TW201835556A - 用於測量與確定工件的平面內畸變的測量系統、設備及方法，以及用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法 - Google Patents

用於測量與確定工件的平面內畸變的測量系統、設備及方法，以及用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201835556A
TW201835556A TW107106244A TW107106244A TW201835556A TW 201835556 A TW201835556 A TW 201835556A TW 107106244 A TW107106244 A TW 107106244A TW 107106244 A TW107106244 A TW 107106244A TW 201835556 A TW201835556 A TW 201835556A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
diffraction grating
light
grating
pattern generator
Prior art date
Application number
TW107106244A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI821175B (zh
Inventor
丹尼爾 G. 史密斯
麥可 B. 賓納德
Original Assignee
日商尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商尼康股份有限公司 filed Critical 日商尼康股份有限公司
Publication of TW201835556A publication Critical patent/TW201835556A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI821175B publication Critical patent/TWI821175B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/165—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by means of a grating deformed by the object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/161—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by interferometric means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/167—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by projecting a pattern on the object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02097—Self-interferometers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1866—Transmission gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • G02B5/1871—Transmissive phase gratings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2290/00—Aspects of interferometers not specifically covered by any group under G01B9/02
    • G01B2290/30—Grating as beam-splitter
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4233—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
    • G02B27/425—Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application in illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/50—Optics for phase object visualisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本發明是有關於一種用於測量工件（110A）的目標表面（110）的空間畸變的方法。使光兩次透射穿過參考圖案產生器（104）並射於工件圖案產生器（108）上。接著，利用光學偵測器（116）來獲取由所述光因與兩個圖案產生器（104）、（106）相互作用而形成的第一光束及第二光束，以生成訊號，所述訊號表徵由所述第一光束及所述第二光束在所述偵測器（116）處形成的干涉條紋的幾何形狀。產生並記錄表示所述目標表面（110）的空間畸變的類型及值中的至少一者的標記。本發明亦是有關於一種實施所述方法的實施方案的系統。

Description

測量工件中幾何特徵及/或位置的改變
本發明大體而言是有關於測量物體的形狀的畸變（distortion），且更具體而言是有關於測量例如平面基底（例如半導體晶圓）的次奈米（sub-nanometer）空間畸變（尤其是平面內畸變）。
為測量工件的空間畸變，相關技術一貫地利用兩個二維（two-dimensional，2D）繞射光柵的組合—一者位於所測量工件上或與所測量工件直接相關聯，且另一者設置於工件的前方。
當正被測量工件的形狀的空間畸變量是微小的（例如，為奈米尺度或更小）時，確定此等畸變的傳統方法的缺點及不準確度不能再被忽視或忽略。
本實施例的第一態樣是一種用於測量工件的平面內畸變的測量系統，所述工件包括被設置成與所述工件進行機械協作的工件繞射光柵，所述工件繞射光柵被配置成使光以反射方式繞射。所述測量系統包括：光學透明部件，在其第一表面上界定有參考繞射光柵，所述參考繞射光柵被配置成使光以透射方式繞射，所述光學透明部件被設置成使所述參考繞射光柵以平行且間隔開的方式面向所述工件繞射光柵，以在所述工件繞射光柵的表面與所述參考繞射光柵的表面之間界定間隙；以及照射系統，被配置成將光遞送至所述光學透明部件的第二表面，使得所述光以斜入射角射至所述參考繞射光柵上。
本實施例的第二態樣是一種用於測量工件的平面內畸變的方法。所述方法包括：使傾斜入射至透射性參考繞射光柵上的光繞射，以形成第一光束及第二光束，所述第一光束及所述第二光束分別表示絕對值相等但正負號相反的繞射階次；在反射性工件繞射光柵處接收所述第一光束及所述第二光束，以形成在所述反射性工件繞射光柵處沿軸線繞射的第三光束及第四光束，所述反射性工件繞射光柵被設置成相對於所述透射性參考繞射光柵呈平行且在空間上間隔開的關係並且與所述工件進行機械協作，其中所述第一光束及所述第二光束是以絕對值相等但正負號相反的分別對應的角度入射至所述反射性工件繞射光柵上；其中所述軸線實質上垂直於所述反射性繞射光柵及所述透射性繞射光柵兩者；以及利用光學偵測器獲取由所述第三光束與所述第四光束之間的光學干涉界定的空間光分佈，以生成表示所述基底的所述平面內畸變的資料，所述空間光分佈對所述基底的平面外畸變實質上不敏感。
本實施例的第三態樣是一種用於確定工件的平面內畸變的方法。所述方法包括：利用光學偵測器接收僅含有絕對值相同但正負號相反的兩個繞射階次的光，所述光已在透射性參考繞射光柵處分別繞射兩次並接著在反射性工件繞射光柵處繞射，其中所述參考光柵及所述工件光柵中的一者與所述工件進行機械協作；生成光學資料，所述光學資料包含表示所述平面內光學畸變的第一資料但不含表示所述基底的平面外光學畸變的第二資料。
本實施例的第四態樣是一種用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法。所述方法包括：使光兩次透射穿過參考圖案產生器；使已透射穿過所述參考圖案產生器的所述光與工件圖案產生器相互作用；利用光學偵測器獲取由所述光因所述透射及所述相互作用而形成的第一光束及第二光束，以生成訊號，所述訊號表徵由所述第一光束及所述第二光束在所述偵測器處形成的干涉條紋的幾何形狀；以及生成表示所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記。
本實施例的第五態樣是一種用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法，所述方法包括：使光兩次透射穿過參考圖案產生器；使已透射穿過所述參考圖案產生器的所述光與工件圖案產生器相互作用；利用光學偵測器獲取由所述光因所述透射及所述相互作用而形成的第一光束及第二光束，以生成訊號，所述訊號表徵由所述第一光束及所述第二光束在所述偵測器處形成的干涉條紋的幾何形狀；生成表示所述目標表面沿第一軸線的所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記；使所述參考圖案產生器及所述工件圖案產生器中的一者在所述參考圖案產生器及所述工件圖案產生器中的所述一者的平面內旋轉90度的倍數；重複所述透射、所述相互作用及所述生成，以生成表示所述目標表面沿第二軸線的所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記，所述第二軸線垂直於所述第一軸線。
本實施例的第六態樣是一種測量工件的平面內畸變的測量設備。所述設備包括：光學部件，被排列成面向所述工件，所述光學部件包括設置於多個位置處的多個第一繞射光柵；輻照系統，將測量輻射輻照至所述多個第一繞射光柵，以利用來自所述多個第一光柵的輻射來輻照多個第二繞射光柵，所述多個第二繞射光柵形成於所述工件上的多個位置處；以及偵測器，偵測來自所述多個第二繞射光柵的輻射。
本實施例的第七態樣是一種測量工件的平面內畸變的測量方法。所述方法包括：提供設置於多個位置處的多個第一繞射光柵；利用測量輻射來輻照所述多個第一繞射光柵；使所述測量輻射在所述多個第一繞射光柵處繞射；使繞射的所述測量輻射射至形成於所述工件上的多個位置處的多個第二繞射光柵；偵測來自所述多個第二繞射光柵的輻射。
本發明的實施例被設計成實作對工件的畸變的測量。該些畸變可被視為組合了工件光柵的形狀相對於其實際形狀所出現的兩種類型的偏差：在工件光柵的平面內出現的偏差、以及在工件光柵的平面外出現的偏差。顯著地，本實施例的實施方案解決了偵測反射性工件光柵表面的平面內畸變的問題，所述平面內畸變與工件光柵表面的平面外畸變解耦，即不受所述平面外畸變的影響。此外，所尋求的偵測是在將由雜散光引起的光學雜訊最小化的同時實作。在某些實施例中，此兩個目標是藉由以輔助「參考光柵」（亦被稱為分析儀光柵）來補充曝光工具而達成，所述輔助「參考光柵」被配置成以透射方式運作。
通常，參考光柵設置於光源（用於表徵工件光柵及工件的畸變）與工件光柵本身之間，且被暴露於自此光源入射的光。接著，在使透射穿過參考光柵的光繞射後，進一步將工件光柵暴露於表示在參考光柵處形成的繞射階次的光束。在某些實施例中，因應於被在參考光柵處繞射的光照射，工件光柵又形成實質上沿與工件光柵的表面垂直的向量被引導的零階繞射光束及一階繞射光束。本理念源於以下認知：因自工件光柵繞射離開的該些光束的干涉而形成的光學場分佈含有表示工件光柵及工件的平面內畸變的編碼資訊。
舉例而言，測量系統可用於依序測量由工件卡盤依序保持的測試工件中的一或多者的畸變。接下來，可使用測量系統來確定由工件卡盤引起的工件畸變的可重複部分。隨後，在用於印刷每一實際工件的曝光製程期間，可以一種方式對實際工件進行定位，以補償工件畸變的至少一部分（並削弱其影響）。
參照圖1，測量系統的非排他性實施例100包括參考繞射光柵104（亦被稱為參考圖案產生器），參考繞射光柵104被設置成與欲測量的工件110A的目標表面110在空間上分隔開。目標表面110可包括工件繞射光柵108（亦被稱為工件圖案產生器），工件繞射光柵108是固定至工件110A、界定於工件110A中、或形成至工件110A上。
在某些實施例中，工件110A由工件卡盤111（例如，真空類型或其他類型的卡盤）保持，且測量系統110用於測量由卡盤111引起的平面內畸變。此外，工件110A可為測試工件（test workpiece）110A，其包括形成於目標表面110中的工件繞射光柵108以及由工件卡盤111保持的與目標表面110相對的表面110B。在此種設計中，測量系統100可用於依序測量由工件卡盤111依序保持的測試工件中的一或多者的畸變。接下來，可確定由工件卡盤111引起的工件畸變的可重複部分。隨後，在用於印刷每一實際生產工件（圖中未示出）的曝光製程期間，可以一種方式對生產工件進行定位，以補償工件畸變的至少一部分（並削弱其影響）。在此種設計中，利用微影系統進行曝光的生產工件不包括工件繞射光柵108。
應注意，參考繞射光柵104及/或工件繞射光柵108可被稱為第一繞射光柵或第二繞射光柵，或者被稱為第一圖案產生器或第二圖案產生器。亦應注意，繞射光柵104、108中的一或兩者可為相位繞射光柵（phase diffraction grating），但亦可使用其他類型，例如振幅光柵（amplitude grating）。
在圖1所示的實施例中，參考光柵104是透射性的，且工件光柵108是反射性的。
另外，測量系統100可包括光源102，光源102產生光束102A（測量光束），光束102A藉由分束器102B（例如，立方體）被引導至透射性參考光柵104上以形成繞射光束106A、106B，繞射光束106A、106B相對於入射方向（以虛線112示出）以依據以下而確定出的分別對應的角度（示出為θ 1 、-θ 1 ）朝工件光柵108進一步傳播：光至光柵108上的入射角、光102A的波長、光柵104、108的幾何結構、及光柵104、108之間的分隔距離（「間隙」）「d」。在一個非排他性實施例中，光102A的波長介於大約600奈米至700奈米之間，且分隔距離介於10微米與數毫米之間。然而，可能有其他值。
在一個實施例中，參考光柵104充當第一光圖案產生器，其具有沿第一軸線（例如，Y軸線）是週期性且沿橫切於第一軸線的第二軸線（例如，X軸線）是實質上恆定的光學特徵（例如透射率）（故亦稱一維（「one dimensional，1D」）繞射光柵）。
被配置成以反射方式運作的工件光柵108相對於入射至光柵108上的光束106A、106B被謹慎地設置成利特羅構形（Littrow configuration），以反射地形成沿與光束106A、106B相反的方向（亦即，朝參考光柵104）傳播的分別對應的繞射光束113A、113B。在一個實施例中，工件光柵108充當第二光圖案產生器，其具有沿第一軸線（例如，Y軸線）及橫切於第一軸線的第二軸線（例如，X軸線）兩者是週期性的光學特徵（例如反射率）（故亦稱二維（「2D」）繞射光柵）。
在以透射方式繞射穿過參考光柵104後，光束113A、113B又形成分別對應的繞射光束114A、114B，繞射光束114A、114B被引導成朝包括光學偵測器116的光學偵測系統115共同傳播。繞射光束114A、114B在偵測器116的感光性表面處干涉且形成由偵測器116捕獲的輻照度分佈（distribution of irradiance）。光學偵測系統115通常以可操作方式連接至可程式化處理器117，可程式化處理器117評估來自偵測器116的資料以確定工件110A的目標表面110的平面內畸變。換言之，光學偵測器116處的受關注光學輻照度分佈是因入射光束與兩個繞射圖案產生器（光柵104、108）的依序相互作用而形成。
在一個實施例中，在該些圖案產生器之間，第一圖案產生器（參考光柵104）具有沿第一軸線是週期性且沿第二軸線是恆定的第一光學特徵（其中第一軸線及第二軸線是彼此橫切的），而第二圖案產生器（工件光柵108）具有沿第一軸線及第二軸線兩者是週期性的第二光學特徵。因此，在此實施例中，參考光柵104不同於工件光柵108。作為另一選擇，參考光柵104可為二維繞射光柵，而工件光柵108是一維光柵。
另外，在一個實施例中，參考光柵104的節距不同於工件光柵108的節距。在圖1中，光柵104、108的節距比（pitch ratio）是2:1，其中參考光柵104的節距是工件光柵108的節距的兩倍大。然而，可能有其他節距比。
如圖所示，在具體實施方案中，光束102A是實質上垂直地被引導至參考光柵104上。然而，系統100以斜入射角（相對於第一圖案產生器104的表面的法線而傾斜）進行的操作旨在處於實施例的範圍內。
根據實施例的理念，在處於第一所選定向時多次測量並在處於第二所選定向時多次測量由光束114A、114B在偵測器116的表面上以干涉方式形成的輻照度分佈，以評定承載工件光柵108的目標表面110的形狀。如圖1中所示，+1繞射光束114A及-1繞射光束114B來自工件光柵108上不同的點且因此在偵測器116上間隔開。舉例而言，+1繞射光束114A與-1繞射光束114B可在偵測器116上分隔開數百微米。
在第一測量步驟中，將光柵104及108設置成第一所選定向（例如，其中一維光柵104的刻線（ruling）或線條及二維光柵108的第一組刻線與x軸線對準，如圖所示）。在此種設計中，將光束102A引導於光柵104、108處，且利用偵測器116捕獲第一干涉影像。接下來，（i）將光柵104、108中的一者相對於另一光柵108、104移動一相移量（phase shift）（例如，工件光柵108的週期的分率（fraction）），以及（ii）將光束102A引導於光柵104、108處並利用偵測器116（例如，照相機）捕獲第二干涉影像。針對光柵104、108的第一所選定向重複此種步進相移量並捕獲影像的過程達數次。舉例而言，在光柵104、108處於第一所選定向時，可重複此種過程達五次至五十次，以捕獲五個至五十個單獨的干涉圖案影像。然而，視所需解析度而定，可捕獲少於五個影像或多於五十個影像。
處理器117可評估在光柵104、108處於第一所選定向時所捕獲的多個干涉影像，以在一個初始方向上確定目標表面110的輪廓。
作為非排他性實例，每一相移量可為週期的1/8或1/6。然而，可能有其他相移量值。
在第二測量步驟期間，將光柵104及108中的一者相對於另一者移動，以使得光柵104、108被設置成第二所選定向（例如，其中一維參考光柵104的刻線或線條及二維光柵108的第二組刻線與Y軸線對準，如圖所示）。換言之，在第二測量步驟之前，將光柵104、108中的一者在光柵的平面內相對於光柵104、108中的另一者旋轉。因此，第二測量步驟是在光柵處於第二所選定向時進行。舉例而言，若參考光柵104在平面內相較於其第一所選定向被旋轉90度，則光柵104的第二所選定向刻線/線條是沿區域座標系統（local coordinate system）的y軸線對準。
在此種設計中，於第二測量步驟期間，將光束102A引導於光柵104、108處並利用偵測器116來捕獲另一干涉影像。接下來，（i）將光柵104、108中的一者相對於另一光柵108、104移動相移量（例如，工件光柵108的週期的分率）；以及（ii）將光束102A引導於光柵104、108處並利用偵測器116捕獲又一干涉影像。針對光柵104、108的第二所選定向重複此種步進相移量並捕獲影像的過程達數次。舉例而言，在光柵104、108處於第二所選定向時，可重複此種過程五次至五十次，以捕獲五個至五十個單獨的干涉圖案影像。
處理器117可評估在光柵104、108處於第二所選定向時所捕獲的多個干涉影像，以在第二方向上確定目標表面110的輪廓。作為第二測量步驟的結果，沿橫切於初始方向的另一方向確定出表面輪廓及/或形狀。
可以理解，第一測量與第二測量的組合結果使得熟習此項技術者能夠在由兩個測量方向界定的平面內充分地確定出表面輪廓及/或形狀。
在一些實施例中，工件110A由載台150支撐，載台150可由載台移動器152移動，以便於例如裝載工件110A、將兩個光柵104、108彼此對準及沿Z軸線進行調整以控制間距d。在該些實施例中，載台移動器152可用於在每一測量步驟期間將工件及工件光柵108相對於參考光柵108移動每一相移量。此外，載台移動器152可在第一測量步驟與第二測量步驟之間將工件110A與工件光柵108一起旋轉90度。然而，在其他實施例中，可使用參考移動器（圖中未示出）將參考光柵104相對於工件光柵108移動。
在圖1中，機械支撐單元154可支撐載台150、工件110A及載台移動器152。
另外，測量系統100可包括光學系統（圖中未示出），例如，將光引導於偵測器116處的一或多個透鏡。
在其中可自偵測器116得到即時資料的一些實施例中，可使用自偵測器訊號導出的資料來將光柵104、108繞Z軸線對準並確保90度旋轉是準確的。舉例而言，若監測到亮畫素與暗畫素的比率（亦即，干涉圖案的對比度），則可調整旋轉量以查找出提供最大對比度的定向。
在相關實施例中，可使用除90度之外的旋轉角度。舉例而言，可使用90度的其他倍數（例如，270度、450度、或630度）來獲得等效測量結果。
基於在兩個上述測量步驟中對受關注表面的整體二維形狀/輪廓的確定，得出此表面是否在任何形狀或形式上相對於預定參考表面及/或形狀有偏差的結論。換言之，可確定出所述表面的形狀/輪廓相對於參考表面所出現的畸變。
相同測量原理可應用於其中參考光柵104是二維光柵且工件光柵是一維光柵的實施例。此種配置可能並不那麼具有光效率，乃因光被二維光柵繞射兩次（其中光被兩次（每一遍一次）在兩個維度上劃分成多個階次）且被一維光柵繞射僅一次，然而，此種配置對於某些應用而言可為有利的。
本實施例的實施方案實質上降低測量本身的複雜度並減少評定所測量表面的形狀所需的數學運算數量，且藉由以下而進一步提高測量效能：藉由一次處理並考量僅兩個繞射階次（在一維光柵104處形成）而減少可能的實驗誤差來源的數量。
應瞭解，所提出的方法易於擴展成以在相關技術中無比的精確度及準確度來界定所關注表面隨著周圍條件的改變而出現的畸變及/或形狀的改變。為此，可在不同時間及/或在不同周圍條件下對目標表面實施相同的兩步驟測量，以獲得表面的第二輪廓/形狀。接著，作為將第一測量步驟的結果與第二測量步驟的結果進行比較的結果而確定出形狀的改變。
圖2、圖3、及圖4提供憑經驗確定出的所測量表面的形狀間差異及/或平面內畸變的圖解，所述形狀間差異及/或平面內畸變是在於不同條件下（在不同時間或在不同周圍條件下）對同一表面實施的第一測量（M1，示出於圖2中）與第二測量（M2，示出於圖3中）之間發生的。
更具體而言，在圖2中，影像200表示藉由將當工件處於第一條件下時在每一測量步驟處所捕獲的多個干涉圖案影像組合而確定出的目標表面的畸變。類似地，在圖3中，影像300表示藉由將當工件處於第二條件下時在每一測量步驟處所捕獲的多個干涉圖案影像組合而確定出的目標表面的畸變。此外，影像400表示影像200與300之間的未平均化差異。在此實施例中，影像200、300及400中的每一者相對於參考光柵104在奈米尺度上示出工件110的形狀。
作為在來自根據本發明實施例所實施的兩個彙總測量（aggregate measurement）的輸出之間進行比較的結果，可確定出受測試工件的空間輪廓的偏差的類型（例如，拉伸或壓縮、或者翹曲或傾斜）及值（亦即，幾何量度，例如長度或垂度（sag）或角度）中的至少一者。
實際上，如圖4中在未平均化的情況下所示，形狀200、300之間的差異400是藉由使用7訊框演算法（7-frame algorithm）來評定偵測器的表面處的干涉條紋（interferometric fringe）而在奈米尺度上確定出。
在圖5中，影像500是當光被引導於光柵處時由光學偵測器在一個時間點處捕獲的干涉條紋。影像500示出因使用圖1所示測量系統100進行光操縱而在光學偵測器的表面上形成的輻照度場的分佈。參照圖4，憑經驗確定出的在兩個不同影像200（M1）（圖2）與300（M2）（圖3）之間發生的表面輪廓改變展現出由約2.13奈米的σ表徵的空間解析度。
圖6示出在8×8畫素陣列（偵測器上的輻照度分佈的24微米×24微米面積）內對圖4所呈現結果執行的平均化的結果，所述平均化使得空間解析度提高至由約0.76奈米的σ表徵的空間解析度。
因此，應瞭解，作為實作本發明方法的結果，已展現出以次奈米準確度對所選目標表面的光學形狀的畸變的測量。除非另有明確定義，否則用語「畸變」在結合受關注表面的形狀或空間輪廓使用時是用於指代此種形狀或空間輪廓相對於參考及/或預定形狀或空間輪廓所出現的偏差。在一次測量中，已能測量出直徑為300毫米（mm）的半導體晶圓的形狀畸變。
應注意，在某些實施例中，為達到次奈米準確度，在每一測量步驟期間，將光柵104、108相對於彼此進行相移。相移方法是，使工件光柵108或參考光柵104以作為光柵節距的分率的步長沿x或y（光柵的平面）平移。確切的分率取決於測量系統100的設計。在一個實施例中，節距的分率對應於圖5所示條紋圖案的為所需量（通常為π/2）的相移量。
圖8提供表示本發明方法的實施例的流程圖，所述方法包括步驟810、820、830、840、845、847、850、860、及870。更具體而言，參照圖1及圖8，在步驟810處，使光透射穿過分析儀（參考）光柵104，以形成朝工件光柵108傳播的繞射階次106A、106B。接下來，在步驟820處，使光113A、113B在工件光柵108處以反射方式繞射、並被引導回至分析儀（參考）光柵104。隨後，在步驟830處，使在工件光柵108處繞射的光113、113B以透射方式繞射穿過分析儀（參考）光柵104，以形成朝偵測器116傳播的繞射光束114A、114B。在步驟840處，基於由在偵測器116的表面處干涉的光束114A、114B形成的輻照度分佈，由偵測器116捕獲影像。接下來，在步驟845處，將光柵104、108進行相移，且利用偵測器捕獲另一干涉圖案影像。隨後，在步驟847處，針對所需次數的相移而重複步驟845，且在每次相移時捕獲單獨的干涉圖案影像。接下來，在步驟850處，將參考光柵104或工件光柵108在平面內旋轉90度。隨後，在步驟860處，重複步驟810、820、830、840、845、及847。最終，在步驟870處，評估干涉圖案影像，以確定工件表面110的形狀。
圖9示出測量系統900的另一實施例，測量系統900包括光源902、參考光柵904、工件光柵908、偵測器916、載台950、載台移動器952、處理器917、及卡盤911，這些組件有點類似於以上所述且在圖1中示出的對應組件。在圖9中，測量系統900可用於測量工件910A的目標表面910的平面內畸變。
在圖9中，被配置成以透射方式運作的參考繞射光柵904與被配置成以反射方式運作的工件繞射光柵908是設置成平行且間隔開的關係。在此實施例中，參考光柵904可形成於光學透明部件960（在具體實施方案中，其可被成形為楔；圖中未示出）的表面上。工件光柵908與經受測量的工件910A（例如，半導體晶圓）相關聯且進行機械協作。在一個實施例中，工件光柵908附貼至工件910A的目標表面910。
另外，在圖9中，測量系統900可包括光學系統962，光學系統962包括一或多個透鏡964、966（在圖9中示出兩個），透鏡964、966將光引導於偵測器916處並在偵測器962上形成干涉圖案的影像。光學系統962將工件光柵908處的影像中繼至光學偵測器916。
此外，測量系統900可包括空間濾光器（spatial filter）970，空間濾光器970界定濾光器開孔972。在此實施例中，空間濾光器970可用於阻止不良雜散光到達偵測器916並不利地影響影像。在此實施例中，空間濾光器970在工件光柵908與光學偵測器916之間定位於光學系統962的光瞳平面（pupil plane）處。由於來自所述成對光柵（圖1中的104、108）或（圖9中的904、908）的所有光束均為基本上平面波，因此所述光束聚焦至光瞳中的點，所述點的位置取決於所述光束的角度。此使得處於足夠不同角度的光束能夠被進行空間濾光。
在圖9中，繞射光柵904、908可類似於以上所述且在圖1中示出的對應組件。在此實施例中，參考光柵104的節距不同於工件光柵108的節距。在圖9中，光柵104、108的節距比是1:2，其中參考光柵104的節距是工件光柵108的節距的一半大。然而，可能有其他節距比。
另外，在圖9所示的實施例中，光902A是以斜入射角引導於參考光柵904處。作為非排他性實例，光902A可相對於參考光柵904的法線以介於三十度至六十度之間的入射角被引導於參考光柵904處。
圖10是圖9所示測量系統900的一部分的放大圖。在圖10中，使測量光束中的一對射線1080、1082穿過光學透明部件960、穿過參考光柵904、自工件910A上的工件光柵908反射離開、並穿過參考光柵904及光學透明部件960。
在此實施例中，光射線1080、1082自光源902（示出於圖9中）朝透明部件960及參考光柵904被引導，以相對於法線以斜入射角θ輻照參考光柵904。如圖所示，光束1080、1082可表示同一光學波前（optical wavefront）的法線，或者表示分別與兩個不同光學波前相關聯的兩個不同法線。在後一種情形中，可在光束1080、1082入射於透明部件960上之前在光束1080、1082中之間引入相位延遲。
參考光柵904及透明部件960（若存在）的光學幾何參數（opto-geometrical parameter）被選擇成使得：（i）光1080穿過透明部件960及參考光柵904而成為零階透射光束1080A，零階透射光束1080A被引導於工件光柵908處；以及（ii）光1081穿過透明部件960且在參考光柵904處繞射成為-1階繞射光束1081A，-1階繞射光束1081A被引導於工件光柵908處。
隨後，入射於工件光柵908上的零階透射光束1080A及-1階繞射光束1081A自工件光柵908反射離開成為繞射光束1080B、1081B，繞射光束1080B、1081B被引導於參考光柵904及透明部件960處且隨後被引導至光學系統960（示出於圖9中）及偵測器916（示出於圖9中）。在此實施例中，繞射光束1080B、1081B是以共線方式朝光學偵測器916（被設置成與光學資料獲取系統進行電性通訊）被引導。光學偵測器916接收因光束1080B、1081B之間的干涉而形成的空間光分佈，並產生所產生的電訊號，所述電訊號表示工件910A的幾何特徵的平面內改變（例如，工件910A的位置的平面內改變、或工件910A的形狀或形式的平面內改變）、但同時不含表示基底的幾何特徵的平面外改變的資訊。資料獲取系統（需要編號）或單元更自此電訊號提取表示工件910A的平面內畸變的資料。
應理解，理想地且在具體非限制性實施例中，與照射光束1080、1081相關聯的所有其他繞射階次是漸逝的（evanescent），使得其不會引起雜散光。透射性參考光柵904（及在所述光柵處形成的零階繞射光束）的照射角θ及光柵904、908的節距值被選擇成使得來自反射性工件光柵908的光束1080B、1081B是垂直於工件光柵908而繞射。如略圖中所示，此暗示，在此種具體情形中，參考光柵904的節距是反射性工件光柵908的節距的一半。系統更被配置成使得在光柵914處形成的零繞射階次藉由附加光學器件（圖中未示出）被收集並中繼至偵測器916。
由反射性工件光柵908自同一點繞射的兩個光束1080B、1081B因在工件光柵908處或工件光柵908上發生的任何畸變以及因此因與被剛性地附貼有工件光柵908的工件910A相關聯的任何畸變而接收相反的相位。因此，工件光柵908的畸變在偵測器916處引起干涉圖（interferogram）（因光束1080B、1081B之間的干涉），所述干涉圖的相位與每一點處此種畸變（或工件光柵908相對於光束1080B、1081B的位置改變）的量值成比例。藉由將光柵904、908中的一者以遞增式增量（相位步進式或積分桶式（phase-stepping or integrating-bucket style））移位以獲得遞增式相移改變且更藉由調變由偵測器916獲取的干涉條紋來對干涉相位實作資料分析。
當然，儘管作為另一選擇，可如圖1中所示使對工件光柵的平面內畸變的確定是基於評定已由繞射階次（在使光法向入射至分析光柵上的條件下源自於晶圓載台光柵）以干涉方式形成的光分佈而進行，然而此種替代實施方案可能未必是較佳的。確實，如熟習此項技術者將理解，在圖1中各測量點並不處於相同位置，以致與平面外形狀/形貌相關的訊號仍存在於兩個輸出光束的干涉中，進而不可避免地干擾有用訊號。此外，由本系統光學表面的多次反射形成的雜散光保持於系統中（平行於測量路徑的諸多雜散光路徑）並由光學偵測器捕獲，此引起有用訊號的低對比度（且若源同調長度不足夠短，則引起同調雜訊）。
另一方面，參照圖9所述方法的某些優點是：（i）反射性工件光柵908的形狀的平面外改變不（至少在一階上）影響測量—亦即，對工件光柵908的平面內畸變的確定實質上與平面外分佈解耦；以及（ii）系統內雜散光的存在實質上得以減少，此意味著有用訊號對比度得以提高。
在圖10中，透明部件960包括第一部件表面960A及與第一部件表面960A相對的第二部件表面960B，第二部件表面960B保持參考光柵904。在一個實施例中，部件表面960A、960B是平行的。作為另一選擇，透明部件960可為楔形的。在此實施例中，部件表面960A、960B可為靠近但不平行的。舉例而言，部件表面960A、960B的不平行度可為至少1毫弧度（milliradian）。對於此種設計，雜散光中的某些將由空間濾光器阻擋而不被引導至光學偵測器916。
另外，可將光柵904、908相對於彼此略微旋轉（例如，1弧分（arcminute）至1度），以抑制雜散光被引導至光學偵測器916。
此外，應注意，在圖10所示的實施例中，光束1080、1081在光源902（示出於圖9中）與光學偵測器916（示出於圖9中）之間具有不同的路徑長度。在某些實施例中，光源902可被設計成延長光束1080的路徑長度，使得其等於光束1081的路徑長度。圖11示出光源902可包括光束長度調整器1190，光束長度調整器1190包括準直透鏡1191、第一分束器1192、一對鏡1193、1194、第二分束器1195、及發散透鏡1196。在此實施例中，（i）光束1081筆直穿過每一分束器1192、1195，以及（ii）光束1080由第一分束器1192引導於所述一對鏡1193、1194處並由第二分束器1195引導成與光束1081相組合。在此種設計中，可視需要將兩個鏡1193、1194上下移動，以改變光束1080的光學路徑。對於此種設計，光束1080的路徑相對於光束1081具有可控時間延遲。
為測量工件的空間畸變，比較例一貫地利用兩個二維（2D）繞射光柵的組合—一者位於所測量工件上或與所測量工件直接相關聯且另一者設置於工件的前方。此種方法的實例是藉由使用透射性二維光柵（例如，形成於玻璃基底上的二維光柵）來提供，測量光束被引導成在繞射穿過所述透射性二維光柵後射至形成於半導體基底的表面上的二維光柵上，所述半導體基底被夾持至支撐件（例如真空卡盤）上。入射至第一二維光柵（被稱為參考光柵）上的光朝第二二維光柵（被稱為物體光柵）以透射方式繞射，並接著再次朝參考光柵繞射—此次是以反射方式。在第二次（反向）透射穿過參考光柵後，此種現在經三次繞射的光由光學偵測系統接收，所述光學偵測系統被配置成確定光學偵測器的表面處複雜形式的光學干涉。
已知所得的干涉圖案的圖案是複雜的且在測量上及在資料處理步驟處對測量結果的評定上會產生數個問題。舉例而言，圖7中示出用以表示複雜解析表達式的方程式（1），所述複雜解析表達式表示藉由傳統上使用的方法在偵測器的表面處形成的輻照度分佈。在一些情形中，為恰當地表示光學偵測器的表面上的輻照，需要25或更多個解析項，所述解析項包括-1繞射階次、0繞射階次及+1繞射階次的各種複雜組合。熟習此項技術者將易於認識到，對4光束繞射、8光束繞射及16光束繞射的準確模擬變得逐漸困難且不精確的。在此種複雜度的計算中易於出錯，且結果的準確度因另外需要的項可被簡單地省略而進一步減低。
當正被測量工件的形狀的空間畸變量是微小的（例如，為奈米尺度或更小）時，確定此等畸變的傳統方法的缺點及不準確度不能再被忽視或忽略。舉例而言，憑經驗確定出，傳統上對二維光柵（如上所述）的組合的使用不能準確地測量因周圍條件（例如溫度）的改變或因應力誘發改變（例如，因對晶圓的真空固持引起）對半導體晶圓的平面內形狀引起的次奈米改變。為滿足此種需求，需要一種不同的方法。
配備有晶圓載台的典型微影曝光工具亦可包括反射性載台光柵，所述晶圓載台載運半導體晶圓（其附裝至載台且由來自所選光源的光進行輻照以在晶圓上的感光性光阻層中投射幾何圖案）。此種所謂的「載台光柵」的用途是便於測量晶圓載台（及因此晶圓本身）的位置及/或定向，以確保在曝光製程期間對晶圓的圖案化在維度及位置上是正確的（亦即—根據設計進行）。為達成此種目標，傳統上將載台光柵聯合編碼器頭一起使用—即依賴於由載台光柵繞射的光並利用此光來形成謹慎界定的光干涉分佈的光學系統，所尋求的晶圓位置及/或定向是進一步依據所述光干涉分佈的表徵結果而確定出。
然後，可以理解，晶圓的表面的畸變（不論此種畸變的來源如何）會影響圖案被轉移至晶圓上的位置的準確度。因此，熟習此項技術者應理解，仍需要一種提高對由晶圓固持機構引入的畸變的評定準確度的解決方案。
本實施例的實施方案藉由提供以下方法來解決測量工件（例如，半導體晶圓）的幾何畸變的需要：所述方法與先前技術的方法相較得到更高的光效率，同時降低資料（其表示以干涉方式跨越光學偵測器的表面形成的輻照度分佈）的處理複雜度，藉此總體上提供更簡單的運算及更佳的測量效能。
具體而言，在一個實施例中，測量次奈米尺度的工件（在一種情況中？為半導體晶圓）的二維平面內畸變的問題是藉由以下來解決：以被配置為一維光柵（而非如在比較例中那樣配置為二維參考光柵）的分析儀光柵（參考光柵）來補充與工件相關聯的二維工件光柵，以簡化工件形狀的總體測量。於已在一個方向（為簡單起見，被稱為第一方向，其例如沿x軸線延伸）上測量工件形狀之後，將兩個繞射光柵中的一者相對於另一者在此光柵的平面內旋轉，以沿橫切於第一軸線的另一第二軸線實施類似的測量。（在一種具體情形中，此種旋轉可包括將承載二維工件光柵的工件表面在平面內旋轉90度；在另一具體情形中，此種旋轉可包括將一維參考光柵相對於工件在平面內旋轉90度。）應瞭解，在此種旋轉期間應注意不能擾亂或改變工件的現有畸變。因此，會達成沿彼此橫切的兩個軸線對工件的形狀的表徵。
接著，藉由在可能已改變或確實已改變工件的形狀的條件下？例如，在不同時刻及/或在不同周圍條件下（例如，在不同溫度或大氣壓力下，或者在晶圓已自一個晶圓卡盤（位於一個晶圓載台上）轉移至第二晶圓卡盤（位於第二晶圓載台上）之後）重複此種彙總測量來確定所述形狀的畸變。兩次彙總測量的結果之間的差異指示工件已在兩次彙總測量之間發生的幾何畸變的值。
所提出彙總測量的第一步驟是有關於僅沿第一軸線測量工件形狀，而第二步驟是有關於僅沿橫切於第一軸線的第二軸線測量工件形狀。然而，與比較例對比，有利之處在於，在光學偵測器上形成輻照度干涉分佈的繞射階次的總體數量實質上得以減少，乃因於每一測量步驟處在參考光柵處僅形成兩個（在某些實施例中）繞射階次。
以下所呈現的詳細說明使用作為參考（分析儀）光柵的一維光柵的非限制性實例。一維光柵的使用提供更佳的繞射效率，進而得到提高的訊號對比度及測量效能。此亦減少在每一偵測器畫素處發生干涉的繞射光束的數量。干涉複雜度的此種降低使得偵測到的干涉圖案更易於模擬及理解，且同時自光學資料移除了測量偽影（artifact）。因此，一維參考光柵的使用確保達成具有藉由比較例的測量不可達成的精度及準確度的結果。
100‧‧‧測量系統/系統
102、902‧‧‧光源
102A‧‧‧光束/光
102B‧‧‧分束器
104‧‧‧參考繞射光柵/繞射光柵/參考光柵/透射性參考光柵/光柵/第一圖案產生器/一維光柵/一維參考光柵/分析儀（參考）光柵/參考圖案產生器/圖案產生器
106A、106B‧‧‧繞射光束/光束/繞射階次
108‧‧‧工件繞射光柵/繞射光柵/工件光柵/光柵/二維光柵/工件圖案產生器/圖案產生器
110、910‧‧‧目標表面
110A‧‧‧工件/測試工件
110B‧‧‧表面
111‧‧‧工件卡盤/卡盤
112‧‧‧入射方向
113A、113B‧‧‧繞射光束/光束/光
114A‧‧‧繞射光束/光束/+1繞射光束
114B‧‧‧繞射光束/光束/-1繞射光束
115‧‧‧光學偵測系統
116、916‧‧‧光學偵測器/偵測器
117‧‧‧可程式化處理器/處理器
150、950‧‧‧載台
152、952‧‧‧載台移動器
154‧‧‧機械支撐單元
200、300‧‧‧影像/形狀
400‧‧‧影像/差異
500‧‧‧影像
810、820、830、840、845、847、850、860、870‧‧‧步驟
900‧‧‧測量系統
902A‧‧‧光
904‧‧‧參考光柵/參考繞射光柵/繞射光柵/透射性參考光柵/光柵
908‧‧‧工件光柵/工件繞射光柵/繞射光柵/光柵/反射性工件光柵
910A‧‧‧工件
911‧‧‧卡盤
917‧‧‧處理器
960‧‧‧光學透明部件/透明部件
960A‧‧‧第一部件表面/部件表面
960B‧‧‧第二部件表面/部件表面
962‧‧‧光學系統
964、966‧‧‧透鏡
970‧‧‧空間濾光器
972‧‧‧濾光器開孔
1080‧‧‧射線/光射線/光束/照射光束
1080A‧‧‧零階透射光束
1080B、1081B‧‧‧繞射光束/光束
1081‧‧‧射線/光射線/光束/光/照射光束
1081A‧‧‧-1階繞射光束
1190‧‧‧光束長度調整器
1191‧‧‧準直透鏡
1192‧‧‧第一分束器/分束器
1193、1194‧‧‧鏡
1195‧‧‧第二分束器/分束器
1196‧‧‧發散透鏡
d‧‧‧分隔距離
X、Y、Z‧‧‧軸線
θ‧‧‧斜入射角/照射角
+θ1、-θ1‧‧‧角度
圖1是根據本發明的理念結構化的空間畸變測量系統的示意圖。 圖2是目標工件的表面（如圖所示—半導體晶圓的平面表面）的影像，其示出根據本發明實施例所測量的此種表面的形狀。 圖3是根據本發明實施例與圖2所示影像相較在稍後的時間所測量的目標工件的同一表面的後續影像（follow-up image）。 圖4示出圖2所示影像與圖3所示影像之間的差異，其是在未將原始資料平均化的情況下獲得的。 圖5提供光偵測器上的輻照度圖案的實例。 圖6示出將圖4所表示的資料平均化的結果，差異影像的空間解析度因所述平均化而被提高至由σ ＜ 1奈米（nm）表徵的空間解析度。 圖7示出相關技術在基於使用兩個二維繞射光柵所實施的光學測量而計算目標的形狀畸變時所需的解析表達式（analytical expression）的實例。 圖8是表示本發明實施例的流程圖。 圖9是根據本發明的理念結構化的另一測量系統的示意圖。 圖10是圖9所示測量系統的一部分的示意圖。 圖11是可在圖9所示測量系統中使用的光源的簡化圖。

Claims (51)

  1. 一種用於測量工件的平面內畸變的測量系統，所述工件包括被設置成與所述工件進行機械協作的工件繞射光柵，所述工件繞射光柵被配置成使光以反射方式繞射，所述測量系統包括： 光學透明部件，在其第一表面上界定有參考繞射光柵，所述參考繞射光柵被配置成使光以透射方式繞射，所述光學透明部件被設置成使所述參考繞射光柵以平行且間隔開的方式面向所述工件繞射光柵，以在所述工件繞射光柵的表面與所述參考繞射光柵的表面之間界定間隙，以及 照射系統，被配置成將光遞送至所述光學透明部件的第二表面，使得所述光以斜入射角射至所述參考繞射光柵上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述光學透明部件包括平面平行板，其中所述光學透明部件的所述第一表面及所述第二表面彼此實質上平行。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述光學透明部件包括光楔，其中所述光學透明部件的所述第一表面與所述第二表面形成二面角。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述工件繞射光柵具有第一週期，所述參考繞射光柵具有第二週期，且所述第一週期是所述第二週期的實質上兩倍大。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述參考繞射光柵被配置成自以所述斜入射角射至所述參考繞射光柵上的所述光生成+1繞射階次。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的測量系統，其中所述工件繞射光柵被配置成自入射於其上的所述光形成次級繞射光束，其中所述次級繞射光束表示零繞射階次及+1繞射階次，且其中所述次級繞射光束是實質上垂直於所述工件繞射光柵的表面而朝所述參考繞射光柵引導。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述工件繞射光柵被配置成將垂直於所述工件繞射光柵的繞射光朝所述光學透明部件引導。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的測量系統，更包括光學偵測系統，所述光學偵測系統包括光學偵測器，所述光學偵測系統被設置成藉由所述光學透明部件與所述工件繞射光柵分隔開且被配置成獲取已由所述輸出光束因所述輸出光束之間的干涉而形成的光分佈。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，其中所述工件繞射光柵界定於所述工件的表面上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的測量系統，更包括機械支撐單元，且其中所述工件繞射光柵及所述工件兩者由所述機械支撐單元支撐。
  11. 一種用於測量工件的平面內畸變的方法，所述方法包括： 使傾斜入射至透射性參考繞射光柵上的光繞射，以形成第一光束及第二光束，所述第一光束及所述第二光束分別表示絕對值相等但正負號相反的繞射階次； 在反射性工件繞射光柵處接收所述第一光束及所述第二光束，以形成在所述反射性工件繞射光柵處沿軸線繞射的第三光束及第四光束，所述反射性工件繞射光柵被設置成相對於所述透射性參考繞射光柵呈平行且在空間上間隔開的關係並且與所述工件進行機械協作， 其中所述第一光束及所述第二光束是以絕對值相等但正負號相反的分別對應的角度入射至所述反射性工件繞射光柵上； 其中所述軸線實質上垂直於所述反射性繞射光柵及所述透射性繞射光柵兩者；以及 利用光學偵測器獲取由所述第三光束與所述第四光束之間的光學干涉界定的空間光分佈，以生成表示所述基底的所述平面內畸變的資料，所述空間光分佈對所述基底的平面外畸變實質上不敏感。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中所述獲取包括利用定位於所述透射性參考繞射光柵的與所述反射性繞射光柵相對的一側上的所述光學偵測器來獲取所述空間光分佈。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的方法，更包括利用所述光來照射所述透射性參考繞射光柵。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的方法，更包括透過光學透明部件利用所述光來照射所述透射性參考繞射光柵，所述光學透明部件將所述光的光源與所述透射性參考繞射光柵的所述表面分隔開。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述光學透明部件被配置為光楔，所述光楔的承載所述透射性參考繞射光柵的表面實質上平行於所述反射性工件繞射光柵。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的方法，更包括在第一光及第二光中的任一者到達所述光學偵測器之前對所述第一光及所述第二光中的至少一者進行空間濾光，所述第一光表示在所述反射性繞射光柵處出現的零繞射階次，所述第二光表示在所述光學透明部件的表面處被鏡面反射的光。
  17. 一種用於確定工件的平面內畸變的方法，所述方法包括： 利用光學偵測器接收僅含有絕對值相同但正負號相反的兩個繞射階次的光，所述光分別在透射性參考繞射光柵處繞射兩次、並接著在反射性工件繞射光柵處繞射，其中所述參考光柵及所述工件光柵中的一者與所述工件進行機械協作； 生成光學資料，所述光學資料包含表示所述平面內光學畸變的第一資料但不含表示所述基底的平面外光學畸變的第二資料。
  18. 一種用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法，所述方法包括： 使光兩次透射穿過參考圖案產生器； 使已透射穿過所述參考圖案產生器的所述光與工件圖案產生器相互作用； 利用光學偵測器獲取由所述光因所述透射及所述相互作用而形成的第一光束及第二光束，以生成訊號，所述訊號表徵由所述第一光束及所述第二光束在所述偵測器處形成的干涉條紋的幾何形狀；以及 生成表示所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的方法，其中所述生成包括以次奈米準確度生成表示所述空間畸變的所述類型及所述值中的所述至少一者的標記。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器具有沿第一軸線是週期性且沿第二軸線是恆定的參考光學特徵，所述第一軸線及所述第二軸線彼此橫切；且 其中所述工件圖案產生器具有沿所述第一軸線及所述第二軸線兩者是週期性的工件光學特徵。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器具有沿第一軸線及第二軸線兩者是週期性的參考光學特徵，所述第一軸線及所述第二軸線彼此橫切；且 其中所述工件圖案產生器具有沿所述第一軸線是週期性且沿所述第二軸線是恆定的第二光學特徵。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器處於第一平面中，所述工件圖案產生器處於第二平面中，所述第一平面及所述第二平面彼此實質上平行。
  23. 如申請專利範圍第18項所述的方法， 其中所述透射包括形成兩個光束，所述兩個光束中的每一者表示由所述光在所述參考圖案產生器處形成的繞射階次光束。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的方法， 其中所述透射包括將來自所述兩個光束中的每一者的光束沿軸線朝所述工件圖案產生器引導；且 其中所述相互作用包括使所述光束在所述工件圖案產生器處沿所述軸線朝所述參考圖案產生器繞射。
  25. 如申請專利範圍第18項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器包括一維（1D）繞射光柵，所述工件圖案產生器包括二維（2D）繞射光柵， 其中所述相互作用包括使由所述光在所述一維繞射光柵處形成的第一繞射光束及第二繞射光束在呈利特羅構形的所述二維繞射光柵處繞射。
  26. 如申請專利範圍第18項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器包括二維（2D）繞射光柵，所述工件圖案產生器包括一維（1D）繞射光柵， 其中所述相互作用包括使由所述光在所述二維繞射光柵處形成的第一繞射光束及第二繞射光束在呈利特羅構形的所述一維繞射光柵處繞射。
  27. 一種用於測量工件的目標表面的空間畸變的方法，所述方法包括： 使光兩次透射穿過參考圖案產生器； 使已透射穿過所述參考圖案產生器的所述光與工件圖案產生器相互作用； 利用光學偵測器獲取由所述光因所述透射及所述相互作用而形成的第一光束及第二光束，以生成訊號，所述訊號表徵由所述第一光束及所述第二光束在所述偵測器處形成的干涉條紋的幾何形狀； 生成表示所述目標表面沿第一軸線的所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記； 使所述參考圖案產生器及所述工件圖案產生器中的一者在所述參考圖案產生器及所述工件圖案產生器中的所述一者的平面內旋轉90度的倍數； 重複所述透射、所述相互作用及所述生成，以生成表示所述目標表面沿第二軸線的所述空間畸變的類型及值中的至少一者的標記，所述第二軸線垂直於所述第一軸線。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述生成包括以次奈米準確度生成表示所述空間畸變的所述類型及所述值中的所述至少一者的標記。
  29. 如申請專利範圍第27項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器具有沿第一軸線是週期性且沿第二軸線是恆定的參考光學特徵，所述第一軸線及所述第二軸線彼此橫切；且 其中所述工件圖案產生器具有沿所述第一軸線及所述第二軸線兩者是週期性的工件光學特徵。
  30. 如申請專利範圍第27項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器具有沿第一軸線及第二軸線兩者是週期性的參考光學特徵，所述第一軸線及所述第二軸線彼此橫切；且 其中所述工件圖案產生器具有沿所述第一軸線是週期性且沿所述第二軸線是恆定的工件光學特徵。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器處於第一平面中，所述工件圖案產生器處於第二平面中，所述第一平面及所述第二平面彼此實質上平行。
  32. 如申請專利範圍第30項所述的方法， 其中所述透射包括形成兩個光束，所述兩個光束中的每一者表示由所述光在所述第一參考圖案產生器處形成的繞射階次光束。
  33. 如申請專利範圍第32項所述的方法， 其中所述透射包括將來自所述兩個光束中的每一者的光束沿軸線朝所述工件圖案產生器引導；且 其中所述相互作用包括使所述光束在所述工件圖案產生器處沿所述軸線朝所述參考圖案產生器繞射。
  34. 如申請專利範圍第27項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器包括一維（1D）繞射光柵，所述工件圖案產生器包括二維（2D）繞射光柵， 其中所述相互作用包括使由所述光在所述一維繞射光柵處形成的第一繞射光束及第二繞射光束在呈利特羅構形的所述二維繞射光柵處繞射。
  35. 如申請專利範圍第27項所述的方法， 其中所述參考圖案產生器包括二維（2D）繞射光柵，所述工件圖案產生器包括一維（1D）繞射光柵， 其中所述相互作用包括使由所述光在所述二維繞射光柵處形成的第一繞射光束及第二繞射光束在呈利特羅構形的所述一維繞射光柵處繞射。
  36. 一種測量工件的平面內畸變的測量系統，包括： 光學部件，被排列成面向所述工件，所述光學部件包括參考繞射光柵； 光源，將測量光束引導於所述參考繞射光柵處，以利用來自所述參考繞射光柵的光來輻照工件繞射光柵，所述工件繞射光柵形成於所述工件上；以及 偵測器，偵測來自所述工件繞射光柵的光。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的測量系統，其中所述參考繞射光柵形成第一繞射輻射及第二繞射輻射，所述第二繞射輻射在繞射階次上不同於所述第一繞射輻射。
  38. 如申請專利範圍第37項所述的測量系統，其中所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射輻照於所述工件繞射光柵處。
  39. 如申請專利範圍第38項所述的測量系統，其中所述工件繞射光柵使所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射繞射，且其中繞射的所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射沿第一方向傳播。
  40. 如申請專利範圍第39項所述的測量系統，其中繞射的所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射穿過所述光學部件。
  41. 如申請專利範圍第36項所述的測量系統，更包括排列於所述光學部件與所述偵測器之間的光學系統。
  42. 如申請專利範圍第41項所述的測量系統，其中所述輻照系統藉由所述光學系統的至少一部分來輻照所述光學部件。
  43. 一種測量工件的平面內畸變的測量方法，包括： 提供參考繞射光柵； 利用測量光束來輻照所述參考繞射光柵； 使所述測量光束在所述參考繞射光柵處繞射； 使繞射的所述測量光射至形成於所述工件上的工件繞射光柵； 偵測來自所述工件繞射光柵的光。
  44. 一種測量工件的平面內畸變的測量設備，包括： 光學部件，被排列成面向所述工件，所述光學部件包括設置於多個位置處的多個第一繞射光柵； 輻照系統，將測量輻射輻照至所述多個第一繞射光柵，以利用來自所述多個第一光柵的輻射來輻照多個第二繞射光柵，所述多個第二繞射光柵形成於所述工件上的多個位置處；以及 偵測器，偵測來自所述多個第二繞射光柵的輻射。
  45. 如申請專利範圍第44項所述的測量設備，其中所述第一繞射光柵形成第一繞射輻射及第二繞射輻射，所述第二繞射輻射在繞射階次上不同於所述第一繞射輻射。
  46. 如申請專利範圍第45項所述的測量設備，其中所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射輻照於所述第二繞射光柵處。
  47. 如申請專利範圍第46項所述的測量設備，其中所述第二繞射光柵使所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射繞射，且其中繞射的所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射沿第一方向傳播。
  48. 如申請專利範圍第47項所述的測量設備，其中繞射的所述第一繞射輻射及所述第二繞射輻射穿過所述光學部件。
  49. 如申請專利範圍第44項所述的測量設備，更包括排列於所述光學部件與所述偵測器之間的光學系統。
  50. 如申請專利範圍第49項所述的測量設備，其中所述輻照系統藉由所述光學系統的至少一部分來輻照所述光學部件。
  51. 一種測量工件的平面內畸變的測量方法，包括： 提供設置於多個位置處的多個第一繞射光柵； 利用測量輻射來輻照所述多個第一繞射光柵； 使所述測量輻射在所述多個第一繞射光柵處繞射； 使繞射的所述測量輻射射至形成於所述工件上的多個位置處的多個第二繞射光柵； 偵測來自所述多個第二繞射光柵的輻射。
TW107106244A 2017-02-23 2018-02-23 用於測量工件的平面內畸變的測量系統及方法 TWI821175B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762462489P 2017-02-23 2017-02-23
US62/462,489 2017-02-23
US201762548178P 2017-08-21 2017-08-21
US62/548,178 2017-08-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201835556A true TW201835556A (zh) 2018-10-01
TWI821175B TWI821175B (zh) 2023-11-11

Family

ID=63254030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106244A TWI821175B (zh) 2017-02-23 2018-02-23 用於測量工件的平面內畸變的測量系統及方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11982521B2 (zh)
EP (1) EP3586189B1 (zh)
TW (1) TWI821175B (zh)
WO (1) WO2018156702A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109458940A (zh) * 2018-12-26 2019-03-12 中国电子科技集团公司第二十六研究所 基于光学模拟的半球谐振子的膜厚均匀性的快速估测方法

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7606548A (nl) * 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
US4322162A (en) * 1979-07-23 1982-03-30 National Research Development Corporation Method and apparatus for sensing in-plane deformation of a surface
US4564295A (en) * 1983-03-07 1986-01-14 New York Institute Of Technology Apparatus and method for projection moire topography
US4631416A (en) * 1983-12-19 1986-12-23 Hewlett-Packard Company Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
US4656347A (en) * 1984-01-30 1987-04-07 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Diffraction grating position adjuster using a grating and a reflector
NL8401710A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH0685387B2 (ja) * 1986-02-14 1994-10-26 株式会社東芝 位置合わせ方法
NL8600639A (nl) * 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
EP0243520B1 (en) * 1986-04-29 1991-11-27 Ibm Deutschland Gmbh Interferometric mask-wafer alignment
FR2598797B1 (fr) * 1986-05-07 1990-05-11 Nippon Telegraph & Telephone Procede de mesure et/ou d'ajustement du deplacement d'un objet et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede
KR900004269B1 (ko) * 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
NL8601547A (nl) * 1986-06-16 1988-01-18 Philips Nv Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting.
US4722600A (en) 1986-10-14 1988-02-02 Chiang Fu Pen Apparatus and method for measuring strain
JP2658051B2 (ja) * 1987-05-15 1997-09-30 株式会社ニコン 位置合わせ装置，該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
US5325176A (en) * 1988-02-16 1994-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Position detecting method and apparatus including Fraunhofer diffraction detector
DE68901933T2 (de) * 1988-02-16 1992-12-24 Canon Kk Vorrichtung zur lagefeststellung.
US4850693A (en) * 1988-05-23 1989-07-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Compact portable diffraction moire interferometer
US5189494A (en) * 1988-11-07 1993-02-23 Masato Muraki Position detecting method and apparatus
DE3907430C1 (zh) * 1988-12-23 1991-03-21 Klaus 8206 Bruckmuehl De Pfister
JPH02192114A (ja) * 1989-01-20 1990-07-27 Canon Inc 位置合わせ装置
US5489986A (en) 1989-02-28 1996-02-06 Nikon Corporation Position detecting apparatus
JPH02297005A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ装置
JPH032504A (ja) * 1989-05-30 1991-01-08 Nikon Corp 位置合わせ装置
US5151754A (en) * 1989-10-06 1992-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and an apparatus for measuring a displacement between two objects and a method and an apparatus for measuring a gap distance between two objects
NL9000503A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Asm Lithography Bv Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2893823B2 (ja) * 1990-03-20 1999-05-24 株式会社ニコン 位置合わせ方法及び装置
JP2897355B2 (ja) * 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
US5072126A (en) * 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
US5069549A (en) * 1990-11-02 1991-12-03 Industrial Technology Institute Moire contouring camera
JP3128827B2 (ja) * 1990-12-26 2001-01-29 株式会社ニコン 投影露光装置、並びに投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス
NL9100215A (nl) * 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9100410A (nl) * 1991-03-07 1992-10-01 Asm Lithography Bv Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting.
DE69320716T3 (de) * 1992-06-30 2011-05-19 Canon K.K. Gerät zur Detektion von Verschiebungsinformation
US5307152A (en) * 1992-09-29 1994-04-26 Industrial Technology Institute Moire inspection system
US5652426A (en) * 1993-04-19 1997-07-29 Ricoh Company, Ltd. Optical encoder having high resolution
US5414514A (en) * 1993-06-01 1995-05-09 Massachusetts Institute Of Technology On-axis interferometric alignment of plates using the spatial phase of interference patterns
KR0141445B1 (ko) * 1993-06-10 1998-07-01 모리시타 요이찌 변이의 측정방법 및 측정장치
GB9314991D0 (en) * 1993-07-20 1993-09-01 Sandoz Ltd Mechanical device
US5898486A (en) * 1994-03-25 1999-04-27 International Business Machines Corporation Portable moire interferometer and corresponding moire interferometric method
JPH08210814A (ja) * 1994-10-12 1996-08-20 Canon Inc 光学式変位測定装置
US5808742A (en) * 1995-05-31 1998-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks
US6731391B1 (en) * 1998-05-13 2004-05-04 The Research Foundation Of State University Of New York Shadow moire surface measurement using Talbot effect
US6291817B1 (en) * 1998-06-23 2001-09-18 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Moire apparatus having projection optical system and observation optical system which have optical axes parallel to each other
ATE229169T1 (de) * 1998-08-21 2002-12-15 Olivier M Parriaux Vorricthung zum messen von translation,rotation oder geschwindigkeit durch interferenz von lichtstrahlen
US6522411B1 (en) * 1999-05-25 2003-02-18 Massachusetts Institute Of Technology Optical gap measuring apparatus and method having two-dimensional grating mark with chirp in one direction
TW556296B (en) 2000-12-27 2003-10-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method of measuring alignment of a substrate with respect to a reference alignment mark
FR2825150B1 (fr) * 2001-05-28 2003-09-26 Univ Jean Monnet Dispositif de caracterisation de reseaux optiques et procede de fabrication de reseaux optiques avec une frequence spatiale predefinie
US7116430B2 (en) * 2002-03-29 2006-10-03 Georgia Technology Research Corporation Highly-sensitive displacement-measuring optical device
CN100337089C (zh) * 2002-09-20 2007-09-12 Asml荷兰有限公司 器件检验
SG124270A1 (en) * 2002-12-16 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure
US6864956B1 (en) * 2003-03-19 2005-03-08 Silterra Malaysia Sdn. Bhd. Dual phase grating alignment marks
JP4016395B2 (ja) * 2003-05-28 2007-12-05 船井電機株式会社 複数波長用回折格子および複数波長用回折格子を用いた光ピックアップ装置ならびに光ディスク装置
US7268860B1 (en) * 2003-09-25 2007-09-11 Taitec, Inc. Color Moiré interferometry
JP2008520997A (ja) * 2004-11-22 2008-06-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 物体の動きを検出する光学システム
US20060145066A1 (en) * 2004-12-13 2006-07-06 Hideaki Tamiya Displacement detection apparatus, displacement gauging apparatus and fixed point detection apparatus
EP1931947A2 (en) * 2005-09-21 2008-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. System for detecting motion of a body
US7433018B2 (en) 2005-12-27 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pattern alignment method and lithographic apparatus
US7545520B2 (en) 2006-11-15 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. System and method for CD determination using an alignment sensor of a lithographic apparatus
US7990543B1 (en) * 2007-08-31 2011-08-02 California Institute Of Technology Surface characterization based on optical phase shifting interferometry
WO2009050675A2 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Displacement device with precision position measurement
JP5448775B2 (ja) 2008-12-16 2014-03-19 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8462207B2 (en) * 2009-02-12 2013-06-11 Primesense Ltd. Depth ranging with Moiré patterns
WO2011081692A2 (en) * 2009-10-06 2011-07-07 Sri International Twin sub-wavelength grating optical signal processor
JP2012103237A (ja) * 2010-10-14 2012-05-31 Canon Inc 撮像装置
US9074911B2 (en) * 2011-08-26 2015-07-07 Nikon Corporation Measurement system and method utilizing high contrast encoder head for measuring relative movement between objects
DE102012217800A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Diffraktives optisches Element sowie Messverfahren
JP6080970B2 (ja) * 2012-11-19 2017-02-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 位置測定システム、位置測定システムの格子及び方法
US9977343B2 (en) * 2013-09-10 2018-05-22 Nikon Corporation Correction of errors caused by ambient non-uniformities in a fringe-projection autofocus system in absence of a reference mirror
US10378933B2 (en) * 2013-10-18 2019-08-13 Nikon Corporation Encoder head designs
US9459093B2 (en) * 2014-02-20 2016-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Deflection measuring device and deflection measuring method
KR101613829B1 (ko) * 2014-05-08 2016-04-20 조춘식 미분 모아레를 이용한 3차원 형상 측정방법 및 장치
CN107003155B (zh) * 2014-10-13 2019-07-09 齐戈股份有限公司 干涉式编码器系统
KR102170147B1 (ko) * 2015-12-28 2020-10-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 모듈레이션 기술을 이용한 메트롤로지를 위한 대체 타겟 디자인
US10162087B2 (en) * 2016-04-11 2018-12-25 Nikon Research Corporation Of America Optical system with a frustrated isotropic block
JP6583761B2 (ja) * 2016-09-27 2019-10-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 周期模様を利用した三次元形状・変位・ひずみ測定装置、方法およびそのプログラム
US11378724B2 (en) * 2018-12-23 2022-07-05 Ii-Vi Delaware, Inc. Diffraction grating array for wide-angle illuminateon
DE102019204096A1 (de) * 2019-03-26 2020-10-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Messverfahren zur interferometrischen Bestimmung einer Oberflächenform
CN111457843B (zh) * 2019-04-26 2021-07-30 上海微电子装备（集团）股份有限公司 位移测量装置、位移测量方法及光刻设备
DE102019206937A1 (de) * 2019-05-14 2020-11-19 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
US20230091424A1 (en) * 2021-09-17 2023-03-23 San Diego State University (Sdsu) Foundation, Dba San Diego State University Method and system for moiré profilimetry using simultaneous dual fringe projection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109458940A (zh) * 2018-12-26 2019-03-12 中国电子科技集团公司第二十六研究所 基于光学模拟的半球谐振子的膜厚均匀性的快速估测方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3586189A1 (en) 2020-01-01
EP3586189B1 (en) 2024-01-10
US20200232786A1 (en) 2020-07-23
US11982521B2 (en) 2024-05-14
WO2018156702A1 (en) 2018-08-30
TWI821175B (zh) 2023-11-11
EP3586189A4 (en) 2021-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8593642B2 (en) Method of measuring a shape of an optical surface based on computationally combined surface region measurements and interferometric measuring device
US8345262B2 (en) Method and apparatus for determining a deviation of an actual shape from a desired shape of an optical surface
US7502101B2 (en) Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry
JP6271896B2 (ja) 干渉計測装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
JP5787483B2 (ja) 計測装置及び露光装置
JP2004532990A (ja) 非球面光学面および波面を測定するための装置および方法
JP5955375B2 (ja) 光学デバイス
JPH06117830A (ja) ホログラム干渉計による干渉縞の測定解析方法
JPH043806B2 (zh)
TWI821175B (zh) 用於測量工件的平面內畸變的測量系統及方法
US4429992A (en) Method and device for testing optical imaging systems
JP2002213930A (ja) 形状測定方法および高精度レンズの製造方法
JPH08313205A (ja) 斜入射干渉計装置
WO2003076872A1 (fr) Procede de mesure de forme, dispositif de mesure d'interference, procede d'elaboration d'un systeme optique de projection et dispositif d'alignement
JP4425449B2 (ja) 斜入射干渉計装置
JPH07229721A (ja) 非球面波発生装置及びそれを用いた非球面形状測定方法
JP3054469B2 (ja) 回折格子の直線性評価方法及びその装置
JPH04186716A (ja) 位置合わせ装置
JP3323666B2 (ja) 周期的パターンを用いた物体の回転ずれ検出装置及び方法
Messinis Dark-Field Digital Holographic Microscopy For Advanced Semiconductor Metrology
JP2000146515A (ja) シアリング干渉計及びシアリング干渉方法
Messinis VU Research Portal
JPH05141917A (ja) 位置合わせ装置及び位置合わせ方法
JPH05312537A (ja) 面形状測定方法および測定装置