TW201830418A - 模組之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之模組之製造方法具備如下步驟：第1步驟，其係準備配置於第1剝離層之厚度方向一面之晶種層；第2步驟，其係藉由自晶種層供電之鍍覆而於晶種層之厚度方向一面形成導體圖案；第3步驟，其係將導體圖案壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層中；及第4步驟，其係使導體圖案及第1接著層之厚度方向另一面露出。

Description

模組之製造方法
本發明係關於一種模組之製造方法。
先前，已知組合有線圈與磁性材料之模組用於無線電力傳輸(無線供電)、無線通信、無源零件等。 例如，已知將螺旋狀導體線圈或該等之積層體之兩面隔著絕緣層而夾於強磁性體層之間的平面電感器。 於製造專利文獻1之平面電感器時，於包含聚醯亞胺膜之第1絕緣層之兩面分別貼附Cu箔，繼而對兩面之Cu箔進行蝕刻而加工成螺旋狀導體線圈(減成法)。繼而，配置包含聚醯亞胺膜之2層第2絕緣層，並配置強磁性層。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開平1-318212號公報
[發明所欲解決之問題] 近年來，業界要求各種模組之薄型化。然而，藉由專利文獻1所記載之方法所獲得之平面電感器由於具備第1絕緣層，故而存在無法滿足上述要求之不良情況。 又，藉由專利文獻1所記載之方法所獲得之電感器中，強磁性層隔著第2絕緣層而與螺旋狀導體線圈對向，因此存在無法滿足上述要求而且難以確保較高電感之不良情況。 另一方面，亦嘗試於藉由減成法加工而成之螺旋狀導體線圈上不隔著上述第2絕緣層而直接被覆強磁性層。 例如，如圖6A所示，藉由減成法於剝離層45之上表面形成螺旋狀導體線圈46，並於剝離層40之下表面配置強磁性層41。如圖6B所示，繼而使剝離層45壓接於強磁性層41，而使螺旋狀導體線圈46嵌入至強磁性層41內。其後，如圖6B之假想線所示，將剝離層45自強磁性層41及螺旋狀導體線圈46剝離。 但是，由於強磁性層41須為感壓接著性，故而存在無法確實且順利地實施上述剝離之不良情況。 本發明之目的在於提供一種能夠確實且順利地製造實現薄型化並且可確保較高電感之模組的模組之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明(1)包含一種模組之製造方法，其具備如下步驟：第1步驟，其係準備配置於第1剝離層之厚度方向一面之晶種層；第2步驟，其係藉由自上述晶種層供電之鍍覆而於上述晶種層之厚度方向一面形成上述導體圖案；第3步驟，其係將上述導體圖案壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層中；及第4步驟，其係使上述導體圖案及上述第1接著層之厚度方向另一面露出。 根據該模組之製造方法，可製造不具備如專利文獻1之第1絕緣層的模組。因此，可製造薄型之模組。 又，於該模組之製造方法之第3步驟中，將導體圖案壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層中，因此可實現模組之進一步之薄型化，並且確保較高電感。 進而，於該模組之製造方法之情形時，於第3步驟中將形成於晶種層之厚度方向一面之導體圖案壓入至第1接著層中，此時，即便晶種層之厚度方向一面感壓接著於第1接著層，但只要第4步驟中自晶種層剝離第1剝離層後對晶種層進行蝕刻，則仍可確實且順利地使導體圖案及第1接著層之厚度方向另一面露出。 本發明(2)包含如(1)所記載之模組之製造方法，其中於上述第3步驟中，使上述晶種層壓接於上述第1接著層，而將上述導體圖案壓入至上述第1接著層中，上述第4步驟具備如下步驟：第5步驟，其係自上述晶種層剝離上述第1剝離層；及第6步驟，其係去除上述晶種層。 根據該模組之製造方法，於第3步驟中使晶種層壓接於第1接著層，即便晶種層感壓接著於第1接著層，但由於在第5步驟中自晶種層剝離第1剝離層，於第6步驟中去除晶種層，故而可更加確實且順利地使導體圖案及第1接著層之厚度方向另一面露出。 本發明(3)包含如(2)所記載之模組之製造方法，其中於上述第6步驟中，對上述晶種層進行蝕刻。 根據該模組之製造方法，於第3步驟中將形成於晶種層之厚度方向一面之導體圖案壓入至第1接著層中，此時，即便晶種層之厚度方向一面密接於第1接著層，但由於在第6步驟中對晶種層進行蝕刻，故而可確實且順利地去除晶種層，可更加確實且順利地使導體圖案及第1接著層之厚度方向另一面露出。 本發明(4)包含如(1)至(3)中任一項所記載之模組之製造方法，其中上述第1接著層中之上述第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上且80體積%以下。 根據該模組之製造方法，由於第1接著層中之第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上，故而可實現電感之提高。又，由於第1接著層中之第1磁性粒子之含有比率為80體積%以下，故而可確實地實施導體圖案向第1接著層之壓入。因此，可同時實現電感之提高、與導體圖案向第1接著層之壓入性之提高。 本發明(5)包含如(1)至(4)中任一項所記載之模組之製造方法，其中上述第1樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。 根據該模組之製造方法，由於第1樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂，故而於第3步驟中，可確實地將導體圖案壓入至第1接著層中，並且可製造具有優異之柔軟性及優異之耐熱性的模組。 本發明(6)包含如(1)至(5)中任一項所記載之模組之製造方法，其進而具備第7步驟，該第7步驟係於上述第1接著層之上述厚度方向另一面配置含有第2磁性粒子及第2樹脂成分之磁性層。 根據該模組之製造方法，於第7步驟中，由於在第1接著層之厚度方向另一面配置磁性層，故而可進一步提高模組之電感。 本發明(7)包含如(1)至(5)中任一項所記載之模組之製造方法，其係以使上述導體圖案之上述厚度一面自上述第1接著層露出之方式實施上述第3步驟，且進而具備第8步驟，該第8步驟係藉由利用含有上述第1磁性粒子之第2接著層被覆上述導體圖案之上述厚度一面，而形成具備上述第1接著層及上述第2接著層且供埋設上述導體圖案之接著層。 根據該模組之製造方法，於第8步驟中，由於形成埋設導體圖案之接著層，故而可進一步提高模組之電感。 本發明(8)包含如(7)所記載之模組之製造方法，其中上述接著層中之上述第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上且80體積%以下。 根據該模組之製造方法，由於接著層中之第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上，故而可實現電感之提高。又，由於接著層中之第1磁性粒子之含有比率為80體積%以下，故而可確實地實施導體圖案向接著層中之埋設。因此，可同時實現電感之提高、與接著層對導體圖案之埋設性。 本發明(9)包含如(1)至(8)中任一項所記載之模組之製造方法，其中上述第1磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子。 根據該模組之製造方法，由於第1磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子，故而可確實地提高電感。 本發明(10)包含如(7)或(8)所記載之模組之製造方法，其進而具備第10步驟，該第10步驟係於上述接著層之上述厚度方向一面及另一面配置含有第2磁性粒子及第2樹脂成分之磁性層。 根據該模組之製造方法，於第10步驟中，由於在接著層之厚度方向一面及另一面配置磁性層，故而可進一步提高模組之電感。 本發明(11)包含如(6)或(10)所記載之模組之製造方法，其中上述磁性層中之上述第2磁性粒子之含有比率為40體積%以上。 根據該模組之製造方法，由於磁性層中之第2磁性粒子之含有比率高達40體積%以上，故而藉由磁性層可進一步實現電感之提高。 本發明(12)包含如(6)、(10)及(11)中任一項所記載之模組之製造方法，其中上述第2磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子。 根據該模組之製造方法，由於第2磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子，故而可確實地提高電感。 本發明(13)包含如(6)及(10)至(12)中任一項所記載之模組之製造方法，其中上述第2樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。 根據該模組之製造方法，可製造具有優異之柔軟性及優異之耐熱性的模組。 [發明之效果] 根據本發明之模組之製造方法，可實現模組之薄型化，並且確保較高電感，而確實且順利地使導體圖案及第1接著層之厚度方向另一面露出。
於圖2A～圖2H中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向之一例、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)、紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。 於圖1及圖2A～圖2H中，紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向、寬度方向)，紙面右側為右側(寬度方向一側、第2方向一側)、紙面左側為左側(寬度方向另一側、第2方向另一側)。 另一方面，於圖1中，紙面上下方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面下側為前側(第3方向一側)、紙面上側為後側(第3方向另一側)。 具體以各圖之方向箭頭為準。 ＜第1實施形態＞ 1.第1模組之製造方法 參照圖1及圖2A～圖2H，對作為本發明之模組之製造方法之第1實施形態的第1模組1之製造方法進行說明。 該第1模組1之製造方法具備如下步驟：第1步驟，其係準備配置於第1剝離層2之上表面(厚度方向一面之一例)之晶種層19(參照圖2A)；第2步驟，其係藉由自晶種層19供電之鍍覆而於晶種層19之上表面(厚度方向一面之一例)形成作為導體圖案之一例之線圈圖案5(參照圖2D)；第3步驟，其係將線圈圖案5壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層11中(參照圖2F)；及第4步驟，其係使線圈圖案5及第1接著層11之下表面(厚度方向另一面之一例)露出(參照圖2H)。第1步驟～第4步驟係依序逐一實施。以下依序說明各步驟。 2.第1步驟 如圖2A所示，於第1步驟中，準備配置於第1剝離層2之上表面(厚度方向一面之一例)之晶種層19。 第1剝離層2具有沿著與厚度方向正交之面方向(圖1中之前後方向及左右方向)延伸之大致平板(片材)形狀。於形成線圈圖案5後繼而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中之前，第1剝離層2為支持線圈圖案5並同時支持晶種層19之支持層。又，第1剝離層2亦為用以將線圈圖案5轉印至第1接著層11(參照圖2D)之轉印基材(剝離層)。 作為形成第1剝離層2之材料，例如可列舉金屬、樹脂等，就獲得優異之強度之觀點而言，可列舉金屬。作為金屬，可列舉：鐵、銅、鉻、鎳、或該等之合金等，可較佳地列舉合金，可更佳地列舉不鏽鋼。 第1剝離層2之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上。若第1剝離層2之厚度為上述下限以上，則可確實地支持線圈圖案5及晶種層19。 第1剝離層2之厚度例如為1000 μm以下，較佳為100 μm以下。若第1剝離層2之厚度為上述上限以下，則第1剝離層2之操作性優異。 晶種層19係配置於第1剝離層2之整個上表面。晶種層19具有沿著面方向延伸之大致平板(片材)形狀。晶種層19為藉由電解鍍覆而形成線圈圖案5時之供電層。又，於將線圈圖案5壓入至第1接著層11中之前，晶種層19為支持線圈圖案5並同時支持第1剝離層2之支持層。又，第1剝離層2亦為用以將線圈圖案5轉印至第1接著層11(參照圖2D)之轉印基材(剝離層)。 又，晶種層19係與第1剝離層2之上表面接觸。又，晶種層19對於第1剝離層2之上表面，係以較小之剝離強度(感壓接著力)PS1密接(附著)於第1剝離層2之上表面。晶種層19對第1剝離層2之上表面之感壓接著力PS1例如相對較低。因此，於第4步驟(參照圖2G)中，可容易地自晶種層19剝離第1剝離層2。 作為形成晶種層19之材料，可列舉：例如銅、鉻、金、銀、鉑、鎳、該等之合金等金屬，例如矽、其氧化物、導電性聚合物等非金屬等。就獲得較高之導電性之觀點而言，較佳為使用金屬，更佳為使用銅。又，晶種層19可為單層亦可為複數層。 晶種層19之厚度例如為0.01 μm以上，較佳為0.1 μm以上，更佳為0.5 μm以上。若晶種層19之厚度為上述下限以上，則於第2步驟(參照圖2C)中，可藉由電解鍍覆而確實且迅速地形成線圈圖案5。 晶種層19之厚度例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下，更佳為2 μm以下。若晶種層19之厚度為上述上限以下，則於第4步驟(參照圖2G)中，可迅速地去除晶種層19。 晶種層19之厚度相對於第1剝離層2之厚度的比(晶種層19之厚度/第1剝離層2之厚度)例如為0.001以上，較佳為0.005以上，更佳為0.01以上。若上述比為上述下限以上，則不僅可藉由電解鍍覆而確實且迅速地形成線圈圖案5，且第1剝離層2之操作性優異。 晶種層19之厚度相對於第1剝離層2之厚度的比(晶種層19之厚度/第1剝離層2之厚度)例如為0.5以下，較佳為0.1以下，更佳為0.05以下。若上述比為上述上限以下，則不僅可迅速地去除晶種層19，且第1剝離層2可確實地支持線圈圖案5及晶種層19。 為了準備配置於第1剝離層2之上表面之晶種層19，首先準備第1剝離層2。繼而，藉由例如濺鍍、例如電解鍍覆或無電解鍍覆等鍍覆而於第1剝離層2之上表面形成晶種層19。較佳為藉由鍍覆、更佳為藉由電解鍍覆而於第1剝離層2之上表面形成晶種層19。 或者，可準備具備1剝離層2及晶種層19之積層體。 3.第2步驟 如圖2D所示，於第2步驟中，藉由自晶種層19供電之鍍覆而於晶種層19之上表面(厚度方向一面之一例)形成線圈圖案5。具體而言，藉由加成法而形成線圈圖案5。 如圖2B所示，於採用加成法之情形時，於晶種層19之上表面配置抗鍍覆劑29。例如，首先於晶種層19之整個上表面配置具有片材形狀之乾膜光阻等光阻劑，繼而藉由光加工而形成與線圈圖案5(參照圖1)反轉之圖案之抗鍍覆劑29。 如圖2C所示，繼而藉由自晶種層19供電之鍍覆而於自抗鍍覆劑29露出之晶種層19之上表面形成線圈圖案5。 具體而言，例如將第1剝離層2、晶種層19及抗鍍覆劑29浸漬於鍍覆浴中，自晶種層19供電。如此，於自抗鍍覆劑29露出之晶種層19之上表面積層(形成)線圈圖案5。 鍍覆條件並無特別限定，可根據鍍覆浴之種類等而適當調整。 藉此，以抗鍍覆劑29之反轉圖案之形式形成線圈圖案5。 其後，如圖2D所示，去除抗鍍覆劑29。例如，利用剝離液將抗鍍覆劑29剝離。 另一方面，晶種層19不會因去除上述抗鍍覆劑29而被去除，從而殘留於第1剝離層2之整個上表面。 藉此，獲得配置於晶種層19之上表面之線圈圖案5。 如圖1所示，線圈圖案5連續地具有線圈部6與端子部7。 線圈部6於俯視下具有後端部有缺口之大致圓環形狀，或於俯視下具有大致矩形框形狀。例如，具體而言，線圈部6於俯視下具有後側開口之大致C字形狀。 端子部7於俯視下具有自線圈圖案5之2個後端部分別向後側延伸之大致直線形狀。 線圈圖案5之尺寸並無特別限定。線圈部6之寬度W1例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為100 mm以下，較佳為1000 μm以下。線圈部6之內尺寸(內徑)L1例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為500 mm以下，較佳為5 mm以下。線圈部6之外尺寸(外徑)L2例如為60 μm以上，較佳為150 μm以上，又，例如為500 mm以下，較佳為5 mm以下。線圈部6於左右方向上之2個後端部間之距離L3例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為300 mm以下，較佳為2 mm以下。線圈圖案5之截面面積S例如為20 μm2 以上，較佳為2500 μm2 以上，又，例如為20 mm2 以下，較佳為0.1 mm2 以下。 端子部7之左右方向長度(寬度)W2例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為20 mm以下，較佳為10 mm以下。端子部7之前後方向長度L4例如為20 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為20 mm以下，較佳為10 mm以下。鄰接之端子部7間之間隔與上述線圈部6之後端部間之距離L3相同。 4.第3步驟 如圖2F所示，於第3步驟中，將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。 具體而言，將晶種層19壓接於第1接著層11，而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。 如圖2D所示，於第3步驟中，首先準備第1接著層11。 第1接著層11具有沿著面方向延伸之大致平板形狀。 第1接著層11含有第1磁性粒子及第1樹脂成分。具體而言，第1接著層11係由含有第1磁性粒子及第1樹脂成分之第1接著樹脂組合物所製備。 作為第1磁性粒子，例如可列舉：軟磁性粒子、強磁性粒子，可較佳地列舉軟磁性粒子。作為軟磁性粒子，例如可列舉包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子。作為此種軟磁性粒子，例如可列舉：磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)粒子、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)粒子、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)粒子、矽銅(Fe-Cu-Si合金)粒子、Fe-Si合金粒子、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金粒子、Fe-Si-Cr合金粒子、Fe-Si-Cr-Ni合金粒子、Fe-Si-Cr合金粒子、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金粒子、鐵氧體粒子(具體而言，Ni-Zn系鐵氧體粒子等)、羰基鐵粒子等。該等之中，就磁特性之觀點而言，可較佳地列舉：Fe-Si-Cr合金粒子、Ni-Zn系鐵氧體粒子。再者，作為軟磁性粒子，例如可列舉：日本專利特開2016-108561號公報、日本專利特開2016-006853號公報、日本專利特開2016-6852號公報、日本專利特開2016-006163號公報等公知文獻中所記載之軟磁性粒子。 關於第1磁性粒子之形狀、保持力、平均粒徑、平均厚度等物性，採用上述公知文獻中所記載之物性。 第1接著層11中之第1磁性粒子之體積比率例如為15體積%以上，較佳為20體積%以上，更佳為30體積%以上，進而較佳為40體積%以上。若第1磁性粒子之體積比率為上述下限以上，則可實現第1模組1之電感之提高。又，第1接著層11中之第1磁性粒子之體積比率例如為80體積%以下，較佳為70體積%以下，65體積%以下，較佳為60體積%以下。若第1磁性粒子之體積比率為上述上限以下，則不僅可確實地實施線圈圖案5向第1接著層11之壓入，且第1接著樹脂組合物之成膜性優異。 又，第1接著層11中之第1磁性粒子之質量比率例如為44質量%以上，較佳為53質量%以上，更佳為66質量%以上，進而較佳為75質量%以上。若第1磁性粒子之質量比率為上述下限以上，則可實現第1模組1之電感之提高。 第1接著層11中之第1磁性粒子之質量比率例如為96質量%以下，較佳為94質量%以下。若第1磁性粒子之質量比率為上述上限以下，則不僅可實現第1接著層11之感壓接著性之提高，且第1接著樹脂組合物之成膜性優異。 作為第1樹脂成分，例如可列舉上述公知文獻中所記載之樹脂成分。樹脂成分可單獨使用或者亦可併用。可較佳地列舉環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂之併用。若將環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂併用作第1樹脂成分，則不僅可將線圈圖案5確實地壓入至第1接著層11中，且可對第1接著層11賦予優異之柔軟性及優異之耐熱性。 再者，環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂各自之種類、物性及比率等係記載於上述公知文獻中。 關於第1接著層11之準備，調配第1粒子及第1樹脂成分而製備第1接著樹脂組合物。再者，亦可對第1接著樹脂組合物調配上述公知文獻中所記載之添加劑(熱硬化觸媒、分散劑、流變控制劑等)。又，亦可以進而含有溶劑之第1接著樹脂組合物溶液之形式製備第1接著樹脂組合物。進而，於剝離層10之表面(圖2D中之下表面)塗佈第1接著樹脂組合物溶液。其後，藉由加熱使第1接著樹脂組合物溶液乾燥而去除溶劑。藉此，於剝離層10之下表面配置第1接著層11。較佳為於剝離層10之下表面配置B階之第1接著層11。具體而言，藉由第1接著樹脂組合物溶液之乾燥而使A階之第1接著樹脂組合物變為B階。 剝離層10例如為由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等高分子材料所獲得之具有沿著面方向延伸之大致平板形狀的可撓性隔離件。又，剝離層10之表面(下表面)例如經過適宜之剝離處理。剝離層10之厚度例如為15 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為75 μm以下。 第1接著層11較佳為具有感壓接著性(觸黏性)。 晶種層19尚不與第1接著層11接觸(下述)，但晶種層19對第1接著層11之感壓接著力PS3(參照下一步驟之圖2F)相對較高。因此，可確實地自晶種層19剝離第1剝離層2。 因此，以下之感壓接著力PS例如滿足下式。 PS1＜PS2≦PS3 PS1：晶種層19對第1剝離層2之感壓接著力 PS2：第1接著層11對線圈圖案5之感壓接著力 PS3：晶種層19對第1接著層11之感壓接著力 藉此，如圖2D所示，形成配置於剝離層10之下表面之第1接著層11。 繼而，以第1接著層11朝向線圈圖案5之方式將剝離層10及第1接著層11對向配置於線圈圖案5之上側，繼而如圖2E所示，使第1接著層11之下表面與線圈圖案5之上表面接觸。此時，第1接著層11係以第1接著層11之下表面與晶種層19之上表面間隔相當於線圈圖案5之厚度之距離的方式載置於線圈圖案5。即，晶種層19不與第1接著層11接觸。 其後，將晶種層19壓接於第1接著層11，而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。例如，使用真空加壓機等加壓機將晶種層19壓接於第1接著層11。 具體而言，於具備上板及下板之加壓機(未作圖示)中設置剝離層10及第1接著層11、線圈圖案5、晶種層19及第1剝離層2。詳細而言，例如將剝離層10及第1接著層11設置於上板，同時將第1剝離層2、晶種層19及線圈圖案5設置於下板。繼而，驅動加壓機，如圖2D之箭頭及圖2F所示，將晶種層19壓接於第1接著層11，而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。藉此，實施第3步驟。 關於晶種層19對第1接著層11之壓接，如圖2E所示，一旦線圈圖案5之上表面接觸第1接著層11之下表面，即如圖2H所示，被連續地壓入至第1接著層11內。 此時，線圈圖案5嵌入至第1接著層11內，第1接著層11中之於厚度方向上與線圈圖案5對向之部分旋轉進入線圈圖案5之側方。進而，線圈圖案5之側面被第1接著層11所被覆。 與此同時，晶種層19之上表面與第1接著層11之下表面於線圈圖案5以外之部分相互接觸。 此時，晶種層19對第1接著層11之感壓接著力PS3相對較高，因此晶種層19與第1接著層11感壓接著。 藉此，線圈圖案5之下表面與第1接著層11之下表面成為一面而於面方向上連續。 其後，如圖2F之假想線及箭頭所示，自第1接著層11剝離剝離層10。 藉此，獲得具備第1剝離層2、晶種層19、線圈圖案5及第1接著層11之第1積層體23。 5.第4步驟 如圖2H所示，於第4步驟中，使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 第4步驟具備如下步驟：第5步驟，其係自晶種層19剝離第1剝離層2(參照圖2G)；及第6步驟，其係去除晶種層19(參照圖2H)。第5步驟及第6步驟係依序逐一實施。以下依序分別說明第5步驟及第6步驟。 5-1.第5步驟 於第5步驟中，如圖2G所示，自晶種層19剝離第1剝離層2。 具體而言，於第1剝離層2與晶種層19之界面處將第1剝離層2自晶種層19剝離(界面剝離)。第1剝離層2對晶種層19之感壓接著力PS1如上所述相對較低，因此第1剝離層2之上表面容易自晶種層19之下表面分離。 藉此，獲得晶種層19、線圈圖案5及第1接著層11之第2積層體24。 5-2.第6步驟 於第6步驟中，如圖2H所示，去除晶種層19。 關於晶種層19之去除，例如對晶種層19進行蝕刻。 作為蝕刻，例如可列舉：濕式蝕刻、乾式蝕刻等。就生產性之觀點而言，可較佳地列舉濕式蝕刻。濕式蝕刻係將上述第2積層體24浸漬於蝕刻液中。 蝕刻液只要為能夠蝕刻(腐蝕)晶種層19之溶液，則無特別限定，例如可列舉：氯化鐵溶液、硫酸與過氧化氫之混合溶液等，就蝕刻晶種層19之同時抑制對線圈圖案5之下表面之蝕刻的觀點而言，可較佳地列舉硫酸與過氧化氫之混合溶液。 蝕刻時間例如為1分鐘以上，就確實地去除晶種層19之觀點而言，較佳為2分鐘以上，又，例如為10分鐘以下，就抑制對線圈圖案5之下表面之蝕刻之觀點而言，較佳為5分鐘以下。 於對晶種層19進行蝕刻時，線圈圖案5之下表面實質上不會被蝕刻去除。再者，容許線圈圖案5受到輕微蝕刻，例如容許線圈圖案5之下端邊緣受到1 μm以下、進而0.1 μm以下之蝕刻。 藉由自第2積層體24去除晶種層19，而使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 線圈圖案5之下表面及第1接著層11之下表面形成露出至下側之露出面。又，線圈圖案5之下表面係自第1接著層11露出至下側。 藉此，製造具備第1接著層11及線圈圖案5之第1模組1。第1模組1之下表面、即第1接著層11及線圈圖案5之下表面露出至下側。又，第1模組1之上表面、即第1接著層11之上表面露出至上側。第1模組1較佳為僅包含第1接著層11及線圈圖案5。 再者，第1實施形態之第1模組1係第2實施形態中之第2模組31(下述)之中間構件，可以不含第2接著層12(參照下述圖4B)而單獨為第1模組1之形式於產業上利用。 其後，根據需要，若第1接著層11為B階，則對第1模組1進行加熱而使第1接著層11變為C階。 第1模組1之厚度例如為750 μm以下，較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，又，例如為10 μm以上。再者，第1模組1之厚度為線圈圖案5之下表面與第1接著層11之上表面的距離。若第1模組1之厚度為上述上限以下，則可實現第1模組1之薄型化。 第1模組1之電感例如為0.1 nH以上，較佳為0.5 nH以上，更佳為1 nH以上。電感係利用阻抗分析器(KEYSIGHT公司製造，E4991B 1 GHz)進行測定。以下之電感係藉由與上述相同之方法而測定。 ＜第1模組之用途＞ 藉由第1模組1之製造方法所獲得之第1模組1例如用於無線電力傳輸(無線供電)、無線通信、感測器等。該第1模組1由於露出線圈圖案5之下表面，故而較佳為用於無線電力傳輸、無線通信。 ＜第1實施形態之作用效果＞ (1)根據該第1模組1之製造方法，可製造不具備如專利文獻1之第1絕緣層的第1模組1。因此，可實現第1模組1之薄型化。 又，於該第1模組1之製造方法之第3步驟中，如圖2F所示，將線圈圖案5壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層11中，因此可實現第1模組1之進一步之薄型化，並且確保較高電感。 進而，關於該第1模組1之製造方法，如圖2F所示，於第3步驟中將形成於晶種層19之上表面之線圈圖案5壓入至第1接著層11中，此時即便晶種層19之上表面感壓接著於第1接著層11，但只要如圖2G及如圖2H所示，於第4步驟中自晶種層19剝離第1剝離層2後對晶種層19進行蝕刻，則仍可確實且順利地使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 (2)根據該第1模組1之製造方法，如圖2F所示，於第3步驟中將晶種層19壓接於第1接著層11，即便晶種層19感壓接著於第1接著層11，但由於如圖2G所示，於第5步驟中自晶種層19剝離第1剝離層2，如圖2H所示，於第6步驟中去除晶種層19，故而可更加確實且順利地使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 (3)根據該第1模組1之製造方法，如圖2F所示，於第3步驟中將形成於晶種層19之上表面之線圈圖案5壓入至第1接著層11中，此時即便晶種層19之上表面密接於第1接著層11，但由於如圖2H所示，於第6步驟中對晶種層19進行蝕刻，故而可確實且順利地去除晶種層19，可更加確實且順利地使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 (4)根據該第1模組1之製造方法，若第1接著層11中之第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上，則可實現電感之提高。又，若第1接著層11中之第1磁性粒子之含有比率為80體積%以下，則可確實地實施線圈圖案5向第1接著層11之壓入。因此，可同時實現電感之提高、與線圈圖案5向第1接著層11之壓入性之提高。 (5)根據該第1模組1之製造方法，若第1樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂，則於第3步驟中，如圖2F所示，可確實地將線圈圖案5壓入至第1接著層11中，並且可製造具有優異之柔軟性及優異之耐熱性的第1模組1。 ＜第1實施形態之變化例＞ 於該變化例中，對與第1實施形態中相同之構件及步驟標記相同參照符號，並省略其詳細說明。 於第1實施形態中，如圖1所示，將線圈圖案5之數量設為1，但其數量並無特別限定，例如亦可為複數個。 又，如圖2G及圖2H之假想線所示，該第1模組1之製造方法可進而具備於第1接著層11之上表面(厚度方向另一面之一例)配置磁性層18之第7步驟。 於第7步驟中，首先準備磁性層18。 磁性層18係用以使由線圈圖案5產生之磁場集束並將磁束放大之核心材料，且係用以防止磁束向線圈圖案5外部洩漏(或對於線圈圖案5屏蔽來自線圈圖案5外部之雜訊)之屏蔽材。磁性層18具有沿著面方向延伸之大致平板(片材)形狀。 磁性層18含有第2磁性粒子及第2樹脂成分。具體而言，磁性層18係由含有第2磁性粒子及第2樹脂成分之磁性樹脂組合物形成。 作為第2磁性粒子，可列舉與第1磁性粒子相同之磁性粒子，就磁特性之觀點而言，可較佳地列舉鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)粒子。關於第2磁性粒子之形狀、保持力、平均粒徑、平均厚度等物性，採用上述公知文獻中所記載之物性。 磁性層18中之第2磁性粒子之體積比率例如為40體積%以上，較佳為45體積%以上，更佳為48體積%以上，進而較佳為60體積%以上，又，例如為90體積%以下，較佳為85體積%以下，更佳為80體積%以下。若第2磁性粒子之體積比率為上述下限以上，則可進一步實現第1模組1之電感之提高。若第2磁性粒子之體積比率為上述上限以下，則磁性樹脂組合物之成膜性優異。 又，磁性層18中之第2磁性粒子之質量比率例如為80質量%以上，較佳為83質量%以上，更佳為85質量%以上，又，例如為98質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下。若第2磁性粒子之質量比率為上述下限以上，則第1模組1之磁特性優異。若第2磁性粒子之質量比率為上述上限以下，則磁性樹脂組合物優異。 作為第2樹脂成分，可列舉與第1樹脂成分相同之樹脂成分，可較佳地列舉環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂之併用。若將環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂併用作第2樹脂成分，則可對磁性層18賦予優異之柔軟性及優異之耐熱性。 關於磁性層18之準備，調配第2磁性粒子及第2樹脂成分而製備磁性樹脂組合物。再者，亦可對磁性樹脂組合物調配上述公知文獻中所記載之添加劑(熱硬化觸媒、分散劑、流變控制劑等)。亦可以進而含有溶劑之磁性樹脂組合物溶液之形式製備磁性樹脂組合物。進而，於未作圖示之剝離基材之表面塗佈磁性樹脂組合物溶液。其後，藉由加熱使磁性樹脂組合物溶液乾燥而去除溶劑。藉此，準備磁性層18。較佳為準備B階之磁性層18。 繼而，若磁性層18為B階，則於厚度方向上積層複數層磁性層18，對該等於厚度方向上進行熱壓，而形成C階之磁性層18。磁性層18之積層數並無特別限定，例如為2以上，較佳為5以上，又，例如為20以下，較佳為10以下。熱壓之條件適當採用上述公知文獻中所記載之條件。 磁性層18之平均厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為250 μm以下。 然後，如圖2G及圖2H之假想線所示，使磁性層18與第1接著層11之上表面接觸。較佳為使磁性層18壓接於第1接著層11。例如使用真空加壓機等加壓機將磁性層18貼附於第1接著層11。 又，若第1接著層11為B階，則將磁性層18感壓接著於第1接著層11之上表面。其後，根據需要將第1接著層11進行C階化，而使磁性層18接著於第1接著層11。 如圖2H之假想線所示，該變化例之第1模組1具備第1接著層11、線圈圖案5及磁性層18。較佳為第1模組1僅包含第1接著層11、線圈圖案5及磁性層18。 又，關於第7步驟，可對圖2G所示之第2積層體24之第1接著層11配置第7步驟，或者亦可對圖2H所示之第1接著層11配置第7步驟。 根據該變化例，亦可發揮與第1實施形態相同之作用效果。 (6)然後，根據該第1模組1之製造方法，如圖2G之假想線及圖2H之假想線所示，於第7步驟中，於第1接著層11之上表面配置磁性層18，因此可進一步提高第1模組1之電感。 又，於第1實施形態之第3步驟中，將剝離層10及第1接著層11設置於上板，同時將第1剝離層2、晶種層19及線圈圖案5設置於下板。但並不限定於此。例如可將剝離層10、第1接著層11、第1剝離層2、晶種層19及線圈圖案5全部僅設置於上板。或者，亦可將剝離層10、第1接著層11、第1剝離層2、晶種層19及線圈圖案5全部僅設置於下板。 ＜第2實施形態＞ 於第2實施形態中，對與第1實施形態中相同之構件及步驟標記相同參照符號，並省略其詳細說明。 如圖2H之實線所示，於第1實施形態中係製造線圈圖案5之下表面露出之第1模組1。 然而，如圖4B所示，第2實施形態之第2模組31之製造方法進而具備第8步驟，該第8步驟係藉由利用第2接著層12被覆線圈圖案5之下表面，而利用具備第1接著層11及第2接著層12之接著層13埋設線圈圖案5。 進而，如圖4D所示，第2實施形態之第2模組31之製造方法進而具備第9步驟，該第9步驟係於接著層13之上表面及下表面各配置1層磁性層18。 以下，參照圖3及圖4A～圖4D，依序說明第8步驟及第9步驟。 6.第8步驟 如圖4B所示，於第8步驟中，利用第2接著層12被覆線圈圖案5之下表面。 如圖4A所示，第2接著層12具有沿著面方向延伸之大致平板形狀。第2接著層12含有與第1接著層11相同之第1磁性粒子及第1樹脂成分。具體而言，第2接著層12係由含有第1磁性粒子及第1樹脂成分之第2接著樹脂組合物所形成。第2接著層12中之第1磁性粒子、第1樹脂成分及添加劑之種類、比率等與第1接著層11中之第1磁性粒子及第1樹脂成分之該等相同。 第2接著層12之厚度例如為1 μm以上，較佳為3 μm以上，又，例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。 為了準備第2接著層12而製備第2接著樹脂組合物。亦可以進而含有溶劑之第2接著樹脂組合物溶液之形式製備第2接著樹脂組合物。進而，於第2剝離層15之表面(圖4A中之上表面)塗佈第2接著樹脂組合物溶液。其後，藉由加熱使第2接著樹脂組合物溶液乾燥而去除溶劑。藉此，於第2剝離層15之上表面配置第2接著層12。較佳為於第2剝離層15之上表面配置B階之第2接著層12。第2剝離層15具有與上述剝離層10相同之形狀、種類及物性。 如圖4A所示，藉此形成配置於第2剝離層15之上表面之第2接著層12。 繼而，以第2接著層12朝向線圈圖案5之下表面(露出面)及第1接著層11之下表面之方式，將第2剝離層15及第2接著層12對向配置於第1接著層11及線圈圖案5之下側。繼而如圖4B所示，使第2接著層12之上表面與線圈圖案5之下表面(露出面)及第1接著層11之下表面接觸。具體而言，若第2接著層12為B階，則將第2接著層12感壓接著於線圈圖案5之下表面(露出面)及第1接著層11之下表面。 藉此，獲得具備第1接著層11及第2接著層12之接著層13。接著層13中之第1磁性粒子之含有比率與第1接著層11中之第1磁性粒子之體積比率相同。 接著層13埋設線圈圖案5(具體而言，圖3之假想線所示之線圈部6)。 其中，如圖3所示，接著層13係被覆線圈部6之下表面，另一方面使端子部7之下表面露出。即，第2接著層12僅被覆線圈圖案5中之線圈部6。另一方面，端子部7自第2接著層12露出至下側，但仍為壓入至第1接著層11內之狀態。 又，於圖4B中，如以虛線描繪之第1接著層11與第2接著層12之邊界所示，該邊界可藉由視認(目視)或顯微鏡等觀察到。另外，上述邊界亦存在無法視認出或觀察到之情況。 藉此，實施利用接著層13埋設線圈圖案5之第8步驟。 其後，如圖4B之箭頭及圖4C所示，自第2接著層12(接著層13之下表面)剝離第2剝離層15。與此同時，自第2接著層12(第1接著層11之上表面)剝離剝離層10。 7.第9步驟 如圖4D所示，於第9步驟中，於接著層13之上表面及下表面各配置1層磁性層18。 磁性層18可列舉第1實施形態之變化例之第7步驟(參照圖2H之假想線)所示之磁性層18。 於第9步驟中，如圖4C所示，準備2層磁性層18。 又，磁性層18中之第2磁性粒子之體積比率高於接著層13中之第1磁性粒子之體積比率。於該情形時，亦如圖2F所示，可將線圈圖案5確實地壓入至接著層13中，另一方面，如圖4C所示，將磁性層18形成為片材形狀(較佳為C階之片材形狀)後，如圖4D所示，可將該磁性層18貼附於接著層13(較佳為B階之接著層13)之上表面及下表面。 繼而，若接著層13為B階，則如圖4C之箭頭所示，將2層磁性層18分別感壓接著於接著層13之上表面及下表面。 其後，根據需要，若接著層13為B階，則對第2模組31進行加熱而使接著層13變為C階。 藉此，如圖4D所示，製造具備接著層13、具有埋設於接著層13中之線圈部6之線圈圖案5、以及配置於接著層13之上表面及下表面之磁性層18的第2模組31。 第2模組31之厚度例如為1000 μm以下，較佳為700 μm以下，更佳為500 μm以下，又，例如為50 μm以上。第2模組31之厚度為接著層13之上表面與下表面之距離。又，第2模組31之厚度為第1實施形態之第1模組1之厚度與第2接著層12之厚度的總和。進而，第2模組31之厚度為線圈圖案5之厚度、線圈圖案5之上表面與第1接著層11(接著層13)之上表面間之距離、及線圈圖案5之下表面與第2接著層12(接著層13)之下表面間之距離的總和。 第2模組31之電感例如為0.1 nH以上，較佳為0.5 nH以上，更佳為1 nH以上。 8.第2實施形態之第2模組之用途 第2實施形態之第2模組31由於將線圈圖案5埋設於接著層13中，故而較佳為用於感測器。 ＜第2實施形態之作用效果＞ 根據第2實施形態，可發揮與第1實施形態相同之作用效果((8)、(9)、(12)及(13)之作用效果)。 (7)根據該第2模組31之製造方法，如圖4B所示，於第8步驟中，形成供埋設線圈圖案5之接著層13，因此可進一步提高第2模組31之電感。 (10)根據該第2模組31之製造方法，如圖4D所示，於第9步驟中，於接著層13之上表面及下表面配置磁性層18，因此可進一步提高第2模組31之電感。 (11)根據該第2模組31之製造方法，若磁性層18中之第2磁性粒子之含有比率高達40體積%以上，則藉由磁性層18可進一步實現電感之提高。 再者，如圖4C之中央圖所示，亦可不使第2模組31具備磁性層18，而由線圈圖案5與供埋設線圈圖案5之接著層13構成第2模組31。此時，第2模組31之製造方法不包括圖4D所示之第9步驟。 ＜第2實施形態之變化例＞ 於該變化例中，對與第1及第2實施形態中相同之構件及步驟標記相同參照符號，並省略其詳細說明。 於第2實施形態中，如圖3所示，將線圈圖案5之數量設為1，但其數量並無特別限定，例如亦可為複數個。若線圈圖案5之數量為複數個，則可將第2模組31較佳地用作感測器。 ＜第3實施形態＞ 於第3實施形態中，對與第1及第2實施形態中相同之構件及步驟標記相同參照符號，並省略其詳細說明。第3實施形態可發揮與上述相同之作用效果。 如圖5A所示，於第3實施形態中，第3模組33除線圈圖案5及第1接著層11以外亦具備支持層14。 支持層14為自線圈圖案5之下側支持線圈圖案5之基材片材(薄膜)。支持層14於俯視下具有大致矩形片材形狀。支持層14形成第3模組33之下表面。支持層14係與線圈圖案5之下表面及第1接著層11之下表面接觸。 支持層14之材料為具有韌性之材料，例如可列舉聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、氟樹脂等樹脂，可較佳地列舉聚醯亞胺。支持層14之厚度例如為20 μm以下，較佳為10 μm以下，又，例如為0.1 μm以上，較佳為0.5 μm以上。 為了獲得第3模組33，於圖2H所示之第1實施形態之第1模組1之下表面配置(貼附)支持層14。 其後，若第1接著層11為B階，則對第3模組33進行加熱、或一面加壓一面加熱，而使第1接著層11變為C階。 再者，第3實施形態之第3模組33為第4實施形態中之第4模組34(下述)之中間構件，可以不含第2接著層12(參照下述圖5B)而單獨為第3模組33之形式於產業上利用。 ＜第3實施形態之作用效果＞ 於第1接著層11為B階而對第3模組33進行加熱以使第1接著層11變為C階時，由於自第1接著層11對線圈圖案5賦予應力(熱收縮力)或因加壓引起之來自外部之應力，故而線圈圖案5容易於面方向上發生位置偏移。於該情形時，因線圈圖案5發生位置偏移而導致第3模組33所具有之電感與當初設計之電感存在偏差。 但是，根據該第3模組33之製造方法，由於利用支持層14支持線圈圖案5，故而可抑制線圈圖案5於上述C階化製程中發生位置偏移，可提高線圈圖案5之位置精度。因此，可製造防止上述電感偏差而具有與設計保持一致之電感之第3模組33。 ＜第4實施形態＞ 於第4實施形態中，對與第1～第3實施形態相同之構件及步驟標記相同參照符號，並省略其詳細說明。第4實施形態可發揮與上述相同之作用效果。 如圖5A所示，於第3實施形態中係製造支持層14之下表面露出之第3模組33。 然而，如圖5D所示，第4實施形態之第4模組34之製造方法進而具備第11步驟，該第11步驟係藉由利用第2接著層12被覆支持層14之下表面，而利用具備第1接著層11及第2接著層12之接著層13於厚度方向上夾持線圈圖案5及支持層14。 進而，如圖5D所示，第4實施形態之第4模組34之製造方法進而具備第12步驟，該第12步驟係於接著層13之上表面及下表面各配置1層磁性層18。 如圖5A之箭頭及圖5B所示，於第11步驟中，利用第2接著層12被覆支持層14之下表面。獲得具備第1接著層11及第2接著層12之接著層13。藉此，利用接著層13於上下方向上夾持線圈圖案5及支持層14。 其後，如圖5B之箭頭所示，自第2接著層12(接著層13之下表面)剝離第3剝離層15。並且，自第1接著層11(接著層13之上表面)剝離剝離層10。 如圖5C之箭頭及圖5D所示，於第12步驟中，於接著層13之上表面及下表面各配置1層磁性層18。 於第12步驟中，如圖5C所示，準備2層磁性層18。繼而，若接著層13為B階，則如圖5C之箭頭所示，將2層磁性層18分別感壓接著於接著層13之上表面及下表面。 其後，根據需要，若接著層13為B階，則對第4模組34進行加熱、或一面加壓一面加熱，而使接著層13變為C階。 藉此，如圖5D所示，製造具備接著層13、於厚度方向上經接著層13夾持之線圈圖案5及支持層14、以及配置於接著層13之上表面及下表面之磁性層18的第4模組34。 根據該第4模組34之製造方法，如圖5B所示，於第11步驟中，形成夾持線圈圖案5及支持層14之接著層13，因此不僅可提高線圈圖案5之位置精度，且可進一步提高第4模組34之電感。 [實施例] 以下，例示實施例及比較例而更具體地說明本發明。再者，本發明並不受實施例及比較例之任何限定。又，以下之記載中所採用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可被替換為上述「發明之實施形態」中所記載之與該等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(以「以下」、「未達」之形式定義之數值)或下限(以「以上」、「超過」之形式定義之數值)。 實施例1 (與第2實施形態對應之實施例) (第1步驟) 如圖2A所示，藉由電解鍍覆而於包含不鏽鋼(SUS304)之厚度50 μm之第1剝離層2之上表面形成包含銅之厚度1.5 μm之晶種層19。 藉此，實施準備被設於第1剝離層2之上表面之晶種層19的第1步驟。 (第2步驟) 繼而如圖2D所示，藉由自晶種層19供電之鍍覆而形成線圈圖案5。 具體而言，藉由加成法而形成線圈圖案5。即，首先如圖2B所示，於晶種層19之整個上表面配置光阻劑，繼而對光阻劑進行光加工，藉此如圖1A所示，於晶種層19之上表面配置具有線圈圖案5之反轉圖案的抗鍍覆劑29。繼而如圖2C所示，藉由自晶種層19供電之鍍覆而於自抗鍍覆劑29露出之晶種層19之上表面形成線圈圖案5。繼而如圖2D所示，剝離抗鍍覆劑29。 藉此，實施於晶種層19之上表面形成剝離層10之第2步驟。 再者，如圖1所示，線圈圖案5連續地具有線圈部6與2個端子部7，線圈部6：內尺寸L1為1900 μm、外尺寸L2為3100 μm、寬度W1為600 μm、2個後端部間之距離L3為600 μm，端子部7：寬度W2為200 μm。 (第3步驟) 如圖2F所示，繼而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。 具體而言，首先如圖2D所示，準備第1接著層11。 關於第1接著層11之準備，首先依據表1，調配各成分而製備接著樹脂組合物(第1接著樹脂組合物)，繼而使接著樹脂組合物溶解於甲基乙基酮，藉此製備固形物成分濃度35質量%之接著樹脂組合物溶液。繼而，於包含PET之厚度50 μm之剝離層10(型號「MRA50」，三菱樹脂公司製造)之表面塗佈接著樹脂組合物溶液，其後於110℃下乾燥2分鐘。藉此，如圖2D所示，形成平均厚度45 μm之B階之第1接著層11。 繼而，以第1接著層11朝下之方式將剝離層10及第1接著層11對向配置於線圈圖案5之上側。具體而言，將剝離層10及第1接著層11配置於真空加壓機之上板，將第1剝離層2、晶種層19及線圈圖案5配置於真空加壓機之下板。繼而，驅動真空加壓機，如圖2F所示，將晶種層19壓接於第1接著層11，而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。關於晶種層19對第1接著層11之壓接，如圖2E所示，一旦線圈圖案5之上表面接觸第1接著層11之下表面，即如圖2F所示，被連續地壓入至第1接著層11內。此時，晶種層19與第1接著層11於線圈圖案5以外之部分相互接觸。 (第4步驟) (第5步驟及第6步驟) 第4步驟中，如圖2G及圖2H所示，使線圈圖案5及第1接著層11之下表面露出。 具體而言，首先如圖2G所示，依序實施第5步驟與第6步驟，第5步驟係自晶種層19剝離第1剝離層2(參照圖2G)，第6步驟係去除晶種層19(參照圖2H)。 第5步驟中，以第1剝離層2與晶種層19發生界面剝離之方式將第1剝離層2自晶種層19之下表面剝離。 第6步驟中，藉由蝕刻而去除晶種層19。晶種層19之蝕刻係使用硫酸與過氧化氫之混合溶液作為蝕刻液，蝕刻時間為3分鐘。 藉此，如圖4A所示，使線圈圖案5之下表面自第1接著層11露出至下側。 如此而實施第4步驟。 藉此，如圖4A所示，獲得作為用以獲得下述第2模組31之中間構件的第1模組1。第1模組1具備第1接著層11、與壓入至第1接著層11內之線圈圖案5，且由剝離層10所支持(保護)。 (第8步驟) 繼而如圖4B所示，利用第2接著層12以使端子部7之下表面露出之方式被覆線圈圖案5之下表面。 具體而言，如圖4A所示，藉由與平均厚度40 μm之B階之第1接著層11相同之方法，於第2剝離層15之上表面製備第2接著層12。繼而如圖4A之箭頭及圖4B所示，將第2接著層12之上表面感壓接著於線圈部6之下表面及第1接著層11之下表面。藉此，實施形成接著層13之第8步驟，該接著層13具備第1接著層11及第2接著層12且供埋設線圈部6。 其後，如圖4B之下側箭頭所示，自第1接著層11剝離剝離層10。又，如圖4B之上側箭頭所示，自第2接著層12剝離第2剝離層15。 (第9步驟) 如圖4D所示，於接著層13之上表面及下表面配置磁性層18。 具體而言，首先，依據表1調配各成分而製備磁性樹脂組合物，繼而，使磁性樹脂組合物溶解於甲基乙基酮，藉此製備固形物成分濃度45質量%之磁性樹脂組合物溶液。繼而，於未作圖示之剝離基材上塗佈磁性樹脂組合物溶液，其後於110℃下乾燥2分鐘。藉此，製備B階之磁性層18(平均厚度45 μm)。其後，自剝離基材剝離磁性層18，積層8層該磁性層18，於175℃、30分鐘、10 MPa之條件下進行熱壓而使之加熱硬化。藉此，如圖4C所示，製作C階之磁性層18(平均厚度200 μm)。 使用真空加壓機，將2層磁性層18分別感壓接著(貼附)於接著層13之上表面(第1接著層11之上表面)及下表面(第2接著層12之下表面)。藉此，實施第9步驟。 藉此，製造具備接著層13、具有埋設於接著層13中之線圈部6之線圈圖案5、以及配置於接著層13之上表面及下表面之磁性層18的第2模組31。 其後，使B階之接著層13變為C階。 (實施例2～實施例6及比較例1) 依據表1變更接著樹脂組合物，除此以外，藉由與實施例1相同之方式進行處理而製造第1模組1，繼而製造第2模組31。 (比較例2) 如圖6A所示，藉由減成法於剝離層45之上表面形成線圈圖案5，除此以外，藉由與實施例1相同之方式進行處理，而製造第2模組31。 具體而言，如圖6A所示，首先準備感壓接著性之剝離層45，繼而於剝離層45之上表面配置包含銅之厚度50 μm之導體層，繼而藉由蝕刻而形成線圈圖案5。 如圖6B所示，繼而將線圈圖案5壓入至第1接著層11中。此時，剝離層45係感壓接著於第1接著層11。 如圖6B之假想線所示，嘗試將剝離層45自線圈圖案5及第1接著層11之下表面剝離。 但是，由於剝離層45與第1接著層11之感壓接著，故而無法實施上述剝離，剝離層45發生凝集破壞。 [表1] 表1所記載之各成分之詳細內容如下。 Ni-Zn系鐵氧體粒子 軟磁性粒子，JFE FERRITE公司製造，型號KNI-109，平均粒徑1.5 μm Fe-Si-Cr合金粒子 軟磁性粒子，Nippon Atomized Metal Powders Corporation製造，平均粒徑8 μm，製品名(鐵合金粉 SFR-FeSiCr) Fe-Si-Al系合金粒子 軟磁性粒子，扁平狀，易磁化方向之保磁力：3.9(Oe)，平均粒徑40 μm，平均厚度1 μm 甲酚酚醛清漆型環氧樹脂 環氧當量199 g/eq.，ICI黏度(150℃)0.4 Pa・s，比重1.21，商品名「KI-3000-4」，東都化成公司製造 雙酚A型環氧樹脂 環氧當量180 g/eq.，ICI黏度(150℃)0.05 Pa・s，比重1.15，商品名「Epikote YL980」，三菱化學公司製造 苯酚-聯伸苯樹脂 羥基當量203 g/eq.，ICI黏度(150℃)0.05 Pa・s，比重1.18，商品名「MEH-7851SS」，明和化成公司製造 丙烯酸系樹脂 羧基及羥基改性之丙烯酸乙酯-丙烯酸丁酯-丙烯腈共聚物，重量平均分子量900,000，比重1.00，商品名「Teisan Resin SG-70L」(樹脂含有比率12.5質量%)，Nagase chemteX公司製造 熱硬化觸媒 2-苯基-1H-咪唑-4,5-二甲醇，比重1.33，商品名「Curezol 2PHZ-PW」，四國化成公司製造 分散劑 聚醚磷酸酯，酸值17，比重1.03，商品名「HIPLAAD ED152」，楠本化成公司製造 依據表1之記載而製備接著樹脂組合物。 (評價) 針對各實施例及各比較例(比較例2除外)之第2模組31，評價各項目。將其結果示於表1。 1.線圈圖案對第1接著層之壓入性 依據下述基準，評價圖2H所示之第3步驟中之線圈圖案5向第1接著層11之壓入性。 ○：線圈圖案5被確實地壓入至第1接著層11中。 △：線圈圖案5被壓入至第1接著層11中，但良率為50%。 2.磁導率及電感 藉由使用阻抗分析器(KEYSIGHT公司製造，「E4991B」1 GHz模式)之單線圈法(頻率：10 MHz)而測定磁導率。 使用阻抗分析器(KEYSIGHT公司製造，「E4991B」1 GHz模式)而測定電感。 再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，不應作限定性解釋。本技術領域之業者所知曉之本發明之變化例包括在本發明之申請專利範圍中。 [產業上之可利用性] 藉由該模組之製造方法而製造用於無線電力傳輸(無線供電)、無線通信、感測器等之模組。
1‧‧‧第1模組
2‧‧‧第1剝離層
3‧‧‧導體層
5‧‧‧線圈圖案
6‧‧‧線圈部
7‧‧‧端子部
9‧‧‧第2剝離層
10‧‧‧剝離層
11‧‧‧第1接著層
12‧‧‧第2接著層
13‧‧‧接著層
14‧‧‧支持層
15‧‧‧第2剝離層
18‧‧‧磁性層
19‧‧‧晶種層
23‧‧‧第1積層體
24‧‧‧第2積層體
29‧‧‧抗鍍覆劑
31‧‧‧第2模組
33‧‧‧第3模組
40‧‧‧剝離層
41‧‧‧強磁性層
45‧‧‧剝離層
46‧‧‧導體線圈
L1‧‧‧線圈部之內尺寸
L2‧‧‧線圈部之外尺寸
L3‧‧‧線圈部之2個後端部間之距離
L4‧‧‧端子部之前後方向長度
W1‧‧‧線圈部之寬度
W2‧‧‧端子部之寬度
圖1表示藉由本發明之模組之製造方法之第1實施形態所獲得之第1模組之仰視圖。 圖2A～圖2H係作為本發明之模組之製造方法之第1實施形態的第1模組之製造方法之製造步驟圖，圖2A表示準備配置於第1剝離層之晶種層之第1步驟、圖2B表示配置抗鍍覆劑之步驟、圖2C表示藉由鍍覆而形成導體圖案之第2步驟、圖2D表示去除抗鍍覆劑之步驟、圖2E表示第1接著層與線圈圖案接觸之步驟、圖2F表示將線圈圖案壓入至第1接著層中之第3步驟、圖2G表示自晶種層剝離第1剝離層之第5步驟、圖2H表示對晶種層進行蝕刻之第6步驟(沿圖1之A-A線之剖視圖)。 圖3表示藉由本發明之模組之製造方法之第2實施形態所獲得之第2模組之仰視圖。 圖4A～圖4D係作為本發明之模組之製造方法之第2實施形態的第2模組之製造方法之製造步驟圖，圖4A表示準備配置於第3剝離層之第2接著層之步驟、圖4B表示利用第2接著層被覆線圈圖案而利用接著層埋設線圈圖案之第8步驟、圖4C表示準備2層磁性層之步驟、圖4D表示於接著層配置磁性層之第9步驟。 圖5A～圖5D係作為本發明之模組之製造方法之第3實施形態的第3模組之製造方法之製造步驟圖及作為第4實施形態的第4模組之製造方法之製造步驟圖，圖5A表示於第1模組之下表面配置支持層而製造第3模組之步驟、圖5B表示利用第2接著層被覆支持層之第8步驟、圖5C表示準備2層磁性層之步驟、圖5D表示於接著層配置磁性層之第9步驟。 圖6A及圖6B係比較例2之模組之製造方法之製造步驟圖，圖6A表示藉由減成法準備配置於剝離層之線圈圖案之步驟、圖6B表示將線圈圖案壓入至第1接著層中之步驟。

Claims (13)

  1. 一種模組之製造方法，其特徵在於具備如下步驟： 第1步驟，其係準備配置於第1剝離層之厚度方向一面之晶種層； 第2步驟，其係藉由自上述晶種層供電之鍍覆而於上述晶種層之厚度方向一面形成上述導體圖案； 第3步驟，其係將上述導體圖案壓入至含有第1磁性粒子之第1接著層中；及 第4步驟，其係使上述導體圖案及上述第1接著層之厚度方向另一面露出。
  2. 如請求項1之模組之製造方法，其中於上述第3步驟中，使上述晶種層壓接於上述第1接著層，而將上述導體圖案壓入至上述第1接著層中， 上述第4步驟具備如下步驟： 第5步驟，其係自上述晶種層剝離上述第1剝離層；及 第6步驟，其係去除上述晶種層。
  3. 如請求項2之模組之製造方法，其中於上述第6步驟中，對上述晶種層進行蝕刻。
  4. 如請求項1之模組之製造方法，其中上述第1接著層中之上述第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上且80體積%以下。
  5. 如請求項1之模組之製造方法，其中上述第1樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。
  6. 如請求項1之模組之製造方法，其進而具備第7步驟，該第7步驟係於上述第1接著層之上述厚度方向另一面配置含有第2磁性粒子及第2樹脂成分之磁性層。
  7. 如請求項1之模組之製造方法，其係以使上述導體圖案之上述厚度一面自上述第1接著層露出之方式實施上述第4步驟，且進而具備第8步驟， 該第8步驟係藉由利用含有上述第1磁性粒子之第2接著層被覆上述導體圖案之上述厚度一面，而形成具備上述第1接著層及上述第2接著層且供埋設上述導體圖案之接著層。
  8. 如請求項7之模組之製造方法，其中上述接著層中之上述第1磁性粒子之含有比率為15體積%以上且80體積%以下。
  9. 如請求項1之模組之製造方法，其中上述第1磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子。
  10. 如請求項7之模組之製造方法，其進而具備第9步驟，該第9步驟係於上述接著層之上述厚度方向一面及另一面配置含有第2磁性粒子及第2樹脂成分之磁性層。
  11. 如請求項6之模組之製造方法，其中上述磁性層中之上述第2磁性粒子之含有比率為40體積%以上。
  12. 如請求項6之模組之製造方法，其中上述第2磁性粒子為包含選自鐵及鐵合金中之至少1種的粒子。
  13. 如請求項6之模組之製造方法，其中上述第2樹脂成分為環氧樹脂、酚系樹脂及丙烯酸系樹脂。
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