TW201802269A - 光罩空白基板及光罩之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種光罩空白基板，其含有透明基板、與形成於透明基板上之含有矽及氮、不含過渡金屬的遮光膜，該遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。
本發明可提供一種光罩空白基板，其具有含矽之遮光膜，該遮光膜之膜厚薄、且加工性佳。
Description
本發明係關於一種光罩空白基板及光罩之製造方法，該光罩空白基板適於作為半導體積體電路等之製造時所使用的光罩原料。
使用於各種用途的半導體積體電路，為了提升集成度及減低耗電量，而進行了更微細的電路設計。又，伴隨於此，用以形成電路之使用光罩的微影技術，亦由45nm節點(node)、往32nm節點、再往20nm節點以下持續進行微細化技術的開發。為了得到更微細的影像，於曝光光源使用更短波長者，於現今最先進的實用加工步驟，曝光光源已由KrF準分子雷射光(248nm)變成使用A rF準分子雷射光(193nm)。又，為了得到更細微的影像，而使用高解析度技術持續進展之浸液曝光、變形照明、輔助圖型等。光微影所使用之光罩，除由透光部與遮光部所構成之二元式光罩之外，作為利用光的干涉之相移光罩，開發了半透(halftone)型相移光罩、雷文生(Levenson)型
相移光罩、無鉻膜(Chromeless)型相移光罩等。
作為如此之光罩原料所使用之光罩空白基板，係於曝光光可穿透的透明基板上，設置將曝光光遮光之遮光膜、使曝光光之相位改變的相移膜等之無機膜，光罩，係藉由將形成於光罩空白基板上之遮光膜或相移膜等無機膜圖型化而製造。該無機膜，例如遮光膜，一般係使用含有鉻之鉻系的膜、或含有鉬與矽之鉬矽系的膜等，作為可減低起因於EMF(Electro Magnetics Field，電磁場)效應之EMF偏壓的膜，亦揭示了使用矽單體之膜者。
專利文獻1：日本特開2014-191176號公報
專利文獻2：日本特開昭59-139033號公報
遮光膜為了作成能成為既定遮光度的膜厚，需要某種程度的膜厚，而於含有矽的膜，為了進行更微細的加工，重要的在於薄化遮光膜的膜厚、並確保高加工性、特別是提高蝕刻速度。藉由加速蝕刻速度，例如可減低圖案形成所使用之光阻膜的膜厚，又，即使於遮光膜上形成硬遮罩膜時，亦可減低硬遮罩膜的膜厚，而能減低用以加工硬遮罩膜之光阻膜的膜厚。因此，於含有矽的膜，於該圖案形成時，亦期盼加工性更佳的膜。
本發明係用以解決上述課題所完成者，其目的在於提供一種光罩空白基板、及使用該光罩空白基板之光罩之製造方法，該光罩空白基板，係具有含矽之遮光膜，該遮光膜之膜厚薄、且加工性佳。
本發明人等，為了解決上述課題而努力探討的結果發現，藉由下述光罩空白基板，可使遮光膜為薄、並可提升有助於其加工性之蝕刻速度，而完成本發明。該光罩空白基板，其含有透明基板、與形成於透明基板上之遮光膜，其中，遮光膜為含有矽及氮、不含過渡金屬之膜，且遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。
因此，本發明係提供以下之光罩空白基板、及光罩之製造方法。
請求項1：一種光罩空白基板，其含有透明基板、及形成於透明基板上，含有矽及氮、不含過渡金屬之遮光膜的光罩空白基板，其特徵係，該遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。
請求項2：如請求項1之光罩空白基板，其特徵係，上述遮光層係由矽及氮所構成。
請求項3：如請求項1或2所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述遮光膜係由單層之上述遮光層所構成。
請求項4：如請求項1或2所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬的反射率降低層所構成。
請求項5：如請求項4所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述反射率降低層之矽含有率較上述遮光層之矽含有率為低，上述反射率降低層之矽含有率為43原子%以上60原子%以下，氮含有率為40原子%以上57原子%以下。
請求項6：如請求項4或5所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述反射率降低層之厚度為30nm以下。
請求項7：如請求項1或2所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬之於厚度方向之組成呈連續性變化的傾斜組成層所構成。
請求項8：
如請求項7所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述傾斜組成層之厚度為30nm以下。
請求項9：如請求項7或8所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述傾斜組成層為反射率降低層，其係設置於上述遮光層之遠離上述透明基板之側，而矽含有率於遠離上述透明基板的方向連續地減少。
請求項10：如請求項9所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述傾斜組成層之遠離上述透明基板之側的表面，矽含有率為43原子%以上60原子%以下，氮含有率為40原子%以上57原子%以下。
請求項11：如請求項1至10中任一項所記載之光罩空白基板，其特徵係，上述遮光膜之膜厚為70nm以下。
請求項12：如請求項1至11中任一項所記載之光罩空白基板，其特徵係進一步具有與上述遮光膜之遠離上述透明基板之側接觸、蝕刻特性與上述遮光膜不同的硬遮罩(hard mask)膜。
請求項13：如請求項1至12中任一項所記載之光罩空白基板，其特徵係進一步具有與上述遮光膜之上述透明基板側接觸、蝕刻特性與上述遮光膜不同的蝕刻阻擋(etching
stopper)膜。
請求項14：如請求項1至13中任一項所記載之光罩空白基板，其特徵係進一步具有相移膜。
請求項15：如請求項1至14中任一項所記載之光罩空白基板，其特徵係以ArF準分子雷射作為曝光光。
請求項16：一種光罩之製造方法，其特徵係使用有如請求項1至15中任一項所記載之光罩空白基板。
藉由本發明，作為具有含矽之遮光膜的光罩空白基板，可提供具有膜厚薄、且加工性佳之遮光膜的光罩空白基板。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光膜
21‧‧‧遮光層
22‧‧‧反射率降低層
101‧‧‧腔體
102‧‧‧接地
103‧‧‧下部電極
104‧‧‧天線線圈
105‧‧‧被處理基板
RF1、RF2‧‧‧高頻電源
圖1，係顯示本發明之光罩空白基板之一例之截面圖。
圖2，係顯示本發明之光罩空白基板之另一例之截面圖。
圖3，(A)係顯示實驗例中成膜之各膜之組成、與膜厚之關係的圖表，(B)係顯示實驗例中各膜之組成、與蝕刻速度之關係的圖表。
圖4，係顯示實驗例所使用之乾式蝕刻裝置之概略圖。
以下，更詳細地說明本發明。
本發明之光罩空白基板，具有透明基板、與形成於透明基板上之遮光膜。遮光膜，係由含有矽及氮、不含過渡金屬之材料所形成。而遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。藉由如此，可薄化可達既定光學濃度(OD)的膜厚，且可加速蝕刻速度。又，藉由使其不含過渡金屬，可成為雷射照射耐性良好的膜，例如，即使以累積照射量為30kJ/cm2以上、特別是40kJ/cm2以上照射曝光光，亦能製作線寬變動小的光罩。
本發明之光罩空白基板中之透明基板，基板的種類及基板尺寸並無特別限制，可使用於作為曝光波長所使用的波長下為透明的石英基板等，例如，較佳為SEMI標準中所規定之邊長6英吋、厚度0.25英吋之稱為6025基板的透明基板。6025基板，當使用SI單位系時，通常標記為邊長152mm、厚度6.35mm之透明基板。
本發明之光罩空白基板，遮光膜所含之遮光層中，相對於矽及氮之合計之氮的比率，較佳為5原子%以上、更佳為10原子%以上、特佳為13原子%以上，及較佳為45
原子%以下、更佳為40原子%以下、特佳為35原子%以下。遮光膜，以由矽及氮所構成(亦即，SiN膜)為佳，構成遮光膜之單層或多層的遮光層，矽及氮之合計較佳為70原子%以上、更佳為80原子%以上、特佳為90原子%以上，特別是以僅由矽及氮所構成(亦即，SiN層)為佳。
遮光膜可作為單層。遮光膜為單層之光罩空白基板，具體而言，可舉例如圖1所示之於透明基板1上形成有單層之遮光膜2者。當遮光膜為單層時，遮光膜係由單層之遮光層所構成。藉由使遮光膜為單層，可使圖型形狀良好。若以矽單體形成遮光膜，則反射率會變高，故於該場合，為了減低反射率，必須設置遮光性低的反射率降低層，但於本發明的空白光罩基板，例如，藉由增多遮光膜的氮量，即使遮光膜為單層，亦可使遮光膜之對於曝光光的反射率更為降低。特別是，若將遮光層(亦即，遮光膜)作成不含氧的材料、特別是由矽及氮所構成之材料(亦即，SiN)，則可使遮光膜更為薄膜化，故較佳。
又，亦可將遮光膜作為多層(亦即，以2或3層以上構成)。當以多層構成遮光膜時，例如，可作成除遮光層之外，亦含有含矽及氮、不含過渡金屬之反射率降低層的構成，特別是，遮光膜以僅由遮光層及反射率降低層構成為佳。遮光膜為遮光層與反射率降低層之2層的光罩空白基板，具體而言，可舉例如圖2所示般，於透明基板1上形成有依序由遮光層21及反射率降低層22所構成的遮光
膜2。又，亦可於遮光層之透明基板側設置反射率降低層。又，遮光膜，於遮光層之透明基板側，亦可含有密合性改善層。
於該場合，較佳為，反射率降低層之矽含有率較遮光層之矽含有率為低。又，反射率降低層之矽含有率較佳為43原子%以上60原子%以下，氮含有率較佳為40原子%以上57原子%以下。於該場合，反射率降低層亦可含有氧，但若使遮光層及反射率降低層兩者皆為不含氧的材料、特別是由矽及氮所構成的材料(亦即，SiN)，可使遮光膜更薄膜化，故較佳。反射率降低層之厚度，較佳為遮光膜整體的40%以下、特佳為30%以下。具體而言，藉由使其較佳為30nm以下、更佳為20nm以下、特佳為10nm以下，可使遮光膜整體之厚度更薄膜化，故較佳。反射率降低層之厚度通常為2nm以上。
再者，構成遮光膜之多層之遮光層與遮光層以外之層的組成差，愈小於蝕刻中愈不易形成段差，故較佳。因此，較佳為，使構成遮光膜之多層之遮光層與遮光層以外之層，為遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬之於厚度方向之組成呈連續性變化之傾斜組成層的組合。其之組成的變化，於厚度方向組成為連續地增加、或連續地減少皆可，又，亦可為增加與減少的組合。傾斜組成層的厚度，較佳為遮光膜整體的40%以下、特別是30%以下。具體而言，藉由使其較佳為30nm以下、更佳為20nm以下、特佳為10nm以下，可使遮光膜整體之厚度更薄膜化，故較
佳。傾斜組成層的厚度通常為2nm以上。
本發明之光罩空白基板，可抑制遮光膜對於曝光光的反射率為低的例如50%以下、特別是40%以下。特別是，為了減低遮光膜的反射率，較佳為，將反射率降低層作為傾斜組成層，並將反射率降低層設置於遮光層之遠離透明基板之側，可使矽含有率朝遠離透明基板的方向連續地減少。於該場合，特別是，使反射率降低層之遠離透明基板之側之表面中之矽含有率為43原子%以上60原子%以下、氮含有率為40原子%以上57原子%以下，於減低反射率、與控制蝕刻中之段差兩者的觀點上皆較佳。
遮光膜之膜厚，愈薄愈佳，較佳為70nm以下、更佳為60nm以下、特佳為55nm以下。遮光膜之膜厚，通常為35nm以上、特佳為40nm以上。
構成本發明之遮光膜之含有矽及氮、不含過渡金屬之層的各層，較佳為，以容易得到均質性優異之膜的濺鍍法進行成膜，而可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一方法。靶與濺鍍氣體，可依層構成及組成加以適當地選擇。靶，可使用矽靶(Si靶)、氮化矽靶、含矽與氮化矽兩者之靶等含有矽的靶、特別是主要含有矽的靶(例如，矽含有率為90原子%以上)，特佳為使用矽靶。氮之含有率，可藉由於濺鍍氣體，作為反應性氣體，使用含氮之氣體，並適當調整導入量作成反應性濺鍍，藉此來調整。反應性氣體，具體而言，可使用氮氣體(N2氣體)等。再者，濺鍍氣體，作為稀有氣體，可使用氦氣、氙氣、氬氣等惰性氣
體，惰性氣體以氬氣為佳。又，濺鍍壓力通常為0.01~10Pa、較佳為0.03~0.1Pa。
本發明之光罩空白基板，於形成遮光膜之後，亦可以較由光罩空白基板製造光罩時之圖型形成步驟所使用之溫度更高之溫度、例如150℃以上進行熱處理。熱處理之環境氣氛，可為氦氣、氬氣等之惰性氣體環境氣氛，可為氧氣環境氣氛等之存在氧的環境氣氛，亦可為真空下。
又，為了抑制遮光膜之膜質變化，作為其之表面側(遠離透明基板之側)之最表面部的層，亦可設置表面氧化層。該表面氧化層之氧含有率可為20原子%以上、亦可為50原子%以上。形成表面氧化層的方法，具體而言，除了以大氣氧化(自然氧化)之外，強制進行氧化處理之方法，可舉例如下述方法：以臭氧氣體或臭氧水對矽系材料之膜進行處理之方法；於氧氣環境氣氛等存在有氧的環境氣氛中，藉由烘箱加熱、退火燈、雷射加熱等加熱至300℃以上之方法；藉由濺鍍等以形成氧化膜之方法等。該表面氧化層之厚度較佳為10nm以下、更佳為5nm以下、特佳為3nm以下，通常，1nm以上即可得作為氧化層的效果。表面氧化層，亦可於濺鍍步驟增加氧量來形成，但為了作成缺陷更少的層，較佳為，以前述之大氣氧化、或藉氧化處理來形成。
本發明之光罩空白基板，只要於透明基板上形成有遮光膜者即可，可為於透明基板上僅形成遮光膜者，亦可於遮光膜之遠離透明基板之側(較佳為與遮光膜相接)，具
有用以加工遮光膜之硬遮罩膜(蝕刻遮罩膜)。藉由形成硬遮罩膜，可使光阻膜薄膜化，而能正確地形形成更微細的圖型，故較佳。
硬遮罩膜，只要蝕刻特性與遮光膜不同者即可，特別是，較佳為，對於使用適於含矽材料之蝕刻之氟系氣體的氟系乾性蝕刻具有耐性，而能以含有氧之氯系氣體(氯氧氣體)進行氯系乾性蝕刻的膜，特佳為含鉻材料的膜。硬遮罩膜，可以單層構成、亦可以多層構成。含鉻之材料，具體而言，可舉例如鉻單體、氧化鉻(CrO)、氮化鉻(CrN)、碳化鉻(CrC)、氮氧化鉻(CrON)、碳氧化鉻(CrOC)、碳氮化鉻(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等鉻化合物等。
當硬遮罩膜為含鉻材料時，鉻之含有率，較佳為30原子%以上、特佳為35原子%以上，較佳為100原子%以下、更佳為99原子%以下、特佳為90原子%以下。氧之含有率為0原子%以上，較佳為60原子%以下、特佳為40原子%以下。氮之含有率為0原子%以上，較佳為50原子%以下、特佳為40原子%以下。碳之含有率為0原子%以上，較佳為30原子%以下、特佳為20原子%以下。於該場合，鉻、氧、氮及碳之合計含有率為95原子%以上、更佳為99原子%以上、特佳為100原子%。硬遮罩膜之厚度，通常為1~30nm、較佳為2~20nm。硬遮罩膜，可於遮光膜之圖型形成後完全除去，又，亦可於圖型形成後殘留一部分或全部，作為輔助遮光性之膜或導電膜的功能
使用。
又，於遮光膜之透明基板側(於透明基板與遮光膜之間)，較佳為，具有與遮光膜相接之蝕刻阻擋膜。藉由形成蝕刻阻擋膜，可以更加精度控制蝕刻，故較佳。可併用蝕刻阻擋膜與硬遮罩膜。又，蝕刻阻擋膜，亦可作為對於其下之透明基板之蝕刻遮罩膜的功能，又，當具有相移膜時，亦可作為對於相移膜之蝕刻遮罩膜的功能。
蝕刻阻擋膜，只要蝕刻特性與遮光膜不同者即可，特別是，較佳為，對於使用適於含矽材料之蝕刻之氟系氣體的氟系乾性蝕刻具有耐性，而能以含有氧之氯系氣體(氯氧氣體)進行氯系乾性蝕刻的膜，特佳為含鉻材料的膜。蝕刻阻擋膜，可以單層構成、亦可以多層構成。含鉻之材料，具體而言，可舉例如鉻單體、氧化鉻(CrO)、氮化鉻(CrN)、碳化鉻(CrC)、氮氧化鉻(CrON)、碳氧化鉻(CrOC)、碳氮化鉻(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等鉻化合物等。
當蝕刻阻擋膜為含鉻材料時，鉻之含有率，較佳為30原子%以上、特佳為35原子%以上，較佳為100原子%以下、更佳為99原子%以下、特佳為90原子%以下。氧之含有率為0原子%以上，較佳為60原子%以下、特佳為55原子%以下。氮之含有率為0原子%以上，較佳為50原子%以下、特佳為40原子%以下。碳之含有率為0原子%以上，較佳為30原子%以下、特佳為20原子%以下。於該場合，鉻、氧、氮及碳之合計含有率為95原子%以
上、更佳為99原子%以上、特佳為100原子%。蝕刻阻擋膜之厚度，通常為1~20nm、較佳為2~10nm。
以含鉻材料所構成的膜，可使用鉻靶、於鉻添加選自氧、氮及碳之任1種或2種以上之靶等，於氦氣、氙氣、氬氣等稀有氣體(惰性氣體)，視成膜之膜的組成，使用適當添加選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等反應性氣體的濺鍍氣體，藉由反應性濺鍍來成膜。
本發明之光罩空白基板，亦可具有相移膜。相移膜，例如可設於透明基板與遮光膜之間。含有相移膜之構成的光罩空白基板，可舉例如，於透明基板上，依序形成相移膜、遮光膜者；於透明基板上，依序形成相移膜、遮光膜、硬遮罩膜者；於透明基板上，依序形成相移膜、蝕刻阻擋膜、遮光膜者；於透明基板上，依序形成相移膜、蝕刻阻擋膜、遮光膜、硬遮罩膜者等。
相移膜，可為完全透過型相移膜、亦可為半透型相移膜(例如透過率為5~30%)。相移膜，較佳為，能以氟系乾性蝕刻進行蝕刻之膜，特佳為，含矽材料的膜。相移膜，可以單層構成、亦可以多層構成。作為含矽之材料，含矽之化合物，例如含有矽、與選自氧及氮之1種以上之含矽之化合物，具體而言，可舉例如氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)等，及過渡金屬矽化合物，例如含有過渡金屬(Me)、矽、與選自氧、氮及碳之1種以上之含過渡金屬矽之化合物，具體而言，可舉例如過渡金屬氧化矽(MeSiO)、過渡金屬氮化矽
(MeSiN)、過渡金屬碳化矽(MeSiC)、過渡金屬氮氧化矽(MeSiON)、過渡金屬碳氧化矽(MeSiOC)、過渡金屬碳氮化矽(MeSiNC)、過渡金屬矽氧化氮化碳化物(MeSiONC)等。過渡金屬(Me)，較佳為選自鈦(Ti)、釩(V)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鉿(Hf)、鉭(Ta)及鎢(W)之1種以上，特別是，由乾式蝕刻加工性的觀點，以鉬(Mo)為佳。相移膜之膜厚，係設定成對於光罩使用時的曝光光，使相位轉移既定量(通常為150~200°、較佳為170~190°、更佳為175~185°、特佳為180°)的厚度。
以含矽材料所構成之膜，可視成膜之膜的組成，使用選自矽靶、過渡金屬靶、過渡金屬矽靶等之靶，於氦氣、氙氣、氬氣等稀有氣體(惰性氣體)，視成膜之膜的組成，使用適當添加選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等反應性氣體的濺鍍氣體，藉由反應性濺鍍來成膜。
以本發明之光罩空白基板及光罩為對象之曝光光(使用光罩之曝光中所使用的光)，較佳為，ArF準分子雷射光(波長193nm)、F2雷射光(波長157nm)等波長250nm以下、特別是波長200nm以下的曝光光，特佳為ArF準分子雷射光(波長193nm)。
本發明之光罩空白基板，於曝光光中的光學密度，較佳為，使光罩空白基板作成光罩時殘存於透明基板上之包含遮光膜之膜整體的光學密度OD為2.3以上，更佳為2.5以上、特佳為2.8以上、再特佳為3.0以上。例如，當
殘存於透明基板上之膜僅有遮光膜時，僅為其，當殘存於透明基板上之膜，除遮光膜亦包含例如蝕刻阻擋膜或相移膜時，或再包含硬遮罩膜時，較佳為，使該等膜整體為上述光學密度的範圍。
光罩，可使用本發明之光罩空白基板，依一般方法製造。二元型之光罩，例如，可藉下述之步驟製造光罩。首先，於透明基板上形成有遮光膜之光罩空白基板的遮光膜上，塗布化學增感型光阻等光阻以形成光阻膜，以電子線等描繪光阻膜後，進行顯像，形成既定之光阻圖型。而將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾性蝕刻對遮光膜進行圖型化，而以一般方法除去光阻圖型，藉此可製得光罩。
當於遮光膜上具有含鉻材料之硬遮罩膜時，於硬遮罩膜上，塗布化學增感型光阻等光阻以形成光阻膜，以電子線等描繪光阻膜後，進行顯像，形成既定之光阻圖型。接著，將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氯系乾性蝕刻，形成硬遮罩膜圖型。而將硬遮罩膜圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾性蝕刻對遮光膜進行圖型化，以一般方法除去光阻圖型，藉此可製得光罩。又，硬遮罩膜圖型可視需要除去，當除去時，視需要可於形成新的光阻圖型之後，以氯系乾性蝕刻除去。
另一方面，當於遮光膜之下(透明基板與遮光膜之間)具有含鉻材料之蝕刻阻擋膜時，使遮光膜圖型化之後，藉由氯系乾性蝕刻，可形成蝕刻阻擋膜圖型。於該場合，可使遮光膜圖型作為蝕刻光罩的功能。
具有相移膜之光罩空白基板，例如，當為於透明基板上依序形成有含矽材料之相移膜、與遮光膜的光罩空白基板時，例如，可藉下述步驟製造光罩。首先，於遮光膜上，塗布化學增感型光阻等光阻以形成光阻膜，以電子線等描繪光阻膜後，進行顯像，形成既定之光阻圖型。接著，將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，將遮光膜圖型化，再者，將相移膜圖型化。此處，當僅殘存遮光膜的一部分時，於遮光膜圖型上形成保護該部分之新的光阻圖型後，以氟系乾式蝕刻，將未被光阻圖型保護部分的遮光膜除去。以一般方法除去光阻圖型，藉此可得相移型光罩。
當於遮光膜與相移膜之間具有含鉻材料的蝕刻阻擋膜時，首先，於遮光膜上，塗布化學增感型光阻等光阻以形成光阻膜，以電子線等描繪光阻膜後，進行顯像，形成既定之光阻圖型。接著，將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，形成遮光膜圖型。接著，將遮光膜圖型作為蝕刻光罩，以氯系乾式蝕刻，使蝕刻阻擋膜圖型化，藉此得相移膜除去部分之蝕刻阻擋膜被除去的蝕刻阻擋膜圖型。接著，除去光阻圖型，當僅殘存遮光膜的一部分時，於遮光膜圖型上形成保護該部分之新的光阻圖型後，將蝕刻阻擋膜圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，使相移膜圖型化的同時，將未被光阻圖型保護部分的遮光膜除去。接著，以一般方法除去光阻圖型。而以氯系乾式蝕刻，將遮光膜除去部分的蝕刻阻擋膜除去，當形成新的光阻圖型
時，以一般方法除去光阻圖型，藉此可得相移型光罩。
當於遮光膜與相移膜之間具有含鉻材料之蝕刻阻擋膜、且於遮光膜上具有含鉻材料之硬遮罩膜時，首先，於硬遮罩膜上，塗布化學增感型光阻等光阻以形成光阻膜，以電子線等描繪光阻膜後，進行顯像，形成既定之光阻圖型。接著，將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氯系乾式蝕刻，形成硬遮罩膜圖型。接著，將硬遮罩膜圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，形成遮光膜圖型。接著，除去光阻圖型，當僅殘存遮光膜的一部分時，於遮光膜圖型上形成保護該部分之新的光阻圖型後，將遮光膜圖型作為蝕刻光罩，以氯系乾式蝕刻，使蝕刻阻擋膜圖型化的同時，將未被光阻圖型保護部分的硬遮罩膜除去。接著，將蝕刻阻擋膜圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，使相移膜圖型化的同時，將未被光阻圖型保護部分的遮光膜除去。接著，以一般方法除去光阻圖型。而以氯系乾式蝕刻，將遮光膜除去部分的蝕刻阻擋膜、與光阻圖型除去部分的硬遮罩膜除去，藉此可得相移型光罩。
以下，揭示實驗例及實施例，以具體說明本發明，但本發明並不限於以下之實施例。
於濺鍍裝置之腔體內，設置邊長152mm、厚度
6.35mm的石英基板，濺鍍靶使用矽靶，濺鍍氣體使用氬氣及氮氣，對靶所施加之電力為1.9kW，氬流量為15sccm，氮氣流量於0~40sccm之範圍內變化，而成膜為Si所構成之膜(Si：N=100：0(原子比))、SiN所構成之膜(Si：N=86：14(原子比)、Si：N=73：27(原子比)、Si：N=65：35(原子比)、Si：N=48：52(原子比)、Si：N=47：53(原子比)、Si：N=46：54(原子比))之計7種的膜。以XPS(X射線光電子分光裝置，Thermo Fisher Scientific(股)製，K-Alpha)測定組成(以下的組成亦同)。於任一場合，對於波長193nm的光(ArF準分子雷射)，皆將膜厚設定為光學密度為3.0。將各膜之組成與厚度的關係示於圖3(A)。
接著，對於除Si：N=46：54(原子比)之膜及Si：N=65：35(原子比)之膜以外的5種膜，使用蝕刻裝置，測定以以下蝕刻條件之蝕刻速度(蝕刻速率)。將各膜之組成與蝕刻速度的關係，作成相對於不含氮之僅有Si之膜之蝕刻速度的比率(相對值)，示於圖3(B)。又，於圖4，顯示所使用之蝕刻裝置之概略。圖4中，101為腔體，102為接地，103為下部電極，104為天線線圈，105為被處理基板，RF1、RF2為高頻電源。
RF1(RIE：反應式離子蝕刻)：CW(連續放電)54W
RF2(ICP：感應耦合電漿)：CW(連續放電)325W
壓力：5mTorr
SF6：18sccm
O2：45sccm
於濺鍍裝置之腔體內，設置邊長152mm、厚度6.35mm的石英基板，濺鍍靶使用矽靶，濺鍍氣體使用氬氣及氮氣，對靶所施加之電力為1.9kW，氬流量為15sccm，氮氣流量為10sccm，成膜為厚度52nm的遮光層，將其作為遮光膜。遮光膜之組成為Si：N=7：3(原子比)，遮光膜之光學濃度為3.0。又，該遮光膜之反射率(膜面側)，於193nm之波長下為43%。
接著，於遮光膜上，使用鉻靶作為濺鍍靶，使用氮氣與氬氣作為濺鍍氣體，成膜為膜厚10nm之CrN的硬遮罩膜，而得光罩空白基板。
接著，使用所得之光罩空白基板，於硬遮罩膜上，形成電子線光阻膜，使光阻膜圖型化，形成光阻圖型。接著，將光阻圖型作為蝕刻光罩，以氯系乾式蝕刻使CrN之硬遮罩膜圖型化，形成硬遮罩膜圖型。接著，將硬遮罩膜圖型作為蝕刻光罩，以氟系乾式蝕刻，蝕刻遮光膜，形成線寬200nm之線寬與線距圖型，除去光阻圖型與硬遮罩膜圖型，而得光罩。對所得之光罩，以溫度25℃、濕度45%之淨化空氣環境氣氛中，使用曝光裝置(ArFES-
3500PM(Litho Tech Japan公司製))及ArF準分子雷射光源(IndyStar(COHERENT公司製))，以脈衝頻率1.6kHz，照射1脈衝之能量為2.5~4.0mJ/cm2之波長193nm的光，脈衝照射至累積為40kJ/cm2。以掃描型電子顯微鏡(LWM9045(Vistec公司製))，觀察遮光膜圖型之波長193nm之光照射前後的線寬，計測的結果，波長193nm之光照射前後之圖型尺寸變動為良好的1nm以下。
於濺鍍裝置之腔體內，設置邊長152mm、厚度6.35mm的石英基板，濺鍍靶使用矽靶，濺鍍氣體使用氬氣及氮氣，對靶所施加之電力為1.9kW，氬流量為30sccm，氮氣流量為10sccm，成膜為厚度44nm的遮光層，再將氮氣改變成20sccm，成膜為厚度5nm之反射率降低層，製得將該等作為遮光膜(厚度49nm)的光罩空白基板。遮光膜之組成，遮光層為Si：N=7：3(原子比)、反射率降低層為Si：N=1.1：0.9(原子比)，遮光膜之光學濃度為3.0。又，該遮光膜之反側率(膜面側)，於193nm之波長下為35%。
於濺鍍裝置之腔體內，設置邊長152mm、厚度6.35mm的石英基板，濺鍍靶使用矽靶，濺鍍氣體使用氬氣及氮氣，對靶所施加之電力為1.9kW，氬流量為
30sccm，氮氣流量為10sccm，成膜為厚度44nm的遮光層，再將氮氣由10sccm慢慢地增加至30sccm，成膜為厚度5nm之反射率降低層，製得將該等作為遮光膜(厚度49nm)的光罩空白基板。遮光膜之組成，遮光層為Si：N=7：3(原子比)，反射率降低層，矽含有率朝遠離透明基板的方向連續地減少，透明基板側為Si：N=7：3(原子比)，遠離透明基板之側為Si：N=1：1(原子比)，整體的平均為Si：N=6：4(原子比)，遮光膜之光學密度為3.0。又，該遮光膜之反側率(膜面側)，於193nm之波長下為36%。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光膜
Claims (27)
- 一種光罩空白基板，其係含有透明基板、及形成於該透明基板上之含有矽及氮、不含過渡金屬之遮光膜的光罩空白基板，其特徵為，上述遮光膜含有遮光層，該遮光層係以單層或多層所構成，該單層或構成多層之層，含有矽及氮、不含過渡金屬，相對於矽及氮之合計之氮的比率為3原子%以上50原子%以下。
- 如請求項1之光罩空白基板，其中，上述遮光層係由矽及氮所構成。
- 如請求項1之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由單層之上述遮光層所構成。
- 如請求項2之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由單層之上述遮光層所構成。
- 如請求項1之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬的反射率降低層所構成。
- 如請求項2之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬的反射率降低層所構成。
- 如請求項5之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之矽含有率較上述遮光層之矽含有率為低，上述反射率降低層之矽含有率為43原子%以上60原子%以下，氮含有率為40原子%以上57原子%以下。
- 如請求項6之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之矽含有率較上述遮光層之矽含有率為低，上述反射率降低層之矽含有率為43原子%以上60原子%以下，氮含有率為40原子%以上57原子%以下。
- 如請求項5之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之厚度為30nm以下。
- 如請求項6之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之厚度為30nm以下。
- 如請求項7之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之厚度為30nm以下。
- 如請求項8之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之厚度為30nm以下。
- 如請求項1之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬、於厚度方向組成呈連續性變化的傾斜組成層所構成。
- 如請求項2之光罩空白基板，其中，上述遮光膜係由多層所構成，由上述遮光層、與含有矽及氮、不含過渡金屬、於厚度方向組成呈連續性變化的傾斜組成層所構成。
- 如請求項13之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層之厚度為30nm以下。
- 如請求項14之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層之厚度為30nm以下。
- 如請求項13之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層為反射率降低層，其係設置於上述遮光層之遠離上述透明基板之側，矽含有率於遠離上述透明基板的方向連續地減少。
- 如請求項14之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層為反射率降低層，其係設置於上述遮光層之遠離上述透明基板之側，矽含有率於遠離上述透明基板的方向連續地減少。
- 如請求項15之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層為反射率降低層，其係設置於上述遮光層之遠離上述透明基板之側，矽含有率於遠離上述透明基板的方向連續地減少。
- 如請求項16之光罩空白基板，其中，上述傾斜組成層為反射率降低層，其係設置於上述遮光層之遠離上述透明基板之側，矽含有率於遠離上述透明基板的方向連續地減少。
- 如請求項17~20中任一項之光罩空白基板，其中，上述反射率降低層之遠離上述透明基板側之表面的矽含有率為43原子%以上60原子%以下，氮含有率為40原子%以上57原子%以下。
- 如請求項1~20中任一項之光罩空白基板，其中，上述遮光膜之膜厚為70nm以下。
- 如請求項1~20中任一項之光罩空白基板，其進一步具有與上述遮光膜之遠離上述透明基板之側接觸、蝕 刻特性與上述遮光膜不同的硬遮罩(hard mask)膜。
- 如請求項1~20中任一項之光罩空白基板，其進一步具有與上述遮光膜之上述透明基板側接觸、蝕刻特性與上述遮光膜不同的蝕刻阻擋(etching stopper)膜。
- 如請求項1~20中任一項之光罩空白基板，其進一步具有相移膜。
- 如請求項1~20中任一項之光罩空白基板，其係以ArF準分子雷射作為曝光光。
- 一種光罩之製造方法，其特徵係使用如請求項1~26中任一項所記載之光罩空白基板。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI676076B (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-01 | 台灣美日先進光罩股份有限公司 | 光罩、光罩的製造方法及半導體光罩基板 |
| TWI691784B (zh) * | 2018-07-13 | 2020-04-21 | 南韓商S&S技術股份有限公司 | 空白遮罩以及光罩 |
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Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6743679B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| KR102366782B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2022-02-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6932552B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-09-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| CN117916660A (zh) | 2021-09-08 | 2024-04-19 | 豪雅株式会社 | 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139033A (ja) | 1983-01-31 | 1984-08-09 | Hoya Corp | フオトマスクブランク |
| US5660956A (en) * | 1990-11-29 | 1997-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reticle and method of fabricating reticle |
| JPH05291197A (ja) | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | エッチング方法 |
| JP3210431B2 (ja) | 1992-08-14 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | エッチング装置 |
| US5514499A (en) * | 1993-05-25 | 1996-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase shifting mask comprising a multilayer structure and method of forming a pattern using the same |
| JPH07253649A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 露光用マスク及び投影露光方法 |
| JP3286103B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2002-05-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法及び製造装置 |
| JPH08314116A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-11-29 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
| JPH1048805A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP3417798B2 (ja) | 1997-05-19 | 2003-06-16 | 株式会社東芝 | 露光用マスク |
| US6071653A (en) * | 1998-11-04 | 2000-06-06 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a photomask |
| JP2002258458A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-09-11 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
| GB0215243D0 (en) * | 2002-07-02 | 2002-08-14 | Koninkl Philips Electronics Nv | Mask and manufacturing method using mask |
| US20040063001A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-01 | Wu Wei E. | Method of making an integrated circuit using a photomask having a dual antireflective coating |
| JP4574343B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-11-04 | 三星電子株式会社 | 位相シフトマスク及びパターン形成方法 |
| JP2006330635A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nikon Corp | フォトマスク及び露光方法 |
| JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| US20080041716A1 (en) | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Schott Lithotec Usa Corporation | Methods for producing photomask blanks, cluster tool apparatus for producing photomask blanks and the resulting photomask blanks from such methods and apparatus |
| JP2009122566A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 低反射型フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
| KR101295235B1 (ko) * | 2008-08-15 | 2013-08-12 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 그레이톤 마스크 블랭크, 그레이톤 마스크, 및 제품 가공 표지 또는 제품 정보 표지의 형성방법 |
| JP5900773B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-04-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2012086744A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写用マスク及びその製造方法 |
| JP5724509B2 (ja) | 2011-03-28 | 2015-05-27 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス |
| JP6005530B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2016-10-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
| KR102166222B1 (ko) | 2013-01-15 | 2020-10-15 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 이들의 제조 방법 |
| JP2014191176A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びその製造方法 |
| JP5686216B1 (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP6264238B2 (ja) | 2013-11-06 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 |
| JP6229466B2 (ja) | 2013-12-06 | 2017-11-15 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP6661262B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2020-03-11 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JP6430155B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-11-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6153894B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2017-06-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2016035559A (ja) | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| JP6418035B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-11-07 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク |
| JP6380204B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン露光方法 |
| JP6287932B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-03-07 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP6500791B2 (ja) | 2016-01-22 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| US10678125B2 (en) * | 2016-03-02 | 2020-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
| JP6743679B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-08-19 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| JP6558326B2 (ja) | 2016-08-23 | 2019-08-14 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びフォトマスクブランク用薄膜形成装置 |
| WO2018037863A1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI676076B (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-01 | 台灣美日先進光罩股份有限公司 | 光罩、光罩的製造方法及半導體光罩基板 |
| TWI691784B (zh) * | 2018-07-13 | 2020-04-21 | 南韓商S&S技術股份有限公司 | 空白遮罩以及光罩 |
| US10942445B2 (en) | 2018-07-13 | 2021-03-09 | S&S Tech Co., Ltd. | Blankmask and photomask, and methods of fabricating the same |
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