JP2009038123A

JP2009038123A - 画像検出装置

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Publication number: JP2009038123A
Application number: JP2007199568A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Okada; 美広岡田
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2007-07-31
Filing date: 2007-07-31
Publication date: 2009-02-19
Also published as: TW200917472A; CN101359054A; KR20090013046A; US7804071B2; KR100975612B1; EP2023163A3; US20090032719A1; EP2023163A2

Abstract

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。
【選択図】図３

Description

本発明は、画像検出装置に係り、特に、半導体層に対してＸ線が照射されたことにより発生する電荷を、画像を構成する各画素の情報として蓄積することにより画像を検出する画像検出装置に関する。

近年、ＴＦＴ（Thin film transistor）アクティブマトリックス基板上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（ｆｌａｔｐａｎｅｌｄｅｔｅｃｔｏｒ）等の放射線画像検出装置が実用化されている。このＦＰＤは、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。

まず、図１０及び図１１を用いてＦＰＤとしての従来の放射線画像検出装置１００’について説明する。なお、図１１は、図１０のＣ−Ｃ線断面図を示している。

図１１に示されるように、従来の放射線画像検出装置１００’は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０’上に、電磁波導電性を有する半導体膜６’が形成され、その上にバイアス電極７’が順次形成されている。このバイアス電極７’は図示しない高圧電源に接続されている。

この半導体膜６’は、セレンを主成分とする膜厚１００〜１０００μｍの非晶質ａ−Ｓｅ膜で、Ｘ線が照射されると膜の内部に電荷を発生する。

次に、従来の放射線画像検出装置１００’の動作原理について説明する。

図１１の上方よりＸ線が照射されると半導体膜６’は内部に電荷を発生する。その発生した電荷のうち正孔はバイアス電極７’と電荷収集電極１１’との間のバイアスにより電荷収集電極１１’に集められ、電荷収集電極１１’に電気的に接続された電荷蓄積容量５’に蓄積される。半導体膜６’はＸ線量に応じて異なる電荷量を発生するため、Ｘ線が担持した画像情報に応じた電荷が各画素の電荷蓄積容量に蓄積される。その後、図１０に示されるスキャン配線１０１’を介してＴＦＴスイッチ４’をＯＮ状態にする信号を順次加え、データ配線３を介して各電荷蓄積容量５’に蓄積された電荷を取り出す。

ところで、この種の放射線画像検出装置１００’では、半導体膜６’でトラップが発生することにより、発生した電荷を電荷収集電極１１’でうまく収集できず、感度の低下するという問題がある。また、放射線が入射されると、入射強度に応じて感度が低下し、回復するのに長時間を要するという、ゴースティングと呼ばれる現象が発生する場合がある。

そこで、特許文献１には、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０’の裏面に光発生器（バックライト装置）を配置し、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０’に対して光発生器より光を照射することにより、感度の低下を抑制する技術が開示されている。
特開２００４−３３６５９号公報

しかしながら、この種の放射線画像検出装置を、例えば、医療用のＸ線画像検出装置として応用しようと考えた場合、上記特許文献１に記載された構成では、感度安定性、残像特性が不十分である、という問題点があった。

本発明は上記問題点を解消するためになされたものであり、感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、光透過性を有する部材によって形成された基板上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体層が形成されると共に、各々対向配置された２つの電極を含み、前記半導体層に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の蓄積部が前記半導体層と前記基板の間に形成されたセンサパネルと、前記センサパネルの前記基板側の面に対して光を照射するライトと、を備え、前記蓄積部の各電極は、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように形成されたことを特徴としている。

請求項１記載の発明では、センサパネルが、光透過性を有する部材によって形成された基板上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体層が形成されると共に、各々対向配置された２つの電極を含み、前記半導体層に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の蓄積部が前記半導体層と前記基板の間に形成されており、ライトにより、センサパネルの基板側の面に対して光が照射されている。

そして、本発明では、蓄積部の各電極が、半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対してライトから所定強度以上の光が照射されるように形成されている。

このように請求項１記載の発明によれば、半導体層の蓄積部が形成された領域に対してライトから所定強度以上の光が照射されるように蓄積部の各電極を形成しているので、ライトからの光によって半導体層の蓄積部が形成された領域にトラップされた電荷が励起されるため、感度安定性、残像特性を改善することができる。

なお、本発明の蓄積部の各電極は、請求項２に記載の発明のように、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように開口部が形成されてもよい。

また、請求項２に記載の発明の開口部は、請求項３に記載の発明のように、スリット状の形状であってもよい。

また、請求項２に記載の発明の開口部は、請求項４に記載の発明のように、矩形状の形状であってもよい。

また、請求項２〜請求項４の何れか１項記載の発明の開口部は、請求項５に記載の発明のように、複数形成されていてもよい。

また、請求項１記載の発明の蓄積部の各電極は、請求項６に記載の発明のように、各々複数に分割されて形成されてもよい。

また、請求項１記載の発明の蓄積部の各電極は、請求項７に記載の発明のように、光透過性を有する導電性の部材により形成されてもよい。

また、本発明の半導体層は、請求項８に記載の発明のように、アモルファスセレンが主成分であってもよい。

さらに、本発明の半導体層は、請求項９に記載の発明のように、各々材質の異なる複数の半導体層が積層されて形成されることが好ましい。

このように、本発明によれば、半導体層の蓄積部が形成された領域に対してライトから所定強度以上の光が照射されるように蓄積部の各電極を形成しているので、感度安定性、残像特性を改善することができる、という優れた効果を有する。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下では、本発明を、ＴＦＴアクティブマトリックス基板上にＸ線感応層を形成し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換する放射線画像検出装置１００に適用した場合について説明する
図１には、本発明の実施の形態に係る放射線画像検出装置１００の全体構成が示されている。

同図に示すように、本実施の形態に係る放射線画像検出装置１００は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０を備えている。

ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０は、後述するバイアス電極と半導体膜と電荷収集電極とから構成される画像センサ部１０３と、画像センサ部１０３で検出された電荷信号を蓄積する電荷蓄積容量５と、電荷蓄積容量５に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴスイッチ４と、から構成される画素が２次元状に多数設けられいる。

また、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０には、上記ＴＦＴスイッチ４をＯＮ／ＯＦＦするための複数のスキャン配線１０１と、上記電荷蓄積容量５に蓄積された電荷が読み出される複数のデータ配線３と、が設けられており、電荷蓄積容量５の一方の電極は図示しない配線を介して接地されてグランドレベルとされている。なお、図１では、各電荷蓄積容量５の一方の電極がそれぞれグランドに接続されているものとして示している。

各データ配線３には、各データ配線３に流れ出した電荷を電気信号として検出する信号検出回路１０５が接続され、各スキャン配線１０１には、各スキャン配線にＴＦＴスイッチ４をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力するスキャン信号制御装置１０４が接続されている。

信号検出回路１０５は、各データ配線３毎に、入力される電気信号の電圧レベルを増幅する増幅回路を内蔵しており、各データ配線３より入力される電気信号を増幅して当該電気信号の電圧レベルを検出することにより、画像を構成する各画素の情報として、各電荷蓄積容量５に蓄積された電荷量を検出する。

この信号検出回路１０５およびスキャン信号制御装置１０４には、信号検出回路１０５において検出された電気信号に所定の処理を施すとともに、信号検出回路１０５に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御装置１０４に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する信号処理装置１０６が接続されている。

次に、図２及び図３を参照して、本実施形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０についてより詳細に説明する。なお、図２には、本実施形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の１画素単位の構造を示す平面図が示されており、図３には、図２のＡ−Ａ線断面図が示されている。

図３に示すように、本実施形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０は、電磁波導電性を有する半導体膜６、及び、図示しない高圧電源に接続されたバイアス電極７が順次形成されて構成されている。半導体膜６は、Ｘ線などの電磁波が照射されることにより、内部に電荷（電子−正孔）を発生するものである。つまり、半導体膜６は電磁波導電性を有し、Ｘ線による画像情報を電荷情報に変換するためのものである。また、半導体膜６は、例えば、セレンを主成分とする非晶質のａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）からなる。ここで、主成分とは、５０％以上の含有率を有するということである。この半導体膜６は、特性改善、製造歩留り改善の目的から上下に複数の半導体膜層、あるいは絶縁膜層を配置するケースが多い。本実施の形態に係る半導体膜６は、膜厚１００〜１０００μｍのＳｅ層の上下に、０．１〜５μｍのＳｂ２Ｓ３層を配置しており、複数（ここでは、３層）のセンサ層が積層されて構成されているものとする。このように、非晶質のａ−Ｓｅ等を用いて、Ｘ線を電荷に直接変換する場合、センサ層が比較的厚いため、発生した電荷を電荷収集電極１１等で十分に蓄積できなくなる。このため、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０では、電荷蓄積容量５を設けて発生した電荷を蓄積させている。

ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の下層には、センサ層下層およびアクティブマトリクス基板との界面に光を照射するためのバックライト４０が配置されている。バックライト４０の照度、および波長はセンサ層材料に大きく依存するが、一般的な半導体材料の場合は、可視光が好ましい。

以下に、本実施形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の層構成についてより詳しく説明する。

ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０は、ガラス基板１、ゲート電極２、蓄積容量下部電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層８、ソース電極９、ドレイン電極１３、蓄積容量上部電極１８、データ配線３、層間絶縁膜１２、および電荷収集電極１１を有している。

図２に示すように、ゲート電極２には、スキャン配線１０１が接続されており、ゲート電極２とスキャン配線１０１とは同じ金属層により形成されており、一般的にＡｌ、Ａｌ合金などの低抵抗配線材料が適用される。また、蓄積容量下部電極１４には、蓄積容量配線１０２が接続されており、蓄積容量下部電極１４と蓄積容量配線１０２とは同じ金属層により形成されている。この蓄積容量下部電極１４には、矩形状の開口部１９Ａが複数設けられている。

また、ゲート電極２やゲート絶縁膜１５、ソース電極９、ドレイン電極１３、半導体層８等によりＴＦＴスイッチ４が構成されており、蓄積容量下部電極１４やゲート絶縁膜１５、蓄積容量上部電極１８等により電荷蓄積容量５が構成されている。

ガラス基板１は支持基板であり、ガラス基板１としては、例えば、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃１７３７等）を用いることができる。スキャン配線１０１及びデータ配線３は、図１に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には、図２に示すように、ＴＦＴスイッチ４が形成されている。ＴＦＴスイッチ４はスイッチング素子であり、そのソース電極９は、データ配線３に接続され、ドレイン電極１３は蓄積容量上部電極１８に接続されている。

ゲート絶縁膜１５は、ＳｉＮ_Ｘや、ＳｉＯ_Ｘ等からなっている。ゲート絶縁膜１５は、ゲート電極２、スキャン配線１０１、蓄積容量下部電極１４および蓄積容量配線１０２を覆うように設けられており、ゲート電極２上に位置する部位がＴＦＴスイッチ４におけるゲート絶縁膜として作用し、蓄積容量下部電極１４上に位置する部位は電荷蓄積容量５における誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量５は、ゲート電極２と同一層に形成された蓄積容量下部電極１４と蓄積容量上部電極１８との重畳領域によって形成されている。

また、半導体層８はＴＦＴスイッチ４のチャネル部であり、データ配線３に接続されたソース電極９と蓄積容量上部電極１８に接続されたドレイン電極１３とを結ぶ電流の通路である。この半導体層８には、一般的にアモルファスシリコンが用いられる。半導体層８の表面にはソース電極９、ドレイン電極１３とのコンタクトを良好にするため、コンタクト層が配置されており、通常、不純物添加の非晶質シリコン層が適用される。

データ配線３、ＴＦＴスイッチ４のソース電極９、ドレイン電極１３、および蓄積容量上部電極１８は、ゲート絶縁膜１５および半導体層８上に配置される同じ金属層により形成されている。これらの層には、一般的にＡｌ、Ａｌ合金などの低抵抗配線材料が適用される。ソース電極９はデータ配線３に接続され、ドレイン電極１３は蓄積容量上部電極１８に接続されている。前述のごとく、蓄積容量下部電極１４と重畳することで蓄積容量（Ｃｓ容量）を構成する。

また、蓄積容量上部電極１８には、蓄積容量下部電極１４の開口部１９Ａと一致するように開口部１９Ｂが配置されている。図示するように、フォトリソ工程における位置あわせズレが生じても蓄積容量が変動しないように、下部の開口部１９Ｂに対して、上部の開口部１９Ａを一回り大きくしている。（ここでは片側２μｍずつ）。露光機のアライメントズレは１μｍ前後発生するが、これにより容量変動を抑制することができる。

層間絶縁膜１２は、一般的に平坦化膜材料もしくは層間絶縁材料と呼ばれる有機もしくは無機絶縁膜材料の一種（例えば、アクリル樹脂）からなり、電荷収集電極１１下層の平坦化、および電荷収集電極１１とデータ配線３、スキャン配線１０１の容量低減のために配置され、膜厚が１−４μｍ、比誘電率が２−４である。層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１６が貫通しており、上層に配置される電荷収集電極１１はコンタクトホール１６を介して蓄積容量上部電極１８に接続される。

電荷収集電極１１は、非晶質透明導電酸化膜（ＩＴＯ）からなっている。電荷収集電極１１は、コンタクトホール１６を埋めるようにして形成されており、ソース電極９およびドレイン電極１３上、蓄積容量上部電極１８上に積層されている。電荷収集電極１１と半導体膜６とは電気的に導通しており、半導体膜６で発生した電荷を電荷収集電極１１で収集できるようになっている。このように、電荷収集電極１１を透明電極としたことで、ガラス基板１側から半導体膜６に光が透過する。

このように、ガラス基板１上には、ゲート電極２、スキャン配線１０１、蓄積容量下部電極１４および蓄積容量配線１０２が設けられている。ゲート電極２の上方には、ゲート絶縁膜１５を介して、半導体層８及びデータ配線３が形成されている。半導体層８上には、ソース電極９とドレイン電極１３とが形成されている。蓄積容量上部電極１８は、電荷蓄積容量５を構成する層の上方に積層されている。また、蓄積容量上部電極１８、データ配線３、ソース電極９およびドレイン電極１３の上方には、層間絶縁膜１２が設けられている。層間絶縁膜１２の上層、すなわちＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の最上層には電荷収集電極１１が設けられている。電荷収集電極１１とＴＦＴスイッチ４とは蓄積容量上部電極１８およびドレイン電極１３を介して接続されている。

次に、上記構造の放射線画像検出装置１００の動作原理について簡単に説明する。

バイアス電極７と蓄積容量下部電極１４との間に、図示しない高圧電源から所定のバイアス電圧を印加した状態で、半導体膜６にＸ線が照射されると、半導体膜６内に電荷（電子−正孔対）が発生する。そして、半導体膜６と電荷蓄積容量５とは電気的に直列に接続された構造となっているので、半導体膜６内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量５に電荷が蓄積される。

電荷蓄積容量５に蓄積された電荷は、スキャン配線１０１への入力信号によってＴＦＴスイッチ４をＯＮ状態にすることによりデータ配線３を介して外部に取り出すことが可能となる。

そして、スキャン配線１０１とデータ配線３、ＴＦＴスイッチ４及び電荷蓄積容量５は、すべてＸＹマトリクス状に設けられているため、スキャン配線１０１に入力する信号を順次走査し、データ配線３からの信号をデータ配線３毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。

ところで、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０は、上述のように電荷蓄積容量５の蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４にそれぞれ開口部１９Ａ、開口部１９Ｂを設けたことにより、電荷蓄積容量５の上層に位置する半導体膜６の各センサ層に光を照射することができる。

ここで、背景技術において説明した特許文献１では、バックライト４０から照射された光により、トラップチャージが画素電極間に生じ、このトラップチャージにより画素電極間が正電位となると説明しているが、本願発明者は次のように考えている。

センサ層／ＴＦＴ基板界面には多くの欠陥準位が存在する。正バイアスにより電荷収集電極１１側にドリフトした電荷の多くは電荷収集電極１１に集められる。しかし、光照射がない場合、上述の欠陥準位にトラップされる電荷も多く存在する。そこで、特許文献１の技術では、図４に示すように、ＴＦＴアクティブマトリクス基板に対してバックライト４０から光を照射することにより、これらのトラップされた電荷が励起され電荷収集電極１１に流れ込む。すなわち、トラップチャージによって正電位になるのではなく、光により正電荷が励起され、正電荷が収集電極側に放出される。

本効果は画素電極間でない領域でも有効である。図５に示すように、センサ層（ここでは最下層のＳｂ２Ｓ３層）内部や、半導体層とＴＦＴ基板の界面、複数の半導体層の界面にも多くの欠陥準位が存在する。これらは、電荷収集電極１１直上においてもホールをトラップするため、残像特性が劣化し、発生した電荷の一部がセンサ層内にとどまることになるため、感度が不安定になる。

そこで、本実施の形態では、電荷蓄積容量５の蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４にそれぞれ開口部１９Ａ、開口部１９Ｂを設けて電荷収集電極１１直上のセンサ層に光を照射できる構成とした。これにより、電荷収集電極１１直上においても電荷が励起され電荷収集電極１１に流れ込むようになるため、残像特性を改善でき、欠陥準位にトラップされるホールを減らすことができるため、感度安定性も改善できる。

すなわち、例えば、図１１に示される従来の構成のＴＦＴアクティブマトリクス基板では、電荷蓄積容量５の蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４に開口部１９Ａ、開口部１９Ｂが設けられていないため、蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４によって光が遮光されてしまい、電荷蓄積容量５の上層に位置する半導体膜６の各センサ層にバックライト４０からの光を照射することが不可能である。また、従来この領域に光を照射することでセンサ層の感度安定性、残像特性が改善することは分かっていなかった。

表１には、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０（表１では「本発明」と記載。）と図１１に示した従来の構成のＴＦＴアクティブマトリクス基板（表１では「従来」と記載。）とにおいて、各々電荷蓄積容量５から電荷を取り出す画像検出を行なった後に、一定時間経過後に再度電荷を取り出して残存電荷の検出を行なって残存電荷の比率を求めた場合の検出結果の一例が示されている。なお、従来の構成のＴＦＴアクティブマトリクス基板１０では、バックライト４０からの光を照射した場合（バックライト有り）とバックライト４０から光を照射しなかった場合（バックライトなし）とにおいて残存電荷の比率を求めている。

表１に示されるように、ある一定条件でＸ線照射した場合（とくにＸ線量が高い場合）、従来の構成のＴＦＴアクティブマトリクス基板では、バックライトから光を照射しなかった場合、１秒経過後も２３％もの電荷が検出され、１０秒経っても０．８％残っている。また、バックライト４０から光を照射した場合でも、０．０５％以下となるためには１００秒程度必要だった。

一方、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板１０では、１０秒後に０．０４％まで低減できた。

以上詳細に説明したように、本実施の形態によれば、ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成しているので、バックライト４０からの光によって半導体膜６の電荷蓄積容量５が形成された領域にトラップされた電荷が励起されるため、感度安定性、残像特性を改善することができる。

なお、この照射する光の強度は、当該半導体層の層構成等に応じて当該半導体層の蓄積部が形成された領域にトラップされた電荷を励起させることができる光の強度を予め実験等により求めればよい。

なお、本実施の形態では、図２に示すように、蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４に設けられた開口部１９Ａ、１９Ｂの形状を矩形状とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図６に示すように、開口部１９Ａ、１９Ｂの形状をスリット状としてもよい。また、図７に示すように、蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４を、コの字型の形状として中央部に光透過領域を有する電極としてもよい。さらに、図８に示すように、蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４を各々複数に分割（図８では蓄積容量上部電極１８及び蓄積容量下部電極１４を各々２個に分割）して、各蓄積容量上部電極１８を各々ドレイン電極１３に並列に接続してもよい。このいずれの場合も本実施の形態と同様な効果を得ることができる。

また、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、蓄積容量下部電極１４に複数の細いスリット状の開口部１９Ａを設け、蓄積容量上部電極１８をソース電極９層と別層に形成するものとして、ソース電極９層上に別途配置した保護絶縁膜の上層に、ＩＴＯ等の透過性を有する導電性の部材により蓄積容量上部電極１８を形成し、蓄積容量上部電極１８とドレイン電極１３とを保護絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続してもよい。これにより、蓄積容量上部電極１８は透明であるため、スリット等の開口を設ける必要がなく、結果、電界広がりにより開口による蓄積容量の低下を抑制できる。なお、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。

その他、本実施の形態で説明した放射線画像検出装置１００の構成（図１参照。）及びＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の構成（図２〜図９）は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。

実施の形態に係る放射線画像検出装置の全体構成を示す構成図である。実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板の１画素単位の構造を示す平面図である。実施の形態に係る図２のＡ−Ａ線断面図である。従来のＴＦＴアクティブマトリクス基板での半導体層内の電荷の動作を模式的に示した模式図である。実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板での半導体層内の電荷の動作を模式的に示した模式図である。実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板の別な構造を示す平面図である。実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板の別な構造を示す平面図である。実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板の別な構造を示す平面図である。（Ａ）は実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリクス基板の構造を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。従来のＴＦＴアクティブマトリクス基板の構造を示す平面図である。図１０のＣ−Ｃ線断面図である。

符号の説明

１ガラス基板（基板）
５電荷蓄積容量
６半導体膜（半導体層）
１０アクティブマトリクス基板（センサパネル）
１４蓄積容量下部電極（電極）
１８蓄積容量上部電極（電極）
１９Ａ開口部
１９Ｂ開口部
４０バックライト（ライト）
１００放射線画像検出装置（画像検出装置）

Claims

光透過性を有する部材によって形成された基板上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体層が形成されると共に、各々対向配置された２つの電極を含み、前記半導体層に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の蓄積部が前記半導体層と前記基板の間に形成されたセンサパネルと、
前記センサパネルの前記基板側の面に対して光を照射するライトと、を備え、
前記蓄積部の各電極は、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように形成されたことを特徴とする画像検出装置。
前記蓄積部の各電極は、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように開口部が形成されたことを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
前記開口部は、スリット状の形状であることを特徴とする請求項２記載の画像検出装置。
前記開口部は、矩形状の形状であることを特徴とする請求項２記載の画像検出装置。
前記開口部は、複数形成されていることを特徴とする請求項２〜請求項４の何れか１項記載の画像検出装置。
前記蓄積部の各電極は、各々複数に分割されて形成されていることを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
前記蓄積部の各電極は、光透過性を有する導電性の部材により形成されていることを特徴とする請求項１記載の画像検出装置。
前記半導体層は、アモルファスセレンが主成分であることを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか１項記載の画像検出装置。
前記半導体層は、各々材質の異なる複数の半導体層が積層されて形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項８の何れか１項記載の画像検出装置。