TW201708812A - 利用能夠分辨光子能量的檢測器的ｘ射線成像 - Google Patents

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Abstract

本教導涉及用於利用能夠分辨光子能量的檢測器的X射線成像的方法、系統和裝置。在一個示例中，公開X射線顯微鏡。該X射線顯微鏡包括X射線源和檢測器。該X射線源配置成用於對樣本輻照X射線。檢測器配置成用於：檢測來自輻照X射線的X射線光子、確定檢測的X射線光子中的每個的能量以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子產生樣本的圖像。

Description

利用能夠分辨光子能量的檢測器的X射線成像
本文的公開涉及X射線應用，特別涉及利用能夠分辨光子能量的檢測器的X射線成像。
X射線已用於在醫學和工業應用中形成物體的圖像。在一個應用中，X射線顯微鏡是用於產生用X射線照射的樣本的放大圖像。有兩個主要類型的顯微鏡：全場顯微鏡和掃描顯微鏡。在全場顯微鏡中，對於檢測器平面同時對整個視場成像。在掃描顯微鏡中，用掃描樣本的明亮高聚焦光斑照亮樣本。
圖1示意示出具有聚焦光學元件的常規X射線顯微鏡。如在圖1中示出的，該常規X射線顯微鏡包括X射線點源101、聚焦光學器件104和對於樣本102所得的X射線圖像103的檢測器。在實踐中，點源不是很小(>5微米)，並且從而所得的圖像不是很尖銳。因此，需要聚焦光學器件104來使來自X射線點源101的X射線聚焦成微小的虛擬源105內。聚焦光學器件104可以是菲涅耳帶片。設置的放大率是源-樣本距離L1和源-圖像距離L2的商L2/L1。
菲涅耳帶片像可以用作聚焦光學器件104的大部分折射光學器件一樣具有 色差。因此，菲涅耳帶片的焦距對於具有不同波長或頻率的X射線是不同的。為了在X射線成像中避免色差，常規的技術方案使用單色的微聚焦X射線源。單色微聚焦X射線源可以用微聚焦管產生。但這需要非常高效的濾波器，這對於X射線難以實現，在這裡可損失有用的X射線光子。
X射線電腦斷層攝影(CT)是X射線圖像的另一個應用，其使用X射線來創建物體的橫截面，該橫截面可以用於再創虛擬模型(例如三維(3D)模式)，而不損壞原始物體。當橫截面的圖元大小通常在微米範圍內時，X射線顯微斷層攝影或顯微電腦斷層攝影(顯微CT)是X射線CT。
圖2示意示出常規X射線CT系統。如在圖2中示出的，圖2中的X射線CT系統包括X射線源201、毛細管聚焦器202、物鏡帶片204、相位板205和電荷耦合設備(CCD)檢測器206。樣本203放置在X射線的焦點處。圖2中的該系統有相襯CT的能力。
因為毛細管聚焦器202可以將所有波長的X射線聚焦成在納米範圍內的焦點，在樣本之前不需要有濾波器。然而，X射線CT系統(像圖2中這樣)笨重且昂貴，並且包括非常複雜的光路。
本文公開X射線顯微鏡，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照樣本；和檢測器，其配置成：檢測來自樣本的X射線光子、確定檢測的X射線光子的能量以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子產生樣本的圖像。
根據實施例，來自樣本的X射線光子包括具有在預定範圍內的能量的X射線光子和具有在該預定範圍外的能量的X射線光子。
根據實施例，X射線顯微鏡進一步包括聚焦光學器件，其配置成使來自X射線源的X射線在輻照樣本之前聚焦成虛擬點源。
根據實施例，檢測器進一步配置成確定具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
根據實施例，檢測器包括圖元陣列；並且檢測器進一步配置成對圖元中的每個確定具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
根據實施例，檢測器是半導體X射線檢測器。
根據實施例，檢測器進一步配置成：確定被檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目，並且確定被檢測器所檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
根據實施例，檢測器進一步配置成基於X射線光子的第一數目產生樣本的第一圖像並且基於X射線光子的第二數目產生樣本的第二圖像。
本文公開X射線電腦斷層攝影(CT)系統，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照物體；和檢測器，其配置成：檢測來自物體的X射線光子、確定檢測的X射線光子的能量以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子來重建物體的虛擬模型。
根據實施例，來自物體的X射線光子包括具有在預定範圍內的能量的X射線光子和具有在預定範圍外的能量的X射線光子。
根據實施例，檢測器進一步配置成確定具有在預定範圍內的檢測X射線光子的數目。
根據實施例，檢測器包括圖元陣列；並且檢測器進一步配置成對圖元中的每個確定具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
根據實施例，檢測器是半導體X射線檢測器。
根據實施例，檢測器進一步配置成：確定被檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測器檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
根據實施例，檢測器進一步配置成基於X射線光子的第一數目和X射線光子的第二數目重建物體的虛擬模型。
本文公開這樣的系統，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照物體；和檢測器，其配置成確定檢測的X射線光子的能量並且確定檢測的X射線光子的數目，其中系統組態成用於進行關於物體的X射線顯微斷層攝影。
根據實施例，系統組態成通過測量被X射線源輻照、受到物體影響並且被檢測器檢測的X射線光子的能量來再創物體的虛擬模型或形成物體的圖像。
根據實施例，檢測器進一步配置成：確定被檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測器檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
根據實施例，X射線源發射具有第一譜線和第二譜線的X射線；具有第一譜線的X射線包括具有在第一範圍內的能量的光子；並且具有第二譜線的X射線包 括具有在第二範圍內的能量的光子。
根據實施例，具有第一譜線的X射線通過聚焦器形成第一焦點；具有第二譜線的X射線通過聚焦器形成第二焦點；並且物體在被X射線輻照時放置在第一焦點與第二焦點之間。
本文公開這樣的方法，其包括：用X射線輻照樣本；在離樣本第一距離檢測來自樣本的第一類多個X射線光子；確定該第一類多個X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的第一類多個X射線光子產生樣本的第一圖像。
根據實施例，來自樣本的第一類多個X射線光子包括具有在預定範圍內的能量的X射線光子和具有在預定範圍外的能量的X射線光子。
根據實施例，方法進一步包括使來自X射線源的X射線在輻照樣本之前聚焦成虛擬X射線點源。
根據實施例，產生圖像由包括多個圖元的檢測器進行並且產生圖像進一步包括：對圖元中的每個確定具有在預定範圍內的能量的第一類多個檢測X射線光子的數目；以及基於該數目產生樣本的圖像。
根據實施例，方法進一步包括確定被檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
根據實施例，方法進一步包括基於X射線光子的第一數目產生樣本的第一圖像以及基於X射線光子的第二數目產生樣本的第二圖像。
根據實施例，方法進一步包括在離樣本的第二距離檢測來自的第二類多個 X射線光子；確定該第二類多個X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的第二類多個X射線光子產生樣本的第二圖像。
本文公開這樣的方法，其包括：用X射線輻照物體；檢測來自物體的X射線光子；確定檢測的X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子來重建物體的虛擬模型。
根據實施例，方法進一步包括確定被檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
根據實施例，重建是基於X射線光子的第一數目和X射線光子的第二數目。
101‧‧‧X射線點源
102‧‧‧樣本
103‧‧‧X射線圖像
104‧‧‧聚焦光學器件
105‧‧‧虛擬源
201‧‧‧X射線源
202‧‧‧毛細管聚焦器
203‧‧‧樣本
204‧‧‧物鏡帶片
205‧‧‧相位板
206‧‧‧檢測器
300‧‧‧X射線顯微鏡
301‧‧‧X射線源
302‧‧‧樣本
303‧‧‧檢測器
304‧‧‧聚焦光學器件
305‧‧‧焦點
400‧‧‧X射線CT系統
401‧‧‧X射線束源
402‧‧‧物體
403‧‧‧檢測器
404‧‧‧錐形束
405‧‧‧旋轉軸
500‧‧‧X射線CT系統
502‧‧‧物體
600‧‧‧系統
601‧‧‧X射線源
602‧‧‧樣本
603‧‧‧檢測器
700‧‧‧檢測器
710‧‧‧X射線吸收層
711‧‧‧第一摻雜區
712‧‧‧本征區
713‧‧‧第二摻雜區
714‧‧‧離散部分
719A‧‧‧電觸點
719B‧‧‧電觸點
720‧‧‧電子層
721‧‧‧電子系統
730‧‧‧填充材料
731‧‧‧通孔
750‧‧‧區域
810‧‧‧二極體
815‧‧‧重定開關
819‧‧‧電容器模組
830‧‧‧資料處理模組
831‧‧‧第一電壓比較器
832‧‧‧第二電壓比較器
834‧‧‧電壓表
836‧‧‧控制器
838‧‧‧計數器
900‧‧‧X射線成像系統
901-1‧‧‧K-alpha發射線
901-2‧‧‧K-alpha發射線
905-1‧‧‧焦點
905-2‧‧‧焦點
1101‧‧‧入射X射線
1102‧‧‧物體
1110‧‧‧系統
1120‧‧‧系統
1121‧‧‧X射線檢測器
1122‧‧‧X射線檢測器
1123‧‧‧間隔物
1510‧‧‧物體
1501‧‧‧X射線源
1601‧‧‧X射線源
1202、1204、1208、1210、1302、1304、1308、1310、1402、1404、1406、1409、1410、1412、1413、1414‧‧‧步驟
圖1示意示出具有聚焦光學元件的常規X射線顯微鏡；圖2示意示出常規X射線CT系統；圖3示意示出根據本教導的實施例的X射線顯微鏡；圖4示意示出根據本教導的實施例的X射線CT系統；圖5示意示出根據本教導的實施例的另一個X射線CT系統；圖6示意示出根據本教導的實施例的X射線顯微CT系統；圖7A示意示出根據本教導的實施例的檢測器的橫截面圖；圖7B示意示出根據本教導的實施例的檢測器的詳細橫截面圖；圖7C示意示出根據本教導的實施例的檢測器的備選詳細橫截面圖； 圖7D示出根據本教導的實施例的檢測器的一部分的示範性頂視圖；圖8示出根據本教導的實施例的半導體X射線檢測器的電子系統的部件圖；圖9示意示出根據本教導的實施例能夠同時產生物體的兩個圖像的X射線成像系統；圖10A示意示出根據本教導適合於相襯X射線成像(PCI)的系統；圖10B示意示出根據本教導的實施例適合於PCI的另一個系統；圖11圖示根據本教導的實施例使用圖3中的對X射線顯微鏡用於相襯X射線成像(PCI)的方法；圖12示出根據本教導的實施例適合於基於能夠分辨光子能量的檢測器的X射線顯微術的方法的流程圖；圖13示出根據本教導的實施例適合於基於能夠分辨光子能量的檢測器的X射線CT的方法的流程圖；圖14示出根據本教導的實施例適合於基於系統(例如圖8中的圖元1的電子系統721)檢測X射線的方法的流程圖；圖15示意示出根據本教導的實施例適合於對人的嘴部、人的胸部、人的腹部、鑽石、植物、建築材料等進行X射線放射攝影的系統，其包括本文描述的X射線檢測器；以及圖16示意示出根據本教導的實施例的X射線電腦斷層攝影(X射線CT)系統，其包括本文描述的X射線檢測器。
在下面的詳細描述中，通過示例闡述許多具體細節以便提供對相關教導的全面理解。然而，本教導可在沒有這樣的細節的情況下實踐，這對於本領域內技術人員應是明顯的。在其它實例中，在相對高的級別在沒有細節的情況下描述眾所周知的方法、規程、部件和/或電路，以避免不必要地混淆本教導。
在本教導中，使用能夠分辨光子能量的檢測器進行X射線成像。在一個實施例中，檢測器可以分辨被檢測器吸收的每個光子的能量。基於分辨的能量，檢測器可以確定光子的波長和頻率。檢測器可以對感興趣的光子的數目計數，例如具有在指定範圍內的波長的光子。如此，不需要有複雜的單色X射線源。
本教導中的檢測器可以是半導體X射線檢測器，其製造成本低並且可以簡化X射線成像中的光路。例如，在顯微鏡中，半導體X射線檢測器由於它的低成本而可以具有大的表面(例如>1平方釐米)用於吸收X射線。如此，在樣本與檢測器之間不需要有複雜的光學設備。
當在具有圖元陣列的X射線檢測器的半導體層中吸收X射線光子時，產生多個載荷子(例如，電子和空穴)並且它們可在朝向電路的電場下被掃過以用於測量這些載荷子。根據實施例，在圖元收集X射線光子時，檢測器可以基於從圖元檢測的電壓測量X射線光子的能量。對於每個圖元，檢測器然後可以確定被圖元收集並且具有在指定範圍內的能量的X射線光子的數目。通過將數目在一起編譯，檢測器可以在對應於能量範圍的波長產生圖像。相似地，檢測器可以同時產生多個圖像，其中的每個對應於不同的X射線波長。多個圖像可集成來產生樣 本的彩色圖像。如在X射線成像上下文中使用的“彩色”圖像意指包含從超過一個波長的X射線獲得的資訊的圖像。
因此，本教導中的檢測器可以簡化X射線成像系統(例如，顯微鏡、顯微CT系統等)的結構並且降低它的成本，而並未失去它的成像效率。
圖3示意示出根據本教導的一個實施例的X射線顯微鏡300。該X射線顯微鏡300可包括X射線源301、聚焦光學器件304和用於檢測樣本302所得的X射線圖像的檢測器303。
根據實施例，X射線源301可以是具有5至20μm大小的微聚焦X射線源。聚焦光學器件304有助於使從X射線源301輻照的X射線聚焦成焦點305，其形成微小的虛擬源。根據實施例，焦點305具有1至100nm的大小。
在一個示例中，聚焦光學器件304可以是菲涅耳帶片。菲涅耳帶片像可以用作聚焦光學器件304的大部分折射光學器件一樣具有色差。因此，菲涅耳帶片的焦距對於具有不同波長或頻率的X射線是不同。在該情況下，焦點305是關於具有預定波長或預定的小範圍波長的X射線來確定的。
在另一個示例中，聚焦光學器件304可以是基於多反射的聚焦光學器件。在該情況下，焦點305是關於具有所有感興趣波長的X射線來確定的。
根據實施例，樣本302可以是塊生命體器官或組織，具有100μm或以下的厚度。樣本302可在更接近檢測器303的側上(如在圖3中示出的)或在更接近X射線源301的側上接近焦點305放置。對於單色成像，樣本302可放置在焦點305與檢測器303之間，來實現樣本的正立且清晰的圖像(在本教導中使用的“單色 成像”意指基於一定波長或小範圍波長的X射線的成像)。可進行樣本302的一些預處理來固定樣本302並且確保樣本302的結構在X射線輻照下不改變。
根據實施例，檢測器303可以是具有10至100nm大小的半導體X射線檢測器。對於單色成像，檢測器303可檢測具有在感興趣的預定範圍內的能量的光子，即使X射線源302不是單色的也如此。例如，檢測器303可僅對被檢測器303吸收且具有在指定範圍內的能量E的X射線光子的數目計數。
基於下列方程，光子的能量E僅取決於它的頻率(v)，或與它的波長(λ)逆相關：E=hv=hc/λ, 其中h代表普朗克常數；c代表光速。因此，通過選擇X射線的能量用於計數，檢測器303選擇對應的波長用於成像。
根據實施例，檢測器303可通過測量檢測器303中電極的電壓(由吸收的X射線光子引起)來確定吸收的X射線光子的能量。在一個示例中，檢測器303可以以小於150eV的測量誤差來測量光子的能量。如本文使用的關於電壓或能量的術語“測量”不限於弄清電壓或能量的確切值，而包括確定電壓或能量的值是否落在指定範圍內。因此，對於每個吸收的X射線光子，基於測量的電壓，檢測器303可以確定吸收的X射線光子的能量，並且從而確定它的波長。如果波長在感興趣的預定範圍內，檢測器303將使感興趣光子的數目增加一。否則，檢測器303將忽視。從而，本教導不需要僅用單波長或在小範圍的波長內的X射線輻照的複雜單色X射線源。
對於具有圖元陣列的X射線檢測器，可在每個圖元進行能量分辨和光子計數。根據實施例，在圖元收集X射線光子時，檢測器303可基於從圖元檢測的電壓來確定X射線光子的能量。對於每個圖元，檢測器303然後可以確定被圖元收集並且具有在指定範圍內(即，具有在對應範圍內的波長)的能量的X射線光子的數目。例如，在一段時間內，圖元i對具有波長λ的ni個光子計數，其中i=1…N，並且N代表檢測器303的圖元的數目。通過對每個圖元內具有波長λ的光子的數目進行編譯，檢測器303可在波長λ處產生圖像。從圖像可以推導X射線在波長λ處對樣本302的影響(例如，吸收、折射、衍射)。
相似地，檢測器303可以同時產生多個圖像，其中的每個對應於不同的X射線波長。通過選擇不同的能量範圍或不同的電壓範圍，檢測器303可以在不同的X射線波長形成圖像。從而，檢測器303可以基於在不同X射線波長的圖像產生樣本302的彩色圖像。
根據實施例，聚焦光學器件304可包括毛細管聚焦器202。毛細管聚焦器202可以在輻照樣本302之前將所有波長的X射線聚焦到單個焦點。在X射線輻照樣本302之後，不同波長的X射線在通過樣本302時可以通過不同的吸收率和/或不同的折射率來區分。在該實施例中，檢測器303可以例如通過分辨不同波長或不同顏色的X射線的能量來推導X射線在不同波長的折射。利用推導的折射，檢測器303可例如基於重建演算法和相襯X射線成像(PCI)來獲得物體的折射率的實部的真實彩色3D分佈(PCI可以通過在離樣本的兩個不同距離採取兩個圖像來實現)。
基於結果圖像的放大目標，系統可以選擇樣本302與檢測器303之間的距離 以及樣本302與焦點305之間的距離。在一個示例中，樣本302與檢測器303之間的距離在10至100cm的範圍內；並且樣本302與焦點305之間的距離在100μm至10mm的範圍內。
圖4示意示出根據本教導的實施例的X射線CT系統400。X射線CT系統400可以是錐形束(CBCT)系統，其中用於CT的X射線是發散的並且形成錐形。CBCT系統可在醫學成像(例如在正畸中)中使用。
如在圖4中示出的，400包括X射線束源401，其可朝物體402輻照錐形束404，這導致被檢測器403檢測的圖像。在該示例中，401和403例如通過兩個機械臂而物理連接，使得401和403可以繞旋轉軸405旋轉。如此，400可通過使401和403繞物體旋轉來獲得物體的不同圖像。圖像中的每個是402在特定旋轉角度的投影圖像。檢測器403可從投影圖像收集資料並且重建402的2D圖像或3D模型。例如，檢測器可以產生叫作數位體積的事物，其由解剖資料的三維體素組成，然後可以用專門軟體操縱這些三維體素並且使其虛擬化。
在一個實施例中401可對應於由301和304形成的焦點305。在另一個實施例中，403可像303一樣分辨X射線光子能量。
圖5示意示出根據本教導的實施例的另一個X射線CT系統500。與400相似，該X射線CT系統500可以是CBCT系統，所不同的是401和403被固定並且不必物理連接，而物體502可在掃描期間旋轉。如此，500可通過在掃描期間使502旋轉來獲得物體502的不同投影圖像。如之前論述的，檢測器403可從投影圖像收集資料並且重建502的2D圖像或3D模型。在一個實施例中，401可對應於由301和304形 成的焦點305。在另一個實施例中，403可像303一樣分辨X射線光子能量。
圖6示意圖示根據本教導的實施例的X射線顯微CT系統600。該系統600可包括X射線源601、聚焦光學器件304和用於檢測樣本602所得的X射線圖像的檢測器603。
根據實施例，像301一樣，X射線源601可以是微聚焦X射線源；像303一樣，603可分辨X射線光子能量；並且聚焦光學器件304(例如，菲涅耳帶片)有助於使從X射線源601輻照的X射線聚焦成焦點，其形成微小的虛擬源。
根據實施例，樣本602可以是一塊人骨(像牙齒)或商品(像鑽石)。當樣本602很大時，樣本602可被放置使得樣本602的感興趣區域集中於射束的視場中。
在該示例中，樣本602可相對於X射線源601和射束旋轉，使得系統600可從不同角度掃描樣本602，並且獲得物體的不同圖像。檢測器603可從圖像收集資料並且重建樣本602的2D圖像或3D模型。
圖7A示意示出根據本教導的實施例可以在X射線顯微鏡300、X射線CT系統400、X射線CT系統500或X射線顯微CT系統600中使用的檢測器700的橫截面圖。本領域內技術人員可以理解圖7A-7D中示出的檢測器700的結構只是為了示範性說明，並且可以分辨X射線光子的能量的任何檢測器可在X射線顯微鏡300、X射線CT系統400、X射線CT系統500和X射線顯微CT系統600中使用。
檢測器700可以是半導體X射線檢測器，其包括X射線吸收層710和電子層720(例如，ASIC)，用於處理或分析入射X射線在X射線吸收層710中產生的電信號。X射線吸收層710可包括半導體材料，例如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或 其組合。半導體對於感興趣的X射線能量可具有高的品質衰減係數。
如在圖7B中的檢測器700的詳細橫截面圖中示出的，根據實施例，X射線吸收層710可包括由第一摻雜區711、第二摻雜區713的一個或多個離散區714形成的一個或多個二極體(例如，p-i-n或p-n)。第二摻雜區713可通過本征區712(可選)而與第一摻雜區711分離。離散部分714通過第一摻雜區711或本征區712而彼此分離。第一摻雜區711和第二摻雜區713具有相反類型的摻雜(例如，區711是p型並且區713是n型，或區711是n型並且區713是p型)。在圖7B中的示例中，第二摻雜區713的離散區714中的每個與第一摻雜區711和本征區712(可選)一起形成二極體。即，在圖7B中的示例中，X射線吸收層710具有多個二極體，其具有第一摻雜區711作為共用電極。第一摻雜區711還可具有離散部分。
在X射線光子撞擊X射線吸收層710(其包括二極體)時，X射線光子可被吸收並且它通過許多機制產生一個或多個載荷子。載荷子可在電場下向二極體中的一個的電極漂移。場可以是外部電場。電觸點719B可包括離散部分，其中的每個與離散區714電接觸。
如在圖7C中的檢測器700的備選詳細橫截面圖中示出的，根據實施例，X射線吸收層710可包括具有半導體材料(例如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合)的電阻器，但不包括二極體。
在X射線光子撞擊X射線吸收層710(其包括電阻器但不包括二極體)時，它可被吸收並且通過許多機制產生一個或多個載荷子。載荷子可在電場下向電觸點719A和719B漂移。電觸點719B包括離散部分。
電子層720可包括電子系統721，其適合於處理或解釋X射線吸收層710上入射的X射線光子產生的信號。電子系統721可包括例如濾波網路、放大器、積分器和比較器等類比電路或例如微處理器等數位電路和記憶體。電子系統721可包括圖元共用的部件或專用於單個圖元的部件。例如，電子系統721可包括專用於每個圖元的放大器和在所有圖元之間共用的微處理器。電子系統721可通過通孔731電連接到圖元。通孔之間的空間可用填充材料730填充，其可使電子層720到X射線吸收層710的連接的機械穩定性增加。在不使用通孔的情況下使電子系統721連接到圖元的其他接合技術是可能的。
圖7D示出具有4×4陣列的離散區714/719B的半導體X射線檢測器700的一部分的示範性頂視圖。圍繞這些離散區714/719B中的一個的足跡入射的X射線光子產生的載荷子大致未與這些離散區714/719B中的另一個共用。圍繞離散區714/719B的區域750叫作與該離散區714/719B關聯的圖元，其中由在其中入射的X射線光子產生的載荷子中的大致全部(超過95%、超過98%或超過99%)流向離散區714/719B。即，當X射線光子在圖元內部撞擊時，這些載荷子中不到5%、不到2%或不到1%流到圖元外。通過測量離散區714/719B中的每個的電壓的變化率，可確定與離散區714/719B關聯的圖元中被吸收的X射線光子的數目(其與入射X射線強度有關)和/或其能量。從而，入射X射線強度的空間分佈(例如，圖像)可通過單獨測量離散區714/719B陣列中的每個的電壓變化率來確定。圖元可採用任何適合的陣列來組織，例如方形陣列、三角形陣列和蜂窩狀陣列。圖元可具有任何適合的形狀，例如圓形、三角形、方形、矩形和六角形。圖元可以 是獨立可定址的。
圖8示出根據本教導的實施例的半導體X射線檢測器的電子系統721的部件圖。如在圖8中示出的，圖元1的電子系統721配置成用於處理來自圖元1中的二極體810的電極的信號。
在該示例中，圖元1的電子系統721可包括電容器模組819，和資料處理模組830。如在圖8中示出的，電容器模組819電連接到二極體810的電極或電觸點。電容器模組819配置成從電極收集載荷子。電容器模組819可以包括放大器的回饋路徑中的電容器。如此配置的放大器叫作電容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通過防止放大器飽和而具有高的動態範圍並且通過限制信號路徑中的頻寬來提高信噪比。來自電極的載荷子在一段時間(“整合期”)內在電容器上累積。在整合期終止後，對電容器電壓採樣然後由重定開關815將其重定。電容器模組819可以包括直接連接到電極的電容器。
圖6中的電子系統721可包括資料處理模組830，其可包括下游電路，用於解釋和處理來自電子系統721上游的信號。
根據實施例，資料處理模組830包括第一電壓比較器831、第二電壓比較器832、計數器838、電壓表834和控制器836。
第一電壓比較器831配置成將電壓(例如，二極體810的電極的電壓)與第一閾值比較。二極體可以是由第一摻雜區711、第二摻雜區713的離散區714中的一個和本征區712(可選)形成的二極體。備選地，第一電壓比較器831配置成將電觸點(例如，電觸點719B的離散部分)的電壓與第一閾值比較。第一電壓比 較器831可配置成直接監測電壓，或通過使在一段時間內流過二極體或電觸點的電流整合來計算電壓。第一電壓比較器831可由控制器836可控地啟動或停用。
第一閾值可以是一個入射X射線光子可在二極體或電阻器中產生的最大電壓的5-10%、10%-20%、20-30%、30-40%或40-50%。最大電壓可取決於入射X射線光子的能量(即，入射X射線的波長)、X射線吸收層710的材料和其他因素。例如，第一閾值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二電壓比較器832配置成將電壓(例如，二極體810的電極的電壓)與第二閾值比較。第二電壓比較器832可配置成直接監測電壓，或通過使一段時間內流過二極體或電觸點的電流整合來計算電壓。第二電壓比較器832可由控制器836可控地啟動或停用。第二閾值的絕對值大於第一閾值的絕對值。如本文使用的，術語實數x的“絕對值”或“模數”|x|是x的非負值而不考慮它的符號。即， 。第二閾值可以是第一閾值的200%-300%。第二閾值可以是 一個入射X射線光子可在二極體或電阻器中產生的最大電壓的至少50%。例如，第二閾值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二電壓比較器832和第一電壓比較器831可以是相同部件。即，系統721可具有一個電壓比較器，其可以在不同時間將電壓與兩個不同閾值比較。
計數器838配置成記錄到達對應的二極體或電阻器的X射線光子的數目。計數器838可以是軟體部件(例如，電腦記憶體中存儲的數目)或硬體部件(例如，4017 IC和7490 IC)。在一個實施例中，計數器838可記錄到達對應二極體或電阻 器並且滿足一定條件(例如，具有在指定範圍內的能量或具有在指定範圍內的波長)的X射線光子的數目。
控制器836可以是例如微控制器和微處理器等硬體部件。控制器836可配置成從第一電壓比較器831確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值(例如，電壓的絕對值從第一閾值的絕對閾值以下增加到等於或超過第一閾值的絕對值的值)的時間啟動時間延遲。在這裡因為電壓可以是負的或正的而使用絕對值，這取決於是使用二極體的陰極還是陽極的電壓或使用哪個電觸點。控制器836可配置成在第一電壓比較器831確定電壓的絕對值等於或超出第一閾值的絕對值的時間之前，保持停用第二電壓比較器832、計數器838和第一電壓比較器831的操作不需要的任何其他電路。時間延遲可在電壓變穩定(即，電壓的變化率大致為零)之前或之後終止。短語“電壓的變化率大致為零”意指電壓的時間變化小於0.1%/ns。短語“電壓的變化率大致為非零”意指電壓的時間變化是至少0.1%/ns。
控制器836可配置成在時間延遲期間(其包括開始和終止)啟動第二電壓比較器。在實施例中，控制器836配置成在時間延遲開始時啟動第二電壓比較器。
如果在時間延遲期間，第二電壓比較器832確定電壓的絕對值等於或超出第二閾值的絕對值，控制器836可配置成促使計數器838記錄的數目增加一。在該情況下，數目代表到達檢測器的X射線光子的數量。
在一個實施例中，如果到達檢測器的X射線光子滿足一定條件(例如具有在指定範圍內的能量或具有在指定範圍內的波長)，控制器836可配置成促使計 數器838記錄的數目增加一。在電壓穩定後可通過測量電壓來確定能量。控制器836可配置成促使電壓表834在時間延遲終止時或在電壓穩定後測量電壓。
在電壓穩定後或在電壓的變化率變成大致為零後，電壓與X射線光子產生的載荷子的數量成比例，該載荷子的數量與X射線光子的能量有關。控制器836可配置成基於電壓表834測量的電壓來確定X射線光子的能量。確定能量的一個方式是將電壓裝倉。計數器838對於每個倉可具有子計數器。在控制器836確定X射線光子的能量落入倉內時，控制器836可促使子計數器中對該倉記錄的數目增加一。因此，系統721可能夠分辨每個X射線光子的X射線光子能量。
電壓表834可將它測量的電壓作為類比或數位信號饋送給控制器836。
控制器836可配置成使電極連接到電接地，以便將電壓重定並且使電極上累積的任何載荷子放電。控制器836可通過控制重定開關815而使電極連接到電接地。開關可以是電晶體，例如場效應電晶體(FET)。
圖9示意示出根據本教導的實施例能夠同時產生物體的兩個圖像的X射線成像系統900(例如X射線顯微鏡或X射線CT系統)。X射線成像系統900的結構可與X射線顯微鏡300的結構相似，所不同的是X射線源901是可以同時用至少兩個波長輻照X射線的微聚焦X射線源，例如從兩個類型的金屬輻照的兩個K-alpha發射線901-1、901-2(在下文“K線”)。
根據實施例，X射線源901可以是多層金屬源。X射線源901可包括具有靶(其包括多個層)的X射線管。每個層可包括來自例如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe和Cu的金屬。每個層可薄至100nm至10μm。由X射線源901發射的X射線可包括不同 的K線，其對應於多層金屬靶中的不同金屬。K線中的任意兩個之間的能差是至少200eV，其可被本文公開的檢測器檢測。
根據實施例，兩個K線901-1、901-2具有約500eV的能差。如上文論述的，聚焦光學器件304可以是菲涅耳帶片，其對於具有不同波長的不同K線具有不同的焦距。因此，在兩個K線被聚焦光學器件304聚焦後，分別形成兩個焦點905-1、905-2。
根據實施例，樣本302可放置在兩個焦點905-1、905-2之間，如在圖9中示出的。
如上文論述的，檢測器303可以是能夠對具有在感興趣的預定範圍內的能量的光子計數的半導體X射線檢測器。在圖9的示例中，檢測器303可以同時產生樣本302的兩個圖像，其中的每個對應於兩個K線中的一個。例如，對於每個吸收的X射線光子，檢測器303可以確定吸收的X射線光子的能量(例如通過測量電極的電壓)，並且從而確定吸收的X射線光子來自兩個K線中的哪個。如果吸收的X射線光子來自例如K線901-1，檢測器303將使對於K線901-1的光子的數目增加一。對於具有圖元陣列的X射線檢測器，可在每個圖元進行光子計數。對於每個圖元，檢測器303可以確定來自K線並且被圖元收集的X射線光子的數目。例如，在一段時間內，圖元i對來自K線901-1的ni個光子計數並且對來自K線901-2的mi個光子計數，其中i=1…N，並且N代表檢測器303的圖元數目。通過對數目ni、mi編譯，檢測器303可產生具有兩個顏色或兩個K線波長的樣本302的圖像。這是以非常低的成本實現彩色X攝像顯微成像的簡單方式。
採用相似的方式，三個或以上K線可被X射線源901用於產生樣本302的彩色圖像。
能夠分辨光子能量的檢測器(例如，半導體X射線檢測器700)可用於相襯X射線成像(PCI)(也稱為相敏X射線成像)。能夠分辨光子能量的檢測器可對非單色源、尤其對於X射線顯微術不太敏感。PCI包含至少部分使用由該物體引起的X射線束的相移(其包括相移的空間分佈)來形成物體的圖像的技術。獲得相移的一個方式是將相位變換成強度變化。
PCI可以結合斷層攝影技術來獲得物體的折射率的實部的3D分佈。與常規的基於強度的X射線成像(例如，放射攝影)相比，PCI對物體中的密度變化更敏感。PCI對於對軟組織成像尤其有用。
圖10A示意示出根據本教導的實施例適合於PCI的系統1110。在該實施例中，系統1110包括本文描述的半導體X射線檢測器700。該半導體X射線檢測器700配置成移到物體1102並且捕獲其圖像，該物體1102暴露於離其不同距離的入射X射線1101。圖像不必同時被捕獲。可例如使用基於菲涅耳衍射積分的線性化的演算法從圖像確定相位。如本領域內技術人員可以理解的，系統1110中的檢測器可以是可以分辨光子能量的任何檢測器，其可不需要單色光源。
圖10B示意示出根據本教導的實施例適合於PCI的另一個系統1120。在該實施例中，系統1120可包括至少兩個X射線檢測器1121和1122。這兩個X射線檢測器1121、1122中的一個或兩個是本文描述的半導體X射線檢測器700。X射線檢測器1121和1122可通過間隔物1123而隔開。間隔物1123可具有非常少的X射線吸 收。例如，間隔物1123可具有非常小的品質衰減係數(例如，<10cm2g-1、<1cm2g-1、<0.1cm2g-1或<0.01cm2g-1、)。間隔物1123的品質衰減係數可以是均一的(例如，間隔物1123中每兩個點之間的變化小於5%、小於1%或小於0.1%)。間隔物1123可促使通過間隔物1123的X射線的相位改變相同數量。例如，間隔物1123可以是氣體(例如，空氣)、真空室，可包括鋁、鈹、矽或其組合。如本領域內技術人員可以理解的，系統1110中的檢測器可以是可以分辨光子能量的任何檢測器，其可不需要單色光源。
系統1120可以用於獲得由被成像物體1102引起的入射X射線1101的相移。X射線檢測器1121和1122可以同時捕獲兩個圖像(例如，強度分佈)。因為X射線檢測器1121和1122被間隔物1123分開，兩個圖像離物體1102的距離不同。可例如使用基於菲涅耳衍射積分的線性化的演算法從兩個圖像確定相位。
根據實施例，圖11圖示根據本教導的實施例使用圖3中的X射線顯微鏡300用於相襯X射線成像(PCI)的方法。如在圖11中示出的，方法包括兩個步驟：步驟1和步驟2。在步驟1處，當檢測器303定位在離樣本302的第一距離處時，X射線源301輻照X射線來形成被檢測器303檢測的樣本302的第一圖像。在步驟2處，當檢測器303定位在離樣本302的第二距離處時，X射線源301再次輻照X射線源301來形成被檢測器303檢測的樣本302的第二圖像。可例如使用基於菲涅耳衍射積分的線性化的演算法從兩個圖像確定相移。當檢測器303可以分辨光子能量時，X射線源301可以是非單色源。
根據實施例，樣本302可以對顯微CT旋轉，例如基於如在錐形束CT中的重 建演算法。
圖12示出根據本教導的實施例適合於基於能夠分辨光子能量的檢測器的X射線顯微術的方法的流程圖。在1202處，例如由本文公開的X射線源對樣本輻照X射線。在1204處，例如由本文公開的檢測器檢測來自輻照X射線的X射線光子。在1208處，例如由能夠分辨光子能量的檢測器識別具有在指定範圍內的能量的X射線光子。該指定範圍對於X射線顯微術可以是預定或感興趣的。在1210處，例如基於具有在感興趣的指定範圍內的能量的識別X射線光子來產生樣本的圖像。
圖13示出根據本教導的實施例適合於基於能夠分辨光子能量的檢測器的X射線CT的方法的流程圖。在1302處，例如由本文公開的X射線源對物體輻照X射線。在1304處，例如由本文公開的檢測器檢測來自輻照X射線的X射線光子。在1308處，例如由能夠分辨光子能量的檢測器識別具有在指定範圍內的能量的X射線光子。該指定範圍對於X射線CT可以是預定或感興趣的。圖像可用具有在範圍內的能量的X射線光子形成。在1310處，例如基於具有在感興趣的指定範圍內的能量的識別X射線光子來重建物體的虛擬模型(例如3D模型)。例如，虛擬模型可從多個方向並且在樣本的多個取向下獲得的圖像構建，其中圖像中的每個用具有在範圍內的能量的X射線光子形成。
圖14示出根據本教導的實施例適合於基於例如圖8中的圖元1的電子系統721等系統檢測X射線成像中的X射線的方法(例如X射線CT或X射線顯微術)的流程圖。在1402處，檢測由圖元1收集的X射線光子。檢測可以基於電極的電壓的增加，例如在電壓開始增加或達到第一閾值時。電極可以是暴露於X射線的二 極體或電阻器的電觸點。在1404處，延遲了預定時段。然後在1406處測量電壓。
在1409處，基於電壓確定X射線光子能量是檢測器感興趣的，例如通過確定X射線光子能量是否在一個或多個預定範圍內。例如，預定範圍的光子能量可以是8至9keV。如果X射線光子能量是檢測器感興趣的，過程移到1410，以例如使用控制器836來促使計數器838中記錄的數目增加一。數目在這裡代表被圖元收集並且具有在感興趣的預定範圍內的能量的X射線光子的數量。過程然後行進到1412。否則，如果X射線光子能量不是檢測器感興趣的，過程直接移到1412。
在1412處，例如通過使二極體的電極或電阻器的電觸點連接到電接地來將電壓重定為電接地。
在1413處，確定是否到在X射線成像系統中產生樣本的圖像的時間。例如，樣本的圖像可在一段時間(例如，1秒、10秒或1分鐘)後產生。如果是成像的時間，過程移到1414，來對對應於預定範圍的光子能量的每個感興趣波長確定光子數目。否則，如果不是成像的時間，過程可回到1402。
圖14中圖示的過程可對檢測器的每個圖元進行。在是成像的時間時，基於X射線強度的空間分佈，檢測器可以對來自所有圖元的每個感興趣X射線波長的光子數目編譯來形成樣本的單色或多色圖像。
圖15示意示出這樣的系統，其包括本文描述的半導體X射線檢測器700。該系統包括X射線源1501。從X射線源1501發射的X射線穿過物體1510(例如，例如胸部、肢體、腹部等人體部位)、由於物體1510(例如，鑽石、樹、建築材料、骨頭、牙齒、肌肉、脂肪和器官等)的內部結構而衰減不同程度並且被投射到 半導體X射線檢測器700。半導體X射線檢測器700通過檢測X射線的強度分佈來形成圖像。系統可用于醫學成像，例如胸部X射線放射攝影、腹部X射線放射攝影、牙齒X射線放射攝影等。系統可用於工業CT，例如鑽石缺陷檢查、掃描樹來使年週期和細胞結構顯現、在載入後掃描建築材料(像混凝土)等。如本領域內技術人員可以理解的，圖15中的檢測器可以是可以分辨光子能量的任何檢測器。
圖16示意示出X射線電腦斷層攝影(X射線CT)系統。X射線CT系統使用電腦處理的X射線來產生被掃描物體的特定區域的斷層攝影圖像(虛擬“切片”)。斷層攝影圖像在各種醫學學科中可用於診斷和治療目的，或用於缺陷檢測、失效分析、計量、元件分析和逆向工程。X射線CT系統包括本文描述的半導體X射線檢測器700和X射線源1601。半導體X射線檢測器700和X射線源1601可配置成沿一個或多個圓形或螺旋形路徑同步旋轉。如本領域內技術人員可以理解的，圖16中的檢測器可以是可以分辨光子能量的任何檢測器。
這裡描述的半導體X射線檢測器700可具有其他應用，例如在X射線望遠鏡、X射線乳房攝影、工業X射線缺陷檢測、X射線顯微術或顯微放射攝影、X射線鑄件檢查、X射線無損檢驗、X射線焊縫檢查、X射線數位減影血管攝影等中。使用該半導體X射線檢測器700來代替照相底片、照相膠片、PSP板、X射線圖像增強器、閃爍體或另一個半導體X射線檢測器，這可是適合的。
儘管本文公開各種方面和實施例，其他方面和實施例對於本領域內技術人員將變得明顯。本文公開的各種方面和實施例是為了說明目的而不意在為限制性的，其真正範圍和精神由下列權利要求指示。
1302、1304、1308、1310‧‧‧步驟

Claims (30)

  1. 一種X射線顯微鏡，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照樣本；和檢測器，其配置成：檢測來自所述樣本的X射線光子，確定檢測的X射線光子的能量，以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子產生所述樣本的圖像。
  2. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中來自所述樣本的X射線光子包括具有在所述預定範圍內的能量的X射線光子和具有在所述預定範圍外的能量的X射線光子。
  3. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其進一步包括聚焦光學器件，所述聚焦光學器件配置成使來自所述X射線源的所述X射線在輻照所述樣本之前聚焦成虛擬點源。
  4. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中所述檢測器進一步配置成確定具有在所述預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
  5. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中：所述檢測器包括圖元陣列；並且所述檢測器進一步配置成對所述圖元中的每個確定具有在所述預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
  6. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中所述檢測器是半導體X射線檢測器。
  7. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中所述檢測器進一步配置成：確定被所述檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被所述檢測器檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
  8. 如申請專利範圍第1項之X射線顯微鏡，其中所述檢測器進一步配置成基於所述X射線光子的第一數目產生所述樣本的第一圖像並且基於所述X射線光子的第二數目產生所述樣本的第二圖像。
  9. 一種X射線電腦斷層攝影(CT)系統，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照物體；以及檢測器，其配置成：檢測來自所述物體的X射線光子，確定檢測的X射線光子的能量，以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子來重建所述物體的虛擬模型。
  10. 如申請專利範圍第9項之X射線CT系統，其中來自所述物體的X射線光子包括具有在所述預定範圍內的能量的X射線光子和具有在所述預定範圍外的能量的X射線光子。
  11. 如申請專利範圍第9項之X射線CT系統，其中所述檢測器進一步配置成確定具有在所述預定範圍內的檢測X射線光子的數目。
  12. 如申請專利範圍第9項之X射線CT系統，其中：所述檢測器包括圖元陣列；並且所述檢測器進一步配置成對所述圖元中的每個確定具有在所述預定範圍內的能量的檢測X射線光子的數目。
  13. 如申請專利範圍第9項之X射線CT系統，其中所述檢測器是半導體X射線檢測器。
  14. 如申請專利範圍第9項之X射線CT系統，其中所述檢測器進一步配置成：確定被所述檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被所述檢測器檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
  15. 如申請專利範圍第14項之X射線CT系統，其中所述檢測器進一步配置成基於所述X射線光子的第一數目和所述X射線光子的第二數目重建所述物體的虛擬模型。
  16. 一種系統，其包括：X射線源，其配置成用X射線輻照物體；聚焦器；以及檢測器，其配置成確定檢測的X射線光子的能量並且確定檢測的X射線光子 的數目，其中所述系統組態成用於進行關於所述物體的X射線顯微斷層攝影。
  17. 如申請專利範圍第16項之系統，其中所述系統組態成通過測量被所述X射線源照射、受到所述物體影響並且被所述檢測器檢測的X射線光子的能量來再創所述物體的虛擬模型或形成所述物體的圖像。
  18. 如申請專利範圍第16項之系統，其中所述檢測器進一步配置成：確定被所述檢測器檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被所述檢測器檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
  19. 如申請專利範圍第18項之系統，其中：所述X射線源發射具有第一譜線和第二譜線的X射線；具有所述第一譜線的X射線包括具有在所述第一範圍內的能量的光子；並且具有所述第二譜線的X射線包括具有在所述第二範圍內的能量的光子。
  20. 如申請專利範圍第19項之系統，其中：具有所述第一譜線的X射線通過所述聚焦器形成第一焦點；具有所述第二譜線的X射線通過所述聚焦器形成第二焦點；並且所述物體在被所述X射線輻照時放置在所述第一焦點與所述第二焦點之間。
  21. 一種方法，其包括： 用X射線輻照樣本；在離所述樣本第一距離檢測來自所述樣本的第一類多個X射線光子；確定所述第一類多個X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的所述第一類多個X射線光子產生所述樣本的第一圖像。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中來自所述樣本的第一類多個X射線光子包括具有在所述預定範圍內的能量的X射線光子和具有在所述預定範圍外的能量的X射線光子。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其進一步包括使來自所述X射線源的輻照X射線在所述樣本之前聚焦成虛擬X射線點源。
  24. 如申請專利範圍第21項之方法，其中產生所述圖像由包括多個圖元的檢測器進行並且產生所述圖像進一步包括：對所述圖元中的每個確定具有在所述預定範圍內的能量的所述第一類多個檢測X射線光子的數目；以及基於所述數量產生所述樣本的圖像。
  25. 如申請專利範圍第21項之方法，其進一步包括：確定被檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
  26. 如申請專利範圍第25項之方法，其進一步包括基於所述X射線光子的第一數目產生所述樣本的第一圖像以及基於所述X射線光子的第二數目產生所述 樣本的第二圖像。
  27. 如申請專利範圍第21項之方法，其進一步包括：在離所述樣本的第二距離檢測來自所述樣本的第二類多個X射線光子；確定所述第二類多個X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的第二類多個X射線光子產生所述樣本的第二圖像。
  28. 一種方法，其包括：用X射線輻照物體；檢測來自所述物體的X射線光子；確定檢測的X射線光子的能量；以及基於具有在預定範圍內的能量的檢測X射線光子來重建所述物體的虛擬模型。
  29. 如申請專利範圍第28項之方法，其進一步包括：確定被檢測並且具有在第一範圍內的能量的X射線光子的第一數目；以及確定被檢測並且具有在第二範圍內的能量的X射線光子的第二數目。
  30. 如申請專利範圍第29項之方法，其中所述重建基於所述X射線光子的第一數目和所述X射線光子的第二數目。
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