CN112086468B - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112086468B CN112086468B CN202010914606.1A CN202010914606A CN112086468B CN 112086468 B CN112086468 B CN 112086468B CN 202010914606 A CN202010914606 A CN 202010914606A CN 112086468 B CN112086468 B CN 112086468B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor
- oled device
- open area
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 62
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 8
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板,其中,第一电源线通过至少一第一过孔电连接于所述第一电容,第一电容电连接于第一驱动薄膜晶体管,第一驱动薄膜晶体管电连接于第一OLED器件;第二电源线通过至少一第二过孔电连接于第二电容,第二电容电连接于第二驱动薄膜晶体管,第二驱动薄膜晶体管电连接于第二OLED器件;至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,第一开孔面积大于第二开孔面积。本申请设置第一开孔面积大于第二开孔面积,以增大第一驱动薄膜晶体管的去氢效果,改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,特别涉及一种显示面板。
背景技术
在有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板中,由于采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致其控制的OLED器件亮度偏离设计值。这种效应反应在显示画面中则表现为残影,并且画面的残像水平与画面呈强相关;也就是说在相同灰阶下,绿画面残影现象严重,红画面残影现象较轻。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,以解决现有的OLED面板采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致在相同灰阶下,绿画面和/或红画面出现残影的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一电容、第二电容、第一电源线、第二电源线、第一OLED器件和第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;
所述第一电源线通过至少一第一过孔电连接于所述第一电容,所述第一电容电连接于所述第一驱动薄膜晶体管,所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件;所述第二电源线通过至少一第二过孔电连接于所述第二电容,所述第二电容电连接于所述第二驱动薄膜晶体管,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件;
所述至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,所述至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一OLED器件为绿色OLED器件,所述第二OLED器件为第一非绿色OLED器件。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述显示面板还包括第三驱动薄膜晶体管、第三电容、第三电源线、第二非绿色OLED器件;
所述第三电源线通过至少一第三过孔电连接于所述第三电容,所述第三电容电连接于所述第三驱动薄膜晶体管,所述第三驱动薄膜晶体管电连接于所述第二非绿色OLED器件;
所述至少一第三过孔的开孔面积为第三开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者,所述第二非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第二开孔面积等于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件为蓝色OLED器件;
所述第二开孔面积大于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一过孔的数量分别大于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一过孔的数量分别等于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一电源线与所述第一电容异层设置,所述第一电源线设置在所述第一电容上,所述第一电源线和所述第一电容之间设置有一层间介电层,所述第一过孔开设在所述层间介电层上并裸露出所述第一电容;
所述第一电源线通过所述第一过孔与所述第一电容相连。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第二电源线、所述第三电源线分别与所述第一电源线同层设置;所述第二电容、所述第三电容分别与所述第一电容同层设置;所述层间介电层上还开设有所述第二过孔和所述第三过孔,所述第二过孔裸露出所述第二电容,所述第三过孔裸露出所述第三电容;
所述第二电源线通过所述第二过孔与所述第二电容相连,所述第三电源线通过所述第三过孔与所述第三电容相连。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一驱动薄膜晶体管包括第一栅极,所述第一电容包括所述第一栅极和重叠设置在所述第一栅极上的第一电极;
所述第一过孔与所述第一电极重叠;所述第一过孔于所述有源层所在平面的正投影位于所述有源层的外侧;所述第一过孔于所述第一栅极所在平面的正投影位于所述第一栅极的外侧。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第二驱动薄膜晶体管包括第二栅极,所述第二电容包括所述第二栅极和重叠设置在所述第二栅极上的第二电极;
所述第二过孔与所述第二电极重叠;所述第二过孔于所述有源层所在平面的正投影位于所述有源层的外侧;所述第二过孔于所述第二栅极所在平面的正投影位于所述第二栅极的外侧。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一过孔为圆孔或方孔。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一开孔面积为所述第二开孔面积的N倍,N为大于1的正整数。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一开孔面积介于所述第二开孔面积的2倍和所述第二开孔面积的3倍之间。
本发明的显示面板中,电性连接于绿色OLED器件的第一电源线和第一电容,电性连接于第一非绿色OLED器件的第二电源线和第二电容;第一电源线通过至少一第一过孔电连接于第一电容,第二电源线通过至少一第二过孔电连接于第二电容。
配置至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,配置至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,并设定所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积,以增大第一驱动薄膜晶体管的去氢效果,改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本发明的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本发明实施例的显示面板的剖面结构示意图;
图2为本发明实施例的显示面板的像素驱动电路等效图;
图3为本发明实施例的显示面板的部分结构的俯视结构示意图;
图4为本发明实施例的显示面板的部分结构的另一俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1,图1为本发明实施例的显示面板的剖面结构示意图。本发明实施例提供一种显示面板100,其包括OLED器件层M和驱动薄膜晶体管结构层DT,所述驱动薄膜晶体管结构层DT电连接于所述OLED器件层M。驱动薄膜晶体管结构层DT用于将电流输送至OLED器件层M,以驱动OLED器件发光。
可选的,驱动薄膜晶体管结构层DT可应用于7T1C像素驱动电路和6T1C像素驱动电路,或其他像素驱动电路。本实施例以一个7T1C像素驱动电路为例进行说明,但并不限于此。
如图2所示,驱动薄膜晶体管DT的栅极分别电性连接于第二薄膜晶体管T2的第一端、电容C1的一端和第三薄膜晶体管T3的第一端;驱动薄膜晶体管DT的第一端电性连接于第一薄膜晶体管T1的第二端和第四薄膜晶体管T4的第一端;驱动薄膜晶体管DT的第二端电性连接于第五薄膜晶体管T5的第一端和第二薄膜晶体管T2的第二端。
第五薄膜晶体管T5的栅极分别电性连接于第四薄膜晶体管T4的栅极和信号线em[n];第五薄膜晶体管T5的第二端分别电性连接于第六薄膜晶体管T6的第二端和OLED器件。电容C1的另一端分别电性连接于电压线VDD和第四薄膜晶体管T4的第二端。
第一薄膜晶体管T1的第一端电性连接于数据线data[m];第一薄膜晶体管T1的栅极分别电性连接于第二扫描线scan[n]和第二薄膜晶体管T2的栅极。第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于第一扫描线scan[n-1];第三薄膜晶体管T3的第二端电性连接于第六薄膜晶体管T6的第一端;第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第二扫描线scan[n]。
具体的,驱动薄膜晶体管结构层DT包括依次形成在基板101上的缓冲层102、有源层103、第一绝缘层104、第一栅极金属层105、第二绝缘层106、第二栅极金属层107、层间介电层108和源漏金属层109。
结合图3所示,所述第一栅极金属层105包括扫描线Scan、第一栅极g1、第二栅极g2和第三栅极g3。所述第二栅极金属层107包括第一电极p1、第二电极p2和第三电极p3。
所述第一栅极g1和所述第一电极p1重叠设置形成第一电容c1。所述第二栅极g2和所述第二电极p2重叠设置形成第二电容c2。所述第三栅极g3和所述第三电极p3重叠设置形成第三电容c3。
所述源漏金属层109包括数据线Data、第一电源线V1、第二电源线V2、第三电源线V3、源极和漏极。
层间介电层108上设置有第一过孔10a、第二过孔10b和第三过孔10c。所述第一过孔10a与所述第一电极p1重叠;所述第一过孔10a于所述有源层103所在平面的正投影位于所述有源层103的外侧;所述第一过孔10a于所述第一栅极金属层105所在平面的正投影位于所述第一栅极g1的外侧,避免第一过孔10a影响第一电容c1的存储量。
第二过孔10b与所述第二电极p2重叠;所述第二过孔10b于所述有源层103所在平面的正投影位于所述有源层103的外侧;所述第二过孔10b于所述第一栅极金属层105所在平面的正投影位于所述第二栅极g2的外侧,避免第二过孔10b影响第二电容c2的存储量。
第三过孔10c与所述第三电极p3重叠;所述第三过孔10c于所述有源层103所在平面的正投影位于所述有源层103的外侧;所述第三过孔10c于所述第一栅极金属层105所在平面的正投影位于所述第三栅极g3的外侧,避免第三过孔10c影响第三电容c3的存储量。
OLED器件层M包括依次形成在所述源漏金属层109上的平坦层111、阳极112和像素定义层113。当然,在本实施例中,OLED器件层M还包括依次设置在阳极112上的有机发光层、阴极和封装层。
如图1所示,所述驱动薄膜晶体管结构层DT包括第一驱动薄膜晶体管DT1、第二驱动薄膜晶体管DT2、第一电容c1、第二电容c2、第一电源线V1和第二电源线V2。
所述OLED器件层M包括第一OLED器件M1和第二OLED器件M2。
所述第一电源线V1通过至少一第一过孔10a电连接于所述第一电容c1。所述第一电容c1电连接于所述第一驱动薄膜晶体管DT1。所述第一驱动薄膜晶体管DT1电连接于所述第一OLED器件M1。所述第二电源线V2通过至少一第二过孔10b电连接于所述第二电容c2。所述第二电容c2电连接于所述第二驱动薄膜晶体管DT2。所述第二驱动薄膜晶体管DT2电连接于所述第二OLED器件M2。,所述第一OLED器件M1和所述第二OLED器件M2各自发出的光颜色不同。
所述至少一第一过孔10a的开孔面积为第一开孔面积。所述至少一第二过孔10b的开孔面积为第二开孔面积。所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积。
第一开孔面积为所有第一过孔10a的开孔面积的总和,第二开孔面积为所有第二过孔10b的开孔面积的总和。本实施例的显示面板100设定所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积,以增大第一驱动薄膜晶体管DT1的去氢效果,改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。也就是说,在制程中,本实施例通过增加层间介电层108对应于第一驱动薄膜晶体管DT1处的第一过孔10a的开孔面积,以便后续对第一驱动薄膜晶体管DT1做去氢处理时,提高去氢的效果,进而减缓第一驱动薄膜晶体管DT1的迟滞效应。
可选的,所述第一过孔10a为圆孔或方孔,但并不限于此。所述第二过孔10b为圆孔或方孔,但并不限于此。
可选的,所述第一OLED器件M1为绿色OLED器件,所述第二OLED器件M2为第一非绿色OLED器件,以改善绿画面的残影现象。
在本实施例所述的显示面板100中,所述显示面板100还包括第三驱动薄膜晶体管DT3、第三电容c3、第三电源线V3、第二非绿色OLED器件M3。
所述第三电源线V3通过至少一第三过孔10c电连接于所述第三电容c3。所述第三电容c3电连接于所述第三驱动薄膜晶体管DT3。所述第三驱动薄膜晶体管DT3电连接于所述第二非绿色OLED器件M3。
所述至少一第三过孔10c的开孔面积为第三开孔面积。所述第一开孔面积大于所述第三开孔面积。第三开孔面积为所有第三过孔10c的开孔面积的总和。
所述第一开孔面积大于所述第三开孔面积,以进一步改变第一驱动薄膜晶体管DT1的电性,进而改善绿画面的残影现象。
在本实施例所述的显示面板100中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者。所述第二非绿色OLED器件M3为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。
在本实施例中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件。所述第二非绿色OLED器件M3为蓝色OLED器件。
当然在一些实施例中,所述第一非绿色OLED器件也可以为蓝色OLED器件。所述第二非绿色OLED器件M3为红色OLED器件。
在本实施例所述的显示面板100中,可选的,所述第二开孔面积等于所述第三开孔面积。
这样的设置,一方面节省空间;另一方面便于掩模板进行布局。
可选的,所述第三过孔10c为圆孔或方孔,但并不限于此。
可以理解的是,在同一亮度的要求下,在红色OLED器件、绿色OLED器件M1和蓝色OLED器件中,蓝色OLED器件需要的驱动电流最大,红色OLED器件需要的驱动电流次之,绿色OLED器件M1需要的驱动电流最小。
因此,在一些实施例所述的显示面板中,所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积,所述第二开孔面积大于所述第三开孔面积;一方面保证了三色OLED器件各自发光所需的电流,提高了发光亮度的均匀性;另一方面,改善了第一驱动薄膜晶体管DT1和第二驱动薄膜晶体管DT2的迟滞效应,进而改善了绿色OLED器件和红色OLED器件各自对应的绿画面和红画面的残影现象。
在本实施例所述的显示面板100中,可选的,所述第一开孔面积为所述第二开孔面积的N倍,N为大于1的正整数。这样的设置一方面可以改善绿画面的残影现象,另一方面便于层间介电层108的开孔制程,提高制程效率。
另外,由于第一开孔面积的大小不但会影响第一驱动薄膜晶体管DT1的电性,还会影响其它金属的布局以及影响第一电源线V1的电传递效率。而当所述第一开孔面积小于所述第二开孔面积的2倍时,肉眼在观看画面时,绿画面还是具有细微的残影;当所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积的3倍时,第一开孔面积过大,影响后续制程以及第一电源的电传递性;而且第一过孔面积的大小还受限于第一电容c1的面积大小。
可选的,所述第一开孔面积介于所述第二开孔面积的2倍和所述第二开孔面积的3倍之间。
在本实施例所述的显示面板100中,所述第一过孔10a的数量分别大于所述第二过孔10b的数量和所述第三过孔10c的数量。
具体的,本实施例以第一过孔10a的数量的两个,第二过孔10b和第三过孔10c的数量均为1个,为例进行说明,但并不限于此。
另外,单个第一过孔10a的过孔面积等于单个第二过孔10b的过孔面积。
在一些实施例中,所述第一过孔10a的数量分别等于所述第二过孔10b的数量和所述第三过孔10c的数量。如图4所示,第一过孔10a、第二过孔10b和第三过孔10c的数量均为一个。
在本实施例所述的显示面板100中,请参照图1,所述第一电源线V1与所述第一电容c1异层设置。所述第一电源线V1设置在所述第一电容c1上。所述第一电源线V1和所述第一电容c1之间设置有一层间介电层108。所述第一过孔10a开设在所述层间介电层108上并裸露出所述第一电容c1。
所述第一电源线V1通过所述第一过孔10a与所述第一电容c1的第一电极p1相连。
所述第二电源线V2、所述第三电源线V3分别与所述第一电源线V1同层设置。所述第二电容c2、所述第三电容c3分别与所述第一电容c1同层设置。所述层间介电层108上还开设有所述第二过孔10b和所述第三过孔10c。所述第二过孔10b裸露出所述第二电容c2,所述第三过孔10c裸露出所述第三电容c3。
所述第二电源线V2通过所述第二过孔10b与所述第二电容c2的第二电极p2相连。所述第三电源线V3通过所述第三过孔10c与所述第三电容c3的第三电极p3相连。
本发明的显示面板中,电性连接于绿色OLED器件的第一电源线和第一电容,电性连接于第一非绿色OLED器件的第二电源线和第二电容;第一电源线通过至少一第一过孔电连接于第一电容,第二电源线通过至少一第二过孔电连接于第二电容。
配置至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,配置至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,并设定所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积,以增大第一驱动薄膜晶体管的去氢效果,改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善绿画面的残影现象。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一电容、第二电容、第一电源线、第二电源线、第一OLED器件和第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;
所述第一电源线通过至少一第一过孔电连接于所述第一电容,所述第一电容电连接于所述第一驱动薄膜晶体管,所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件;所述第二电源线通过至少一第二过孔电连接于所述第二电容,所述第二电容电连接于所述第二驱动薄膜晶体管,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件;
所述至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,所述至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积,所述第一OLED器件为绿色OLED器件,所述第二OLED器件为第一非绿色OLED器件。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三驱动薄膜晶体管、第三电容、第三电源线、第二非绿色OLED器件;
所述第三电源线通过至少一第三过孔电连接于所述第三电容,所述第三电容电连接于所述第三驱动薄膜晶体管,所述第三驱动薄膜晶体管电连接于所述第二非绿色OLED器件;
所述至少一第三过孔的开孔面积为第三开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第三开孔面积。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者,所述第二非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二开孔面积等于所述第三开孔面积。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件为蓝色OLED器件;
所述第二开孔面积大于所述第三开孔面积。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔的数量分别大于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔的数量分别等于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一电源线与所述第一电容异层设置,所述第一电源线设置在所述第一电容上,所述第一电源线和所述第一电容之间设置有一层间介电层,所述第一过孔开设在所述层间介电层上并裸露出所述第一电容;
所述第一电源线通过所述第一过孔与所述第一电容相连。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第二电源线、所述第三电源线分别与所述第一电源线同层设置;所述第二电容、所述第三电容分别与所述第一电容同层设置;所述层间介电层上还开设有所述第二过孔和所述第三过孔,所述第二过孔裸露出所述第二电容,所述第三过孔裸露出所述第三电容;
所述第二电源线通过所述第二过孔与所述第二电容相连,所述第三电源线通过所述第三过孔与所述第三电容相连。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一驱动薄膜晶体管包括第一栅极,所述第一电容包括所述第一栅极和重叠设置在所述第一栅极上的第一电极;
所述第一过孔与所述第一电极重叠;所述第一过孔于所述第一栅极所在平面的正投影位于所述第一栅极的外侧。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二驱动薄膜晶体管包括第二栅极,所述第二电容包括所述第二栅极和重叠设置在所述第二栅极上的第二电极;
所述第二过孔与所述第二电极重叠;所述第二过孔于所述第二栅极所在平面的正投影位于所述第二栅极的外侧。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一开孔面积为所述第二开孔面积的N倍,N为大于1的正整数。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述第一开孔面积介于所述第二开孔面积的2倍和所述第二开孔面积的3倍之间。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010914606.1A CN112086468B (zh) | 2020-09-03 | 2020-09-03 | 显示面板 |
US17/264,835 US20230276659A1 (en) | 2020-09-03 | 2020-10-23 | Display panel |
PCT/CN2020/123079 WO2022047919A1 (zh) | 2020-09-03 | 2020-10-23 | 显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010914606.1A CN112086468B (zh) | 2020-09-03 | 2020-09-03 | 显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112086468A CN112086468A (zh) | 2020-12-15 |
CN112086468B true CN112086468B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=73731872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010914606.1A Active CN112086468B (zh) | 2020-09-03 | 2020-09-03 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230276659A1 (zh) |
CN (1) | CN112086468B (zh) |
WO (1) | WO2022047919A1 (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102891163A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 奇美电子股份有限公司 | 有机电激发光显示装置 |
CN102903326A (zh) * | 2008-12-16 | 2013-01-30 | 索尼株式会社 | 显示装置以及电子设备 |
CN103073444A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-01 | 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 | 脱氢枞酸基芳胺化合物作为空穴传输材料的应用 |
CN207764776U (zh) * | 2018-01-24 | 2018-08-24 | 东莞市华仕电子科技有限公司 | 一种高精度车载导航触摸屏 |
CN109935622A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制作方法 |
CN110600514A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101614876B1 (ko) * | 2010-09-07 | 2016-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101830791B1 (ko) * | 2011-09-08 | 2018-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150096022A (ko) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102362883B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2022-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106920814B (zh) * | 2015-12-28 | 2020-02-21 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled像素版图以及oled器件的制造方法 |
KR102642198B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR20180051739A (ko) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200072891A (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 지연형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치 |
CN110034132B (zh) * | 2019-06-12 | 2019-10-29 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN110136651B (zh) * | 2019-06-12 | 2021-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、oled显示面板和显示装置 |
CN110299107B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-01-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
-
2020
- 2020-09-03 CN CN202010914606.1A patent/CN112086468B/zh active Active
- 2020-10-23 WO PCT/CN2020/123079 patent/WO2022047919A1/zh active Application Filing
- 2020-10-23 US US17/264,835 patent/US20230276659A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102903326A (zh) * | 2008-12-16 | 2013-01-30 | 索尼株式会社 | 显示装置以及电子设备 |
CN102891163A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 奇美电子股份有限公司 | 有机电激发光显示装置 |
CN103073444A (zh) * | 2013-01-28 | 2013-05-01 | 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 | 脱氢枞酸基芳胺化合物作为空穴传输材料的应用 |
CN207764776U (zh) * | 2018-01-24 | 2018-08-24 | 东莞市华仕电子科技有限公司 | 一种高精度车载导航触摸屏 |
CN109935622A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制作方法 |
CN110600514A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112086468A (zh) | 2020-12-15 |
US20230276659A1 (en) | 2023-08-31 |
WO2022047919A1 (zh) | 2022-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10658403B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
TW483178B (en) | EL display device and electronic apparatus | |
US6781320B2 (en) | Active matrix organic electroluminescence display device | |
US9245908B2 (en) | Thin-film transistor array substrate, display device including the same, and method of manufacturing the thin-film transistor array substrate | |
US10840319B2 (en) | Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus | |
US9406733B2 (en) | Pixel structure | |
US8183064B2 (en) | Thin film transistor devices for OLED displays and method for fabricating the same | |
US20180226508A1 (en) | Tft backplane and manufacturing method thereof | |
CN106992185B (zh) | 薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法 | |
TW201714296A (zh) | 陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法 | |
US10331001B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
TW202406160A (zh) | 半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置 | |
US9293516B2 (en) | Display device | |
US20230139990A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
WO2015100808A1 (zh) | 一种具有氧化物薄膜电晶体的发光装置及其制造方法 | |
US12089447B2 (en) | Display panel and display device | |
US7557498B2 (en) | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same | |
US7129524B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
CN112086468B (zh) | 显示面板 | |
JP2009199078A (ja) | 画像表示システム | |
CN101521218A (zh) | 影像显示系统 | |
Shin et al. | A novel ultra large size organic light emitting diode display for premium televisions | |
US20230276658A1 (en) | Display panel | |
KR102242982B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 | |
CN118197244A (zh) | 显示装置及显示装置的驱动方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |