TWI634613B - Carrier disk - Google Patents

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TWI634613B
TWI634613B TW106145907A TW106145907A TWI634613B TW I634613 B TWI634613 B TW I634613B TW 106145907 A TW106145907 A TW 106145907A TW 106145907 A TW106145907 A TW 106145907A TW I634613 B TWI634613 B TW I634613B
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鄧志明
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億力鑫系統科技股份有限公司
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Abstract

一種承載盤,包含一承載頂面,及一擋液環面。承載頂面具有一環形外端緣。擋液環面環繞於該承載頂面外周圍並具有一環形上端緣,該環形上端緣沿一縱向的高度低於該環形外端緣的高度且兩者相間隔一第一距離,該環形上端緣沿一垂直於該縱向的橫向位於該環形外端緣外側且兩者相間隔一第二距離,該承載盤界定出一位於該環形外端緣與該環形上端緣之間且環繞於該承載頂面外周圍的環形凹槽。藉由擋液環面及環形凹槽的設計,能防止處理液或清洗液滲流入承載頂面與基板的背面之間並且附著於背面上。

Description

承載盤
本發明是有關於一種承載盤,特別是指一種用以承載基板並能帶動其旋轉的承載盤。
現有用以對例如為晶圓的基板進行加工處理的處理設備包括有一承載盤,及一圍繞設置於承載盤外周圍的外罩。當處理設備對基板進行加工處理時,承載盤吸附於基板的一背面並帶動基板旋轉,同時,處理設備會供應處理液至旋轉的基板上。
在前述加工過程中,處理液會因基板的旋轉而向外飛散至外罩處。在承載盤帶動基板高速旋轉的運作環境下,飛散至外罩的處理液容易被外罩反彈回基板下方及承載盤的一外周面處,此時處理液易滲流入承載盤頂面與基板的背面之間進而附著在基板的背面。如此一來,前述滲流入承載盤與基板之間且附著在基板的背面的處理液便無法被沖洗噴嘴所噴出的清洗液所清洗掉,導致經由處理設備處理完成並且輸出的基板會殘留有一圈的處理液痕跡。
因此,本發明之一目的,即在提供一種承載盤,能防止製程中處理液或清洗液滲流入承載頂面與基板的背面之間。
於是,本發明承載盤,包含一承載頂面,及一擋液環面。
承載頂面具有一環形外端緣。擋液環面環繞於該承載頂面外周圍並具有一環形上端緣,該環形上端緣沿一縱向的高度低於該環形外端緣的高度且兩者相間隔一第一距離,該環形上端緣沿一垂直於該縱向的橫向位於該環形外端緣外側且兩者相間隔一第二距離,該承載盤界定出一位於該環形外端緣與該環形上端緣之間且環繞於該承載頂面外周圍的環形凹槽。
在一些實施態樣中,承載盤還界定出一與該環形凹槽相連通的排液流道。
在一些實施態樣中,該擋液環面還具有一由該環形上端緣朝下並朝外傾斜延伸的錐形面部。
在一些實施態樣中,承載盤包含一盤體,及一設置於該盤體外周圍的擋液環,該盤體具有該承載頂面,該擋液環具有該擋液環面,該盤體與該擋液環共同界定出該環形凹槽。
在一些實施態樣中,該盤體與該擋液環還共同界定出一與該環形凹槽相連通的排液流道。
在一些實施態樣中,該盤體包括一頂壁,及一圍繞壁,該頂壁具有該承載頂面,及一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,該圍繞壁由該外周面底端朝下凸伸,該擋液環具有一底壁,及一外周壁,該底壁一體成型地由該圍繞壁徑向朝外凸伸,該外周壁由該底壁外周緣朝上凸伸並與該圍繞壁相間隔且具有該擋液環面,該排液流道具有一由該圍繞壁、該底壁及該外周壁共同界定出並與該環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由該擋液環面朝內凹陷並與該環形進液槽相連通的排液孔。
在一些實施態樣中,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面,該圍繞壁具有一圍繞面,及一由該外周面底端徑向朝外延伸且連接該圍繞面頂端的肩面。
在一些實施態樣中,該盤體包括一頂壁、一圍繞壁,及一承托壁,該頂壁具有該承載頂面,及一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,該圍繞壁由該外周面底端朝下凸伸,該承托壁由該圍繞壁徑向朝外凸伸並呈環形狀,該擋液環具有一下壁,及一外周壁,該下壁抵接於該承托壁上,該外周壁由該下壁外周緣朝上凸伸並與該圍繞壁相間隔且具有該擋液環面,該排液流道具有一由該圍繞壁、該下壁及該外周壁共同界定出並與該環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由該擋液環面朝內凹陷並與該環形進液槽相連通的排液孔。
在一些實施態樣中,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面,該圍繞壁具有一圍繞面,及一由該外周面底端徑向朝外延伸且連接該圍繞面頂端的肩面,該承托壁由該圍繞面鄰近底端處徑向朝外凸伸。
在一些實施態樣中,承載盤還包含一用以將該擋液環鎖定於該盤體的鎖定單元。
在一些實施態樣中,該承托壁形成有多個定位孔,該下壁形成有多個分別與該等定位孔相連通的穿孔,該鎖定單元包括多個鎖定件,各該鎖定件穿設於對應的穿孔並且固定地結合於對應的該定位孔。
在一些實施態樣中,該盤體還包括多個設置於該承托壁的第一定位部,該擋液環還具有多個設置於該下壁的第二定位部,各該第一定位部為一凸柱或一卡孔其中之一,而各該第二定位部為該凸柱或該卡孔其中另一,各該第一定位部卡掣於對應的該第二定位部。
在一些實施態樣中,承載盤還包含一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,及一連接於該外周面底端與該環形上端緣之間的肩面,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面。
在一些實施態樣中,該第一距離的大小是大於0公釐且小於或等於0.7公釐範圍之間的任一數值。
在一些實施態樣中,該第一距離為0.3公釐。
在一些實施態樣中,該第二距離的大小是5公釐至15公釐範圍之間的任一數值。
於是,本發明承載盤,包含一承載頂面、多個吸附溝槽,及一擋液環面。
承載頂面具有一環形外端緣。多個吸附溝槽形成於該承載頂面。擋液環面環繞於該承載頂面外周圍並具有一環形上端緣,該環形上端緣沿一縱向的高度低於該環形外端緣的高度且兩者相間隔一第一距離,該環形上端緣沿一垂直於該縱向的橫向位於該環形外端緣外側且兩者相間隔一第二距離,該承載盤界定出一位於該環形外端緣與該環形上端緣之間且環繞於該承載頂面外周圍的環形凹槽。
本發明之功效在於:藉由擋液環面及環形凹槽的設計,能防止製程中處理液或清洗液滲流入承載頂面與基板的背面之間並且附著於背面上。
在本發明被詳細描述之前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1及圖2,是本發明承載盤2的第一實施例,承載盤2應用於一處理設備1中,處理設備1用以對一基板3(如圖4所示)進行加工處理。承載盤2設置於處理設備1的一外罩11內用以吸附基板3並帶動其旋轉。本實施例的處理設備1是以半導體製程中的處理設備為例,基板3是以半導體晶圓為例。當然,基板3也可以是液晶顯示裝置的玻璃基板或者是太陽能基板。
承載盤2包含一轉軸21、一盤體22,及一擋液環23。轉軸21沿一縱向Z延伸,轉軸21連接於一馬達12的一傳動軸121(如圖4所示)頂端,馬達12可透過傳動軸121帶動承載盤2的轉軸21旋轉。盤體22形成於轉軸21頂端並包括一頂壁220、一圍繞壁221,及一承托壁222。頂壁220具有一用以承載基板3並呈圓形的承載頂面223,及一外周面224。承載頂面223平行於一垂直縱向Z的橫向X並具有一環形外端緣225。外周面224為一由環形外端緣225朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面。圍繞壁221是由頂壁220的外周面224底端朝下凸伸並具有一圍繞面226,及一由外周面224底端徑向朝外延伸且連接圍繞面226頂端的肩面227。承托壁222是由圍繞壁221的圍繞面226鄰近底端處徑向朝外凸伸並呈環形狀。
盤體22還包括多個形成於承載頂面223的吸附溝槽228。藉由吸附溝槽228所產生的吸力吸附基板3,使得基板3能穩固地定位在承載頂面223。
擋液環23套設於盤體22的圍繞壁221並具有一下壁231,及一外周壁232。下壁231呈環形且抵接於承托壁222上而被承托壁222所承托。外周壁232由下壁231外周緣朝上凸伸並與圍繞面226相間隔,外周壁232具有一擋液環面233。擋液環面233環繞於承載頂面223外周圍並具有一環形上端緣234、一由環形上端緣234朝下並朝外傾斜延伸的錐形面部235,及一由錐形面部235朝下延伸的立面部236。
擋液環面233的環形上端緣234沿縱向Z的高度低於環形外端緣225的高度且兩者相間隔一第一距離D1,而環形上端緣234沿橫向X位於環形外端緣225外側且兩者相間隔一第二距離D2。第一距離D1的大小是大於0公釐(mm)且小於或等於0.7公釐(mm)範圍之間的任一數值,而第二距離D2的大小是5公釐(mm)至15公釐(mm)範圍之間的任一數值。具體而言,在本實施例中,第一距離D1為0.3公釐(mm)。第二距離D2可視實際設計需求選擇前述範圍內的數值,只要能使環形上端緣234能夠間隔位於基板3的一外周緣32(如圖4所示)與環形外端緣225之間且位在背面31下方即可。
藉由環形上端緣234沿縱向Z的高度低於環形外端緣225的高度且兩者相間隔第一距離D1,以及環形上端緣234沿橫向X位於環形外端緣225外側且兩者相間隔第二距離D2,使得盤體22的外周面224、肩面227及擋液環23頂端能共同界定出一位於環形上端緣234與環形外端緣225之間且環繞於承載頂面223外周圍的環形凹槽24。
承載盤2的盤體22及擋液環23共同界定出一與環形凹槽24相連通的排液流道237。排液流道237具有一由圍繞面226、下壁231及外周壁232共同界定出並與環形凹槽24相連通的環形進液槽238,及多個由擋液環面233的立面部236朝內凹陷並與環形進液槽238相連通的排液孔239。
參閱圖1及圖3,承載盤2還包含一用以將擋液環23鎖定於盤體22的鎖定單元25。承托壁222形成有多個彼此相間隔的定位孔229,下壁231形成有多個分別與該等定位孔229相連通的穿孔240。鎖定單元25包括多個鎖定件251,各鎖定件251穿設於對應的穿孔240並且固定地結合於對應的定位孔229,藉此,使擋液環23能穩固地定位在盤體22上。具體而言,本實施例的各定位孔229為一螺孔,而各鎖定件251為一螺接於對應的定位孔229的螺栓。在其他的實施方式中,各定位孔229也可為一卡孔,而各鎖定件251也可為一卡掣於對應的定位孔229內的定位銷。
參閱圖4及圖5,當處理設備1欲對基板3進行加工處理時,處理設備1的一升降機構13的多根升降桿131會由一初始位置(如圖5所示)上升至一抬升位置(如圖4所示)。此時,各升降桿131頂端的高度高於承載頂面223的高度。接著,一機械手臂(圖未示)會將基板3放置於各升降桿131頂端,使各升降桿131頂端抵接於基板3的一背面31。隨後,該等升降桿131會帶動基板3朝下移動。當基板3的背面31被承載盤2的承載頂面223阻擋時便無法繼續下移,此時,基板3被放置在承載頂面223。緊接著,該等升降桿131頂端向下移離基板3的背面31並且移動至初始位置。
參閱圖2、圖5及圖6,當該等升降桿131移動至初始位置時,吸附溝槽228會產生吸力吸附基板3的背面31,使基板3能穩固地定位在承載頂面223上。隨後,馬達12(如圖4所示)會帶動承載盤2沿一旋轉方向R旋轉,承載盤2旋轉過程中會同時帶動基板3轉動。接著,處理設備1的一噴塗機構14的一噴嘴141會移動至基板3中心正上方的位置,噴嘴141會對基板3的一正面33噴出一例如為化學藥液的處理液142。當承載盤2帶動基板3沿旋轉方向R高速旋轉時,噴流至正面33的處理液142會由正面33中心沿箭頭所示朝外周緣32方向快速飛散。經由基板3的外周緣32向外飛散出的處理液142會衝擊到外罩11的一內表面111,內表面111會將處理液142反彈回基板3以及基板3下方的區域,進而在基板3外周圍及下方的區域產生亂流。
反彈回基板3下方區域的大部分處理液142的液滴會藉由亂流朝擋液環23的擋液環面233方向流動,而可能有少部分處理液142的液滴會藉由亂流朝環形凹槽24方向流動。擋液環23的擋液環面233會阻擋大部分處理液142的液滴,以防止前述處理液142的液滴滲流入承載頂面223與基板3的背面31之間。由於承載盤2沿旋轉方向R旋轉時會產生離心力,因此,當附著在擋液環面233上的處理液142的液滴匯聚成較大顆的液滴時便會被擋液環23向外甩出。
擋液環面233的環形上端緣234沿縱向Z與環形外端緣225相間隔第一距離D1,也就是說,環形上端緣234沿縱向Z也同時與基板3的背面31相間隔第一距離D1。由於本實施例的第一距離D1僅為0.3公釐(mm),因此,環形上端緣234與背面31之間的間距很小。此外,藉由擋液環面233的錐形面部235設計,能使環形上端緣234與外周緣32之間的距離較長,以及使環形上端緣234與外罩11的內表面111之間的距離較長。藉由前述兩種設計方式,能降低處理液142的液滴滲流入環形凹槽24內的機率。
又,由於第一距離D1僅為0.3公釐,即使處理液142的液滴滲流入環形上端緣234與背面31之間時,處理液142的液滴與外周壁232頂端及背面31之間的附著力易使得液滴附著在外周壁232頂端與背面31之間。藉此,能避免處理液142的液滴快速流入環形凹槽24內。倘若處理液142的液滴朝環形凹槽24內側方向流動的力量大於處理液142的液滴與外周壁232頂端及背面31之間的附著力時,液滴會朝環形凹槽24內側方向流動。由於排液流道237的環形進液槽238頂端與環形凹槽24相連通,且擋液環面233的錐形面部235設計縮短了環形上端緣234與環形進液槽238之間的距離,因此,處理液142的液滴沿外周壁232頂端向內移動一小段距離後便會流入環形進液槽238內。由於承載盤2沿旋轉方向R旋轉時所產生離心力關係,使得處理液142的液滴會沿著外周壁232的一內壁面241往下流動。當處理液142的液滴向下流動至對齊於排液孔239的位置時,處理液142的液滴便會經由排液孔239排出至擋液環23外部。
另一方面,由於環形上端緣234沿橫向X與環形外端緣225相間隔第二距離D2,因此,縱算處理液142的液滴沿外周壁232頂端向內移動的距離長短不一,也能確保處理液142的液滴在環形凹槽24內移動過程中能流入環形進液槽238內。再者,藉由頂壁220的外周面224為倒錐面的設計方式,能降低處理液142的霧化狀液滴附著在環形外端緣225與背面31之間的機率。藉由承載盤2的前述結構設計,能確實防止處理液142滲流入承載頂面223與基板3的背面31之間。
參閱圖7,當噴塗機構14(如圖6所示)的噴塗作業完成後,基板3的背面31會殘留有處理液142。處理設備1的一沖洗噴嘴15會在擋液環23的環形上端緣234與基板3的背面31的切齊處噴出一例如為去離子水(Deionized Water, DIW)的清洗液151,以沖洗環形上端緣234與基板3的背面31的切齊處。沖洗噴嘴15在噴清洗液151的過程中,承載盤2是保持著帶動基板3旋轉的狀態,因此,噴至基板3的背面31的清洗液151會因離心力關係向外飛散並同時將殘留在背面31的處理液142帶走,藉此達到清洗基板3的背面31並使背面31潔淨的效果。
由於沖洗噴嘴15所噴出的清洗液151具有一定的衝力,因此,部分清洗液151會滲流入環形凹槽24內。由於環形上端緣234沿橫向X與環形外端緣225相間隔第二距離D2,因此,清洗液151滲流入環形凹槽24內時,也能確保清洗液151在環形凹槽24內移動過程中能流入環形進液槽238內並且經由排液孔239排出至擋液環23外部。藉由本實施例承載盤2的結構設計,能防止處理液142或清洗液151滲流入承載頂面223與基板3的背面31之間,因此,能避免經由處理設備1處理完成並且輸出的基板3殘留一圈處理液142痕跡。
參閱圖8,是本發明承載盤2的第二實施例,其作動方式大致與第一實施例相同,不同處在於盤體22與擋液環23之間的鎖定方式。
在本實施例中,盤體22還包括多個設置於承托壁222的第一定位部230,各第一定位部230為一凸設於承托壁222頂端的凸柱。擋液環23還具有多個設置於下壁231的第二定位部242,各第二定位部242為一貫穿下壁231的卡孔。各第一定位部230卡掣於對應的第二定位部242內,藉此,使得擋液環23能穩固地定位在盤體22上。
參閱圖9,是本發明承載盤2的第三實施例,其整體結構大致與第二實施例相同,不同處在於盤體22的各第一定位部230及擋液環23的各第二定位部242的形式。
在本實施例中,各第一定位部230為一形成於承托壁222頂端的卡孔,各第二定位部242為一凸設於下壁231底端的凸柱。各第二定位部242卡掣於對應的第一定位部230內,藉此,使得擋液環23能穩固地定位在盤體22上。
參閱圖10,是本發明承載盤2的第四實施例,其作動方式大致與第一實施例相同,不同處在於承載盤2的結構。
在本實施例中,擋液環23具有一底壁243,底壁243一體成型地由圍繞壁221的圍繞面226徑向朝外凸伸。外周壁232由底壁243外周緣朝上凸伸並與圍繞壁221相間隔。圍繞壁221、底壁243及外周壁232共同界定出排液流道237的環形進液槽238。本實施例的承載盤2結構與第一實施例相較下能省略如圖1的鎖定單元25,藉此,除了能節省採用鎖定單元25所需的成本之外,還能節省透過鎖定單元25將盤體22與擋液環23組裝在一起的組裝工時。
參閱圖11,是本發明承載盤2的第五實施例,其作動方式大致與第一、四實施例相同,但本實施例的承載盤2結構與第四實施例的承載盤2結構有所不同。
本實施例的承載盤2省略了圖10所示的排液流道237的環形進液槽238及排液孔239結構,且肩面227連接於外周面224底端與環形上端緣234之間。本實施例的承載盤2結構與第四實施例相較下能降低結構設計複雜度,並能節省製造成本。
綜上所述,各實施例的承載盤2,藉由擋液環面233及環形凹槽24的設計,能防止處理液142或清洗液151滲流入承載頂面223與基板3的背面31之間並且附著於背面31上,故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者,僅為本發明之實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧處理設備
11‧‧‧外罩
111‧‧‧內表面
12‧‧‧馬達
121‧‧‧傳動軸
13‧‧‧升降機構
131‧‧‧升降桿
14‧‧‧噴塗機構
141‧‧‧噴嘴
142‧‧‧處理液
15‧‧‧沖洗噴嘴
151‧‧‧清洗液
2‧‧‧承載盤
21‧‧‧轉軸
22‧‧‧盤體
220‧‧‧頂壁
221‧‧‧圍繞壁
222‧‧‧承托壁
223‧‧‧承載頂面
224‧‧‧外周面
225‧‧‧環形外端緣
226‧‧‧圍繞面
227‧‧‧肩面
228‧‧‧吸附溝槽
229‧‧‧定位孔
230‧‧‧第一定位部
23‧‧‧擋液環
231‧‧‧下壁
232‧‧‧外周壁
233‧‧‧擋液環面
234‧‧‧環形上端緣
235‧‧‧錐形面部
236‧‧‧立面部
237‧‧‧排液流道
238‧‧‧環形進液槽
239‧‧‧排液孔
240‧‧‧穿孔
241‧‧‧內壁面
242‧‧‧第二定位部
243‧‧‧底壁
24‧‧‧環形凹槽
25‧‧‧鎖定單元
251‧‧‧鎖定件
3‧‧‧基板
31‧‧‧背面
32‧‧‧外周緣
33‧‧‧正面
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
R‧‧‧旋轉方向
X‧‧‧橫向
Z‧‧‧縱向
本發明之其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中: 圖1是本發明承載盤的第一實施例設置於一處理設備的一外罩內的一俯視圖; 圖2是沿圖1中的II-II線所截取的一剖視圖,說明一盤體與一擋液環之間的組裝關係; 圖3是沿圖1中的III-III線所截取的一剖視圖,說明一鎖定件將該擋液環的一下壁與該盤體的一承托壁鎖固在一起; 圖4是該第一實施例與該處理設備的一不完整剖視圖,說明多根升降桿位在一抬升位置; 圖5是類似於圖4的一不完整剖視圖,說明該等升降桿下移至一初始位置,以將一基板放置於一承載頂面; 圖6是類似於圖4的一不完整剖視圖,說明一承載盤帶動該基板旋轉,且一噴塗機構的一噴嘴噴出處理液至該基板的一正面; 圖7是類似於圖4的一不完整剖視圖,說明一沖洗噴嘴噴出一清洗液沖洗該基板的一背面; 圖8是本發明承載盤的第二實施例的一不完整剖視圖,說明該盤體的一第一定位部為一凸柱,該擋液環的一第二定位部為一卡孔; 圖9是本發明承載盤的第三實施例的一不完整剖視圖,說明該盤體的該第一定位部為一卡孔,該擋液環的該第二定位部為一凸柱; 圖10是本發明承載盤的第四實施例的一不完整剖視圖;及 圖11是本發明承載盤的第五實施例的一不完整剖視圖。

Claims (20)

  1. 一種承載盤,包含: 一承載頂面,具有一環形外端緣;及 一擋液環面,環繞於該承載頂面外周圍並具有一環形上端緣,該環形上端緣沿一縱向的高度低於該環形外端緣的高度且兩者相間隔一第一距離,該環形上端緣沿一垂直於該縱向的橫向位於該環形外端緣外側且兩者相間隔一第二距離,該承載盤界定出一位於該環形外端緣與該環形上端緣之間且環繞於該承載頂面外周圍的環形凹槽。
  2. 如請求項1所述的承載盤,還界定出一與該環形凹槽相連通的排液流道。
  3. 如請求項1所述的承載盤,其中,該擋液環面還具有一由該環形上端緣朝下並朝外傾斜延伸的錐形面部。
  4. 如請求項2所述的承載盤,其中,該擋液環面還具有一由該環形上端緣朝下並朝外傾斜延伸的錐形面部。
  5. 如請求項1所述的承載盤,包含一盤體,及一設置於該盤體外周圍的擋液環,該盤體具有該承載頂面,該擋液環具有該擋液環面,該盤體與該擋液環共同界定出該環形凹槽。
  6. 如請求項5所述的承載盤,其中,該盤體與該擋液環還共同界定出一與該環形凹槽相連通的排液流道。
  7. 如請求項6所述的承載盤,其中,該擋液環面還具有一由該環形上端緣朝下並朝外傾斜延伸的錐形面部。
  8. 如請求項7所述的承載盤,其中,該盤體包括一頂壁,及一圍繞壁,該頂壁具有該承載頂面,及一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,該圍繞壁由該外周面底端朝下凸伸,該擋液環具有一底壁,及一外周壁,該底壁一體成型地由該圍繞壁徑向朝外凸伸,該外周壁由該底壁外周緣朝上凸伸並與該圍繞壁相間隔且具有該擋液環面,該排液流道具有一由該圍繞壁、該底壁及該外周壁共同界定出並與該環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由該擋液環面朝內凹陷並與該環形進液槽相連通的排液孔。
  9. 如請求項8所述的承載盤,其中,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面,該圍繞壁具有一圍繞面,及一由該外周面底端徑向朝外延伸且連接該圍繞面頂端的肩面。
  10. 如請求項7所述的承載盤,其中,該盤體包括一頂壁、一圍繞壁,及一承托壁,該頂壁具有該承載頂面,及一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,該圍繞壁由該外周面底端朝下凸伸,該承托壁由該圍繞壁徑向朝外凸伸並呈環形狀,該擋液環具有一下壁,及一外周壁,該下壁抵接於該承托壁上,該外周壁由該下壁外周緣朝上凸伸並與該圍繞壁相間隔且具有該擋液環面,該排液流道具有一由該圍繞壁、該下壁及該外周壁共同界定出並與該環形凹槽相連通的環形進液槽,及多個由該擋液環面朝內凹陷並與該環形進液槽相連通的排液孔。
  11. 如請求項10所述的承載盤,其中,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面,該圍繞壁具有一圍繞面,及一由該外周面底端徑向朝外延伸且連接該圍繞面頂端的肩面,該承托壁由該圍繞面鄰近底端處徑向朝外凸伸。
  12. 如請求項10所述的承載盤,還包含一用以將該擋液環鎖定於該盤體的鎖定單元。
  13. 如請求項12所述的承載盤,其中,該承托壁形成有多個定位孔,該下壁形成有多個分別與該等定位孔相連通的穿孔,該鎖定單元包括多個鎖定件,各該鎖定件穿設於對應的穿孔並且固定地結合於對應的該定位孔。
  14. 如請求項10所述的承載盤,其中,該盤體還包括多個設置於該承托壁的第一定位部,該擋液環還具有多個設置於該下壁的第二定位部,各該第一定位部為一凸柱或一卡孔其中之一,而各該第二定位部為該凸柱或該卡孔其中另一,各該第一定位部卡掣於對應的該第二定位部。
  15. 如請求項3所述的承載盤,還包含一由該環形外端緣朝下延伸的外周面,及一連接於該外周面底端與該環形上端緣之間的肩面,該外周面為一由該環形外端緣朝下並朝內傾斜延伸的倒錐面。
  16. 如請求項1至15其中任一項所述的承載盤,其中,該第一距離的大小是大於0公釐且小於或等於0.7公釐範圍之間的任一數值。
  17. 如請求項16所述的承載盤,其中,該第一距離為0.3公釐。
  18. 如請求項16所述的承載盤,其中,該第二距離的大小是5公釐至15公釐範圍之間的任一數值。
  19. 如請求項1至15其中任一項所述的承載盤,其中,該第二距離的大小是5公釐至15公釐範圍之間的任一數值。
  20. 一種承載盤,包含: 一承載頂面,具有一環形外端緣; 多個吸附溝槽,形成於該承載頂面;及 一擋液環面,環繞於該承載頂面外周圍並具有一環形上端緣,該環形上端緣沿一縱向的高度低於該環形外端緣的高度且兩者相間隔一第一距離,該環形上端緣沿一垂直於該縱向的橫向位於該環形外端緣外側且兩者相間隔一第二距離,該承載盤界定出一位於該環形外端緣與該環形上端緣之間且環繞於該承載頂面外周圍的環形凹槽。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW374935B (en) * 1998-06-12 1999-11-21 Taisil Electronic Materials Corp Method of elimination of edge of backing film off a wafer and the prescription of wet-etching liquid acid used on the silicon wafer surface oxidized film
TW201714703A (zh) * 2015-06-01 2017-05-01 Ebara Corp 濕式基板處理裝置及襯墊件
TWM547177U (zh) * 2015-05-29 2017-08-11 應用材料股份有限公司 內表面具有特徵結構的保持環

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW374935B (en) * 1998-06-12 1999-11-21 Taisil Electronic Materials Corp Method of elimination of edge of backing film off a wafer and the prescription of wet-etching liquid acid used on the silicon wafer surface oxidized film
TWM547177U (zh) * 2015-05-29 2017-08-11 應用材料股份有限公司 內表面具有特徵結構的保持環
TW201714703A (zh) * 2015-06-01 2017-05-01 Ebara Corp 濕式基板處理裝置及襯墊件

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