TW201825537A

TW201825537A - 具有水蒸氣障壁性之相位差膜及其製造方法

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Publication number: TW201825537A
Application number: TW106129728A
Authority: TW
Inventors: 片山雅章; 後藤耕平; 筒井皇晶
Original assignee: 日商日產化學工業股份有限公司
Priority date: 2016-08-31
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2018-07-16
Also published as: JPWO2018043529A1; CN109923449B; WO2018043529A1; CN109923449A; KR20190042065A; TWI759324B

Abstract

提供含有具有感光性側鏈的液晶性聚合物，而膜厚超過300nm且在50,000nm以下的具有水蒸氣障壁性的相位差膜。

Description

具有水蒸氣障壁性之相位差膜及其製造方法

[0001] 本發明係關於具有水蒸氣障壁性的相位差膜及其製造方法。

[0002] 在有機電致發光（EL）顯示器、液晶顯示器等之顯示裝置領域中，除了高精細化外，對輕量化、可撓性化等之要求日漸提高。在該情況，代替玻璃基板而樹脂基板受到注目。　　[0003] 在有機EL顯示器用的基板，追求非常高的水蒸氣障壁性。以往，作為具有水蒸氣障壁性之樹脂基板，使用在由樹脂所構成的基材之表面形成有水蒸氣障壁層者。例如在專利文獻1，記載在基材之塑膠薄膜上依序具有以對向標靶濺鍍法形成的無機層、以真空蒸鍍法形成的無機層、以化學蒸鍍法形成的無機層及以真空蒸鍍法形成的無機層之氣體障壁性薄膜。但是該技術製造步驟繁雜，由生產性之觀點來看，有問題。　　[0004] 在有機EL顯示器，為了抑制外光反射，提高視認性而使用相位差板。若能賦予相位差板高水蒸氣障壁性，則可同時具有作為有機EL顯示器的基板之機能與作為相位差膜的機能。但是使用無機材料的氣體障壁性薄膜因為柔軟性差、脆弱，有無法滿足對可撓性化等之要求的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] [專利文獻1] 國際公開第2013/168739號

[發明所欲解決之課題] 　　[0006] 本發明為有鑑於前述情況而成者，以提供可用比以往更低成本且簡單的方法製造、可以有機材料製造的具有水蒸氣障壁性的相位差膜、及其製造方法為目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0007] 本發明者們為了達成前述目的而努力檢討之結果，發現含有具有指定的感光性側鏈的可表現液晶性之聚合物的相位差膜還具有水蒸氣障壁性，且可以更簡單的方法製造，完成本發明。　　[0008] 因此，本發明提供下述具有水蒸氣障壁性的相位差膜及其製造方法。　　1. 一種具有水蒸氣障壁性的相位差膜，其係含有具有感光性側鏈的液晶性聚合物，而膜厚超過300nm且在50,000nm以下。　　2. 如1的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為引起光交聯、光異構化或光-弗萊斯重排者。　　3. 如2的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為選自下述式（1）~（6）所表示之基的至少1種。（式中，A¹ 、A² 及A³ 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、 -CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-；　　T¹ 為可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　T² 為單鍵、或可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　Y¹ 為選自苯基、萘基、聯苯基、呋喃基及吡咯基的1價芳香族基、碳數5~8的1價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-COOR⁰ （R⁰ 為氫原子或碳數1~5的烷基。）、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、 -CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Y² 為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、 -CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　R為羥基或者碳數1~6的烷氧基、或與Y¹ 同定義；　　X為單鍵、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-，X之數為2以上時，各X可為相同亦可為相異；　　C_ou 為香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Q¹ 及Q² 各自獨立，為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，但X為-CH=CH-CO-O-或 -O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-鍵結側之Q¹ 或Q² 為2價芳香族基，Q¹ 之數為2以上時，各Q¹ 可為相同亦可為相異，Q² 之數為2以上時，各Q² 可為相同亦可為相異；　　E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-；　　W¹ 及W² 各自獨立，為伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基、吡咯二基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基；　　a1為0或1；　　a2為0~2的整數；　　a1與a2皆為0且T² 為單鍵時，A¹ 為單鍵；　　a1為1且T² 為單鍵時，A² 為單鍵；　　b為0或1；　　虛線為與主鏈之鍵結鍵。）　　4. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈係選自下述式（7）~（10）所表示之基。（式中，A¹ 、A² 、A³ 、Y¹ 、Y² 、R、X及虛線同前述，但n為0時，A² 為單鍵；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數；　　m為0~2的整數；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數；　　d為0~4的整數；　　n為0~12的整數。）　　5. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈係選自下述式（11）~（13）所表示之基。（式中，A¹ 、R、R¹ 、X、c、d、m1及虛線同前述；e為0~6的整數。）　　6. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（14）或（15）所表示之基。（式中，A¹ 、R¹ 、Y¹ 、c、d、m1、m2及虛線同前述。）　　7. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（16）或（17）所表示之基。（式中，A¹ 、R¹ 、X、c、d、m及虛線同前述；f為0~5的整數。）　　8. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（18）或（19）所表示之基。（式中，A¹ 、A² 、E、R¹ 、Y¹ 、c、d、m1、m2及虛線同前述；g為0~5的整數。）　　9. 如3的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（20）所表示之基。（式中，A¹ 、R¹ 、X、Y¹ 、c、d、m及虛線同前述。）　　10. 如1~9中任一的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物再含有選自下述式（21）~（35）所表示之基的至少1種之液晶性側鏈。（式中，A¹ 、A² 、E、R¹ 、c、d、e、m1、m2及虛線同前述；　　R² 為氫原子、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、碳數1~12的烷基、或碳數1~12的烷氧基；　　Y³ 為苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基取代；　　Z¹ 及Z² 各自獨立，為單鍵、-C(=O)-、-CH₂ O-、-CH=N-或-CF₂ -；　　h為0~5的整數；　　k各自獨立，為0~2的整數，但在式（25）及（26）中，全部的k之合計為2以上，　　m3為1~3的整數。）　　11. 如10的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物為含有下述式（A）所表示之重複單位及下述式（B）所表示之重複單位者。（式中，R^A 為選自式（1）~（6）所表示之基的至少1種，R^B 為選自式（21）~（31）所表示之基的至少1種，M^A 及M^B 各自獨立，為來自聚合性基的基。）　　12. 如11的相位差膜，其中，前述來自聚合性基的基為選自下述式所表示之基的至少1種。（式中，R^C 為氫原子、碳數1~3的烷基、羧基或羧基甲基，R^D 為單鍵、-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-或伸苯基，R^E 為羥基、碳數1~10的烷基或者烷氧基、或苯基，虛線為與R^A 或R^B 之鍵結鍵。）　　13. 如1~12中任一的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物表現液晶性的溫度範圍為50~300℃。　　14. 一種有機EL顯示器，其係具備1~13中任一的相位差膜。　　15. 一種具有水蒸氣障壁性的相位差膜之製造方法，其係包含：　　將含有含具有感光性側鏈的液晶性聚合物的樹脂成分與有機溶劑的相位差膜形成用組成物塗佈於基材，形成膜厚超過300nm且為50,000nm以下的塗膜之步驟、　　對前述塗膜照射偏光紫外線之步驟、及　　將照射過前述偏光紫外線的膜加熱，得到膜厚超過300nm且為50,000nm以下的膜之步驟。　　16. 如15的相位差膜之製造方法，其中，前述感光性側鏈為引起光交聯、光異構化或光-弗萊斯重排者。　　17. 如16的相位差膜之製造方法，其中，前述感光性側鏈為選自前述式（1）~（6）所表示之基的至少1種。　　18. 如14~17中任一的相位差膜之製造方法，其中，前述液晶性聚合物再含有選自前述式（21）~（35）所表示之基的至少1種之液晶性側鏈。　　19. 如14~18中任一的相位差膜之製造方法，其中，前述液晶性聚合物表現液晶性的溫度範圍為50~300℃。 [發明之效果] 　　[0009] 本發明的相位差膜間具有高水蒸氣障壁性與作為相位差膜的機能，可適用在有機EL顯示器等之顯示裝置。又，本發明的相位差膜可以比以往更低成本且簡單的方法製造，生產性亦良好。 [實施發明之最佳形態] 　　[0010] [具有水蒸氣障壁性的相位差膜] 　　本發明之具有水蒸氣障壁性的相位差膜，含有具有感光性側鏈的液晶性聚合物，而膜厚超過300nm且在50,000nm以下。　　[0011] 前述感光性側鏈的構造雖不特別限制，以感應光而引起交聯反應、異構化反應或光弗萊斯重排的構造為佳、引起交聯反應或光弗萊斯重排的構造更佳、引起交聯反應者更佳。　　[0012] 前述感光性側鏈方面，以選自下述式（1）~（6）所表示之基的至少1種為佳。[0013] 式中，A¹ 、A² 及A³ 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、-CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-。　　[0014] T¹ 為可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基。T² 為單鍵、或可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基。　　[0015] Y¹ 為選自苯基、萘基、聯苯基、呋喃基及吡咯基的1價芳香族基、碳數5~8的1價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-COOR⁰ （R⁰ 為氫原子或碳數1~5的烷基。）、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、 -CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代。　　[0016] Y² 為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代。　　[0017] R為羥基或者碳數1~6的烷氧基、或與Y¹ 同定義。　　[0018] X為單鍵、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N=N-、 -CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-，X之數為2以上時，各X可為相同或相異。　　[0019] C_ou 為香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、 -CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代。　　[0020] Q¹ 及Q² 各自獨立，為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，但X為-CH=CH-CO-O-或 -O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-鍵結側之Q¹ 或Q² 為2價芳香族基，Q¹ 之數為2以上時，各Q¹ 可為相同亦可為相異，Q² 之數為2以上時，各Q² 可為相同或相異。　　[0021] E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-。W¹ 及W² 各自獨立，為伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基、吡咯二基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基。　　[0022] a1為0或1。a2為0~2的整數。a1與a2皆為0且T² 為單鍵時，A¹ 為單鍵。a1為1且T² 為單鍵時，A² 為單鍵。b為0或1。虛線為與主鏈之鍵結鍵。）　　[0023] 前述感光性側鏈方面，以下述式（7）~（10）所表示者為佳。[0024] 式中，A¹ 、A² 、A³ 、Y¹ 、Y² 、R、X及虛線同前述，但n為0時，A² 為單鍵。R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基。c為1~12的整數。m為0~2的整數。m1及m2各自獨立，為1~3的整數。d為0~4的整數。n為0~12的整數。　　[0025] 前述碳數1~5的烷基方面，可舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基等。前述碳數1~5的烷氧基方面，可舉例如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、tert-丁氧基、n-戊基氧基等。　　[0026] 前述感光性側鏈方面，下述式（11）~（13）所表示者亦佳。（式中，A¹ 、X、R、R¹ 、c、d、m、m1及虛線同前述。e為0~6的整數。）　　[0027] 前述感光性側鏈方面，下述式（14）或（15）所表示者亦佳。（式中，A¹ 、R¹ 、Y¹ 、c、d、m1、m2及虛線同前述。）　　[0028] 前述感光性側鏈方面，下述式（16）或（17）所表示者亦佳。（式中，A¹ 、R¹ 、X、c、d、m及虛線同前述。f為0~5的整數。）　　[0029] 前述感光性側鏈方面，下述式（18）或（19）所表示者亦佳。（式中，A¹ 、A² 、E、R¹ 、Y¹ 、c、d、m1、m2及虛線同前述。g為0~5的整數。）　　[0030] 前述感光性側鏈方面，下述式（20）所表示者亦佳。（式中，A¹ 、R¹ 、X、Y¹ 、c、d、m及虛線同前述。）　　[0031] 前述感光性側鏈，以與波長250~400nm範圍之光反應者為佳。　　[0032] 前述感光性側鏈方面，尤以式（7）、（8）、（9）、（14）、（15）所表示者為佳。　　[0033] 前述液晶性聚合物，主鏈鍵結有具有感光性之側鏈，感應光而可引起交聯反應、異構化反應、或光弗萊斯重排。具有感光性的側鏈的構造，雖不特別限制，以感應光而引起交聯反應或光弗萊斯重排的構造為佳、引起交聯反應者更佳。具有可表現液晶性之感光性側鏈的聚合物膜的構造為滿足該特性者則不特別限定，以側鏈構造具有剛性的液晶元成分為佳。　　[0034] 前述液晶性聚合物，以在50~300℃的溫度範圍表現液晶性為佳。前述液晶性的表現溫度以60~280℃更佳、70~250℃又更佳、80~200℃再更佳。液晶性的表現溫度若在前述範圍，則即使暴露於熱或光等之外部壓力下，仍可製作長時間安定地維持得到的水蒸氣障壁性及相位差的薄膜。　　[0035] 前述液晶性聚合物除前述感光性側鏈外，以含有具有剛性的液晶元部位的液晶性側鏈為佳。如此之側鏈方面，以選自下述式（21）~（35）所表示之基的至少1種為佳。[0036][0037] 式中，A¹ 、A² 、E、R¹ 、c、d、e、m1、m2及虛線同前述。　　[0038] R² 為氫原子、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、 -CH=CH-CN、鹵素原子、苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、碳數1~12的烷基、或碳數1~12的烷氧基。　　[0039] Y³ 為苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基取代。　　[0040] Z¹ 及Z² 各自獨立，為單鍵、-C(=O)-、-CH₂ O-、-CH=N-或-CF₂ -。　　[0041] h為0~5的整數。k各自獨立，為0~2的整數，但在式（25）及（26）中，全部的k之合計為2以上。m3為1~3的整數。　　[0042] 前述液晶性側鏈方面，尤以式（21）、（22）、（23）、（24）、（27）、（29）、（30）、（31）所表示者為佳。　　[0043] 前述液晶性聚合物為具有主鏈與鍵結於其上的側鏈者，且作為側鏈為含有前述感光性側鏈或液晶性側鏈者。前述聚合物方面，以含有前述側鏈的聚醯亞胺、聚酯、聚脲、或含有下述式（A）所表示之重複單位及下述式（B）所表示之重複單位者為佳。[0044] 式中，R^A 為選自式（1）~（6）所表示之基的至少1種，R^B 為選自式（21）~（35）所表示之基的至少1種，M^A 及M^B 各自獨立，為來自聚合性基的基。　　[0045] 前述主鏈，以來自（甲基）丙烯酸、伊康酸、富馬酸、馬來酸、α-亞甲基-γ-丁內酯、乙烯、苯乙烯、馬來醯亞胺、降冰片烯等之自由基聚合性單體者或聚矽氧烷構造為佳。　　[0046] 具體上，前述來自聚合性基的基以選自下述式所表示之基的至少1種為佳。[0047] 式中，R^C 為氫原子、碳數1~3的烷基、羧基或羧基甲基，R^D 為單鍵、-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-或伸苯基，R^E 為羥基、碳數1~10的烷基或者烷氧基、或苯基，虛線為與R^A 或R^B 之鍵結鍵。　　[0048] 此等中，前述聚合性基方面，以來自（甲基）丙烯酸、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、馬來醯亞胺者為佳、來自（甲基）丙烯酸、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯者更佳、來自（甲基）丙烯酸、α-亞甲基-γ-丁內酯者再更佳。　　[0049] 前述液晶性聚合物中，前述感光性側鏈的含量以全側鏈中5mol%以上為佳、10mol%以上更佳。又，前述液晶性側鏈的含量以全側鏈中95mol%以下為佳、90mol%以下更佳。前述感光性側鏈及液晶性側鏈的含量，合計以全側鏈中70mol%以上為佳、80mol%以上更佳。　　[0050] 前述液晶性聚合物，以前述感光性側鏈及液晶性側鏈之至少任一者含有極性基為佳。前述極性基方面，以羥基、羧基、醯胺基、胺基為佳、羧基更佳。又，前述液晶性聚合物在不阻礙液晶性程度，可含有交聯構造。前述交聯構造方面，可舉例如來自縮水甘油基等之含環氧乙烷環之基、含氧雜環丁烷環之基等者。　　[0051] 前述液晶性聚合物，在不損及本發明之效果範圍，可含有前述感光性側鏈及液晶性側鏈以外的其他側鏈。如此之側鏈方面，可舉例如碳數1~15之直鏈狀或分枝狀的烷基、碳數1~15之直鏈狀或分枝狀的鹵素化烷基、碳數6~20的芳基、碳數2~20的雜芳基、碳數7~20的芳烷基、碳數3~20的雜芳烷基、縮水甘油基等之含環氧乙烷環之基、含氧雜環丁烷環之基等。前述液晶性聚合物中，其他側鏈的含量以全側鏈中30莫耳%以下為佳。　　[0052] 前述烷基方面，可舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基、n-十三基、n-十四基、n-十五基等。前述鹵素化烷基方面，可舉例如此等之烷基的氫原子之一部份或全部被氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子取代的基。　　[0053] 前述芳基方面，可舉例如苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。　　[0054] 前述雜芳基方面，以含有氧原子、氮原子、硫原子、硒原子等者為佳，具體上，可舉例如2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、3-異噁唑基、4-異噁唑基、5-異噁唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-異噻唑基、4-異噻唑基、5-異噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。　　[0055] 前述芳烷基方面，可舉例如苄基、苯乙基、萘基甲基、萘基乙基等。　　[0056] 前述雜芳烷基方面，以含有氧原子、氮原子、硫原子、硒原子等者為佳，具體上，可舉例如噻吩基甲基、呋喃基甲基、噁唑基甲基、3-異噁唑基甲基、噻唑基甲基、異噻唑基甲基、咪唑基甲基、吡啶基甲基等。　　[0057] 具有如此之側鏈的重複單位方面，以下述式（C）所表示者為佳。[0058] 式中，R^C 為碳數1~15之直鏈狀或分枝狀的烷基、碳數1~15之直鏈狀或分枝狀的鹵素化烷基、碳數6~20的芳基、碳數2~20的雜芳基、碳數7~20的芳烷基、碳數3~20的雜芳烷基、縮水甘油基等之含環氧乙烷環之基、含氧雜環丁烷環之基等。M^C 為來自聚合性基的基。前述聚合性基方面，可舉例如與M^A 及M^B 之說明中列舉者相同者。　　[0059] 前述聚合物的重量平均分子量（Mw），考量得到的塗膜的強度、塗膜形成時之作業性及塗膜之均勻性，以2,000~1,000,000為佳、5,000~100,000更佳。又，本發明中，Mw為膠體滲透層析法（GPC）之聚苯乙烯換算測定值。　　[0060] 前述聚合物可依據例如國際公開第2014/054785號記載之方法進行合成。　　[0061] [具有水蒸氣障壁性的相位差膜之製造方法] 　　本發明的相位差膜之製造方法為包含下述步驟者。　　[I] 將含有含前述液晶性聚合物的樹脂成分與有機溶劑的相位差膜形成用組成物塗佈於基材，形成膜厚超過300nm且為50,000nm以下的塗膜之步驟、　　[II] 對前述塗膜照射偏光紫外線之步驟、及　　[III] 將照射過前述偏光紫外線的膜加熱，得到膜厚超過300nm且為50,000nm以下的膜之步驟。　　[0062] 步驟[I]中，前述基材方面，雖不特別限制，可使用玻璃基板或乙酸酯基板、丙烯酸基板、聚碳酸酯基板、聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚萘二甲酸乙二醇脂基板、環烯烴聚合物基板、聚醯亞胺基板等之塑膠基板等。　　[0063] 前述相位差膜形成用組成物，含有含前述液晶性聚合物的樹脂成分與有機溶劑。前述相位差膜形成用組成物，由適合於相位差膜之形成觀點來看，以前述聚合物溶於有機溶劑的溶液為佳。　　[0064] 前述樹脂成分，可全部係前述液晶性聚合物，但在不損及液晶表現能力及感光性能力範圍，可含其以外之聚合物（以下稱其他聚合物。）。其他聚合物方面，可舉例如聚（甲基）丙烯酸酯、聚醯胺酸、聚醯亞胺等。前述樹脂成分含有其他聚合物時，樹脂成分中的其他聚合物的含量，以0.5~80質量%為佳、1~50質量%更佳。　　[0065] 前述相位差膜形成用組成物中，前述樹脂成分的含量，以1~20質量%為佳、3~15質量%更佳、3~10質量%更佳。　　[0066] 前述有機溶劑方面，可舉例如N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己內醯胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲基亞碸、四甲基尿素、吡啶、二甲基碸、六甲基亞碸、γ-丁內酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺、1,3-二甲基-咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、環己酮、碳酸乙烯酯、丙烯碳酸酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇-tert-丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚等。此等可1種單獨使用，亦可2種以上混合使用。　　[0067] 又，為了使膜厚的均勻性或表面平滑性提升，可添加貧溶劑。前述貧溶劑方面，可舉例如異丙基醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二異丁基甲醇、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇-tert-丁基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單乙酸酯單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單乙酸酯單乙基醚、二丙二醇單丙基醚、二丙二醇單乙酸酯單丙基醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲基醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙基醚、乙基異丁基醚、二異丁烯、戊基乙酸酯、丁基丁酸酯、丁基醚、二異丁基酮、甲基環己烯、丙基醚、二己基醚、1-己醇、n-己烷、n-戊烷、n-辛烷、二乙基醚、乳酸甲基酯、乳酸乙基酯、乙酸甲基酯、乙酸乙基酯、乙酸n-丁基酯、乙酸丙二醇單乙基醚、丙酮酸甲基酯、丙酮酸乙基酯、3-甲氧基丙酸甲基酯、3-乙氧基丙酸甲基乙基酯、3-甲氧基丙酸乙基酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙基酯、3-甲氧基丙酸丁基酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲基醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙基醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-（2-乙氧基丙氧基）丙醇、乳酸甲基酯、乳酸乙基酯、乳酸n-丙基酯、乳酸n-丁基酯、乳酸異戊基酯等之具有低表面張力的溶劑等。　　[0068] 前述貧溶劑的含量，為了不使溶劑全體之溶解性顯著降低，以全溶劑中5~80質量%為佳、20~60質量%更佳。前述貧溶劑可1種單獨使用，亦可2種以上混合使用。　　[0069] 前述相位差膜形成用組成物，由使膜厚的均勻性或表面平滑性提高之觀點來看，可含有氟系界面活性劑、矽酮系界面活性劑、非離子系界面活性劑等之界面活性劑。前述界面活性劑方面，可舉例如EFTOP（註冊商標）301、EF303、EF352（三菱材料電子化學品（股）製）、MEGAFAC（註冊商標）F171、F173、R-30（DIC（股）製）、Fluorad（註冊商標）FC430、FC431（3M公司製）、Asahiguard（註冊商標）AG710（旭硝子（股）製）、Surflon（註冊商標）S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106（AGC塞米化學（股）製）等。界面活性劑的含量，相對前述樹脂成分100質量份，以0.01~2質量份為佳、0.01~1質量份更佳。　　[0070] 前述相位差膜形成用組成物，可含有含官能性矽烷之化合物。前述含官能性矽烷之化合物方面，可舉例如3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-（2-胺基乙基）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-（2-胺基乙基）-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙氧基羰基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-三乙氧基矽烷基丙基三二乙三胺、N-三甲氧基矽烷基丙基三二乙三胺、10-三甲氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基矽烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、9-三甲氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、9-三乙氧基矽烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、N-苄基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苄基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-雙（氧基乙烯）-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-雙（氧基乙烯）-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。此等可1種單獨使用，亦可2種以上組合使用。　　[0071] 前述含官能性矽烷之化合物的含量，相對前述樹脂成分100質量份，以0.1~30質量份為佳、1~20質量份更佳。若在前述範圍，則可得到密著性提升效果。　　[0072] 前述相位差膜形成用組成物，進而以信賴性提升、抑制障壁性及相位差之降低等之目的，可含有酚醛樹脂系化合物或含環氧基之化合物、含氧雜環丁烷環之化合物等之添加劑。　　[0073] 前述酚醛樹脂系化合物方面，可舉例如以下所示者，但不限於此等。[0074] 前述含環氧基之化合物方面，可舉例如乙二醇二縮水甘油基醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、三丙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、1,6-己二醇二縮水甘油基醚、甘油二縮水甘油基醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油基醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-二甲苯二胺、1,3-雙（N,N-二縮水甘油基胺基甲基）環己烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二胺基二苯基甲烷等。　　[0075] 前述相位差膜形成用組成物，進而可含有光增感劑。光增感劑方面，以無色增感劑及三重態增感劑為佳。前述光增感劑方面，可舉例如芳香族硝基化合物、香豆素（7-二乙基胺基-4-甲基香豆素、7-羥基4-甲基香豆素）、香豆素酮、羰基雙香豆素、芳香族2-羥基酮（2-羥基二苯甲酮）、經胺基取代的芳香族2-羥基酮（單-或二-p-（二甲基胺基）-2-羥基二苯甲酮）、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮、苯並蒽酮、噻唑啉衍生物（2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘並噻唑啉、2-（β-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噻唑啉、2-（α-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噻唑啉、2-（4-二苯甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噻唑啉、2-（β-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噻唑啉、2-（4-二苯甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噻唑啉、2-（p-氟苯甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噻唑啉）、噁唑啉衍生物（2-苯甲醯基亞甲基-3-甲基-β-萘並噁唑啉、2-（β-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噁唑啉、2-（α-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噁唑啉、2-（4-二苯甲醯基亞甲基）-3-甲基苯並噁唑啉、2-（β-萘甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噁唑啉、2-（4-二苯甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噁唑啉、2-（p-氟苯甲醯基亞甲基）-3-甲基-β-萘並噁唑啉）、苯並噻唑、硝基苯胺（m-或p-硝基苯胺、2,4,6-三硝基苯胺）、硝基苊（5-硝基苊）、2-[（m-羥基-p-甲氧基）苯乙烯基]苯並噻唑、安息香烷基醚、N-烷基化酞酮、苯乙酮縮酮（2,2-二甲氧基苯基乙酮）、萘衍生物（2-萘甲醇、2-萘羧酸）、蒽衍生物（9-蒽甲醇、9-蒽羧酸）、苯并哌喃、偶氮吲哚嗪、梅洛香豆素等。此等中，以芳香族2-羥基酮（二苯甲酮）、香豆素、香豆素酮、羰基雙香豆素、苯乙酮、蒽醌、呫噸酮、噻噸酮、及苯乙酮縮酮為佳。　　[0076] 前述添加劑或光增感劑的含量，相對前述樹脂成分100質量份，以0.1~30質量份為佳、0.5~20質量份更佳。若在前述範圍，則可得到充分的效果，且亦不損及液晶性。　　[0077] 前述相位差膜形成用組成物中，除前述者，在不損及本發明之效果範圍，可添加介電體或導電物質、進而交聯性化合物。　　[0078] 將前述相位差膜形成用組成物塗佈於基材之方法不特別限制。塗佈方法方面，工業上，一般為網版印刷、凹板印刷、膠版印刷、柔版印刷、噴墨法等。其他塗佈方法方面，有浸漬法、模塗法、滾筒塗佈法、狹縫塗佈法、旋轉塗佈法、噴塗法等，可因應目的而使用此等。　　[0079] 將前述相位差膜形成用組成物塗佈於基材上後，以加熱板、熱循環型烤箱、紅外線型烤箱等之加熱手段，較佳為在50~200℃、更佳為50~150℃，使溶劑蒸發，可得到塗膜。此時之溫度以比前述聚合物的液晶相表現溫度低為佳。　　[0080] 塗膜之膜厚為超過300nm且在50,000nm以下，但其下限較佳為350nm、更佳為400nm、再佳為1,000nm、最佳為1,500nm。另一方面，其上限較佳為20,000nm、更佳為10,000nm、再佳為6,000nm、最佳為5,000nm。　　[0081] 又，在步驟[I]之後、步驟[II]之前，可設置將形成有塗膜的基板冷卻至室溫的步驟。　　[0082] 步驟[II]中，對塗膜之膜面照射偏光紫外線時，對基板從一定方向透過偏光板，照射偏光之紫外線。使用之紫外線方面，以波長100~400nm之範圍者為宜。波長因使用塗膜之種類，透過過濾器等選擇最佳者。例如為了可選擇性地引發光交聯反應，可選擇使用波長290~ 400nm之範圍的紫外線。紫外線方面，例如可使用由高壓水銀燈放射之光。　　[0083] 偏光紫外線的照射量依存於使用之塗膜。照射量以在實現該塗膜中之與偏光紫外線的偏光方向平行方向的紫外線吸光度和與偏光紫外線的偏光方向垂直方向的紫外線吸光度的差即ΔA之最大值（以下亦稱ΔAmax）的偏光紫外線的量之1~70%之範圍內為佳、1~50%之範圍內更佳。　　[0084] 步驟[III]中，藉由將照射前述偏光紫外線的塗膜加熱，可對塗膜賦予大的各向異性（相位差）。　　[0085] 加熱，可使用加熱板、熱循環型烤箱、紅外線型烤箱等之加熱手段。加熱溫度，可考量使用的塗膜表現液晶性之溫度來決定。　　[0086] 加熱溫度，以在前述液晶性聚合物表現液晶性的溫度（以下、稱液晶表現溫度。）之範圍內為佳。為塗膜般薄膜表面之情形，塗膜表面的液晶表現溫度，預想比大量觀察能表現液晶性的感光性的側鏈型高分子時的液晶表現溫度低。因此，加熱溫度以在塗膜表面的液晶表現溫度之溫度範圍內更佳。即、偏光紫外線照射後的加熱溫度的溫度範圍，以比使用的鏈型高分子的液晶表現溫度的溫度範圍的下限高10℃之溫度為下限，以比其液晶溫度範圍的上限低10℃之溫度為上限的範圍的溫度為佳。加熱溫度比上述溫度範圍低，則有塗膜之熱所致之各向異性的放大效果不足之傾向，又加熱溫度比上述溫度範圍過為高，則有塗膜之狀態接近等方性的液體狀態（各向同性相）之傾向，該場合，有因自組織化而難以朝向一方向再配向之情形。　　[0087] 又，液晶表現溫度係指在前述液晶性聚合物由固體相相轉變為液晶相之玻璃轉化溫度以上，且在由液晶相相轉變為各向同性相（Isotropic phase）之各向同性相轉化溫度以下的溫度。　　[0088] 加熱後形成的塗膜之膜厚超過300nm而在50,000nm以下，但其下限較佳為350nm、更佳為400nm、再佳為1,000nm、最佳為1,500nm。另一方面，其上限較佳為20,000nm、更佳為10,000nm、再佳為6,000nm、最佳為5,000nm。　　[0089] 以前述製造方法，可以高效率實現對塗膜導入各向異性。亦即表現相位差。而可以高效率製造附相位差膜的基材。　　[0090] 如此而得到的本發明的相位差膜還為具有水蒸氣障壁性者。藉由液晶元骨架整齊地配向，可得到π共軛、π-π堆疊效果，故認為係障壁性提升者。具體上，前述相位差膜之膜厚為1,000nm時之水蒸氣透過率以500g/m² ‧day以下為佳。又，本發明中，水蒸氣透過率係指依據JIS Z 0208「防溼包裝材料的透溼度試驗方法（杯式法）」，在溫度40℃、相對溼度90%之條件，測定的值。　　[0091] 本發明之具有水蒸氣障壁性的相位差膜，尤其可用作為有機EL顯示器用相位差膜。具備本發明的相位差膜的有機EL顯示器，因為水蒸氣障壁性高，故成為信賴性優異者，可製造大屏幕且高精細的顯示器。

[實施例] 　　[0092] 以下舉實施例及比較例將本發明更具體說明，但本發明不限於下述實施例。又，數平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）係使用昭和電工（股）製Shodex GPC-101（溶劑：四氫呋喃、檢量線：標準聚苯乙烯）進行測定。　　[0093] [1] 單體的合成 [合成例1-1] 單體MA1的合成　　依據國際公開第2011/084546號記載之方法，合成下述式所表示之單體MA1。[0094] [合成例1-2] 單體MA2的合成　　依據特開平9-118717號公報記載之方法，合成下述式所表示之單體MA2。[0095] [合成例1-3] 單體MA3的合成　　依據Macromolecules (2012), 45(21), pp. 8547-8554記載之方法，合成下述式所表示之單體MA3。[0096] [合成例1-4] 單體MA4的合成　　依據國際公開第2013/133078號記載之方法，合成下述式所表示之單體MA4。[0097] [合成例1-4] 單體MA5的合成　　依據國際公開第2013/133078號記載之方法，合成下述式所表示之單體MA5。[0098] [2] 聚合物的合成 [合成例2-1] 聚合物P1的合成　　將單體MA1 6.64g及單體MA2 9.19g溶於四氫呋喃（THF）146.42g，以隔膜泵進行脫氣後，加入2,2’-偶氮二異丁腈（AIBN）0.82g，再進行脫氣。之後，在60℃進行8小時反應。將得到的反應溶液滴下至甲醇300mL，將得到的沈澱物進行過濾、以甲醇洗淨、及減壓乾燥，得到粉末狀的聚合物P1（收量12.67g、收率80%）。聚合物P1的組成比為單體MA1：單體MA2=40：60。又，聚合物P1的Mn為16,000、Mw/Mn為1.75。　　[0099] [合成例2-2] 聚合物P2的合成　　除作為原料，使用單體MA1 1.66g及單體MA3 2.06g以外，以與實施例1同樣方法，得到粉末狀的聚合物P2。聚合物P2的組成比為單體MA1：單體MA3=50：50。又，聚合物P2的Mn為27,000、Mw/Mn為2.25。　　[0100] [合成例2-3] 聚合物P3的合成　　在具備冷卻管的燒瓶，加入單體MA4 2.16g（4.8 mmol）、單體MA5 1.80g（3.6 mmol）、n-十二基丙烯酸酯0.84g（3.6 mmol）、N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）48.0g、及AIBN0.10g，將燒瓶內進行氮取代後，在60℃進行20小時攪拌使其反應。將得到的反應溶液投入400mL之甲醇，使白色粉末沈澱。將該白色粉末過濾後，在室溫進行真空乾燥，得到下述式所表示之聚合物P3（收量3.60g、收率75%）。聚合物P3的Mn為13,258、Mw/Mn為2.0。[0101] [合成例2-4] 聚合物P4的合成　　在具備冷卻管的燒瓶，加入單體MA4 1.80g（4 mmol）、單體MA5 1.50g（3 mmol）、n-十二基丙烯酸酯 0.48g（2 mmol）、糠基甲基丙烯酸酯（東京化成工業（股））0.17g（1 mmol）、NMP40.0g、及AIBN 0.085g，將燒瓶內進行氮取代後，在60℃進行20小時攪拌使其反應。將得到的反應溶液投入400mL之甲醇，使白色粉末沈澱。將該白色粉末過濾後，在室溫進行真空乾燥，得到下述式所表示之聚合物P4 （收量2.80g、收率71%）。聚合物P4的Mn為12,000、Mw/Mn為2.00。[0102] [3] 相位差膜形成用組成物的調製 [調製例1] 相位差膜形成用組成物C1的調製　　於NMP7.5g中加入聚合物P1 1.5g，在室溫進行1小時攪拌使其溶解。於該溶液，加入丁基溶纖劑（BC）1.0g，進行攪拌，得到相位差膜形成用組成物C1。　　[0103] [調製例2] 相位差膜形成用組成物C2的調製　　於丙二醇單甲基醚（PGME）3.2g中，加入聚合物P2 1.0g，在室溫進行1小時攪拌使其溶解。於該溶液，加入環己酮（CHN）1.4g，進行攪拌，得到相位差膜形成用組成物C2。　　[0104] [調製例3] 相位差膜形成用組成物C3之調製　　於甲苯5.0g中，加入聚合物P3 1.0g，在室溫進行1小時攪拌使其溶解。於該溶液，加入CHN2.3g，進行攪拌，得到相位差膜形成用組成物C3。　　[0105] [調製例4] 相位差膜形成用組成物C4之調製　　於甲苯5.0g中，加入聚合物P4 1.0g，在室溫進行1小時攪拌使其溶解。於該溶液，加入CHN2.3g，進行攪拌，得到相位差膜形成用組成物C4。　　[0106] [4] 水蒸氣障壁性的評估 [實施例1-1] 　　將相位差膜形成用組成物C1旋轉塗佈於基材之厚度80μm的乙酸酯薄膜（HOLBEIN ART MATERIALS公司製），在70℃的加熱板進行3分鐘乾燥，形成膜厚1,000nm之聚合物層。接著對塗膜面透過偏光板，照射313nm之紫外線10 mJ/cm² 後，在140℃的加熱板進行10分鐘加熱，製作膜厚1,000nm之附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F1。　　使用得到的附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜，根據JIS Z 0208「防溼包裝材料的透溼度試驗方法（杯式法）」之諸條件，用下述手法，評估水蒸氣障壁性。　　使用透溼面積28.27cm² 之正六角形型的塗膜薄膜，在螺絲式的透溼杯封入作為吸溼劑的氯化鈣約20g，重複1小時以上間隔的秤量操作，由杯之質量增加算出水蒸氣透過率。結果如表1。　　水蒸氣透過率[g/m² ‧day]=（m/s）/t 　　　m：一定秤量間隔之增加質量（g）　　　s：透溼面積（m² ）　　　t：一定量間隔時間（h）/24（h）　　[0107] [實施例1-2] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2，且使313nm之紫外線照射為4 mJ/cm² 以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F2-1，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0108] [實施例1-3] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2，且使313nm之紫外線照射為7 mJ/cm² 以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F2-2，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0109] [實施例1-4] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F2-3，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0110] [實施例1-5] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C3，且使313nm之紫外線照射為100 mJ/cm² 以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F3，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0111] [實施例1-6] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C4，且使313nm之紫外線照射為100 mJ/cm² 以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附水蒸氣障壁性相位差膜的薄膜F4，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0112] [比較例1-1] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例1-1同樣方法，製作薄膜F1’，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0113] [比較例1-2] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例1-4同樣方法，製作薄膜F2’，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0114] [比較例1-3] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例1-5同樣方法，製作膜F3’，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0115] [比較例1-4] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例1-6同樣方法，製作膜F4’，並評估水蒸氣障壁性。結果如表1。　　[0116] 結果如表1。又，將不形成相位差膜時的水蒸氣透過率作為參考一併記載於表1。　　[0117][0118] [5] 相位差值的評估 [實施例2-1] 　　將相位差膜形成用組成物C1旋轉塗佈於長40mm×寬30mm×厚度0.7mm且形成有ITO膜的玻璃基板，在70℃的加熱板進行3分鐘乾燥，形成膜厚1,000nm之聚合物層。接著對塗膜面透過偏光板，照射313nm之紫外線10 mJ/cm² 後，在140℃的加熱板進行10分鐘加熱，製作膜厚1,000nm的附相位差膜的玻璃基板G1。　　對得到的附相位差膜的玻璃基板，使用穆勒矩陣/旋光儀（Axometrics公司製、製品名Axoscan），評估相位差值。又，測定波長為550nm、測定溫度為23℃。結果如表2。　　[0119] [實施例2-2] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2，且使313nm之紫外線照射為4 mJ/cm² 以外，以與實施例2-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G2-1，並評估相位差值。結果如表2。　　[0120] [實施例2-3] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2，且使313nm之紫外線照射為7 mJ/cm² 以外，以與實施例2-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G2-2，並評估相位差值。結果如表2。　　[0121] [實施例2-4] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C2以外，以與實施例2-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G2-3，並評估相位差值。結果如表2。　　[0122] [實施例2-5] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C3，且使313nm之紫外線照射為100 mJ/cm² 以外，以與實施例2-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G3，並評估相位差值。結果如表2。　　[0123] [實施例2-6] 　　除取代相位差膜形成用組成物C1，而使用相位差膜形成用組成物C4，且使313nm之紫外線照射為100 mJ/cm² 以外，以與實施例1-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G4，並評估相位差值。結果如表2。　　[0124] [比較例2-1] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例2-1同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G1’，並評估相位差值。結果如表2。　　[0125] [比較例2-2] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例2-4同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G2’，並評估相位差值。結果如表2。　　[0126] [比較例2-3] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例2-5同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G3’，並評估相位差值。結果如表2。　　[0127] [比較例2-4] 　　除不進行紫外線的照射以外，以與實施例2-6同樣方法，製作附相位差膜的玻璃基板G4’，並評估相位差值。結果如表2。　　[0128][0129] 如表1及表2所示結果，可知本發明的相位差膜水蒸氣障壁性優異、且可得到作為相位差膜之機能。

Claims

一種具有水蒸氣障壁性的相位差膜，其特徵係含有具有感光性側鏈的液晶性聚合物，而膜厚超過300nm且在50,000nm以下。
如請求項1記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為引起光交聯、光異構化或光-弗萊斯重排者。
如請求項2記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為選自下述式（1）~（6）所表示之基的至少1種，（式中，A¹ 、A² 及A³ 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、 -CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-；　　T¹ 為可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　T² 為單鍵、或可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　Y¹ 為選自苯基、萘基、聯苯基、呋喃基及吡咯基的1價芳香族基、碳數5~8的1價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-COOR⁰ （R⁰ 為氫原子或碳數1~5的烷基）、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Y² 為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、 -CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　R為羥基或者碳數1~6的烷氧基、或與Y¹ 同定義；　　X為單鍵、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-，X之數為2以上時，各X可為相同亦可為相異；　　C_ou 為香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Q¹ 及Q² 各自獨立，為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，但X為-CH=CH-CO-O-或 -O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-鍵結側之Q¹ 或Q² 為2價芳香族基，Q¹ 之數為2以上時，各Q¹ 可為相同亦可為相異，Q² 之數為2以上時，各Q² 可為相同亦可為相異；　　E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-；　　W¹ 及W² 各自獨立，為伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基、吡咯二基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基；　　a1為0或1；　　a2為0~2的整數；　　a1與a2皆為0且T² 為單鍵時，A¹ 為單鍵；　　a1為1且T² 為單鍵時，A² 為單鍵；　　b為0或1；　　虛線為與主鏈之鍵結鍵）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈係選自下述式（7）~（10）所表示之基，（式中，A¹ 、A² 、A³ 、Y¹ 、Y² 、R、X及虛線同前述，但n為0時，A² 為單鍵；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數；　　m為0~2的整數；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數；　　d為0~4的整數；　　n為0~12的整數）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈係選自下述式（11）~（13）所表示之基，（式中，A¹ 、X、R及虛線同前述；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數；　　d為0~4的整數；　　e為0~6的整數；　　m為0~2的整數；　　m1為1~3的整數）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（14）或（15）所表示之基，（式中，A¹ 、Y¹ 及虛線同前述；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數、　　d為0~4的整數；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（16）或（17）所表示之基，（式中，A¹ 、X及虛線同前述；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　d為0~4的整數；　　f為0~5的整數；　　c為1~12的整數；　　m為0~2的整數）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（18）或（19）所表示之基，（式中，A¹ 、A² 、E、Y¹ 及虛線同前述；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數；　　d為0~4的整數；　　g為0~5的整數；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數）。
如請求項3記載的相位差膜，其中，前述感光性側鏈為下述式（20）所表示之基，（式中，A¹ 、X、Y¹ 及虛線同前述；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　c為1~12的整數；　　d為0~4的整數；　　m為0~2的整數）。
如請求項1~9中任1項記載的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物再含有選自下述式（21）~（35）所表示之基的至少1種之液晶性側鏈，（式中，A¹ 及A² 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、 -CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-；　　E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　R² 為氫原子、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、碳數1~12的烷基、或碳數1~12的烷氧基；　　Y³ 為苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基取代；　　Z¹ 及Z² 各自獨立，為單鍵、-C(=O)-、-CH₂ O-、 -CH=N-或-CF₂ -；　　c為1~12的整數；　　d為0~4的整數；　　e為0~6的整數；　　h為0~5的整數；　　k各自獨立，為0~2的整數，但在式（25）及（26）中，全部的k之合計為2以上；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數；　　m3為1~3的整數）。
如請求項10記載的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物為含有下述式（A）所表示之重複單位及下述式（B）所表示之重複單位者，（式中，R^A 為選自式（1）~（6）所表示之基的至少1種，R^B 為選自式（21）~（31）所表示之基的至少1種，M^A 及M^B 各自獨立，為來自聚合性基的基）。
如請求項11記載的相位差膜，其中，前述來自聚合性基的基為選自下述式所表示之基的至少1種，（式中，R^C 為氫原子、碳數1~3的烷基、羧基或羧基甲基，R^D 為單鍵、-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-或伸苯基，R^E 為羥基、碳數1~10的烷基或者烷氧基、或苯基，虛線為與R^A 或R^B 之鍵結鍵）。
如請求項1~12中任1項記載的相位差膜，其中，前述液晶性聚合物表現液晶性的溫度範圍為50~300℃。
一種有機電致發光顯示器，其特徵係具備請求項1~13中任1項記載的相位差膜。
一種具有水蒸氣障壁性的相位差膜之製造方法，其特徵係含有：　　將含有含具有感光性側鏈的液晶性聚合物的樹脂成分與有機溶劑的相位差膜形成用組成物塗佈於基材，形成膜厚超過300nm且為50,000nm以下的塗膜之步驟、　　對前述塗膜照射偏光紫外線之步驟、及　　將照射過前述偏光紫外線的膜加熱，得到膜厚超過300nm且為50,000nm以下的膜之步驟。
如請求項15記載的相位差膜之製造方法，其中，前述感光性側鏈為引起光交聯、光異構化或光-弗萊斯重排者。
如請求項16記載的相位差膜之製造方法，其中，前述感光性側鏈為選自下述式（1）~（6）所表示之基的至少1種，（式中，A¹ 、A² 及A³ 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、 -CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-；　　T¹ 為可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　T² 為單鍵、或可被鹵素原子取代的碳數1~12的伸烷基；　　Y¹ 為選自苯基、萘基、聯苯基、呋喃基及吡咯基的1價芳香族基、碳數5~8的1價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-COOR⁰ （R⁰ 為氫原子或碳數1~5的烷基）、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Y² 為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、 -CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　R為羥基或者碳數1~6的烷氧基、或與Y¹ 同定義；　　X為單鍵、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-，X之數為2以上時，各X可為相同亦可為相異；　　C_ou 為香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的烷氧基取代；　　Q¹ 及Q² 各自獨立，為選自伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基及吡咯二基的2價芳香族基、碳數5~8的2價環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，但X為-CH=CH-CO-O-或 -O-CO-CH=CH-時，-CH=CH-鍵結側之Q¹ 或Q² 為2價芳香族基，Q¹ 之數為2以上時，各Q¹ 可為相同亦可為相異，Q² 之數為2以上時，各Q² 可為相同亦可為相異；　　E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-；　　W¹ 及W² 各自獨立，為伸苯基、萘二基、亞聯苯基、呋喃二基、吡咯二基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基；　　a1為0或1；　　a2為0~2的整數；　　a1與a2皆為0且T² 為單鍵時，A¹ 為單鍵；　　a1為1且T² 為單鍵時，A² 為單鍵；　　b為0或1；　　虛線為與主鏈之鍵結鍵）。
如請求項14~17中任1項記載的相位差膜之製造方法，其中，前述液晶性聚合物再含有選自下述式（21）~（35）所表示之基的至少1種之液晶性側鏈，（式中，A¹ 及A² 各自獨立，為單鍵、-O-、-CH₂ -、 -C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-NH-、-NH-C(=O)-、 -CH=CH-C(=O)-O-或-O-C(=O)-CH=CH-；　　E為-C(=O)-O-或-O-C(=O)-；　　R¹ 為-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基；　　R² 為氫原子、-NO₂ 、-CN、-CH=C(CN)₂ 、-CH=CH-CN、鹵素原子、苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、碳數1~12的烷基、或碳數1~12的烷氧基；　　Y³ 為苯基、萘基、聯苯基、呋喃基、1價的含有含氮雜環之基、碳數5~8的環狀脂肪族烴基、或由此等之取代基所選出的2~6個基透過連結基A² 鍵結而成的基，鍵結於此等之氫原子的一部份可被-NO₂ 、-CN、鹵素原子、碳數1~5的烷基、或碳數1~5的烷氧基取代；　　Z¹ 及Z² 各自獨立，為單鍵、-C(=O)-、-CH₂ O-、 -CH=N-或-CF₂ -；　　c為1~12的整數；　　d為0~4的整數；　　e為0~6的整數；　　h為0~5的整數；　　k各自獨立，為0~2的整數，但在式（25）及（26）中，全部的k之合計為2以上；　　m1及m2各自獨立，為1~3的整數；　　m3為1~3的整數）。
如請求項14~18中任1項記載的相位差膜之製造方法，其中，前述液晶性聚合物表現液晶性的溫度範圍為50~300℃。