RU2578252C2 - Пиксель детектора со счетом фотонов, который имеет анод, содержащий два или более поочередно выбираемых и раздельных под-анода - Google Patents
Пиксель детектора со счетом фотонов, который имеет анод, содержащий два или более поочередно выбираемых и раздельных под-анода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2578252C2 RU2578252C2 RU2013138461/28A RU2013138461A RU2578252C2 RU 2578252 C2 RU2578252 C2 RU 2578252C2 RU 2013138461/28 A RU2013138461/28 A RU 2013138461/28A RU 2013138461 A RU2013138461 A RU 2013138461A RU 2578252 C2 RU2578252 C2 RU 2578252C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sub
- anode
- anodes
- imaging system
- pad
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 238000012800 visualization Methods 0.000 claims description 5
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007794 visualization technique Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001417495 Serranidae Species 0.000 description 2
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
- A61B6/4233—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector using matrix detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/56—Switching-on; Switching-off
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
Abstract
Изобретение относится к системе визуализации и более конкретно к детектору со счетом фотонов с разрешением по энергии. Система визуализации содержит источник излучения, испускающий излучение, проходящее через область исследования, и детекторную матрицу с множеством пикселей детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение. Пиксель детектора со счетом фотонов содержит слой прямого преобразования, который имеет первую принимающую излучение сторону и вторую противоположную сторону, катод, прикрепленный к и покрывающий всю или значительную часть первой стороны, анод, прикрепленный к центрально расположенной области второй стороны, причем анод содержит по меньшей мере два под-анода, и металлизацию, прикрепленную ко второй стороне, окружающую анод и область анода, с зазором между анодом и металлизацией. Система также содержит реконструктор, который реконструирует сигнал для того, чтобы генерировать данные объемного изображения, показывающие область исследования. Технический результат - повышение выхода соединений пайкой для пикселя детектора. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Следующее в целом относится к системе визуализации и более конкретно к детектору со счетом фотонов с разрешением по энергии, который имеет пиксель детектора с двумя или более поочередно выбираемыми и раздельными под-анодами и описан применительно к сканеру компьютерной томографии (CT). Однако следующее также пригодно для других методов визуализации, таких как рентгеновские и/или другие методы визуализации, в которых можно использовать детектор с разрешением по энергии.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Сканер спектральной компьютерной томографии (CT) содержит поворотную часть, поворотно поддерживаемую стационарной частью. Поворотная часть поддерживает рентгеновскую трубку, которая испускает полиэнергетическое излучение (рентгеновские фотоны), которые проходят через область исследования и объект или субъект в ней, и детекторную матрицу с одним или несколькими рядами детекторов с разрешением по энергии, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и генерируют электрические сигналы, показывающие детектированное излучение.
Электрические сигналы усиливают и обрабатывают посредством формирователя импульсов для того, чтобы генерировать импульсы, имеющие пиковые амплитуды, указывающие на энергию детектируемых фотонов. Устройство распознавания сравнивает амплитуды импульсов напряжения с двумя или более порогами, которые задают в соответствии с различными энергетическими уровнями, и создает сигнал, для порога, в ответ на амплитуду импульса, превышающую порог. Для каждого порога, счетчик считает созданные сигналы, и группировщик по энергии группирует счеты в группы, соответствующие различным энергетическим диапазонам. В реконструкторе используют алгоритм спектральной реконструкции для того, чтобы реконструировать детектированное излучение, основываясь на сгруппированных данных.
Подходящий детектор со счетом фотонов с разрешением по энергии включает детектор прямого преобразования с использованием теллурида кадмия (CdTe), теллурида кадмия цинка (CdZnTe или CZT) или других материалов прямого преобразования. Детектор прямого преобразования в целом состоит из блока полупроводникового материала, расположенного между двумя электродами, катодом и анодом, на которые подают напряжение. Излучение падает на сторону катода, и рентгеновские фотоны переносят энергию на электроны, которые создают множество пар электрон-дырка, причем электроны дрейфуют в направлении пикселей анода на сторону анода.
Такой детектор может содержать металлизацию, которая окружает каждый пиксельный анод; металлизацию обозначают как управляющий или направляющий электрод. В целом, на направляющем электроде сохраняют отрицательный электрический потенциал, по отношению к пиксельному аноду, но не более отрицательный, чем электрический потенциал катода. Результатом этого является электрическое поле, которое направляет дрейфующие электроны к пиксельному аноду. Анод, в ответ на попадание электронов, создает электрический сигнал, указывающий на них, который передают на интегральную схему (ИС).
Анод для каждого пикселя физически и электрически соединен пайкой с комплементарной контактной площадкой на ИС, которая содержит обрабатывающую электронику, которая направляет сигнал от детектора, например, к реконструктору. После соединения пайкой ИС с материалом прямого преобразования тестируют межсоединение анода и ИС. Это можно выполнять посредством облучения материала прямого преобразования и измерения выходного сигнала детектора или подачи напряжения на материал прямого преобразования и площадками на ИС. В последнем случае измерение тока утечки будет указывать на хорошее межсоединение, тогда как измерение нулевого тока будет указывать на плохое межсоединение.
При использовании детекторов прямого преобразования со счетом фотонов с шагом пикселя детектора (расстояние от центра пикселя до центра пикселя) в один миллиметр (1,0 мм) или менее и диаметром анода в диапазоне от пятидесяти микрометров (50 мкм) до ста микрометров (100 мкм) выход через соединение пайкой для соединений пайкой между пиксельными анодами и соответствующими контактными площадками на ИС, с использованием столбиковых выводов или низкотемпературного припоя, составляет меньше чем сто процентов (100%), например между шестидесятью и восьмидесятью процентами (60%-80%). Детекторы с таким выходом соединений пайкой в целом или перерабатывают или отбраковывают, что может увеличивать полную стоимость на один детектор и требовать времени.
Один возможный подход для увеличения выхода соединений пайкой в целом состоит в использовании множества межсоединений для одной и той же пары пиксельный анод детектора/контактная площадка. К сожалению, детекторы прямого преобразования со счетом фотонов с направляющими электродами и с пиксельными анодами детектора, которые имеют диаметры в диапазоне от пятидесяти микрометров (50 мкм) до ста микрометров (100 мкм), не очень хорошо подходят для множества соединений пайкой с одним и тем же пиксельным анодом детектора в связи с пространственными ограничениями. Следовательно, существует неразрешенная потребность в других подходах для увеличения выхода соединений пайкой.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Аспекты настоящей заявки направлены на указанные выше и другие вопросы.
Согласно одному из аспектов, система визуализации содержит источник излучения, который испускает излучение, которое проходит через область исследования и детекторную матрицу с множеством пикселей детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение. Пиксель детектора со счетом фотонов содержит слой прямого преобразования, который имеет первую принимающую излучение сторону и вторую противоположную сторону, катод, прикрепленный к и закрывающий всю или значительную часть первой стороны, анод, прикрепленный к центрально расположенной области второй стороны, где анод содержит по меньшей мере два под-анода, и металлизацию, прикрепленную ко второй стороне, которая окружает анод, с зазором между анодом и металлизацией. Система дополнительно содержит реконструктор, который реконструирует сигнал для того, чтобы генерировать данные объемного изображения, указывающие на область исследования.
По другому аспекту, способ включает детектирование излучения, проходящего через область исследования, с использованием пикселя детектора со счетом фотонов, где пиксель детектора со счетом фотонов содержит анод, имеющий по меньшей мере два физически и электрически раздельных под-анода, совместно окруженных металлизацией, где по меньшей мере два под-анода связаны с соответствующими контактными под-площадками на подложке, и электрический переключатель электрически соединяет только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных под-площадок с обрабатывающей электроникой подложки.
По другому аспекту, детекторная матрица содержит обрабатывающую электронику и по меньшей мере один пиксель детектора со счетом фотонов, содержащий анод, который имеет по меньшей мере два раздельных под-анода, совместно окруженных направляющим электродом, где только один отдельный из по меньшей мере двух под-анодов находится в электрической связи с обрабатывающей электроникой.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Изобретение может принимать форму различных компонентов и компоновок компонентов и различных этапов и порядков этапов. Рисунки служат только целям иллюстрирования предпочтительных вариантов осуществления и их не следует толковать в качестве ограничения изобретения.
На фиг. 1 схематично проиллюстрирована система визуализации, содержащая пиксель детектора со счетом фотонов, который имеет по меньшей мере два под-анода, из которых используют только один отдельный из под-анодов.
На фиг. 2 схематично проиллюстрирован вид в поперечном разрезе сбоку примера пикселя детектора со счетом фотонов.
На фиг. 3 схематично проиллюстрирован вид в поперечном разрезе пикселя детектора со счетом фотонов вдоль A-A на фиг. 2, на котором показаны под-аноды.
На фиг. 4 схематически проиллюстрирован вид в поперечном разрезе пикселя детектора со счетом фотонов вдоль B-B на фиг. 2, на котором показаны контактные под-площадки.
На фиг. 5 проиллюстрирован способ выбора пары под-анод/контактная под-площадка пикселя детектора.
На фиг. 6 проиллюстрирован способ детектирования излучения применительно к системе визуализации.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
На фиг. 1 схематично проиллюстрирована система визуализации, такая как сканер 100 компьютерной томографии (CT). Сканер 100 содержит стационарный портал 102 и поворотный портал 104, который поворотно поддерживается посредством стационарного портала 102. Поворотный портал 104 вращается вокруг области исследования 106 вокруг продольной оси или оси z 108 один или несколько раз в течение одного или нескольких циклов регистрации данных. Опора 110 пациента, такая как кушетка, поддерживает объект или субъекта, такого как пациент, животное или человек, в области 106 исследования.
Источник 112 излучения, такой как рентгеновская трубка, поддерживается посредством и вращается с поворотным порталом 104 вокруг области 106 исследования. Источник 112 излучения испускает полиэнергетическое излучение (рентгеновские фотоны), которые коллимируют посредством коллиматора источника, чтобы получать в целом веерообразный, клиновидный или конический пучок излучения, который проходит через область 106 исследования. Чувствительная к излучению детекторная матрица 114 содержит одно- или двухмерный массив пикселей детектора, которые соответствующим образом детектируют излучение, которое проходит через область 106 исследования, и генерируют электрические сигналы (например, ток или напряжение), показывающие детектированное излучение.
Проиллюстрированная детекторная матрица 114 содержит матрицу детектора со счетом фотонов с разрешением по энергии, поперечное сечение части которой для одного пикселя детектора показано в 116 и содержит катод 118, анод 120, и материал или слой 122 прямого преобразования (например, теллурид кадмия (CdTe), теллурид кадмия цинка (CdZnTe или CZT) и т.д., расположенный между ними. Металлизация или направляющий электрод 124 прикреплен к материалу или слою 122 прямого преобразования, окружающему анод 120 и отделенному от него посредством зазора 126. Подложка 128 содержит электронику 132, такую как интегральная схема (ИС), специализированная интегральная схема (ASIC) или тому подобное, и контактную площадку 130 для электрического соединения анода 120 и электроники 132.
Как описано более подробно ниже, анод 120 содержит множество наборов под-анодов, каждый набор соответствует отдельному пикселю детектора и содержит больше чем два физически и электрически раздельных под-анода, совместно окруженных металлизацией 124 направляющего электрода, и подложка 128 содержит множество комплементарных наборов контактных под-площадок, каждый набор соответствует отдельному пикселю детектора и содержит контактные под-площадки, комплементарные под-анодам для этого пикселя. Комплементарные пары под-анод/под-площадка физически и электрически соединены через соединение столбиковым выводом, низкотемпературным припоем и/или через другие подходы к соединению пайкой, и электроника 132 выполнена с возможностью избирательно электрически соединять и разъединять контактные под-площадки с обрабатывающей и/или считывающей электроникой подложки 128, и только соединяет одну отдельную из контактных под-площадок пикселя детектора, в какое-либо заданное время, с электроникой.
В одном случае, включающем множество под-анодов в каждом наборе анодов для каждого пикселя детектора и множество соответствующих контактных под-площадок на подложке 128, предусмотрены избыточные пары под-анод/площадка для каждого пикселя детектора. По существу, если после соединения пайкой под-анодов с контактными под-площадками, одно или несколько, но не все эти межсоединения, выключают, чтобы они были неиспользуемыми (например, отсутствие подходящего электрического соединения), подложку 128 можно конфигурировать для того, чтобы выбирать пару под-анод/площадка с пригодным к использованию межсоединением (например, имеющем подходящее электрическое соединение). Это может облегчать повышение выхода соединений пайкой для пикселя детектора, например, вплоть до ста процентов (100%), например, до девяноста процентов (90%) или выше, относительно конфигурации, в которой детекторная матрица 114 содержит детекторы прямого преобразования только с одним анодом (т. е., без под-анодов) для каждого пикселя детектора.
Необязательный предусилитель 134 усиливает каждый электрический сигнал, выходящий из детекторной матрицы 114.
Формирователь импульсов 136 обрабатывает усиленный электрический сигнал для детектируемого фотона и генерирует соответствующий аналоговый сигнал, который содержит импульс, такой как напряжение или другой импульс, указывающий на детектируемый фотон. В этом примере импульс имеет пиковую амплитуду, которая указывает на энергию детектируемого фотона.
Устройство 138 распознавания по энергии распознает импульсы по энергии. В этом примере устройство 138 распознавания по энергии содержит множество блоков сравнения, которые соответствующим образом сравнивают амплитуду импульсов с порогом, который соответствует конкретному энергетическому уровню. Каждый блок сравнения создает выходной сигнал, такой как сильный или слабый сигнал, который отражает, превышает ли амплитуда импульса ее порог.
Счетчик 140 считает выходные сигналы соответствующим образом для каждого порога. Счетчик 140 может содержать один счетчик или отдельные подсчетчики для каждого порога.
Группировщик 142 по энергии группирует по энергии счеты в энергетические диапазоны или группирует в соответствующие диапазоны между порогами энергии. Сгруппированные данные используют для разрешения детектируемых фотонов по энергии.
Реконструктор 144 избирательно реконструирует детектированное излучение, основываясь на спектральных характеристиках детектируемых фотонов. Например, сгруппированные данные можно использовать, чтобы в целом выделять различные типы органических материалов, которые имеют различные характеристики поглощения фотонов, таких как кость, органическая ткань, жир и/или тому подобное, определять местоположения материалов для контрастирования и/или иным образом обрабатывать детектируемые сигналы, основываясь на спектральных характеристиках.
Вычислительная система общего назначения выполняет функцию консоли 146 оператора и содержит устройство вывода, такое как дисплей, и устройство ввода, такое как клавиатура, мышь и/или тому подобное. Программное обеспечение, расположенное на консоли 146, позволяет оператору управлять работой системы 100, например позволяет оператору выбирать протокол спектральной визуализации, инициировать сканирование и т.д.
На фиг. 2 схематично проиллюстрирована подчасть 116. Следует отметить, что детекторная матрица 114 содержит одно- или двухмерный массив таких частей 116.
Катод 118 располагают на первой принимающей излучение стороне 202 материала или слоя 122 прямого преобразования, которая обращена в направлении входящего излучения 204 и идет по всей или по существу по всей стороне 202. Источник напряжения катода (не показан) применяют к катоду 118 и он смещает катод 118 при отрицательном потенциале относительно анода 120.
Анод 120 содержит под-аноды 1201, 1202,..., 120N, где N представляет собой целое число, которое больше или равно двум (2), расположен на второй противоположной стороне 206 материала или слоя 122 прямого преобразования. В проиллюстрированном варианте осуществления, анод 120 расположен приблизительно в центре или центрально расположен по отношению к области 208 анода пикселя 116 детектора. Источник напряжения анода применяют к аноду 120 и он смещает анод при потенциале, более положительном, чем потенциал катода 118.
Направляющий электрод 124 располагают на второй стороне 206 материала или слоя 122 прямого преобразования в качестве проводящего слоя, окружающего анод 120, покрывающего подчасть стороны 206 за пределами области, покрытой анодом 120 и отделенной от под-анодов по меньшей мере посредством зазора 126. Источник напряжения направляющего электрода (не показано) смещает направляющий электрод 124 при положительном потенциале относительно катода 118 и отрицательном потенциале относительно анода 120.
На фиг. 3 схематично проиллюстрирован вид в поперечном разрезе пикселя 116 детектора вдоль линии A-A на фиг. 2, показывающей пример расположения анода 120 в связи с направляющим электродом 124. На фиг. 3, три под-анода показаны в пояснительных целях. Однако следует принимать во внимание, что в другом варианте осуществления N равно двум или более чем трем.
В проиллюстрированном варианте осуществления шаг 302 представляет расстояние от центра пикселя детектора до центра пикселя детектора и находится в диапазоне от приблизительно двухсот микрометров (200 мкм) до приблизительно полутора миллиметров (1,5 мм), например, от приблизительно трехсот микрометров (300 мкм) до приблизительно одного миллиметра (1,0 мм). В целом, длина 304 пикселя детектора равна шагу или немного больше, чем шаг 302, за счет какого-либо промежутка между пикселями. Проиллюстрированный пиксель 116 является квадратным. Однако, следует принимать во внимание, что подходящие формы пикселей также являются прямоугольными, эллиптическими, круглыми, шестиугольными и/или имеют другую форму.
Диаметр 306 области 208 анода находится в диапазоне от приблизительно ста микрометров (100 мкм) до приблизительно трехсот микрометров (300 мкм), например, составляет приблизительно двести микрометров (200 мкм). Диаметр 308 под-анода 1201, 1202,..., 120N находится в диапазоне от приблизительно двадцати пяти микрометров (25 мкм) до приблизительно ста пятидесяти микрометров (150 мкм), например, от приблизительно пятидесяти микрометров (50 мкм) до приблизительно ста микрометров (100 мкм).
Самое короткое расстояние 310 зазора 126 между под-анодами 1201, 1202,..., 120N и направляющим электродом 124 находится в диапазоне от приблизительно десяти микрометров (10 мкм) до приблизительно сорока микрометров (40 мкм), например, от приблизительно двадцати микрометров (20 мкм) до приблизительно тридцати микрометров (30 мкм). В целом, расстояние 310 может соответствовать расстоянию, на котором не происходит превышение предварительно определяемого тока утечки. Пассивационный материал может быть расположен между под-анодами 1201, 1202, 120N и направляющим электродом 124.
В проиллюстрированном варианте осуществления, под-аноды 1201, 1202,..., 120N и область 208 анода имеют круглую форму. Такая форма хорошо подходит для оптимизации направляющего влияния электрического поля, создаваемого направляющим электродом 124, по отношению к форме, которая имеет углы. Однако, в настоящем документе предусмотрены другие формы, такие как эллиптическая, шестиугольная, прямоугольная, квадратная и/или другие формы.
Возвращаясь к фиг. 2, контактная площадка 130 расположена ниже по меньшей мере подчасти анода 120 и содержит под-площадки анодов 1301, 1302, 130N, один соответствует каждому из под-анодов 1201, 1202,..., 120N. Переключающая электроника 132 электрически связывает контактные площадки 130, через дорожку 212, с другой электроникой 210, которую несет подложка 128. Как рассмотрено в настоящем документе, переключающая электроника 132 выполнена с возможностью избирательно электрически связывать только одну из под-площадок 1301, 1302,..., 130N с другой электроникой 210, в какое-либо заданное время.
После соединения пайкой подложки 128 с направляющим электродом 124, прикрепленным к материалу или слою 122 прямого преобразования, тестовое облучение или напряжение можно подавать на каждый пиксель детектора для того, чтобы определять, какая под-площадка 130 должна быть электрически соединена с другой электроникой 210. Для этого каждый переключатель электроники 132 отдельно замыкают с тем, чтобы только одну из под-площадок 130 соединить с другой электроникой 210, и затем пиксель 116 детектора тестируют на этой под-площадке 130. Под-площадки 1301, 1302,..., 130N, не соединенные со считывающей электроникой 210, удерживают при плавающем потенциале.
На фиг. 4 схематично проиллюстрирован вид в поперечном разрезе пикселя 116 детектора вдоль линии B-B на фиг. 2, показывающий пример расположения контактной площадки 130 в соединении с анодом 120 и направляющим электродом 122.
Как показано, аноды 1301, 1302,..., 130N под-площадок выровнены с и физически и электрически связаны с под-анодами 1201, 1202,..., 120N. Отдельные дорожки 402 соответствующим образом электрически связывают под-площадки 1301, 1302, 130N с соответствующими отдельными переключателями переключающей электроники 132, которые индивидуально электрически соединяют и разъединяют под-площадки 1301, 1302,..., 130N с обрабатывающей электроникой 210.
На фиг. 5 проиллюстрирован образцовый способ выбора только одного под-анода из множества доступных под-анодов пикселя счетного детектора и электрического соединения только одного под-анода с обрабатывающей электроникой пикселя счетного детектора.
Следует принимать во внимание, что порядок действий в способах, описанных в настоящем документе, не является ограничивающим. По существу, другие порядки предусмотрены в настоящем документе. Вдобавок, одно или несколько действий может быть опущено и/или одно или несколько дополнительных действий может быть включено.
На 502 переключающую электронику 132 конфигурируют с тем, чтобы только одна из множества контактных под-площадок 1301, 1302, 130N находилась в электрической связи с обрабатывающей электроникой 210.
На 504 тестовый сигнал (например, излучение, напряжение и т.д.) подают на пиксель детектора со счетом фотонов 116.
На 506 детектируют выходной сигнал обрабатывающей электроники 210. В целом, обрабатывающая электроника 210 для пикселя 116 детектора генерирует выходной сигнал в ответ на электрическое соединение между контактной под-площадкой 1301, 1302,..., 130N и под-анодом 1201, 1202, 120N, соединенным пайкой с контактной под-площадкой 1301, 1302, 130N.
На 508 действия 502-506 повторяют для других контактных под-площадок 1301, 1302,..., 130N.
На 510 переключающую электронику 132 конфигурируют так, что одна контактная под-площадка 1301, 1302, 130N в электрической связи с обрабатывающей электроникой 210 представляет собой контактную под-площадку 1301, 1302,..., 130N в электрической связи с соответствующим под-анодом 1201, 1202,..., 120N.
На фиг. 6 проиллюстрирован образцовый способ использования пикселя счетного детектора, в котором только один под-анод из множества доступных под-анодов пикселя счетного детектора электрически соединяют с обрабатывающей электроникой пикселя счетного детектора.
Следует принимать во внимание, порядок действий в способах, описанных в настоящем документе, не является ограничивающим. По существу, в настоящем документе предусмотрены другие порядки. Вдобавок, одно или несколько действий могут быть опущены и/или одно или несколько дополнительных действий могут быть включены.
На 602 излучение, проходящее через область исследования, детектируют с использованием пикселя детектора со счетом фотонов, который имеет анод по меньшей мере с двумя раздельными под-анодами, совместно окруженными металлизацией, где по меньшей мере два раздельных под-анода соответствующим образом физически и электрически соединены с соответствующими контактными под-площадками интегральной схемы, и только одна отдельная из по меньшей мере двух контактных под-площадок находится в электрической связи с интегральной схемой.
На 604 детектированное излучение реконструируют для того, чтобы генерировать данные объемного изображения.
Изобретение описано в настоящем документе со ссылкой на различные варианты осуществления. Модификации и изменения могут быть выполнены на основе изучения настоящего описания. Подразумевается, что изобретение следует толковать как включающее все такие модификации и изменения в такой мере, в какой они входят в объем приложенной формулы изобретения или ее эквивалентов.
Claims (15)
1. Система (100) визуализации, которая содержит:
источник (112) излучения, который испускает излучение, которое проходит через область исследования;
детекторную матрицу (114) с множеством пикселей (116) детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит:
слой (122) прямого преобразования, который имеет первую принимающую излучение сторону (202) и вторую противоположную сторону (206);
катод (118), прикрепленный к и покрывающий всю или значительную часть первой стороны;
анод (120), прикрепленный к центрально расположенной области (208) второй стороны, причем анод содержит по меньшей мере два под-анода (1201, 1202, 120N); и
металлизацию (124), прикрепленную ко второй стороне, окружающую анод и область анода, с зазором между анодом и металлизацией; и
подложку (128), которая имеет по меньшей мере две контактные площадки (130), по одной для каждого из по меньшей мере двух под-анодов, причем каждая из по меньшей мере двух контактных площадок физически и электрически соединена с одним отличающимся из по меньшей мере двух под-анодов;
обрабатывающую электронику (210); и
переключающую электронику (132), сконфигурированную для того, чтобы поочередно электрически связывать только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных площадок с обрабатывающей электроникой; и
реконструктор (144), который реконструирует сигнал для того, чтобы генерировать данные объемного изображения, показывающие область исследования.
источник (112) излучения, который испускает излучение, которое проходит через область исследования;
детекторную матрицу (114) с множеством пикселей (116) детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит:
слой (122) прямого преобразования, который имеет первую принимающую излучение сторону (202) и вторую противоположную сторону (206);
катод (118), прикрепленный к и покрывающий всю или значительную часть первой стороны;
анод (120), прикрепленный к центрально расположенной области (208) второй стороны, причем анод содержит по меньшей мере два под-анода (1201, 1202, 120N); и
металлизацию (124), прикрепленную ко второй стороне, окружающую анод и область анода, с зазором между анодом и металлизацией; и
подложку (128), которая имеет по меньшей мере две контактные площадки (130), по одной для каждого из по меньшей мере двух под-анодов, причем каждая из по меньшей мере двух контактных площадок физически и электрически соединена с одним отличающимся из по меньшей мере двух под-анодов;
обрабатывающую электронику (210); и
переключающую электронику (132), сконфигурированную для того, чтобы поочередно электрически связывать только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных площадок с обрабатывающей электроникой; и
реконструктор (144), который реконструирует сигнал для того, чтобы генерировать данные объемного изображения, показывающие область исследования.
2. Система визуализации по п. 1, в которой на под-аноде, физически и электрически связанном с контактной площадкой, поддерживают предварительно определяемый электрический потенциал анода.
3. Система визуализации по п. 2, в которой на других под-анодах поддерживают плавающий электрический потенциал.
4. Система визуализации по любому из пп. 1-3, в которой зазор содержит пассивирующий слой.
5. Система визуализации по п. 1, в которой центрально расположенная область имеет диаметр от приблизительно ста до трехсот микрометров.
6. Система визуализации по п. 1, в которой под-анод имеет диаметр от приблизительно двадцати пяти до ста двадцати пяти микрометров.
7. Система визуализации по п. 1, в которой зазор между анодом и металлизацией находится по меньшей мере в диапазоне от приблизительно десяти микрометров до приблизительно сорока микрометров.
8. Система визуализации по п. 1, в которой расстояние от центра до центра между пикселями детектора находится в диапазоне от приблизительно двухсот микрометров до приблизительно полутора миллиметров.
9. Система визуализации по п. 1, в которой длина пикселя детектора находится в диапазоне от приблизительно двухсот микрометров до приблизительно полутора миллиметров.
10. Система визуализации по п. 1, в которой по меньшей мере два под-анода представляют собой три под-анода.
11. Система визуализации по п. 1, в которой выход через соединение пайкой, соответствующий наличию электрического соединения между по меньшей мере одной под-площадкой и по меньшей мере одной соответствующей контактной площадкой, находится в диапазоне от приблизительно девяноста до ста процентов.
12. Система визуализации по п. 1, в которой слой прямого преобразования содержит слой прямого преобразования, содержащий по меньшей мере одно из теллурида кадмия или теллурида кадмия цинка.
13. Способ визуализации, содержащий
детектирование излучения, проходящего через область исследования, с использованием пикселя (116) детектора со счетом фотонов, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит анод, имеющий по меньшей мере два физически и электрически раздельных под-анода, совместно окруженных металлизацией, при этом по меньшей мере два под-анода связаны с соответствующими контактными под-площадками подложки, и электрический переключатель электрически соединяет только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных под-площадок с обрабатывающей электроникой подложки.
детектирование излучения, проходящего через область исследования, с использованием пикселя (116) детектора со счетом фотонов, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит анод, имеющий по меньшей мере два физически и электрически раздельных под-анода, совместно окруженных металлизацией, при этом по меньшей мере два под-анода связаны с соответствующими контактными под-площадками подложки, и электрический переключатель электрически соединяет только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных под-площадок с обрабатывающей электроникой подложки.
14. Способ по п. 13, дополнительно содержащий
поддержание предварительно определяемого электрического потенциала анода на под-аноде, связанном с упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных площадок.
поддержание предварительно определяемого электрического потенциала анода на под-аноде, связанном с упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных площадок.
15. Способ по п. 13 или 14, дополнительно содержащий:
поддержание плавающего электрического потенциала на под-аноде, связанном с контактной площадкой, электрически не соединенной с обрабатывающей электроникой; и по меньшей мере одно из:
определения того, что межсоединение между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой, и, в ответ, выбора соответствующей контактной под-площадки в качестве упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных под-площадок в электрической связи с обрабатывающей электроникой, или
определения того, что контакт между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой не обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой, и, в ответ, отсоединения контактной под-площадки от обрабатывающей электроники.
поддержание плавающего электрического потенциала на под-аноде, связанном с контактной площадкой, электрически не соединенной с обрабатывающей электроникой; и по меньшей мере одно из:
определения того, что межсоединение между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой, и, в ответ, выбора соответствующей контактной под-площадки в качестве упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных под-площадок в электрической связи с обрабатывающей электроникой, или
определения того, что контакт между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой не обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой, и, в ответ, отсоединения контактной под-площадки от обрабатывающей электроники.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161433336P | 2011-01-17 | 2011-01-17 | |
| US61/433,336 | 2011-01-17 | ||
| PCT/IB2012/050105 WO2012098477A2 (en) | 2011-01-17 | 2012-01-10 | Photon counting detector pixel having an anode including two or more alternatively selectable and separate sub-anodes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013138461A RU2013138461A (ru) | 2015-02-27 |
| RU2578252C2 true RU2578252C2 (ru) | 2016-03-27 |
Family
ID=45540921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013138461/28A RU2578252C2 (ru) | 2011-01-17 | 2012-01-10 | Пиксель детектора со счетом фотонов, который имеет анод, содержащий два или более поочередно выбираемых и раздельных под-анода |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9318518B2 (ru) |
| EP (1) | EP2666035B1 (ru) |
| JP (1) | JP2014508567A (ru) |
| CN (1) | CN103329007B (ru) |
| RU (1) | RU2578252C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012098477A2 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104854475B (zh) * | 2012-12-14 | 2019-02-15 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有脉冲整形器的探测器 |
| JP6474350B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2019-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 二次元フォトンカウンティング素子 |
| US10117628B2 (en) * | 2014-10-01 | 2018-11-06 | Toshiba Medical Systems Corporation | Photon counting apparatus |
| WO2016066850A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | Koninklijke Philips N.V. | Sensor device and imaging system for detecting radiation signals |
| WO2017031740A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | X-ray imaging with a detector capable of resolving photon energy |
| EP3455648A1 (en) * | 2016-05-10 | 2019-03-20 | Carestream Health, Inc. | Flexible substrate chip-on flex repair |
| CN111107788B (zh) * | 2017-07-26 | 2023-12-19 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 具有空间扩展性x射线源的x射线成像系统 |
| US10324202B1 (en) * | 2018-01-02 | 2019-06-18 | General Electric Company | Systems and methods for collecting radiation detection |
| US11953452B2 (en) * | 2021-03-01 | 2024-04-09 | Redlen Technologies, Inc. | Ionizing radiation detector with reduced street width and improved count rate stability |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677539A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-14 | Digirad | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
| RU2339973C2 (ru) * | 2002-01-21 | 2008-11-27 | Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч | Обнаружение заряда или частицы |
| WO2010073189A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector with improved charge collection and minimized leakage currents |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461226A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-24 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Photon counting ultraviolet spatial image sensor with microchannel photomultiplying plates |
| CN2273016Y (zh) * | 1995-09-22 | 1998-01-21 | 清华大学 | Ｘ、γ辐射成象正比计数器阵列探测装置 |
| US6037595A (en) | 1995-10-13 | 2000-03-14 | Digirad Corporation | Radiation detector with shielding electrode |
| US6034373A (en) | 1997-12-11 | 2000-03-07 | Imrad Imaging Systems Ltd. | Semiconductor radiation detector with reduced surface effects |
| JP3900992B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2007-04-04 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器及び放射線検査装置 |
| US7170049B2 (en) | 2003-12-30 | 2007-01-30 | Dxray, Inc. | Pixelated cadmium zinc telluride based photon counting mode detector |
| US7916836B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-03-29 | General Electric Company | Method and apparatus for flexibly binning energy discriminating data |
| US20100252744A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector with a plurality of electrode systems |
| US9000385B2 (en) * | 2009-12-30 | 2015-04-07 | General Electric Company | Method and apparatus for acquiring radiation data |
-
2012
- 2012-01-10 WO PCT/IB2012/050105 patent/WO2012098477A2/en active Application Filing
- 2012-01-10 JP JP2013548914A patent/JP2014508567A/ja not_active Ceased
- 2012-01-10 US US13/979,707 patent/US9318518B2/en active Active
- 2012-01-10 RU RU2013138461/28A patent/RU2578252C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-01-10 CN CN201280005817.7A patent/CN103329007B/zh active Active
- 2012-01-10 EP EP12701380.3A patent/EP2666035B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677539A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-14 | Digirad | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
| RU2339973C2 (ru) * | 2002-01-21 | 2008-11-27 | Юропиэн Организэйшн Фор Нуклеа Ресеч | Обнаружение заряда или частицы |
| WO2010073189A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector with improved charge collection and minimized leakage currents |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2666035B1 (en) | 2015-10-21 |
| US20130287172A1 (en) | 2013-10-31 |
| JP2014508567A (ja) | 2014-04-10 |
| WO2012098477A3 (en) | 2012-11-15 |
| CN103329007A (zh) | 2013-09-25 |
| US9318518B2 (en) | 2016-04-19 |
| WO2012098477A2 (en) | 2012-07-26 |
| RU2013138461A (ru) | 2015-02-27 |
| CN103329007B (zh) | 2015-11-25 |
| EP2666035A2 (en) | 2013-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2578252C2 (ru) | Пиксель детектора со счетом фотонов, который имеет анод, содержащий два или более поочередно выбираемых и раздельных под-анода | |
| JP6335120B2 (ja) | 検出器アレイ及び光子を検出する方法 | |
| US8927937B2 (en) | Ionizing radiation detection | |
| US8389928B2 (en) | X-ray detector comprising a directly converting semiconductor layer and calibration method for such an X-ray detector | |
| JP5690044B2 (ja) | エネルギ識別データを自在にまとめる検出器及び、ｃｔイメージング・システム | |
| JP5215722B2 (ja) | オーバーレンジ論理制御を伴う光子計数ｘ線検出器 | |
| US7916831B2 (en) | X-ray detector and X-ray CT apparatus | |
| TW201708812A (zh) | 利用能夠分辨光子能量的檢測器的ｘ射線成像 | |
| JP2015204498A (ja) | 光検出器 | |
| CN108139494A (zh) | 用于直接转换x射线检测器的极化校正 | |
| JP2016131884A (ja) | Ｘ線ｃｔ装置、光子計数型検出装置及び二重積層光子計数型検出器 | |
| US11147522B2 (en) | Photon counting detector and x-ray computed tomography apparatus | |
| US11543543B2 (en) | Radiation detector and radiation diagnosis apparatus | |
| NL2009365C2 (en) | Anode-illuminated radiation detector. | |
| Doesburg et al. | Spectrum measurement using Medipix3 in charge summing mode | |
| JP2007093497A (ja) | 核医学診断装置及び核医学診断装置における放射線検出器の識別方法 | |
| JP2022013739A (ja) | Ｘ線ｃｔ装置及び方法 | |
| US11131780B2 (en) | Direct conversion radiation detection | |
| KR20150039272A (ko) | Ｘ선 검출기 및 ｘ선 검출기를 포함하는 ｃｔ 시스템 | |
| JP2023096273A (ja) | 直接変換型のｘ線検出器およびｘ線コンピュータ断層撮影装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180111 |