JPH10325877A - 半導体中性子線検出素子 - Google Patents
半導体中性子線検出素子Info
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- JPH10325877A JPH10325877A JP9134198A JP13419897A JPH10325877A JP H10325877 A JPH10325877 A JP H10325877A JP 9134198 A JP9134198 A JP 9134198A JP 13419897 A JP13419897 A JP 13419897A JP H10325877 A JPH10325877 A JP H10325877A
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】長期間にわたって感度が安定し、信頼性が高い
半導体中性子線検出素子を提供する。 【解決手段】単結晶シリコン板１にアモルファスシリコ
ン層２が形成され、アモルファスシリコン層２上に上部
アルミ電極３が、単結晶シリコン板１には下部アルミ電
極４が形成されてヘテロ接合型のダイオード構造が構成
されている。上部アルミ電極３上にはほう素層５が形成
され、ほう素層５を包むようにアルミ被覆層６が形成さ
れている。アルミ被覆層６でほう素層５を被覆すること
によって、ほう素層５の剥離を防止し、課題を解決して
いる。アルミ被覆層６に代えてポリパラキシリレンの蒸
着層を形成することも有効である。また、ｐｎ接合型あ
るいは表面障壁型のダイオード構造にも同様に適用でき
る。
半導体中性子線検出素子を提供する。 【解決手段】単結晶シリコン板１にアモルファスシリコ
ン層２が形成され、アモルファスシリコン層２上に上部
アルミ電極３が、単結晶シリコン板１には下部アルミ電
極４が形成されてヘテロ接合型のダイオード構造が構成
されている。上部アルミ電極３上にはほう素層５が形成
され、ほう素層５を包むようにアルミ被覆層６が形成さ
れている。アルミ被覆層６でほう素層５を被覆すること
によって、ほう素層５の剥離を防止し、課題を解決して
いる。アルミ被覆層６に代えてポリパラキシリレンの蒸
着層を形成することも有効である。また、ｐｎ接合型あ
るいは表面障壁型のダイオード構造にも同様に適用でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、10Ｂと中性子線
との核反応によって発生するα線などにより中性子線を
検出する半導体中性子線検出素子に関する。
との核反応によって発生するα線などにより中性子線を
検出する半導体中性子線検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術による半導体中性子線検出素子
（以下では、ｎ線検出素子と略称する）の一般的な構造
は図５の通りである。単結晶シリコン板１の片面にｐｎ
接合部11が形成され、ｐｎ接合部11の両側の表面に、例
えば電子ビーム蒸着法によって上部アルミ電極３及び下
部アルミ電極４が形成されてダイオード構造が構成され
ている。このダイオード構造のｐｎ接合部11に隣接する
領域にほう素層５が、例えばＤＣプラズマＣＶＤ法で形
成されてｎ線検出素子は構成されている。
（以下では、ｎ線検出素子と略称する）の一般的な構造
は図５の通りである。単結晶シリコン板１の片面にｐｎ
接合部11が形成され、ｐｎ接合部11の両側の表面に、例
えば電子ビーム蒸着法によって上部アルミ電極３及び下
部アルミ電極４が形成されてダイオード構造が構成され
ている。このダイオード構造のｐｎ接合部11に隣接する
領域にほう素層５が、例えばＤＣプラズマＣＶＤ法で形
成されてｎ線検出素子は構成されている。
【０００３】天然のほう素層５は約20％の10Ｂを含んで
おり、10Ｂに中性子線が入射すると 10Ｂと中性子線とが
次のような核反応を起こす。10Ｂ＋ｎ→ 7Ｌi ＋αこの
核反応の結果として発生する 7Ｌi 線及びα線を検出す
ることができれば、ほう素層５に入射した中性子線を検
出することができる。この 7Ｌi 線及びα線を検出する
ために、ダイオード構造に逆バイアス電圧が印加され、
その電圧によってｐｎ接合部11の両側に空乏層が形成さ
れる。空乏層はその中に大きな電位勾配を有しており、
空乏層内に進入した 7Ｌi 線及びα線によって発生させ
られた電子・正孔対がその電界によって分離され、電流
パルス信号として検出される。
おり、10Ｂに中性子線が入射すると 10Ｂと中性子線とが
次のような核反応を起こす。10Ｂ＋ｎ→ 7Ｌi ＋αこの
核反応の結果として発生する 7Ｌi 線及びα線を検出す
ることができれば、ほう素層５に入射した中性子線を検
出することができる。この 7Ｌi 線及びα線を検出する
ために、ダイオード構造に逆バイアス電圧が印加され、
その電圧によってｐｎ接合部11の両側に空乏層が形成さ
れる。空乏層はその中に大きな電位勾配を有しており、
空乏層内に進入した 7Ｌi 線及びα線によって発生させ
られた電子・正孔対がその電界によって分離され、電流
パルス信号として検出される。
【０００４】しかし、 7Ｌi 線及びα線は物質中を進行
する際に大きくエネルギーを消耗するので到達できる距
離が短いため、核反応を起こす領域にできるかぎり隣接
させて空乏層を形成することが重要である。そのため、
通常、上部アルミ電極３は非常に薄い層、例えば厚さ
0.1μm の層、として形成され、ｐｎ接合もできるだけ
表面に近い部分に形成される。また、上部アルミ電極３
の形成はアルミ線をボンディングする部分（図５ではワ
イアボンディング位置31）だけに限定されることもあ
る。
する際に大きくエネルギーを消耗するので到達できる距
離が短いため、核反応を起こす領域にできるかぎり隣接
させて空乏層を形成することが重要である。そのため、
通常、上部アルミ電極３は非常に薄い層、例えば厚さ
0.1μm の層、として形成され、ｐｎ接合もできるだけ
表面に近い部分に形成される。また、上部アルミ電極３
の形成はアルミ線をボンディングする部分（図５ではワ
イアボンディング位置31）だけに限定されることもあ
る。
【０００５】上記ではｐｎ接合型のダイオードの場合を
説明したが、単結晶シリコン板上にアモルファスシリコ
ン層を形成したヘテロ接合型ダイオードや単結晶シリコ
ン板上に金属層を形成した表面障壁型ダイオードを使っ
ても同様にｎ線検出素子を製作することができる。この
ように、ほう素層５はダイオードの空乏層に隣接してア
ルミ電極上あるいはシリコン上に形成されるが、中性子
線感度を確保するためにほう素層５の厚さを増していく
と密着性が不十分となり、温度変化の繰り返しや長時間
保存の間に剥離し、中性子検出感度を変化させるという
問題点を有している。
説明したが、単結晶シリコン板上にアモルファスシリコ
ン層を形成したヘテロ接合型ダイオードや単結晶シリコ
ン板上に金属層を形成した表面障壁型ダイオードを使っ
ても同様にｎ線検出素子を製作することができる。この
ように、ほう素層５はダイオードの空乏層に隣接してア
ルミ電極上あるいはシリコン上に形成されるが、中性子
線感度を確保するためにほう素層５の厚さを増していく
と密着性が不十分となり、温度変化の繰り返しや長時間
保存の間に剥離し、中性子検出感度を変化させるという
問題点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のほ
う素層の剥離を防止し、中性子検出感度が長期間にわた
って安定で、信頼性が高いｎ線検出素子を提供すること
を課題とする。
う素層の剥離を防止し、中性子検出感度が長期間にわた
って安定で、信頼性が高いｎ線検出素子を提供すること
を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明においては、逆
バイアス電圧が印加されることによって空乏層を生成す
るヘテロ接合、ｐｎ接合あるいは表面障壁を有するダイ
オードと、この空乏層に隣接する領域に形成された10Ｂ
を含むほう素層とを備えているｎ線検出素子において、
ほう素層を被覆する補強層を備えている。
バイアス電圧が印加されることによって空乏層を生成す
るヘテロ接合、ｐｎ接合あるいは表面障壁を有するダイ
オードと、この空乏層に隣接する領域に形成された10Ｂ
を含むほう素層とを備えているｎ線検出素子において、
ほう素層を被覆する補強層を備えている。
【０００８】この補強層がほう素層の剥離を防止する。
補強層としては、ポリパラキシリレン層あるいはアルミ
層が使われる。ポリパラキシリレン層は蒸着が可能な絶
縁性有機物層であり、各種材料に対して密着性がよく、
簡単な蒸着装置で形成することができ、防湿効果が高
く、厚さの制御が容易である。アルミ層は最も一般的に
用いられる蒸着金属層であり、各種材料に対して密着性
がよく電極としての機能も兼ねることができる。
補強層としては、ポリパラキシリレン層あるいはアルミ
層が使われる。ポリパラキシリレン層は蒸着が可能な絶
縁性有機物層であり、各種材料に対して密着性がよく、
簡単な蒸着装置で形成することができ、防湿効果が高
く、厚さの制御が容易である。アルミ層は最も一般的に
用いられる蒸着金属層であり、各種材料に対して密着性
がよく電極としての機能も兼ねることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明は、剥離し易いほう素層
をダイオード構造材料と密着性のよい材料で被覆するこ
とによって機械的に固定しようとするものである。以下
に実施例について説明する。なお、従来技術と同じ機能
の部分については同じ符号を用いている。
をダイオード構造材料と密着性のよい材料で被覆するこ
とによって機械的に固定しようとするものである。以下
に実施例について説明する。なお、従来技術と同じ機能
の部分については同じ符号を用いている。
【００１０】〔第１の実施例〕図１は、この発明による
ｎ線検出素子の第１の実施例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＡＡ方向の断面図である。この実施例における
ダイオード構造は、単結晶シリコン板１上にプラズマＣ
ＶＤ法によりアモルファスシリコン層２を形成し、その
上下面に電子ビーム蒸着法により上部アルミ電極３及び
下部アルミ電極４を形成して構成されている。このダイ
オードの上部アルミ電極３の周辺部及びワイアボンディ
ング位置61を除く部分にＤＣプラズマＣＶＤ法でほう素
層５が形成され、このほう素層５を包むようにして、上
部アルミ電極３と同じ形状のアルミ被覆層６が電子ビー
ム蒸着法によって形成されている。
ｎ線検出素子の第１の実施例を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）はＡＡ方向の断面図である。この実施例における
ダイオード構造は、単結晶シリコン板１上にプラズマＣ
ＶＤ法によりアモルファスシリコン層２を形成し、その
上下面に電子ビーム蒸着法により上部アルミ電極３及び
下部アルミ電極４を形成して構成されている。このダイ
オードの上部アルミ電極３の周辺部及びワイアボンディ
ング位置61を除く部分にＤＣプラズマＣＶＤ法でほう素
層５が形成され、このほう素層５を包むようにして、上
部アルミ電極３と同じ形状のアルミ被覆層６が電子ビー
ム蒸着法によって形成されている。
【００１１】このように構成することにより、上部アル
ミ電極３とほう素層５との密着強度が低く、しかも熱応
力などによる剥離させようとする作用が働いても、アル
ミ被覆層６が剥離を防止し、安定な中性子線感度を維持
させる。なお、ワイアボンディング位置61では、上部ア
ルミ電極３とアルミ被覆層６との間にほう素層をもたな
いので十分強い密着強度が確保でき、ワイアボンディン
グに支障はない。
ミ電極３とほう素層５との密着強度が低く、しかも熱応
力などによる剥離させようとする作用が働いても、アル
ミ被覆層６が剥離を防止し、安定な中性子線感度を維持
させる。なお、ワイアボンディング位置61では、上部ア
ルミ電極３とアルミ被覆層６との間にほう素層をもたな
いので十分強い密着強度が確保でき、ワイアボンディン
グに支障はない。
【００１２】〔第２の実施例〕図２は、この発明の第２
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、従来技術の項で図５によ
って説明したｐｎ接合型のダイオード構造を用いてい
る。ｐｎ接合型のダイオード構造については従来技術の
項での説明と同じであるから省略し、異なる点について
説明する。
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、従来技術の項で図５によ
って説明したｐｎ接合型のダイオード構造を用いてい
る。ｐｎ接合型のダイオード構造については従来技術の
項での説明と同じであるから省略し、異なる点について
説明する。
【００１３】この実施例は、図５に示した従来技術によ
るｎ線検出素子の上部アルミ電極３及び下部アルミ電極
４にそれぞれアルミ線８をボンディングした後、素子の
全面に絶縁性有機物質であるポリパラキシリレンの蒸着
層７（図２ではパリレンコート層７、以下でもパリレン
コート層という）を形成したものである。パリレンコー
ト層７は、形成が容易で、素子表面への密着性がよく、
防湿効果があり、厚さの制御も容易であり、ほう素層５
の補強層の働きに加えて、素子の表面を湿度から保護す
る働きも兼ね備えている。
るｎ線検出素子の上部アルミ電極３及び下部アルミ電極
４にそれぞれアルミ線８をボンディングした後、素子の
全面に絶縁性有機物質であるポリパラキシリレンの蒸着
層７（図２ではパリレンコート層７、以下でもパリレン
コート層という）を形成したものである。パリレンコー
ト層７は、形成が容易で、素子表面への密着性がよく、
防湿効果があり、厚さの制御も容易であり、ほう素層５
の補強層の働きに加えて、素子の表面を湿度から保護す
る働きも兼ね備えている。
【００１４】〔第３の実施例〕図３は、この発明の第３
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、図５に示した従来技術に
よるｎ線検出素子の上部電極３のワイアボンディング位
置31及び下部電極４にはパリレンコート層７を形成しな
いで、ワイアボンディング位置31を除く上面及び側面に
パリレンコート層７を形成したものである。パリレンコ
ート層７形成時には、下部アルミ電極４及びワイアボン
ディング位置31はマスク部材で被覆されており、蒸着終
了後にマスク部材は除去される。
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、図５に示した従来技術に
よるｎ線検出素子の上部電極３のワイアボンディング位
置31及び下部電極４にはパリレンコート層７を形成しな
いで、ワイアボンディング位置31を除く上面及び側面に
パリレンコート層７を形成したものである。パリレンコ
ート層７形成時には、下部アルミ電極４及びワイアボン
ディング位置31はマスク部材で被覆されており、蒸着終
了後にマスク部材は除去される。
【００１５】〔第４の実施例〕図４は、この発明の第４
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、図５に示した従来技術に
よるｎ線検出素子を基板９にダイボンディングし、上部
電極３のワイアボンディング位置31にはアルミ線８をワ
イアボンディングした後、パリレンコート層７を形成し
たものである。
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図である。この実施例は、図５に示した従来技術に
よるｎ線検出素子を基板９にダイボンディングし、上部
電極３のワイアボンディング位置31にはアルミ線８をワ
イアボンディングした後、パリレンコート層７を形成し
たものである。
【００１６】以上のように、パリレンコート層７は絶縁
体層であるので、ｎ線検出素子の製造工程及びアセンブ
リ工程のいろんな部分で形成することができ、しかもほ
う素層５の補強層の働きに加えて、素子の表面を湿度か
ら保護する働きも兼ね備えており、非常に有効である。
第１の実施例はヘテロ接合型のダイオード構造であり、
第２から第４の実施例はｐｎ接合型のダイオード構造で
あったが、どの実施例においても異なるダイオード構造
に置き換えが可能であることは言うまでもないであろ
う。
体層であるので、ｎ線検出素子の製造工程及びアセンブ
リ工程のいろんな部分で形成することができ、しかもほ
う素層５の補強層の働きに加えて、素子の表面を湿度か
ら保護する働きも兼ね備えており、非常に有効である。
第１の実施例はヘテロ接合型のダイオード構造であり、
第２から第４の実施例はｐｎ接合型のダイオード構造で
あったが、どの実施例においても異なるダイオード構造
に置き換えが可能であることは言うまでもないであろ
う。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、逆バイアス電圧が印
加されることによって空乏層を生成するヘテロ接合、ｐ
ｎ接合あるいは表面障壁を有するダイオードと、この空
乏層に隣接する領域に形成された10Ｂを含むほう素層と
を備えている半導体中性子線検出素子において、ほう素
層を被覆する補強層を備えているので、ほう素層の剥離
が防止され、中性子検出感度が長期間にわたって安定し
信頼性の高い半導体中性子線検出素子を提供することが
できる。
加されることによって空乏層を生成するヘテロ接合、ｐ
ｎ接合あるいは表面障壁を有するダイオードと、この空
乏層に隣接する領域に形成された10Ｂを含むほう素層と
を備えている半導体中性子線検出素子において、ほう素
層を被覆する補強層を備えているので、ほう素層の剥離
が防止され、中性子検出感度が長期間にわたって安定し
信頼性の高い半導体中性子線検出素子を提供することが
できる。
【００１８】補強層としては、ポリパラキシリレン層あ
るいはアルミ層が使われる。ポリパラキシリレン層は蒸
着が可能な絶縁性有機物層であり、各種材料に対して密
着性がよく、簡単な蒸着装置で形成することができ、防
湿効果が高く、厚さの制御が容易であるので、絶縁性の
補強材として最適である。アルミ層は最も一般的に用い
られる蒸着金属層であり、各種材料に対して特に密着性
がよく、電極としての機能も兼ねることができるので、
導電性の補強材として最適である。
るいはアルミ層が使われる。ポリパラキシリレン層は蒸
着が可能な絶縁性有機物層であり、各種材料に対して密
着性がよく、簡単な蒸着装置で形成することができ、防
湿効果が高く、厚さの制御が容易であるので、絶縁性の
補強材として最適である。アルミ層は最も一般的に用い
られる蒸着金属層であり、各種材料に対して特に密着性
がよく、電極としての機能も兼ねることができるので、
導電性の補強材として最適である。
【図１】この発明による半導体中性子線検出素子の第１
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図
の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ方向の
断面図
【図２】この発明の第２の実施例を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図
図、（ｂ）は断面図
【図３】この発明の第３の実施例を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図
図、（ｂ）は断面図
【図４】この発明の第４の実施例を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は断面図
図、（ｂ）は断面図
【図５】従来技術による半導体中性子線検出素子の１例
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
１ 単結晶シリコン板 11 ｐｎ接合部 ２ アモルファスシリコン層 ３ 上部アルミ電極 31 ワイアボンディング位置 ４ 下部アルミ電極 ５ ほう素層 ６ アルミ被覆層 61 ワイアボンディング位置 ７ パリレンコート層 ８ アルミ線 ９ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】逆バイアス電圧が印加されることによって
空乏層を生成するヘテロ接合、ｐｎ接合あるいは表面障
壁を有するダイオードと、この空乏層に隣接する領域に
形成された10Ｂを含むほう素層とを備えている半導体中
性子線検出素子において、ほう素層を被覆する補強層を
備えていることを特徴とする半導体中性子線検出素子。 - 【請求項２】補強層がポリパラキシリレン層であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体中性子線検出素
子。 - 【請求項３】補強層がアルミ層であることを特徴とする
請求項１に記載の半導体中性子線検出素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134198A JPH10325877A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体中性子線検出素子 |
| FR9806523A FR2763744A1 (fr) | 1997-05-26 | 1998-05-25 | Element detecteur de neutrons du type a semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134198A JPH10325877A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体中性子線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325877A true JPH10325877A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15122733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134198A Pending JPH10325877A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体中性子線検出素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10325877A (ja) |
| FR (1) | FR2763744A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020073241A (ko) * | 2001-03-13 | 2002-09-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2011503599A (ja) * | 2007-11-15 | 2011-01-27 | ヘルス プロテクション エージェンシー | 放射線検出 |
| WO2013091280A1 (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 同方威视技术股份有限公司 | 中子敏感镀膜及其形成方法 |
| US20140061829A1 (en) * | 2009-01-30 | 2014-03-06 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High sensitivity, solid state neutron detector |
| CN107884811A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-04-06 | 中核控制系统工程有限公司 | 一种基于硅pin的中子探测器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867444B1 (en) * | 2003-10-20 | 2005-03-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Semiconductor substrate incorporating a neutron conversion layer |
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|---|---|---|---|---|
| JPS60240161A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
| JPH0287681A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP9134198A patent/JPH10325877A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-25 FR FR9806523A patent/FR2763744A1/fr active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020073241A (ko) * | 2001-03-13 | 2002-09-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2011503599A (ja) * | 2007-11-15 | 2011-01-27 | ヘルス プロテクション エージェンシー | 放射線検出 |
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| US9029792B2 (en) * | 2009-01-30 | 2015-05-12 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High sensitivity, solid state neutron detector |
| WO2013091280A1 (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 同方威视技术股份有限公司 | 中子敏感镀膜及其形成方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2763744A1 (fr) | 1998-11-27 |
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