TWI801662B - 一種成像系統及成像方法 - Google Patents

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Abstract

本文公開一種成像系統，其包括：輻射源；標記；第一 圖像感測器；和第二圖像感測器；其中所述第一圖像感測器被配置為捕獲所述標記的圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為在第一位置和第二位置之間移動；其中所述第二圖像感測器被配置為在所述第一位置捕獲場景的部分的第一組圖像，並在所述第二位置捕獲所述場景的部分的第二組圖像；其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉；其中所述第二圖像感測器被配置為通過拼接，基於所述標記的圖像而從所述第一組中選擇的圖像和從所述第二組中選擇的圖像，來形成所述場景的圖像。

Description

一種成像系統及成像方法
本發明是有關於一種系統，且特別是有關於一種成像系統。
輻射檢測器是可用於測量輻射的通量、空間分佈、光譜或其他特性的裝置。
輻射檢測器可用於許多應用，其中一個重要的應用是成像。輻射成像是一種射線照相技術，可用於揭示非均勻組成和不透明物體，比如人體，的內部結構。
用於成像的早期輻射檢測器包括攝影板和攝影膠片。攝影板可以是具有光敏乳劑塗層的玻璃板。雖然攝影板被攝影膠片取代，但由於它們提供的優良品質和極端穩定性，使得它們仍可用於特殊情況。攝影膠片可以是具有光敏乳劑塗層的塑膠薄膜比如條或片。
在20世紀80年代，可光激發的磷光板(PSP板)開始可用。PSP板在其晶格中包含具有色心的磷光體材料。當PSP板 暴露於輻射時，由輻射激發的電子被捕獲在色心中，直到它們被在PSP板表面上掃描的雷射光束刺激。當雷射掃描所述PSP板時，被捕獲的激發電子發出光，這些光被光電倍增管收集，收集的光被轉換成數位圖像。與攝影板和攝影膠片相比，PSP版可重複使用。
另一種輻射檢測器是輻射圖像增強器。輻射圖像增強器的元件通常在真空中密封。與攝影板、攝影膠片以及PSP板相比，輻射圖像增強器可產生即時圖像，即，不需要曝光後處理來產生圖像。輻射首先撞擊輸入磷光體(例如，碘化銫)並被轉換成可見光。然後可見光撞擊光電陰極(例如，含有銫和銻化合物的薄金屬層)並引起電子發射。發射的電子數目與入射輻射的強度成正比。發射的電子通過電子光學器件投射到輸出磷光體上並使輸出磷光體產生可見光圖像。
閃爍體在某種程度上與輻射圖像增強器的操作類似，因為閃爍體(例如，碘化鈉)吸收輻射並發射可見光，然後可通過合適的圖像感測器檢測到可見光。在閃爍體中，可見光在所有方向上擴散和散射，從而降低空間解析度。減小閃爍體厚度有助於改善空間解析度，但也減少了輻射的吸收。因此，閃爍體必須在吸收效率和解析度之間達成折衷。
半導體輻射檢測器通過將輻射直接轉換成電信號很大程度上克服了如上所述問題。半導體輻射檢測器可包括吸收感興趣波長輻射的半導體層。當在半導體層中吸收輻射粒子時，產生多 個載流子(例如，電子和電洞)並在電場下朝向半導體層上的電觸點掃過。當前可用的半導體輻射檢測器(例如，Medipix)中所需的繁瑣的熱管理可使得具有較大面積和大量圖元的半導體輻射檢測器難以生產或不可能生產。
本文公開一種系統，其包括：輻射源；標記；第一圖像感測器；第二圖像感測器；其中所述第一圖像感測器被配置為捕獲所述標記的圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為在相對於所述輻射源的第一位置和相對於所述輻射源的第二位置之間移動；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第一位置時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲場景的部分的第一組圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第二位置時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的部分的第二組圖像；其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉；其中，所述第二圖像感測器被配置為，通過基於所述標記的圖像從所述第一組圖像中選取一個圖像，並基於所述標記的圖像從所述第二組圖像中選取一個圖像，並且將所述多個選擇的圖像進行拼接，來形成所述場景的圖像。
根據實施例，所述標記相對於所述場景是靜止的；並且 其中所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述第一圖像感測器相對於所述場景是靜止的；並且其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第一方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
根據實施例，所述第一方向平行於所述圖像感測器的輻射接收表面。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第二方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
根據實施例，所述輻射源在所述第一軸上。
根據實施例，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景圍繞一個或多個軸共同旋轉。
根據實施例，所述一個或多個軸中的至少一個在所述第二圖像感測器上。
根據實施例，當從所述第一組圖像中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源所處的第一旋轉位置和當從所述第二組圖像中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
根據實施例，所述標記的所述圖像包括所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像；其中，當從所述第一組圖像中選取的所述圖像被捕獲時和當所述標記的所述第一圖像被捕獲時所述輻射源所處的旋轉位置是相同的；其中，當從所述第二組圖像中選取的所述圖像被捕獲時和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的旋轉位置是相同的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是相同的。
根據實施例，所述第二圖像感測器包括第一輻射檢測器和第二輻射檢測器。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器分別包括被配置為接收所述輻射的平面表面；其中所述第一輻射檢測器的所述平面表面和所述第二輻射檢測器的所述平面表面不共面。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測 器被配置為通過沿著相對於所述輻射源的第一方向平移從而相對於所述輻射源移動。
根據實施例，所述第一方向平行於所述第一輻射檢測器的所述平面表面，但不平行於所述第二輻射檢測器的所述平面表面。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過沿著相對於所述輻射源的第二方向平移從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而相對於所述輻射源移動。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
根據實施例，所述輻射源在所述第一軸上。
本文公開一種系統，其包括：輻射源；標記；第一圖像感測器；第二圖像感測器；其中所述第二圖像感測器被配置為在相對於所述輻射源的第一位置和相對於所述輻射源的第二位置之間移動；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第一位置並且所述第一圖像感測器捕獲與一組參考圖像中的一個圖像相匹配的所述標記的第一圖像時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲場 景的第一部分的一個圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第二位置並且所述第一圖像感測器捕獲與一組參考圖像中的一個圖像相匹配的所述標記的第二圖像時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的第二部分的一個圖像；其中，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉；其中所述第二圖像感測器被配置為，如果所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像相同，則通過拼接所述第一位置的所述圖像和所述第二位置的所述圖像來形成所述場景的圖像。
根據實施例，所述標記相對於所述場景是靜止的；並且其中所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述第一圖像感測器相對於所述場景是靜止的；並且其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第一方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
根據實施例，所述第一方向平行於所述圖像感測器的輻射接收表面。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第二方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第 一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
根據實施例，所述輻射源在所述第一軸上。
根據實施例，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景圍繞一個或多個軸共同旋轉。
根據實施例，所述一個或多個軸中的至少一個在所述第二圖像感測器上。
根據實施例，當所述標記的所述第一圖像被捕獲時所述輻射源所處的第一旋轉位置和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
根據實施例，所述第二圖像感測器被配置為基於所述標記的所述第一圖像來確定所述第一旋轉位置。
根據實施例，所述第二圖像感測器包括第一輻射檢測器和第二輻射檢測器。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測 器分別包括被配置為接收所述輻射的平面表面；其中所述第一輻射檢測器的所述平面表面和所述第二輻射檢測器的所述平面表面不共面。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第一方向平移從而相對於所述輻射源移動。
根據實施例，所述第一方向平行於所述第一輻射檢測器的所述平面表面，但不平行於所述第二輻射檢測器的所述平面表面。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第二方向平移從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而相對於所述輻射源移動。
根據實施例，所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
根據實施例，所述輻射源在所述第一軸上。
本文公開一種方法，其包括：當輻射源位於相對於場景的第一旋轉位置時，利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的第一部分的一個圖像並捕獲標記的第一圖像；當所述輻射源位於 相對於所述場景的第二旋轉位置時，利用來自所述輻射源的所述輻射捕獲所述場景的第二部分的一個圖像並捕獲所述標記的第二圖像；基於所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同；在確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是相同的後，通過拼接所述第一部分的所述圖像和所述第二部分的所述圖像來形成所述場景的圖像。
根據實施例，所述標記相對於所述場景是靜止的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被第一圖像感測器捕獲，所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被相對於所述場景靜止的第一圖像感測器捕獲；其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，當第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第一位置時，所述場景的所述第一部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲；其中，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第二位置時，所述場景的所述第二部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲。
根據實施例，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉。
根據實施例，基於所述標記的所述第一圖像和所述標記 的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同，其包括：基於所述標記的所述第一圖像來確定所述第一旋轉位置和基於所述標記的所述第二圖像來確定所述第二旋轉位置。
根據實施例，基於所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同，其包括：確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是否相同。
本文公開一種方法，其包括：當標記的第一圖像被捕獲並且其與一組參考圖像中的一個圖像相匹配時，利用輻射源的輻射捕獲場景第一部分的一個圖像；當標記的第二圖像被捕獲並且其與一組參考圖像中的一個圖像相匹配時，利用所述輻射源的所述輻射捕獲所述場景第二部分的一個圖像；確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是否相同；在確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是相同的後，通過拼接所述場景的所述第一部分的所述圖像和所述場景的所述第二部分的所述圖像來形成所述場景的圖像。
根據實施例，所述標記相對於所述場景是靜止的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被第一圖像感測器捕獲，所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，所述標記的所述第一圖像和所述標記的所 述第二圖像被相對於所述場景靜止的第一圖像感測器捕獲；其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
根據實施例，當第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第一位置時，所述場景的所述第一部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲；其中，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第二位置時，所述場景的所述第二部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲。
根據實施例，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉。
根據實施例，當所述標記的所述第一圖像被捕獲時所述輻射源所處的第一旋轉位置和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
50:場景
60:標記
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H:輻射檢測器
102:曲面
103:平面表面
103A:第一平面表面
103B:第二平面表面
107:支架
109:輻射源
110:輻射吸收層
111:第一摻雜區
112:本徵區
113:第二摻雜區
114:離散區
119A、119B:電觸點
120:電子層
121:電子系統
130:填充材料
131:通孔
150:圖元
151、152、153、154、161、162、163、164:步驟
200:處理器
301:第一電壓比較器
302:第二電壓比較器
305:開關
306:電壓表
309:積分器
310:控制器
320:計數器
500:致動器
501:軸
510:第一旋轉位置
520:第二旋轉位置
902:第一軸
903:第二軸
904:第一方向
905:第二方向
910:第一位置
920:第二位置
930:第三位置
940:第四位置
950:第五位置
1000、1011、1021、1311、1312、1411、1413:圖像
1001:第一圖像
1002:第二圖像
1010:第一組圖像
1020:第二組圖像
1030:第三組圖像
1111:參考圖像
1202、1302:物體
1310:第一圖像
1320:第二圖像
1330:第三圖像
1502:行李
1602:人
9000:系統
9001:第一圖像感測器
9002:第二圖像感測器
RST:復位時段
t0、t1、t2、te、ts:時間
TD1:時間延遲
V1:第一閾值
V2:第二閾值
X1、Y1:寬度
X2、Y2:距離
圖1A示意示出根據實施例的一種系統的一部分。
圖1B和圖1C各自示意示出根據實施例的圖1A的系統中的第二圖像感測器相對於所述輻射源的移動。
圖2A和圖2B各自示意示出根據實施例的，當圖1A的系統中的所述輻射源和所述第二圖像感測器相對於所述場景共同旋轉時，圖1A的系統中的所述第一圖像感測器和所述標記的移動。
圖3A和圖3B各自示意示出根據實施例的所述系統的運行。
圖4A和圖4B各自示意示出根據實施例的所述系統的運行。
圖5A示意示出根據實施例的所述第二圖像感測器可具有多個輻射檢測器。
圖5B示意示出，相對於所述場景、所述標記和所述輻射源的，所述第一圖像感測器和所述第二圖像感測器的透視圖的示例。
圖6A示意示出根據實施例的輻射檢測器的橫截面圖。
圖6B示意示出根據實施例的所述輻射檢測器的詳細橫截面圖。
圖6C示意示出根據實施例的所述輻射檢測器的替代詳細橫截面圖。
圖7示意示出根據實施例的所述輻射檢測器可具有圖元陣列。
圖8示意示出根據實施例的所述系統的功能框圖。
圖9A-圖9C示意示出根據一些實施例的所述輻射檢測器在所述圖像感測器中的排列。
圖10示意示出根據實施例的具有多個六邊形輻射檢測器的圖像感測器。
圖11和圖12各自示意示出根據實施例的一種方法的流程圖。
圖13示意示出根據實施例的包括本文所述系統的一種系統，所述系統適用於醫學成像，例如胸部輻射射線照相術、腹部輻射 射線照相術等。
圖14示意示出根據實施例的包括本文所述系統的一種系統，所述系統適用於牙科輻射射線照相術。
圖15示意示出根據實施例的包括本文所述圖像感測器的一種貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統。
圖16示意示出根據實施例的包括本文所述系統的一種全身掃描系統。
圖17示意示出根據實施例的包括本文所述系統的一種輻射電腦斷層成像(輻射CT)系統。
圖18A和圖18B各自示意示出根據實施例的如圖6A、圖6B和圖6C中所示的所述輻射檢測器的電子系統元件圖。
圖19示意示出根據實施例的，流過二極體的電極或流過暴露於輻射的輻射吸收層的電阻器的電觸點的電流，所述電流由入射在所述輻射吸收層上的輻射粒子產生的載流子引起的時間變化(上曲線)，以及所述電極電壓的相應時間變化(下曲線)。
圖1A示意示出根據實施例的系統9000的一部分。所述系統9000包括輻射源109、標記60、第一圖像感測器9001和第二圖像感測器9002。所述第一圖像感測器9001被配置為捕獲所述標記60的圖像，例如，利用所述輻射源109的輻射。所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109被配置為相對於所述場景50共 同旋轉。所述第二圖像感測器9002可在相對於所述輻射源109的多個位置之間移動。在相對於所述輻射源109的所述多個位置中的一個位置，所述第二圖像感測器9002可利用所述輻射源109的所述輻射捕獲所述場景50的部分的一組圖像；在相對於所述輻射源109的所述多個位置中的另一個位置，所述第二圖像感測器9002可利用所述輻射源109的所述輻射捕獲所述場景50的部分的另一組圖像，例如，當所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109分別位於相對於所述場景50的多個旋轉位置時。所述第二圖像感測器9002可包括被配置為接收輻射的輻射接收表面，例如，來自所述輻射源109並且可能已穿過所述場景50的輻射。
圖1B和圖1C各自示意示出根據實施例的所述第二圖像感測器9002相對於所述輻射源109的移動。在圖1B中所示的示例中，所述第二圖像感測器9002可通過沿相對於所述輻射源109的第一方向904平移而從相對於所述輻射源109的第一位置910移動到相對於所述輻射源109的第二位置920。所述第一方向904可平行於所述第二圖像感測器9002的輻射接收表面。
圖1B還顯示出，所述第二圖像感測器9002可通過沿相對於所述輻射源109的所述第二方向905平移而從相對於所述輻射源109的所述第一位置910移動到相對於所述輻射源109的第三位置930。所述第二方向905不同於所述第一方向904。
在圖1B所示的根據實施例的示例中，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910時，所 述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲所述場景50的部分的第一組圖像1010。當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920時，所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲所述場景50的部分的第二組圖像1020。所述標記60的所述圖像1000被所述第一圖像感測器9001所捕獲，例如，利用來自所述輻射源109的輻射。
在圖1C所示的根據實施例的示例中，所述第二圖像感測器9002可通過圍繞相對於所述輻射源109的第一軸902旋轉而從相對於所述輻射源的所述第一位置910移動到相對於所述輻射源109的第四位置940。所述第一軸902可平行於所述第二圖像感測器9002的所述輻射接收表面。所述輻射源109可在所述第一軸902上。
圖1C還顯示出，所述第二圖像感測器9002可通過圍繞相對於所述輻射源109的第二軸903旋轉而從相對於所述輻射源的所述第一位置910移動到相對於所述輻射源109的第五位置950。所述第二軸903不同於所述第一軸902。例如，所述第二軸903可垂直於所述第一軸902。所述輻射源109可在所述第二軸903上。
在圖1C所示的根據實施例的示例中，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第四位置940時，所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲所述 場景50的部分的第三組圖像1030。當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910時，所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲所述場景50的部分的第一組圖像1010。所述標記60的所述圖像1000被所述第一圖像感測器9001利用來自所述輻射源109的輻射所捕獲。
圖2A和圖2B各自示意示出根據實施例的，當所述輻射源109和所述第二圖像感測器9002相對於所述場景50共同旋轉時，所述第一圖像感測器9001或所述標記60的移動。在圖2A所示的示例中，所述標記60相對於所述場景50是靜止的；並且當所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109相對於所述場景50圍繞一個或多個軸，例如軸501，共同旋轉時，所述第一圖像感測器9001相對於所述輻射源109的相對位置是固定的。所述一個或多個軸中的至少一個，例如軸501，在所述第二圖像感測器9002上。即是，所述第一圖像感測器9001、所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋轉。
在圖2B所示的示例中，所述第一圖像感測器9001相對於所述場景50是靜止的；並且當所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109相對於所述場景50圍繞一個或多個軸，例如軸501，共同旋轉時，所述標記60相對於所述輻射源109的相對位置是固定的。所述一個或多個軸中的至少一個，例如軸501，在所述第二圖像感測器9002上。即是，所述標記60、所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋 轉。
根據實施例，所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109可相對於所述場景50圍繞一個或多個軸，例如圖2A和圖2B中的軸501，共同旋轉。所述第二圖像感測器9002和所述輻射源109可相對於所述場景50圍繞不同於軸501的其他軸共同旋轉。所述軸，包括軸501，可在所述第二圖像感測器9002上。
圖3A和圖3B各自示意示出根據實施例的所述系統9000的運行。在圖3A所示的示例中，所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910(見圖1B)。根據實施例，當所述輻射源109、所述第一圖像感測器9001、所述第二圖像感測器9002圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋轉到第一旋轉位置510時，所述標記60相對於所述場景50保持靜止。在所述第一旋轉位置510，所述標記60的第一圖像1001被所述第一圖像感測器9001捕獲，並且，屬於所述第一組圖像1010的所述場景50的一部分的圖像1011被所述第二圖像感測器9002捕獲。所述標記60的第一圖像1001的捕獲和所述場景50所述部分的所述圖像1011的捕獲可在或可不在同一時間。所述第二圖像感測器9002可被設置為繼續與所述輻射源109共同旋轉並完成對所述場景50所述部分的所述第一組圖像1010的捕獲。
在圖3B所示的示例中，所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920(見圖1B)。根據實施例，當所述輻射源109、所述第一圖像感測器9001、所述第二圖 像感測器9002圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋轉到第二旋轉位置520時，所述標記60相對於所述場景50保持靜止。在所述第二旋轉位置520，所述標記60的第二圖像1002被所述第一圖像感測器9001捕獲，並且，屬於所述第二組圖像1020的所述場景50的一部分的圖像1021被所述第二圖像感測器9002捕獲。所述標記60的第二圖像1002的捕獲和所述場景50所述部分的所述圖像1021的捕獲可在或可不在同一時間。所述第二圖像感測器9002可被設置為繼續與所述輻射源109共同旋轉並完成對所述場景50所述部分的所述第二組圖像1020的捕獲。
圖4A和圖4B各自示意示出根據實施例的所述系統9000的運行。在圖4A所示的示例中，所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910(見圖1B)。根據實施例，所述標記60相對於所述場景50保持靜止，並且所述輻射源109、所述標記60、所述第二圖像感測器9002圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋轉到第一旋轉位置510。在所述第一旋轉位置510，所述標記60的第一圖像1001被所述第一圖像感測器9001捕獲，並且，屬於所述第一組圖像1010的所述場景50的所述部分的圖像1011被所述第二圖像感測器9002捕獲。所述標記60的第一圖像1001的捕獲和所述場景50所述部分的所述圖像1011的捕獲可在或可不在同一時間。所述第二圖像感測器9002可被設置為繼續與所述輻射源109共同旋轉並完成對所述場景50所述部分的所述第一組圖像1010的捕獲。
在圖4B所示的示例中，所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920(見圖1B)。根據實施例，所述標記60相對於所述場景50保持靜止，並且所述輻射源109、所述標記60、所述第二圖像感測器9002圍繞所述軸501相對於所述場景50共同旋轉到第二旋轉位置520。在所述第二旋轉位置520，所述標記60的第二圖像1002被所述第一圖像感測器9001捕獲，並且，屬於所述第二組圖像1020的所述場景50的所述部分的圖像1021被所述第二圖像感測器9002捕獲。所述標記60的第二圖像1002的捕獲和所述場景50所述部分的所述圖像1021的捕獲可在或可不在同一時間。所述第二圖像感測器9002可被設置為繼續與所述輻射源109共同旋轉並完成對所述場景50所述部分的所述第二組圖像1020的捕獲。
根據實施例，所述第二圖像感測器9002被設置為，通過基於所述標記60的圖像從所述第一組圖像1010中選取一個圖像(例如，圖3A和圖4A中的圖像1011)，基於所述標記60的圖像從所述第二組圖像1020中選取一個圖像(例如，圖3B和圖4B中的圖像1021)，並將所述兩個選定的圖像拼接在一起，從而形成所述場景50的圖像。當從所述第一組圖像1010中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置和當從所述第二組圖像1020中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置可以是相同的。根據實施例，從所述第一組圖像1010和所述第二組圖像1020中選取所述圖像可通過比較所述標記60 的圖像進行。在圖3A和圖3B、或圖4A和圖4B中的示例中，如果所述標記60的所述圖像1001和所述標記60的所述圖像1002相同，則旋轉位置510和旋轉位置520相同，並且圖像1011和圖像1021可從所述第一組圖像和第二組圖像中被分別選取並被拼接。
在圖1B所示的根據實施例的示例中，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910並且所述第一圖像感測器9001捕獲與一組參考圖像1111中的一個圖像相匹配的所述標記60的圖像1311時，所述場景50的部分的第一圖像1310被所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲。當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920並且所述第一圖像感測器9001捕獲與一組參考圖像1111中的一個圖像相匹配的所述標記60的圖像1312時，所述場景50的部分的第二圖像1320被所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲。
在圖1C所示的根據實施例的示例中，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第四位置940並且所述第一圖像感測器9001捕獲與一組參考圖像1111中的一個圖像相匹配的所述標記60的圖像1413時，所述場景50的部分的第三圖像1330被所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲。當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910並且所述第一圖像感測器9001捕獲與一 組參考圖像1111中的一個圖像相匹配的所述標記60的圖像1411時，所述場景50的部分的第一圖像1310被所述第二圖像感測器9002利用來自所述輻射源109的輻射捕獲。
根據實施例，所述第二圖像感測器9002被設置為，如果所述圖像1311和所述圖像1312相同，則通過拼接所述第一圖像1310和所述第二圖像1320而形成所述場景50的圖像。所述圖像1311和所述圖像1312相同，表示當所述圖像1311被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置和當所述圖像1312被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置是相同的。根據實施例，所述第二圖像感測器9002被設置為，如果所述圖像1411和所述圖像1413相同，則通過拼接所述第一圖像1310和所述第三圖像1330而形成所述場景50的圖像。所述圖像1411和所述圖像1413相同，表示當所述圖像1411被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置和當所述圖像1413被捕獲時所述輻射源109所處的所述旋轉位置是相同的。
圖5A示意示出所述第二圖像感測器9002可具有多個輻射檢測器(例如，第一輻射檢測器100A、第二輻射檢測器100B)。所述第二圖像感測器9002可以有帶曲面102的支架107。所述多個輻射檢測器可被排列在所述支架107上，例如，如圖6A的示例中所示的在所述曲面102上。所述第一輻射檢測器100A可以有一個被配置為從所述輻射源109接收輻射的第一平面表面103A。第二輻射檢測器100B可以有一個被配置為從所述輻射源109接收輻 射的第二平面表面103B。所述第一輻射檢測器100A的所述第一平面表面103A與所述第二輻射檢測器100B的所述第二平面表面103B可以不平行。來自所述輻射源109的所述輻射可在抵達所述第一輻射檢測器100A或所述第二輻射檢測器100B之前已經穿過所述場景50(例如，人體的一部分)。
圖5B示意示出，圖5A中所描繪的，對應於所述場景50、所述標記60和所述輻射源109的，所述第一圖像感測器9001和所述第二圖像感測器9002的透視圖的示例。
當所述第二圖像感測器9002相對於所述輻射源109移動時，以及當所述第二圖像感測器9002與所述輻射源109相對於所述場景50共同旋轉時，所述第一輻射檢測器100A相對於所述第二輻射檢測器100B的相對位置可保持不變。所述第一輻射檢測器100A和所述第二輻射檢測器100B相對於所述第二圖像感測器9002保持靜止。因此，所述第一輻射檢測器100A和所述第二輻射檢測器100B可通過相對於所述輻射源109沿所述第一方向904或所述第二方向905平移或通過圍繞所述第一軸902或圍繞所述第二軸903相對於所述輻射源109旋轉而可以與第二圖像感測器9002相對於輻射源109移動。所述第一方向904或所述第二方向905可與所述第一平面表面103A和所述第二平面表面103B中的兩者都、兩者都不、或兩者中的任一者平行。例如，所述第一方向904可平行於所述第一平面表面103A，但不平行於所述第二平面表面103B。
圖6A示意示出根據實施例的輻射檢測器100的橫截面圖。所述輻射檢測器100可被用於所述系統9000中，例如，所述第一輻射檢測器100A或所述第二輻射檢測器100B。所述輻射檢測器100可包括輻射吸收層110和電子層120(例如，ASIC)，所述電子層120用於處理或分析在所述輻射吸收層110中產生的入射輻射的電信號。在實施例中，所述輻射檢測器100不包括閃爍體。所述輻射吸收層110可包括半導體材料，比如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。所述半導體對於感興趣的輻射能量可具有高的品質衰減係數。在所述電子層120遠端的所述輻射吸收層110的平面表面103被配置為接收輻射。
如圖6B中根據實施例的輻射檢測器100的詳細橫截面圖所示，所述輻射吸收層110可包括由第一摻雜區111、第二摻雜區113的一個或多個離散區114組成的一個或多個二極體(例如，p-i-n或p-n)。所述第二摻雜區113可通過可選的本徵區112而與所述第一摻雜區111分離。所述離散區114通過所述第一摻雜區111或所述本徵區112而彼此分離。所述第一摻雜區111和所述第二摻雜區113具有相反類型的摻雜(例如，第一摻雜區111是p型並且第二摻雜區113是n型，或者第一摻雜區111是n型並且第二摻雜區113是p型)。在圖6B中的示例中，所述第二摻雜區113的每個離散區114與所述第一摻雜區111和所述可選的本徵區112一起組成一個二極體。即是，在圖6B的示例中，所述輻射吸收層110包括多個具有所述第一摻雜區111作為共用電極的二極 體。所述第一摻雜區111還可具有離散部分。
當輻射粒子撞擊包括二極體的所述輻射吸收層110時，所述輻射粒子可被吸收並通過若干機制產生一個或多個載流子。一個輻射粒子可產生10到100000個載流子。所述載流子可在電場下向其中一個二極體的電極漂移。所述電場可以是外部電場。所述電觸點119B可包括離散部分，其中的每個離散部分與所述離散區114電接觸。在實施例中，所述載流子可向不同方向漂移，使得由單個輻射粒子產生的所述載流子大致未被兩個不同的離散區114共用(「大致未被共用」在這裡意指這些載流子中的不到2%、不到0.5%、不到0.1%、或不到0.01%流向與餘下載流子不同的一個所述離散區114)。由入射在所述離散區114之一的足跡周圍的輻射粒子所產生的載流子大致未被另一所述離散區114共用。與一個離散區114相關聯的一個圖元150可以是所述離散區114周圍的區，由以0°入射角入射在其中的輻射粒子所產生的載流子大致全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或超過99.99%)流向其中。即是，所述載流子中的不到2%、不到1%、不到0.1%、或不到0.01%流到所述圖元之外。
如圖6C中根據實施例的輻射檢測器100的替代詳細橫截面圖所示，所述輻射吸收層110可包括具有半導體材料，比如矽、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe、或其組合，的電阻器，但不包括二極體。所述半導體對於感興趣的輻射能量可具有高的品質衰減係數。
當一個輻射粒子撞擊包括電阻器但不包括二極體的所述輻射吸收層110時，所述輻射粒子可被吸收並通過若干機制產生一個或多個載流子。一個輻射粒子可產生10到100000個載流子。所述載流子可在電場下向電觸點119A和電觸點119B漂移。所述電場可以是外部電場。所述電觸點119B包括離散部分。在實施例中，所述載流子可向不同方向漂移，使得由單個輻射粒子產生的所述載流子大致未被所述電觸點119B兩個不同的離散部分共用(「大致未被共用」在這裡意指這些載流子中不到2%、不到0.5%、不到0.1%或不到0.01%流向與餘下載流子不同組的離散部分)。由入射在所述電觸點119B離散部分之一的足跡周圍的輻射粒子所產生的載流子大致未被另一所述電觸點119B離散部分共用。與所述電觸點119B離散部分之一相關聯的一個圖元150可以是所述離散部分周圍的區，由以0°入射角入射在其中的輻射粒子所產生的載流子大致全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或超過99.99%)流向其中。即是，所述載流子中的不到2%、不到0.5%、不到0.1%、或不到0.01%流到與所述電觸點119B離散部分之一相關聯的所述圖元之外。
所述電子層120可包括電子系統121，所述電子系統121適合於處理或解釋由入射在輻射吸收層110上的輻射粒子所產生的信號。所述電子系統121可包括類比電路比如濾波器網路、放大器、積分器、比較器，或數位電路比如微處理器和記憶體。所述電子系統121可包括由所述圖元共用的元件或專用於單個圖元 的元件。例如，電子系統121可包括專用於每個所述圖元的放大器和在所有圖元間共用的微處理器。所述電子系統121可通過通孔131電連接到所述圖元。所述通孔之間的空間可用填充材料130填充，其可增加所述電子層120到所述輻射吸收層110連接的機械穩定性。其他鍵合技術有可能在不使用通孔的情況下將所述電子系統121連接到所述圖元。
圖7示意示出所述輻射檢測器100可具有所述圖元150的陣列。所述陣列可以是矩形陣列、蜂窩陣列、六邊形陣列或任何其他合適的陣列。每個所述圖元150可被配置為檢測入射在其上的輻射粒子，測量所述輻射粒子的能量，或兩者兼顧。例如，每個圖元150可被配置為對一段時間內入射其上，能量落在多個倉中的輻射粒子的數目進行計數。所有圖元150可被配置為對相同的時間段內入射其上的，在多個能量倉中的輻射粒子的數目進行計數。每個圖元150可具有其自己的類比數位轉換器(ADC)，所述ADC被配置為將表示入射輻射粒子能量的類比信號數位化為數位信號。所述ADC可具有10位或更高的解析度。每個所述圖元150可被配置為測量其暗電流，例如，在每個輻射粒子入射到其上之前或同時。每個所述圖元150可被配置為從入射在其上的輻射粒子的能量中減去所述暗電流的貢獻值。所述圖元150可被配置為平行作業。例如，當一個圖元150測量一個入射的輻射粒子時，另一個圖元150可能正在等待一個輻射粒子到達。所述圖元150可以但不必是可單獨定址的。
在實施例中，所述第二圖像感測器9002可相對於所述輻射源109移動到多個位置。所述第二圖像感測器9002可使用所述輻射檢測器100並利用來自所述輻射源109的輻射，分別在所述多個位置捕獲所述場景50的多個部分的圖像。所述第二圖像感測器9002可比較被所述第一圖像感測器9001捕獲的所述標記的圖像，並拼接被所述第二圖像感測器9002捕獲的所述場景50的部分的所述圖像以形成整個所述場景50的圖像。如圖8所示根據實施例的所述系統9000可包括致動器500，所述致動器500被配置為將所述第二圖像感測器9002移動到多個位置。所述第二圖像感測器9002可包括處理器200，所述處理器200比較所述標記的圖像以確定所述第二圖像感測器9002的旋轉位置。所述處理器200可被用於拼接所述場景50的部分的所述圖像。所述第二圖像感測器9002的旋轉位置和所述輻射源109可被所述致動器500所控制。所述第一圖像感測器9001的旋轉位置和所述標記60可被所述致動器500選擇性地控制。
所述輻射檢測器100可以以各種方式排列在所述第二圖像感測器9002中。圖9A示意示出根據實施例的一種排列方式，其中所述輻射檢測器100以交錯列(rows)排列。例如，輻射檢測器100A和輻射檢測器100B在同一列中，在Y方向上對齊，並且尺寸一致；輻射檢測器100C和輻射檢測器100D在同一列中，在Y方向上對齊，並且尺寸一致。輻射檢測器100A和輻射檢測器100B相對於輻射檢測器100C和輻射檢測器100D在X方向上 交錯。根據實施例，同一列中兩個相鄰的輻射檢測器100A和輻射檢測器100B之間的距離X2大於同一列中的一個輻射檢測器的寬度X1(即，X方向維度，即所述列的延伸方向)並且小於所述寬度X1的兩倍。輻射檢測器100A和輻射檢測器100E在同一行(columns)中，在X方向上對齊，並且尺寸一致；同一行中的兩個相鄰的輻射檢測器100A和輻射檢測器100E之間的距離Y2小於同一行中一個輻射檢測器的寬度Y1(即，Y方向維度)。使用這種排列方式的所述場景的圖像，可通過將在X方向上間隔開的三個位置處捕獲的場景的三個部分的圖像進行拼接而獲得。
圖9B示意示出根據實施例的另一種排列方式，其中所述輻射檢測器100排列在矩形網格中。例如，所述輻射檢測器100可包括如圖9A中精確排列的輻射檢測器100A、100B、100E和100F，而沒有圖9A中的輻射檢測器100C、100D、100G或100H。這種排列方式允許通過在六個位置拍攝場景的部分的圖像對場景成像。例如，在X方向上間隔開的三個位置，和在X方向上間隔開並在Y方向上與前三個位置間隔開的另三個位置。
其他排列也是可能的。例如，在圖9C中，所述輻射檢測器100可在X方向上跨越所述圖像感測器9001或9002的整個寬度，兩個相鄰輻射檢測器100之間的距離Y2小於一個輻射檢測器的寬度Y1。假設所述輻射檢測器在X方向上的寬度大於所述場景在X方向上的寬度，則所述場景的圖像可通過將在Y方向上間隔開的兩個位置處捕獲的所述場景的兩個部分的圖像拼接而得。
如上所述的輻射檢測器100可提供任何合適的尺寸和形狀。根據實施例(例如，在圖9A、圖9B、和圖9C中)，至少有一些所述輻射檢測器的形狀為矩形。根據實施例，如圖10所示，至少有一些所述輻射檢測器的形狀為六邊形。
圖11示意示出根據實施例的方法的流程圖。在步驟151中，當所述輻射源109位於相對於所述場景50的所述第一旋轉位置510時，所述場景50的第一部分的圖像被利用來自所述輻射源109的輻射捕獲(例如，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910時，被所述第二圖像感測器9002)，並且所述標記60的第一圖像被捕獲(例如，被所述第一圖像感測器9001)。所述標記60的第一圖像不必在所述場景50的第一部分的所述圖像被捕獲的同時被捕獲。在步驟152中，當所述輻射源109位於相對於所述場景50的所述第二旋轉位置520時，所述場景50的第二部分的圖像被利用來自所述輻射源109的輻射捕獲(例如，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920時，被所述第二圖像感測器9002)，並且所述標記60的第二圖像被捕獲(例如，被所述第一圖像感測器9001)。所述標記60的第二圖像不必在所述場景50的第二部分的所述圖像被捕獲的同時被捕獲。在步驟153中，基於所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像，所述第一旋轉位置510和所述第二旋轉位置520是否相同被確定。在示例中，所述第一旋轉位置510和所述第二旋轉位置520是否相同，涉及基於所述標記 的第一圖像確定所述第一旋轉位置510並基於所述標記的第二圖像確定所述第二旋轉位置520。在示例中，所述第一旋轉位置510和所述第二旋轉位置520是否相同，涉及確定所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像是否相同。在步驟154中，在確定所述第一旋轉位置510和所述第二旋轉位置520是相同的後，所述場景50的圖像通過拼接所述場景50的第一部分的所述圖像和所述場景50的第二部分的所述圖像而形成。
圖12示意示出根據實施例的方法的流程圖。在步驟161中，當所述標記60的第一圖像被捕獲並且所述第一圖像與一組參考圖像中的一個圖像相匹配時，所述場景50的第一部分的圖像被利用來自所述輻射源109的輻射捕獲(例如，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第一位置910時，被所述第二圖像感測器9002)。所述標記60的第一圖像不必在所述場景50的第一部分的所述圖像被捕獲的同時被捕獲。在步驟162中，當所述標記60的第二圖像被捕獲並且所述第二圖像與一組參考圖像中的一個圖像相匹配時，所述場景50的第二部分的圖像被利用來自所述輻射源109的輻射捕獲(例如，當所述第二圖像感測器9002位於相對於所述輻射源109的所述第二位置920時，被所述第二圖像感測器9002)。所述標記60的第一圖像不必在所述場景50的第二部分的所述圖像被捕獲的同時被捕獲。在步驟163中，所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像是否相同被確定。例如，當所述標記的第一圖像被捕獲時所述輻射源109所處的旋 轉位置和當所述標記的第二圖像被捕獲時所述輻射源109所處的旋轉位置相同。當所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像相同時，所述所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置相同。在步驟164中，在確定所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像相同後，所述場景50的圖像通過拼接所述場景50的第一部分的所述圖像和所述場景50的第二部分的所述圖像而形成。
如上所述的系統9000可被用於如下所述的各種系統。
圖13示意示出，所述系統9000可用於醫學成像，比如胸部輻射射線照相術、腹部輻射射線照相術等。從所述輻射源109發射的輻射穿透物體1202(例如，人體部分比如胸部、肢體、腹部)，被所述物體1202的內部結構(例如，骨骼、肌肉、脂肪和器官等)不同程度地衰減，並被投射到所述第二圖像感測器9002。
圖14示意示出，所述系統9000可用於醫學成像比如牙科輻射射線照相術。從所述輻射源109發射的輻射穿透作為哺乳動物(例如，人)口腔的一部分的物體1302。所述物體1302可包括上頜骨、上顎骨、牙齒、下頜骨或舌頭。所述輻射被所述物體1302的不同結構不同程度地衰減並被投射到所述第二圖像感測器9002。牙齒比齲齒、感染、牙周韌帶吸收更多的輻射。牙科患者接受的輻射劑量通常很小(對於全口系列大約為0.150mSv)。
圖15示意示出，所述系統9000可用於貨物掃描或非侵入式檢查(NII)，例如在公共交通設施。從所述輻射源109發射的輻射可穿透一件行李1502，被行李的內容物不同程度地衰減， 並被投射到所述第二圖像感測器9002。所述系統可揭示行李的內容並識別公共交通工具上禁止的物品，例如槍支、麻醉品、利器、易燃物品。
圖16示意示出，所述系統9000可用於一種全身掃描器，所述全身掃描器可檢測人身上的金屬物或非金屬物以進行安全檢查，而無需物理地移除衣物或進行身體接觸。從所述輻射源109發射的輻射可從被檢查的人1602及其上的物體反向散射，並被投射到所述第二圖像感測器9002。所述物體和所述人體可不同地反向散射輻射。所述輻射源109可被配置為沿線性或旋轉方向掃描人。
圖17示意示出，所述系統9000可用於輻射電腦斷層掃描(輻射CT)。所述輻射CT使用電腦處理的輻射來產生被掃描物體的特定區域的斷層圖像(虛擬「切片」)。所述斷層圖像可用於各種醫學學科中的診斷和治療目的，或用於探傷檢測、失效分析、計量學、裝配分析和逆向工程。所述所述輻射源109可被配置為沿著一個或多個圓形或螺旋形路徑同步旋轉。
本文所述系統9000可具有其他應用，比如輻射望遠鏡、乳腺輻射照相、工業輻射缺陷檢測、輻射顯微鏡或輻射顯微照相、輻射鑄件檢驗、輻射無損檢測、輻射焊縫檢驗、輻射數位減影血管造影等。它可能適合於使用所述系統9000代替照相底片、攝影膠片、PSP膠片、輻射圖像增強器、閃爍體或另一種半導體輻射檢測器。
圖18A和圖18B各自示出根據實施例的電子系統121的元件圖。所述電子系統121可包括第一電壓比較器301、第二電壓比較器302、計數器320、開關305、可選的電壓表306和控制器310。
所述第一電壓比較器301被配置為將至少一個所述電觸點119B的電壓與第一閾值進行比較。所述第一電壓比較器301可被配置為直接監測電壓，或者通過對在一段時間內流過所述電觸點119B的電流進行積分來計算電壓。所述第一電壓比較器301可由所述控制器310可控地啟動或停用。所述第一電壓比較器301可以是連續比較器。即，所述第一電壓比較器301可被配置為被連續啟動，並連續地監測電壓。所述第一電壓比較器301可以是鐘控比較器。所述第一閾值可以是一個入射輻射粒子能夠在所述電觸點119B上產生的的最大電壓的1-5%、5-10%、10%-20%、20-30%、30-40%或40-50%。所述最大電壓可取決於入射輻射粒子的能量、所述輻射吸收層110的材料和其他因素。例如，所述第一閾值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
所述第二電壓比較器302被配置為將所述電壓與第二閾值進行比較。所述第二電壓比較器302可被配置為直接監測所述電壓，或通過對一段時間內流過所述二極體或電觸點的電流進行積分來計算電壓。所述第二電壓比較器302可以是連續比較器。所述第二電壓比較器302可由所述控制器310可控地啟動或停用。在所述第二電壓比較器302被停用時，所述第二電壓比較器302 的功耗可以是啟動所述第二電壓比較器302時的功耗的不到1%、不到5%、不到10%或不到20%。所述第二閾值的絕對值大於所述第一閾值的絕對值。如本文所使用的，術語實數x的「絕對值」或「模數」|x|是x的非負值而不考慮它的符號。即，
Figure 108132748-A0305-02-0037-1
。所述第二閾值可以是所述第一閾值的200%-300%。例如，所述第二閾值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。所述第二電壓比較器302和所述第一電壓比較器301可以是相同元件。即，所述系統121可以具有一個電壓比較器，其可在不同時間將電壓與兩個不同的閾值進行比較。
所述第一電壓比較器301或所述第二電壓比較器302可包括一個或多個運算放入器或任何其他適合的電路。所述第一電壓比較器301或所述第二電壓比較器302可具有高速度以允許所述系統121在高通量的入射輻射粒子下操作。然而，具有高速度通常以功耗為代價。
所述計數器320被配置為記錄入射在包括所述電觸點119B的圖元150上的至少若干個輻射粒子。所述計數器320可以是軟體元件(例如，電腦記憶體中存儲的數位)或硬體元件(例如，4017IC和7490IC)。
所述控制器310可以是諸如微控制器和微處理器等的硬體元件。所述控制器310被配置為從所述第一電壓比較器301確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值(例如， 所述電壓的絕對值從低於所述第一閾值的絕對值增加到等於或超過所述第一閾值的絕對值的值)時啟動時間延遲。在這裡使用絕對值是因為電壓可以是負的或正的，這取決於是使用二極體的陰極電壓還是陽極電壓或使用哪個電觸點。所述控制器310可被配置為在所述第一電壓比較器301確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值之前，保持停用所述第二電壓比較器302、所述計數器320、以及所述第一電壓比較器301的操作中不需要的任何其他電路。在所述電壓變得穩定(即，所述電壓的變化率大致為零)之前或之後，所述時間延遲可期滿。短語「變化率大致為零」意指時間變化小於0.1%/ns。短語「變化率大致為非零」意指所述電壓的時間變化至少為0.1%/ns。
所述控制310可被配置為在所述時間延遲期間(其包括開始和期滿)啟動所述第二電壓比較器。在實施例中，所述控制器310被配置為在所述時間延遲開始時啟動所述第二電壓比較器。術語「啟動」意指使元件進入操作狀態(例如，通過發送諸如電壓脈衝或邏輯電平等信號，通過提供電力等)。術語「停用」意指使元件進入非操作狀態(例如，通過發送諸如電壓脈衝或邏輯電平等信號，通過切斷電力等)。操作狀態可具有比非操作狀態更高的功耗(例如，高10倍、高100倍、高1000倍)。所述控制器310本身可被停用，直到所述第一電壓比較器301的輸出電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值時才啟動所述控制器310。
如果在所述時間延遲期間，所述第二電壓比較器302確 定所述電壓的絕對值等於或超過所述第二閾值的絕對值，則所述控制器310可被配置為使所述計數器320記錄的數目中至少有一個數目增加一。
所述控制器310可被配置為使所述可選的電壓表306在所述時間延遲期滿時測量所述電壓。所述控制器310可被配置為使所述電觸點119B連接到電接地，以使電壓重定並且使所述電觸點119B上累積的任何載流子放電。在實施例中，所述電觸點119B在所述時間延遲期滿後連接到電接地。在實施例中，所述電觸點119B連接到電接地並持續有限的復位時段。所述控制器310可通過控制所述開關305而使所述電觸點119B連接到電接地。所述開關可以是電晶體，比如場效應電晶體(FET)。
在實施例中，所述系統121沒有類比濾波器網路(例如，RC網路)。在實施例中，所述系統121沒有類比電路。
所述電壓表306可將其測量的電壓作為類比或數位信號饋送給所述控制器310。
所述系統121可包括電連接到所述電觸點119B的積分器309，其中所述積分器被配置為收集來自所述電觸點119B的電流子。所述積分器309可在運算放大器的回饋路徑中包括電容器。如此配置的所述運算放大器稱為電容跨阻放大器(CTIA)。CTIA通過防止所述運算放大器飽和而具有高的動態範圍，並通過限制信號路徑中的頻寬來提高信噪比。來自所述電觸點119B的載流子在一段時間(「積分期」)內累積在電容器上。在所述積分期期滿 後，對電容器電壓進行採樣，然後通過重定開關進行重定。所述積分器309可包括直接連接到所述電觸點119B的電容器。
圖19示意示出流過所述電觸點119B的，由入射在包括所述電觸點119B的圖元150上的輻射粒子產生的載流子所引起的電流的時間變化(上曲線)和所述電觸點119B電壓的對應時間變化(下曲線)。所述電壓可以是電流相對於時間的積分。在時間t0，所述輻射粒子撞擊所述圖元150，載流子開始在所述圖元150中產生，電流開始流過所述電觸點119B，並且所述電觸點119B的電壓的絕對值開始增加。在時間t1，所述第一電壓比較器301確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值V1的絕對值，所述控制器310啟動時間延遲TD1並且所述控制器310可在所述TD1開始時停用所述第一電壓比較器301。如果所述控制器310在時間t1之前被停用，在時間t1啟動所述控制器310。在所述TD1期間，所述控制器310啟動所述第二電壓比較器302。如這裡使用的術語在時間延遲「期間」意指開始和期滿(即，結束)以及中間的任何時間。例如，所述控制器310可在所述TD1期滿時啟動所述第二電壓比較器302。如果在所述TD1期間，所述第二電壓比較器302確定在時間t2電壓的絕對值等於或超過所述第二閾值V2的絕對值，則所述控制器310等待電壓穩定。所述電壓在時間te穩定，這時輻射粒子產生的所有載流子漂移出所述輻射吸收層110。在時間ts，所述時間延遲TD1期滿。在時間te之時或之後，所述控制器310使所述電壓表306數位化所述電壓並且確定輻射粒子的能 量落在哪個倉中。然後所述控制器310使對應於所述倉的所述計數器320記錄的數目增加一。在圖9的示例中，所述時間ts在所述時間te之後；即TD1在輻射粒子產生的所有載流子漂移出輻射吸收層110之後期滿。如果無法輕易測得時間te，TD1可根據經驗選擇以允許有足夠的時間來收集由輻射粒子產生的大致上全部的載流子，但TD1不能太長，否則會有另一個入射輻射粒子產生的載流子被收集的風險。即，TD1可根據經驗選擇使得時間ts在時間te之後。時間ts不一定在時間te之後，因為一旦達到V2，控制器310可忽視TD1並等待時間te。因此，電壓和暗電流對電壓的貢獻值之間的差異的變化率在時間te大致為零。所述控制器310可被配置為在TD1期滿時或在時間t2或中間的任何時間停用第二電壓比較器302。
在時間te的電壓與由輻射粒子產生的載流子的數目成正比，所述數目與輻射粒子的能量有關。所述控制器310可被配置為使用所述電壓表306來確定輻射粒子的能量。
在TD1期滿或被所述電壓表306數位化後(以較遲者為準)，所述控制器使所述電觸點119B連接到電接地310並持續一個復位時段RST，以允許所述電觸點119B上累積的載流子流到地面並重定電壓。在RST之後，所述系統121已準備好檢測另一個入射輻射粒子。若所述第一電壓比較器301被停用，所述控制器310可在RST期滿之前的任何時間啟動它。若所述控制器310被停用，可在RST期滿之前啟動它。
儘管本文已經公開了各個方面和實施例，但是其他方面和實施例對於本領域技術人員而言將是顯而易見的。本文公開的各個方面和實施例是為了說明的目的而不是限制性的，其真正的範圍和精神應該以本文中的申請專利範圍為準。
50:場景
60:標記
109:輻射源
501:軸
9001:第一圖像感測器
9002:第二圖像感測器

Claims (55)

  1. 一種成像系統，其包括：輻射源；標記；第一圖像感測器；以及第二圖像感測器；其中所述第一圖像感測器被配置為捕獲所述標記的圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為在相對於所述輻射源的第一位置和相對於所述輻射源的第二位置之間移動；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第一位置時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲場景的部分的第一組圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第二位置時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的部分的第二組圖像；其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉；其中，所述第二圖像感測器被配置為，通過基於所述標記的圖像從所述第一組圖像中選取一個圖像，並基於所述標記的圖像從所述第二組圖像中選取一個圖像，並且將所述多個選擇的圖像進行拼接，來形成所述場景的圖像。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述標記相對於所述場景是靜止的；並且其中所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述第一圖像感測器相對於所述場景是靜止的；並且其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第一方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的成像系統，其中所述第一方向平行於所述第二圖像感測器的輻射接收表面。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第二方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從 而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的成像系統，其中所述輻射源在所述第一軸上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景圍繞一個或多個軸共同旋轉。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的成像系統，其中所述一個或多個軸中的至少一個在所述第二圖像感測器上。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中，當從所述第一組圖像中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源所處的第一旋轉位置和當從所述第二組圖像中選取的所述圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述標記的所述圖像包括所述標記的第一圖像和所述標記的第二圖像；其中，當從所述第一組圖像中選取的所述圖像被捕獲時和當所述標記的所述第一圖像被捕獲時所述輻射源所處的旋轉位置是相同的；其中，當從所述第二組圖像中選取的所述圖像被捕獲時和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的旋轉位置是相同的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是 相同的。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器包括第一輻射檢測器和第二輻射檢測器。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器分別包括被配置為接收所述輻射的平面表面；其中所述第一輻射檢測器的所述平面表面和所述第二輻射檢測器的所述平面表面不共面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過沿著相對於所述輻射源的第一方向平移從而相對於所述輻射源移動。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的成像系統，其中所述第一方向平行於所述第一輻射檢測器的所述平面表面，但不平行於所述第二輻射檢測器的所述平面表面。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過沿著相對於所述輻射源的第二方向平移從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而相對於所述輻射源移動。
  20. 如申請專利範圍第10項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過圍繞相對於 所述輻射源的第二軸旋轉從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的成像系統，其中所述輻射源在所述第一軸上。
  22. 一種成像系統，其包括：輻射源；標記；第一圖像感測器；以及第二圖像感測器；其中所述第二圖像感測器被配置為在相對於所述輻射源的第一位置和相對於所述輻射源的第二位置之間移動；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第一位置並且所述第一圖像感測器捕獲與一組參考圖像中的一個圖像相匹配的所述標記的第一圖像時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲場景的第一部分的一個圖像；其中所述第二圖像感測器被配置為，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的所述第二位置並且所述第一圖像感測器捕獲與一組參考圖像中的一個圖像相匹配的所述標記的第二圖像時，所述第二圖像感測器利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的第二部分的一個圖像；其中，所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所 述場景共同旋轉；其中所述第二圖像感測器被配置為，如果所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像相同，則通過拼接所述第一位置的所述圖像和所述第二位置的所述圖像來形成所述場景的圖像。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述標記相對於所述場景是靜止的；並且其中所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  24. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第一圖像感測器相對於所述場景是靜止的；並且其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  25. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第一方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
  26. 如申請專利範圍第25項所述的成像系統，其中所述第一方向平行於所述第二圖像感測器的輻射接收表面。
  27. 如申請專利範圍第25項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過沿相對於所述輻射源的第二方向平移從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
  28. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動。
  29. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為通過圍繞相對於所述輻射源的第二軸旋轉從而在相對於所述輻射源的所述第一位置和相對於所述輻射源的所述第二位置之間移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
  30. 如申請專利範圍第28項所述的成像系統，其中所述輻射源在所述第一軸上。
  31. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景圍繞一個或多個軸共同旋轉。
  32. 如申請專利範圍第31項所述的成像系統，其中所述一個或多個軸中的至少一個在所述第二圖像感測器上。
  33. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中，當所述標記的所述第一圖像被捕獲時，所述輻射源所處的第一旋轉位置和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
  34. 如申請專利範圍第33項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器被配置為基於所述標記的所述第一圖像來確定所述第一旋轉位置。
  35. 如申請專利範圍第22項所述的成像系統，其中所述第二圖像感測器包括第一輻射檢測器和第二輻射檢測器。
  36. 如申請專利範圍第35項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器分別包括被配置為接收所述輻射的平面表面；其中所述第一輻射檢測器的所述平面表面和所述第二輻射檢測器的所述平面表面不共面。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過沿著相對於所述輻射源的第一方向平移從而相對於所述輻射源移動。
  38. 如申請專利範圍第37項所述的成像系統，其中所述第一方向平行於所述第一輻射檢測器的所述平面表面，但不平行於所述第二輻射檢測器的所述平面表面。
  39. 如申請專利範圍第37項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過沿著相對於所述輻射源的第二方向平移從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二方向不同於所述第一方向。
  40. 如申請專利範圍第39項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過圍繞相對於所述輻射源的第一軸旋轉從而相對於所述輻射源移動。
  41. 如申請專利範圍第40項所述的成像系統，其中所述第一輻射檢測器和所述第二輻射檢測器被配置為，通過圍繞相對於 所述輻射源的第二軸旋轉從而相對於所述輻射源移動；其中所述第二軸不同於所述第一軸。
  42. 如申請專利範圍第40項所述的成像系統，其中所述輻射源在所述第一軸上。
  43. 一種成像方法，其包括：當輻射源位於相對於場景的第一旋轉位置時，利用來自所述輻射源的輻射捕獲所述場景的第一部分的一個圖像並捕獲標記的第一圖像；當所述輻射源位於相對於所述場景的第二旋轉位置時，利用來自所述輻射源的所述輻射捕獲所述場景的第二部分的一個圖像並捕獲所述標記的第二圖像；基於所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同；以及在確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置相同後，通過拼接所述場景的所述第一部分的所述圖像和所述場景的所述第二部分的所述圖像來形成所述場景的圖像。
  44. 如申請專利範圍第43項所述的成像方法，其中所述標記相對於所述場景是靜止的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被第一圖像感測器捕獲，所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  45. 如申請專利範圍第43項所述的成像方法，其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被相對於所述場景 靜止的第一圖像感測器捕獲；其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  46. 如申請專利範圍第43項所述的成像方法，其中，當第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第一位置時，所述場景的所述第一部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲；其中，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第二位置時，所述場景的所述第二部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲。
  47. 如申請專利範圍第46項所述的成像方法，其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉。
  48. 如申請專利範圍第43項所述的成像方法，其中，基於所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同，其包括：基於所述標記的所述第一圖像來確定所述第一旋轉位置和基於所述標記的所述第二圖像來確定所述第二旋轉位置。
  49. 如申請專利範圍第43項所述的成像方法，基於所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像來確定所述第一旋轉位置和所述第二旋轉位置是否相同，其包括：確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是否相同。
  50. 一種成像方法，其包括：當標記的第一圖像被捕獲並且其與一組參考圖像中的一個圖像相匹配時，利用輻射源的輻射捕獲場景第一部分的一個圖像；當標記的第二圖像被捕獲並且其與一組參考圖像中的一個圖 像相匹配時，利用所述輻射源的所述輻射捕獲所述場景第二部分的一個圖像；確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是否相同；以及在確定所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像是相同的後，通過拼接所述場景的所述第一部分的所述圖像和所述場景的所述第二部分的所述圖像來形成所述場景的圖像。
  51. 如申請專利範圍第50項所述的成像方法，其中所述標記是相對於所述場景靜止的；其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被第一圖像感測器捕獲，所述第一圖像感測器相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  52. 如申請專利範圍第50項所述的成像方法，其中所述標記的所述第一圖像和所述標記的所述第二圖像被相對於所述場景靜止的第一圖像感測器捕獲；其中所述標記相對於所述輻射源的相對位置是固定的。
  53. 如申請專利範圍第50項所述的成像方法，其中，當第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第一位置時，所述場景的所述第一部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲；其中，當所述第二圖像感測器位於相對於所述輻射源的第二位置時，所述場景的所述第二部分的所述圖像被所述第二圖像感測器捕獲。
  54. 如申請專利範圍第53項所述的成像方法，其中所述第二圖像感測器和所述輻射源被配置為相對於所述場景共同旋轉。
  55. 如申請專利範圍第50項所述的成像方法，其中，當所述標記的所述第一圖像被捕獲時所述輻射源所處的第一旋轉位置和當所述標記的所述第二圖像被捕獲時所述輻射源所處的第二旋轉位置是相同的。
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