TW201840792A - 接著劑組成物及結構體 - Google Patents

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Abstract

一種接著劑組成物，其含有可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂、具有與所述環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物、以及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物。

Description

接著劑組成物及結構體
本揭示是有關於一種接著劑組成物及構造體。
在半導體元件及液晶顯示元件（顯示器顯示元件）中，自先前便以使元件中的各種構件結合為目的而使用各種接著劑。接著劑所要求的特性以接著性為首，覆蓋耐熱性、高溫高濕狀態下的可靠性等多個方面。而且，作為接著中所使用的被黏著體，使用印刷配線板、有機基材（聚醯亞胺基材等）、金屬（鈦、銅、鋁等）、具有氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）、SiNx 、SiO2 等表面狀態的基材等，需要根據各被黏著體而進行接著劑的分子設計。
在先前，在半導體元件用接著劑或液晶顯示元件用接著劑中使用顯示出高接著性及高可靠性的熱硬化性樹脂（環氧樹脂、丙烯酸樹脂等）。作為使用環氧樹脂的接著劑的構成成分，一般使用環氧樹脂及潛伏性硬化劑，所述潛伏性硬化劑藉由熱或光而產生對於環氧樹脂具有反應性的陽離子種或陰離子種。潛伏性硬化劑是決定硬化溫度及硬化速度的重要因素，自常溫下的儲存穩定性及加熱時的硬化速度的觀點考慮，可使用各種化合物。在實際的步驟中，例如藉由在溫度為170℃～250℃、10秒～3小時的硬化條件下進行硬化而獲得所期望的接著性。
而且，近年來存在如下的擔憂：隨著半導體元件的高積體化及液晶顯示元件的高精細化，元件間及配線間的間距狹小化，由於硬化時的熱而對周邊構件造成不良影響。進而，為了低成本化，需要使產量（throughput）提高，要求低溫（90℃～170℃）且短時間（1小時以內、較佳為10秒以內、更佳為5秒以內）的接著，換而言之需要低溫短時間硬化（低溫快速硬化）的接著。已知為了達成該低溫短時間硬化，需要使用活性更高的熱潛伏性觸媒，但非常難以兼具常溫附近的儲存穩定性。
因此，近年來，使用鎓鹽作為熱潛伏性觸媒的環氧樹脂的陽離子硬化系受到關注。陽離子硬化系由於作為反應活性種的陽離子非常富有反應性，因此可短時間硬化，且若為鎓鹽的分解溫度以下，則觸媒穩定地存在，因此是兼顧低溫短時間硬化與儲存穩定性（例如常溫附近的儲存穩定性）的硬化系。作為所述陽離子硬化系的接著劑，例如已知有含有具有可陽離子聚合的官能基（環氧基等）的矽烷化合物（矽烷偶合劑等）的陽離子硬化系接著劑組成物（例如參照下述專利文獻1）。
另一方面，關於先前的例如於溫度170℃～250℃、10秒～3小時的硬化條件下使用的接著劑，為了生產性提高及在庫管理的簡易化，亦開始要求更長期間的儲存穩定性。所述接著劑中，例如已知有含有具有可陰離子聚合的官能基（環氧基等）的矽烷化合物（矽烷偶合劑等）的陰離子硬化系接著劑組成物（例如參照下述專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第5768676號公報
[發明所欲解決之課題] 所述矽烷化合物用於提高接著劑組成物的接著性。然而，在保存僅含有具有利用陽離子或陰離子硬化系反應的官能基的矽烷化合物作為矽烷化合物的先前的接著劑組成物（混合物）的情況下，存在矽烷化合物的特性劣化顯著，接著劑組成物的接著性降低的問題。因此，對於先前的接著劑組成物，要求保存穩定性提高。
因此，本揭示的目的在於提供具有優異的保存穩定性的接著劑組成物及使用其的結構體。 [解決課題之手段]
本發明者等人如下所述地推測關於在先前的接著劑組成物中，矽烷化合物的特性劣化的主要原因。亦即，在接著劑組成物的保存過程中，與矽烷化合物不同的其他起始劑開始聚合反應時，矽烷化合物摻入至該聚合反應中，因此摻入至接著劑組成物的構成材料（樹脂等）的內部。由此而推測可對接著劑組成物與被黏著體的界面起作用的矽烷化合物的分子數減少，因此特性劣化。
本發明者等人為了於包含矽烷化合物的陰離子或陽離子聚合系（例如，環氧樹脂的陰離子硬化系或環氧樹脂的陽離子硬化系）的接著劑組成物中改善保存穩定性（適用期特性）而重覆進行了努力研究，結果發現於在含有作為環氧基含有化合物的環氧樹脂、或作為氧雜環丁烷基含有化合物的氧雜環丁烷樹脂的接著劑組成物中，併用具有與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物、以及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物的情況下，接著劑組成物的保存穩定性顯著提高。
亦即，本揭示的一側面提供一種接著劑組成物，其含有可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂、具有與所述環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物、以及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物。
本揭示的一側面的接著劑組成物具有比先前更優異的保存穩定性。此種接著劑組成物可抑制接著劑組成物的接著性在保存過程中經時性降低的現象。關於獲得此種效果的主要原因，本發明者等人如下所述地推測。亦即，藉由使具有與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物以及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物存在於接著劑組成物中，即使在保存過程中，第1矽烷化合物藉由陰離子或陽離子硬化系的聚合反應而進行聚合而摻入至聚合物中的情況下，亦可藉由第2矽烷化合物與聚合物中的第1矽烷化合物及被黏著體交聯，從而維持接著劑組成物或其硬化物與被黏著體的接著性。
所述第1矽烷化合物的所述官能基較佳為包含選自由環氧基、氧雜環丁烷基、胺基、酸酐基、異氰酸酯基及巰基所組成的群組中的至少一種。所述第2矽烷化合物較佳為包含選自由烷基、苯基、烷氧基矽烷基、羥基、含氟基、(甲基)丙烯醯基及乙烯基所組成的群組中的至少一種。
本揭示的接著劑組成物亦可進而含有導電粒子。
本揭示的接著劑組成物亦可用於電路連接（電路連接用接著劑組成物）。
本揭示的另一側面提供一種結構體，其包含所述本揭示的一側面的接著劑組成物或其硬化物。
本揭示的另一側面提供一種結構體，其包括：具有第一電路電極的第一電路構件、具有第二電路電極的第二電路構件、及配置於所述第一電路構件及所述第二電路構件之間的電路連接構件，所述第一電路電極及所述第二電路電極電性連接，所述電路連接構件包含所述本揭示的一側面的接著劑組成物或其硬化物。 [發明的效果]
藉由本揭示可提供具有比先前更優異的保存穩定性的接著劑組成物及使用其的結構體。
藉由本揭示可提供接著劑組成物或其硬化物於結構體或其製造中的應用。藉由本揭示可提供接著劑組成物或其硬化物於電路連接中的應用。藉由本揭示可提供接著劑組成物或其硬化物於電路連接結構體或其製造中的應用。
以下，對本揭示的實施方式加以說明，但本揭示並不受該些實施方式的任何限定。
在本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」是表示丙烯酸酯及與其對應的甲基丙烯酸酯的至少一者。在「(甲基)丙烯醯基」、「(甲基)丙烯酸」等其他類似的表現中亦同樣。以下所例示的材料若無特別限制，則可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。至於組成物中的各成分的含量，在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，若無特別說明，則表示組成物中所存在的該多種物質的合計量。使用「～」而表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值而分別作為最小值及最大值的範圍。所謂「A或B」，若包含A及B的任一者即可，亦可包含兩者。所謂「常溫」是表示25℃。
本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可置換為另一階段的數值範圍的上限值或下限值。而且，本說明書中記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可替換為實施例中所示的值。
＜接著劑組成物＞ 本實施方式的接著劑組成物含有可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂（陰離子或陽離子聚合性物質）、具有與所述環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物、以及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物。本實施方式的接著劑組成物含有第1矽烷化合物及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物（相當於所述第1矽烷化合物的化合物除外）作為矽烷化合物，所述第1矽烷化合物具有與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基（參與陰離子或陽離子硬化系的聚合反應的官能基。在陰離子或陽離子聚合系中可與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基）。本實施方式的接著劑組成物是陰離子或陽離子硬化系（陰離子聚合系或陽離子聚合系）接著劑組成物。本實施方式的接著劑組成物可作為電路連接用接著劑組成物而適宜使用。以下，關於各成分而加以說明。
（矽烷化合物） 本實施方式的接著劑組成物含有第1矽烷化合物及與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物，所述第1矽烷化合物具有於陰離子或陽離子聚合系中與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基。第2矽烷化合物是並不相當於第1矽烷化合物的化合物，並不具有於陰離子或陽離子聚合系中與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基。矽烷化合物亦可為矽烷偶合劑。例如，在第1矽烷化合物及第2矽烷化合物兩者為矽烷偶合劑的情況下，第2矽烷化合物可藉由烷氧基矽烷基的水解·縮合反應而與第1矽烷化合物反應。
作為與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基，例如可列舉：環氧基、氧雜環丁烷基、胺基、酸酐基、異氰酸酯基及巰基。自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基較佳為選自由環氧基及氧雜環丁烷基所組成的群組中的至少一種，更佳為環氧基。
第2矽烷化合物亦可具有不參與陰離子或陽離子聚合反應（於陰離子或陽離子聚合系中與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂不反應）的官能基。作為不參與陰離子或陽離子聚合反應的官能基，可列舉：烷基、苯基、烷氧基矽烷基、羥基、含氟基、(甲基)丙烯醯基、乙烯基、脲基等。自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，第2矽烷化合物較佳為具有選自由烷基、苯基及烷氧基矽烷基所組成的群組中的至少一種，更佳為具有烷氧基矽烷基。
作為矽烷化合物，可使用下述通式（I）所表示的化合物。式（I）所表示的化合物例如可藉由使有機氯矽烷與醇反應等方法而合成。
[化1] X-Cs H2s -Si〔R1 〕m 〔OR2 〕3-m ···（I） [式中，X表示有機基，R1 及R2 分別獨立地表示烷基，m表示0～2的整數，s表示0以上的整數。在存在多個R1 的情況下，各R1 可彼此相同，亦可不同。在存在多個R2 的情況下，各R2 可彼此相同，亦可不同。R1 、R2 及Cs H2s 各自亦可分支]
作為有機基X，可列舉乙烯性不飽和鍵含有基（含有乙烯性不飽和鍵的基）、氮原子含有基（含有氮原子的基）、硫原子含有基（含有硫原子的基）、環氧基等。作為乙烯性不飽和鍵含有基，可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基等。作為氮原子含有基，可列舉胺基、單取代胺基、二取代胺基、異氰酸酯基、咪唑基、脲基、馬來醯亞胺基等。作為單取代胺基，可列舉烷基胺基（甲基胺基等）、苄基胺基、苯基胺基、環烷基胺基（環己基胺基等）等。作為二取代胺基，可列舉非環狀二取代胺基、環狀二取代胺基等。作為非環狀二取代胺基，可列舉二烷基胺基（二甲基胺基等）等。作為環狀二取代胺基，可列舉嗎啉基、哌嗪基等。作為硫原子含有基，可列舉巰基等。環氧基亦可含有於縮水甘油基、縮水甘油氧基等環氧基含有基（含有環氧基的基）中。(甲基)丙烯醯基亦可含有於(甲基)丙烯醯氧基中。
在使用所述通式（I）所表示的化合物作為第1矽烷化合物的情況下，作為有機基X，自所述中選擇與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基。而且，在使用所述通式（I）所表示的化合物作為第2矽烷化合物的情況下，作為有機基X，自所述中選擇與環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂不反應（不參與陰離子或陽離子聚合反應）的官能基。
R1 及R2 的烷基的碳數例如為1～20。作為所述烷基的具體例，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等。作為R1 及R2 ，可使用所述烷基的各結構異構物。自烷氧基矽烷基部分與被黏著體反應時難以成為立體阻礙，獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，R1 的烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～5。自獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，R2 的烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～5。
m為0～2的整數。自烷氧基矽烷基部分與被黏著體反應時難以成為立體阻礙，獲得與被黏著體更優異的接著性的觀點考慮，m較佳為0～1，更佳為0。s為0以上的整數。自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，s較佳為1～20的整數，更佳為1～10的整數。
作為第1矽烷化合物，可列舉縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷（例如3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基三甲氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基三乙氧基矽烷等）、縮水甘油氧基烷基烷基二烷氧基矽烷（例如3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-縮水甘油氧基辛基甲基二乙氧基矽烷等）、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-8-胺基辛基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-8-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-胺基辛基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)辛基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-8-胺基辛基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、8-巰基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-巰基辛基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基丙基丁二酸酐、三乙氧基矽烷基丙基丁二酸酐、3-[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]丙基三烷氧基矽烷（例如3-[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]丙基(三甲氧基)矽烷、3-[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]丙基(三乙氧基)矽烷等）、異氰酸酯烷基三烷氧基矽烷（例如，3-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷、8-異氰酸酯辛基三甲氧基矽烷、8-異氰酸酯辛基三乙氧基矽烷等）、異氰酸酯烷基烷基二烷氧基矽烷等。作為第1矽烷化合物，自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，較佳為選自由縮水甘油氧基烷基三烷氧基矽烷及縮水甘油氧基烷基烷基二烷氧基矽烷所組成的群組中的至少一種。第1矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為第2矽烷化合物，可列舉：烷基三烷氧基矽烷、二烷基二烷氧基矽烷、苯基三烷氧基矽烷、氟烷基三烷氧基矽烷、氟烷基烷基二烷氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基烷基烷基二烷氧基矽烷、(甲基)丙烯醯氧基三烷基烷氧基矽烷、烯基三烷氧基矽烷、烯基烷基二烷氧基矽烷、苯乙烯基三烷氧基矽烷、苯乙烯基烷基三烷氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、8-脲基辛基三乙氧基矽烷等。
作為烷基三烷氧基矽烷，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、戊基三甲氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、庚基三甲氧基矽烷、庚基三乙氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、壬基三甲氧基矽烷、壬基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷等。
作為二烷基二烷氧基矽烷，可列舉：二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、乙基甲基二甲氧基矽烷、乙基甲基二乙氧基矽烷、丙基甲基二甲氧基矽烷、丙基甲基二乙氧基矽烷、丁基甲基二甲氧基矽烷、丁基甲基二乙氧基矽烷、戊基甲基二甲氧基矽烷、戊基甲基二乙氧基矽烷、己基甲基二甲氧基矽烷、己基甲基二乙氧基矽烷、庚基甲基二甲氧基矽烷、庚基甲基二乙氧基矽烷、辛基甲基二甲氧基矽烷、辛基甲基二乙氧基矽烷、壬基甲基二甲氧基矽烷、壬基甲基二乙氧基矽烷、癸基甲基二甲氧基矽烷、癸基甲基二乙氧基矽烷等。
作為苯基三烷氧基矽烷，可列舉苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。
作為氟烷基三烷氧基矽烷，可列舉三氟丙基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷等。
作為氟烷基烷基二烷氧基矽烷，可列舉三氟丙基甲基二甲氧基矽烷、三氟丙基甲基二乙氧基矽烷等。
作為(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷，可列舉3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基三乙氧基矽烷等。
作為(甲基)丙烯醯氧基烷基烷基二烷氧基矽烷，可列舉3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基甲基二甲氧基矽烷、8-(甲基)丙烯醯氧基辛基甲基二乙氧基矽烷等。
作為烯基三烷氧基矽烷，可列舉乙烯基三烷氧基矽烷、辛烯基三烷氧基矽烷等。
作為乙烯基三烷氧基矽烷，可列舉乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等。
作為辛烯基三烷氧基矽烷，可列舉7-辛烯基三甲氧基矽烷、7-辛烯基三乙氧基矽烷等。
作為烯基烷基二烷氧基矽烷，可列舉乙烯基烷基二烷氧基矽烷、辛烯基烷基二烷氧基矽烷等。
作為乙烯基烷基二烷氧基矽烷，可列舉乙烯基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷等。
作為辛烯基烷基二烷氧基矽烷，可列舉7-辛烯基甲基二甲氧基矽烷、7-辛烯基甲基二乙氧基矽烷等。
作為苯乙烯基三烷氧基矽烷，可列舉對苯乙烯基三甲氧基矽烷等。
作為苯乙烯基烷基三烷氧基矽烷，可列舉對苯乙烯基辛基三甲氧基矽烷等。
自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，第2矽烷化合物較佳為選自由烷基三烷氧基矽烷、苯基三烷氧基矽烷及(甲基)丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷所組成的群組中的至少一種，更佳為選自由甲基三甲氧基矽烷、及3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷所組成的群組中的至少一種。第2矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為式（I）所表示的化合物以外的第2矽烷化合物，可列舉四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷、二烷基二烷氧基矽烷等。作為此種第2矽烷化合物，可列舉甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丙基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等。作為式（I）所表示的化合物以外的第2矽烷化合物，自獲得更優異的保存穩定性的觀點考慮，較佳為選自由烷基三烷氧基矽烷及四烷氧基矽烷所組成的群組中的至少一種，更佳為選自由甲基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷及四乙氧基矽烷所組成的群組中的至少一種。式（I）所表示的化合物以外的第2矽烷化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
矽烷化合物（包含第1矽烷化合物、第2矽烷化合物及其他矽烷化合物）的含量並無特別限定，但自容易抑制在被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡（於接著劑組成物與被黏著體的界面產生剝離，結果觀察到氣泡的部位）的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分（接著劑組成物中的導電粒子以外的固體成分。以下相同）的總質量為基準而言較佳為下述的範圍。矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為2質量%以上，非常佳為3質量%以上。矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下。自該些觀點考慮，矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為2質量%～5質量%，非常佳為3質量%～5質量%。
自容易抑制被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡的觀點考慮，第1矽烷化合物的含量較佳的是以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言為下述範圍。第1矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為1.5質量%以上。第1矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下，極佳為3質量%以下。自該些觀點考慮，第1矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為1.5質量%～3質量%。
自容易抑制被黏著體（電路構件等）與接著劑組成物或其硬化物（電路連接構件等）的界面產生剝離氣泡的觀點考慮，第2矽烷化合物的含量較佳的是以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言為下述範圍。第2矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.25質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，特佳為1質量%以上，極佳為1.5質量%以上。第2矽烷化合物的含量較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為10質量%以下，特佳為5質量%以下，極佳為3質量%以下。自該些觀點考慮，第2矽烷化合物的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.25質量%～15質量%，進而較佳為0.5質量%～10質量%，特佳為1質量%～5質量%，極佳為1.5質量%～3質量%。
自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，第1矽烷化合物的含量相對於第2矽烷化合物的含量的比率（質量比。相對於第2矽烷化合物的含量1的相對值）較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.2以上，特佳為0.5以上，極佳為1以上。自獲得更優異的保存穩定性及接著性的觀點考慮，所述比率較佳為100以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下，特佳為3以下，極佳為2以下。
（陰離子或陽離子聚合性成分：可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂） 關於作為陰離子或陽離子聚合性成分的可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、乙內醯脲型環氧樹脂、異三聚氰酸酯型環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂等。而且，關於作為陰離子或陽離子聚合性成分的可陰離子聚合或陽離子聚合的氧雜環丁烷樹脂，可列舉：3-乙基-3-羥基甲基氧雜環丁烷、2-乙基己基氧雜環丁烷、伸二甲苯基雙氧雜環丁烷、3-乙基-3{[(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲氧基]甲基}氧雜環丁烷、丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯、甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯等。陰離子或陽離子聚合性成分可經鹵化亦可經氫化。陰離子或陽離子聚合性成分可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
自進而提高與被黏著體的接著性的觀點考慮，陰離子或陽離子聚合性成分的含量較佳的是以接著劑組成物的接著劑成分的總質量為基準而言為下述的範圍。陰離子或陽離子聚合性成分的含量較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，進而較佳為15質量%以上。陰離子或陽離子聚合性成分的含量較佳為90質量%以下，更佳為80質量%以下，進而較佳為70質量%以下。自該些觀點考慮，陰離子或陽離子聚合性成分的含量較佳為5質量%～90質量%，更佳為10質量%～80質量%，進而較佳為15質量%～70質量%。
（硬化劑） 本實施方式的接著劑組成物亦可進而包含硬化劑。作為硬化劑，只要為能夠使可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂硬化者，則並無特別限定。作為硬化劑，可列舉可藉由熱或光而產生陰離子種的硬化劑（陰離子聚合性的觸媒型硬化劑等）、可藉由熱或光而產生陽離子種的硬化劑（陽離子聚合性的觸媒型硬化劑等）、加成聚合型硬化劑等。硬化劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。自快速硬化性優異且不需要考慮化學當量的觀點考慮，硬化劑較佳為可藉由熱或光而產生陰離子種或陽離子種的硬化劑，更佳為陰離子聚合性或陽離子聚合性的觸媒型硬化劑。
作為陰離子聚合性的觸媒型硬化劑，可列舉咪唑系硬化劑、醯肼系硬化劑、三氟化硼-胺錯合物、胺醯亞胺、三級胺類、二胺基順丁烯二腈、三聚氰胺及其衍生物、多胺的鹽、二氰二胺（dicyandiamide）等，亦可使用該些的改質物。作為陽離子聚合性的觸媒型硬化劑，可列舉重氮鎓鹽、鋶鹽等，亦可使用該些的改質物。作為加成聚合型硬化劑，可列舉多胺類、聚硫醇類、多酚類、酸酐等。
在使用三級胺類、咪唑系硬化劑等作為陰離子聚合性的觸媒型硬化劑的情況下，可藉由以160℃～200℃左右的中溫進行數10秒～數小時左右的加熱而使環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂硬化。因此，可使使用壽命（usable life）（使用期限（pot life））相較而言變長。
作為陽離子聚合性的觸媒型硬化劑，例如較佳為可藉由照射能量線而使環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂硬化的感光性鎓鹽（芳香族重氮鎓鹽、芳香族鋶鹽等）。而且，作為除照射能量線以外藉由熱而進行活性化使環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂硬化者，可列舉脂肪族鋶鹽等。此種硬化劑因具有快速硬化性而較佳。
利用高分子物質（聚胺基甲酸酯系、聚酯系等）、金屬（鎳、酮等）薄膜、無機物（矽酸鈣等）等將硬化劑包覆而經微膠囊化的硬化劑可延長使用壽命，因此較佳。
自進而提高與被黏著體的接著性的觀點考慮，相對於陰離子或陽離子聚合性成分100質量份而言，硬化劑的含量較佳為下述的範圍。硬化劑的含量較佳為10質量份以上，更佳為20質量份以上，進而較佳為30質量份以上。硬化劑的含量較佳為500質量份以下，更佳為100質量份以下，進而較佳為70質量份以下。自該些觀點考慮，硬化劑的含量較佳為10質量份～500質量份，更佳為20質量份～100質量份，進而較佳為30質量份～70質量份。
（膜形成材料） 本實施方式的接著劑組成物亦可視需要而含有膜形成材料。膜形成材料在使液狀的接著劑組成物固形化為膜狀的情況下，可使通常狀態（常溫常壓）下膜的操作性提高，對膜賦予難以裂開、難以破損、難以黏膩等特性。作為膜形成材料，可列舉苯氧樹脂、聚乙烯甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯丁醛、聚酯、聚醯胺、二甲苯樹脂、聚胺基甲酸酯等。自接著性、相溶性、耐熱性及機械強度優異的觀點考慮，該些中較佳為苯氧樹脂。膜形成材料可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為苯氧樹脂，例如可列舉藉由使2官能環氧樹脂與2官能酚類進行加成聚合而獲得的樹脂、及藉由使2官能酚類與表鹵醇進行反應直至高分子化而獲得的樹脂。苯氧樹脂例如可藉由1莫耳2官能酚類與0.985莫耳～1.015莫耳表鹵醇在鹼金屬氫氧化物等觸媒的存在下，在非反應性溶劑中、40℃～120℃的溫度下進行反應而獲得。自樹脂的機械特性及熱特性優異的觀點考慮，苯氧樹脂特佳的是將2官能性環氧樹脂與2官能性酚類的調配當量比設為環氧基/酚性羥基=1/0.9～1/1.1，在鹼金屬化合物、有機磷系化合物、環狀胺系化合物等觸媒的存在下，在沸點為120℃以上的有機溶劑（醯胺系、醚系、酮系、內酯系、醇系等）中，在反應固體成分為50質量%以下的條件下加熱至50℃～200℃進行加成聚合反應而獲得。苯氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
作為2官能環氧樹脂，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、聯苯二縮水甘油醚、經甲基取代的聯苯二縮水甘油醚等。2官能酚類是具有2個酚性羥基的化合物。作為2官能酚類，可列舉對苯二酚類、雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、雙酚茀、經甲基取代的雙酚茀、二羥基聯苯、經甲基取代的二羥基聯苯等雙酚類等。苯氧樹脂亦可經自由基聚合性官能基、或其他反應性化合物改質（例如環氧改質）。
膜形成材料的含量以接著劑組成物的接著劑成分總量為基準較佳為10質量%～90質量%，更佳為20質量%～60質量%，進而較佳為30質量%～50質量%。
（導電粒子） 本實施方式的接著劑組成物亦可進而含有導電粒子。作為導電粒子的構成材料，可列舉金（Au）、銀（Ag）、鎳（Ni）、銅（Cu）、焊料等金屬、碳等。而且，亦可為以非導電性的樹脂、玻璃、陶瓷、塑膠等為核，於該核上包覆有所述金屬（金屬粒子等）或碳的包覆導電粒子。包覆導電粒子或熱熔融金屬粒子由於加熱加壓而具有變形性，因此在連接時消除電路電極的高度的不均一，在連接時與電極的接觸面積增加，因此可靠性提高而較佳。
自分散性及導電性優異的觀點考慮，導電粒子的平均粒徑較佳為1 μm～50 μm，更佳為2 μm～30 μm，進而較佳為3 μm～20 μm。導電粒子的平均粒徑例如可使用雷射繞射法等機器分析而測定。
自導電性優異的觀點考慮，相對於接著劑組成物的接著劑成分的總體積100體積份而言，導電粒子的含量較佳為0.1體積份以上，更佳為1體積份以上。自容易抑制電極（電路電極等）短路的觀點考慮，以接著劑組成物的接著劑成分的總體積為基準而言，導電粒子的含量較佳為50體積份以下，更佳為20體積份以下，進而較佳為10體積份以下，特佳為5體積份以下，極佳為3體積份以下。自該些觀點考慮，導電粒子的含量較佳為0.1體積份～50體積份，更佳為0.1體積份～20體積份，進而較佳為1體積份～20體積份，特佳為1體積份～10體積份，極佳為1體積份～5體積份，非常佳為1體積～3體積份。再者，「體積份」是基於23℃的硬化前的各成分的體積而決定，但各成分的體積亦可利用比重而自質量換算為體積。而且，亦可求出在如下容器中投入對象成分而增加的體積而作為對象成分的體積，所述容器是量筒等放入有並不使對象成分溶解或膨潤、且充分浸濕對象成分的適當的溶劑（水、醇等）的容器。
（其他成分） 本實施方式的接著劑組成物亦可進而含有使選自由(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯及丙烯腈所組成的群組中的至少一種單體成分聚合而獲得的均聚物或共聚物。自應力緩和優異的觀點考慮，較佳的是本實施方式的接著劑組成物含有丙烯酸橡膠等，所述丙烯酸橡膠是使具有縮水甘油醚基的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯聚合而獲得的共聚物。自提高接著劑組成物的凝聚力的觀點考慮，所述丙烯酸橡膠的重量平均分子量較佳為20萬以上。以接著劑組成物的接著劑成分總量為基準而言，丙烯酸橡膠的含量較佳為1質量%～60質量%，更佳為10質量%～50質量%，進而較佳為20質量%～40質量%。
本實施方式的接著劑組成物亦可含有所述導電粒子的表面包覆有高分子樹脂等的包覆微粒子。在將此種包覆微粒子與所述導電粒子併用的情況下，即使在導電粒子的含量增加的情況下，亦容易抑制由於導電粒子彼此接觸所造成的短路，因此使鄰接的電路電極間的絕緣性提高。可並不使用導電粒子而單獨使用所述包覆微粒子，亦可將包覆微粒子與導電粒子併用。再者，在接著劑組成物包含包覆微粒子的情況下，本說明書中的「接著劑組成物的接著劑成分」是指接著劑組成物中的導電粒子及包覆微粒子以外的固體成分。
本實施方式的接著劑組成物亦可含有橡膠微粒子、填充劑（二氧化矽粒子等）、軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑、阻燃化劑、觸變劑等。而且，本實施方式的接著劑組成物亦可適宜含有增黏劑、調平劑、耐候性提高劑等添加劑。
橡膠微粒子較佳為具有導電粒子的平均粒徑的2倍以下的平均粒徑、且在常溫下的儲存彈性模數是導電粒子及接著劑組成物在常溫下的儲存彈性模數的1/2以下的粒子。特別是在橡膠微粒子的材質為矽酮、丙烯酸系乳液（acrylic emulsion）、苯乙烯-丁二烯橡膠（Styrene-Butadiene Rubber，SBR）、丁腈橡膠（Nitril-Butadiene Rubber，NBR）或聚丁二烯橡膠的情況下，橡膠微粒子適宜的是單獨使用或將兩種以上混合使用。三維交聯的橡膠微粒子的耐溶劑性優異，容易分散於接著劑組成物中。
填充劑可使電路電極間的電氣特性（連接可靠性等）提高。作為填充劑，例如可適宜使用具有導電粒子的平均粒徑的1/2以下的平均粒徑的粒子。在將並不具有導電性的粒子與填充劑併用的情況下，可使用並不具有導電性的粒子的平均粒徑以下的粒子作為填充劑。以接著劑組成物的接著劑成分總量為基準而言，填充劑的含量較佳為0.1質量%～60質量%。藉由使所述含量為60質量%以下，存在更充分地獲得連接可靠性的提高效果的傾向。藉由使所述含量為0.1質量%以上，存在充分獲得填充劑的添加效果的傾向。
本實施方式的接著劑組成物在常溫下為液狀的情況下，可以糊狀而使用。接著劑組成物在常溫下為固體狀的情況下，除了進行加熱而使用以外，亦可使用溶劑而進行糊化。作為可使用的溶劑，若為對於接著劑組成物中的成分而言並無反應性、且顯示出充分的溶解性的溶劑，則並無特別限制。溶劑較佳為在常壓下的沸點為50℃～150℃的溶劑。沸點若為50℃以上，則在常溫下溶劑的揮發性差，因此即使是開放系統亦可使用。沸點若為150℃以下，則容易使溶劑揮發，因此可在接著後獲得良好的可靠性。
本實施方式的接著劑組成物亦可為膜狀。可將視需要含有溶劑等的接著劑組成物塗佈於氟樹脂膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、剝離性基材（脫模紙等）上，然後將溶劑等除去，藉此獲得膜狀的接著劑組成物。而且，在不織布等基材中含浸所述溶液而載置於剝離性基材上之後，藉由將溶劑等除去而可獲得膜狀接著劑組成物。若以膜狀使用接著劑組成物，則操作性等優異。
本實施方式的接著劑組成物可藉由與加熱或光照射一同進行加壓而使其接著。藉由併用加熱及光照射，可進而以低溫短時間進行接著。光照射較佳的是照射150 nm～750 nm的波長區域的光。光源可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈（超高壓水銀燈等）、氙氣燈、金屬鹵素燈等。照射量可為0.1 J/cm2 ～10 J/cm2 。加熱溫度並無特別限制，較佳為50℃～170℃的溫度。壓力若為並不對被黏著體造成損傷的範圍，則並無特別限制，較佳為0.1 MPa～10 MPa。較佳為在0.5秒～3小時的範圍進行加熱及加壓。
本實施方式的接著劑組成物可作為同一種被黏著體的接著劑而使用，亦可作為熱膨脹係數不同的不同種被黏著體的接著劑而使用。具體而言可作為各向異性導電接著劑、銀糊、銀膜等所代表的電路連接材料；晶片尺寸封裝（Chip Size Package，CSP）用彈性體、CSP用底部填充材料、晶片上引線（Lead on Chip，LOC）膠帶等所代表的半導體元件接著材料等而使用。
＜結構體及其製造方法＞ 本實施方式的結構體包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物。本實施方式的結構體例如為電路連接結構體等半導體裝置。作為本實施方式的結構體的一實施方式，電路連接結構體包含具有第一電路電極的第一電路構件、具有第二電路電極的第二電路構件、及配置在第一電路構件及第二電路構件之間的電路連接構件。第一電路構件例如包含第一基板、與配置在該第一基板上的第一電路電極。第二電路構件例如包含第二基板、與配置在該第二基板上的第二電路電極。第一電路電極及第二電路電極相對向且電性連接。電路連接構件包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物。本實施方式的結構體若包含本實施方式的接著劑組成物或其硬化物即可，亦可使用並不具有電路電極的構件（基板等）而代替所述電路連接結構體的電路構件。
本實施方式的結構體的製造方法包含使本實施方式的接著劑組成物硬化的步驟。作為本實施方式的結構體的製造方法的一實施方式，電路連接結構體的製造方法包含：配置步驟，在具有第一電路電極的第一電路構件與具有第二電路電極的第二電路構件之間配置本實施方式的接著劑組成物，加熱加壓步驟，對第一電路構件與第二電路構件進行加壓而使第一電路電極與第二電路電極電性連接，且對接著劑組成物進行加熱而使其硬化。在配置步驟中，可以第一電路電極與第二電路電極相對向的方式進行配置。在加熱加壓步驟中，可對第一電路構件與第二電路構件相對向的方向進行加壓。
以下，使用圖式，關於電路連接結構體及其製造方法加以說明而作為本實施方式的一實施方式。圖1是表示結構體的一實施方式的示意剖面圖。圖1中所示的電路連接結構體100a包含相對向的電路構件（第一電路構件）20及電路構件（第二電路構件）30，在電路構件20與電路構件30之間配置有連接該些構件的電路連接構件10。電路連接構件10包含本實施方式的接著劑組成物的硬化物。
電路構件20包含基板（第一基板）21與配置在基板21的主表面21a上的電路電極（第一電路電極）22。在基板21的主表面21a上，亦可根據情況配置絕緣層（未圖示）。
電路構件30包含基板（第二基板）31與配置在基板31的主表面31a上的電路電極（第二電路電極）32。在基板31的主表面31a上，亦可根據情況而配置絕緣層（未圖示）。
電路連接構件10含有絕緣性物質（除導電粒子以外的成分的硬化物）10a及導電粒子10b。導電粒子10b至少配置在相對向的電路電極22與電路電極32之間。在電路連接結構體100a中，電路電極22及電路電極32經由導電粒子10b而電性連接。
電路構件20及電路構件30具有單個或多個電路電極（連接端子）。作為電路構件20及電路構件30，例如可使用包含需要電性連接的電極的構件。作為電路構件，可使用半導體晶片（IC晶片）、電阻器晶片、電容器晶片等晶片零件；印刷基板、半導體搭載用基板等基板等。作為電路構件20及電路構件30的組合，例如可使用半導體晶片及半導體搭載用基板。作為基板的材質，例如可列舉半導體、玻璃、陶瓷等無機物；聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀烯烴樹脂等有機物；玻璃與環氧等的複合物等。基板亦可為塑膠基板。
圖2是表示結構體的另一實施方式的示意剖面圖。圖2所示的電路連接結構體100b除電路連接構件10不含導電粒子10b以外，具有與電路連接結構體100a同樣的構成。在圖2所示的電路連接結構體100b中，電路電極22與電路電極32並不經由導電粒子而直接接觸，從而電性連接。
電路連接結構體100a及電路連接結構體100b例如可藉由以下的方法而製造。首先，在接著劑組成物為糊狀的情況下，塗佈接著劑組成物及進行乾燥，藉此在電路構件20上配置含有接著劑組成物的樹脂層。在接著劑組成物為膜狀的情況下，將膜狀接著劑組成物貼附於電路構件20上，藉此在電路構件20上配置含有接著劑組成物的樹脂層。繼而，以電路電極22與電路電極32對向配置的方式，在電路構件20上所配置的樹脂層上載置電路構件30。其次，對含有接著劑組成物的樹脂層進行加熱處理或光照射，藉此使接著劑組成物硬化而獲得硬化物（電路連接構件10）。藉由以上而獲得電路連接結構體100a及電路連接結構體100b。 [實施例]
以下，列舉實施例及比較例，對本揭示進行更具體的說明。但，本揭示並不限定於以下的實施例。
[實施例1～實施例14及比較例1～比較例11] （導電粒子的製作） 在聚苯乙烯粒子的表面形成厚度為0.2 μm的鎳層。進而，在該鎳層的外側形成厚度為0.04 μm的金層。藉此而製作平均粒徑為4 μm的導電粒子。
（膜狀接著劑的製作） 將表1及表2中所示的成分以表1及表2中所示的質量比（固體成分）加以混合而獲得混合物。使所述導電粒子以1.5體積份的比例（基準：相對於接著劑組成物的接著劑成分的總體積100體積份的比例）分散於該混合物中，獲得用以形成膜狀接著劑的塗敷液。使用塗敷裝置將該塗敷液塗佈在厚50 μm的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜上。在70℃下對塗膜進行10分鐘熱風乾燥而形成厚度為18 μm的實施例1～實施例14及比較例1～比較例11的膜狀接著劑。
再者，表1及表2中所示的各成分的詳細情況如下所示。 苯氧基樹脂：以將PKHC（聯合碳化合物（Union Carbide）股份有限公司製造，商品名，重量平均分子量45000）40 g溶解於甲基乙基酮60 g而製備的固體成分40質量%的溶液的形態來使用。 丙烯酸橡膠：以準備作為橡膠成分的丙烯酸橡膠（丙烯酸丁酯40質量份-丙烯酸乙酯30質量份-丙烯腈30質量份-甲基丙烯酸縮水甘油酯3質量份的共聚物、重量平均分子量80萬）且將該丙烯酸橡膠溶解於甲苯/乙酸乙酯=50/50（質量比）的混合溶劑中而製備的固體成分15質量%的溶液的形態使用。 含硬化劑的環氧樹脂：使用以質量比34：49：17而含有微膠囊型潛伏性硬化劑（經微膠囊化的胺系硬化劑）、雙酚F型環氧樹脂與萘型環氧樹脂的液狀的含硬化劑的環氧樹脂（環氧當量：202）。
＜第1矽烷化合物＞ 矽烷化合物A1：使用3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷（商品名：KBM-402、信越化學工業股份有限公司製造）。 矽烷化合物A2：使用3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-403、信越化學工業股份有限公司製造）。 矽烷化合物A3：使用3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷（商品名：KBE-402、信越化學工業股份有限公司製造）。 矽烷化合物A4：使用3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷（商品名：KBE-403、信越化學工業股份有限公司製造）。
＜第2矽烷化合物＞ 矽烷化合物B1：使用甲基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-13、信越化學工業股份有限公司製造）。 矽烷化合物B2：使用3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM-503、信越化學工業股份有限公司製造）。 矽烷化合物B3：使用四乙氧基矽烷（商品名：KBE-04、信越化學工業股份有限公司製造）。
（連接體的製作） 使用實施例1～實施例14及比較例1～比較例11的膜狀接著劑而將具有2200根線寬為75 μm、間距為150 μm（間隙為75 μm）及厚度為18 μm的銅電路的可撓性電路基板（FPC），與包含玻璃基板及形成在玻璃基板上的厚度為0.2 μm的氮化矽（SiNx ）薄層的SiNx 基板（厚度為0.7 mm）連接。連接是使用熱壓接裝置（加熱方式：恆溫（constant heat）型，東麗工程（Toray Engineering）股份有限公司製造），在200℃、5 MPa下藉由15秒的加熱及加壓進行。藉此製作藉由膜狀接著劑的硬化物以1.5 mm的寬度將FPC與SiNx 基板連接而成的連接體。將壓接面積設為0.495 cm2 而計算加壓的壓力。
（剝離評價） 使用光學顯微鏡觀察將所述連接體在85℃、85%RH的恆溫恆濕槽中放置250小時後（高溫高濕試驗後）的連接外觀。測定間隙部分在SiNx 基板與硬化物的界面產生剝離的面積（剝離面積），評價剝離的有無。將剝離面積佔間隙整體的比例超過30%的情況評價為「B」（存在剝離），將剝離面積的比例為30%以下的情況評價為「A」（無剝離）。將所述評價結果作為未處理膜的剝離評價結果表示於表1及表2中。
（保存穩定性（適用期特性）的評價） 在40℃的恆溫槽中對所述膜狀接著劑進行3天處理。使用該膜狀接著劑，藉由與所述同樣的方法製作連接體後，利用與所述同樣的方法進行高溫高濕試驗，而進行剝離評價。將所述評價結果作為40℃、3天處理膜的剝離評價結果表示於表1及表2中。
[表1]
[表2]
根據表1及表2，可確認實施例的膜狀接著劑與比較例的膜狀接著劑相比而言，即使於使用在40℃的恆溫槽中處理3天後的膜狀接著劑而製作連接體並進行高溫高濕處理的情況下，亦可良好地保持在基板（無機物基板）表面上的密接力，保存穩定性優異。
10‧‧‧電路連接構件
10a‧‧‧絕緣性物質
10b‧‧‧導電粒子
20‧‧‧第一電路構件
21‧‧‧第一基板
21a、31a‧‧‧主表面
22‧‧‧第一電路電極
30‧‧‧第二電路構件
31‧‧‧第二基板
32‧‧‧第二電路電極
100a、100b‧‧‧電路連接結構體
圖1是表示本揭示的結構體的一實施方式的示意剖面圖。 圖2是表示本揭示的結構體的另一實施方式的示意剖面圖。

Claims (7)

  1. 一種接著劑組成物，其含有： 可陰離子聚合或陽離子聚合的環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂、 具有與所述環氧樹脂或氧雜環丁烷樹脂反應的官能基的第1矽烷化合物、以及 與所述第1矽烷化合物反應的第2矽烷化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的接著劑組成物，其中所述第1矽烷化合物的所述官能基包含選自由環氧基、氧雜環丁烷基、胺基、酸酐基、異氰酸酯基及巰基所組成的群組中的至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接著劑組成物，其中所述第2矽烷化合物包含選自由烷基、苯基、烷氧基矽烷基、羥基、含氟基、(甲基)丙烯醯基及乙烯基所組成的群組中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的接著劑組成物，其進而含有導電粒子。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接著劑組成物，其用於電路連接。
  6. 一種結構體，其包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接著劑組成物或其硬化物。
  7. 一種結構體，其包括： 具有第一電路電極的第一電路構件； 具有第二電路電極的第二電路構件；以及 配置於所述第一電路構件及所述第二電路構件之間的電路連接構件， 所述第一電路電極及所述第二電路電極電性連接， 所述電路連接構件包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接著劑組成物或其硬化物。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112930261A (zh) * 2018-11-09 2021-06-08 昭和电工材料株式会社 半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2257660A1 (en) * 1973-10-05 1975-08-08 Hitachi Ltd Organic adhesive compsns. contg. silanes - capable of coupling with (in)organic matls., pref. for liq. crystal indicators
JPS5768676A (en) 1980-10-14 1982-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Static type power converter
JPH0662738B2 (ja) * 1988-01-26 1994-08-17 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペースト
JP2000080341A (ja) * 1998-06-22 2000-03-21 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤および基板搭載デバイス
JP3404390B2 (ja) 2000-12-18 2003-05-06 コニシ株式会社 一液湿気硬化型エポキシ樹脂組成物
JP2002285103A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
KR100527990B1 (ko) * 2001-11-30 2005-11-09 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 회로 접속용 페이스트, 이방성 도전 페이스트 및 이들의사용방법
JP4896366B2 (ja) * 2003-09-02 2012-03-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接着剤及びその製造方法
KR100601341B1 (ko) * 2004-06-23 2006-07-14 엘에스전선 주식회사 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 접착필름
JP4604577B2 (ja) 2004-07-05 2011-01-05 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤及び回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法
TWI384006B (zh) * 2005-03-15 2013-02-01 Nippon Kayaku Kk 環氧樹脂、環氧樹脂組成物、使用該等之預浸物及積層板
JP2007142117A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Kyocera Chemical Corp ダイボンディングペーストおよびそれを用いた半導体装置
JP2007317563A (ja) 2006-05-26 2007-12-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路接続用接着剤
JP2007321130A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 接着剤組成物及び接着フィルム
KR100902714B1 (ko) * 2006-12-29 2009-06-15 제일모직주식회사 반열경화성 이방 도전성 필름 조성물
EP2180026A4 (en) * 2007-08-08 2012-05-30 Hitachi Chemical Co Ltd ADHESIVE COMPOSITION, FILM-TYPE LUBRICANT AND CONNECTING STRUCTURE FOR A SWITCHING ELEMENT
JP5123341B2 (ja) 2010-03-15 2013-01-23 信越化学工業株式会社 接着剤組成物、半導体ウエハ保護膜形成用シート
JP5297418B2 (ja) * 2010-06-21 2013-09-25 デクセリアルズ株式会社 異方性導電材料及びその製造方法、並びに実装体及びその製造方法
JP5317002B2 (ja) 2011-10-26 2013-10-16 セメダイン株式会社 合わせガラス及びこの合わせガラスを用いたディスプレイ装置
JP5768676B2 (ja) 2011-11-18 2015-08-26 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法、接続構造体及びその製造方法
TWI493007B (zh) * 2012-02-24 2015-07-21 Arakawa Chem Ind A polyimide-based adhesive composition, a hardened product, an adhesive sheet, a laminate, and a flexible printed substrate
KR101774616B1 (ko) * 2013-12-04 2017-09-04 주식회사 엘지화학 접착 필름 형성용 조성물, 광경화전 가공용 점착 필름, 접착 필름 및 전자종이 표시장치
WO2016052664A1 (ja) * 2014-10-01 2016-04-07 ナミックス株式会社 樹脂組成物
JP6558055B2 (ja) * 2015-04-30 2019-08-14 味の素株式会社 樹脂組成物

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