TW201803423A - 電路基板的製造方法及電路基板 - Google Patents

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戶川光生
安克彥
竹澤由高
宮崎靖夫
原直樹
平林光信
天沼真司
早風拓哉
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Abstract

一種電路基板的製造方法，其包括下述步驟：從形成於暫時基材上的電路將前述暫時基材去除的步驟；及，將前述電路配置於絕緣層上的步驟；並且，前述配置是以使前述電路的與前述暫時基材相對向的一側與前述絕緣層相對向的方式進行。

Description

電路基板的製造方法及電路基板
本發明是有關一種電路基板的製造方法及電路基板。
隨著電子機器小型化及高機能化的進展，目前正廣泛使用印刷電路基板，來作為能夠將電子零件高密度安裝在基板上之電路基板。印刷電路基板一般是以下述方式來製造：將金屬箔貼附在基板上並將該金屬箔進行蝕刻而加工成期望的電路形狀。
另一方面，隨著電子機器的使用環境多樣化，而尋求電路基板的電流容量增加(大電流化)。電路基板的電流容量能夠以使電路的剖面積增加的方式而使其增加。然而，在印刷電路基板中，當增加電路的厚度時，藉由蝕刻來形成電路的手段，技術上有困難(例如電路會成為錐形而難以確保電路間的絕緣性)。此外，若增加電路的厚度，則浸漬於蝕刻液中的浸漬時間會延長，而有會對品質造成影響的疑慮。因此，為了增加藉由蝕刻來形成的電路的剖面積，必須增加線路的寬度來取代增加線路的厚度。其結果，有時無法滿足使電路基板小型化的需求。
作為電路基板的一面對應於小型化一面大電流化的方法，已提出一種方法，其是將預先形成有電路之金屬構件埋設於包含樹脂之絕緣層中(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2001-36201號公報
[發明所欲解決的問題] 　　專利文獻1中所記載的方法中，是藉由下述方式來製造電路基板：將金屬構件壓入因熱而軟化的絕緣層中。然而，此方法中，在將金屬構件壓入樹脂基材中的時候，在金屬構件與絕緣層的界面會產生空隙、或發生金屬構件位置偏移、被擠壓出來的樹脂隆起等而使尺寸改變，其結果，有絕緣可靠性降低的可能性。
本發明是鑒於上述情況而完成，所欲解決的問題在於提供一種電路基板的製造方法及電路基板，該電路基板的製造方法能夠製造電流容量大且絕緣可靠性優異的電路基板，該電路基板的電流容量大且絕緣可靠性優異。 [解決問題的技術手段]
提供解決上述問題的具體手段，包含下述實施態樣。 ＜1＞ 一種電路基板的製造方法，其包括下述步驟： 　　從形成於暫時基材上的電路將前述暫時基材去除的步驟；及， 　　將前述電路配置於絕緣層上的步驟； 並且，前述配置是以使前述電路的與前述暫時基材相對向的一側與前述絕緣層相對向的方式進行。 ＜2＞ 如＜1＞所述的電路基板的製造方法，其中，前述電路是藉由從具有電路部和電橋之金屬構件將前述電橋去除來形成，該金屬構件是配置於前述暫時基材上。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的電路基板的製造方法，其中，進一步包括以樹脂來將形成於前述暫時基材上的前述電路之間的部位填充的步驟。 ＜4＞ 如＜1＞至＜3＞中任一項所述的電路基板的製造方法，其中，前述電路的厚度為350 μm以上。 ＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一項所述的電路基板的製造方法，其中，前述絕緣層的厚度較前述電路的厚度更薄。 ＜6＞ 一種電路基板，其具有絕緣層與電路，該電路是配置於前述絕緣層上，且前述電路的厚度為350 μ以上。 ＜7＞如＜6＞所述的電路基板，其中，進一步包含樹脂，該樹脂是用以將前述電路之間的部位填充。 ＜8＞如＜6＞或＜7＞所述的電路基板，其中，前述絕緣層的厚度較前述電路的厚度更薄。 [功效]
根據本發明，能夠提供一種電路基板的製造方法及電路基板，該電路基板的製造方法能夠製造電流容量大且絕緣可靠性優異的電路基板，該電路基板的電流容量大且絕緣可靠性優異。
以下詳細說明本發明的實施方式。惟，本發明並不受下述實施形態所限定。下述實施形態中，其構成要素(亦包含要素步驟等)，除了有特別明示的情形以外，其餘均非必要。數值及其範圍亦相同，並非用以限制本發明。 　　本說明書中，「步驟」的用語，除了從其它步驟獨立出的步驟以外，即使無法與其它步驟明確區分，只要能夠達成該步驟的目的，則亦包含在該步驟中。 　　此外，本說明書中，使用「～」來表示的數值範圍中，包含「～」前後所記載的數值來分別作為最小值及最大值的範圍。 　　在本說明書中分階段記載的數值範圍中，一個數值範圍中記載的上限值或下限值，可置換為其它分階段記載的數值範圍的上限值或下限值。此外，在本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值，可置換為實施例中所揭示的值。 　　本說明書中，「層」的用語，除了在觀察該層所存在的區域時形成於整個該區域的情形以外，亦包含形成於該區域的一部分的情形。
＜電路基板的製造方法＞ 　　本實施形態的電路基板的製造方法包括下述步驟：從形成於暫時基材上的電路將前述暫時基材去除的步驟；及，將前述電路配置於絕緣層上的步驟；並且，前述配置是以使前述電路的與前述暫時基材相對向的一側與前述絕緣層相對向的方式進行。
一實施態樣中，要形成於絕緣層上的電路的厚度為350 μm以上。另一實施態樣中，絕緣層的厚度較電路的厚度更薄。另一實施態樣中，將絕緣層的厚度設為A、電路的厚度設為B時，A/B的值可為0.8以下，亦可為0.5以下。
本實施形態的製造方法中，是以下述方式來於絕緣層上形成電路：從形成於暫時基材上的電路將暫時基材去除，並以使電路的與暫時基材相對向的一側與絕緣層相對向的方式將電路配置於絕緣層上。因此，無將電路壓入絕緣層中而在電路與絕緣層的界面產生空隙之虞。此外，無因將電路壓入絕緣層中而發生電路位置偏移而損害尺寸安定性之虞。結果，能夠製造絕緣可靠性優異的電路。
並且，本實施形態的製造方法中，是使用預先形成於暫時基材上的電路來形成電路。因此，相較於藉由蝕刻來於絕緣層上形成電路的情形，能夠形成厚度更厚的電路。因此，能夠在不增加電路的寬度的情形下增加其剖面積，而能夠達成電路基板的一面對應於小型化一面大電流化。此外，形成厚度較厚的電路，而電路會促進熱朝向面方向擴散，故亦能夠期待抑制電路基板的溫度上升的效果。
本說明書中，電路「配置」於絕緣層上的狀態中包含下述情形兩者：電路完全未埋入絕緣層中的情形(埋入深度為0 μm)；及，電路埋入絕緣層中的深度為20 μm以內的情形。
本說明書中，所謂電路的「埋入深度」，是意指絕緣層的上面(與電路相對向的面，且因電路埋入而變形前的狀態的面)與電路的底面(與絕緣層相對向的面，且埋入後的狀態的面)之間的距離。具體而言，可為下述值：以從配置於絕緣層上前的電路的厚度A與絕緣層的厚度B的合計值減去將電路配置於絕緣層上後的電路基板的形成有電路的部分的厚度C而得的值亦即A＋B－C的形式計算而得的值；或是觀察電路基板的剖面並測定埋入深度而得的值。 　　當電路基板中的埋入深度不固定時，將在5處測得的埋入深度的平均值設為「埋入深度」。再者，本說明書中，電路的埋入深度超過20 μm的情形亦稱為「埋設」。
本實施形態的製造方法中，從形成於暫時基材上的電路將暫時基材去除的方法無特別限制。可以下述方式進行，例如：使用具有可撓性的薄片來作為暫時基材並將此薄片從電路剝離。
本實施形態的製造方法中，將經將暫時基材去除的電路配置於絕緣層上的方法無特別限制。例如：可以朝向重力方向觀看時電路成為上方的方式進行、以朝向重力方向觀看時絕緣層成為上方的方式進行、或以其它方法來進行。
從提高電路與絕緣層間的密合性的觀點來看，較佳是在將電路配置於絕緣層上時進行加熱及加壓中的至少一種。當在將電路配置於絕緣層上時加熱時，加熱的溫度無特別限制。例如：能夠從50℃～250℃的範圍中選出。當在將電路配置於絕緣層上時加壓時，加壓的壓力無特別限制。例如：能夠從0.1 MPa～50 MPa的範圍中選出。
(絕緣層) 　　本實施形態的製造方法中所使用的絕緣層可包含樹脂。絕緣層中所含的樹脂無特別限制，可舉例如：環氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、胺酯(urethane)樹脂、矽氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂等熱硬化性樹脂。絕緣層中所含的樹脂可為1種或2種以上。從電絕緣性及對電路的黏著性的觀點來看，絕緣層較佳是包含從由環氧樹脂、矽氧樹脂及胺酯樹脂所組成的群組中選出的至少一種。絕緣層可因應需要來包含填料等樹脂以外的成分。
絕緣層的厚度無特別限制，能夠因應電路基板的用途等來選擇。從確保充分的絕緣性的觀點來看，絕緣層的厚度以60 μm以上為佳，以90 μm以上較佳，以120 μm以上更佳。
從確保充分的散熱性的觀點來看，絕緣層的厚度越薄越佳。例如：以230 μm以下為佳，以210 μm以下較佳，以190 μm以下更佳。
絕緣層可由獨立的構件(樹脂薄片等)所形成、或將絕緣層的材料供給至配置於電路基板的下側的底板上來形成。當絕緣層由獨立的構件所形成時，有容易製造大面積的電路基板而在生產面上較有利的傾向。另一方面，當絕緣層形成於底板上時，有底板與絕緣層間的密合性會提高的傾向。將絕緣層的材料供給至底板上的方法無特別限制，可舉例如：分配方式、噴霧方式、凹版方式、網版印刷等印刷方式等。
從一面抑制電路埋入絕緣層中一面提高電路與絕緣層間的黏著性的觀點來看，絕緣層較佳是在要配置電路時為B階段的狀態。更具體而言，絕緣層較佳是絕緣層中所含的熱硬化性樹脂經半硬化的狀態。此處，所謂B階段，是指絕緣層的黏度在常溫(25℃)為104 Pa‧s～109 Pa‧s，在100℃為102 Pa‧s～107 Pa‧s，黏度會因溫度從常溫(25℃)變化至100℃而降低0.001％～50％。此外，硬化後的絕緣層即使藉由加熱亦不會熔融。再者，上述黏度能夠藉由動態黏彈性測定(頻率1 Hz、載重40 g、升溫速度3℃/分鐘)來測定。
(電路) 　　本實施形態的製造方法中，要配置於絕緣層上的電路無特別限制，能夠因應電路基板的用途等來選擇。從電路基板大電流化的觀點來看，電路的厚度以350 μm以上為佳，以400 μm以上較佳，以500 μm以上更佳。從電路基板本身的容積的觀點來看，電路的厚度以5000 μm以下為佳。本說明書中，電路的厚度是意指電路本身的厚度，當電路埋入絕緣層中時，埋入的部分的厚度亦包含在電路的厚度中。
電路基板中的電路的寬度及長度無特別限制，能夠因應電路基板的用途等來選擇。例如：能夠從350 μm～20000 μm的範圍中選出。
電路的材質無特別限制。可舉例如：銅、銀、鉻銅、鎢銅、鎳、鍍鎳銅、鋁、對防蝕鋁(alumite)進行表面修飾而成的鋁等。
電路的與絕緣層接觸的一側的面以產生較少空隙而能夠與絕緣層充分密合的狀態為佳。為了提高對溫度、濕度等的耐環境性，可藉由粗糙化處理等來於電路的與絕緣層接觸的一側的面形成作為定錨的凹凸。粗糙化處理的方法無特別限制，可為物理性的方法、或化學性的方法。物理性的方法可舉例如：銼磨、砂磨處理、雷射照射等，化學性的方法可舉例如：氧化鎂處理、銅表面粗糙化(CZ)處理、黑化處理、蝕刻處理等。粗糙化處理可藉由任一種方法來進行、將物理性的方法與化學性的方法組合來進行、將化學性的方法彼此組合來進行、或將物理性的方法彼此組合來進行。
要配置於絕緣層上前的電路較佳是藉由下述方式來形成於暫時基材上：將具有電路部及電橋的金屬構件配置於暫時基材上，然後從金屬構件將電橋去除。金屬構件的電路部為作為電路基板的電路的部分。電橋為連繫電路部彼此或電路部與外框以將金屬構件中的電路部的位置固定的部分，且在將金屬構件配置於暫時基材上後會去除。
於金屬構件形成電路部及電橋的方法無特別限制。能夠藉由下述方法來進行，例如：切削、蝕刻、衝切、拋光等。從在將金屬構件配置於暫時基材上後將電橋去除而殘留電路部的觀點來看，電橋的厚度較佳是較電路部的厚度更薄。
將金屬構件配置於暫時基材上後從金屬構件將電橋去除的方法無特別限制。能夠藉由下述方法來進行，例如：衝切、切削、蝕刻、藉由雷射來切割等。
本實施形態的製造方法可進一步包括以樹脂來將形成於暫時基材上的電路之間的部位填充的步驟。以樹脂來將電路之間的部位填充，即能夠確保充分的電路基板的耐濕可靠性，而有抑制下述情形發生的傾向：沿面放電、部分放電、灰塵漏電(tracking)、絕緣不良(migration)等。此外，我們認為：即使為形狀複雜的電路圖案，相較於將電路壓入絕緣層中的方法，仍能夠使樹脂更充分地遍及電路之間，而能夠更加提高絕緣可靠性。
用於填充的樹脂無特別限制。可舉例如：環氧樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、胺酯樹脂、矽氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、丙烯酸系樹脂等熱硬化性樹脂。用於填充的樹脂可為1種或2種以上。從電絕緣性及黏著性的觀點來看，用於填充的樹脂較佳是包含從由環氧樹脂、矽氧樹脂及胺酯樹脂所組成的群組中選出的至少一種。用於填充的樹脂可因應需要來包含填料等樹脂以外的成分。
以樹脂來將電路之間的部位填充的方法無特別限制。能夠藉由下述方法來進行，例如：使用粉末狀的樹脂材料的塑模法、使用液狀的樹脂的澆鑄法、塗佈法、使固體狀的樹脂熔融後壓入間隙中的加壓法或擠壓成形法等。
填充在電路之間的樹脂的量可為下述量：使所填充的樹脂的高度成為與電路的高度相同高度的量；使所填充的樹脂的高度成為較電路的高度更低的高度的量；或是使所填充的樹脂的高度成為超過電路的高度的高度的量。
當所填充的樹脂的高度較電路的高度更低時，較佳是以下述方式進行：不會因在將電路配置於絕緣層上時加壓而在所填充的樹脂中產生空隙。 　　從使在將電路配置於絕緣層上施加的壓力平均分布而抑制絕緣性不充分處產生的觀點來看，較佳為下述量：使所填充的樹脂的高度成為與電路的高度相同高度的量；或是使所填充的樹脂的高度成為以包含樹脂的變形份在內的方式較電路的高度稍微更低的高度的量。
本實施形態的製造方法可因應需要來具有上述步驟以外的其它步驟。可具有下述步驟，例如：使熱硬化性樹脂硬化的步驟；於形成於絕緣層上的電路上進一步設置以絕緣等為目的的層的步驟；將所製得的電路基板切割成期望的形狀的步驟等。
＜電路基板＞ 　　本實施形態的電路基板具有絕緣層與電路，該絕緣層包含樹脂，該電路是配置於前述絕緣層上，且前述電路的厚度為350 μm以上。
相較於經將電路埋設於絕緣層的狀態的電路基板，本實施形態的電路基板的絕緣可靠性更優異。其理由雖尚不明確，但我們認為應為：相較於壓入絕緣層中來形成電路的情形在電路與絕緣層的界面更不容易產生空隙、相較於將電路壓入絕緣層中的情形更不容易發生電路位置偏移而尺寸安定性更優異等。
並且，本實施形態的電路基板的電路的厚度為350 μm以上。因此，相較於藉由蝕刻來於絕緣層上形成電路的電路基板，更能夠在不增加電路的寬度的情形下增加其剖面積，而更能夠達成電路基板的一面對應於小型化一面大電流化。此外，形成厚度較厚的電路，而電路會促進熱朝向面方向擴散，故亦能夠期待抑制電路基板的溫度上升的效果。
一實施態樣中，電路基板的絕緣層的厚度較電路的厚度更薄。 　　本實施形態的電路基板中所使用的絕緣層及電路的詳細內容及較佳的實施態樣，與上述電路基板的製造方法中所使用的絕緣層及電路的詳細內容及較佳的實施態樣相同。
本說明書中，電路「配置」於絕緣層上的狀態中包含下述情形兩者：電路完全未埋入絕緣層中的情形(埋入深度為0 μm)；及，電路埋入絕緣層中的深度為20 μm以內的情形。
本說明書中，所謂電路的「埋入深度」，是意指絕緣層的上面(與電路相對向的面，且因電路埋入而變形前的狀態的面)與電路的底面(與絕緣層相對向的面，且埋入後的狀態的面)之間的距離。具體而言，可為下述值：以從配置於絕緣層上前的電路的厚度A與絕緣層的厚度B的合計值減去將電路配置於絕緣層上後的電路基板的形成有電路的部分的厚度C而得的值亦即A＋B－C的形式計算而得的值；或是觀察電路基板的剖面並測定埋入深度而得的值。 　　當電路基板中的埋入深度不固定時，將在5處測得的埋入深度的平均值設為「埋入深度」。
本實施形態的電路基板可經以樹脂來將電路之間的部位填充。用於填充的樹脂的詳細內容及較佳的實施態樣，與在上述電路基板的製造方法中用於將電路之間的部位填充的樹脂的詳細內容及較佳的實施態樣相同。
本實施形態的電路基板可因應需要來具有電路、絕緣層、及將電路之間的部位填充的樹脂以外的構件。例如：可將底板、散熱片等構件配置於絕緣層的與要配置電路的一側相反側。此等構件的材質無特別限制，可舉例如：銅、鋁、鎢銅、鉬銅等銅合金、鍍鎳銅等。
以下，參照圖式來說明本實施形態的電路基板的製造方法及電路基板的具體例，但本實施形態並不限於此。此外，各圖中的構件的大小僅為概念，構件間的大小的相對關係不限於此。
第1圖是概念地顯示將具有電路部1與電橋2之金屬構件配置於暫時基材10上的狀態的斜視圖，第2圖是概念地顯示該狀態的剖面圖。如第1圖及第2圖所示，電橋2連接著金屬構件的電路部1彼此、或電路部1與金屬構件的外框。藉此，容易將金屬構件配置於暫時基材10上。此外，電橋2的厚度較電路部1更薄。藉此，在將金屬構件配置於暫時基材10上後能夠容易僅將電橋2去除。
第3圖是概念地顯示將電橋2從金屬構件去除後的狀態的斜視圖，第4圖是概念地顯示該狀態的剖面圖。如第3圖及第4圖所示，將電橋2去除而成為在暫時基材10上僅配置有電路部1的狀態。
第5圖是概念地顯示以樹脂5來將電路部1之間的部位填充後的狀態的斜視圖，第6圖是概念地顯示該狀態的剖面圖。
第7圖是概念地顯示將暫時基材10去除後的電路部1與樹脂5一起配置於絕緣層4上的狀態的斜視圖，第8圖是概念地顯示該狀態的概念的剖面圖。在第7圖及第8圖中，於絕緣層4的配置有電路部1之一側的相反側，配置有散熱片3。
第9圖是概念地顯示具有藉由蝕刻而形成的電路1之電路基板(習知技術)的斜視圖，第10圖是概念地顯示該狀態的剖面圖。當藉由蝕刻來形成電路時，若增加電路的厚度，則有所形成的電路容易成為錐形而電路間會變狹窄而難以保持絕緣性的傾向。此外，因為若浸漬在蝕刻液中的浸漬時間延長則有會對品質造成影響的疑慮等理由，能夠形成的電路的厚度的極限一般是200 μm左右。因此，增加電路的寬度而增加電流容量，並且，緩和熱集中在電路上的晶片、電容器等零件的情況。相反地，由於電路所佔的面積增加，故不利於電路基板小型化。 [實施例]
以下藉由實施例來更具體說明本發明，但本發明並不受此等實施例所限定。
＜實施例1＞ 　　使用厚度500 μm的銅板，藉由切削及衝切來製作具有電路部及電橋的金屬構件。將此金屬構件配置於暫時基材(聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜)上，並將電橋去除來形成電路後，使用樹脂(日立化成股份有限公司製，CEL-C-3900)來將電路之間的部位填充。
從作為絕緣層的樹脂薄片(使用環氧樹脂組成物而得的B階段薄片，日立化成股份有限公司製，型號「HTX」，填料的填充率85質量％，厚度150 μm)的一側的面將保護用PET薄膜剝離。然後，以使將保護用PET薄膜剝離後的面相對向的方式將樹脂薄片配置於作為散熱片的銅板(厚度500 μm)上。
然後，將從形成於暫時基材上的電路將暫時基材剝離，並將電路配置於樹脂薄片上。電路的配置是以使與暫時基材相對向的面與樹脂薄片的另一側的將保護用PET薄膜剝離後的面相對向的方式配置。電路的配置是藉由真空熱壓合來進行。具體而言，加壓溫度是將50℃設為開始溫度並在3℃/分鐘的條件下升溫直到180℃為止，並在180℃保持2小時後，在維持加壓的狀態下冷卻直到50℃為止。此期間的真空度是從開始升溫前直到冷卻結束為止設為1 kPa以下，加壓壓力是設為10 MPa。以上述方式進行，而製作電路基板。
＜實施例2＞ 　　除了使用使用厚度1000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來製得的金屬構件、使用厚度1000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來作為散熱片以外，其餘與實施例1同樣進行，而製作電路基板。
＜實施例3＞ 　　除了使用使用厚度2000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來製得的金屬構件、使用厚度2000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來作為散熱片以外，其餘與實施例1同樣進行，而製作電路基板。
＜實施例4～6＞ 　　除了將電路配置於絕緣層上時的加壓壓力從10 MPa變更為30 MPa以外，其餘分別與實施例1～3同樣進行，而製作電路基板。
＜比較例1＞ 　　除了未以樹脂來將電路之間的部位填充以外，其餘與實施例1同樣進行，而於暫時基材上形成電路。然後，將實施例1中所使用的樹脂薄片積層6片而得的積層體，配置於作為散熱片的銅板(厚度500 μm)上來作為絕緣層。將經將暫時基材去除的電路配置於此絕緣層上，並設置1200 μm的間隔件以保持絕緣層的厚度。電路的設置是藉由真空熱壓合來進行。具體而言，加壓溫度是將50℃設為開始溫度並在3℃/分鐘的條件下升溫直到180℃為止，並在180℃保持2小時後，在維持加壓的狀態下冷卻直到50℃為止。此期間的真空度是從開始升溫前直到冷卻結束為止設為1 kPa以下，加壓壓力是設為15 MPa。以上述方式進行，而製作電路埋設於絕緣層中的狀態的電路基板。
＜比較例2＞ 　　除了使用使用厚度1000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來製得的金屬構件、使用厚度1000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來作為散熱片、使用將樹脂薄片積層9片而得的積層體來作為絕緣層、使用2200 μm的間隔件取代1200 μm的間隔件以外，其餘與比較例1同樣進行，而製作電路埋設於絕緣層中的狀態的電路基板。
＜比較例3＞ 　　除了使用使用厚度2000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來製得的金屬構件、使用厚度2000 μm的銅板取代厚度500 μm的銅板來作為散熱片、使用將樹脂薄片積層16片而得的積層體來作為絕緣層、使用4200 μm的間隔件取代1200 μm的間隔件以外，其餘與比較例1同樣進行，而製作電路埋設於絕緣層中的狀態的電路基板。
＜埋入深度的測定＞ 　　從使用三維測定機(KEYENCE股份有限公司製，型號：VR-3000D)來對所製得的電路基板的形成有電路的部分的厚度進行定量而得的值C、及用於製作電路的銅板的厚度A及絕緣層的厚度B，算出電路的埋入深度亦即A＋B－C。結果是如表1所示。
(絕緣破壞電壓的測定) 　　將電路基板的形成有電路的一側的面及散熱片的面分別與電極連接。然後，將電路基板的整體置入Fluorinert中，進行絕緣破壞電壓的測定。測定條件是將測定開始電壓設為500(V)，重複進行每500(V)階段性地提高電壓並保持30秒，將電流值超過0.2(mA)後的電壓設為絕緣破壞電壓。結果是如表1所示。
(熱阻的測定) 　　將所製得的電路基板切割成10 mm×10 mm的大小，而製作熱阻測定用的樣品。使用矽氧潤滑脂(信越化學工業股份有限公司製，X-22-7868-2D)，並施加1 MPa載重，來使此樣品與熱阻評估裝置(YAMAYO測試機股份有限公司製，型號YST-901S)密合。然後，將輸入電力設為13W、樣品的溫度設為50℃、水溫設為30℃，測定樣品的上下面的溫度差ΔT，並以下式來測定熱阻值。 　熱阻值(℃/W)＝ΔT/輸入熱量－裝置常數
(位置偏移的評估) 　　藉由光學顯微鏡來確認電路基板的電路有無位置偏移。具體而言，有電路基板的高度方向的電路的位置從既定位置偏移50 μm以上之處的情形設為「不合格」，無電路基板的高度方向的電路的位置從既定位置偏移50 μm以上之處的情形設為「合格」
[表1]
Figure TW201803423AD00001
如表1所示，相較於電路埋入絕緣層中的深度超過20 μm的比較例1～3的電路基板，電路未埋入絕緣層中或電路埋入絕緣層中的深度為20 μm以下的實施例1～6的電路基板的熱阻值及絕緣破壞電壓的值更小。此外，電路位置偏移的評估亦良好。
1‧‧‧電路部
2‧‧‧電橋
3‧‧‧散熱片
4‧‧‧絕緣層
5‧‧‧樹脂
6‧‧‧電路
7‧‧‧樹脂
10‧‧‧暫時基材
第1圖是概念地顯示將具有電路部與電橋之金屬構件配置於暫時基材上的狀態的斜視圖。 　　第2圖是概念地顯示將具有電路部與電橋之金屬構件配置於暫時基材上的狀態的剖面圖。 　　第3圖是概念地顯示將電橋從金屬構件去除後的狀態的斜視圖。 　　第4圖是概念地顯示將電橋從金屬構件去除後的狀態的剖面圖。 　　第5圖是概念地顯示以樹脂來將電路之間的部位填充後的狀態的斜視圖。 　　第6圖是概念地顯示以樹脂來將電路之間的部位填充後的狀態的剖面圖。 　　第7圖是概念地顯示在絕緣層上配置有電路的狀態的斜視圖。 　　第8圖是概念地顯示在絕緣層上配置有電路的狀態的剖面圖。 　　第9圖是概念地顯示具有藉由蝕刻而形成的電路之電路基板(習知技術)的斜視圖。 　　第10圖是概念地顯示具有藉由蝕刻而形成的電路之電路基板(習知技術)的概念的剖面圖。
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1‧‧‧電路部
3‧‧‧散熱片
4‧‧‧絕緣層
5‧‧‧樹脂

Claims (8)

  1. 一種電路基板的製造方法，其包括下述步驟： 　　從形成於暫時基材上的電路將前述暫時基材去除的步驟；及， 　　將前述電路配置於絕緣層上的步驟； 並且，前述配置是以使前述電路的與前述暫時基材相對向的一側與前述絕緣層相對向的方式進行。
  2. 如請求項1所述的電路基板的製造方法，其中，前述電路是藉由從具有電路部和電橋之金屬構件將前述電橋去除來形成，該金屬構件是配置於前述暫時基材上。
  3. 如請求項1或2所述的電路基板的製造方法，其中，進一步包括以樹脂來將形成於前述暫時基材上的前述電路之間的部位填充的步驟。
  4. 如請求項1至3中任一項所述的電路基板的製造方法，其中，前述電路的厚度為350 μm以上。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的電路基板的製造方法，其中，前述絕緣層的厚度較前述電路的厚度更薄。
  6. 一種電路基板，其具有絕緣層與電路，該電路是配置於前述絕緣層上，且前述電路的厚度為350 μ以上。
  7. 如請求項6所述的電路基板，其中，進一步包含樹脂，該樹脂是用以將前述電路之間的部位填充。
  8. 如請求項6或7所述的電路基板，其中，前述絕緣層的厚度較前述電路的厚度更薄。
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