TW201801062A - 像素及包含其之有機發光顯示設備 - Google Patents

像素及包含其之有機發光顯示設備

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Abstract

本發明揭露一種包含多個像素的有機發光顯示設備。至少一個像素包括：在基板上的第一導電層；在第一導電層上並包括暴露第一導電層的一部分的第一開口的第一有機絕緣層；第一有機絕緣層上並包括暴露通過第一開口所暴露的第一導電層的部分的第二開口的第一無機絕緣層；以及在第一無機絕緣層上並接觸透過第一開口和第二開口露出的第一導電層的部分的第二導電層。

Description

像素及包含其之有機發光顯示設備
相關申請案之交互參照
於2016年4月4日提交且標題為“有機發光顯示設備(Organic Light-Emitting Display Apparatus)”的韓國專利申請案No.10-2016-0041253的全部內容通過引用併入本文。
一個或多個實施例涉及有機發光顯示設備。
一種包含多個像素的有機發光顯示設備。每個像素具有連接到多個導線的至少一個薄膜電晶體(TFT)和至少一個電容。TFT、電容和導線根據越來越複雜的微小圖案(pattern)佈置在基板上。小型(compact)、高解析度顯示裝器的需求為驅使TFT、電容及導線的有效率的佈局並降低其連結結構以及驅動技術的複雜性之因素。
根據一個或多個實施例，有機發光顯示設備包括多個像素，至少一個像素包括：基板上的第一導電層；在第一導電層上方並包括暴露第一導電層的一部分的第一開口的第一有機絕緣層；在第一有機絕緣層上方並包括暴露第一開口所暴露的第一導電層的部分的第二開口的第一無機絕緣層；以及在第一無機絕緣層上並接觸通過第一開口和第二開口露出的第一導電層的部分的第二導電層。
此設備可以包括薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體包括主動層和與主動層絕緣的閘極電極，其中主動層包括用於連接源極區和汲極區的通道區，並且其中第一導電層電連接到源極區或汲極區。第一有機絕緣層的厚度可大於第一無機絕緣層的厚度。
此設備可包括在第二導電層上的第二有機絕緣層。第一無機絕緣層可包括暴露第一有機絕緣層的多個附加開口。第一有機絕緣層可通過至少一個附加開口直接接觸第二有機絕緣層。
此設備可包括在第二導電層和第二有機絕緣層之間的第二無機絕緣層。第二無機絕緣層可覆蓋第二導電層的邊緣並且包括接觸第一無機絕緣層的部分。第二有機絕緣層可包括暴露第二導電層的第三開口。
此設備可包括通過第三開口接觸第二導電層的像素電極；在像素電極上方並包括發光層的中間層；及在中間層上方的相對電極。此設備可以包括與第一導電層在同一層上的下電源線，以及與第二導電層在同一層上的上電源線。下電源線和上電源線可通過第一有機絕緣層和第一無機絕緣層中的接觸孔彼此電連接。此設備可以包括儲存電容，儲存電容包括在基板上方的第一平板和面向第一平板的第二平板，其中第二平板位於與下電源線和上電源線不同的層上，並且電連接到下電源線和上電源線。
此設備可包括：包含聚醯亞胺的第一有機絕緣層及包含氧化矽(SiO2 )或氮化矽(SiNx)之第一無機絕緣層。第二導電層可包括：包含鈦的第一層、包含鋁的第二層和包含鈦的第三層。第一開口的寬度大於第二開口的寬度，且第一無機絕緣層包括在第一開口中接觸第一導電層的部分。
根據一個或多個其他實施例，像素包括第一和第二導電層、第一和第二絕緣層；其中第一絕緣層和第二絕緣層位於第一和第二導電層之間，且第二絕緣層位於第一絕緣層和第二導電層之間，其中第一絕緣層包含有機材料，且第二絕緣層包含無機材料，第一導電層通過第一和第二絕緣層中的孔接觸第二導電層。第一絕緣層中的孔可與第二絕緣層中的孔對齊。第一和第二絕緣層可具有不同的厚度。第二絕緣層可比第一絕緣層薄。像素可包括與第二導電層接觸的像素電極。
示例實施例將參照附圖於以下進行說明：然而，其可以不同的形式實施，並且不應被解釋為限於本文所述的實施例。不如說，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，並且將向本領域中具有通常知識者充分傳達示例性的實施方式。實施例(或其部分)可組合以形成其他實施例。
在附圖中，為了清楚說明，可能誇大層和區的尺寸。還應理解，當層或元件被稱為在另一層或基板“上(on)”時，其可直接在另一層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，應當理解，當層被稱為在另一層"下(under)"時，其可以直接在其之下，並且也可以存在一個或多個中間層。此外，還將理解，當層被稱為在兩層"之間(between)"時，其可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。相似的附圖標記表示相似的元件。
當元件被稱為“連接(connected)”或“耦合(coupled)”到另一元件時，其可直接連接或耦合到另一元件，或者以一個或多個中間元件插入其間地間接連接或耦合到另一元件。此外，當元件被稱為“包括(including)”組件時，這表示除非存在不同的揭示，否則該元件可以進一步包括另一組件而不是排除另一組件。
本文描述的一個或多個實施例對應於具有7Tr-1Cap(即，7個薄膜電晶體(TFT)和1個電容)子像素結構的主動矩陣(AM)型有機發光顯示設備。在另一個實施例中，有機發光顯示設備可包括不同的子像素結構，例如大於或少於7個TFT和一個或多個電容。而且，在一個或多個實施例中，對於不同的實施例，佈線結構可以是不同的。而且，在一個或多個實施例中，子像素可以被認為是發光以顯示圖像的最小單位。
第1圖描繪了有機發光顯示設備的子像素的實施例。參考第1圖，子像素包括多個訊號線、連接到訊號線的多個TFT、儲存電容Cst和有機發光裝置OLED。訊號線可在多個子像素間共享。
TFT包括驅動TFT T1、切換TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、驅動控制TFT T5、發光控制TFT T6和旁路TFT T7。
訊號線包括：用於傳送掃描訊號Sn之掃描線121、將先行掃描訊號Sn-1傳送到初始化TFT T4和旁路TFT T7之先行掃描線122、傳送發光控制訊號En至驅動控制TFT T5和發光控制TFT T6之發光控制線123、與掃描線121交叉以傳送數據訊號Dm之數據線176、實質上平行於數據線176以傳送驅動電壓ELVDD之電源線、以及傳送初始化電壓Vint來初始化驅動TFT T1之初始化電壓線124。電源線可包括位於不同層上並彼此電連接的下電源線177和上電源線178。
驅動TFT T1包括連接到儲存電容Cst的第一儲存電容板Cst1之閘極電極G1、經由驅動控制TFT T5連接到電源線177和178之源極電極S1、以及經由發光控制TFT T6與有機發光裝置OLED的像素電極電連接之汲極電極D1。 驅動TFT T1根據切換TFT T2的切換動作接收數據訊號Dm，並將發光電流IOLED 提供給有機發光裝置OLED。
切換TFT T2包括連接到掃描線121之閘極電極G2、連接到數據線176之源極電極S2、連接到驅動TFT T1的源極電極S1並經由驅動控制TFT T5連接至電源線177和178之汲極電極D2。切換TFT T2根據經由掃描線121接收的掃描訊號Sn導通，並執行切換操作，以將數據訊號Dm從數據線176傳送到驅動TFT T1的源極電極S1。
補償TFT T3包括連接到掃描線121之閘極電極G3、連接到驅動TFT T1的汲極電極D1及通過發光控制TFT T6連接至有機發光裝置OLED的像素電極191(參見例如第8圖) 之源極電極S3、以及與儲存電容Cst的第一儲存電容板Cst1、初始化TFT T4的汲極電極D4與驅動TFT T1的閘極電極G1連接之汲極電極D3。補償TFT T3根據來自掃描線121的掃描訊號Sn導通，以電連接驅動TFT T1的閘極電極G1和汲極電極D1，從而將驅動TFT T1置於二極體連接狀態(diode-connected state)。
初始化TFT T4包括連接到先行掃描線122之閘極電極G4、連接到旁路TFT T7的汲極電極D7與初始化電壓線124之源極電極S4、以及連接到儲存電容Cst的第一儲存電容板Cst1、補償TFT T3的汲極電極D3與驅動TFT T1的閘極電極G1之汲極電極D4。為了初始化驅動TFT T1的閘極電極G1的電壓，初始化TFT T4根據來自先行掃描線122的先行掃描訊號Sn-1導通，以將初始化電壓Vint傳送到驅動TFT T1的閘極電極G1。
驅動控制TFT T5包括連接到發光控制線123之閘極電極G5、連接到電源線177和178之源極電極S5、以及連接到驅動TFT T1的源極電極S1與切換TFT T2的汲極電極D2之汲極電極D5。
發光控制TFT T6包括連接到發光控制線123之閘極電極G6、連接到驅動TFTT1的汲極電極D1和補償TFT T3的源極電極S3之源極電極S6、以及電連接至旁路TFT T7的源極電極S7和有機發光裝置OLED的像素電極191(例如參照第8圖)之汲極電極D6。根據來自發光控制線123的發光控制訊號En，驅動控制TFT T5和發光控制TFT T6同時導通，以使得發光電流IOLED 基於驅動電壓ELVDD到有機發光裝置OLED的連結而流到有機發光裝置OLED。
旁路TFT T7包括連接到先行掃描線122之閘極電極G7、與發光控制TFT T6的汲極電極D6與有機發光裝置OLED的像素電極191(例如參照第8圖) 連接之源極電極S7、以及連接到初始化電壓線124之汲極電極D7。來自先行掃描線122的先行掃描訊號Sn-1被傳送到旁路TFT T7的閘極電極G7。先行掃描訊號Sn-1表示具有用於截止旁路TFT T7的預定電平的電壓。當旁路TFT T7被截止時，驅動電流Id 的一部分透過旁路TFT T7流作為旁路電流Ibp 。
當子像素基於黑色圖像灰階值操作時，如果最小量的電流作為驅動電流Id 從驅動TFT T1流入有機發光裝置OLED時，則黑色圖像灰階值將不會被子像素顯示。驅動TFT T1的最小電流可對應於，例如，當驅動TFT T1的閘極-源極電壓VGS 小於閾值電壓Vth時所流過的電流，使得驅動TFT T1截止。
為了防止當最小電流作為驅動電流Id 流動時有機發光裝置OLED發光，旁路TFT T7可以引導從驅動TFT T1流出的部分驅動電流Id 作為旁路電流Ibp ，到遠離有機發光裝置OLED的電流路徑。例如，於驅動TFT T1截止時流過之小於最小驅動電流(例如，等於或小於10pA的電流)的電流可被轉送到有機發光裝置OLED。結果，可以實現黑圖像數據的顯示之改進。
當最小驅動電流於子像素意圖顯示黑色圖像值之時流過時，有機發光裝置OLED的發光、不發光或其發光程度可能受到顯著影響。這是因為旁路電流Ibp 從最小驅動電流分出(diverge)。然而，當大的驅動電流於子像素要顯示與黑色圖像不同之圖像或甚至白色圖像之時流過時，有機發光裝置OLED的發光程度幾乎不受旁路電流Ibp 的影響。因此，當驅動電流Id對應於黑色圖像值時，減去經由旁路TFT T7而從驅動電流Id 分出的旁路電流Ibp 的有機發光裝置OLED的發光電流IOLED 可具有清晰地表達黑色圖像的程度(level)。通過使用旁路TFT T7實現清晰的黑色解析度圖像，從而可提高對比度。
第1圖中的初始化TFT T4和旁路TFT T7連接到先行掃描線122。在另一個實施例中，初始化TFT T4可連接到先行掃描線122，並根據先行掃描訊號Sn-1驅動，且旁路TFT T7可以連接到獨立的線路，並根據經由線路傳送的訊號驅動。
儲存電容Cst包括連接到電源線177和178的第二儲存電容板Cst2，且有機發光裝置OLED的相對電極193(例如參照第8圖)連接到共用電極ELVSS。因此，子像素的有機發光裝置OLED以基於來自驅動TFT T1的發光電流IOLED 發光，以發出圖像的光。
第1圖中的補償TFT T3和初始化TFT T4中的每一個都具有雙閘極電極結構。在另一個實施例中，補償TFT T3和初始化TFT T4中的一個或兩者可具有單閘極電極結構。在一個實施例中，補償TFT T3和初始化TFT T4以外的TFT T1、T2、T5、T6和T7中的至少一個可具有雙閘極電極結構。
在操作時，在初始化期間，透過先行掃描線122提供具有低電平的先行掃描訊號Sn-1。然後，初始化TFT T4基於低電平的先行掃描訊號Sn-1導通，且來自初始化電壓線124的初始化電壓Vint經由初始化TFT T4被傳送到驅動TFT T1的閘極電極G1。因此，驅動TFT T1由於初始化電壓Vint而被初始化。
在數據編程期間，透過掃描線121提供具有低電平的掃描訊號Sn。然後，基於低電平的掃描訊號Sn，導通切換TFT T2和補償TFT T3。因此，驅動TFT T1藉由導通補償TFT T3而被置於二極體連接狀態，並向正向偏置(biased in a forward direction)。
然後，補償電壓Dm+Vth(例如，Vth是驅動TFT T1的閾值電壓Vth且為負值)施加到驅動TFT T1的閘極電極G1。接著，驅動電壓ELVDD和補償電壓Dm + Vth被施加到儲存電容Cst的兩端，使得對應於各個端子之間的電壓差的電荷被儲存在儲存電容Cst中。
在發光週期期間，來自發光控制線123的發光控制訊號En從高電平變為低電平。然後，在發光週期期間，基於低電平的發光控制訊號En，導通驅動控制TFT T5和發光控制TFT T6。
接著，基於驅動TFT T1的閘極電極G1的電壓與驅動電壓ELVDD之間的電壓差產生驅動電流Id 。對應於驅動電流Id 和旁路電流Ibp 之間的差的發光電流IOLED 透過發光控制TFT T6提供給有機發光裝置OLED。
在發光週期期間，基於驅動TFT T1的電流-電壓關係，由於儲存電容Cst，驅動TFT T1的閘極-源極電壓VGS 保持在'(Dm+Vth)-ELVDD'。發光電流IOLED 與“(Dm-ELVDD)2 ”(例如通過從閘極-源極電壓VGS 減去閾值電壓Vth而獲得的值的平方)成正比。因此，發光電流IOLED 的確定與驅動TFT T1的閾值電壓Vth無關。
TFT T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以是p通道場效電晶體。在另一個實施例中，TFT T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一部分可以是n通道場效電晶體。
第2圖描繪了第1圖中的子像素的佈局實施例，其指示其中TFT和電容的位置。第3至7圖係為描繪子像素的佈局實施例的各個層的平面圖。具體來說，第3至7圖描繪了相同層的導線或是半導體層的佈局的實施例。
絕緣層等可以在第3至7圖中的層結構之間。例如，第一絕緣層141可以在第3圖的層與第4圖的層之間、第二絕緣層142可以在第4圖的層與第5圖的層之間、層間絕緣層160可以在第5圖的層和第6圖的層之間、而第一有機絕緣層171及第一有機絕緣層171上的第一無機絕緣層172可以在第6圖的層和第7圖的層之間。如第8圖所示的示例。絕緣層可以包括接觸孔，以在垂直方向上電連接第3圖至第7圖中的層結構的各種部分(feature)。
參考第2至7圖，子像素包括：掃描線121、先行掃描線122、發光控制線123、以及初始化電壓線124，沿著列方向佈置以分別施加掃描訊號Sn、先行掃描訊號Sn-1、發光控制訊號En、以及初始化電壓Vint給子像素。子像素可包括與掃描線121、先行掃描線、發光控制線123、及初始化電壓線124交叉的數據線176及電源線177，以分別施加數據訊號Dm和驅動電壓ELVDD到子像素。子像素可包括驅動TFT T1、切換TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、驅動控制TFT T5、發光控制TFT T6、旁路TFT T7、儲存電容Cst、及有機發光裝置OLED(例如，參照第8圖)。
驅動TFT T1、切換TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、驅動控制TFT T5、發光控制TFT T6、及旁路TFT T7可沿著主動層形成，如第3圖所示。主動層可以具有彎曲或彎折形狀，並且可包括對應於驅動TFT T1之驅動主動層ACTa、對應於切換TFT T2之切換主動層ACTb、對應於補償TFT T3之補償主動層ACTc、對應於初始化TFT T4之初始化主動層ACTd、對應於驅動控制TFT T5之操作控制主動層ACTe、對應於發光控制TFT T6之發光控制主動層ACTf、及對應於旁路TFT T7之旁路主動層ACTg。
主動層可包含例如，多晶矽，且舉例而言，可包括通道區、源極區和汲極區。通道區可不摻雜雜質，而因此具有半導體特性。源極和汲極區在通道區的兩側上，並且摻雜有雜質，且因此具有導電性。雜質可根據TFT是N型還是P型電晶體而不同。
摻雜源極區(doped source region)或摻雜汲極區(doped drain region)可被解釋為TFT的源極電極或汲極電極。例如，驅動源極電極可對應在驅動主動層ACTa的驅動通道區131a周圍摻雜有雜質的驅動源極區133a。驅動汲極電極可對應在驅動通道區131a周圍摻雜雜質的驅動汲極區135a。此外，TFT之間的主動層的部分可被解釋為摻雜有雜質的導線，且其因此用於電連接TFT。
儲存電容Cst可包括第一儲存電容板125a和第二儲存電容板127，其間具有第二絕緣層142。第一儲存電容板125a還可用作為驅動閘極電極125a，例如驅動閘極電極125a和第一儲存電容板125a可一體成型以具有單體或一體化結構。
參考第4圖，第一儲存電容板125a可具有與相鄰的子像素間隔開的島型態。第一儲存電容板125a可包含與掃描線121、先行掃描線122和發光控制線123相同的材料層。
切換閘極電極125b和補償閘極電極125c1及125c2可為掃描線121的一部分，或與主動層和初始化閘極電極125d1和125d2交叉的先行掃描線122的突出部分。旁路閘極電極125g可為先行掃描線122的一部分，或是與主動層121交叉的掃描線121的突出部分。操作控制閘極電極125e和發光控制閘極電極125f可為發光控制線123的一部分或與主動層交叉的掃描線121的突出部分。
第二儲存電容板127可在相鄰的子像素上延伸。參考第5圖，第二儲存電容板127可包含與初始化電壓線124及/或屏蔽層126相同的材料層。儲存開口127h可形成在第二儲存電容板127中。結果，第一儲存電容板125a和補償TFT T3的補償汲極區135c可通過儲存開口127h，使用連接元件174彼此電連接。第二儲存電容板127可通過層間絕緣層160中的接觸孔168連接到下電源線177。
驅動TFT T1包括驅動主動層ACTa和驅動閘極電極125a。驅動主動層ACTa包括：驅動源極區133a、驅動汲極區135a及連接驅動源極區133a及驅動汲極區135a之驅動通道區131a。驅動閘極電極125a也可用作為第一儲存電容板125a。驅動主動層ACTa的驅動通道區131a可與驅動閘極電極125a平面地重疊。驅動源極區133a和驅動汲極區135a相對於驅動通道區131a在兩個方向上延伸。驅動TFTT1的驅動源極區133a與切換汲極區135b及操作控制汲極區135e連接。驅動汲極區135a連接到補償源極區133c和發光控制源極區133f。
切換TFT T2包括切換主動層ACTb和切換閘極電極125b。切換主動層ACTb包括切換通道區131b、切換源極區133b和切換汲極區135b。切換源極區133b可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔164電連接到數據線176。切換TFT T2用作為選擇發光的目標子像素的切換裝置。切換閘極電極125b連接到掃描線121，切換源極區133b連接到數據線176，切換汲極區135b連接到驅動TFT T1和驅動控制TFT T5。
補償TFT T3包括補償主動層ACTc和補償閘極電極125c1和125c2。補償主動層ACTc包括：補償通道區131c1、131c2和131c3、補償源極區133c和補償汲極區135c。補償閘極電極125c1和125c2是包括第一補償閘極電極125c1和第二補償閘極電極125c2的雙閘極電極，並且可用於防止或減少漏電流的發生。
補償TFT T3的補償汲極區135c可經由連接元件174連接到第一儲存電容板125a。補償通道區131c1、131c2和131c3可以包括：對應於第一補償閘極電極125c1的部分131c1、對應於第二補償閘極電極125c2的部分131c3以及部分131c1、131c3之間的部分131c2。
屏蔽層126可包含與初始化電壓線124和第二儲存電容板127相同的材料層，且可設置在部分131c2上並通過層間絕緣層160中之接觸孔169連接到下電源線177。兩部分131c1和131c3之間的部分131c2可摻雜雜質以具有導電性。因此，如果沒有佈置屏蔽層126，則數據線176和相鄰部分131c2可能形成寄生電容。由於數據線176根據要實現的解析度，以不同強度將數據訊號施加於子像素，所以寄生電容的電容量可能相應地改變。由於補償TFT T3與驅動TFT T1電連接，所以當補償TFT T3中的寄生電容的電容量變化時，驅動電流Id 和發光電流IOLED 發生變化，從而改變從子像素發射的光的解析度。
然而，如果屏蔽層126連接到下電源線177且施加恆定電壓，並且佈置在部分131c1和131c3之間的部分131c2上，則部分131c2和屏蔽層126可形成具有實質上恆定的電容量的寄生電容。此寄生電容可具有的電容量明顯大於由部分131c2和數據線176形成的寄生電容的電容量。與由部分131c2和屏蔽層126形成的寄生電容的電容量相比，由於施加到數據線176的數據訊號的變化所致之寄生電容的電容的變化可為非常小，因此可被認為是可忽略的。因此，可防止由寄生電容的電容的變化量引起的從子像素發射的光的解析度的變化。
如第6圖所示，連接元件174可包含與數據線176和下電源線177相同的材料層。連接元件174的第一端通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔166連接到補償汲極區135c和初始化汲極區135d。連接元件174的第二端可通過第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔167連接到第一儲存電容板125a。連接元件174的第二端通過第二儲存電容板127中的儲存開口127h連接到第一儲存電容板125a。初始化TFT T4包括初始化主動層ACTd和初始化閘極電極125d1和125d2。初始化主動層ACTd包括初始化通道區131d1、131d2和131d3、初始化源極區133d和初始化汲極區135d。
初始化閘極電極125d1和125d2具有包括第一初始化閘極電極125d1和第二初始化閘極電極125d2的雙閘極電極結構，並且可用於防止或減少漏電流的發生。初始化通道區131d1、131d2、131d3包括對應於第一初始化閘極電極125d1的區域131d1、對應於第二初始化閘極電極125d2的區域131d2、及它們之間的區域131d3。
初始化源極區133d透過初始化連接線路173連接到初始化電壓線124。初始化連接線173的第一端可通過第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔161連接到初始化電壓線124。初始化連接線173的第二端可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔162連接到初始化源極區133d。
驅動控制TFT T5包括操作控制主動層ACTe和操作控制閘極電極125e。操作控制主動層ACTe包括操作控制通道區131e、操作控制源極區133e和操作控制汲極區135e。操作控制源極區133e可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔165電連接到下電源線177。
發光控制TFT T6包括發光控制主動層ACTf和發光控制閘極電極125f，發光控制主動層ACTf包括發光控制通道區131f、發光控制源極區133f和發光控制汲極區135f。第一導電層175可在發光控制TFT T6的上方，並且可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔163與發光控制主動層ACTf的發光控制汲極區135f連接。
如第6圖所示，第一導電層175可以包含與數據線176及下電源線177相同的材料層。第一導電層175電連接到第二導電層179。因此，第一導電層175電連接到有機發光裝置OLED的像素電極191(例如參照第8圖)。
旁路TFT T7包括旁路主動層ACTg和旁路閘極電極125g。旁路主動層ACTg包括旁路源極區133g、旁路汲極區135g和旁路通道區131g。旁路汲極區135g連接到初始化TFT T4的初始化源極區133d，並且經由初始化連接線173連接到初始化電壓線124。旁路源極區133g電連接到有機發光裝置OLED的像素電極191(例如參照第8圖)。
第二導電層179可在第一導電層175之上，並且可通過第一有機絕緣層171和第一無機絕緣層172中的接觸孔183與第一導電層175電連接。有機發光裝置OLED的像素電極191可在第二導電層179上方，並且可通過像素電極191和第二導電層179之間的第二有機絕緣層181中的接觸孔185連接到第二導電層179。例如，第一導電層175和第二導電層179可為連接發光控制主動層ACTf的發光控制汲極區135f與像素電極191之中間連接層。這些部分可對應於例如第8圖。
參考第7圖，第二導電層179可包含與上電源線178相同的材料層。上電源線178可通過第一有機絕緣層171和第一無機絕緣層172中的接觸孔187連接到下電源線177。電源線177和178是彼此電連接的下電源線177和上電源線178。由於這樣的配置，可以減小或最小化子像素中的電源線177和178的面積，從而降低電源線177和178的電阻。通過減小電源線177和178的壓降(voltage drop)，可以提高圖像品質。
第8圖係為沿著第2圖中的VIII-VIII'線段截取的子像素的剖面圖。第9圖係為沿著第2圖中的IX-IX'線段截取的子像素的剖面圖。第10圖係為沿著第2圖中的X-X'線段截取的子像素的剖面圖。
參照第8至10圖，有機發光顯示設備包括多個像素，其至少一部分包含：在基板110上的第一導電層175、包括暴露第一導電層175的一部分的第一開口171ha之第一有機絕緣層171、在第一有機絕緣層171上，並且包括暴露第一開口171ha所暴露的第一導電層175的部分的第二開口172ha之第一無機絕緣層172、以及在第一無機絕緣層172上之第二導電層179。第二導電層179接觸通過第一開口171ha和第二開口172ha所暴露的第一導電層175的部分。
基板110可包含例如玻璃材料、金屬材料、塑料材料等之各種材料中的至少一種。根據本實施例，基板110可為包含例如像是聚醚碸(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或乙酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate，CAP)之聚合樹脂的可撓性基板。
基板110可以包括用於顯示圖像的顯示區以及在顯示區的周圍的非顯示區。像素(或子像素)被佈置在顯示區中。第2圖描繪了基板110的顯示區中的一個像素(或子像素)。TFT T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7(例如參見第2圖)以及連接到TFT T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一個的有機發光裝置OLED在基板110上方。現在敘述第2圖中像素的剖面結構。
參照第8至10圖，驅動TFT T1、驅動控制TFT T5和發光控制TFT T6在基板110的上方。驅動TFT T1可包括驅動主動層ACTa和驅動閘極電極125a。驅動控制TFT T5可包括操作控制主動層ACTe和操作控制閘極電極125e。發光控制TFT T6可包括發光控制主動層ACTf和發光控制閘極電極125f。各個主動層ACTa、ACTe和ACTf可包括非晶矽、多晶矽或有機半導體材料，並且可以包括各自的源極區133a、133e和133f，各自的汲極區135a、135e和135f以及各自的通道區131a、131e和131f以連接源極和汲極區。
各個閘極電極125a、125e和125f位於各自的主動層ACTa、ACTe和ACTf之上。基於施加到各個閘極電極125a、125e和125f的訊號，各自的源極區133a、133e和133f與各自的汲極區135a、135e和135f電連接。
例如考慮到相鄰層的粘附、堆疊-標的層的表面的平坦化、成形性等，每個閘極電極125a、125e和125f可具有包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中之至少一個之單層或多層、鉻(Cr)、鋰(Li)結構。
為了使各自的閘極電極125a、125e和125f與各自的主動層ACTa、ACTe和ACTf絕緣，第一絕緣層141包括主動層ACTa、ACTe和ACTf以及閘極電極125a、125e和125f之間的無機材料(例如，氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽)。此外，第二絕緣層142包含在閘極電極125a、125e和125f上的無機材料(例如，氧化矽、氮化矽和/或氧氮化矽)。層間絕緣層160可在第二絕緣層142之上。層間絕緣層160可包括無機材料，例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。
緩衝層111包含基板110和TFT T1、T5和T6之間的無機材料(例如氧化矽、氮化矽及/或氧氮化矽)。緩衝層111可以改善基板110表面的平坦性，或者可以防止、最小化或減少雜質從基板110滲透到主動層ACTa、ACTe和ACTf中。
參考第9圖，第二儲存電容板127面向驅動閘極電極125a，並且可在第二絕緣層142和層間絕緣層160之間。第二儲存電容板127和驅動閘極電極125a可對應於儲存電容Cst。例如，驅動閘極電極125a不僅可用作為驅動TFT T1的驅動閘極電極125a，還可作為儲存電容Cst的第一儲存電容板125a。
第一導電層175和下電源線177可在層間絕緣層160之上，並且考量導電性等因素，可具有包括例如鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu) 中的至少一個之單層結構或多層堆疊結構。
例如，第一導電層175和下電源線177中的每一個可具有鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)的堆疊結構。第一導電層175可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔163電連接到發光控制主動層ACTf的發光控制汲極區135f，並且鄰近發光控制TFT T6。下電源線177可通過第一絕緣層141、第二絕緣層142和層間絕緣層160中的接觸孔165電連接到操作控制主動層ACTe的操作控制源極區133e，並且鄰近驅動控制TFT T5。第一有機絕緣層171可在層間絕緣層160之上，以覆蓋第一導電層175和下電源線177。第一無機絕緣層172可在第一有機絕緣層171上。
第一有機絕緣層171可以包括有機材料，例如丙烯酸(acryl)、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚醯亞胺或六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)。第一無機絕緣層172可包括無機材料，例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。根據本實施例，第一有機絕緣層171可包括例如聚醯亞胺。第一無機絕緣層172可以包括例如氮化矽，並且可平坦化其上包括數據線176、第一導電層175、下電源線177、初始化連接線173和連接元件174的表面。
第二導電層179和上電源線178可在第一無機絕緣層172上，並且可以具有單層結構或多層堆疊結構，例如，考量導電性之因素，包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)鎢(W)和銅(Cu)中之至少一個。
第二導電層179可具有例如鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)的堆疊結構。第一有機絕緣層171可包括暴露第一導電層175的部分的第一開口171ha。第一無機絕緣層172可以包括暴露第一開口171ha所暴露的第一導電層175的部分的第二開口172ha。第二導電層179可透過第一開口171ha和第二開口172ha與第一導電層175電連接。第一開口171ha和第二開口172ha可對應於連接第一導電層175和第二導電層179的接觸孔183。第一無機絕緣層172可包括暴露透過第一有機絕緣層171中的第一開口171hb暴露的下電源線177的部分的第二開口172hb。上電源線178可透過第一開口171hb和第二開口172hb與下電源線177電連接。第一開口171hb和第二開口172hb可對應於在第一有機絕緣層171和第一無機絕緣層172中的接觸孔187，其連接下電源線177和上電源線178。舉例而言，電源線177和178，即下電源線177和上電源線178在不同的層上，並且可佔據減小的或最小的面積。此外，可減小或最小化電源線177和178的電阻。
上電源線178可包括突出部分178a，突出部分178a突出到與突出部分178a平面重疊的第二儲存電容板127的部分。上電源線178可通過第一有機絕緣層171和第一無機絕緣層172中的接觸孔187電連接到下電源線177。下電源線177可通過層間絕緣層160中的接觸孔168電連接到第二儲存電容板127。結果，上電源線178可電連接到第二儲存電容板127。舉例而言，上電源線178的突出部分178a和第二儲存電容板127可作為一個電容板。這種配置可與作為第一儲存電容板125a的驅動閘極電極125a互相操作，從而提供儲存電容Cst的穩定電容。儲存電容Cst可平面重疊在像素中佔據大面積的驅動TFT T1。透過這樣做，儲存電容Cst於像素中可佔據減小的或最小的面積，並且可具有高電容。
為了形成高解析度的有機發光顯示設備，有機發光顯示設備中的一個像素的面積減小，從而允許像素中的導電層之間的間隙變得非常小。舉例而言，同一層上的第二導電層179和上電源線178之間的間隙可非常小。因此，如果根據設計不對第二導電層179和上電源線178進行蝕刻的話，則第二導電層179和上電源線178可能短路，從而導致所得到的像素有缺陷。
包含有機材料的層在第二導電層179和上電源線178的下面。第二導電層179和上電源線178中的金屬材料未被完全蝕刻。如果蝕刻時間增加至足以完全蝕刻第二導電層179和上電源線178的話，則會有不期望的層被蝕刻。
然而，根據本實施例，第一無機絕緣層172在第二導電層179和上電源線178的下方，且位於第一有機絕緣層171和第二導電層179/上電源供應線178之間。因此，可防止或減少因為有機材料而使第二導電層179和上電源線178的蝕刻不如預期的問題。因此，可防止或減少由於第二導電層179和上電源線178之間的短路而形成缺陷像素的可能性。
根據本實施例，第一有機絕緣層171中的第一開口171ha的寬度L1可大於第一無機絕緣層172中的第二開口172ha的寬度L2。第一無機絕緣層172的部分可延伸到第一開口171ha以直接接觸第一導電層175。
第二有機絕緣層181可在第一無機絕緣層172之上，以覆蓋第二導電層179和上電源線178。第二有機絕緣層181可包含有機材料，例如丙烯酸、苯並環丁烯(BCB)、聚醯亞胺或六甲基二矽氧烷(HMDSO)。舉例而言，第二有機絕緣層181可包含例如聚醯亞胺。第二有機絕緣層181可包括暴露第二導電層179的第三開口181h。有機發光裝置OLED的像素電極191可透過第三開口181h與第二導電層179電連接。第三開口181h可對應於像素電極191透過其連接到第二導電層179的接觸孔185。
包括像素電極191、在像素電極191上方並包括發光層的中間層192、以及中間層192上的相對電極193之有機發光裝置OLED可在第二有機絕緣層181之上。像素電極191可經由第二導電層179和第一導電層175電連接到發光控制主動層ACTf的發光控制汲極區135f。
像素電極191可為透光電極或反射電極。當像素電極191是透光電極時，像素電極191可包括透明導電層。透明導電層可包括例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2 O3 )、氧化銦鎵(IGO)和鋁鋅氧化物(AZO)中的至少一種。除了透明導電層之外，像素電極191可包括用於提高發光效率的透光反射層。透光反射層可為例如幾到幾十奈米厚的薄層，並且可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和Yb中的至少一種。
當像素電極191是反射電極時，像素電極191可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射層、以及在反射層上及/或下方的透明導電層。透明導電層可以包括ITO、IZO、ZnO、In2 O3 、IGO和AZO中的至少一種。在另一個實施例中，像素電極191可包括各種材料中的至少一種，並且可以具有單層結構或多層結構。像素定義層可包括暴露像素電極191的至少一部分的開口，並且可設置在像素電極191上方。
像素電極191上方的中間層192可以包含例如，小分子材料或聚合物材料。當中間層192包括小分子材料時，中間層192可具有其中單一或多堆疊電洞注入層(hole injection layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)、發光層(emission layer，EML)，電子傳輸層(electron transport layer，ETL)，電子注入層(electron injection layer， EIL)等的結構。中間層192可包括各種有機材料，例如包括銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3 )等。上述層可以例如通過真空沉積法形成。
當中間層192包括聚合物材料時，中間層192可具有的結構通常包括HTL和EML。HTL可包括例如聚(2,4)-亞乙基二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene，PEDOT)。EML可以包括例如聚苯乙烯類(poly-phenylene vinylene (PPV)-based)聚合物材料、聚芴類(polyfluorene-based)聚合物材料等。中間層192可例如透過網版印刷法、噴墨印刷法、雷射誘發熱成像(laser induced thermal imaging，LITI)法等形成。
在另一個實施例中，中間層192可具有不同的結構。中間層192可包括在分別包括在多個像素中的像素電極191上延伸的層，或者可包括被圖案化以對應於每個像素電極191的層。
相對電極193可形成為延伸遍及多個像素的一個個體，並且因此可對應於像素電極191。相對電極193可為透光電極或反射電極。當相對電極193為透光性電極時，相對電極193可以包含Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg及CaAg中的至少一種，並可形成為幾到幾十奈米的薄層。當相對電極193形成為反射電極時，相對電極193可包含Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中的至少一種。在另一個實施例中，相對電極193的結構和材料可以是不同的。
第11至14圖是有機發光顯示設備的實施例的剖面圖。參考第11圖，有機發光顯示設備包括多個像素，其中至少一個包括：在基板210上的第一導電層275、包括暴露第一導電層275的部分的第一開口271ha之第一有機絕緣層271、在第一有機絕緣層271上，並且包括暴露第一開口271ha所暴露的第一導電層275的部分的第二開口272ha之第一無機絕緣層272、以及在第一無機絕緣層272上，且與透過第一開口271ha和第二開口272ha暴露的第一導電層275的部分接觸之第二導電層279。
緩衝層211可在基板210上方。包括主動層ACT和閘極電極225之TFT Tr可在緩衝層211之上。主動層ACT可包括用於連接源極區233和汲極區235的通道區231。源極區233和汲極區235包含摻雜有雜質並因此具有導電性的半導體材料。第一絕緣層241可在主動層ACT和閘極電極225之間。層間絕緣層260可在第一絕緣層241之上，以覆蓋閘極電極225。TFT Tr可以是例如驅動TFT、發光控制TFT等之一。
第一導電層275可在層間絕緣層260之上，並且可透過第一絕緣層241和層間絕緣層260中的接觸孔263與主動層ACT的汲極區235接觸。第一有機絕緣層271和第一無機絕緣層272在第一導電層275的上方。第一有機絕緣層271包括有機材料，從而使其上佈置第二導電層279的表面平坦化。
第一無機絕緣層272執行鈍化功能，並且防止第一有機絕緣層271和第二導電層279的至少一部分彼此接觸。
第二導電層279可通過在第一無機絕緣層272上設置導電材料，然後蝕刻導電材料而形成。第一無機絕緣層272可將第一有機絕緣層271與將去除的導電材料的一部分分開。如果導電材料直接接觸第一有機絕緣層271，則當導電材料被蝕刻時，導電材料未完全去除可能會出現問題。為了防止這個問題，第一無機絕緣層272可在導電材料和第一有機絕緣層271之間。
第二導電層279可在第一無機絕緣層272上。舉例而言，第二導電層279可具有包含：包括鈦(Ti)之第一層279a、在第一層279a上並且包括鋁(Al) 之第二層279b、以及包括鈦(Ti) 並在第二層279b上之第三層279c的疊層結構。第一導電層275和第二導電層279可具有相同的結構。在另一個實施例中，考慮導電性等因素，第一導電層275和第二導電層279中的每一個可包括各種金屬材料的至少一種或各種金屬材料的組合。
第二導電層279可透過第一有機絕緣層271中的第一開口271ha和第一無機絕緣層272中的第二開口272ha與第一導電層275電連接。由於第二開口272ha的寬度L2大於第一開口271ha的寬度L1，所以第一開口271ha可因第二開口272ha而被完全暴露。第一有機絕緣層271可包括有機材料，可以將其上設置有第二導電層279等的表面平坦化，並且可具有厚度t1。
第一有機絕緣層271的厚度t1可大於第一無機絕緣層272的厚度t2。舉例而言，第一有機絕緣層271的厚度t1可在約1.6μm至約1.8μm之間。第一無機絕緣層272的厚度t2可以在約0.5μm和約0.6μm之間。因此，第一有機絕緣層271的厚度t1可比第一無機絕緣層272的厚度t2至少大兩倍。
第二有機絕緣層281可在第一無機絕緣層272之上，以覆蓋第二導電層279。像素電極291可在第二有機絕緣層281之上，以透過第二有機絕緣層281中的接觸孔285與第二導電層279接觸。
參照第12圖，根據本實施例的有機發光顯示設備包含多個像素。至少一個像素包括：在基板上的第一導電層375、包括暴露第一導電層375的一部分的第一開口371ha之第一有機絕緣層371、在第一有機絕緣層371上，並且包括暴露透過第一開口371ha所暴露的第一導電層375的部分的第二開口372ha之第一無機絕緣層372、以及在第一無機絕緣層372上方，並且與透過第一開口371ha及第二開口372ha暴露的第一導電層375的部分接觸之第二導電層379。
第一導電層375可電連接到層間絕緣層360下面的TFT中的另一導電層。第二導電層379可電連接到在第二有機絕緣層381上另一導電層。
第一無機絕緣層372可在第一有機絕緣層371之上，並且除了第二開口372ha之外還可以包括其他開口372hc。第一有機絕緣層371的一部分可通過其他開口372hc暴露。這可防止在第一有機絕緣層371中產生的氣體被第一無機絕緣層372困住，從而可增加有機發光顯示設備的壽命。其他開口372hc可用作為第一有機絕緣層371中產生的氣體的排出路徑。
第一有機絕緣層371和第二有機絕緣層381可通過其他開口372hc彼此接觸。其他開口372hc也可以形成在被第二導電層379覆蓋的第一無機絕緣層372的一部分中。
參考第13圖，根據本實施例的有機發光顯示設備包括多個像素。至少一個像素包括：在基板上的層間絕緣層460上之第一導電層475、包括暴露第一導電層475的一部分的第一開口471ha之第一有機絕緣層471、在第一有機絕緣層471上，並且包括暴露透過第一開口471ha所暴露的第一導電層475的部分的第二開口472ha之第一無機絕緣層472、以及在第一無機絕緣層472上，並且與透過第一開口471ha和第二開口472ha暴露的第一導電層475的部分接觸之第二導電層479。
第一無機絕緣層472可在第一有機絕緣層471之上。第二無機絕緣層482可在第一無機絕緣層472之上，以覆蓋第二導電層479。因此，第二無機絕緣層482可在第二導電層479和第二有機絕緣層481之間，並且可包括無機材料，例如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。
第二無機絕緣層482可保護第二導電層479，並且可覆蓋第二導電層479的頂表面和邊緣479a。第二無機絕緣層482可從第二導電層479的頂表面延伸，可覆蓋第二導電層479的邊緣479a，然後可連續延伸到第一無機絕緣層472的頂表面，以直接接觸第一無機絕緣層472。因此，第二導電層479可被第一無機絕緣層472和第二無機絕緣層482完全包圍。
參照第14圖，根據本實施例的有機發光顯示設備包括多個像素。至少一個像素包括：在基板上的層間絕緣層560上之第一導電層575、包括暴露第一導電層575的一部分的第一開口571ha之第一有機絕緣層571、在第一有機絕緣層571上，並且包括暴露透過第一開口571ha所暴露的第一導電層575的部分的第二開口572ha之第一無機絕緣層572、以及在第一無機絕緣層572上，並且與第一開口571ha和第二開口572ha所暴露的第一導電層575的部分接觸之第二導電層579。
第一無機絕緣層572可在第一有機絕緣層571之上。第二無機絕緣層582可在第一無機絕緣層572之上，以覆蓋第二導電層579。第二無機絕緣層582可保護第二導電層579，並且可以覆蓋第二導電層579的頂表面和邊緣579a。第二無機絕緣層582可包括直接接觸第二導電層579的部分。
除了第二開口572ha之外，第一無機絕緣層572可包括多個其他開口572hc。透過其他開口572hc可暴露第一有機絕緣層571的部分。第二無機絕緣層582可包括與第一無機絕緣層572的其他開口572hc對應的第四開口582h。第四開口582h可暴露透過第一無機絕緣層572的其他開口572hc所暴露的第一有機絕緣層571的部分。這是為了減少或防止在第一有機絕緣層571中產生的氣體被第一無機絕緣層572和第二無機絕緣層582困住，並且增加有機發光顯示設備的壽命。其他開口572hc和第四開口582h可用作為第一有機絕緣層571中產生的氣體的排出路徑。
第一有機絕緣層571和第二有機絕緣層581可透過其他開口572hc和第四開口582h彼此接觸。
在上述一個或多個實施例的有機發光顯示設備中，第一有機絕緣層(171、271、371、471或571)位於第二導電層(179、279、397、479或579)的下面，以平坦化其上設置有第二導電層的表面。第一無機絕緣層位於第一有機絕緣層和第二導電層之間，使其可以防止第二導電層被設計為電斷開時，第二導電層未被完全蝕刻，且因此連接到相鄰的導電層的問題。
根據一個或多個實施例，有機發光顯示設備防止設計為彼此電絕緣的導電層未根據設計蝕刻且因此電連接，從而形成缺陷像素的問題。
示例性實施例已揭露於本文中，且儘管採用了特定術語，但是其僅以通用和描述性意義使用並解釋，且非為限制的目的。在一些情況下，除非另有說明，結合特定實施例所描述的特徵、特性及/或元件，可以單獨使用或是與其他實施例所描述的特徵、特性及/或元件組合使用，對提出之本申請所屬領域中具有通常知識者將是顯而易見的。因此，技術領域中具有通常知識者將會理解，在不脫離申請專利範圍闡述的實施例的精神和範圍的情況下，可以對形式和細節進行各種改變。
110、210‧‧‧基板
111、211‧‧‧緩衝層
121‧‧‧掃描線
122‧‧‧先行掃描線
123‧‧‧發光控制線
124‧‧‧初始化電壓線
125a‧‧‧驅動閘極電極
125b‧‧‧切換閘極電極
125c1、125c2‧‧‧補償閘極電極
125d1、125d2‧‧‧初始化閘極電極
125e‧‧‧操作控制閘極電極
125f‧‧‧發光控制閘極電極
125g‧‧‧旁路閘極電極
126‧‧‧屏蔽層
127、Cst2‧‧‧第二儲存電容板
127h‧‧‧儲存開口
131a‧‧‧驅動通道區
131b‧‧‧切換通道區
31c1、131c2、131c3‧‧‧補償通道區
131d1、131d2、131d3‧‧‧初始化通道區
131e‧‧‧操作控制通道區
131f‧‧‧發光控制通道區
131g‧‧‧旁路通道區
133a‧‧‧驅動源極區
133b‧‧‧切換源極區
133c‧‧‧補償源極區
133d‧‧‧初始化源極區
133e‧‧‧操作控制源極區
133f‧‧‧光控制源極區
133g‧‧‧旁路源極區
135a‧‧‧驅動汲極區
135b‧‧‧切換汲極區
135c‧‧‧補償汲極區
135d‧‧‧初始化汲極區
135e‧‧‧操作控制汲極區
135f‧‧‧發光控制汲極區
135g‧‧‧旁路汲極區
141、241‧‧‧第一絕緣層
142‧‧‧第二絕緣層
160、260、360、460、560‧‧‧層間絕緣層
161、162、163、164、165、166、167、168、169、183、185、187、263、285‧‧‧接觸孔
171、271、371、471、571‧‧‧第一有機絕緣層
171ha、171hb、271ha、371ha、471ha、571ha‧‧‧第一開口
172、272、372、472、572‧‧‧第一無機絕緣層
172ha、172hb、272ha、372ha、472ha、572ha‧‧‧第二開口
173‧‧‧初始化連接線 174‧‧‧連接元件
175、275、375、475、575‧‧‧第一導電層
176‧‧‧數據線
177‧‧‧下電源線
178‧‧‧上電源線
178a‧‧‧突出部分
179、279、379、479、579‧‧‧第二導電層
181、281、381、481、581‧‧‧第二有機絕緣層
181h‧‧‧第三開口
191、291‧‧‧像素電極
192‧‧‧中間層
193‧‧‧相對電極
225‧‧‧閘極電極
231‧‧‧通道區
233‧‧‧源極區
235‧‧‧汲極區
279a‧‧‧第一層
279b‧‧‧第二層
279c‧‧‧第三層
372hc、572hc‧‧‧其他開口
479a、579a‧‧‧邊緣
482、582‧‧‧第二無機絕緣層
582h‧‧‧第四開口
ACT‧‧‧主動層
ACTa‧‧‧驅動主動層
ACTb‧‧‧切換主動層
ACTc‧‧‧補償主動層
ACTd‧‧‧初始化主動層
ACTe‧‧‧操作控制主動層
ACTf‧‧‧發光控制主動層
ACTg‧‧‧旁路主動層
Cst‧‧‧儲存電容
Cst1‧‧‧第一儲存電容板
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7‧‧‧汲極電極
Dm‧‧‧數據訊號
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共用電極
En‧‧‧發光控制訊號
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7‧‧‧閘極電極
Id‧‧‧驅動電流
Ibp‧‧‧旁路電流
IOLED‧‧‧發光電流
L1、L2‧‧‧寬度
OLED‧‧‧有機發光裝置
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7‧‧‧源極電極
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧先行掃描訊號
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧切換薄膜電晶體
T3‧‧‧補償薄膜電晶體
T4‧‧‧初始化薄膜電晶體
T5‧‧‧驅動控制薄膜電晶體
T6‧‧‧發光控制薄膜電晶體
T7‧‧‧旁路薄膜電晶體
Tr‧‧‧薄膜電晶體
t1、t2‧‧‧厚度
Vint‧‧‧初始化電壓
透過參考附圖詳細描述示例性實施例，本發明的特徵對於本領域中具有通常知識者將變得顯而易見，其中：
第1圖係為描繪有機發光顯示設備的子像素的實施例之圖式；
第2圖係為描繪子像素的TFT及電容的佈局實施例之圖式；
第3至7圖係為描繪第2圖中的佈局實施例的各個層之圖式；
第8圖係為描繪沿著第2圖中的VIII-VIII'線段截取的子像素的實施例之圖式；
第9圖係為描繪沿著第2圖中的IX-IX'線段截取的子像素的實施例之圖式；
第10圖係為描繪沿著第2圖中的X-X'線段截取的子像素的實施例之圖式；以及
第11至14圖係為描繪有機發光顯示設備的其他實施例的剖面圖。
121‧‧‧掃描線
123‧‧‧發光控制線
124‧‧‧初始化電壓線
177‧‧‧下電源線
178‧‧‧上電源線
Cst‧‧‧儲存電容
Cst1‧‧‧第一儲存電容板
Cst2‧‧‧第二儲存電容板
Dm‧‧‧數據訊號
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7‧‧‧汲極電極
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共用電極
En‧‧‧發光控制訊號
Ibp‧‧‧旁路電流
Id‧‧‧驅動電流
IOLED‧‧‧發光電流
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7‧‧‧閘極電極
OLED‧‧‧有機發光裝置
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7‧‧‧源極電極
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧先行掃描訊號
T1‧‧‧驅動薄膜電晶體
T2‧‧‧切換薄膜電晶體
T3‧‧‧補償薄膜電晶體
T4‧‧‧初始化薄膜電晶體
T5‧‧‧控制薄膜電晶體
T6‧‧‧發光控制薄膜電晶體
T7‧‧‧旁路薄膜電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓

Claims (21)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含： 複數個像素，該複數個像素之至少其一包括： 一第一導電層，位於一基板上； 一第一有機絕緣層，位於該第一導電層上，並包含暴露出該第一導電層的一部分的一第一開口； 一第一無機絕緣層，位於該第一有機絕緣層上，並包含暴露出由該第一開口暴露的該第一導電層的該部分的一第二開口；以及 一第二導電層，位於該第一無機絕緣層上，並與透過該第一開口及該第二開口所暴露出的該第一導電層的該部分接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一薄膜電晶體(TFT)，包含一主動層及與該主動層絕緣的一閘極電極，其中該主動層包括用於連接一源極區及一汲極區的一通道區，且其中該第一導電層電連結至該源極區或該汲極區。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一有機絕緣層的厚度較該第一無機絕緣層厚。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一第二有機絕緣層，位於該第二導電層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該第一無機絕緣層包含暴露該第一有機絕緣層之複數個其他開口。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該第一有機絕緣層透過該複數個其他開口中之至少其一直接接觸至該第二有機絕緣層。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一第二無機絕緣層，位於該第二導電層及該第二有機絕緣層之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該第二無機絕緣層覆蓋該第二導電層的邊緣，並包含接觸該第一無機絕緣層的一部分。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該第二有機絕緣層包括暴露出該第二導電層的一第三開口。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一像素電極，通過該第三開口接觸該第二導電層； 一中間層，位於該像素電極上，且包含一發光層；及 一相對電極，位於該中間層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一下電源線，位於與該第一導電層相同之層上，及 一上電源線，位於與該第二導電層相同之層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示設備，其中該下電源線及該上電源線通過該第一有機絕緣層及該第一無機絕緣層的一接觸孔彼此電連結。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示設備，其更包含： 一儲存電容，包含在該基板上的一第一平板，以及面向該第一平板的一第二平板，其中該第二平板位於與該下電源線及該上電源線相異的層上，且電連結至該下電源線及該上電源線。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中： 該第一有機絕緣層包含聚醯亞胺；以及 該第一無機絕緣層包含氧化矽(SiO2 )或氮化矽(SiNx)。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第二導電層包括：包含鈦的一第一層、包含鋁的一第二層、及包含鈦的一第三層。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中： 該第一開口的寬度較該第二開口的寬度寬；且 該第一無機絕緣層包含在該第一開口中接觸該第一導電層的一部分。
  17. 一種像素，包含： 一第一導電層及一第二導電層；及 一第一絕緣層及一第二絕緣層， 其中該第一絕緣層及該第二絕緣層位於該第一導電層及該第二導電層之間，且該第二絕緣層位於該第一絕緣層及該第二導電層之間，且該第一絕緣層包含有機材料，而該第二絕緣層包含無機材料，該第一導電層通過該第一絕緣層中的一孔及該第二絕緣層中的一孔接觸該第二導電層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之像素，其中該第一絕緣層中的該孔與於該第二絕緣層中的該孔對齊。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之像素，其中該第一絕緣層及該第二絕緣層具有不同之厚度。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之像素，其中該第二絕緣層較該第一絕緣層薄。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之像素，其更包含： 一像素電極，接觸該第二導電層。
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