となり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出がさらに容易となる。
(d)また本実施形態に係るグラフ作成手段511は、プロセス比較グラフを構成するデータと所定の閾値とを比較し、閾値を超えているデータを特異点と判定する。そして、本実施形態に係るグラフ作成手段511は、特異点が発生した基板処理プロセスに関するデータ、及び特異点が発生した基板処理プロセスの前後に実施された他の前記基板処理プロセスに関するデータをデータ保持部503からそれぞれ読み出し、読み出したデータを基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する。
このように構成された結果、複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較がさらに容易となり、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出がさらに容易となる。
<本発明の他の実施形態>
本発明は、基板処理装置100と群管理装置500とが同じフロア(同じクリーンルーム内)に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置100をクリーンルーム内に配置すると共に、群管理装置500を事務所内(クリーンルームとは異なるフロア)に配置し、基板処理プロセスの進行状況や基板処理装置100の状態を遠隔から監視するようにしてもよい。
本発明は、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)法による成膜処理の他、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、
本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
本発明は、本実施形態にかかる半導体製造装置等のウエハ基板を処理する基板処理装置に限らず、LCD(Liquid Crystal Display)製造装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
<本発明の好ましい態様>
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
本発明の第1の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、
前記通信手段が受信した前記データを読み出し可能に格納する格納手段と、
データ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、所定の前記基板処理装置及び所定の前記レシピに関する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、
前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの開始時刻から前記特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、
を備える基板処理システムである。
本発明の第2の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、
前記通信手段が受信した前記データを、前記データの発生源である前記基板処理装置を特定する装置IDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記レシピを特定するレシピIDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、前記基板処理プロセスの開始時刻から前記データの発生時刻迄の経過時間を特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納する格納手段と、
前記装置ID及び前記レシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、前記装置ID及び前記レシピIDに関連付けられた前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記時間情報に基づいて前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、
前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点を示す前記データの前記経過時間を前記時間情報により特定し、繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、
を備える基板処理システムである。
好ましくは、
前記グラフ作成手段は、前記装置ID、前記レシピID、及び前記時間情報を含むデータ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、前記装置ID及び前記レシピIDに関連付けられ、前記時間情報により特定される経過時間が同一である前記データを読み出し、読み出した前記データを前記プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、前記プロセス比較グラフを作成すると共に、
前記プロセス比較グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスに関する前記データ、及び前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの前後に実施された他の前記基板処理プロセスに関する前記データを前記格納手段からそれぞれ読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する。
また好ましくは、
前記グラフ作成手段は、前記時系列グラフを構成する前記データと所定の閾値とを比較し、前記閾値を超えている前記データを前記特異点と判定し、
前記特異点を示す前記データの前記経過時間を前記時間情報により特定し、繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、前記プロセス比較グラフを作成する。
また好ましくは、
前記グラフ作成手段は、前記プロセス比較グラフを構成する前記データと所定の閾値とを比較し、前記閾値を超えている前記データを前記特異点と判定し、
前記特異点が発生した前記基板処理プロセスに関する前記データ、及び前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの前後に実施された他の前記基板処理プロセスに関する前記データを前記格納手段からそれぞれ読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、前記時系列グラフを作成する。
本発明の第3の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置に接続される群管理装置であって、
前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、
前記通信手段が受信した前記データを読み出し可能に格納する格納手段と、
データ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、所定の前記基板処理装置及び所定の前記レシピに関する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、
前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの開始時刻から前記特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記基板処理プロセスと対応させ
つつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、
を備える群管理装置である。
本発明の第4の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置に接続される群管理装置であって、
前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、
前記通信手段が受信した前記データを、前記データの発生源である前記基板処理装置を特定する装置IDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記レシピを特定するレシピIDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、前記基板処理プロセスの開始時刻から前記データの発生時刻迄の経過時間と特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納する格納手段と、
前記装置ID及び前記レシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、前記装置ID及び前記レシピIDに関連付けられた前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記時間情報に基づいて前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、
前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点を示す前記データの前記経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記経過時間に対応する前記データおよび前記特異点を、前記プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、
を備える群管理装置である。
本発明の第5の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムにおける表示方法であって、
前記群管理装置が備える通信手段が、前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する工程と、
前記群管理装置が備える格納手段が、前記通信手段が受信した前記データを読み出し可能に格納する工程と、
前記群管理装置が備えるグラフ作成手段が、データ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、所定の前記基板処理装置及び所定の前記レシピに関する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する工程と、
前記グラフ作成手段が、前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの開始時刻から前記特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成する工程と、を有する
基板処理システムにおける表示方法である。
本発明の第6の態様は、
処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムにおける表示方法であって、
前記群管理装置が備える通信手段が、前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する工程と、
前記群管理装置が備える格納手段が、前記通信手段が受信した前記データを、前記データの発生源である前記基板処理装置を特定する装置IDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記レシピを特定するレシピIDと、前記データ発生時に前記基板処理装置が実行していた前記基板処理プロセスを特定するプロセスIDと、前記基板処理プロセスの開始時刻から前記データの発生時刻迄の経過時間と特定する時間情報と、に関連付けて読み出し可能に格納する工程と、
前記群管理装置が備えるグラフ作成手段が、前記装置ID及び前記レシピIDを含むデータ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、前記装置ID及び前記レシピIDに関連付けられた前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記時間情報に基づいて前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成する工程と、
前記グラフ作成手段が、前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点を示す前記データの前記経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記経過時間に対応する前記データおよび前記特異点を、前記プロセスIDと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成する工程と、を有する
基板処理システムにおける表示方法である。
100 基板処理装置
500 群管理装置
503 データ保持部(格納手段)
504 通信制御部(通信手段)
511 グラフ作成手段

Claims (1)

  1. 処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく基板処理プロセスを繰り返し実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続された群管理装置と、を備えた基板処理システムであって、
    前記群管理装置は、
    前記基板処理プロセスの進行状況又は前記基板処理装置の状態を示すデータを前記基板処理装置から受信する通信手段と、
    前記通信手段が受信した前記データを読み出し可能に格納する格納手段と、
    データ検索条件の入力を受け付けて前記格納手段を検索し、所定の前記基板処理装置及び所定の前記レシピに関する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データを前記基板処理プロセスの開始時刻を揃えつつ時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、
    前記時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、前記特異点が発生した前記基板処理プロセスの開始時刻から前記特異点の発生時刻までの経過時間、及び繰り返された他の前記基板処理プロセスにおける前記経過時間に対応する前記データを前記格納手段から読み出し、読み出した前記データおよび前記特異点を、前記基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、
    を備えることを特徴とする基板処理システム。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014039013A (ja) * 2012-07-17 2014-02-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 群管理装置、基板処理システム及び基板処理装置のファイル管理方法
JP2017194951A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム
JP2018206847A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
CN109778133A (zh) * 2019-02-26 2019-05-21 佛山市佛欣真空技术有限公司 真空镀膜工艺中基于互联网的工艺参数调整方法
US11086304B2 (en) 2016-04-19 2021-08-10 Kokusai Electric Corporation Substrate processing in a process chamber for semiconductor manufacturing and apparatus management controller with error analysis

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5349741B2 (ja) * 2006-06-06 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 情報処理装置、半導体製造システム、情報処理方法、プログラム、及び記録媒体
JP5142353B2 (ja) * 2006-09-29 2013-02-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の異常検出方法、基板処理システム、基板処理装置の異常検出プログラム及び半導体装置の製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014039013A (ja) * 2012-07-17 2014-02-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 群管理装置、基板処理システム及び基板処理装置のファイル管理方法
JP2017194951A (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム
KR20190038515A (ko) * 2016-04-19 2019-04-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20190038514A (ko) * 2016-04-19 2019-04-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20190038512A (ko) * 2016-04-19 2019-04-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2020077881A (ja) * 2016-04-19 2020-05-21 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、装置管理コントローラ、及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
KR102243473B1 (ko) * 2016-04-19 2021-04-22 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102243476B1 (ko) * 2016-04-19 2021-04-22 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102287464B1 (ko) * 2016-04-19 2021-08-06 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 장치 관리 컨트롤러, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
US11086304B2 (en) 2016-04-19 2021-08-10 Kokusai Electric Corporation Substrate processing in a process chamber for semiconductor manufacturing and apparatus management controller with error analysis
JP2018206847A (ja) * 2017-05-31 2018-12-27 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
CN109778133A (zh) * 2019-02-26 2019-05-21 佛山市佛欣真空技术有限公司 真空镀膜工艺中基于互联网的工艺参数调整方法

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