JP2014508567A - 2つ又はこれ以上の代替的に選択可能で別々のサブ陽極を含む陽極を持つ光子計数検出器ピクセル - Google Patents

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Abstract

撮像システム100は、検査領域を横断する放射線を放出する放射線源112と、上記検査領域を横断する放射線を検出し、上記検出された放射線を示す信号を生成する複数の光子計数検出器ピクセル116を持つ検出器アレイ114とを含む。光子計数検出器ピクセルは、第1の放射線受信側面202及び第2の対向する側面206を持つ直接変換層122と、上記第1の側面の全部又は実質的な部分につけられ、及びこれを覆う陰極118と、上記第2の側面の中央に位置する領域208につけられ、少なくとも2つのサブ陽極120、120i、1202、120Nを含む陽極120と、上記陽極及び上記陽極領域を囲み、上記第2の側面につけられる金属化124とを含む。上記陽極及び上記金属化の間にはギャップがある。このシステムは更に、上記検査領域を示すボリュメトリック画像データを生成するため、上記信号を再構成する再構成器144を含む。

Description

以下は一般に、撮像システムに関し、より詳細には、2つ又はこれ以上の代替的に選択可能で分離したサブ陽極を備える検出器ピクセルを持つエネルギー分解光子計数検出器に関し、コンピュータ断層撮影(CT)スキャナに関連して説明される。しかしながら、以下は、エネルギー分解検出器を使用することができるX線及び/又は他の撮像モダリティといった他の撮像モダリティに対しても従う。
スペクトルコンピュータ断層撮影(CT)スキャナは、静止した部分により回転可能に支持される回動部分を含む。回動部分は、検査領域及びその中のオブジェクト又は対象物を横断するポリエネルギー性放射線(X線光子)を放出するX線管と、検査領域を横断する放射線を検出し、検出された放射線を示す電気信号を生成するエネルギー分解検出器の1つ又は複数の行を備える検出器アレイとを支持する。
電気信号は、増幅され、検出された光子のエネルギーを示すピーク振幅を持つパルスを生成するため、パルス成形器により処理される。識別器は、異なるエネルギー準位に基づきセットされる2つ又はこれ以上の閾値と電圧パルスの振幅とを比較し、閾値を超えて上昇するパルス振幅に基づき、閾値に関する信号を生成する。各閾値に対して、カウンタは、生成された信号を計数し、エネルギービンナは、異なるエネルギー範囲に対応するビンへとそのカウントをビン化する。再構成器は、ビン化されたデータに基づき検出された放射線を再構成するため、スペクトル再構成アルゴリズムを使用する。
適切なエネルギー分解光子計数検出器は、カドミウムテルル化物(CdTe)、カドミウム亜鉛テルル化物(CdZnTe又はCZT)又は別の直接変換物質を持つ直接変換検出器を含む。直接変換検出器は一般に、2つの電極である陰極及び陽極の間に配置される半導体材料のブロックから成る。この電極に、電圧が印加される。放射線は、陰極側を照射する。X線光子は、電子に対してエネルギーを転送する。これは、複数の電子/穴ペアを作成する。ここで、電子は、陽極側の陽極ピクセルの方へドリフトする。
斯かる検出器は、各ピクセル陽極を囲む金属化を含むことができる。この金属化は、制御又は駆動電極と呼ばれる。一般に、駆動電極は、ピクセル陽極に対して負電位に保持されるが、陰極電位よりは負でない。これは、ピクセル陽極にドリフトする電子を誘導する電場を生じさせる。電子の受信に基づき、陽極は、電子を示す電気信号を生成する。これは、集積回路(IC)へと搬送される。
各ピクセルに関する陽極は、ICの相補ボンディングパッドに対して物理的及び電気的に結合される。これは、検出器の信号を例えば再構成器に送る処理電子部品を含む。直接変換物質にICを結合した後、陽極対IC相互接続がテストされる。これは、直接変換物質を照射し、及び検出器の出力を測定する又は直接変換物質及びICパッドにわたり電圧を印加することにより実現されることができる。後者の場合、漏れ電流を測定することは良好な相互接続を示し、電流を測定しないことは、悪い相互接続を示す。
検出器ピクセルピッチ(ピクセル中央からピクセル中央までの距離)が1ミリメートル(1.0mm)以下で、陽極直径が50ミクロン(50μm)から100ミクロン(100μm)の範囲にある直接変換光子計数検出器を用いて、スタッドバンプ又は低温はんだを用いた、ICのピクセル陽極及び対応するボンディングパッドの間のボンディングのボンディング収率は、例えば60〜80パーセント(60%〜80%)の間といったものであり、100%未満である。斯かるボンディング収率を持つ検出器は一般に、再加工又は廃棄される。これは、検出器1台当たりのコストを全体的に増加させ、時間を消費する。
ボンディング収率を上昇させる1つの可能性のある手法は一般に、同じ検出器ピクセル陽極/ボンドパッドペアに対して複数の相互接続を用いることである。残念なことに、駆動電極を持ち、直径が50ミクロン(50μm)から100ミクロン(100μm)の範囲にある検出器ピクセル陽極を持つ直接変換光子計数検出器は、スペース的な限界によって、同じ検出器ピクセル陽極を用いて複数のボンディングを行うには適していない。従って、ボンディング収率を上昇させる他の手法に関する未解決の必要性が存在する。
本出願の側面は、上述した事項その他に対処する。
1つの側面によれば、撮像システムは、検査領域を横断する放射線を放出する放射線源と、上記検査領域を横断する放射線を検出し、上記検出された放射線を示す信号を生成する複数の光子計数検出器ピクセルを備える検出器アレイとを含む。この光子計数検出器ピクセルが、第1の放射線受信側面及び第2の対向する側面を持つ直接変換層と、上記第1の側面の全部又は実質的な部分に付けられ、及びこれを覆う陰極と、上記第2の側面の中央に位置する領域に付けられ、少なくとも2つのサブ陽極を含む陽極と、上記陽極を囲み、上記第2の側面につけられる金属化とを含む。上記陽極及び上記金属化の間にはギャップがある。このシステムは更に、上記検査領域を示すボリュメトリック画像データを生成するため、上記信号を再構成する再構成器を含む。
別の側面によれば、ある方法が、光子計数検出器ピクセルを用いて検査領域を横断する放射線を検出するステップを有し、上記光子計数検出器ピクセルが、金属化により集合的に囲まれる、少なくとも2つの物理的及び電気的に分離したサブ陽極を持つ陽極を含み、上記少なくとも2つのサブ陽極が、基板の対応するサブボンディングパッドに結合され、電気スイッチは、上記基板の処理電子部品と上記少なくとも2つのサブボンディングパッドの単一の1つだけとを電気的に接続する。
別の側面によれば、検出器アレイが、処理電子部品と、駆動電極により集合的に囲まれる少なくとも2つの分離したサブ陽極を持つ陽極を含む少なくとも1つの光子計数検出器ピクセルとを含み、上記少なくとも2つのサブ陽極の単一の1つだけが、上記処理電子部品と電気通信可能である。
少なくとも2つのサブ陽極を持ち、そのうちの1つだけが利用される光子計数検出器ピクセルを含む撮像システムを概略的に示す図である。 光子計数検出器ピクセルの例の断面側面表示を概略的に示す図である。 サブ陽極を示す図2のA−Aに沿って、光子計数検出器ピクセルの断面表示を概略的に示す図である。 サブボンディングパッドを示す図2のB−Bに沿って、光子計数検出器ピクセルの断面表示を概略的に示す図である。 検出器ピクセルのサブ陽極/サブボンディングパッドペアを選択する方法を示す図である。 撮像システムに関連して放射線を検出する方法を示す図である。
本発明は、様々な要素及び要素の配列の形式並びに様々なステップ及びステップの配列の形式を取ることができる。図面は、好ましい実施形態を説明するためだけにあり、本発明を限定するものとして解釈されるべきものではない。
図1は、例えばコンピュータ断層撮影(CT)スキャナ100といった撮像システムを概略的に示す。スキャナ100は、静止したガントリ102及び回転ガントリ104を含む。これは、静止したガントリ102により回転可能に支持される。回転ガントリ104は、1つ又は複数のデータ取得サイクルの間1又は複数回、長手方向又はz軸108の周りで検査領域106の周りを回転する。例えば寝台といった患者支持部110は、検査領域106において例えば動物又は人間の患者といったオブジェクト又は対象物を支持する。
例えばX線管といった放射線源112は、検査領域106の周りで回転ガントリ104により支持され、及びこれと共に回転する。放射線源112は、検査領域106を横断する一般にファン、くさび又はコーン形状の放射線ビームを生成するため、源コリメータにより平行化されるポリエネルギー性放射線(X線光子)を放出する。放射線感知検出器アレイ114は、検査領域106を横断する放射線をそれぞれ検出し、検出された放射線を示す電気信号(例えば、電流又は電圧)を生成する検出器ピクセルの1又は2次元アレイを含む。
図示された検出器アレイ114は、エネルギー分解光子計数検出器アレイと、陰極118と、陽極120と、これらの間に配置される直接変換物質又は層122(例えば、カドミウムテルル化物(CdTe)、カドミウム亜鉛テルル化物(CdZnTe又はCZT)等とを含む。単一の検出器ピクセルに対する、光子計数検出器アレイの部分の断面が符号116で示される。金属化又は駆動電極124は、陽極120を囲む直接変換物質又は層122につけられ、ギャップ126によりそこから分離される。基板128は、例えば集積回路(IC)、特定用途向け集積回路(ASIC)等の電子部品132と、陽極120及び電子部品132を電気的に結合するボンディングパッド130とを含む。
後述されるように、陽極120は、サブ陽極の複数のセットを含む。各セットは、異なる検出器ピクセルに対応し、駆動電極金属化124により集合的に囲まれる物理的及び電気的に分離されたサブ陽極を2つ以上含む。基板128は、サブボンディングパッドの複数の補完的なセットを含む。各セットは、異なる検出器ピクセルに対応し、そのピクセルに関するサブ陽極に補完的なサブボンディングパッドを含む。補完的なサブ陽極/サブパッドペアは、バンプボンディング、低温はんだ及び/又は他のボンディング手法を介して物理的及び電気的に結合される。電子部品132は、基板128の処理及び/又は読み出し電子部品にサブボンディングパッドを選択的に電気的に接続する及び非接続にするよう構成され、任意医の所与の時間において、検出器ピクセルのサブボンディングパッドの1つだけを電子部品に接続するように構成される。
例えば、各検出器ピクセルに対する各陽極のセットに複数のサブ陽極を含め、基板128に複数の対応するサブボンディングパッドを含めることは、各検出器ピクセルに対する冗長なサブ陽極/パッドペアを提供する。そのようなものとして、サブボンディングパッドにサブ陽極を結合した後、これらの相互接続の全てでなく、1つ又は複数が、使用不可能な状態となる場合(例えば、適切な電気接続の欠如)、基板128は、使用可能な相互接続を持つサブ陽極/パッドペア(例えば、適切な電気接続を持つもの)を選択するよう構成されることができる。これは、検出器アレイ114が各検出器ピクセルに対して単一の陽極だけを持つ(即ちサブ陽極がない)直接変換検出器を含む構成と比べて、検出器ピクセルに関するボンディング収率を、最高100%まで、例えば90%以上にまで改善することを容易にすることができる。
オプションの前置増幅器134は、検出器アレイ114から出力される各電気信号出力を増幅する。
パルス成形器136は、検出された光子に関して増幅された電気信号を処理し、電圧といったパルス,又は検出された光子を示す他のパルスを含む対応するアナログ信号を生成する。この例において、パルスは、検出された光子のエネルギーを示すピーク振幅を持つ。
エネルギー識別器138は、パルスをエネルギー識別する。この例において、エネルギー識別器138は、特定のエネルギー準位に対応する閾値とパルスの振幅とをそれぞれ比較する複数のコンパレータを含む。各コンパレータは、例えばパルスの振幅がその閾値を超えるかどうかを示すハイ又はロー信号といった出力を生成する。
カウンタ140は、各閾値に関してそれぞれ出力信号を計数する。カウンタ140は、各閾値に対する単一のカウンタ又は個別のサブカウンタを含むことができる。
エネルギービンナ142は、エネルギー閾値の間の範囲に対応するエネルギー範囲又はビンへとカウントをエネルギービン化する。ビン化されたデータは、検出された光子をエネルギー分解するために用いられる。
再構成器144は、検出された光子のスペクトル特性に基づき、検出された放射線を選択的に再構成する。例えば、ビン化されたデータは一般に、例えば骨、有機組織、脂肪及び/又は同様のものといった異なる光子吸収特性を持つ異なるタイプの有機材料を分離し、コントラスト強調物質を位置決めし、及び/又は、スペクトル特性に基づき検出された信号を他の態様で処理するために用いられることができる。
汎用コンピュータシステムは、オペレータ端末146として機能し、ディスプレイといった出力デバイス及び例えばキーボード、マウス等の入力デバイスを含む。端末146上に存在するソフトウェアは、オペレータがシステム100の動作を制御することを可能にする。例えば、オペレータが、スペクトル撮像プロトコルを選択する、スキャンを開始する等を行うことを可能にする。
図2は、サブ部分116を概略的に示す。検出器アレイ114が、斯かる部分116の1又は2次元アレイを含む点に留意されたい。
陰極118は、入力放射線204の方向に面する及び全体側面又は実質的に全体側面202にわたり延在する、直接変換物質又は層122の第1の放射線受信側面202上に構成される。陰極電圧源(図示省略)は、陰極118に適用され、陽極120に対する負電位で陰極118に付勢する。
陽極120は、サブ陽極120、120、...、120を含む。ここで、Nは、2以上の整数である。陽極は、直接変換物質又は層122の第2の対向する側面206上に構成される。図示される実施形態において、陽極120は、ほとんど中心化される又は検出器ピクセル116の陽極領域208に対して中央に配置される。陽極電圧源は、陽極120に適用され、陰極118の電位より正の電位で陽極に付勢する。
駆動電極124は、陽極120を囲む導電層として、直接変換物質又は層122の第2の側面206上に構成される。これは、陽極120により覆われる領域外で側面206のサブ部分を覆い、少なくともギャップ126によりサブ陽極から分離される。駆動電極電圧源(図示省略)は、陰極118に対する正の電位及び陽極120に対する負電位で、駆動電極124に付勢する。
図3は、図2のラインA−Aに沿った検出器ピクセル116の断面図を概略的に示す。これは、駆動電極124に関連して陽極120の例示的な構成を示す。図3において、3つのサブ陽極が説明的な目的に関して示される。しかしながら、他の実施形態において、Nは、2以上であればよい点を理解されたい。
図示される実施形態において、ピッチ302は、検出器ピクセル中央から検出器ピクセル中央までの距離を表し、約200ミクロン(200μm)から約1.5ミリメートル(1.5mm)の範囲、例えば、約約300ミクロン(300μm)から約1ミリメートル(1.0mm)の範囲にある。一般に、検出器ピクセルの長さ304は、ピッチに等しいか、又は、ピクセルの間の任意の間隔が原因でピッチ302より少し大きい。図示されたピクセル116は、方形である。しかしながら、適切なピクセル形状がまた、矩形、楕円、円形、六角形及び/又は他の形状である点を理解されたい。
陽極領域208の直径306は、約100ミクロン(100μm)から約300ミクロン(300μm)の範囲にあり、例えば、約200ミクロン(200μm)である。サブ陽極120、120、...、120の直径308は、約25ミクロン(25μm)から約150ミクロン(150μm)の範囲にあり、例えば、約50ミクロン(50μm)から約100ミクロン(100μm)の範囲にある。
サブ陽極120、120、...、120と駆動電極124との間のギャップ126の最短距離310は、約10ミクロン(10μm)から約40ミクロン(40μm)の範囲にあり、例えば、約20ミクロン(20μm)から約30ミクロン(30μm)の範囲にある。一般に、距離310は、所定の漏れ電流が越えられない距離に対応することができる。パシベーション物質は、サブ陽極120、120、...、120及び駆動電極124の間に配置されることができる。
図示された実施形態において、サブ陽極120、120、...、120及び陽極領域208は、形状において円形である。角を持つ形状に対して、斯かる形状は、駆動電極124により生成される電場の駆動影響を最適化するのに適している。しかしながら、例えば楕円、六角形、矩形、及び/又は正方形といった他の形状が、本書において想定される。
図2に戻り、ボンディングパッド130は、陽極120の少なくともサブ部分の下に配置され、サブパッド陽極130、130、...、130を含む。これは、サブ陽極120、120、...、120のそれぞれに対応する。スイッチング電子部品132は、経路212を介して、基板128により搬送される他の電子部品210へとボンディングパッド130を電気的に結合する。本書に説明されるように、スイッチング電子部品132は、所与の時間において、サブパッド130、130、...、130の1つだけを他の電子部品210に選択的に電気的に結合するよう構成される。
直接変換物質又は層122につけられる駆動電極124に基板128を結合した後、どのサブ・パッドが、他の電子部品210に電気的に結合するかを決定するため、テスト照射又は電圧が各検出器ピクセルに適用されることができる。このため、電子部品132の各スイッチは個別に閉じられる。その結果、サブパッド130の1つだけが、他の電子部品210に接続され、検出器ピクセル116は、そのサブ・パッド130に関してテストされる。読み出し電子部品210に接続されないサブパッド130、130、...、130は、浮動的な電位に保たれる。
図4は、図2のラインB−Bに沿った検出器ピクセル116の断面図を概略的に示す。これは、陽極120及び駆動電極122に関連してボンディングパッド130の例示的な構成を示す。
図示されるように、サブパッド陽極130、130、...、130は、サブ陽極120、120、...、120と整列配置され、これらと物理的及び電気的に結合される。別々の経路402が、スイッチング電子部品132の対応する個別のスイッチに、サブパッド130、130、...、130をそれぞれ電気的に結合する。これは、処理電子部品210に対してサブパッド130、130、...、130を個別に電気的に接続する及び非接続状態にする。
図5は、計数検出器ピクセルの複数の利用可能なサブ陽極の単一のサブ陽極だけを選択し、計数検出器ピクセルの処理電子部品に対して単一のサブ陽極だけを電気的に接続する例示的な方法を示す。
本書に記載される方法においてステップの順序は限定するものでない点を理解されたい。そのようなものとして、他の順序も本書において想定される。更に、1つ又は複数のステップは省略されることができ、及び/又は、1つ又は複数の追加的なステップが含まれることができる。
ステップ502において、スイッチング電子部品132は、複数のサブボンディングパッド130、130、...、130の1つだけが処理電子部品210と電気通信できるよう構成される。
ステップ504において、テスト信号(例えば、放射線、電圧等)が、光子計数検出器ピクセル116に適用される。
ステップ506において、処理電子部品210の出力が検出される。一般に、検出器ピクセル116に関する処理電子部品210は、サブボンディングパッド130、130、...、130とこのサブボンディングパッド130、130、...、130に結合されるサブ陽極120、120、...、120との間の電気接続に基づき、出力信号を生成する。
ステップ508において、ステップ502〜506が、他のサブボンディングパッド130、130、...、130に対して繰り返される。
ステップ510において、スイッチング電子部品132は、処理電子部品210と電気通信可能な単一のサブボンディングパッド130、130、...、130が、対応するサブ陽極120、120、...、120と電気通信可能なサブボンディングパッド130、130、...、130であるよう構成される。
図6は、計数検出器ピクセルを使用する例示的な方法を示す。そこでは、計数検出器ピクセルの複数の利用可能なサブ陽極の単一のサブ陽極だけが、計数検出器ピクセルの処理電子部品に電気的に接続される。
本書に記載される方法においてステップの順序は限定するものでない点を理解されたい。そのようなものとして、他の順序も本書において想定される。更に、1つ又は複数のステップは省略されることができ、及び/又は、1つ又は複数の追加的なステップが含まれることができる。
ステップ602において、検査領域を横断する放射線は、金属化により集合的に囲まれる少なくとも2つの分離したサブ陽極を持つ陽極を持つ光子計数検出器ピクセルで検出される。この場合、少なくとも2つの分離したサブ陽極は、集積回路の対応するサブボンディングパッドにそれぞれ物理的及び電気的に結合され、少なくとも2つのサブボンディングパッドの単一の1つだけが集積回路と電気通信可能である。
ステップ604において、検出された放射線は、ボリュメトリック画像データを生成するため再構成される。
本発明は、様々な実施形態を参照して本書において説明された。本書の記載を読めば、第三者は、修正及び変動を思いつくことができる。それらの修正及び変更が添付の特許請求の範囲又はその均等物の範囲内にある限り、本発明は、すべての斯かる修正及び変更を含むものとして構築されることが意図される。

Claims (20)

  1. 撮像システムであって、
    検査領域を横断する放射線を放出する放射線源と、
    前記検査領域を横断する放射線を検出し、前記検出された放射線を示す信号を生成する複数の光子計数検出器ピクセルを備える検出器アレイであって、光子計数検出器ピクセルが、
    第1の放射線受信側面及び第2の対向する側面を持つ直接変換層、
    前記第1の側面の全部又は実質的な部分に付けられ、及びこれを覆う陰極、
    前記第2の側面の中央に位置する領域に付けられ、少なくとも2つのサブ陽極を含む陽極、並びに
    前記陽極及び前記陽極領域を囲む、前記第2の側面につけられる金属化であって、前記陽極及び前記金属化の間にギャップがある、金属化を含む、検出器アレイと、
    前記検査領域を示すボリュメトリック画像データを生成するため、前記信号を再構成する再構成器とを有する、撮像システム。
  2. 少なくとも2つのボンディングパッドを持つ基板であって、前記ボンディングパッドが、前記少なくとも2つのサブ陽極のそれぞれに対応する、基板を更に有し、前記少なくとも2つのボンディングパッドの各々が、前記少なくとも2つのサブ陽極の異なる1つに物理的及び電気的に結合される、請求項1の撮像システム。
  3. 処理電子部品と、
    前記少なくとも2つのボンディングパッドの単一の1つだけを前記処理電子部品に代替的に電気的に結合するよう構成されるスイッチング電子部品とを更に有する、請求項2の撮像システム。
  4. 前記ボンディングパッドに物理的及び電気的に結合される前記サブ陽極が、所定の陽極電位に維持される、請求項3の撮像システム。
  5. 前記他のサブ陽極が、浮動的な電位に保たれる、請求項4の撮像システム。
  6. 前記ギャップが、パシベーション層を含む、請求項1乃至5のいずれかに記載の撮像システム。
  7. 前記中央に位置する領域が、直径約100から300ミクロンである、請求項1乃至6のいずれかに記載の撮像システム。
  8. サブ陽極が、直径約25から125ミクロンである、請求項1乃至7のいずれかに記載の撮像システム。
  9. 陽極及び金属化の間の前記ギャップが、少なくとも、約10ミクロンから約40ミクロンの範囲にある、請求項1乃至8のいずれかに記載の撮像システム。
  10. 検出器のピクセル中央間の距離が、約200ミクロンから約1.5ミリメートルの範囲にある、請求項1乃至9のいずれかに記載の撮像システム。
  11. 検出器ピクセル長が、約200ミクロンから約1.5ミリメートルの範囲にある、請求項1乃至10のいずれかに記載の撮像システム。
  12. 前記少なくとも2つのサブ陽極が、3つのサブ陽極である、請求項1乃至11のいずれかに記載の撮像システム。
  13. 少なくとも1つのサブパッドと少なくとも1つの対応するボンディングパッドとの間の電気接続を持つことに対応するボンディング収率が、約90から100パーセントの範囲にある、請求項1乃至12のいずれかに記載の撮像システム。
  14. 前記直接変換層が、カドミウムテルル化物又はカドミウム亜鉛テルル化物の少なくとも1つを含む直接変換層を含む、請求項1乃至13のいずれかに記載の撮像システム。
  15. 光子計数検出器ピクセルを用いて検査領域を横断する放射線を検出するステップを有し、前記光子計数検出器ピクセルが、金属化により集合的に囲まれる、少なくとも2つの物理的及び電気的に分離したサブ陽極を持つ陽極を含み、前記少なくとも2つのサブ陽極が、基板の対応するサブボンディングパッドに結合され、電気スイッチは、前記基板の処理電子部品と前記少なくとも2つのサブボンディングパッドの単一の1つだけとを電気的に接続する、方法。
  16. 前記少なくとも2つのボンディングパッドの単一の1つに結合される前記サブ陽極を所定の陽極電位維持するステップを更に有する、請求項15に記載の方法。
  17. 前記処理電子部品に電気的に接続されないボンディングパッドに結合される前記サブ陽極を浮動的な電位維持するステップを更に有する、請求項15又は16に記載の方法。
  18. サブ陽極と対応するサブボンディングパッドとの間の相互接続が、前記サブ陽極と前記サブボンディングパッドとの間の電気経路を提供することを決定するステップと、
    これに応じて、前記処理電子部品と電気通信可能な前記少なくとも2つのサブボンディングパッドの単一の1つとして前記対応するサブボンディングパッドを選択するステップとを更に有する、請求項15乃至17のいずれかに記載の方法。
  19. サブ陽極と対応するサブボンディングパッドとの間の結合が、前記サブ陽極と前記サブボンディングパッドとの間の電気経路を提供しないことを決定するステップと、
    これに応じて、前記処理電子部品から前記サブボンディングパッドを非接続状態にするステップとを更に有する、請求項15乃至17のいずれかに記載の方法。
  20. 検出器アレイであって、
    処理電子部品と、
    駆動電極により集合的に囲まれる少なくとも2つの分離したサブ陽極を持つ陽極を含む少なくとも1つの光子計数検出器ピクセルとを有し、
    前記少なくとも2つのサブ陽極の単一の1つだけが、前記処理電子部品と電気通信可能である、検出器アレイ。
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