CN101911299B - X射线半导体成像器像素的电隔离 - Google Patents
X射线半导体成像器像素的电隔离 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101911299B CN101911299B CN200880123119.0A CN200880123119A CN101911299B CN 101911299 B CN101911299 B CN 101911299B CN 200880123119 A CN200880123119 A CN 200880123119A CN 101911299 B CN101911299 B CN 101911299B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- groove
- opening
- detector
- anodes
- negative electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 5
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 claims description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14659—Direct radiation imagers structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
为了减轻出现在半导体探测器中的电荷共享的影响，提供了一种改进的半导体探测器，其包括：布置用于形成至少一个开口的多个阳极，每个开口由多个阳极中的两个阳极形成；至少一个阴极；位于该多个阳极和该至少一个阴极之间的探测器单元；其中，该探测器单元包括至少一个沟槽，该至少一个沟槽中的每个具有第一开口，该第一开口与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准，至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极延伸。通过在探测器单元中形成沟槽，可以通过相应阳极而不是几个相邻阳极接收由单一光子产生的电荷云，这因此改进了半导体探测器的频谱分辨率和计数速率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体探测器，具体涉及医疗半导体探测器。
背景技术
EP1326278A2公开了一种图像传感器，其包括在像素接触焊盘(pad)上延伸到光电传感器层的钝化墙。该钝化墙位于像素接触焊盘之间并且垂直于像素接触焊盘所定义的平面延伸，以便隔离像素接触焊盘从而减少电串扰、即减少邻近像素接触焊盘之间的电流。在第一实施例中，钝化墙具有矩形横截面。在另一个实施例中，钝化墙具有梯形横截面。在两个实施例中，钝化墙垂直于像素接触焊盘所限定的平面延伸。
US 2007/0085117A1公开了一种光电探测器阵列，其包括半导体衬底，该半导体衬底具有彼此相对的第一和第二主表面，并且具有接近第一主表面的第一掺杂浓度的第一层以及接近第二主表面的第二掺杂浓度的第二层。光电探测器包括至少一个传导通孔以及接近第一主表面和该至少一个传导通孔的阳极/阴极区域。该至少一个通孔延伸到半导体衬底的第二主表面。通过第一介电材料将该至少一个传导通孔与半导体衬底隔离。该第一阳极/阴极层具有与第一电导率相反的第二电导率。该光电探测器还包括在第一主表面内形成的、并且通过半导体衬底的第一层至少延伸到半导体衬底的第二层的掺杂隔离区域。该隔离区域垂直于由阳极/阴极层所限定的平面延伸。
DE 3836835A1公开了一种包括非晶硅层和上部电极的光电二极管。在存在用于分离通道的沟槽位置处形成该非晶硅层和上部电极。提供粘合层起保护层作用，并且防止邻近光电二极管通过分离器短路。为了防止通道之间串扰，每个沟槽到达支撑构件，并且分离器的顶端也到达支撑构件。例如，沟槽和分离器垂直于由非晶硅层所限定的平面延伸。
WO 2004/021456A1公开了一种包括以矩阵形式布置的几个传感器元件的传感器芯片。通过玻璃板保持传感器元件。在波动层，传感器元件包含使用粘合层粘在玻璃板上的波动区域。该波动区域包含pin二极管的硅和掺杂区域。互连从用于二极管的连接延伸到在波动区域边缘处的焊盘。外部互连在焊盘和接触区域上的焊料小球之间产生导电连接。波动区域远离玻璃板的那侧具有使用粘合层粘在波动区域上的玻璃板区域。除了焊料小球之外，传感器元件包含另一个在接触区域上包括软焊料的焊料小球。对于传感器元件仅存在两种连接，例如，用于接地的连接和用于信号的连接。在两个传感器元件之间存在沟槽，其具有梯形横截面，并且垂直于由接触区域所限定的平面延伸。
US 5,619,033公开了一种包括薄膜场效应晶体管(TFT)的光电探测器设备。TFT包括在衬底上形成的金属门电极。金属包括难溶金属。在门电极和衬底上形成氮化硅的门介电层。在门介电层上形成氢化非晶硅层。在门电极之上的氢化非晶硅层上形成蚀刻阻挡。在氢化非晶硅层上并且部分在蚀刻阻挡层上形成n+层。在n+层上形成TiW金属层，并且在TiW层上形成铝层。TiW层作为防止铝层与n+层交互的阻挡层。在蚀刻阻挡左侧上的n+层、TiW金属层和铝层形成了TFT的源极，并且在蚀刻阻挡右侧上的n+层、TiW金属层和铝层形成了TFT的漏极。在具有通孔的TFT上形成硅氧氮化物层。在与漏极接触的硅氧氮化物层上形成n+掺杂层。在n+掺杂层上形成不掺杂非晶硅层。在不掺杂氢化非晶硅层上形成p+掺杂层，并且在p+掺杂层上形成传导层。在具有通孔的传导层上形成SiON层。在SiON上形成偏压接触，并且接触传导层。在传导层和偏压接触上形成钝化层。
WO 2007/031886A2公开了一种包括金属电极的探测器，该金属电极位于直接转换材料两侧上以形成阳极侧和阴极侧。通过氧化材料间隙分离阳极侧上的电极。间隙形成沟道，该沟道延长了电子为了从第一电极移动到邻近第二电极必须经过的路径IB。使用该沟道减少表面泄露。该沟道垂直于由两个邻近电极之间的开口所限定的平面延伸。
WO 98/47181公开了一种包括若干像素的TFA传感器。每个像素包括若干探测层，其中，通过隔离层分离邻近像素的探测层。隔离层垂直于触点所位于的平面延伸。
JP 60124879A公开了一种具有在衬底表面上形成的、以规则间隔排列的隔离沟槽的衬底。在两个邻近隔离沟槽之间的表面上附着并且形成薄膜电极。这些分离的薄膜电极形成了在薄膜电极和衬底之间的肖特基势垒连接，并且起到传感电极的作用。在与薄膜电极相对的另一个衬底表面上形成公共电极。沟槽包括邻近薄膜电极的较宽的区域和邻近公共电极的较窄的区域。隔离沟槽垂直于由薄膜电极所限定的平面延伸。
在医疗工业中，诸如Si、GaAs、CdTe和CZT的直接转换材料在诸如CT探测器、X射线探测器、Gamma探测器、以及核医学的模态中获得了越来越多的重要性，其中，在核医学中闪烁器型探测器仍是现有技术。它们比闪烁器的优点是具有好的能量分辨率的光子计数的可能性。然而，由于电荷共享，所以这些直接转换材料是易损的，电荷共享是通过若干邻近电极采集由单一光子产生的电荷云的现象。图1示出了通过3个邻近电极采集由一个光子产生的电荷云。电荷共享的现象扰乱了探测器的频谱分辨率和计数速率性能。在高速率探测器中，电荷共享的现象限制了采用更小像素的努力。同时，K逃逸现象也限制了采用更小像素大小。K逃逸主要由诸如X射线能量的原始能量通过诸如X射线量子的另一个量子部分传送到相邻像素所造成。
因此，特别是在基于直接转换材料的探测器中，存在解决或者减轻电荷共享的负面影响的需求。
发明内容
本发明的目标是提供改进的半导体探测器。在一个实施例中，减轻由电荷共享所造成的负面效果并且因此改进半导体探测器的频谱分辨率和计数速率性能是有利的。
在一个实施例中，减轻或者甚至消除半导体探测器的K逃逸现象并且因此改进半导体探测器的计数速率性能是有利的。
在一个实施例中，减轻电荷共享和K逃逸在半导体探测器像素尺寸小型化方面的负面影响是有利的。
在第一方面中，根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体探测器，包括：布置用于形成至少一个开口的多个阳极，每个开口由多个阳极中的两个阳极形成；至少一个阴极；位于多个阳极和至少一个阴极之间的探测器单元；其中，该探测器单元包括至少一个沟槽，该至少一个沟槽中的每个具有与由多个阳极中的两个阳极形成的至少一个开口中的一个对准的第一开口，至少一个沟槽中的每个朝向至少一个阴极延伸，其中，至少一个沟槽中的每个沿着不垂直于其第一开口平面的方向延伸。在探测器单元中形成一个或多个沟槽对引导由单一光子产生的电荷云使其被相应阳极所接收、而不是被若干邻近阳极所接收是有效的。这提供了减轻电荷共享在频谱分辨率和计数速率性能上的负面影响的优点。
每个沟槽沿着远离垂直于其第一开口的平面的方向延伸。换言之，沟槽延伸的方向倾斜而不是垂直于由2个相应邻近阳极所形成的相应开口的切面。由于这种形状降低了减少探测器DQE(探测器量子效率)的现象，所以是有利的。在第二方面中，根据本发明的一个实施例，每个沟槽包括有助于减轻、或者甚至消除K逃逸现象的负面影响的绝缘体。优选使用具有高原子序数Z的绝缘体。
参考下文所描述的实施例，本发明的这些以及其他方面、特征和/或优点将显而易见并且得到阐述。
附图说明
图1图示了电荷共享现象；
图2图示了根据本发明的一个实施例的包括垂直于多个阳极表面的沟槽的半导体探测器；
图3图示了根据本发明的一个实施例的包括沿着远离多个阳极的垂直方向的倾斜角度延伸的沟槽的半导体探测器；
图4图示了根据本发明的一个实施例的包括被绝缘体填充的沟槽的半导体探测器。
具体实施方式
在图2中示出了减轻或者克服当前半导体探测器中电荷共享效应缺点的结构化半导体探测器的实施例。探测器200包括多个阳极210、至少一个阴极220以及探测器单元240。可以将阳极和至少一个阴极以平行或者以其它配置来布置。每两个邻近阳极形成开口230。沟槽250从每个开口延伸到探测器单元240中，其方向垂直于开口230的平面。每个沟槽250具有第一开口252，其可以具有与相应开口230相同的宽度、或者可以大于/小于相应开口230。显然可以看出，由于沟槽的存在，由光子产生的电荷云被一个相应的阳极而不是两个或多个邻近阳极接收。
图3中示出了另一个实施例，其中，沟槽的延伸方向不垂直于开口230的平面，即每个沟槽的第一开口252’的平面。每个沟槽250’或者至少部分沟槽，沿着不垂直于开口230的倾斜方向延伸，即其沿第一开口252’的方向延伸。采用倾斜方向可以减轻由减少制动力所造成的减少DQE(探测器量子效率)的缺点。沟槽250’延伸方向的角度可以根据包括机械稳定性、制动力、传感器材料的密度和厚度、并且还有所使用的X射线频谱的一些因素而改变。技术人员可以使延伸方向的角度适应实际情况。可选地，可以稍微增大探测器单元240(例如，所使用晶体)的厚度。
在图2和图3的实施例中，沟槽的深度可以根据需求和/或制造技术而改变。沟槽可以稍微延伸到探测器单元240内，延伸到探测器单元240的中间、或者甚至从开口230延伸到阴极平面。在后者的情况下，沟槽具有位于阴极表面的第二开口。
可以将图2和图3中所示的实施例以任何结构形式组合。例如，允许将分别沿着垂直于它们第一开口252的平面的方向延伸的部分沟槽和沿着远离它们第一开口252的平面的垂直方向的倾斜方向延伸的部分沟槽组合。特别是对于探测不到诸如X射线光子的入射光子的探测器单元部分，沟槽沿着垂直方向延伸。对于探测器单元的其他部分，沟槽沿着倾斜方向延伸，这有利于改进DQE。
K逃逸由从探测器单元中的原子释放K壳层电子的光电效应造成，该K壳层几乎立即被来自更高壳层的电子重新填充，并且因此以K逃逸光子的形式释放特征量的能量。可以将该光子在探测器单元中从一个地方传送到另一个地方，并且可以给出在探测器中其他处的另一个信号。图4图示了根据本发明的实施例，该实施例中减轻/消除了K逃逸现象。给每个沟槽250”填充以用参考标号260表示的绝缘体，该绝缘体可以有效阻止该迁移能量即K逃逸光子，并且因此可以抑制或者甚至防止扰动信号产生。可选地，绝缘体由具有高原子序数Z的绝缘材料制造。
图2至4中所示的半导体探测器的实施例可以用于至少包括CT扫描器、X射线探测器和伽玛射线探测器的医疗装置。
图2至4中所示的实施例可以以任何结构形式组合。虽然参考特定实施例对本发明进行了描述，但是不是要将其限制于这里所给出的特定形式。而是本发明的范围仅由所附权利要求来限定。在权利要求中，使用动词“包括”及其变形不排除存在其它元件或步骤。虽然可以将各个特征包括在不同权利要求中，但是可以有利地对它们进行组合，并且包括于不同权利要求中不意味着特征的组合不是可行的和/或有利的。另外，单一参考不排除多个。此外，不应该将权利要求中的参考标记解释为对范围的限制。
Claims (7)
1.一种半导体探测器（300，400），包括：
-布置用于形成至少一个开口（230）的多个阳极（210），每个开口（230）由所述多个阳极（210）中的两个阳极形成；
-至少一个阴极（220）；
-位于所述多个阳极（210）和所述至少一个阴极（220）之间的探测器单元（240）；
其中，所述探测器单元（240）包括至少一个沟槽（250’，250”），所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽具有第一开口，所述第一开口与由所述多个阳极（210）中的两个阳极形成的所述至少一个开口（230）中的一个对准，所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽朝向所述至少一个阴极（220）延伸，其中，所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽沿着不垂直于该沟槽的第一开口的平面的方向延伸。
2.如权利要求1所述的半导体探测器（300，400），其中，所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽具有位于所述至少一个阴极（220）的表面的第二开口。
3.如权利要求1所述的半导体探测器（300，400），其中，所述至少一个沟槽（250”）中的每个沟槽包括绝缘体。
4.如权利要求1所述的半导体探测器（300，400），其中，所述探测器单元（240）由直接转换材料制成。
5.如权利要求1所述的半导体探测器（300，400），其进一步配置用于探测X射线量子。
6.一种包括半导体探测器（300，400）的医疗扫描器，其中，所述半导体探测器（300，400）包括：
-布置用于形成至少一个开口（230）的多个阳极，每个开口（230）由所述多个阳极中的两个阳极形成；
-至少一个阴极（220）；
-位于所述多个阳极和所述至少一个阴极（220）之间的探测器单元（240）；
其中，所述探测器单元（240）包括至少一个沟槽（250’，250”），所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽具有第一开口，所述第一开口与由所述多个阳极中的两个阳极形成的所述至少一个开口（230）中的一个对准，所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽朝向所述至少一个阴极（220）延伸，其中，所述至少一个沟槽（250’，250”）中的每个沟槽沿着不垂直于该沟槽的第一开口的平面的方向延伸。
7.如权利要求6所述的医疗扫描器，其为CT扫描器、X射线探测器以及伽玛射线探测器中的任何一个。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200880123119.0A CN101911299B (zh) | 2007-12-28 | 2008-12-26 | X射线半导体成像器像素的电隔离 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200710306621.2 | 2007-12-28 | ||
| CN200710306621 | 2007-12-28 | ||
| CN200880123119.0A CN101911299B (zh) | 2007-12-28 | 2008-12-26 | X射线半导体成像器像素的电隔离 |
| PCT/IB2008/055539 WO2009083920A1 (en) | 2007-12-28 | 2008-12-26 | Electrical isolation of x-ray semiconductor imager pixels |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101911299A CN101911299A (zh) | 2010-12-08 |
| CN101911299B true CN101911299B (zh) | 2014-06-04 |
Family
ID=40568353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200880123119.0A Expired - Fee Related CN101911299B (zh) | 2007-12-28 | 2008-12-26 | X射线半导体成像器像素的电隔离 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8373134B2 (zh) |
| EP (1) | EP2240963B1 (zh) |
| CN (1) | CN101911299B (zh) |
| WO (1) | WO2009083920A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011083532A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-02-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Wandlerschicht für Strahlungsdetektoren |
| CN103972323B (zh) * | 2013-01-31 | 2017-05-03 | 同方威视技术股份有限公司 | 辐射探测器 |
| JP5914381B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-05-11 | 株式会社リガク | Ｘ線データ処理装置、ｘ線データ処理方法およびｘ線データ処理プログラム |
| CN106324649B (zh) * | 2016-08-31 | 2023-09-15 | 同方威视技术股份有限公司 | 半导体探测器 |
| CN109244096B (zh) * | 2018-09-20 | 2020-07-24 | 深圳先进技术研究院 | X射线平板探测器及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041729A (en) * | 1987-10-28 | 1991-08-20 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector and manufacturing process thereof |
| US5619033A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-08 | Xerox Corporation | Layered solid state photodiode sensor array |
| EP1326278A2 (en) * | 2002-01-07 | 2003-07-09 | Xerox Corporation | Image sensor with performance enhancing structures |
| CN1871527A (zh) * | 2003-10-22 | 2006-11-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 逆转半导体探测器的性能退化的方法和设备 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4055766A (en) * | 1976-04-27 | 1977-10-25 | The Ohio State University | Control system for gamma camera |
| JPS60124879A (ja) | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
| JP2611295B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1997-05-21 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器およびその製造方法 |
| WO1998047181A1 (de) | 1997-04-14 | 1998-10-22 | Boehm Markus | Elektromagnetischer strahlungssensor mit hohem lokalkontrast |
| US6236051B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor radiation detector |
| WO2000025149A1 (en) | 1998-10-28 | 2000-05-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Computer tomograph detector |
| DE10239506A1 (de) | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Infineon Technologies Ag | Sensoranordnung zum Erfassen einer Strahlung, Computertomograph mit dieser Sensoranordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
| US7196332B2 (en) | 2004-05-04 | 2007-03-27 | General Electric Company | Monolithic x-ray detector with staggered detection areas |
| US7606347B2 (en) | 2004-09-13 | 2009-10-20 | General Electric Company | Photon counting x-ray detector with overrange logic control |
| WO2007031886A2 (en) | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Improved performance solid state detectors |
| US7768085B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-08-03 | Icemos Technology Ltd. | Photodetector array using isolation diffusions as crosstalk inhibitors between adjacent photodiodes |
| JP4619985B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-01-26 | 住友重機械工業株式会社 | 放射線検出器および放射線検査装置 |
| US7968959B2 (en) * | 2008-10-17 | 2011-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Methods and systems of thick semiconductor drift detector fabrication |
-
2008
- 2008-12-26 WO PCT/IB2008/055539 patent/WO2009083920A1/en active Application Filing
- 2008-12-26 US US12/809,079 patent/US8373134B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-26 EP EP08867980.8A patent/EP2240963B1/en not_active Not-in-force
- 2008-12-26 CN CN200880123119.0A patent/CN101911299B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5041729A (en) * | 1987-10-28 | 1991-08-20 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector and manufacturing process thereof |
| US5619033A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-08 | Xerox Corporation | Layered solid state photodiode sensor array |
| EP1326278A2 (en) * | 2002-01-07 | 2003-07-09 | Xerox Corporation | Image sensor with performance enhancing structures |
| CN1871527A (zh) * | 2003-10-22 | 2006-11-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 逆转半导体探测器的性能退化的方法和设备 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP昭60-124879A 1985.07.03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110019794A1 (en) | 2011-01-27 |
| EP2240963B1 (en) | 2016-05-04 |
| CN101911299A (zh) | 2010-12-08 |
| US8373134B2 (en) | 2013-02-12 |
| EP2240963A1 (en) | 2010-10-20 |
| WO2009083920A1 (en) | 2009-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1636856B1 (en) | Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods | |
| US7902512B1 (en) | Coplanar high fill factor pixel architecture | |
| US7462553B2 (en) | Ultra thin back-illuminated photodiode array fabrication methods | |
| CN104024889A (zh) | 辐射探测器 | |
| US9293626B2 (en) | Lateral avalanche photodiode device and method of production | |
| US8129810B2 (en) | Continuous large area imaging and display arrays using readout arrays fabricated in silicon-on-glass substrates | |
| CN101911299B (zh) | X射线半导体成像器像素的电隔离 | |
| US20220216245A1 (en) | Avalanche photodiode array | |
| EP2652788A2 (en) | High charge capacity pixel architecture, photoelectric conversion apparatus, radiation image pickup system and methods for same | |
| WO2007077286A1 (en) | Semiconductor radiation detector detecting visible light | |
| JP2014508567A5 (zh) | ||
| KR20120095151A (ko) | 확산방지막을 구비한 엑스선 검출기 | |
| JP2009038123A (ja) | 画像検出装置 | |
| JP4376522B2 (ja) | 電磁波検出器 | |
| US20110241143A1 (en) | X-ray pixels including double photoconductors and x-ray detectors including the x-ray pixels | |
| US20110168904A1 (en) | Radiation detector with a stack of converter plates and interconnect layers | |
| EP4150380A1 (en) | Radiation detector and method of manufacture thereof | |
| US20230066769A1 (en) | Spad structure | |
| JP2013145180A (ja) | 放射線検出器，放射線検出装置及びそれらの動作方法 | |
| WO2012096051A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US12021104B2 (en) | Back surface incident type semiconductor photo detection element | |
| WO2006053938A1 (en) | Modified semiconductor drift detector | |
| EP2088625B1 (en) | Imaging detector | |
| US20130334639A1 (en) | Photodiode with reduced dead-layer region | |
| US20110192961A1 (en) | Solid state imaging device and its driving method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140604 Termination date: 20171226 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |