KR100611650B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 절연기판과; 상기 절연 기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와; 상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 제 1비아홀을 갖는 패시베이션막 및 평탄화막과; 상기 평탄화막 상부 전면에 형성되며 제 2비아홀을 갖는 배리어층과; 상기 패시베이션막의 소정 부분에 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극과; 상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막과; 상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층과; 상기 유기막층 상부에 상부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 배리어층은 제 1배리어층 및 제 2배리어층으로 이루어진 이층 구조인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
유기전계발광소자, 평탄화막, 배리어층, 이층구조
Description
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 나타낸 단면도로서, 하나의 단위 화소로 한정된 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
100 : 절연기판 125 : 반도체층
135 : 게이트 전극 145 : 소오스/드레인 전극
150 : 평탄화막 155: 제 1비아홀
160: 제 1배리어층 170 : 제 2배리어층
175 : 제 2비아홀 180: 화소전극
200 : 유기막층 210 : 상부전극
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세 하게는 유기 전계 발광 소자의 수명 특성을 개선하기 위한 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
고도의 정보화 시대가 도래함에 따라 신속, 정확한 정보를 손 안에서 얻고자 하는 요구가 많아지면서, 가볍고 얇아서 휴대하기가 편하고 정보 처리 속도가 빠른 디스플레이 장치에 대한 개발이 급속하게 이루어지고 있다. 기존의 CRT는 중량, 체적 및 소비전력이 크고, LCD는 공정의 복잡성, 좁은 시야각, 대조비 및 대면적화에 대한 기술적인 한계가 있다.
한편, 유기 전계 발광 소자는 유기 발광층을 포함한 유기막에 전압를 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 유기 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬수 있으며, 응답속도 또한 CRT와 같은 수준이며, 소비 전력 측면에서도 유리하다.
일반적으로 유기 전계 발광 소자는 구동 방법에 따라 수동 매트릭스방식과 능동 매트릭스방식으로 나뉘어지는데, 수동 매트릭스방식은 그 표시 영역이 양극과 음극에 의하여 단순한 매트릭스 형태의 소자로 구성되어 있어 제조가 용이하지만 해상도, 구동전압의 상승, 재료의 수명저하등의 문제점으로 인하여 저해상도 및 소형 디스플레이의 응용분야로 제한된다. 반면 능동 매트릭스방식은 표시 영역이 각 화소마다 박막 트랜지스터를 장착하여 유기전계발광소자의 화소수와 상관없이 일정한 전류를 공급함에 따라 안정적인 휘도를 나타낼 수 있으며 또한 전력소모가 적어, 고해상도 및 대형디스플레이의 적용에 유리하다. 이러한 이유로 능동 매트릭스 방식은 우월한 제품성과 잠재적인 시장성으로 차세대 디스플레이로서 자리매김하고 있다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 나타낸 단면도로서, 하나의 단위 화소로 한정된 도면이다.
도 1을 참조하여 종래의 유기 전계 발광 소자의 구조를 설명하면 다음과 같다. 먼저, 절연 기판(10)의 버퍼층(11)상부에 통상적인 방법으로 반도체층(12), 게이트 절연막(13), 게이트 전극(14), 층간 절연막(15), 소오스/드레인 전극(16)을 구비한 박막 트랜지스터가 형성된다.
상기 층간 절연막의 전면에 걸쳐 패시배이션막(17)을 형성하고, 상기 패시배이션막 상부에 평탄화막(18)을 형성한 후 소오스/드레인 전극중 한 전극의 소정 부분을 노출시키기 위한 비아홀(19)을 형성한다.
상기 비아홀을 통하여 소오스/드레인 전극의 노출된 소정 부분과 접하는 화소전극(20)을 형성한다.
이 때, 상기 비아홀의 굴곡진 형태를 지닌 상기 화소전극을 덮는 화소정의막(21)을 형성한 후, 상기 화소정의막 상에 상기 화소전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 형성한다. 이어서, 상기 개구부내에 노출된 화소전극을 포함하는 기판 전면에 적어도 발광층을 포함하는 유기막(22)을 형성한후, 상기 유기막상에 상부전극(23)을 형성한다.
상기 유기막은 발광층 외에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 억제층, 전자수송층 및 전자주입층 중에서 하나 이상을 더 포함하는 다층의 유기막으로 형성될 수 있다.
이와 같이, 상기 유기 전계 발광 소자는 다수의 박막트랜지스터를 가질수 있으며, 상기의 박막트랜지스터를 보호하거나 각 층의 단차를 상쇄시키기 위해서 평탄화막을 형성하게 된다.
상기 평탄화막은 벤조사이클로부텐수지, 아크릴 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군에서 선택된 하나의 유기물질로서 유기용매에 녹여 코팅 방식에 의해 형성이 된다. 이후에 유기막내의 유기용매 또는 수분등의 불순물을 제거하기 위해 질소분위기 또는 진공상태에서 베이킹 공정을 거치지만 완벽하게 제거되지 않으며, 상기 평탄화막은 유기물질로 형성됨으로서 대기 노출시 수분 또는 산소가 쉽게 흡착하여 ITO의 증착시 접착성을 떨어뜨린다.
또한, ITO증착시 200℃이상의 고온에서 증착하게 되므로 유기막에서 나오는 아웃개스(outgas)에 의해 ITO의 표면저항이 30%이상 높아져 소자의 특성 저하를 유발할 뿐만 아니라, 유기발광층 증착후 평탄화막과 유기발광층이 인접하여 유기막내의 아웃개스(outgas)에 의해 픽셀 축소 현상이나 유기 발광 소자의 열화 현상이 발생하여 유기 발광 소자의 수명이 감소하게 된다.
한국특허출원 제2003-50927호는 평탄화막 상부 및 하부에 수분 블로킹층을 형성하여 외부로부터의 수분의 침입을 방지하기 위한 유기 EL 패널에 대해 개시하고 있다. 상기 특허는 수분 블로킹층은 SiNx 또는 TEOS를 화학기상증착(CVD)에 의하여 단일막으로 형성되는데 있어서 발생된 핀홀을 통하여 아웃개스(outgas)가 유기발광층 및 ITO 증착 공정에 악영향을 미칠수 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상기 평탄화막 상부에 이중구조의 배리어층을 형성하여 상기 평탄화막으로부터 발생될 수 있는 아웃개스(outgas) 및 수분이 유입되는 것을 방지함으로써 수명 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 이중구조의 배리어층을 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 절연기판과;
상기 절연 기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;
상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 제 1비아홀을 갖는 패시베이션막 및 평탄화막과;
상기 평탄화막 상부 전면에 형성되며 제 2비아홀을 갖는 배리어층과;
상기 패시베이션막의 소정 부분에 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극과;
상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막과;
상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층과;
상기 유기막층 상부에 상부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 배리어층은 제 1배리어층 및 제 2배리어층으로 이루어진 이층 구조인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은
절연기판이 제공되고;
상기 절연기판 상부에 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 상부에 포함하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판전면에 패시베이션막 및 평탄화막을 적층하고 상기 드레인 전극을 노출하기 위한 제 1비아홀을 형성하는 단계와;
상기 제 1비아홀을 포함하는 상기 평탄화막 상부에 배리어층을 형성하는 단계와;
상기 배리어층의 제 1비아홀면의 부분을 식각하여 제 2비아홀을 형성하는 단계와;
상기 제 2비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극과 접하는 화소전극을 상기 평탄화막의 소정 부분에 형성하는 단계와;
상기 소오스/드레인 전극 및 화소 전극을 덮는 화소정의막을 형성하고 화소 영역을 노출하기 위한 개구부를 형성하는 단계와;
상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;
상기 유기막층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 있어서,
상기 배리어층은 제 1배리어층 및 제 2배리어층으로 이루어진 이층 구조인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 2a는 소정의 소자가 형성된 기판상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막, 소오스/드레인 전극, 제 1비아홀을 가지는 패시베이션막 및 평탄화막을 순차적으로 형성하는 단계의 공정 단면도이다.
도 2a에서 보는 바와 같이 소정의 소자가 형성된 절연기판(100)상에 상기 절연기판(100)상으로부터 유출되는 불순물을 막아주기 위해 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막/실리콘 질화막의 적층막으로 이루어진 군에서 선택된 버퍼층(110)을 형성한다. 이어서, 소오스, 드레인 및 채널 영역을 포함하는 반도체층(125)을 형성하고, 상기 반도체층이 형성된 기판상에 게이트 절연막(120)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 절연막(120)상의 소정의 영역에 게이트 전극(135)이 형성되도록 하고, 상기 게이트 전극 및 하부 소자들을 보호하기 위해 층간절연막(130)을 형성한다. 이어서, 게이트 절연막 및 층간절연막의 소정부분에 소오스/드레인 전극(145)이 소오스/드레인 영역과 전기적으로 연결이 이루어질 수 있도록 콘택홀을 형성한 후, 전도성 금속 물질을 이용하여 상기 콘택홀을 채워 소오스/드레인 전극을 형성한다. 이어서 상기 기판 전면에 패시베이션막(140) 및 평탄화막(150)을 순차적으로 형성한 후, 박막트랜지스터의 드레인 전극과 이후 형성 될 화소 전극을 전기적으로 연결하기 위하여 상기 패시베이션막과 평탄화막의 일부분을 드레인 전극의 소정 부분을 노출하는 제 1비아홀(155)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 비아홀의 굴곡진 곳으로 증착되는 무기막으로 이루어진 배리어층의 단차피복성(step coverage)을 좋게하기 위해 제 1비아홀의 폭(D)은 4 내지 12㎛로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 평탄화막은 형성된 여러 소자들에 의해 발생하는 기판의 모폴로지(morphology)를 제거할 뿐만 아니라 하부의 소자들이 상부의 소자들과 전기적으로 절연이 되고, 하부 소자들을 보호하기 위해 형성된다.
이때, 상기 평탄화막은 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 수지, 폴리이미드수지 및 페놀수지등으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 유기물질로 이루어 질 수 있다. 또한, 상기 평탄화막의 두께는 한정되지는 않지만, 0.5 내지 2㎛으로 형성되는 것이 바람직하다.
다음, 도 2b는 상기 기판상에 이중구조의 배리어층을 형성하는 공정 단면도이다. 도 2b에서 보는 바와 같이 제 1비아홀이 형성된 평탄화막 상부의 전면에 제 1배리어층(160) 및 제 2배리어층(170)을 순차적으로 적층한다.
여기서, 제 1배리어층 및 제 2배리어층은 무기막으로 형성될 수 있다.
더욱 상세하게는 상기 제 1배리어층은 하부의 평탄화막과 접착력이 우수한 SiO2로 이루어지며, 상기 제 2배리어층은 방습성이 크며 안정적인 SiNx로 형성함으로서 외부의 수분을 내부로 투입되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이때, 제 1배리어층 및 제 2배리어층의 두께는 한정되지는 않지만, 각각 500 내지 3000Å으로 적층하는 것이 바람직하다.
이에 따라, 상기 평탄화막에 이층 구조의 배리어층을 형성함으로서 단일막으로 배리어층을 형성시 발생할 수 있는 핀홀 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 유기 전계 발광 소자는 드레인 전극의 소정 부분만이 노출되고 기판 전면이 상기 이층 구조의 배리어층이 도포됨에 따라 하부층의 평탄화막의 수분 및 아웃개스 또는 외부로터의 산소 및 수분의 영향으로부터 보호받을 수 있다.
이어서, 상기 제 1비아홀에 의해 노출된 드레인 전극이 상기 이중층으로 도포되어 있으므로 화소전극과 전기적으로 연결되기 위하여 건식 식각하여 상기 드레인 전극의 소정 부분을 노출하기 위한 제 2비아홀(175)을 형성한다.
다음, 도 2c는 상기 기판상에 화소 전극, 유기발광층 및 상부전극을 형성하는 단계의 공정단면도이다.
도 2c에서 보는 바와 같이, 상기 제 2비아홀에 의해 노출되어진 드레인 전극과 전기적으로 연결되어지는 화소전극(180)을 패터닝하여 형성한다.
상기 화소전극은 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극일 수 있다.
이어서, 상기 화소전극 상에 상기 화소전극의 표면 일부를 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막(pixel defining layer)(190)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 개구부를 갖는 화소정의막은 발광영역을 정의하는 역할을 한다. 여기서, 상기 화소정의막은 아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 개구부 내에 노출된 화소전극을 포함한 기판 전면에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층(200)을 형성한다.
상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층중에서 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 유기막층(200) 상에 상부전극을 형성한다.
여기서, 상기 상부전극(210)은 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성된다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 평탄화막의 상부에 이층구조의 배리어층을 형성함으로서 아웃개스 및 수분의 영향 또는 외부로터의 수분 및 산소의 영향으로부터 보호받을 수 있다.
이로써, 화소 전극과 평탄화막의 접착력을 향상시킬수 있으며 픽셀 축소 현상 및 유기 발광 소자의 열화를 방지할 수 있으며, 유기 전계 발광 소자의 수명이 개선될 수 있다.
Claims (8)
- 절연기판과;상기 절연 기판의 상부에 위치하는 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;상기 기판 전면에 상기 박막트랜지스터를 덮으며, 상기 드레인 전극이 노출된 제 1비아홀을 갖는 패시베이션막 및 평탄화막과;상기 평탄화막 상부 전면에 형성되며 제 2비아홀을 갖는 배리어층과;상기 패시베이션막의 소정 부분에 상기 노출된 드레인 전극과 연결되는 화소전극과;상기 화소전극의 소정 부분을 노출하는 개구부를 가지는 화소정의막과;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층과;상기 유기막층 상부에 상부 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,상기 배리어층은 제 1배리어층 및 제 2배리어층으로 이루어진 이층 구조인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 평탄화막은 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐수지 및 폴리이미드 수지로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1비아홀의 폭은 4 내지 12㎛인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 이층구조의 배리어층은 무기막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1배리어층은 SiO2로 이루어지며, 제 2배리어층은 SiNx로 이루어진 이층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1배리어층과 제 2배리어층은 각각 500 내지 3000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 화소전극은 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연기판이 제공되고;상기 절연기판 상부에 반도체층, 게이트 전극, 도전성 버퍼층을 상부에 포함하는 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터를 포함하는 기판전면에 패시베이션막 및 평탄화막을 적층하고 상기 드레인 전극을 노출하기 위한 제 1비아홀을 형성하는 단계와;상기 제 1비아홀을 포함하는 상기 평탄화막 상부 전면에 배리어층을 형성하는 단계와;상기 배리어층의 제 1비아홀면의 부분을 식각하여 제 2비아홀을 형성하는 단계와;상기 제 2비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극과 접하는 화소전극을 상기 평탄화막의 소정 부분에 형성하는 단계와;상기 소오스/드레인 전극 및 화소 전극을 덮는 화소정의막을 형성하고 화소 영역을 노출하기 위한 개구부를 형성하는 단계와;상기 화소전극 상부에 발광을 위한 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;상기 유기막층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 있어서,상기 배리어층은 제 1배리어층 및 제 2배리어층으로 이루어진 이층 구조인것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101464861B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 표시 장치 |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| KR102050434B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2019-11-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR102642198B1 (ko) * | 2016-04-04 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
| CN107068614B (zh) * | 2017-04-19 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN109166902A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-01-08 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器 |
-
2004
- 2004-06-25 KR KR1020040048551A patent/KR100611650B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101464861B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-11-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 표시 장치 |
| US8933444B2 (en) | 2012-05-24 | 2015-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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