JP2014508567A5 - - Google Patents

Description

斯かる検出器は、各ピクセル陽極を囲むメタライゼーション部を含むことができる。このメタライゼーション部は、制御又は駆動電極と呼ばれる。一般に、駆動電極は、ピクセル陽極に対して負電位に保持されるが、陰極電位よりは負でない。これは、ピクセル陽極にドリフトする電子を誘導する電場を生じさせる。電子の受信に基づき、陽極は、電子を示す電気信号を生成する。これは、集積回路（ＩＣ）へと搬送される。

１つの側面によれば、撮像システムは、検査領域を横断する放射線を放出する放射線源と、上記検査領域を横断する放射線を検出し、上記検出された放射線を示す信号を生成する複数の光子計数検出器ピクセルを備える検出器アレイとを含む。この光子計数検出器ピクセルが、第１の放射線受信側面及び第２の対向する側面を持つ直接変換層と、上記第１の側面の全部又は実質的な部分に付けられ、及びこれを覆う陰極と、上記第２の側面の中央に位置する領域に付けられ、少なくとも２つのサブ陽極を含む陽極と、上記陽極を囲み、上記第２の側面につけられるメタライゼーション部とを含む。上記陽極及び上記メタライゼーション部の間にはギャップがある。このシステムは更に、上記検査領域を示すボリュメトリック画像データを生成するため、上記信号を再構成する再構成器を含む。

別の側面によれば、ある方法が、光子計数検出器ピクセルを用いて検査領域を横断する放射線を検出するステップを有し、上記光子計数検出器ピクセルが、メタライゼーション部により集合的に囲まれる、少なくとも２つの物理的及び電気的に分離したサブ陽極を持つ陽極を含み、上記少なくとも２つのサブ陽極が、基板の対応するサブボンディングパッドに結合され、電気スイッチは、上記基板の処理電子部品と上記少なくとも２つのサブボンディングパッドの単一の１つだけとを電気的に接続する。

図示された検出器アレイ１１４は、エネルギー分解光子計数検出器アレイと、陰極１１８と、陽極１２０と、これらの間に配置される直接変換物質又は層１２２（例えば、カドミウムテルル化物（ＣｄＴｅ）、カドミウム亜鉛テルル化物（ＣｄＺｎＴｅ又はＣＺＴ）等とを含む。単一の検出器ピクセルに対する、光子計数検出器アレイの部分の断面が符号１１６で示される。メタライゼーション部又は駆動電極１２４は、陽極１２０を囲む直接変換物質又は層１２２につけられ、ギャップ１２６によりそこから分離される。基板１２８は、例えば集積回路（ＩＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等の電子部品１３２と、陽極１２０及び電子部品１３２を電気的に結合するボンディングパッド１３０とを含む。

後述されるように、陽極１２０は、サブ陽極の複数のセットを含む。各セットは、異なる検出器ピクセルに対応し、駆動電極メタライゼーション部１２４により集合的に囲まれる物理的及び電気的に分離されたサブ陽極を２つ以上含む。基板１２８は、サブボンディングパッドの複数の補完的なセットを含む。各セットは、異なる検出器ピクセルに対応し、そのピクセルに関するサブ陽極に補完的なサブボンディングパッドを含む。補完的なサブ陽極／サブパッドペアは、バンプボンディング、低温はんだ及び／又は他のボンディング手法を介して物理的及び電気的に結合される。電子部品１３２は、基板１２８の処理及び／又は読み出し電子部品にサブボンディングパッドを選択的に電気的に接続する及び非接続にするよう構成され、任意医の所与の時間において、検出器ピクセルのサブボンディングパッドの１つだけを電子部品に接続するように構成される。

ステップ６０２において、検査領域を横断する放射線は、メタライゼーション部により集合的に囲まれる少なくとも２つの分離したサブ陽極を持つ陽極を持つ光子計数検出器ピクセルで検出される。この場合、少なくとも２つの分離したサブ陽極は、集積回路の対応するサブボンディングパッドにそれぞれ物理的及び電気的に結合され、少なくとも２つのサブボンディングパッドの単一の１つだけが集積回路と電気通信可能である。

Claims (12)

1. 撮像システムであって、
   検査領域を横断する放射線を放出する放射線源と、
   前記検査領域を横断する放射線を検出し、前記検出された放射線を示す信号を生成する複数の光子計数検出器ピクセルを備える検出器アレイであって、光子計数検出器ピクセルが、
   第１の放射線受信側面及び第２の対向する側面を持つ直接変換層、
   前記第１の側面の全部又は実質的な部分に付けられ、及びこれを覆う陰極、
   前記第２の側面の中央に位置する領域に付けられ、少なくとも２つのサブ陽極を含む陽極、
   前記陽極及び前記陽極領域を囲む、前記第２の側面につけられるメタライゼーション部であって、前記陽極及び前記メタライゼーション部の間にギャップがある、メタライゼーション部、
   少なくとも２つのボンディングパッドを持つ基板であって、前記ボンディングパッドが、前記少なくとも２つのサブ陽極のそれぞれに対応する、基板を更に有し、前記少なくとも２つのボンディングパッドの各々が、前記少なくとも２つのサブ陽極の異なる１つに物理的及び電気的に結合される、基板、
   処理電子部品、並びに
   前記少なくとも２つのボンディングパッドのうち１つのボンディングパッドのみを前記処理電子部品に選択的に電気的に結合するよう構成されるスイッチング電子部品を含む、検出器アレイと、
   前記検査領域を示すボリュメトリック画像データを生成するため、前記信号を再構成する再構成器とを有する、撮像システム。
2. 前記ボンディングパッドに物理的及び電気的に結合される前記サブ陽極が、所定の陽極電位に維持される、請求項１に記載の撮像システム。
3. 前記他のサブ陽極が、浮動的な電位に保たれる、請求項２に記載の撮像システム。
4. 前記ギャップが、パシベーション層を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像システム。
5. 前記中央に位置する領域が、直径約１００から３００ミクロンである、請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像システム。
6. サブ陽極が、直径約２５から１２５ミクロンである、請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像システム。
7. 陽極及びメタライゼーション部の間の前記ギャップが、少なくとも、約１０ミクロンから約４０ミクロンの範囲にある、請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像システム。
8. 検出器のピクセル中央間の距離が、約２００ミクロンから約１．５ミリメートルの範囲にある、請求項１乃至７のいずれかに記載の撮像システム。
9. 検出器ピクセル長が、約２００ミクロンから約１．５ミリメートルの範囲にある、請求項１乃至８のいずれかに記載の撮像システム。
10. 前記少なくとも２つのサブ陽極が、３つのサブ陽極である、請求項１乃至９のいずれかに記載の撮像システム。
11. 少なくとも１つのサブパッドと少なくとも１つの対応するボンディングパッドとの間の電気接続を持つことに対応するボンディング収率が、約９０から１００パーセントの範囲にある、請求項１乃至１０のいずれかに記載の撮像システム。
12. 前記直接変換層が、カドミウムテルル化物又はカドミウム亜鉛テルル化物の少なくとも１つを含む直接変換層を含む、請求項１乃至１１のいずれかに記載の撮像システム。