TW201714703A - 濕式基板處理裝置及襯墊件 - Google Patents

Abstract

使用於對基板進行真空吸附的工作臺的小孔儘量不吸入處理液。本發明提供用於對基板進行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在工作臺上的基板供給處理液。工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於支撐面；第二開口部，形成於支撐面，被配置為至少局部性地包圍第一開口部；第一流體通路，透過工作臺而延伸到支撐面的第一開口部，構成為能夠與真空源連接；以及第二流體通路，透過工作臺而延伸到支撐面的第二開口部，構成為能夠排出處理液。

Description

濕式基板處理裝置及襯墊件

本發明有關濕式基板處理裝置及襯墊件，該濕式基板處理裝置具有用於保持例如半導體基板這樣的處理對象物的工作臺，該襯墊件能夠配置於該工作臺。

在半導體器件的製造中公知有對基板的表面進行研磨的化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)裝置。在CMP裝置中，在研磨工作臺的上表面上粘貼研磨墊而形成研磨面。該CMP裝置將由頂環保持的基板的被研磨面按壓於研磨面，一邊對研磨面供給作為研磨液的漿料(slurry)一邊使研磨工作臺和頂環旋轉。由此，使研磨面與被研磨面滑動地相對移動，對被研磨面進行研磨。

代表的CMP裝置中，其研磨工作臺或者研磨墊比被研磨的基板大，基板以使被研磨面朝下的方式由頂環保持而進行研磨。使聚乙烯醇(PVA)等海綿材料一邊旋轉一邊與基板接觸而對研磨後的基板進行清洗，進一步對研磨後的基板進行乾燥。

公知有精加工單元，該精加工單元將相對於研磨後的基板直徑比基板小的接觸部件按壓於基板，而使基板與接觸部件相對運動(例如，專利文獻1)。這樣的精加工單元與主研磨部分開地設置於CMP裝置內，能夠對主研磨後的基板稍微進行追加研磨或者清洗。

專利文獻1：日本特開平8-71511號公報

在對基板進行研磨的裝置中，要想以較高的壓力使基板與接觸部件接觸而提高清洗效果或者提高研磨速度，較佳為利用對基板的背面整體進行接觸支撐的工作臺來保持基板。作為這樣的工作臺的例子存在具有用於對基板進行真空吸附的小孔的工作臺。在對基板進行真空吸附的工作臺的情況下，在支撐基板的工作臺的支撐面與基板之間的間隙產生負壓，在研磨基板時所使用的漿料或者其他的處理液有時從基板的邊緣與工作臺之間的間隙被吸入而到達小孔內。在為了使基板從工作臺的支撐面脫離而從小孔吹出氣體或液體時，有時所吸入的漿料或處理液從工作臺的支撐面與基板之間的間隙流出並在繞道前往基板的上表面而污染基板。

因此，較佳為使對基板進行真空吸附用的工作臺的小孔儘量不吸入漿料或處理液。並且，較佳為使在基板脫離時所吸入的漿料或處理液儘量不繞道前往基板上。

本發明的目的在於，解決或者緩和這些問題中的至少一部分。

根據本發明的第一形態，提供用於對基板進行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液。所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部；第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開 口部，能夠與真空源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，能夠使所述第二開口部向大氣開放。

根據本發明的第二形態，在第一形態中，所述第二流體通路以貫通所述工作臺的至少一部分的方式延伸。

根據本發明的第三形態，在第二形態中，所述工作臺具有在所述工作臺的表面擴展的方向上延伸的擴展緣部，所述第二開口部位於所述擴展緣部，所述第二流體通路以貫通所述擴展緣部的方式延伸。

根據本發明的第四形態，在第一形態至第三形態中的任意1個形態中，所述第一流體通路構成為能夠與流體供給源連接，該流體供給源用於透過所述第一流體通路而從所述第一開口部供給流體。

根據本發明的第五形態，在第四形態中，所述流體具有由空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。

根據本發明的第六形態，在第一形態至第五形態中的任意1個形態中，所述工作臺構成為能夠旋轉。

根據本發明的第七形態，在第一形態至第六形態中的任意1個形態中，該濕式基板處理裝置具有用於對所述基板進行研磨處理的研磨墊。

根據本發明的第八形態，提供用於對基板進行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液。所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部； 第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，能夠與真空源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，能夠與流體供給源連接。

根據本發明的第九形態，在第八形態中，所述流體具有由空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。

根據本發明的第十形態，在第一形態至第九形態中的任意1個形態中，所述工作臺構成為能夠旋轉。

根據本發明的第十一形態，在第八形態至第十形態中的任意1個形態中，該濕式基板處理裝置具有用於對基板進行研磨處理的研磨墊。

根據本發明的第十二形態，提供用於對基板進行處理的濕式基板處理裝置。該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液。所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部性地包圍所述第一開口部；第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，能夠與流體供給源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，能夠與真空源連接。

根據本發明的第十三形態，在第十二形態中，所述流體具有由空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。

根據本發明的第十四形態，在第十二形態或者第十三形態中，第一流體通路構成為能夠與真空源連接。

根據本發明的第十五形態，在第十二形態至第十四形態中的 任意1個形態中，所述工作臺構成為能夠旋轉。

根據本發明的第十六形態，在第十二形態至第十五形態中的任意1個形態中，該濕式基板處理裝置具有用於對基板進行研磨處理的研磨墊。

根據本發明的第十七形態，提供一種襯墊件，該襯墊件能夠配置於用於對基板進行保持的工作臺。該襯墊件具有貫通孔，該貫通孔之位置在所述襯墊件配置於第一形態至第十六形態中的任意1個濕式基板處理裝置的工作臺時，對應於所述工作臺的所述第一開口部和所述第二開口部的位置。

400‧‧‧工作臺

402‧‧‧支撐面

404‧‧‧第一開口部

406‧‧‧擴展緣部

410‧‧‧第一流體通路

420‧‧‧第二流體通路

424‧‧‧第二開口部

450‧‧‧襯墊件

452‧‧‧貫通孔

502‧‧‧研磨墊

714‧‧‧純水供給源

724‧‧‧藥液供給源

744‧‧‧氮源

746‧‧‧真空源

Wf‧‧‧晶圓

圖1是表示作為具有用於對處理對象物進行處理的工作臺的處理裝置的一例的拋光(buff)處理裝置的概略結構的圖。

圖2是概略性地表示作為一實施方式的拋光工作臺的剖面的圖。

圖3A是表示圖2的拋光工作臺的上表面的立體圖。

圖3B是表示一實施方式的拋光工作臺的缺口部的周邊的俯視圖。

圖4是沿著線段E-E剖切一實施方式的圖3(A)所示的拋光工作臺而得到的剖面圖。

圖5是概略性地表示作為一實施方式的拋光工作臺的剖面的圖。

圖6是沿著線段E-E剖切一實施方式的圖3(A)所示的拋光工作臺而得到的剖面圖。

以下，與圖式一同說明本發明用於保持處理對象物的工作臺和具有該工作臺的處理裝置的實施方式。在圖式中，對相同或者類似的元件標注相同或者類似的元件符號，在各實施方式的說明中關於相同或者類似的元件的重複的說明有時省略。並且，各實施方式所示的特徵只要不彼此矛盾也可以應用於其他的實施方式。

圖1是表示作為用於對處理對象物進行處理、且具有工作臺的處理裝置的一例的拋光處理裝置的概略結構的圖。圖1所示的拋光處理裝置能夠構成為進行半導體晶圓等基板的研磨處理的CMP裝置的一部分或者CMP裝置內的一個單元。例如：拋光處理裝置能夠組裝於具有研磨單元、清洗單元、基板的搬送機構的CMP裝置，拋光處理裝置能夠在CMP裝置內的主研磨之後用於精加工。

在本說明書中，拋光處理包含拋光研磨處理與拋光清洗處理中的至少一方。

拋光研磨處理是指一邊使拋光墊與基板接觸一邊使基板與拋光墊相對運動，使漿料介於基板與拋光墊之間，藉此方式以對基板的處理面進行研磨去除的處理。拋光研磨處理是一種處理，能夠對基板施加，與在使用海綿材料(例如PVA海綿材料)等藉由物理性作用清洗基板的情況下對基板施加的物理性作用力相比更強的物理性作用力。因此，作為拋光墊可以使用例如將發泡聚氨酯和不織布層疊得到的墊，具體而言為能夠在市場上買入的IC1000(商標)/SUBA(註冊商標)系列，或使用柔面革狀的多孔性聚氨酯非纖維質墊，具體而言為能夠在市場上買入的POIITEX(註冊商標)等。藉由拋光研磨處理而能夠實現如下內容：劃痕等損害或者污染物附著 的表層部的去除、主研磨單元中的無法利用主研磨去除的部位的追加去除、或者主研磨後的微小區域的凹凸或基板整體上的膜厚分佈這樣的表面形貌(morphology)的改善。

拋光清洗處理是指一邊使拋光墊與基板接觸一邊使基板和拋光墊相對運動，使清洗處理液(藥液或者藥液和純水)介於基板與拋光墊之間，藉此方式以去除基板表面的污染物或者對處理面進行改質的處理。拋光清洗處理是一種處理，能夠對基板施加，與在使用海綿材料等藉由物理性作用清洗基板的情況下施加給基板的物理性作用力相比更強的物理性作用力。因此，作為拋光墊使用上述的IC1000(商標)/SUBA(註冊商標)系列或POLITEX(註冊商標)等。此外，在本發明的拋光處理裝置中作為拋光墊也可以使用PVA海綿。

圖1是概略性地表示一實施方式的安裝有晶圓Wf(基板)的狀態下的拋光處理模組300A的結構的圖。如圖1所示，一實施方式的拋光處理模組300A具有：設置有晶圓Wf的拋光工作臺400；安裝有用於對晶圓Wf的處理面進行拋光處理的拋光墊502的拋光頭500；保持拋光頭500的拋光臂600；用於供給各種處理液的液供給系統700；以及用於進行拋光墊502的修整(磨銳)的修整部800。

拋光處理模組300A能夠進行上述的拋光研磨處理和/或拋光清洗處理。

拋光工作臺400詳細情況在後述進行說明，拋光工作臺400對晶圓Wf的被處理面朝上地進行支撐。拋光工作臺400能夠藉由真空吸附將晶圓Wf保持在拋光工作臺400的支撐面402上。也可以隔著襯墊件450(參照 圖2)將晶圓Wf吸附於拋光工作臺400。襯墊件450能夠由例如具有彈性的發泡聚氨酯形成。襯墊件450作為拋光工作臺400與晶圓Wf之間的緩衝材料能夠防止對晶圓Wf擦傷或者緩和拋光工作臺400的表面的凹凸對拋光處理的影響。襯墊件450能夠藉由粘接帶而安裝於拋光工作臺400的表面。襯墊件450可以利用公知的材料，可以使用在與拋光工作臺400的開口部404對應的位置上設置有貫通孔452的材料(參照圖2)。另外，拋光工作臺400的支撐面402可以呈圓形，能夠保持圓形的晶圓Wf。

另外，在本說明書中，在晶圓Wf隔著襯墊件450安裝於拋光工作臺400的情況下，安裝有襯墊件450的狀態下的襯墊件450的表面成為支撐晶圓Wf的「支撐面」，在不隔著襯墊件450而是直接地將晶圓Wf吸附於拋光工作臺400的情況下，拋光工作臺的表面成為支撐晶圓Wf的「支撐面」，以下，在簡稱為「支撐面」或者「拋光工作臺的支撐面」的情況下，包含這兩者的情況。

此外，在拋光工作臺400中，作為工作臺400上的搬送機構具有用於接受由未圖示的搬送機器人搬送的晶圓Wf、並載置拋光工作臺400的晶圓Wf的升降銷480(參照圖2)。升降銷480沿著拋光工作臺400的外周配置複數個，藉由未圖示的機構而使升降銷480伸縮。升降銷480在升降銷480突出的狀態下支撐並接受晶圓Wf的外周部，然後使升降銷480後退而將晶圓Wf載置於拋光工作臺400的支撐面402。在拋光處理結束之後，升降銷480突出而支撐晶圓Wf的外周部並進行抬升，搬送機器人從下方撐起晶圓Wf。

並且，拋光工作臺400能夠藉由未圖示的驅動機構而繞旋轉軸AA旋轉。拋光頭500構成為能夠上升下降。拋光墊502安裝於拋光頭500 的與晶圓Wf相對的面上。拋光墊502因拋光頭500的下降而被按壓於由拋光工作臺400的支撐面402保持的晶圓Wf。拋光臂600能夠使拋光頭500繞旋轉軸BB旋轉，並且使拋光頭500像箭頭CC所示那樣在晶圓Wf的徑向上擺動。並且，拋光臂600能夠使拋光頭500擺動到拋光墊502與修整部800相對的位置。

液供給系統700具有用於對晶圓Wf的處理面供給純水(DlW)的純水噴嘴710。純水噴嘴710經由純水配管712與純水供給源714連接。在純水配管712中設置有能夠對純水配管712進行開閉的開閉閥716。使用未圖示的控制裝置來控制開閉閥716的開閉，藉此方式以能夠在任意的時機向晶圓Wf的處理面或者拋光工作臺400用於支撐晶圓Wf的支撐面402供給純水。

並且，液供給系統700具有用於對晶圓Wf的處理面供給藥液(Chemi)的第一藥液噴嘴720。第一藥液噴嘴720在拋光清洗處理或者拋光研磨處理後的藥液清洗中，對晶圓Wf表面供給藥液。第一藥液噴嘴720經由藥液配管722與第一藥液供給源724連接。在藥液配管722中設置有能夠對藥液配管722進行開閉的開閉閥726。使用未圖示的控制裝置來控制開閉閥726的開閉，藉此方式以能夠在任意的時機對晶圓Wf的處理面或者拋光工作臺400用於支撐晶圓Wf的支撐面402供給藥液。

圖1的實施方式的拋光處理模組300A能夠經由拋光臂600、拋光頭500以及拋光墊502對晶圓Wf的處理面或者拋光工作臺400用於支撐晶圓Wf的支撐面402選擇性地供給純水、藥液或者漿料。

即，分支純水配管712a從純水配管712中的純水供給源714與開閉閥716之間分支。並且，分支藥液配管722a從藥液配管722中的第一 藥液供給源724與開閉閥726之間分支。分支純水配管712a、分支藥液配管722a以及與漿料供給源734連接的漿料配管732在液供給配管740處合流。在分支純水配管712a中設置有能夠對分支純水配管712a進行開閉的開閉閥718。分支藥液配管722a中設置有能夠對分支藥液配管722a進行開閉的開閉閥728。在漿料配管732中設置有能夠對漿料配管732進行開閉的開閉閥736。

液供給配管740的第一端部與分支純水配管712a、分支藥液配管722a以及漿料配管732這3個系統的配管連接。液供給配管740通過拋光臂600的內部、拋光頭500的中央以及拋光墊502的中央而延伸。液供給配管740的第二端部朝向晶圓Wf的處理面或者拋光工作臺400用於支撐晶圓Wf的支撐面402開口。未圖示的控制裝置藉由對開閉閥718、開閉閥728以及開閉閥736的開閉進行控制而能夠在任意的時機對晶圓Wf的被處理面或者拋光工作臺400用於支撐晶圓Wf的支撐面402供給純水、藥液、漿料中的任意1個或者它們的任意組合的混合液。

圖示的實施方式的拋光處理模組300A經由液供給配管740對晶圓Wf供給處理液並且使拋光工作臺400繞旋轉軸AA旋轉，將拋光墊502按壓於晶圓Wf的處理面，一邊使拋光頭500繞旋轉軸BB旋轉一邊向箭頭CC方向擺動，能夠對晶圓Wf進行拋光處理。

圖1所示的修整部800是用於對拋光墊502的表面進行修整的部件。修整部800具有修整工作臺810和設置於修整工作臺810的修整器820。修整工作臺810能夠藉由未圖示的驅動機構而繞旋轉軸DD旋轉。修整器820由金剛石修整器、毛刷修整器(brush dresser)或者它們的組合形成。

拋光處理模組300A在進行拋光墊502的修整時，使拋光臂 600回旋到拋光墊502與修整器820相對的位置(參照圖2)。拋光處理模組300A使修整工作臺810繞旋轉軸DD旋轉並且使拋光頭500旋轉，將拋光墊502按壓於修整器820，藉此方式以進行拋光墊502的修整。

圖2是概略性地表示作為一實施方式的拋光工作臺400的剖面的圖。圖2表示保持襯墊件450和晶圓Wf的狀態。圖3(A)是表示圖2的拋光工作臺400的上表面的立體圖。拋光工作臺400具有用於將晶圓Wf的被處理面朝上支撐的支撐面402。在拋光工作臺400的支撐面402上形成有用於使晶圓Wf真空吸附於支撐面402的複數個第一開口部404。並且，拋光工作臺400在拋光工作台400的內部具有延伸到第一開口部404的第一流體通路410。第一流體通路410與真空源746連接。此外，第一流體通路410與能夠使晶圓Wf拆卸時使用的純水供給源714和氮源744連接。並且，第一流體通路410也可以具有在第一流體通路410內向大氣開放的大氣開放閥(未圖示)。例如，在拆卸晶圓Wf時，能夠將第一流體通路410的真空釋放，在規定的一段時間向第一流體通路410供給純水，然後在規定的一段時間供給氮。並且，拋光工作臺400能夠與第二藥液供給源724連接，在清洗拋光工作臺400的支撐面402和/或第一流體通路410時能夠任意選擇使用該第二藥液供給源724。在向拋光工作臺400的第一流體通路410供給純水、藥液、氮氣的配管以及對第一流體通路410進行真空吸引的配管中分別設置有開閉閥750、752、754、756。能夠使用未圖示的控制裝置對開閉閥750、752、754、756的開閉進行控制，藉此方式以在任意的時機透過拋光工作臺400的第一流體通路410對支撐面402供給純水、藥液以及氮氣，並且在任意的時機對第一流體通路410進行真空吸引。

圖4是表示沿著線段E-E剖切圖3(A)所示的拋光工作臺400而得到的剖面的剖面圖。如圖3(A)所示，拋光工作臺400具有在拋光工作臺400的表面向外側擴展的方向延伸的擴展緣部406。如圖3(A)和圖4所示，在位於擴展緣部406的拋光工作臺400的支撐面402上形成第二開口部424(在圖2中省略)。並且，在擴展緣部406中形成有延伸到第二開口部424的第二流體通路420。第二流體通路420由複數個孔構成，貫通擴展緣部406而向拋光工作臺400外開放。如圖3(A)所示，第二開口部424形成為至少局部性地包圍配置有第一開口部404的區域的連續的複數個凹槽。換言之，凹槽也可以形成在拋光工作臺400的支撐面402的外周附近。第二流體通路420沿著拋光工作臺400的支撐面402的外周附近等間隔地配置。凹槽按照一定的間隔與第二流體通路420連接，進入凹槽的流體(例如處理液)通過第二流體通路420而向拋光工作臺400外排出。在圖3(A)所示的實施例中，第二開口部424形成為除了4個缺口部426的位置還包圍拋光工作臺400的支撐面402的外周部附近。作為其他的實施方式，第二開口部424也可以形成為完全包圍支撐面402的外周部附近的1個環狀的凹槽。圖3(B)是其他的實施方式的拋光工作臺400的缺口部426周邊的放大圖。另外，在圖3(A)、圖3(B)所示的實施方式的4個缺口部426的位置上配置有升降銷480(參照圖2)。此外，作為其他的實施方式，第二開口部424也可以是被配置為至少局部性地包圍配置有第一開口部404的區域的複數個孔。形成為複數個孔的第二開口部424直接與第二流體通路420連接。

圖6是表示作為其他的實施方式沿著線段E-E剖切圖3(A)或者圖3(B)所示的拋光工作臺400而得到的剖面的剖面圖。另外，在圖6中第一 流體通路410、襯墊件450省略。如圖6所示，與形成有第二流體通路420的位置相比，擴展緣部406的頂端進一步朝下延伸，擴展緣部406發揮「房檐」的作用，如箭頭所示，能夠有效地防止朝向晶圓Wf的外周向外流動的處理液進入支撐面402與晶圓Wf的背面之間的間隙。

在圖1所示的拋光處理模組300A中，被實施拋光處理的晶圓Wf配置於拋光工作臺400的支撐面402。藉由真空源746對第一流體通路410真空吸引(Vacu)而使晶圓Wf的背面真空吸附於第一開口部404從而保持晶圓Wf。在上述的拋光處理中，對晶圓Wf的被處理面供給漿料或其他的處理液等。在拋光處理中，第一流體通路410持續進行真空吸引。因此，在晶圓Wf的背面與支撐面402之間、或者在晶圓Wf與襯墊件450之間的間隙中形成負壓。由此，在不設置第二開口部424和第二流體通路420的情況下，漿料或處理液從晶圓Wf的外周通過間隙而被吸入支撐面402的內側。在使用圖1~圖4所示的實施方式的拋光工作臺400而藉由真空吸附保持晶圓Wf的情況下，產生從第二流體通路420通過晶圓Wf與支撐面402之間的間隙而向第一流體通路410流動的空氣流，能夠將第二開口部424附近及其外側的支撐面402的負壓開放(大氣開放)。因此，能夠抑制漿料或處理液從晶圓Wf的外周通過支撐面402與晶圓Wf的背面之間的間隙而被吸入第一開口部404和第一流體通路410的情況。換言之，第二流體通路420具有作為使第二開口部424向大氣開放的大氣開放路徑的作用。位於第二開口部424的相反側的第二流體通路420的端部向拋光工作臺400外開放，位於第二開口部424的相反側的第二流體通路420的端部也可以稱為大氣開放口。

當拋光處理結束時，晶圓Wf從拋光工作臺400被拆卸。此 時，為了拆卸真空吸附的晶圓Wf而停止真空源746對第一流體通路410的真空吸引，在規定的一段時間從純水供給源714向第一流體通路410供給純水，然後在規定的一段時間從氮源744向第一流體通路410供給氮(N₂)，而藉由使第一流體通路的壓力比外氣壓力高而使晶圓Wf從支撐面402拆卸。此時，如果在拋光處理時使用的漿料或者處理液被吸入第一流體通路410內，則與拆卸晶圓Wf時的純水和氮一同被吸入的漿料或處理液從第一流體通路410和第一開口部404噴出。其結果為，漿料或處理液通過支撐面402與晶圓Wf的背面之間的間隙而從晶圓Wf的外周噴出，進一步繞道前往晶圓Wf的被處理面側而污染晶圓Wf。在使用本實施方式的拋光工作臺400的情況下，由於將漿料和處理液在拋光處理中被吸入第一流體通路410的情況得到抑制或者使其最小化，因此在拆卸晶圓Wf時，減輕污染晶圓Wf的風險。此外，即使少量的漿料或者處理液被吸入第一流體通路410，在為了使晶圓Wf從拋光工作臺400拆卸而向第一流體通路410供給純水和氮時，由於純水、氮、漿料或者處理液的混合流體在到達晶圓Wf的邊緣之前通過第二開口部424和第二流體通路420而向拋光工作臺400的外部排出，因此能夠防止混合流體繞道前往晶圓Wf的被處理面側。換言之，第二流體通路420具有作為將進入第二開口部424的流體排出的流體排出路徑的作用。位於第二開口部的相反側的第二流體通路420也可以與流體排出口連接。在本實施方式中，如圖4和圖6所示，第二流體通路420形成為貫通拋光工作臺400，但作為大氣開放路徑或者流體排出路徑的第二流體通路420的方式不限於此。

圖5是概略性地表示作為一實施方式的拋光工作臺400的剖面的圖。圖5與圖2同樣表示保持有襯墊件450和晶圓Wf的狀態。圖5所示的 拋光工作臺400與圖1~圖4所示的實施方式同樣具有第一開口部404、第一流體通路410、第二開口部424以及第二流體通路420。但是，圖5的實施方式的拋光工作臺400的第二流體通路420與圖1~圖4的實施方式的拋光工作臺400的第二流體通路420不同，在拋光工作臺400外側不開放。如圖5所示，在本實施方式中，第二流體通路420與第一流體通路410同樣與純水供給源714、藥液供給源724、氮源744以及真空源746連接。第二流體通路420也可以與未圖示的大氣開放閥連接。進入第二流體通路420的不需要的液體被配置於真空源746的上游的氣液分離器(未圖示)排出。因此，能夠向第二流體通路420供給各種流體，或者對第二流體通路進行真空吸引。另外，在圖5中為了方便圖示，圖示成第一流體通路410與第二流體通路420利用相同的路徑與純水供給源714、藥液供給源724、氮源744以及真空源746連接，但第一流體通路410和第二流體通路420分別利用不同的路徑與純水供給源714、藥液供給源724、氮源744以及真空源746連接，在第一流體通路410和第二流體通路420中流動的流體能夠單獨地被切換。藉由該結構，在拆卸晶圓Wf時，能夠減輕漿料或處理液污染晶圓Wf的風險。

例如，在為了拋光處理而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402的情況下，對第二流體通路420進行真空吸引而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402。此時，第一流體通路410不進行真空吸引。因此，在拋光處理中有時漿料或處理液被吸入第二流體通路420，但未被吸入第一流體通路410。在拋光處理結束，使晶圓Wf從拋光工作臺400的支撐面402拆卸時，對第一流體通路410供給純水和/或氮氣而使晶圓Wf拆卸。此時，不向第二流體通路420供給純水和/或氮氣。因此，由於 在拋光處理中被吸入第二流體通路420的漿料或處理液在晶圓Wf的拆卸時不會向晶圓上噴出，因此減輕污染晶圓Wf的風險。另外，為了對進入第二流體通路420的漿料或處理液進行沖洗，也可以在晶圓Wf的更換時，向第二流體通路420供給純水或藥液等各種流體而對第二流體通路420和拋光工作臺400的支撐面402進行清洗。

並且，在為了拋光處理而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402的情況下，對第一流體通路410進行真空吸引而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402。此時，第二流體通路420不進行真空吸引。因此，雖然有時在拋光處理中漿料或處理液被吸入第一流體通路410，但不會被吸入第二流體通路420。在拋光處理結束，使晶圓Wf從拋光工作臺400的支撐面402拆卸時，向第二流體通路420供給純水和/或氮氣而使晶圓Wf拆卸。此時，不向第一流體通路410供給純水和/或氮氣。因此，由於在拋光處理中被吸入第一流體通路410的漿料或處理液在晶圓Wf的拆卸時不會向晶圓上噴出，因此減輕污染晶圓Wf的風險。另外，為了對進入第一流體通路410的漿料或處理液進行沖洗，也可以在晶圓Wf的更換時，向第一流體通路410供給純水或藥液等各種流體而對第一流體通路410和拋光工作臺400的支撐面402進行清洗。

並且，作為一實施方式，在為了進行拋光處理而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402的情況下，能夠對第一流體通路410和第二流體通路420這雙方進行真空吸引而使晶圓Wf真空吸附於拋光工作臺400的支撐面402。因此，雖然有時在拋光處理中漿料或處理液被吸入配置於外側的第二流體通路420，但幾乎不會被吸入配置於內側的第一流體通 路410。在拋光處理結束，使晶圓Wf從拋光工作臺400的支撐面402拆卸時，能夠向第一流體通路410供給純水和/或氮氣而使晶圓Wf拆卸。此時，不會向第二流體通路420供給純水和/或氮氣。由於在拋光處理中被吸入第二流體通路420的漿料或處理液在晶圓Wf的拆卸時不會向晶圓上噴出，因此減輕污染晶圓Wf的風險。另外，為了對進入第二流體通路420的漿料或處理液進行沖洗，也可以在晶圓Wf的更換時，向第二流體通路420供給純水或藥液等各種流體而對第二流體通路420和拋光工作臺400的支撐面402進行清洗。

在圖5所示的實施方式中，第一開口部404、第一流體通路410、第二開口部424以及第二流體通路420的配置可以採用任意的配置。例如，在圖5所示的實施方式的拋光工作臺400中，可以使第二開口部424和第二流體通路420形成於擴展緣部406，也可以形成於除此之外的位置。

如上所述，關於本發明用於保持處理對象物的工作臺和具有該工作臺的處理裝置，舉例說明拋光處理裝置，但本發明不限於上述的拋光處理裝置。本說明書中揭露的工作臺和具有該工作臺的處理裝置也可以應用於藉由真空吸附而保持處理對象物的其他的裝置。本說明書中揭露的工作臺特別是可以應用於向基板供給液體而且處理基板的濕式基板處理裝置。

400‧‧‧拋光工作臺

402‧‧‧支撐面

404‧‧‧第一開口部

406‧‧‧擴展緣部

420‧‧‧第二流體通路

424‧‧‧第二開口部

426‧‧‧缺口

Claims (17)

1. 一種濕式基板處理裝置，用於對基板進行處理，該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液，所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部地包圍所述第一開口部；第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，能夠與真空源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，使所述第二開口部向大氣開放。
2. 如申請專利範圍第1項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述第二流體通路以貫通所述工作臺的至少一部分的方式延伸。
3. 如申請專利範圍第2項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述工作臺具有在所述工作臺的表面擴展的方向上延伸的擴展緣部，所述第二開口部位於所述擴展緣部，所述第二流體通路以貫通所述擴展緣部的方式延伸。
4. 如申請專利範圍第1項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述第一流體通路構成為能夠與流體供給源連接，該流體供給源用於透過所述第一流體通路而從所述第一開口部供給流體。
5. 如申請專利範圍第4項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述流體具有由 空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。
6. 如申請專利範圍第1項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述工作臺構成為能夠旋轉。
7. 如申請專利範圍第1項所述的濕式基板處理裝置，其中，該濕式基板處理裝置具有用於對所述基板進行研磨處理的研磨墊。
8. 一種濕式基板處理裝置，用於對基板進行處理，該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液，所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部地包圍所述第一開口部；第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，能夠與真空源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，能夠與流體供給源連接。
9. 如申請專利範圍第8項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述流體具有由空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。
10. 如申請專利範圍第8項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述工作臺構成為能夠旋轉。
11. 如申請專利範圍第8項所述的濕式基板處理裝置，其中，該濕式基板處理 裝置具有用於對基板進行研磨處理的研磨墊。
12. 一種濕式基板處理裝置，用於對基板進行處理，該濕式基板處理裝置具有：工作臺，用於保持基板；以及處理液供給機構，用於對保持在所述工作臺上的基板供給處理液，所述工作臺具有：支撐面，用於支撐基板；第一開口部，形成於所述支撐面；第二開口部，形成於所述支撐面，被配置為至少局部地包圍所述第一開口部；第一流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第一開口部，能夠與流體供給源連接；以及第二流體通路，構成為透過所述工作臺而延伸到所述支撐面的所述第二開口部，能夠與真空源連接。
13. 如申請專利範圍第12項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述流體具有由空氣、氮以及水構成的群組中的至少1個。
14. 如申請專利範圍第12項所述的濕式基板處理裝置，其中，第一流體通路構成為能夠與真空源連接。
15. 如申請專利範圍第12項所述的濕式基板處理裝置，其中，所述工作臺構成為能夠旋轉。
16. 如申請專利範圍第12項所述的濕式基板處理裝置，其中，該濕式基板處理裝置具有用於對基板進行研磨處理的研磨墊。
17. 一種襯墊件，能夠配置於用於對基板進行保持的工作臺，所述襯墊件具有貫通孔，該貫通孔之位置在所述襯墊件配置於申請專利範圍第1項所述的濕式基板處理裝置的工作臺時，對應於所述工作臺的所述第一開口部和所述第二開口部的位置。