JPS60124879A - 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents
多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法Info
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- JPS60124879A JPS60124879A JP58232150A JP23215083A JPS60124879A JP S60124879 A JPS60124879 A JP S60124879A JP 58232150 A JP58232150 A JP 58232150A JP 23215083 A JP23215083 A JP 23215083A JP S60124879 A JPS60124879 A JP S60124879A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は−Ｘ線ＣＴ等に用いられる多チャンネル形放射
線検出器及びその製造方法に関するものである。更に詳
しくは、本発明は、例えばＣｄＴｅのような高比抵抗半
導体を使用し、これに電極を形成して構成される半導体
表面障壁形の多チャンネル形放射線検出器に関するもの
である。
線検出器及びその製造方法に関するものである。更に詳
しくは、本発明は、例えばＣｄＴｅのような高比抵抗半
導体を使用し、これに電極を形成して構成される半導体
表面障壁形の多チャンネル形放射線検出器に関するもの
である。
〔従来技術］
第１図及び第２図は従来の多チャンネル形放射線検出器
の一例を示す断面図及び斜視図である。
の一例を示す断面図及び斜視図である。
第１図に示すものは、表面が平担な半導体基板１の一方
の面（背面側）に、半導体基板１とオーミック接合する
例えげＡｕの共通型棒２を形成し、他方の面に、シ１ッ
トキ・バリア接合特性を有する例えばｋＡの薄膜電極３
１．３２・・・を所定ピッチで配列するように形成させ
たものである。
の面（背面側）に、半導体基板１とオーミック接合する
例えげＡｕの共通型棒２を形成し、他方の面に、シ１ッ
トキ・バリア接合特性を有する例えばｋＡの薄膜電極３
１．３２・・・を所定ピッチで配列するように形成させ
たものである。
薄膜電極！！１．３２・・・側から、図示する矢印Ｘに
示すように半導体基板１に向けて放射線を入射させると
、電極下に形成される接合によって生じた空に取り出さ
れる。
示すように半導体基板１に向けて放射線を入射させると
、電極下に形成される接合によって生じた空に取り出さ
れる。
このように構成された検出器は、各薄膜電極を単位にし
てひとつのチャンネルを簡単に構成できる反面、空乏層
１０が図示するように横方向にも拡がり、各チャンネル
間の信号分離特性が悪くなる欠点があった。
てひとつのチャンネルを簡単に構成できる反面、空乏層
１０が図示するように横方向にも拡がり、各チャンネル
間の信号分離特性が悪くなる欠点があった。
第２図に示すものは、各チャンネル間の信号分離特性を
改善した従来例であって、各チャンネルごとに分離して
構成した個々の検出器を、共通基板４上に、例えば導電
性接着剤で、所定ピッチで配列するように固定させたも
のである。
改善した従来例であって、各チャンネルごとに分離して
構成した個々の検出器を、共通基板４上に、例えば導電
性接着剤で、所定ピッチで配列するように固定させたも
のである。
しかしながら、この様に構成された検出器は、半導体基
板の表面処理や電極形成、各検出器の共通基板への固定
等、製造工程が繁雑で、製造コストが高くなる欠点があ
る。
板の表面処理や電極形成、各検出器の共通基板への固定
等、製造工程が繁雑で、製造コストが高くなる欠点があ
る。
本発明は、このような従来技術における欠点に鑑みてな
されたもので、簡単な製造工程によって、各チャンネル
間の信号分離特性の良好な多チャンネル形放射線検出器
を実現しようとするものである。
されたもので、簡単な製造工程によって、各チャンネル
間の信号分離特性の良好な多チャンネル形放射線検出器
を実現しようとするものである。
本発明に係る装置は一子じめ各チャンネル間に分離する
だめの溝を有した半導体基板、溝で分離さねた各半導体
基板表面−Ｆに形成させたシ１１７トキ・バリア接合す
る薄膜雷極、半導体塞板の他方の面に形成させたオーミ
ック接合する共通電極、共通電極面に介在させた導電性
接着剤により半導体基数を支持する導電、性の支持基板
、各溝の中央部分を支持基板まで達するように切断させ
た細溝を有している。
だめの溝を有した半導体基板、溝で分離さねた各半導体
基板表面−Ｆに形成させたシ１１７トキ・バリア接合す
る薄膜雷極、半導体塞板の他方の面に形成させたオーミ
ック接合する共通電極、共通電極面に介在させた導電性
接着剤により半導体基数を支持する導電、性の支持基板
、各溝の中央部分を支持基板まで達するように切断させ
た細溝を有している。
１だ、本発明に係る製造方法は、半導体基板の一方の面
に所定ピッチで並ぶ分離溝を形成し、分（５） 熱情で分離された各半導体基板表面にショットキ・バリ
ア接合薄膜電極を形成し、半導体基板の他方の面にオー
ミ、り接合共通電極を形成し、共通電極面に導電性接着
剤をつけ半導体基板を導電性支持基板に固着し、分離溝
の中央部分から支持基板に達する細溝を形成して製造す
る点を特徴としている。
に所定ピッチで並ぶ分離溝を形成し、分（５） 熱情で分離された各半導体基板表面にショットキ・バリ
ア接合薄膜電極を形成し、半導体基板の他方の面にオー
ミ、り接合共通電極を形成し、共通電極面に導電性接着
剤をつけ半導体基板を導電性支持基板に固着し、分離溝
の中央部分から支持基板に達する細溝を形成して製造す
る点を特徴としている。
第３図は本発明に係る多チャルネル放射線検出器の一例
を示す構成断面図である。この図において、１は予じめ
各チャンネル間を分離するための板が用いられる。（：
ｄＴｅ単結晶基板は、ＣｄとＴｅとを化学当量混合し、
これを例えば石英ガラスアンプルに真空封入した後、ブ
リッジマン炉等で加熱し、結晶化し、得られた単結晶イ
ンゴットを切断、加工して作られる。！１１．５２．３
５・・・は、各溝１１．１２・・・で分離された各半導
体基板表面上に形成させたシ冒ットキ・バリア接合特性
を有する例えばμの薄（４） 膜電極、２は半導体基板１の他方の面に形成させたオー
ミック接合特性を有する例えばＡｕの共通電極である。
を示す構成断面図である。この図において、１は予じめ
各チャンネル間を分離するための板が用いられる。（：
ｄＴｅ単結晶基板は、ＣｄとＴｅとを化学当量混合し、
これを例えば石英ガラスアンプルに真空封入した後、ブ
リッジマン炉等で加熱し、結晶化し、得られた単結晶イ
ンゴットを切断、加工して作られる。！１１．５２．３
５・・・は、各溝１１．１２・・・で分離された各半導
体基板表面上に形成させたシ冒ットキ・バリア接合特性
を有する例えばμの薄（４） 膜電極、２は半導体基板１の他方の面に形成させたオー
ミック接合特性を有する例えばＡｕの共通電極である。
４は半、導体基板１を支持する導電性の支持基板で、共
通電極２の表面に介在させた導電性接着剤（図示せず）
によって半導体基板１が固着さねている。４１．４２・
・・ｄ、各溝１１．１２・・・の中央部分を更に支持基
板４まで達するように切断した細溝、５１゜５２・・・
は細溝を作るだめに切断されたま１で残っている半導体
基板１の切断面を示している。
通電極２の表面に介在させた導電性接着剤（図示せず）
によって半導体基板１が固着さねている。４１．４２・
・・ｄ、各溝１１．１２・・・の中央部分を更に支持基
板４まで達するように切断した細溝、５１゜５２・・・
は細溝を作るだめに切断されたま１で残っている半導体
基板１の切断面を示している。
この様に構成された装置において、検出すべき放射線を
薄膜電極３１．５２．５５・・・側から照射させると、
各電離電流を各薄膜電極と支持基板４との間から皐り出
すことができる。
薄膜電極３１．５２．５５・・・側から照射させると、
各電離電流を各薄膜電極と支持基板４との間から皐り出
すことができる。
第４図は、第３図に示す多チャンネル放射線検出器の製
造方法を示す説明図である。
造方法を示す説明図である。
まず、はじめに厚さが１〜２ｍｍの半導体基板（例えば
Ｐ形ＣｄＴｅ基板）を用意し、これを研摩し、（イ）に
示すように表面に所定ピッチ（例えば１ｍｍピッチ）で
配列する分離溝１１．１２．１５・・・を、例えばワイ
ヤソー等の切削手段によって形成する。分離溝の深さけ
１例えば０．５ｍｍ程度に選定される。次に、化学エツ
チング、Ａｒイオン・スパッタエツチングを行ない、分
離溝１１．１２．１５・・・の切削面を、滑かな面とな
るように表面処理する。なお、このエツチングの工程は
、分離溝の形成において、側壁面等が滑かに行なうこと
ができれば不要である。
Ｐ形ＣｄＴｅ基板）を用意し、これを研摩し、（イ）に
示すように表面に所定ピッチ（例えば１ｍｍピッチ）で
配列する分離溝１１．１２．１５・・・を、例えばワイ
ヤソー等の切削手段によって形成する。分離溝の深さけ
１例えば０．５ｍｍ程度に選定される。次に、化学エツ
チング、Ａｒイオン・スパッタエツチングを行ない、分
離溝１１．１２．１５・・・の切削面を、滑かな面とな
るように表面処理する。なお、このエツチングの工程は
、分離溝の形成において、側壁面等が滑かに行なうこと
ができれば不要である。
次に、（Ｏ）に示すようＫ、分離溝で分離された各半導
体基板１の表面に、Ａ１．又はＩｎ等によって薄膜電極
５１．５２．３５・・・を例えば真空蒸着法あるいはス
パッタ法によって付着形成させる。これらの各薄膜電極
は、半導体基板１との間でシロットキ・バリア接合１−
１有感電極として作用する。
体基板１の表面に、Ａ１．又はＩｎ等によって薄膜電極
５１．５２．３５・・・を例えば真空蒸着法あるいはス
パッタ法によって付着形成させる。これらの各薄膜電極
は、半導体基板１との間でシロットキ・バリア接合１−
１有感電極として作用する。
次に、ｅつに示すように、半導体基板１の他方の面（背
面側）に、Ａｕ又はＡｇ等によって共通電極２を形成さ
せる。この共通電極２け、半導体基板１とオーミック接
合する。
面側）に、Ａｕ又はＡｇ等によって共通電極２を形成さ
せる。この共通電極２け、半導体基板１とオーミック接
合する。
次に、共通電極２の表面に、例えば導電性エポキシ樹脂
のような導電性接着剤をつけ、半導体基板１を、導電性
の支持基板４に、に）に示すように固着させる。
のような導電性接着剤をつけ、半導体基板１を、導電性
の支持基板４に、に）に示すように固着させる。
続いて、（ホ）に示すように各分離溝１１．１２．１５
・・・の中央部分から支持基板４に達するまでの細溝４
１゜４２、４Ｓ・・を、例えばワイヤソー等の切削手段
によって形成させ、完成させる。
・・・の中央部分から支持基板４に達するまでの細溝４
１゜４２、４Ｓ・・を、例えばワイヤソー等の切削手段
によって形成させ、完成させる。
このような製造工程によれば、半導体基板１の表面処理
等の前処理と、シ日ットキ・バリア接合薄膜電極３１．
５２．５３・・・の形成を、多チヤンネル同時に行なう
ことができるもので、製造工程を短縮することができる
。また、細溝４１．４２．４３・・・は、各チャンネル
間での信号分離特性を良好にする役目をなし、捷だ、こ
の細溝は、分離溝１１．１２．１３・・・よりも細く形
成されているので、細溝の形成による半導体基板や薄膜
電極に与える影響を小さくすることができる。
等の前処理と、シ日ットキ・バリア接合薄膜電極３１．
５２．５３・・・の形成を、多チヤンネル同時に行なう
ことができるもので、製造工程を短縮することができる
。また、細溝４１．４２．４３・・・は、各チャンネル
間での信号分離特性を良好にする役目をなし、捷だ、こ
の細溝は、分離溝１１．１２．１３・・・よりも細く形
成されているので、細溝の形成による半導体基板や薄膜
電極に与える影響を小さくすることができる。
第５図は本発明に係る多チャンネル形放射線検出器の信
号分離特性を示す線図である。
号分離特性を示す線図である。
実線に示す特性が本発明のもの（半導体基板としてｐ形
ＣｄＴｅ単結晶を用い、これに分離溝幅０．５ｎｖｎ。
ＣｄＴｅ単結晶を用い、これに分離溝幅０．５ｎｖｎ。
薄膜電極を電極幅０ 、５ ｍｍで尼を蒸着して形成し
た（ｌ〕 もの）であり、破線で示す特性が第１図に示す従来装置
のものである。両者の特性の比較から明らかなように、
本発明のものは、検出感度（出力電流のピーク値に対応
）を何んら低下することなく、信号分離特性が向上して
いることが認められる。
た（ｌ〕 もの）であり、破線で示す特性が第１図に示す従来装置
のものである。両者の特性の比較から明らかなように、
本発明のものは、検出感度（出力電流のピーク値に対応
）を何んら低下することなく、信号分離特性が向上して
いることが認められる。
なお、上記の説明では、支持基板４自身を導電性材料で
構成した例であるが、この支持基板４としては、絶縁基
板の表面に導電性材料を被着させた構造のものでもよい
。
構成した例であるが、この支持基板４としては、絶縁基
板の表面に導電性材料を被着させた構造のものでもよい
。
以上鮫明し九ように、本発明によれば、簡単な製造工程
によって、各チャンネル間の信号分離特性の良好な多チ
ャンネル形放射線検出器が実現できる。
によって、各チャンネル間の信号分離特性の良好な多チ
ャンネル形放射線検出器が実現できる。
第１図及び第２図は従来装置の一例を示す断面図及び斜
視図、第３図は本発明に係る装置の一例を示す構成断面
図、第４図は製造方法を示す説明図、第５図は信号分離
特性を示す線図である。 １・・・半導体基板、２・・・共通電極、３１．５２．
５３・・・（８） 薄膜電極、 １１．１２．１５・・・分離溝、４・・・
支持基板、４１、４２．４３・・・細溝。 第３図 ３．Ｉ 第４図 ４１ ４２ ４３
視図、第３図は本発明に係る装置の一例を示す構成断面
図、第４図は製造方法を示す説明図、第５図は信号分離
特性を示す線図である。 １・・・半導体基板、２・・・共通電極、３１．５２．
５３・・・（８） 薄膜電極、 １１．１２．１５・・・分離溝、４・・・
支持基板、４１、４２．４３・・・細溝。 第３図 ３．Ｉ 第４図 ４１ ４２ ４３
Claims (2)
- （１） 各チャンネル間を分離するための分離溝を有し
た高比抵抗の半導体基板、前記分離溝で分離された各半
導体基板の一方の面にそｈそれ形成された薄膜１！極、
前記半導体基板の他方の面に形成された共通電極、この
共通電極面を介して導電性接着剤により前記半導体基板
を支持する導電性の支持基板、前記各分離溝の中央部分
から前記支持基板まで達するように形成された細溝を備
え、 前記薄膜電極側から検出すべき放射線を入射させるよう
にした多チャンネル形放射線検出器。 - （２） 高比抵抗の半導体基板の一方の囮に所定ピッチ
で並ぶ分離溝を形成し、この分離溝で分離された半導体
基板表面に薄膜電極を形成するとともに他方の表面に共
通電極を形成し、共通電極面を介して導電性接着剤によ
り前記半導体基板を導電性の支持基板に固着し、前記各
分離溝の中央部分から前記支持基板に達する細溝を形成
して製造する多チャンネル形放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232150A JPS60124879A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232150A JPS60124879A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124879A true JPS60124879A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16934775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232150A Pending JPS60124879A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | 多チャンネル形放射線検出器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124879A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04203996A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | センサアレイ |
| JP2005523438A (ja) * | 2002-04-18 | 2005-08-04 | フォルシェングスツェントルム ユーリッヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | 両接触表面に微細構造を有する位置感応型ゲルマニウム検出器 |
| WO2009083920A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical isolation of x-ray semiconductor imager pixels |
| JP2012023235A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法 |
| CN103606586A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-02-26 | 电子科技大学 | 基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法 |
| JP2014239152A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 電極層を分断する溝を有する半導体素子及びその溝の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893292A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | 半導体放射線検出器の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58232150A patent/JPS60124879A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893292A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Toshiba Corp | 半導体放射線検出器の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04203996A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | センサアレイ |
| JP2005523438A (ja) * | 2002-04-18 | 2005-08-04 | フォルシェングスツェントルム ユーリッヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクター ハフトゥング | 両接触表面に微細構造を有する位置感応型ゲルマニウム検出器 |
| WO2009083920A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical isolation of x-ray semiconductor imager pixels |
| US20110019794A1 (en) * | 2007-12-28 | 2011-01-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical isolation of x-ray semiconductor imager pixels |
| US8373134B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-02-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical isolation of X-ray semiconductor imager pixels |
| JP2012023235A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法 |
| JP2014239152A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 電極層を分断する溝を有する半導体素子及びその溝の形成方法 |
| US10128305B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-11-13 | Siemens Healthcare Gmbh | Semiconductor element having grooves which divide an electrode layer, and method of forming the grooves |
| CN103606586A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-02-26 | 电子科技大学 | 基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法 |
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