KR101091720B1 - 카드뮴 텔룰라이드/카드뮴 아연 텔룰라이드 방사선 영상 검출기 및 고 전압/바이어스 전압 수단 - Google Patents

카드뮴 텔룰라이드/카드뮴 아연 텔룰라이드 방사선 영상 검출기 및 고 전압/바이어스 전압 수단 Download PDF

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Abstract

고 전압을 연속적인 전극에 인가하기 위한 고 전압 바이어스부와 CdTe 또는 CdZnTe 방사선 영상 검출기는 검출기의 안정된 성능을 보장한다. 상기 고 저압 바이어스부는 알루미늄보다 쉽게 산화되지 않거나 더 느리게 산화되는 일군의 물질로부터 선택되며 30㎛ 이상의 전도체를 포함한다.

Description

카드뮴 텔룰라이드/카드뮴 아연 텔룰라이드 방사선 영상 검출기 및 고 전압/바이어스 전압 수단{CdTe/CdZnTe Radiation Imaging Detector And High/Biasing Voltage Means}
본 발명은 검출된 방사선 에너지가 5keV 이상, 통상적으로는 5keV~1MeV 범위에 있는 방사선 검출 및 디지털 방사선 영상에 관한 것이다. 더 상세하게, 본 발명은 고 전압 또는 바이어스 전압을 화합물 반도체 방사선 검출기의 표면에 접속하는 방법에 관한 것이다.
반도체 방사선 검출기는 반도체 검출기 결정 내에 전계를 생성하기 위해, 검출기의 일부 표면에 고 전압, 바이어스 전압, 또는 고 전압과 바이어스 전압 양자를 필요로 한다. 상기 전계는 입사 방사선(X선 또는 감마선 또는 입자 방사선)에 의해 반도체 검출기 결정 내에 생성된 신호 전하(전자 또는 정공)의 효과적인 수집을 보장하기 위해 필요하다. 통상적으로 고 전압 접촉은 10㎛~25㎛의 두께를 갖는 얇은 알루미늄 와이어에 의해 이루어진다. 상기 알루미늄 와이어는 일반적으로 초음파 본딩에 의해 부착된다. 검출기 표면과 알루미늄 와이어 사이에 고 전압 접속을 제공하기 위한 다른 수단은 기계적인 압력에 의해 상기 검출기 표면과 접촉하는 금속 스프링 또는 전도성 엑폭시 수지를 포함한다. 상기 고 전압을 접촉하기 위한 종래의 수단은 소정 타입의 반도체 검출기와 소정의 적용분야에서 양호하게 작동한다.
입사 방사선이 저 전압(그라운드/신호)측으로부터 검출기 결정체에 들어가는 적용분야에서, 고 전압은 전도성 에폭시 수지에 의해 접속될 수 있는데, 상기 에폭시 수지는 인쇄회로기판(PCB)과 같은 받침수단과 검출기 표면 사이를 전기적으로 접촉시킨다. 얇은 알루미늄 와이어는 실리콘으로 이루어진 검출기용 고 전압 커넥터로서 적합한데, 상기 실리콘으로 이루어진 검출기용 고 전압 커넥터는 양호한 성능과 안정된 특성이 있는 고가의 반도체이다.
노출된 상태로 자유롭게 방사선을 수신하기 위한 고 전압/바이어스 전압의 검출기 표면을 필요로 하는 적용분야에서, 검출기 표면의 일부 또는 모두를 덮는 금속 스프링과 같은 종래의 수단은 검출기에 고 전압을 접속하는 데에는 사용될 수 없다. 마찬가지로, 상기 적용분야에서, 고 전압 표면은 에폭시 수지를 사용하여 기판에 접착될 수 없다. 대신에, 고 전압의 검출기 표면의 극소 지점만을 덮는 얇은 와이어가 바람직하다.
노출된 상태인 고 전압/바이어스 전압의 검출기 표면을 필요로 하는 적용분야의 일예는 집적 판독회로에 접착된 반도체 결정(즉, 검출기) 범프로 구성된 하이브리드 검출기를 갖는 방사선 영상분야이다.
본 발명의 제 1 측면에 따라 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환(direct conversion), 화합물 반도체 검출기가 제공되는데, 상기 화합물 반도체 검출기는 2개의 주요 면, 즉 입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하기 위한 제 1 면 및 고 전압 바이어스 수단을 접촉하기 위한 제 2 면을 구비하되, 상기 바이어스 수단은 구리, 금, 은 또는 백금 전도체 또는 전기 전도성 에폭시 수지, 플라스틱 또는 고무를 포함한다.
본 발명의 제 2 측면에 따라 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기가 제공되는데, 상기 화합물 반도체 검출기는 2개의 주요 면, 즉 입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하기 위한 제 1 면 및 고 전압 바이어스 수단을 접촉하기 위한 제 2 면을 구비하되, 상기 바이어스 수단은 30㎛ 이상의 지름을 갖는 전도성 와이어를 포함한다.
본 발명의 제 3 측면에 따라 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기가 제공되는데, 상기 화합물 반도체 검출기는 2개의 주요 면, 즉 입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하기 위한 제 1 면 및 고 전압 바이어스 수단을 접촉하기 위한 제 2 면을 구비하되, 상기 바이어스 수단은 면적이 700㎛2 이상인 접촉 면을 갖는 전도체를 포함한다.
본 발명의 제 4 측면에 따라 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기가 제공되는데, 상기 화합물 반도체 검출기는 2개의 주요 면, 즉 입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하기 위한 제 1 면 및 고 전압 바이어스 수단을 접촉하기 위한 제 2 면을 구비하되, 상기 바이어스 수단은 2개 이상의 개별 전도체를 포함한다.
본 발명의 제 5 측면에 따라 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기가 제공되는데, 상기 화합물 반도체 검출기는 2개의 분리된 검촐기 소자를 구비하되, 상기 검출기 소자는 각각 2개의 주요 면, 즉 입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하기 위한 제 1 면 및 고 전압 바이어스 수단을 접촉하기 위한 제 2 면을 구비하며, 상기 제 2 면은 전도체와 직렬로 연결되어 있다.
본 발명은 CdTe(카드뮴 텔룰라이드) 또는 CdZnTe(카드뮴 아연 텔룰라이드)를 기반으로 한 방사선 영상/방사선 검출기를 갖는 특정 분야에 적용된다.
본 발명은 특정한 방식으로 행해진 반도체 검출기의 표면에 고 전압/바이어스 전압을 접속하는 개선된 검출기를 개시한다. 종래의 접속은 연속적인 전극을 갖는 검출기 표면에 고 전압을 전송 및 접속하는 얇은 알루미늄 와이어를 사용하는 것이지만, 이는 CdTe 및 CdZnTe의 경우에 검출기 응답에 있어서 종종 갑작스러운 변화를 야기하는 불안정한 상태로 검출기를 방치할 수 있다는 것을 발견하였다. 본 발명은 지속적으로 신뢰성을 주는 검출기 성능 및 고 전압의 안정적인 공급을 보장한다.
본 발명의 발명자는 화소로 된 CdTe 영상 검출기의 고 전압 접속이 얇은 알루미늄 와이어를 사용하여 제공되면, 검출기 응답이 출력 신호 레벨에서 급속한 변화를 야기하는 불안정한 상태로 종종 악화될 수 있다는 것을 발견하였다. 상기와 같은 급속한 변화는 예를 들어 전체의 검출기 영역에 걸쳐 광범위하고 급속한 베이스 레벨 변동(섬광 또는 직류 레벨 파동) 또는, 개별 화소나 화소의 국부적인 클러스터에서 신호 스파이크를 보일 수 있다. 상기와 같은 불안정한 상태에 대한 근본적인 이유는 전하 트래핑을 일으키는 결정 불균일성과 관련이 있다는 것을 알았다. 또한 금속 필름으로 덮여있는 CdTe 또는 CdZnTe 표면과 접속 와이어 사이의 물리적인 접촉과도 관련이 있을 수 있다는 것을 알았다. CdTe 또는 CdZnTe 결정의 깨지기 쉬운 성질과 금속 필름의 특성으로 인해, 일반적으로 와이어를 초음파 본딩에 의해 CdTe 표면에 접속하는 것이 불가능하다. 대신에, 전도성 에폭시 수지가 사용된다. 알루미늄 와이어의 표면이 산화되는 경우에는 접촉점에서 불필요한 전기적인 저항력을 야기하고 상술한 불안정 상태를 유도할 수도 있다.
본 발명의 발명자는 고 전압 접속부가 구리로 이루어진 두꺼운 와이어로 제공된다면, CdTe 및 CdZnTe 검출기의 성능이 안정한 상태로 유지된다는 것을 관찰하였다. 이와 유사하게, 양질의 고 전압 접속부는 금, 백금 또는 은과 같이 느리게 산화되는 다른 금속으로 이루어진 두꺼운 와이어에 의해 이루어질 수도 있다. 고 전압을 인가하는 다른 수단은 전도성 에폭시 수지로 이루어진 덩어리 또는 마이크로 스프링 등이 사용될 수 있는데, 이는 고 전압 접속이 지름 5㎛~25㎛ 범위 내의 얇은 알루미늄 와이어를 통해 이루어질 때 관찰된 불안정 문제를 제거한다.
도 1은 하이브리드 픽셀 검출기의 상부 표면에 고 전압을 접속하는 종래의 방법을 나타내는 도면.
도 2는 고 전압 커넥터로서 사용된 두꺼운 구리 와이어를 갖는 본 발명의 일실시예를 나타내는 도면.
도 3은 고 전압 커넥터로서 사용된 마이크로 스프링을 갖는 본 발명의 일실시예를 나타내는 도면.
도 4는 검출기 표면에 고 전압을 접속하기 위해 사용된 한 덩어리의 전도성 에폭시 수지를 갖는 본 발명의 일실시예를 나타내는 도면.
도 5는 단 하나의 접속부를 통해 각각의 검출기 소자들에 고 전압을 인가하기 위해, 인접한 검출기 소자들이 어떻게 검출기 기판에 연결될 수 있는 지를 나타내는 도면.
도 6은 검출기 기판과 상부 표면 사이에 2개 이상의 전도성 통로를 사용함으로써, 고 전압 접속부가 어떻게 안정한 상태로 이루어질 수 있는지를 나타내는 도면.
본 발명에 따르는 검출기 고 전압/바이어스 전압 수단은 사용중인 반도체 검출기의 안정된 성능을 보장하는데 적합하다. 상기 검출기 고 전압/바이어스 전압 수단은 이하에 설명된다. 이하의 설명들은 전적인 것이 아니며 검출기 표면 상에 있는 연속적인 바이어스 전극에 고 전압/바이어스 전압의 실질상 저항력이 없는 접속을 보장하기 위해 적절한 특성 및 충분히 큰 단면을 갖는 전도성 통로를 가지는 얇은 알루미늄 와이어를 대체하기 위한 기술의 예시들이다. 이러한 예시들에 소개된 전기 전도성 물질은 알루미늄보다 더 적은 산화 문제점을 나타낼 것으로 생각된다. 알루미늄보다 더 양호한 산화 특성을 갖는 다른 전도성 물질이 사용될 수도 있다.
도 1은 종래 기술, 특히 하이브리드 반도체 방사선 영상 검출기 범프가 판독회로에 접착된 경우의 일예를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이런 종류의 배치에서 집적회로의 상부 표면 상에 반도체 영상 검출기(2)를 갖는 집적회로(1)는 PCB와 같은 기판(3) 상에 탑재된다. 상기 기판은 반도체 영상 검출기(2)의 상부 표면에 의해 요구되는 고 전압/바이어스 전압을 공급한다. 상기 반도체 영상 검출기(2)의 저 전압 측인 그라운드 측(4)은 통상적으로 범프 본딩 또는 이와 유사한 다른 수단에 의해 집적회로(1)에 부착된다. 고 전압/ 바이어스 전압 면(5)은 방사선을 수신해야 하므로 표면이 아무것도 안 덮인 노출된 상태이다. 상부 표면인 고 전압/ 바이어스 전압 면(5)과 기판(3)에 고 전압을 접속하기 위한 종래의 방법은 얇은 알루미늄 와이어(6)를 갖는 것이다. 상기 알루미늄 와이어는 통상적으로 초음파 본드(7 및 8)를 사용하여 기판(3)과 검출기 표면인 고 전압/ 바이어스 전압 면(5)에 부착된다. 검출기가 깨지기 쉬운 연성(예를 들면, CdTe 또는 CdZnTe)이라면, 본드(8)는 전기 전도성 에폭시 수지를 사용하여 구현될 수도 있다.
본 발명의 발명자들은 소정 타입의 화합물 반도체 방사선 영상 검출기에 대하여, 도 1에 도시된 바와 같은 얇은 알루미늄 와이어를 사용하여 고 전압을 접속하는 종래의 방법이 적합하거나 이상적이지 않고, 중요한 작동상의 문제점을 유발할 수 있다는 것을 알게 되었다. 본 발명은 CdTe 검출기 및 CdZnTe 검출기에 특히 적용할 수 있지만, GaAs 또는 HgI2와 같은 다른 화합물 반도체 검출기들에 적용할 수도 있다.
도 2는 바이어스 전극면(12)과 기판(11)에 접속된 고 전압/바이어스 전압 전도수단으로서의 구리 와이어(10)를 갖는 본 발명에 따른 하이브리드 방사선 영상 검출기(9)를 나타낸다. 상기 구리 와이어(10)는 종래의 알루미늄 와이어보다 더 두꺼운 와이어이다. 따라서, 상기 구리 와이어의 지름은 30㎛ ~ 200㎛이지만, 이에 한정되지 않고 더 두꺼울 수도 있다. 바람직하게, 상기 구리 와이어는 원형의 단면을 가지지만, 본 발명은 원형(또는 원통형)이 아닌 적어도 700㎛2의 반도체로 이루어진 바이어스 표면의 접촉면을 갖는 다른 형상 또는 형태의 전도체를 포함할 수도 있다. 이 전도체는 30㎛의 원형 단면을 갖는 구리 와이어에 대하여 효과적인 접촉영역이다. 상기 구리 와이어는 예를 들어 전도성 에폭시 수지에 의해 기판(11)과 검출기 바이어스 전극면(12)에 부착될 수 있다. 본 발명에 따라, 두꺼운 와이어의 재질은 선택적으로 금, 은, 백금, 전도성 플라스틱 또는 천천히 산화하는 특성, 즉 알루미늄의 산화속도보다 더 느린 산화속도 및 양호한 전기 전도성을 갖는 어떤 다른 재질이 될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따라, 도 3은 고 전압/바이어스 전압 인가수단으로서 금속의 마이크로 스프링(14)을 갖는 하이브리드 검출기(13)를 나타낸다. 상기 마이크로 스프링(14)은 대안적으로 전도성 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 마이크로 스프링(14)은 예를 들어 기판(15)에 납땜될 수 있다. 검출기 표면(16)으로의 접촉은 마이크로 스프링(14)의 기계적인 가압에 의해 보장된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 도 4는 기판에 의해 인가된 고 전압을 하이브리드 검출기에 접속하기 위해 한 덩어리의 전도성 에폭시수지(17)가 어떻게 사용될 수 있는지를 나타낸다. 상기 에폭시수지(17)는 기판으로부터 연장하는 고 전압 핀(18)을 하이브리드 검출기(20)의 상부 검출기 표면(19)에 접속한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 도 5는 대규모의 활성 검출 영역을 형성하는 인접한 하이브리드 검출기(21)에 고 전압이 어떻게 접속될 수 있는지를 나타낸다. 이러한 타입의 하이브리드 검출기의 설계는 스캔 영상에서 공통적으로 사용된다. 이 실시예에서 고 전압/바이어스 전압은 예를 들어 두꺼운 구리 와이어(23)를 갖는 제 1 하이브리드 검출기(22)의 표면에 인가된다. 바이어스 표면을 각각 분리하여 기판(24)에 접속함으로써, 고 전압/바이어스 전압을 나머지의 다른 하이브리드 검출기들에 인가하는 대신, 각 하이브리드 검출기의 바이어스 표면은 접속부(25)에 의해 연결될 수 있는데, 이때 상기 접속부는 금속 와이어 또는 얇은 금속 시트로 이루어진 스트라이프 또는 전도성 에폭시 수지로 이루어진 덩어리일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 도 6은 추가의 금속 와이어를 사용하여 어떻게 고 전압 접속부의 신뢰성이 향상되는지를 나타낸다. 종래와는 다른 어떤 수단이 없는 상태(예를 들어, 생성 이유로 인한)에서, 얇은 알루미늄 와이어가 고 전압 커넥터로서 사용 가능하다. 고 전압 접속의 실패 또는 불안정에 대한 가능성을 감소시키기 위해 2개 이상의 와이어(26)들이 사용될 수 있다.
9, 13, 20, 21, 24 : 하이브리드 검출기 10, 23 : 구리 와이어
11, 15 : 기판 12 : 바이어스 전극면
14 : 마이크로 스프링 16 : 검출기 표면
17 : 에폭시 수지 18 : 고전압 핀
19 : 상부 검출기 표면 22 : 제 1 하이브리드 검출기
25 : 접속부 26 : 와이어

Claims (20)

  1. 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리로서,
    입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하는 제 1 주요 면과 고 전압을 인가하는 제 2 주요 면의 2개의 주요 면을 구비하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기; 및
    상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 인가하는 상기 제 2 주요 면과, 상기 제 1 주요 면을 접속하기 위한 바이어스 접속 수단을 포함하되,
    상기 바이어스 접속 수단은 2개 이상의 개별 전도체로 구성된 알루미늄보다 느린 산화속도를 갖는 전도체, 면적이 700㎛2 이상인 접촉 면을 갖는 전도체, 30㎛ 이상의 지름을 갖는 전도성 와이어, 구리 전도체, 금 전도체, 은 전도체, 백금 전도체, 전기 전도성 에폭시 수지 접속부, 전기 전도성 플라스틱 접속부 및 전기 전도성 고무 접속부로 구성된 그룹 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 30㎛ 이상의 지름을 갖고서 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 면적이 700㎛2 이상이면서 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 접촉 면을 갖는 전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 2개 이상의 개별 전도체를 포함하되, 각각의 전도체는 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  5. 제 1항에 있어서,
    입사 방사선에 따라 생성된 전기적인 신호를 판독하는 제 1 주요 면과 제 2 주요 면의 2개의 주요 면을 구비하는 복수개의 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기를 포함하되,
    상기 복수개의 검출기 중의 하나는 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 인가하는 상기 제 2 주요 면 상에 고 전압 바이어스 접속 수단을 구비하며,
    상기 복수개의 검출기들은 서로 상기 복수개의 검출기들 중 다른 하나에 직렬로 연결된 전도체와 접속된 고 전압 바이어스 접속 수단을 구비하여, 상기 제 2 주요 면이 다른 하나의 제 2 주요 면에 대하여 하나의 제 2 주요 면을 전도체를 사용하여 직렬로 연결되게 하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 검출기는 CdTe 계 검출기인 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 검출기는 CdZnTe 계 검출기인 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 구리 와이어 전도체, 금 와이어 전도체, 은 와이어 전도체 및 백금 와이어 전도체로 구성된 그룹 중의 하나의 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 구리 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 금 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 은 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 백금 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 전기 전도성 에폭시 수지 접속부, 전기 전도성 플라스틱 접속부 및 전기 전도성 고무 접속부로 구성된 그룹 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 전도체에 접속된 전기 전도성 에폭시 수지 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 전도체에 접속된 전기 전도성 플라스틱 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 전도체에 접속된 전기 전도성 고무 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 검출기 내에 전계를 생성하기 위해 고 전압 바이어스를 전송하는 알루미늄보다 느린 산화속도를 갖는 전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  18. 제 2항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 제 2 주요 면에 접촉하는 금속의 마이크로 스프링 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  19. 제 3항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 제 2 주요 면에 접촉하는 금속의 마이크로 스프링 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
  20. 제 8항에 있어서,
    상기 바이어스 접속 수단은 상기 제 2 주요 면에 접촉하는 금속의 마이크로 스프링 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 영상/방사선 검출, 직접 변환, 화합물 반도체 검출기 어셈블리.
KR1020107008239A 2007-11-01 2008-10-31 카드뮴 텔룰라이드/카드뮴 아연 텔룰라이드 방사선 영상 검출기 및 고 전압/바이어스 전압 수단 KR101091720B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8742522B2 (en) 2012-04-10 2014-06-03 Ev Products, Inc. Method of making a semiconductor radiation detector
KR101635980B1 (ko) * 2013-12-30 2016-07-05 삼성전자주식회사 방사선 디텍터 및 그에 따른 컴퓨터 단층 촬영 장치
CN104111470A (zh) 2014-07-15 2014-10-22 清华大学 半导体探测器的信号处理方法及装置
EP3839575A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 Koninklijke Philips N.V. Photon counting detector

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4255659A (en) * 1978-03-27 1981-03-10 The Regents Of The University Of California Semiconductor radiation detector
DE2915040A1 (de) * 1978-04-14 1979-10-25 Canon Kk Verfahren zum herstellen und anbringen eines koronaentladers
JPS60209196A (ja) * 1984-03-31 1985-10-21 Shimadzu Corp 半導体放射線検出器
JPH01114781A (ja) * 1987-10-28 1989-05-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Ｘ線検出装置
JPH0461173A (ja) 1990-06-22 1992-02-27 Nikko Kyodo Co Ltd 半導体放射線検出器の製造方法
FR2680010B1 (fr) * 1991-07-29 1993-11-26 Georges Charpak Detecteur a gaz de rayonnement ionisant.
JPH06112515A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Japan Energy Corp 半導体放射線検出器およびその製造方法
JP2922098B2 (ja) * 1993-08-04 1999-07-19 株式会社ジャパンエナジー 半導体放射線検出器
JPH07169989A (ja) * 1993-10-20 1995-07-04 Japan Energy Corp 半導体放射線検出器およびその製造方法
DE4340389C1 (de) 1993-11-26 1994-11-03 Siemens Ag Gasdetektor für die Computertomographie
US6011264A (en) * 1994-08-11 2000-01-04 Urigal Technologies, Ltd. Apparatus, system and method for gamma ray and x-ray detection
JPH08162492A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Fuji Electric Co Ltd アモルファスカーボン素子用電極
JPH10135436A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Japan Energy Corp ２次元マトリックスアレイ放射線検出器
US5917185A (en) * 1997-06-26 1999-06-29 Iowa State University Research Foundation, Inc. Laser vaporization/ionization interface for coupling microscale separation techniques with mass spectrometry
JP4410181B2 (ja) * 1999-09-08 2010-02-03 シャープ株式会社 二次元画像検出器の製造方法
JP2001083255A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Kyocera Corp Ｘ線検出素子搭載用配線基板
US20050118527A1 (en) 2001-02-18 2005-06-02 Ze'ev Harel Wide band gap semiconductor composite detector plates for x-ray digital radiography
JP4269859B2 (ja) * 2003-09-10 2009-05-27 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP2005172558A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 固体検出器およびその製造方法
RU2247411C1 (ru) 2004-04-23 2005-02-27 Общество с ограниченной ответственностью "Научно- технический центр прикладной физики НТЦ ПФ" Полупроводниковый детектор для регистрации сопутствующих нейтронам заряженных частиц в нейтронном генераторе со статическим вакуумом
DE102005005801B4 (de) * 2005-02-04 2007-08-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrostatisches Ablenksystem für Korpuskularstrahlung
JP2007139479A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Hitachi Ltd 核医学診断装置および核医学診断方法
JP2007155564A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Acrorad Co Ltd 放射線検出器および放射線画像検出装置
JPWO2007096967A1 (ja) 2006-02-23 2009-07-09 株式会社島津製作所 放射線検出器

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