TW201719909A - 半導體結構的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供製造半導體結構之方法，及此方法包括以下步驟。閘極結構形成於基板上，及形成襯裏層以覆蓋閘極結構及基板。間隔物層形成於襯裡層上，及連續提供蝕刻氣體以將基板維持在第二壓力下而移除間隔物層之一部分。此蝕刻氣體具有第一壓力。第二壓力大於第一壓力。

Description

半導體結構的製造方法
本發明實施例係有關一種半導體結構的製造方法。
半導體積體電路(integrated circuit,IC)已經歷迅速增長。在發展過程中，半導體裝置之功能密度增大，同時裝置特徵尺寸或幾何形狀减小。微縮製程(scaling down process)一般藉由提高生產效率、降低成本，及/或改良裝置效能而提供益處。然而，此種微縮製程亦增大積體電路製造製程之複雜性。
在深次微米(deep sub-micron)積體電路技術中，非揮發性記憶體裝置因多種優勢而變為熱門的儲存單元。特定而言，當關閉電源時，保存在非揮發性記憶體裝置中之資料不會遺失。非揮發性記憶體裝置之一個特定例子包含浮動閘極以保留與所保存的資料關連之電荷。然而，隨著技術演變，半導體製程節點已針對高密度非揮發性記憶體裝置而按比例縮小。在非揮發性記憶體裝置之製程中，時時需要進一步改進以滿足微縮製程中之效能要求。
根據本發明之多個實施方式，係提供一種用於製造一半導體結構的方法，製造方法包含：形成一閘極結構於一基板上；形成一襯裏層以覆蓋閘極結構及基板；形成一間隔物層於襯裏層上；連續提供一蝕刻氣體以移除間隔物層之一部分，及蝕刻氣體具有一第一壓力；以及將基板維持在一第二壓力下，第二壓力大於第一壓力。
根據本發明之多個實施方式，係提供一種用於製造一半導體結構之方法，方法包含：形成兩個閘極結構於一基板上；形成一間隔物層以覆蓋兩個閘極結構，及一間隙位於兩個閘極結構之間；根據間隙之一深寬比而移除間隔物層之一部分，以分別在兩個閘極結構的側壁上形成錐形間隔物，及基板與錐形間隔物之一側表面之間的一夾角相對於間隙之深寬比增大而减少；及形成一層間介電層以完全充填間隙。
根據本發明之多個實施方式，係提供一種用於製造一半導體結構的方法，方法包含：將一基板置於一真空腔室中，基板上具有一閘極結構及覆蓋閘極結構之一間隔物層；將一蝕刻氣體供應至真空腔室內；將蝕刻氣體控制在一第一壓力下；及使用一排氣裝置以將真空腔室維持在大於第一壓力之一第二壓力下，及藉由蝕刻氣體移除間隔物層之一部分以形成一錐形間隔物。
100‧‧‧流程圖
110‧‧‧步驟
120‧‧‧步驟
130‧‧‧步驟
140‧‧‧步驟
150‧‧‧步驟
210‧‧‧基板
210D‧‧‧汲極
210S‧‧‧源極
220‧‧‧閘極結構
221‧‧‧閘極絕緣層
222‧‧‧浮動閘極
223‧‧‧閘極間介電層
224‧‧‧控制閘極
230‧‧‧襯裡層
240‧‧‧間隔物層
242‧‧‧錐形間隔物
242S‧‧‧側表面
250‧‧‧蝕刻氣體
260‧‧‧層間介電層
270‧‧‧間隙
300‧‧‧乾式蝕刻設備
310‧‧‧真空腔室
312‧‧‧載臺
320‧‧‧供氣裝置
330‧‧‧排氣裝置
340‧‧‧控制裝置
350‧‧‧天線
360‧‧‧電漿產生裝置
370‧‧‧射頻偏壓電源
本發明之態樣最佳在閱讀圖式時根據下文之詳細說明來進行理解。應注意，依據工業中之標準實務，多個特徵並未按比例繪製。實際上，多個特徵之比例可任意增大或縮小，以便使論述更加明確。
第1圖繪示依據多個實施例之製造半導體結構之方法的流程圖。
第2A至2E圖是依據多個實施例之半導體結構處於中間製造階段的剖面示意圖。
第3圖繪示依據多個實施例之乾式蝕刻設備的剖面示意圖。
第4A至4D圖是依據多個實施例之半導體結構處於中間製造階段的剖面示意圖。
以下揭示內容提供衆多不同的實施例或例子以用於實施本案提供之標的物的不同特徵。下文中描述組件及排列之特定實例以簡化本發明。此等組件及排列當然僅為舉例及沒有意圖進行限制。例如，在下文之描述中，第一特徵在第二特徵上方或之上的形成可包括其中第一特徵與第二特徵以直接接觸方式形成的實施例，及亦可包括其中在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵與第二特徵無法直接接觸之實施例。此外，本發明在多個例子中可重複元件符號及/或字母。此重複用於實現簡化與明晰之目 的，及其自身並不規定所論述之多個實施例及/或配置之間的關係。
此外，本案中可使用諸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等之空間相對術語在以便於描述，以描述一個元件或特徵與另一或更多個元件或特徵之關係，如圖式中所圖示。空間相對術語意欲包含在使用或操作中之裝置除圖式中繪示之定向以外的不同定向。或者，設備可經轉向(旋轉90度或其他方向)，及本案中使用之空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。
一般而言，閘極結構形成於基板上，及垂直間隔物分別形成於閘極結構之側壁上。兩個鄰接垂直間隔物之間的間隙充填介電材料以隔絕這些閘極結構。然而，隨著對於縮小特徵尺寸之需求在較大程度上推進積體電路，這些閘極結構之間的距離亦减小。此外，閘極結構高度亦對應於積體電路之需求而增大。因此，間隙深寬比大幅增加，此間隙不易於完全充填，及不可避免地保留空隙，及導致半導體結構中之洩漏。因而，必需改良半導體結構及其製造方法以解决上述問題。
第1圖繪示依據多個實施例之製造半導體結構之方法的流程圖100。流程圖100包括以下步驟。在步驟110中，閘極結構形成於基板上。在步驟120中，形成襯裡層以覆蓋閘極結構及基板。在步驟130中，間隔物層形成於襯裡層上。在步驟140中，連續提供蝕刻氣體以移除間隔物層之 一部分，及此蝕刻氣體具有第一壓力。在步驟150中，基板維持在大於第一壓力之第二壓力。
請同時參照第2A至2E圖。第2A至2E圖是依據多個實施例之半導體結構處於中間製造階段的剖面示意圖。第2A圖繪示步驟110，在此步驟中，閘極結構220形成於基板210上。閘極結構220可藉由使用適合製程而形成，此等製程包括光微影術及蝕刻製程。首先，形成閘極材料以覆蓋基板，及形成光阻劑層(未繪於圖式)以覆蓋閘極材料。然後，光阻劑層經曝光以形成圖案，及執行後曝光烘烤製程及顯影製程以形成遮罩元件。上述提及的遮罩元件用以在執行蝕刻製程之同時保護閘極材料部分，從而在表面210上留下閘極結構220。
在一些實施例中，基板210是塊狀矽基板。在一些實施例中，基板210包括元素半導體，此元素半導體包括晶體、多晶體及/或非晶態結構之矽或鍺。在一些其他實施例中，基板210包括化合物半導體，此化合物半導體包括碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦，及/或銻化銦。在一些替代性實施例中，基板210包括合金半導體，此合金半導體包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP及/或GaInAsP；任何其他適合材料；及/或上述各者之組合。
在形成閘極結構220之後，執行離子佈植製程以在基板210中形成摻雜區域。摻雜區域分別在閘極結構220之相對側上包括源極210S及汲極210D，此源極210S 與汲極210D相對於閘極結構220側壁而對齊。在一些實施例中，離子佈植製程是藉由使用N型摻雜劑或P型摻雜劑之垂直離子佈植製程，摻雜劑劑量範圍為自約5X1012離子/cm2至約1X1014離子/cm2，及能階範圍為自約0.5keV至約10keV。
在一些實施例中，閘極結構220是記憶體閘極結構，此記憶體閘極結構包括閘極絕緣層221、浮動閘極222、閘極間介電層223及控制閘極224。閘極絕緣層221在基板210上，及浮動閘極222在閘極絕緣層221上。閘極間介電層223在浮動閘極222上，及控制閘極224在閘極間介電層223上。具體而言，諸如電子之電荷以各種數量儲存在浮動閘極222中。電荷有利地以非揮發性方式儲存，以在不存在電源之情况下使得儲存之電荷繼續存在。儲存在浮動閘極222中之電荷量表示一數值，如二元值，及經由程式(亦即寫入)、讀取及抹除操作而改變。此等操作經由控制閘極224之選擇性偏壓而執行。例如，控制閘極224利用高電壓而偏壓，此舉改良載子的Fowler-Nordheim穿隧(Fowler-Nordheim tunneling)，自源極210S與汲極210D之間的溝道區域前往控制閘極224。隨著載子穿隧前往控制閘極224，載子在浮動閘極222中被截獲以表示一數值(如1或0)。
在一些實施例中，閘極絕緣層221是高介電常數層，此層包括諸如二氧化鉿(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化矽鉭(TaSiOx)、熱氧化物、氮化物，或類似物，或上 述各者之組合。在一些實施例中，浮動閘極222及控制閘極224由多晶矽形成，但不僅限於此，及閘極間介電層223是例如ONO(氧化物-氮化物-氧化物)介電質。
請繼續參照第2B圖及步驟120，形成襯裡層230以覆蓋閘極結構220及基板210。襯裡層230可藉由等形沉積適當的材料層而形成，以便覆蓋基板210之頂表面，及閘極結構220之側壁及頂表面。在一些實施例中，襯裡層230由絕緣材料形成，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、ONO介電質，或上述各者之組合。在一些實施例中，襯裡層230藉由使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或其他適合的沉積製程而形成。
請繼續參照第2C圖及步驟130，形成間隔物層240以覆蓋襯裡層230。間隔物層240藉由等形沉積適當的材料以覆蓋襯裏層230而形成，及間隔物層240之厚度T1大於襯裡層230之厚度。在一些實施例中，間隔物層240由絕緣材料形成，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽，或上述各者之組合。在一些實施例中，間隔物層240藉由使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或其他適合的沉積製程而形成。
請繼續參照第2D圖，此圖繪示步驟140及150。在第2D圖中，連續提供具有第一壓力P1之蝕刻氣體 250以在將基板維持在第二壓力P2下之同時移除間隔物層240之一部分，此第二壓力P2大於第一壓力P1。請同時參照第3圖，此圖繪示本發明之多個實施例中之乾式蝕刻設備300的剖面示意圖。乾式蝕刻設備300包括經配置以緊固基板210的真空腔室310。在一些實施例中，真空腔室310中之載臺312經配置以緊固基板210。供氣裝置320在真空腔室310上方及經配置以供應蝕刻氣體250至真空腔室310內，及排氣裝置330在真空腔室310下方及經配置以從真空腔室310中排出蝕刻氣體250及蝕刻氣體250的副產物，以便控制真空腔室310之壓力。
首先，在基板210上方具有閘極結構220、襯裡層230及間隔物層240並被置於真空腔室310中，及藉由連續提供蝕刻氣體250至真空腔室310內以移除間隔物層240之部分，來執行乾式蝕刻製程。此外，乾式蝕刻設備300之控制裝置340經配置以控制在第一壓力P1下進入真空腔室310之蝕刻氣體250。同時，啟動排氣裝置330以將真空腔室310維持在第二壓力P2下，此第二壓力P2大於蝕刻氣體250之第一壓力P1。具體而言，蝕刻氣體250及副產物之排出速率小於提供蝕刻氣體250之速率，因此蝕刻氣體250積聚在真空腔室310中以形成大於第一壓力P1之第二壓力P2。以不同方式描述，排氣裝置330在真空腔室310下方以產生將真空腔室310中之蝕刻氣體250向下拉動之力，力相對於排氣速率下降而減小。隨著力减少，蝕刻氣體250慢慢 向下流動及保持在真空腔室310中。在一些實施例中，排氣裝置330是渦輪幫浦。
乾式蝕刻設備300進一步在真空腔室310側壁處包括天線350，及電漿產生裝置360連接至天線350以用於利用蝕刻氣體250產生電漿，電漿產生裝置360是高頻電源。用於電漿產生之高頻電源之頻率自13.56MHz至60MHz。此外，用於電漿產生之電漿產生裝置360亦可以脈衝方法驅動。此外，乾式蝕刻設備300進一步包括連接至載臺312的4MHz射頻偏壓電源370，此射頻偏壓電源之目的是從電漿中將離子吸入基板210以控制離子能。
在一些實施例中，第一壓力P1介於自100mtorr至150mtorr之範圍中，及第二壓力P2介於自200mtorr至300mtorr之範圍中。在一些實施例中，蝕刻氣體250選自由以下各者組成之群組：C4F2、C4F8、C5F6、C5F8、CF4、CF3、CHF3、CH2F2、SF6、NF3、F2及上述各者之組合。
請返回參照第2D圖，利用蝕刻氣體250產生的電漿將蝕刻間隔物層240。如前所提及，真空腔室310中之基板210維持在大於蝕刻氣體250之第一壓力P1的第二壓力P2下，以便减小向下拉動蝕刻氣體250之力。因而，蝕刻氣體250慢慢向下流動，及幾乎積聚在間隔物層240頂部，及蝕刻氣體250之量自間隔物層240頂部向底部逐漸减少。大量蝕刻氣體250將導致間隔物層240之橫向蝕刻，因為蝕刻氣體250幾乎積聚在間隔物層240頂部，而間隔物層240 頂部之橫向蝕刻速率高於間隔物層240底部附近的橫向蝕刻速率。
利用間隔物層240不同部分之不同橫向蝕刻速率，藉由蝕刻氣體250移除間隔物層240之一部分以形成鄰近於襯裡層230的錐形間隔物242，此錐形間隔物242包括頂部厚度TT及底部厚度TB，及頂部厚度TT小於底部厚度TB。此外，錐形間隔物242具有自頂部厚度TT延伸至底部厚度TB之側表面242S，及錐形間隔物242的基板210與側表面242S之間的夾角θ介於約40度至約75度的範圍中。具體而言，間隔物層240頂部經橫向蝕刻以將厚度從T减少至TT，但間隔物層240底部僅經橫向蝕刻，因此錐形間隔物242具有大體上與間隔物層240厚度T相同之底部厚度TB。因此，源極210S與汲極210D之間的通道長度可維持在所需值。
在一些實施例中，頂部厚度TT介於約0nm至約37nm之範圍中，以確保閘極結構220與其他裝置絕緣。在一些實施例中，底部厚度TB介於約38nm至約68nm之範圍中以避免短通道效應及熱電子效應。
請繼續參照第2E圖，形成層間介電層260以覆蓋錐形間隔物242。層間介電層260藉由沉積介電材料以覆蓋錐形間隔物242而形成，以便隔絕閘極結構220與相鄰的半導體裝置或金屬線以避免短路。在一些實施例中，層間介電層260由無摻雜氧化物(un-doped oxide,USG)、氟化矽酸鹽玻璃(fluorinated silicate glass,FSG)、B、P矽酸鹽玻璃(BPSG)或低介電常數介電材料形成。在一些實施例 中，層間介電層260藉由使用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或其他適合的沉積製程而形成。
第4A至4D圖是依據多個實施例之半導體結構處於中間製造階段的剖面示意圖。相對於第2A至2E圖之實施例而言，第4A至4D圖中之類似元件利用相同元件符號指定，以便於理解。在第4A圖中，兩個閘極結構220形成於基板210上。此兩個閘極結構220可藉由使用適合製程而形成，此等製程包括微影及蝕刻製程。首先，形成閘極材料以覆蓋基板，及形成光阻劑層(未繪示於圖式)以覆蓋閘極材料。然後，將光阻劑層曝光以形成圖案，及執行後曝光烘烤製程及顯影製程以形成遮罩元件。上述提及的遮罩元件用以在執行蝕刻製程之同時保護閘極材料部分，從而在基板210上留有兩個閘極結構220。
在形成閘極結構220之後，執行離子佈植製程以在基板210中形成摻雜區域。摻雜區域分別在閘極結構220之相對側上包括源極210S及汲極210D，此源極210S與汲極210D相對於閘極結構220側壁而對齊，及源極210S是由兩個閘極結構220共享的共用源極。在一些實施例中，閘極結構220是分別包括閘極絕緣層221、閘極絕緣層221上之浮動閘極222、閘極絕緣層221上之閘極間介電層223及閘極間介電層223上之控制閘極224的記憶體閘極結構。
請繼續參照第4B圖，形成間隔物層240以覆蓋兩個閘極結構220。間隔物層240藉由等形沉積適當的材料以覆蓋兩個閘極結構220而形成，及間隔物層240具有均勻的厚度T。在一些實施例中，襯裡層230形成於間隔物層240與閘極結構220之間。襯裡層230可藉由等形沉積適當的材料層而形成，以便覆蓋基板210及兩個閘極結構220。
如第4B圖所示，具有寬度W及深度D之間隙270保留在兩個相鄰的閘極結構220之間，及深度D除以寬度W以獲得間隙270之深寬比R。應注意，間隙寬度W與形成於隨後製程中之層間介電層的間隙充填能力有關，及具有較小寬度W之間隙增大利用層間介電層完全充填間隙270的困難。儘管可能減小間隔物層厚度T以增大間隙270之寬度W，但具有較小厚度T的間隔物層240縮短源極210S與汲極210D之間的通道之長度，及導致熱電子效應以影響半導體結構阻抗。
請繼續參照第4C圖，間隔物層240之一部分根據間隙270之深寬比R被移除，以分別在兩個閘極結構220之側壁上形成錐形間隔物242，及錐形間隔物242之基板210與側表面242S之間的夾角θ隨著間隙270之深寬比R增大而減小。如前述第2D圖中所示，基板210置於乾式蝕刻設備300之真空腔室310中，及連續提供具有第一壓力P1的蝕刻氣體250至真空腔室310內以移除間隔物層240之此部分。此外，真空腔室310中之基板210維持在第二壓力P2下 以橫向蝕刻間隔物層240及確保間隔物層240之此部分被移除以形成錐形間隔物242。
需要注意的是，基板210之第二壓力P2與蝕刻氣體250之第一壓力P1之間的壓差與錐形間隔物242之輪廓有關。如前述提及，深度D除以寬度W以獲得間隙270之深寬比R，及當間隙270之深度D固定時，深寬比R相對於寬度W之减小而增大。如若兩個閘極結構220彼此靠近，則間隙270將具有較小寬度W及較大深寬比R，此情況不利於充填層間介電層。為實現增大間隙270寬度之目的，壓差應增大，此意謂著將蝕刻氣體250向下拉動的力進一步减小以保留更多積聚在間隔物層240頂部的蝕刻氣體250。亦即，間隔物層240頂部的橫向蝕刻速率進一步增大，因此形成錐形間隔物242以具有較小頂部厚度TT，此增大間隙270之寬度W以增強形成於隨後製程中之層間介電層之間隙充填能力。然而，底部厚度TB仍大體上與間隔物層240厚度T相同，以將源極210S與汲極210D之間的通道長度維持在期望值。因而，頂部厚度TT與底部厚度TB之間的厚度差異增大，因此從頂部厚度TT延伸至底部厚度TB的側表面242S向閘極結構220傾斜，及由此减小錐形間隔物242之基板210與側表面242S之間的夾角θ。鑒於上述，錐形間隔物242之基板210與側表面242S之間的夾角θ相對於間隙270之深寬比R增大而減小。
在一些實施例中，間隙270之深寬比R介於約2至6的範圍中。在一些實施例中，錐形間隔物242之基板210與側表面242S之間的夾角θ介於約40度至75度的範圍中。
請繼續參照第4D圖，形成層間介電層260以完全地充填間隙270介電層260藉由沉積介電材料而形成，此介電材料覆蓋錐形間隔物242與閘極結構220，及此介電材料之一部分進入兩個相鄰錐形間隔物242之間的空間以完全地充填間隙270，執行化學機械拋光(chemical mechanical polishing,CMP)製程以移除多餘介電材料，以便形成具有平面頂表面的層間介電層260。如第4C圖中所提及，錐形間隔物242增大間隙270W以减小將介電材料充填至間隙270難。因而，間隙充填能力得以改良以使得介電材料易於進入間隙270能形成無隙層間介電層260。
上文論述之本發明實施例比現有方法及結構更具有優勢，及此等優勢列於下文中。根據一些實施例，提供製造半導體結構之改良方法以改良層間介電層之間隙充填能力。憑藉控制間隔物以具有錐形輪廓，間隙寬度增大以使得介電材料易於完全充填間隙，及形成層間介電層而其中沒有空隙。因此，洩漏問題得以减輕，以改良半導體結構之產率。另一方面，真空腔室壓力維持在大於蝕刻氣體壓力之一值，此蝕刻氣體經積聚以橫向蝕刻間隔物層頂部及形成錐形間隔物。此外，基板與錐形間隔物側表面之間的夾角相對於間隙深寬比而來調節，以便確保具有不同深寬比的間隙可能被完全充填。
依據一些實施例，本發明揭示一種製造半導體結構之方法，及此方法包含以下步驟。閘極結構形成於基板上，及形成襯裡層以覆蓋閘極結構及基板。間隔物層形成於襯裡層上，及連續提供蝕刻氣體以在將基板維持在第二壓力下而移除間隔物層之一部分，此蝕刻氣體具有第一壓力。第二壓力大於第一壓力。
依據一些實施例，本發明揭示製造半導體結構之方法，及此方法包含以下步驟。兩個閘極結構形成於基板上，及形成間隔物層以覆蓋兩個閘極結構，間隙位於此兩個閘極結構之間。間隔物層之一部分根據間隙深寬比而被移除以分別在兩個閘極結構的側壁上形成錐形間隔物，及基板與錐形間隔物側表面之間的夾角相對於間隙深寬比增大而减少。然後，形成層間介電層以完全充填間隙。
依據一些實施例，本發明揭示製造半導體結構之方法，及此方法包含以下步驟。基板被置於真空腔室中，此基板上具有閘極結構及覆蓋此閘極結構之間隔物層。蝕刻氣體被供應至真空腔室內及被控制在第一壓力下。排氣裝置用以將真空腔室維持在大於第一壓力之第二壓力下，及藉由蝕刻氣體移除間隔物層之一部分以形成錐形間隔物。
前述內容概括數個實施例之特徵，以便該領域中熟習此項技術者可更佳地理解本發明之態樣。熟習此項技術者應瞭解，本發明可易於用作設計或修正其他製程及結構之基礎，以實現與本案介紹之實施例相同的目的及/或達到與其相同的優勢。彼等熟習此項技術者亦應瞭解，此種同等 構造不脫離本發明之精神及範疇，及可在不脫離本發明精神及範疇之情况下在本案中進行多種變更、取代及更動。
210‧‧‧基板
210D‧‧‧汲極
210S‧‧‧源極
220‧‧‧閘極結構
221‧‧‧閘極絕緣層
222‧‧‧浮動閘極
223‧‧‧層間介電層
224‧‧‧控制閘極
230‧‧‧襯裡層
242‧‧‧漸尖間隔物
242S‧‧‧側表面
260‧‧‧層間介電層

Claims (10)

  1. 一種用於製造一半導體結構的方法，該方法包含：形成一閘極結構於一基板上；形成一襯裏層以覆蓋該閘極結構及該基板；形成一間隔物層於該襯裏層上；連續提供一蝕刻氣體以移除該間隔物層之一部分，及該蝕刻氣體具有一第一壓力；以及將該基板維持在一第二壓力下，該第二壓力大於該第一壓力。
  2. 如請求項1所述之方法，其中藉由排出該蝕刻氣體及該蝕刻氣體之一副產物將該基板維持於該第二壓力。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該間隔物層之該部分被移除以形成一錐形間隔物，該錐形間隔物鄰近於該襯裏層。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該錐形間隔物之一頂部寬度小於該錐形間隔物之一底部寬度。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該閘極結構包含：一閘極絕緣層； 一浮動閘極位於該閘極絕緣層上；一閘極間介電層位於該浮動閘極上；以及一控制閘極位於該閘極間介電層上。
  6. 一種用於製造一半導體結構之方法，該方法包含：形成兩個閘極結構於一基板上；形成一間隔物層以覆蓋該兩個閘極結構，及一間隙位於該兩個閘極結構之間；根據該間隙之一深寬比而移除該間隔物層之一部分，以分別在該兩個閘極結構的側壁上形成錐形間隔物，及該基板與該錐形間隔物之一側表面之間的一夾角相對於該間隙之該深寬比增大而减少；及形成一層間介電層以完全充填該間隙。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該間隙之該深寬比介於約2至6的一範圍中。
  8. 一種用於製造一半導體結構的方法，該方法包含：將一基板置於一真空腔室中，該基板上具有一閘極結構及覆蓋該閘極結構之一間隔物層；將一蝕刻氣體供應至該真空腔室內；將該蝕刻氣體控制在一第一壓力下；及 使用一排氣元件以將該真空腔室維持在大於該第一壓力之一第二壓力下，及藉由該蝕刻氣體移除該間隔物層之一部分以形成一錐形間隔物。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該基板與該錐形間隔物之一側表面之間的一夾角介於約40度至75度的一範圍中。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該錐形間隔物之一頂部寬度小於該錐形間隔物之一底部寬度。
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